KR20050002273A - 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050002273A KR20050002273A KR1020030043642A KR20030043642A KR20050002273A KR 20050002273 A KR20050002273 A KR 20050002273A KR 1020030043642 A KR1020030043642 A KR 1020030043642A KR 20030043642 A KR20030043642 A KR 20030043642A KR 20050002273 A KR20050002273 A KR 20050002273A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- organic
- layer
- thin film
- forming
- film transistor
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 114
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 유기 EL 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 박막트랜지스터, 커패시터, 화소전극, 유기물층, 공통전극으로 구성되는 유기 EL 소자에 있어서, 상기 박막트랜지스터의 하부에 광차단막을 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 상기 광차단막을 이용하여 박막트랜지스터로 흡수되는 빛을 차단할 수 있으므로 박막트랜지스터로 빛이 입사됨으로 인해 박막트랜지스터의 누설 전류(leakage current)가 증가하고 박막트랜지스터의 특성이 저하되는 문제점을 해결할 수 있으므로 화질이 우수하고 수명이 긴 유기 EL 소자 제작이 가능해진다.
Description
본 발명은 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로 특히, 바텀-이미션(bottom-emission)형 액티브 매트릭스 유기 EL 소자의 표시 특성 및 수명을 개선하기에 적합한 유기 EL 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
액티브 매트릭스(Active Matrix) 유기 EL 소자의 화소부분은 크게 각 화소 부분을 스위칭해주는 스위칭용 박막트랜지스터, 구동용 박막트랜지스터, 저장 커패시터(capacitor), 화소전극(anode), 유기물층, 공통전극(cathode)으로 구성되어 있다.
이 중 구동용 박막트랜지스터를 기준으로 한 종래 기술에 따른 화소의 단면을 도 1에 도시하였다.
종래의 유기 EL 소자는 도 1에 나타낸 바와 같이, 유리 기판(1)상에 각각 다수 개로 형성된 화소전극(8) 및 공통전극(15)이 교차하는 영역에 의해 정의되는 다수개의 화소에 형성되는 유기발광층(12)과, 상기 유리 기판(1)상에 형성되며 그 드레인 전극이 상기 화소전극(8)에 전기적으로 연결되는 박막트랜지스터(A)와, 상기 화소전극(8)과 유기발광층(12) 사이에 적층 형성된 정공주입층(10), 정공전달층(11)과, 상기 유기발광층(12)과 공통전극(15) 사이에 적층 형성된 전자전달층(13), 전자주입층(14)으로 구성된다.
상기 박막트랜지스터(A)는 유리 기판(1)의 일영역상에 형성되어 소오스/드레인 영역(2a)(2b) 및 채널 영역(2c)으로 구성되는 반도체층(2)과, 상기 반도체층(2)을 포함한 유리 기판(1)전면에 형성되는 게이트 절연막(3)과, 상기 채널 영역(2c) 상부의 게이트 절연막(3)상에 형성되는 게이트 전극(4)으로 구성된다.
이때, 상기 소오스/드레인 영역(2a)(2b)과 채널 영역(2c)의 경계는 상기 게이트 전극(4)의 양 에지와 얼라인(align)된다.
그리고, 상기 박막트랜지스터(A)상에는 상기 소오스 영역(2a) 및 드레인 영역(2b)을 오픈하는 제 1 층간 절연막(5)이 형성되어 있고 상기 제 1 층간 절연막(5)의 오픈 부위를 통해 상기 소오스/드레인 영역(2a)(2b)에 전기적으로 접속되는 전극 라인(6)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 제 1 층간 절연막(5) 및 전극 라인(6)의 포함한 전면에는 상기 드레인 영역(5b)에 전기적으로 접속된 전극 라인(6)을 오픈하는 제 2 층간 절연막(7)이 형성된다.
상기 제 2 층간 절연막(7) 위에 상기 화소전극(8)이 형성되게 되는데, 화소 전극(8)은 상기 제 2 층간 절연막(7)의 오픈 부위를 통해 박막트랜지스터(A)의 드레인 영역(2b)에 전기적으로 연결되게 된다.
그리고, 이웃하는 화소전극(8) 사이에 화소전극(8)의 일부분이 덮이도록 절연막(9)이 형성되어 있다.
다음에 상기한 구조의 종래 기술에 따른 유기 EL 소자의 제조방법을 설명한다.
도 2a 내지 도 2b는 종래 기술에 따른 유기 EL 소자의 제조공정 단면도이다.
우선, 도 2a에 도시된 바와 같이 유리 기판(1)상에 박막트랜지스터의 활성층으로 사용하기 위하여 다결정 실리콘 등으로 반도체층(2)을 형성하고 박막트랜지스터 예정 영역에만 남도록 상기 반도체층(2)을 패터닝(patterning)한다.
이어, 상기 전면에 게이트 절연막(3)과 게이트 전극용 도전막을 차례로 적층한 다음 상기 패터닝된 반도체층(2)의 일영역상에 남도록 상기 게이트 전극용 도전막을 패터닝하여 게이트 전극(4)을 형성한다.
그리고, 상기 게이트 전극(4)을 마스크로 상기 반도체층(2)에 보론(B)나 인(P) 등의 불순물을 주입하고 열처리하여 박막트랜지스터의 소오스/드레인 영역(2a)(2b)을 형성한다. 이때, 불순물이 주입되지 않은 게이트 전극(4) 하부의 반도체층(2)은 채널 영역(2c)이다.
이상의 공정으로 게이트 전극(4), 소오스/드레인 영역(2a)(2b)을 갖는 박막트랜지스터(A)가 완성된다.
이어, 전면에 제 1 층간 절연막(5)을 형성하고, 상기 박막트랜지스터(A)의 소오스/드레인 영역(2a)(2b)의 상부 표면이 노출되도록 상기 제 1 층간 절연막(5)과 게이트 절연막(3)을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성한다.
그리고, 상기 콘택홀이 매립될 수 있는 정도의 충분한 두께로 제 1 금속막을 형성하고 상기 콘택홀 및 그에 인접한 영역에만 남도록 상기 제 1 금속막을 선택적으로 제거하여 소오스/드레인 영역(2a)(2b)과 전기적으로 연결되는 전극 라인(6)을 형성한다.
그리고, 전면에 제 2 층간 절연막(7)을 형성하고 상기 드레인 영역(5b)에 연결된 전극 라인(6)이 노출되도록 상기 제 2 층간 절연막(7)을 선택적으로 제거한 다음, 유리 기판(1)의 표면을 따라서 ITO 등의 투명 전도막을 증착한다.
이어, R, G, B 발광층 예정 영역에 남도록 상기 투명 전도막을 선택적으로 제거하여 상기 전극 라인(6)에 전기적으로 연결되는 화소전극(anode)(8)을 형성한다.
그리고, 도 2b에 도시된 바와 같이 이웃하는 화소전극(8) 사이의 영역과 이에 인접한 화소전극(8)의 에지부분을 덮는 절연막(9)을 형성한다.
그런 다음에 정공주입층(10), 정공전달층(11), 유기발광층(12), 전자전달층(13), 전자주입층(14) 등의 유기물층을 차례로 형성하고, 알루미늄 등의 금속막을 증착하여 공통전극(15)을 형성한다.
이후, 도면에는 도시하지 않았지만 상기 유기물층(정공 주입층(10), 정공전달층(11), 유기발광층(12), 전자전달층(13), 전자주입층(14))을 산소나 수분으로부터 보호하기 위하여 보호막을 형성한 다음 봉지재(sealant)와 투명 기판을 사용하여 보호캡을 장착하여 바텀-이미션(bottom-emission) 방식의 액티브 매트릭스 유기 EL 소자를 완성한다.
그러나, 상기한 종래 기술은 다음과 같은 문제점이 있다.
상기 유기 발광층에서 발생된 강한 빛이 일부분은 밖으로 빠져나와 인간의 눈에 비춰지게 되지만, 일부분의 빛(발광층에서 발생된 빛의 20~40%)은 도 1에 도시된 바와 같이 유리 기판(1)에서 다시 반사되어 박막트랜지스터의 반도체층(2)으로 흡수되게 된다.
이는 유리 기판(1)의 굴절율이 공기보다 크고 공통전극(15)이 투명전극이 아니라 반사형 금속 전극이기 때문에 마이크로 캐버티(micro cavity) 현상이 발생하여 나타나는 현상으로 일반적으로 잘 알려져 있다.
액티브 매트릭스 유기 EL 소자는 유기 발광층이 주입되는 전류량에 따라 발광되는 빛의 양이 민감하게 변하는 현상을 이용한다. 따라서, 전류를 주입해 주는 박막트랜지스터의 특성이 매우 중요하며 디바이스 동작 중에 특성이 변화되게 되면 잔상, 수명, 신뢰성 등에 큰 악영향을 미치게 된다.
그런데, 종래의 유기 EL 소자에서는 유기발광층(12)에 의해 발광된 빛의 많은 양이 박막트랜지스터의 반도체층(2)으로 흡수되어 박막트랜지스터의 특성을 나쁘게 하여 유기 EL 소자의 화질과 수명이 크게 저하되는 문제가 발생된다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 안출한 것으로 박막트랜지스터의 반도체층으로 빛이 흡수되지 않게 하여 유기 EL 소자의 화질과 수명을 향상시킬 수 있는 유기 EL 소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 유기 EL 소자의 구조를 나타낸 단면도
도 2a 내지 도 2b는 종래 기술에 따른 유기 EL 소자의 제조공정 단면도
도 3은 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 구조를 나타낸 단면도
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 소자의 제조공정 단면도
**도면의 주요 부분에 대한 부호 설명**
21 : 유리 기판 22 : 광차단막
23 : 버퍼막 24 : 반도체층
25 : 게이트 절연막 26 : 게이트 전극
27 : 제 1 층간 절연막 28 : 전극 라인
29 : 제 2 층간 절연막 30: 화소전극
31 : 절연막 32 : 정공 주입층
33 : 정공 전달층 34 : 유기 발광층
35 : 전자 전달층 36 : 전자 주입층
37 : 공통전극
본 발명에 따른 유기 EL 소자는 박막트랜지스터, 커패시터, 화소전극, 유기물층, 공통전극으로 구성되는 유기 EL 소자에 있어서, 상기 박막트랜지스터의 하부에 광차단막을 구비하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 광차단막은 빛을 차단할 수 있는 금속물질 또는 검은 색을띠는 세라믹계 물질로 구성됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 광차단막과 박막트랜지스터 사이에 버퍼층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 버퍼층은 SiOx, SiNx중 적어도 어느 하나로 구성됨을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법은 투명 기판상의 박막트랜지스터 예정 영역에 광차단막을 형성하는 단계와, 전면에 버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터 예정 영역에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터의 소오스/드레인 영역을 노출하는 콘택홀을 갖는 제 1 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀에 전극 라인을 형성하는 단계와, 상기 드레인 영역에 연결된 전극 라인을 노출하는 콘택홀을 갖는 제 2 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제 2 층간 절연막에 형성된 콘택홀을 통해 드레인 영역에 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계와, 이웃하는 화소전극 사이에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 상면에 유기물층을 형성하고 상기 유기물층상에 공통전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 전면에 정공주입층, 정공전달층을 차례로 적층 형성하는 단계와, 상기 화소전극과 공통전극이 교차되는 화소 부분에 유기 발광층을 형성하는 단계와, 전면에 전자전달층, 전자주입층을 차례로 적층 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 광차단막은 빛을 차단할 수 있는 금속물질 또는 검은 색을 띠는 세라믹계 물질을 이용하여 형성함을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 버퍼층은 SiOx, SiNx중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성함을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해 질 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 구조를 나타낸 단면도로, 유리 기판(21)상에 각각 다수 개로 형성된 화소전극(30) 및 공통전극(37)이 교차하는 영역에 의해 정의되는 다수개의 화소에 형성되는 유기발광층(34)과, 상기 화소전극(30) 하부에 형성되며 상기 화소전극(30)에 드레인 전극이 연결되는 박막트랜지스터(B)와, 상기 박막트랜지스터(B) 하부의 유리 기판(21)상에 형성되어 상기 박막트랜지스터(B)로 입사되는 빛을 차단하는 광차단막(22)과, 상기 화소전극(30)과 유기발광층(34) 사이에 적층 형성된 정공주입층(32), 정공전달층(33)과, 상기 유기발광층(34)과 공통전극(37) 사이에 적층 형성된 전자전달층(35), 전자주입층(36)으로 구성된다.
상기 광차단막(22)은 알루미늄, 크롬 등과 같이 빛을 차단할 수 있는 일반 금속물질이나 검은 색을 띠는 세라믹계 물질을 재료로 한다.
상기 광차단막(22)상에는 SiOx, SiNx등의 절연막으로 버퍼막(23)이 형성되며 버퍼막(23)상에 상기 박막트랜지스터(B)가 위치된다.
상기 박막트랜지스터(B)는 상기 버퍼막(23)의 일영역상에 형성되는데, 소오스/드레인 영역(24a)(24b) 및 채널 영역(24c)으로 이루어진 반도체층(24)과, 상기 반도체층(24)을 포함한 전면에 형성되는 게이트 절연막(25)과, 상기 채널 영역(24c) 상부의 게이트 절연막(25)상에 형성되는 게이트 전극(26)으로 구성된다.
그리고, 상기 박막트랜지스터(B)상에는 상기 소오스 영역(24a) 및 드레인 영역(24b)의 상부 표면을 오픈하는 제 1 층간 절연막(27)이 형성되어 있고 상기 제 1 층간 절연막(27)의 오픈 부위를 통해 상기 소오스/드레인 영역(24a)(24b)에 전기적으로 접속되는 전극 라인(28)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 제 1 층간 절연막(27) 및 전극 라인(28)의 포함한 표면에는 상기 드레인 영역(24b)에 접속된 전극 라인(28)을 오픈하는 제 2 층간 절연막(29)이 형성되는데, 상기 화소전극(30)은 이 제 2 층간 절연막(29)상에 위치하며 상기 제 2 층간 절연막(29)의 오픈 부위를 통해 전극 라인(28)을 통해 상기 드레인 영역(24b)에 전기적으로 연결되게 된다.
그리고, 이웃하는 화소전극(30) 사이에 화소전극(30)의 일부분이 덮이도록 절연막(31)이 형성되어 있다.
다음에 상기한 구조를 갖는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조공정 단면도로서, 먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이 유리 기판(21)상에 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 등과 같이 빛을 차단할 수 있는 일반 금속물질 또는 검은 색일 띠는 세라믹계 물질을 증착하고, 박막트랜지스터가 형성될 것으로 예정된 부분인 박막트랜지스터 예정 영역에만 남도록 상기 증착물을 선택적으로 제거하여 광차단막(22)을 형성한다.
그리고, 상기 광차단막(22)을 포함하는 유리 기판(21)상에 SiOx, SiNx등의 절연막을 사용하여 버퍼막(23)을 형성한다.
이어, 상기 버퍼막(23)상에 박막트랜지스터의 활성층으로 사용하기 위하여 다결정 실리콘 등으로 반도체층(24)을 형성하고 상기 박막트랜지스터의 예정 영역상에 남도록 상기 반도체층(24)을 패터닝(patterning)한다.
이어, 상기 전면에 게이트 절연막(25)과 게이트 전극용 도전막을 차례로 적층한 다음 상기 패터닝된 반도체층(24)의 일영역상에 남도록 상기 게이트 전극용 도전막을 패터닝하여 게이트 전극(26)을 형성한다.
그리고, 상기 게이트 전극(26)을 마스크로 상기 반도체층(24)에 보론(B)나 인(P) 등의 불순물을 주입하고 열처리하여 박막트랜지스터의 소오스/드레인 영역(24a)(24b)을 형성한다. 이때, 불순물이 주입되지 않은 게이트 전극(26) 하부의 반도체층(24)은 채널 영역(24c)이 된다.
이상의 공정으로 게이트 전극(26), 소오스/드레인 영역(24a)(24b)을 갖는 박막트랜지스터(B)가 완성된다.
이어, 전면에 제 1 층간 절연막(27)을 형성하고, 상기 박막트랜지스터(A)의 소오스/드레인 영역(24a)(24b)의 상부 표면이 노출되도록 상기 제 1 층간 절연막(27)과 게이트 절연막(25)을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성한다.
그리고, 상기 콘택홀이 매립될 수 있는 정도의 충분한 두께로 금속막을 형성하고 상기 콘택홀 및 그에 인접한 영역에만 남도록 상기 금속막을 선택적으로 제거하여 소오스/드레인 영역(24a)(24b)과 전기적으로 연결되는 전극 라인(28)을 형성한다.
그리고, 전면에 제 2 층간 절연막(29)을 형성하고 상기 드레인 영역(24b)에 연결된 전극 라인(28)이 노출되도록 상기 제 2 층간 절연막(29)을 선택적으로 제거한 다음, 유리 기판(21)의 표면을 따라서, ITO 등의 투명 전도막을 형성한다.
이어, 상기 투명 전도막을 선택적으로 패터닝하여 화소전극(anode)(30)을 형성한다. 이때, 상기 화소전극(30)은 상기 전극 라인(28)을 통해 드레인 영역(24b)에 전기적으로 연결되게 된다.
이어, 도 4b에 도시된 바와 같이 이웃하는 화소전극(30) 사이의 영역과 이에 인접한 화소전극(30)의 에지부분을 덮는 절연막(31)을 형성한다.
그런 다음에 정공주입층(32), 정공전달층(33), 유기발광층(34), 전자전달층(35), 전자주입층(36) 등의 유기물층을 차례로 형성하고, 알루미늄 등의 금속막을 증착하여 공통전극(37)을 형성한다.
이후, 도면에는 도시하지 않았지만 상기 유기물층(정공주입층(32), 정공전달층(33), 유기발광층(34), 전자전달층(35), 전자주입층(36))을 산소나 수분으로부터보호하기 위하여 보호막을 형성한 다음 봉지재(sealant)와 투명 기판을 사용하여 보호캡을 장착하여 바텀-이미션(bottom-emission) 방식의 액티브 매트릭스 유기 EL 소자를 완성한다.
상기와 같은 본 발명의 유기 EL 소자 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
박막트랜지스터의 하부에 광차단막을 형성하여 박막트랜지스터로 흡수되는 빛을 차단할 수 있으므로 박막트랜지스터로 빛이 입사됨으로 인해 박막트랜지스터의 누설 전류(leakage current)가 증가하고 박막트랜지스터의 특성이 저하되는 문제점을 해결할 수 있다.
따라서, 화질이 우수하고 수명이 긴 유기 EL 소자 제작이 가능해지는 효과가 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정하는 것이 아니라 특허 청구범위에 의해서 정해져야 한다.
Claims (8)
- 박막트랜지스터, 커패시터, 화소전극, 유기물층, 공통전극으로 구성되는 유기 EL 소자에 있어서,상기 박막트랜지스터의 하부에 광차단막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 광차단막은 빛을 차단할 수 있는 금속물질 또는 검은 색을 띠는 세라믹계 물질로 구성됨을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 광차단막과 박막트랜지스터 사이에 버퍼층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
- 제 3항에 있어서,상기 버퍼층은 SiOx, SiNx중 적어도 어느 하나로 구성됨을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
- 투명 기판상의 박막트랜지스터 예정 영역에 광차단막을 형성하는 단계;전면에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 박막트랜지스터 예정 영역에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;상기 박막트랜지스터의 소오스/드레인 영역을 노출하는 콘택홀을 갖는 제 1 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 콘택홀에 전극 라인을 형성하는 단계;상기 드레인 영역에 연결된 전극 라인을 노출하는 콘택홀을 갖는 제 2 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 제 2 층간 절연막에 형성된 콘택홀을 통해 드레인 영역에 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계;이웃하는 화소전극 사이에 절연막을 형성하는 단계;상기 상면에 유기물층을 형성하고 상기 유기물층상에 공통전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조 방법.
- 제 5항에 있어서,상기 유기물층을 형성하는 단계는전면에 정공주입층, 정공전달층을 차례로 적층 형성하는 단계;상기 화소전극과 공통전극이 교차되는 화소 부분에 유기 발광층을 형성하는 단계;전면에 전자전달층, 전자주입층을 차례로 적층 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조 방법.
- 제 5항에 있어서,상기 광차단막은 빛을 차단할 수 있는 금속물질 또는 검은 색을 띠는 세라믹계 물질을 이용하여 형성함을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
- 제 5항에 있어서,상기 버퍼층은 SiOx, SiNx중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성함을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030043642A KR100546653B1 (ko) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030043642A KR100546653B1 (ko) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050002273A true KR20050002273A (ko) | 2005-01-07 |
| KR100546653B1 KR100546653B1 (ko) | 2006-01-26 |
Family
ID=37217812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030043642A KR100546653B1 (ko) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100546653B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100770267B1 (ko) * | 2006-05-04 | 2007-10-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| KR100774961B1 (ko) * | 2006-01-16 | 2007-11-09 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| US7888679B2 (en) | 2006-10-25 | 2011-02-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device with rapidly crystallizing light blocking layer and method of manuacturing the same |
| KR20200049733A (ko) * | 2013-08-29 | 2020-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판 표시장치 |
-
2003
- 2003-06-30 KR KR1020030043642A patent/KR100546653B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100774961B1 (ko) * | 2006-01-16 | 2007-11-09 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100770267B1 (ko) * | 2006-05-04 | 2007-10-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| US7888679B2 (en) | 2006-10-25 | 2011-02-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device with rapidly crystallizing light blocking layer and method of manuacturing the same |
| KR20200049733A (ko) * | 2013-08-29 | 2020-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판 표시장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100546653B1 (ko) | 2006-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100354639B1 (ko) | Ｅｌ 표시 장치 | |
| CN109742122B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示面板 | |
| KR100651936B1 (ko) | 탑 에미션 방식의 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 | |
| US8269414B2 (en) | Organic light emitting display and manufacturing thereof | |
| US8729538B2 (en) | Organic light emitting diode device and method for fabricating the same | |
| KR101580827B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 | |
| KR20010050783A (ko) | Ｅｌ 표시 장치 | |
| KR20100068644A (ko) | 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
| KR100565674B1 (ko) | 양방향 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 | |
| KR101511548B1 (ko) | 발광표시장치 및 이의 제조방법 | |
| JP4488557B2 (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| KR20120028832A (ko) | 트랜지스터 구조체, 트랜지스터 구조체의 제조방법 및 발광장치 | |
| CN109037277B (zh) | 一种oled显示面板的制备方法及oled显示面板、显示装置 | |
| KR100692359B1 (ko) | 일렉트로 루미네센스 표시 장치 | |
| KR20200073599A (ko) | 전계발광 표시장치 | |
| WO2003107394A2 (en) | Organic electroluminescent device | |
| KR100546653B1 (ko) | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법 | |
| KR100424834B1 (ko) | Ｅｌ 표시 장치 | |
| CN108417734B (zh) | 有机发光装置 | |
| WO2019153401A1 (zh) | 一种oled显示面板 | |
| KR100617193B1 (ko) | 양방향 유기 ｅｌ 디스플레이 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100497094B1 (ko) | 하이브리드 구조 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100504512B1 (ko) | 탑-이미션 방식의 유기 ｅｌ 소자의 제조방법 | |
| KR100686014B1 (ko) | 유기 ｅｌ 디스플레이 및 그 제조방법 | |
| KR100617114B1 (ko) | 듀얼형 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20091230 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |