JP2000133462A - 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、および有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとその製造方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、および有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとその製造方法

Info

Publication number
JP2000133462A
JP2000133462A JP10301024A JP30102498A JP2000133462A JP 2000133462 A JP2000133462 A JP 2000133462A JP 10301024 A JP10301024 A JP 10301024A JP 30102498 A JP30102498 A JP 30102498A JP 2000133462 A JP2000133462 A JP 2000133462A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
electrode
layer
film
internal stress
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10301024A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuya Sasaoka
龍哉 笹岡
Mitsunobu Sekiya
光信 関谷
Naoki Sano
直樹 佐野
Tetsuo Nakayama
徹生 中山
Takayuki Hirano
貴之 平野
Yasuhiro Chiba
安浩 千葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP10301024A priority Critical patent/JP2000133462A/ja
Priority to US09/419,248 priority patent/US20030011301A1/en
Publication of JP2000133462A publication Critical patent/JP2000133462A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/826Multilayers, e.g. opaque multilayers

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の有機ELディスプレイでは、蒸着法に
より有機層上に金属製の陰極を形成したので、陰極は引
張応力を有する膜となり有機層から剥がれ易くなって、
有機ELディスプレイの信頼性を低下させていた。 【解決手段】 有機EL素子1の少なくとも有機発光材
料からなる発光層14を有する有機層15上に内部応力
が0もしくは圧縮応力を有する膜となる第2の電極1
6、もしくは第2の電極16と保護層(図示省略)を備
えたものであり、また上記有機EL素子を複数用いた有
機ELディスプレイである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス(以下有機ELと略記する)素子とその製
造方法、および有機ELディスプレイとその製造方法に
関し、詳しく有機層上の膜の内部応力を0もしくは圧縮
方向にすることにより剥がれを抑制した有機EL素子と
その製造方法、および有機ELディスプレイとその製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】有機EL素子で構成された多数の画素を
備えた有機ELディスプレイは、有機EL素子に電圧が
印加されて、その陰極から電子が、一方陽極から正孔が
有機発光層に注入され、この有機発光層中で電子−正孔
の再結合が起こることにより発光が生じる。
【0003】このような有機ELディスプレイに備えら
れた有機EL素子としては、例えば図9に示すようなシ
ングルヘテロ型有機EL素子がある。この有機EL素子
は、以下のように構成されている。ガラス基板等の透明
基板111上にITO(Indium Tin Oxide)等の透明導
電膜からなる陽極112が設けられている。その上に正
孔輸送層113および発光層114からなる有機層11
5、アルミニウム等の金属からなる陰極116が、順次
設けられているものである。
【0004】上記構成の有機EL素子は、陽極112に
正の電圧、陰極116に負の電圧が印加されると、陽極
112から注入された正孔が正孔輸送層113を通って
発光層114に、一方、陰極から注入された電子が発光
層114にそれぞれ到達し、発光層114内で、電子−
正孔の再結合が生じる。このとき、所定の波長の光が発
生し、その光は矢印で示すように透明基板111側から
射出される。
【0005】したがって、上記有機EL素子を例えばマ
トリクス状に配列することにより、上記説明したような
有機ELディスプレイが構成される。その一例を、図1
0の概略構成斜視図により説明する。図10に示すよう
に、有機ELディスプレイは、透明基板121上に複数
の透明電極122がストライプ状(縞状)に形成され、
その上に正孔輸送層と発光層とが積層されてなる有機層
125が形成されていて、さらに上記透明電極122上
に上記有機層125を介してかつ各透明電極122と直
交する状態に複数の陰極126がストライプ状(縞状)
に形成されているものである。したがって、透明電極1
21と陰極126とが交差する位置に有機EL素子が形
成されているものとなっている。
【0006】別の有機ELディスプレイの従来例を、図
11の概略構成斜視図により説明する。図11に示すよ
うに、この有機ELディスプレイは、透明基板121上
に陽極となる複数の透明電極122がストライプ状(縞
状)に形成され、さらに上記透明電極122上にかつ各
透明電極122と直交する状態に正孔輸送層と発光層と
が積層されてなる有機層125a,125b,125c
がストライプ状(縞状)に形成されていて、かつ上記各
有機層125a,125b,125c上にほぼ有機層1
25a,125b,125cと同様な寸法の陰極126
が形成されているものである。したがって、透明電極1
22と陰極126とが交差する位置に有機EL素子が形
成されているものとなっている。また、上記有機層12
5a,125b,125cはそれぞれ赤(R)、緑
(G)、青(B)のうちの一つに対応する発光特性を有
しており、これによって、有機ELディスプレイはフル
カラーもしくはマルチカラーのディスプレイとなってい
る。
【0007】上記図11により説明したような有機EL
ディスプレイの製造方法の一例は、第44回応用物理学
関係連合講演会予稿集,(1997)永山健一,矢萩隆,仲
田仁,吉田賢司,渡辺輝一,宮口敏,p.1149、電子ディ
スプレイ・フォーラム’98(1998)仲田仁(EIAJ
/SEMI)p.5-18等に開示されている。
【0008】それによると、まず透明基板を用意する。
そしてスパッタリング等の物理的成膜方法により、透明
基板上にITO等の透明電極膜を形成する。続いて通常
のリソグラフィー技術とエッチング技術とにより、透明
電極膜からなる陽極を形成する。次いで隔壁を形成する
ためのネガレジストを塗布し、それを露光、現像、ベー
キング等のリソグラフィー技術によりパターニングし
て、有機層および陰極を形成する領域間に隔壁を形成す
る。そして必要な部分に開口を設けた蒸着マスクを用い
た蒸着法により、上記所定の隔壁間に、有機層および陰
極を蒸着によって形成するという製造方法である。
【0009】フルカラーもしくはマルチカラーのディス
プレイを形成する場合には、上記方法において、有機層
を形成する際に、まず赤色(R)の有機層を形成する。
続いて、緑色(G)の有機層、青色(B)の有機層を形
成する。次いで、陰極となる金属層を上記有機層上に蒸
着して陰極を形成する。
【0010】なお、前記図10によって説明した有機E
Lディスプレイを製造する場合は、陽極を形成した後、
陽極が形成されている全面に有機層を形成し、その後、
隔壁の形成工程、蒸着による陰極の形成工程を行ってい
た。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、蒸着法
により有機層上に金属層からなる陰極を形成した場合、
上記有機層の耐熱性が低いために蒸着時の基板温度を高
くすることが困難であるため、60℃程度以下の基板温
度で金属層の蒸着を行う必要がある。その結果、蒸着に
より形成される陰極は引張応力を有する膜となる。その
ため、図12に示すように、陰極126が凹状に反っ
て、陰極126の側辺が透明電極122上に形成された
有機層125から剥がれる。図示はしないが、陰極から
有機層に加わる引張応力により、陰極および有機層とも
に凹状に反って、透明電極から有機層の側辺が剥がれる
場合もある。
【0012】特に、フルカラーもしくはマルチカラーの
ディスプレイを形成する場合には、赤色(R)、緑色
(G)、青色(B)に対して有機層125と陰極126
の形成工程を行うため、有機層125と陰極126の形
成工程を3回繰り返すことになる。そのため、その間の
現像液のしみ込み、レジストの溶剤のしみ込み等によっ
て陰極126が剥がれやすくなる。
【0013】上記説明したように、金属層からなる陰極
126に剥がれが生じると、発光性能が劣化し、ディス
プレイ全面において均一な発光が得られなくなり、有機
ELディスプレイの品質の低下を招く。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた有機EL素子とその製造方法およ
び有機ELディスプレイとその製造方法である。
【0015】有機EL素子は、少なくとも有機発光材料
からなる発光層を有する有機層上に、内部応力が0もし
くは圧縮応力を有する膜を備えたものである。
【0016】上記有機EL素子では、少なくとも有機発
光材料からなる発光層を有する有機層上に、内部応力が
0もしくは圧縮応力を有する膜を備えていることから、
この内部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜は一般に
応力が非常に小さい有機層から剥がれ難くなる。
【0017】有機EL素子の製造方法は、少なくとも有
機発光材料からなる発光層を有する有機層上に内部応力
が0もしくは圧縮応力を有する膜を形成する工程を備え
ている。
【0018】上記有機EL素子の製造方法では、少なく
とも有機発光材料からなる発光層を有する有機層上に内
部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜を形成する工程
を備えていることから、内部応力が0もしくは圧縮応力
を有する膜は一般に内部応力が非常に小さい有機層から
剥がれ難い膜となる。
【0019】有機ELディスプレイは、複数の有機EL
素子が備えられたもので、有機EL素子の少なくとも有
機発光材料からなる発光層を有する有機層上に内部応力
が0もしくは圧縮応力を有する膜を設けたものである。
【0020】上記有機ELディスプレイでは、少なくと
も有機発光材料からなる発光層を有する有機層上に、内
部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜を設けたことか
ら、この内部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜は一
般に内部応力が非常に小さい有機層から剥がれ難くな
る。
【0021】有機ELディスプレイの製造方法は、複数
の有機EL素子を形成する際に、少なくとも有機発光材
料からなる発光層を有する有機層上に内部応力が0もし
くは圧縮応力を有する膜を形成する工程を備えている。
【0022】上記有機ELディスプレイの製造方法で
は、少なくとも有機発光材料からなる発光層を有する有
機層上に内部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜を形
成する工程を備えていることから、内部応力が0もしく
は圧縮応力を有する膜は一般に内部応力が非常に小さい
有機層から剥がれ難い膜となる。
【0023】
【発明の実施の形態】本発明の有機EL素子に係わる実
施の形態を以下に説明する。本有機EL素子は、透明基
板上に透明電極からなる第1の電極が形成され、その第
1の電極上に少なくとも有機発光材料からなる発光層を
有する有機層が形成されている。さらにこの有機層上に
内部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜を備えたもの
である。この内部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜
は、第2の電極もしくは第2の電極と保護層とからなっ
ている。
【0024】次に、本発明の有機EL素子に係わる具体
的な実施の形態の一例を、図1の概略構成断面図によっ
て以下に説明する。まず第1の実施の形態として、図1
によって、内部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜で
第2の電極が形成されている有機EL素子を示す。
【0025】図1の示すように、ガラスからなる透明基
板11上に、光透過性に優れかつ導電性を有するITO
のような透明導電性材料からなる第1の電極(陽極)1
2が形成されている。この第1の電極12上には、有機
材料からなる正孔輸送層13と有機発光材料からなる発
光層14とを順に積層してなる有機層15が形成されて
いる。
【0026】さらにこの有機層15上に内部応力が0も
しくは圧縮応力を有する膜として、スパッタリング雰囲
気が高真空(例えば1.3Pa〜0.7Pa以下)のス
パッタリングにより成膜された導電性材料である例えば
アルミニウムからなる第2の電極(陰極)16が備えら
れている。
【0027】なお、図面では、第1の電極12に電源2
1の正極(+)が接続され、第2の電極16に電源21
の負極(−)が接続されている状態を示している。
【0028】上記の如くに有機EL素子1が構成されて
いる。
【0029】上記有機EL素子1では、第2の電極16
が、1.3Pa〜0.7Pa以下の高真空雰囲気でアル
ミニウムをスパッタリングして形成されたものであるこ
とから、第2の電極16は内部応力が0もしくは圧縮応
力を有する膜となっている。しかも一般に内部応力が非
常に小さい有機材料からなる有機層15上にこの第2の
電極16が形成されていることから、有機層15から第
2の電極16は剥がれ難くなっている。したがって、信
頼性の高い有機EL素子1となっている。
【0030】次に、本発明の有機EL素子に係わる第2
の実施の形態として、内部応力が0もしくは圧縮応力を
有する膜が第2の電極および保護層で形成されている有
機EL素子を、図2の概略構成断面図によって説明す
る。なお、前記図1によって説明した構成部品と同様の
ものには同一符号を付与する。
【0031】図2の示すように、前記図1によって説明
したのと同様に、ガラスからなる透明基板11上に、光
透過性に優れかつ導電性を有するITOのような透明導
電性材料からなる第1の電極12が形成されている。そ
の第1の電極(陽極)12上には、有機材料からなる正
孔輸送層13と有機発光材料からなる発光層14とを順
に積層してなる有機層15が形成されている。
【0032】上記有機層15上には、内部応力が0もし
くは圧縮応力を有する膜として、例えばスパッタリング
雰囲気が高真空(例えば1.3Pa〜0.7Pa以下)
のスパッタリングにより成膜された導電性材料である例
えばアルミニウムからなる第2の電極(陰極)16が備
えられている。さらに、第2の電極16上には内部応力
が0もしくは圧縮応力を有する膜として、1.3Pa〜
0.7Pa以下の高真空雰囲気でのスパッタリングによ
り成膜された保護層17が形成されている。したがっ
て、上記第2の電極16と上記保護層17とを合わせた
応力状態は0もしくは圧縮応力となっている。
【0033】また、図面では、第1の電極12に電源2
1の正極(+)が接続され、第2の電極16に電源21
の負極(−)が接続されている。
【0034】上記の如くに有機EL素子2が構成されて
いる。
【0035】上記有機EL素子2では、第2の電極16
が高真空(例えば1.3Pa〜0.7Pa以下)のスパ
ッタリング雰囲気でアルミニウムをスパッタリングして
形成されたものであることから、第2の電極16は内部
応力が0もしくは圧縮応力を有する膜となっている。ま
た保護層17も同様に内部応力が0もしくは圧縮応力を
有する膜となっている。しかも一般に内部応力が非常に
小さい有機材料からなる有機層15上にこの第2の電極
16および保護層17が形成されていることから、有機
層15から第2の電極16は剥がれ難くなっている。し
たがって、信頼性の高い有機EL素子2となっている。
【0036】また、保護層17を圧縮応力を有する膜と
することは、保護層17が第2の電極16の側端部を押
さえつける状態になるので、第2の電極16が有機層1
5から剥がれるのを防止するのにより効果的となる。
【0037】なお、第2の電極16と保護層17とを合
わせた内部応力が0もしくは圧縮応力となっていれば、
有機層15上から第2の電極16は剥がれ難くなる。し
たがって、第2の電極16が引張応力を有し、保護層1
7が圧縮応力を有していて、第2の電極16と保護層1
7とを合わせた内部応力が0もしくは圧縮応力となって
いてもよい。
【0038】次に、本発明の有機EL素子の製造方法に
係わる第1の実施の形態を、図3によって説明する。
【0039】図3に示すように、ガラスからなる透明基
板11上に、スパッタリング等の物理的成膜方法によっ
て、光透過性に優れかつ導電性を有するITOのような
透明導電材料からなる第1の電極12を形成する。続い
て蒸着マスク(図示省略)を用いた真空蒸着法により、
その第1の電極(陽極)12上に、有機材料からなる正
孔輸送層13と有機発光材料からなる発光層14とを順
に積層してなる有機層15を形成する。
【0040】さらにコリメータ(スパッタリング物質を
堆積する位置に対応する位置に開口を設けたマスク)
(図示省略)を用いた高真空スパッタリングにより、上
記有機層15上に第2の電極(陰極)16を形成する。
このスパッタリングでは、スパッタリング雰囲気を例え
ば1.3Pa〜0.7Pa以下に設定することにより、
内部応力が0もしくは圧縮応力を有する状態の例えばア
ルミニウムからなる第2の電極16を成膜する。なお、
プロセスガスにはアルゴンを用いた。
【0041】上記説明した製造方法は一例であって、第
1の電極12、有機層15の製造方法は上記例に限定さ
れることはなく、他の方法(CVD法、蒸着法、スパッ
タリング等)により形成することも可能である。
【0042】また、上記第2の電極16は、アルミニウ
ム以外に、タングステン、ニオブ、タンタル、チタン等
で形成することも可能である。
【0043】上記有機EL素子の製造方法では、一般に
内部応力が非常に小さい有機材料からなる有機層15上
に第2の電極16を内部応力が0もしくは圧縮応力を有
する膜で形成することから、有機層15から第2の電極
16は剥がれ難くなる。
【0044】次に、本発明の有機EL素子の製造方法に
係わる第2の実施の形態を、図4によって説明する。
【0045】前記有機EL素子の製造方法に係わる第1
の実施の形態と同様の方法により、図4に示すように、
透明基板11上に透明電極からなる第1の電極12、正
孔輸送層13および発光層14からなる有機層15、第
2の電極16を形成する。
【0046】その後、上記第2の電極16上に保護層1
7を形成する。その際、第2の電極16と保護層17と
を合わせた膜の内部応力が0もしくは圧縮応力を有する
ように、第2の電極16と保護層17とを形成する。
【0047】上記第2の電極16は、例えばコリメータ
(スパッタリング物質を堆積する位置に対応する位置に
開口を設けたマスク)(図示省略)を用いた高真空スパ
ッタリングにより、上記有機層15上に形成する。この
スパッタリングでは、スパッタリング雰囲気を例えば
1.3Pa〜0.7Pa以下に設定することにより、内
部応力が0もしくは圧縮応力を有する状態の例えばアル
ミニウムからなる第2の電極16を成膜する。なお、プ
ロセスガスにはアルゴンを用いた。
【0048】上記保護層17は、上記同様に、例えばコ
リメータ(スパッタリング物質を堆積する位置に対応す
る位置に開口を設けたマスク)(図示省略)を用いた高
真空スパッタリングにより、上記第2の電極16上に形
成する。このスパッタリングでは、スパッタリング雰囲
気を1.3Pa〜0.7Pa以下に設定することによ
り、内部応力が0もしくは圧縮応力を有する状態の例え
ばタングステンからなる保護層17を成膜する。なお、
プロセスガスにはアルゴンを用いた。
【0049】上記保護層17は、アルミニウム、ニオ
ブ、タンタル、チタン、酸化シリコン等の材料で形成す
ることも可能である。また、プラズマCVD法により、
CVD条件(例えば成膜温度、成膜雰囲気の圧力、プロ
セスガス流量等)を調整することによって、酸化シリコ
ン、窒化シリコン等で、内部応力が0もしくは圧縮応力
を有する状態の保護層17を形成することも可能であ
る。
【0050】上記有機EL素子の製造方法では、有機層
15上に第2の電極16と保護層17とを形成し、第2
の電極16と保護層17とを併せた内部応力が0もしく
は圧縮応力を有する状態に形成することから、一般に内
部応力が非常に小さい有機層から第2の電極16と保護
層17とが剥がれ難くなる。また、保護層17を圧縮応
力を有する膜に形成することは、保護層17が第2の電
極16の側端部を押さえつける状態になるので、第2の
電極16が有機層15から剥がれるのを防止するのによ
り効果的となる。
【0051】なお、第2の電極16と保護層17とを合
わせた内部応力が、0もしくは圧縮応力となっていれ
ば、有機層15上から第2の電極16は剥がれ難くな
る。したがって、第2の電極16が従来の真空蒸着法に
より形成し、保護層17を上記説明したような高真空ス
パッタリングにより成膜して圧縮応力を有する状態に形
成することにより、第2の電極16と保護層17とを合
わせた内部応力が0もしくは圧縮応力となるようにして
もよい。
【0052】次に、本発明の有機ELディスプレイに係
わる実施の形態を以下に説明する。本有機ELディスプ
レイは、透明基板上に陽極となる複数の透明電極がスト
ライプ状(縞状)に形成されて第1の電極を構成してい
る。さらに上記第1の電極上にかつ各第1の電極と直交
する状態に正孔輸送層と発光層とが積層されてなる有機
層がストライプ状(縞状)に形成されていて、かつ上記
各有機層上にほぼ有機層と同様な寸法の内部応力が0も
しくは圧縮応力を有する膜が形成されている。この内部
応力が0もしくは圧縮応力を有する膜は、陰極となる第
2の電極もしくは陰極となる第2の電極とその上に形成
される保護層とからなる。
【0053】したがって、透明電極と陰極とが交差する
位置に有機EL素子が形成されているものとなってい
る。また、上記各ストライプ状に形成された有機層はそ
れぞれ赤(R)、緑(G)、青(B)のうちの一つに対
応する発光特性を有しており、これによって、有機EL
ディスプレイはフルカラーもしくはマルチカラーのディ
スプレイとなっている。
【0054】次に、本発明の有機ELディスプレイに係
わる具体的な実施の形態の一例を以下に説明する。まず
第1の実施の形態として、内部応力が0もしくは圧縮応
力を有する膜が第2の電極で形成されている有機ELデ
ィスプレイを、図5の概略構成斜視図によって説明す
る。
【0055】図5の示すように、ガラスからなる透明基
板31上に、光透過性に優れかつ導電性を有するITO
のような透明導電性材料からなる複数の第1の電極(陽
極)32がストライプ状(縞状)に形成されている。さ
らに上記第1の電極32上にかつ各第1の電極32と直
交する状態に正孔輸送層と有機発光材料からなる発光層
とが積層されてなる有機層35a,35b,35cがス
トライプ状(縞状)に形成されていている。
【0056】上記各有機層35a,35b,35c上に
は、内部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜として、
スパッタリング雰囲気が高真空(例えば1.3Pa〜
0.7Pa以下)のスパッタリングにより成膜された導
電性材料である例えばアルミニウムからなるもので、ほ
ぼ有機層35a,35b,35cと同様な寸法の第2の
電極(陰極)36が形成されている。
【0057】したがって、第1の電極32と第2の電極
36とが交差する位置に有機EL素子5が形成されてい
るものとなっている。また、上記有機層35a,35
b,35cはそれぞれ赤(R)、緑(G)、青(B)の
うちの一つに対応する発光特性を有しており、これによ
って、有機ELディスプレイはフルカラーもしくはマル
チカラーのディスプレイとなっている。
【0058】なお、図面には示さないが、第1の電極1
2には走査回路が接続され、第2の電極16には輝度信
号回路が接続される。
【0059】上記の如くに有機ELディスプレイ6が構
成されている。
【0060】上記有機ELディスプレイ6では、第2の
電極16が高真空(1.3Pa〜0.7Pa以下)のス
パッタリング雰囲気でアルミニウムをスパッタリングし
て形成されたものであることから、第2の電極16は内
部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜となっている。
しかも一般に内部応力が非常に小さい有機材料からなる
有機層15上にこの第2の電極16が形成されているこ
とから、有機層15から第2の電極16は剥がれ難くな
っている。したがって、信頼性の高い有機ELディスプ
レイ6となっている。
【0061】次に、本発明の有機ELディスプレイに係
わる第2の実施の形態として、内部応力が0もしくは圧
縮応力を有する膜が第2の電極および保護層で形成され
ている有機ELディスプレイを、図6の概略構成斜視図
によって説明する。なお、前記図5によって説明した構
成部品と同様のものには同一符号を付与する。
【0062】図6の示すように、前記図5によって説明
したのと同様に、ガラスからなる透明基板31上に、光
透過性に優れかつ導電性を有するITOのような透明導
電性材料からなる複数の第1の電極(陽極)32がスト
ライプ状(縞状)に形成されている。さらに上記第1の
電極32上にかつ各第1の電極32と直交する状態に正
孔輸送層と有機発光材料からなる発光層とが積層されて
なる有機層35a,35b,35cがストライプ状(縞
状)に形成されていている。
【0063】上記各有機層35a,35b,35c上に
は、内部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜として、
スパッタリング雰囲気が高真空(例えば1.3Pa〜
0.7Pa以下)のスパッタリングにより成膜された導
電性材料である例えばアルミニウムからなるもので、ほ
ぼ有機層35a,35b,35cと同様な寸法の第2の
電極(陰極)36が形成されている。
【0064】さらに、上記各第2の電極36上には、内
部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜として、スパッ
タリング雰囲気が高真空(例えば1.3Pa〜0.7P
a以下)のスパッタリングにより成膜された導電性材料
である例えばタングステンからなるもので、ほぼ第2の
電極36と同様な寸法の保護層37が形成されている。
【0065】したがって、第1の電極32と第2の電極
36とが交差する位置に有機EL素子5が形成されてい
るものとなっている。また、上記有機層35a,35
b,35cはそれぞれ赤(R)、緑(G)、青(B)の
うちの一つに対応する発光特性を有しており、これによ
って、有機ELディスプレイはフルカラーもしくはマル
チカラーのディスプレイとなっている。
【0066】なお、図面には示さないが、例えば、第1
の電極12には走査回路が接続され、第2の電極16に
は輝度信号回路が接続される。
【0067】上記の如くに、有機ELディスプレイ7が
構成されている。
【0068】上記有機ELディスプレイ7では、第2の
電極36が高真空(1.3Pa〜0.7Pa以下)のス
パッタリング雰囲気でアルミニウムをスパッタリングし
て形成されたものであることから、第2の電極36は内
部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜となっている。
また保護層37も内部応力が0もしくは圧縮応力を有す
る膜となっている。しかも一般に内部応力が非常に小さ
い有機材料からなる有機層35a,35b,35c上に
この第2の電極16および保護層17が形成されている
ことから、有機層35a,35b,35cから第2の電
極36は剥がれ難くなっている。したがって、信頼性の
高い有機ELディスプレイ7となっている。
【0069】また、保護層37を圧縮応力を有する膜と
することは、保護層37が第2の電極36の側端部を押
さえつける状態になるので、第2の電極36が有機層3
5a,35b,35cから剥がれるのを防止するのによ
り効果的となる。
【0070】なお、第2の電極36と保護層37とを合
わせた内部応力が、0もしくは圧縮応力となっていれ
ば、有機層35上から第2の電極36は剥がれ難くな
る。したがって、第2の電極36が引張応力を有し、保
護層37が圧縮応力を有していて、第2の電極36と保
護層37とを合わせた内部応力が0もしくは圧縮応力と
なっていてもよい。
【0071】次に、本発明の有機ELディスプレイの製
造方法に係わる第1の実施の形態を、図7によって説明
する。
【0072】図7に示すように、ガラスからなる透明基
板31上に、スパッタリング等の物理的成膜方法によっ
て、光透過性に優れかつ導電性を有するITOのような
透明導電材料層を形成する。その後、通常のリソグラフ
ィー技術とエッチング技術とにより上記透明導電材料層
をパターニングして複数のストライプ状(縞状)の第1
の電極(陽極)32を形成する。
【0073】続いて所定の位置に開口を形成してなる蒸
着マスク(図示省略)を用いた真空蒸着法により、上記
第1の電極32上にかつ各第1の電極32と直交する状
態に、正孔輸送層と有機発光材料からなる発光層とを順
次ストライプ状(縞状)に積層して赤色(R)の有機層
35aを形成する。続いて有機層35aと同様にして緑
色(G)の有機層35b、青色(B)の有機層35cを
順次形成する。
【0074】なお、これら有機層35a,35b,35
cの形成については、各色毎に対応する蒸着マスクをそ
れぞれ交換して、蒸着を行う。もしくは同じ蒸着マスク
を移動して、蒸着を行う。したがって、有機層35a,
35b,35cは個々に独立して堆積される。
【0075】次いでコリメータ(有機層35a,35
b,35cの位置に対応する位置に開口を設けたマス
ク)(図示省略)を用いた高真空スパッタリングによ
り、上記有機層35a,35b,35c上に、ほぼ有機
層35a,35b,35cと同様な寸法の第2の電極
(陰極)36を形成する。このスパッタリングでは、ス
パッタリング雰囲気を例えば1.3Pa〜0.7Pa以
下に設定することにより、内部応力が0もしくは圧縮応
力を有する状態の例えばアルミニウムからなる第2の電
極36を成膜する。なお、プロセスガスにはアルゴンを
用いた。
【0076】したがって、第1の電極32と第2の電極
36とが交差する位置に有機EL素子5が形成される。
また、上記有機層35a,35b,35cはそれぞれ赤
(R)、緑(G)、青(B)のうちの一つに対応する発
光特性を有しており、これによって、有機ELディスプ
レイはフルカラーもしくはマルチカラーのディスプレイ
となる。
【0077】上記の如くに有機ELディスプレイ6が作
製される。
【0078】上記説明した製造方法は一例であって、第
1の電極32、有機層35a,35b,35cの製造方
法は上記例に限定されることはなく、他の方法(CVD
法、蒸着法、スパッタリング等)により形成することも
可能である。
【0079】また、上記第2の電極36は、アルミニウ
ム以外に、タングステン、ニオブ、タンタル、チタン等
で形成することも可能である。
【0080】上記有機ELディスプレイの製造方法で
は、一般に内部応力が非常に小さい有機材料からなる有
機層35a,35b,35c上に第2の電極36を内部
応力が0もしくは圧縮応力を有する膜で形成することか
ら、有機層35a,35b,35cから第2の電極36
は剥がれ難くなる。
【0081】次に、本発明の有機ELディスプレイの製
造方法に係わる第2の実施の形態として、内部応力が0
もしくは圧縮応力を有する膜を第2の電極および保護層
で形成する場合を、図8によって説明する。なお、前記
図7によって説明した構成部品と同様のものには同一符
号を付与する。
【0082】前記第1の実施の形態で説明した有機EL
ディスプレイの製造方法と同様の方法により、図8に示
すように、ガラスからなる透明基板31上に複数のスト
ライプ状(縞状)の第1の電極(陽極)32を形成す
る。続いて上記第1の電極32上にかつ各第1の電極3
2と直交する状態に、正孔輸送層と有機発光材料からな
る発光層とを順次ストライプ状(縞状)に積層して赤色
(R)の有機層35aを形成する。続いて有機層35a
と同様にして緑色(G)の有機層35b、青色(B)の
有機層35cを順次形成する。
【0083】次いでコリメータ(有機層35a,35
b,35cの位置に対応する位置に開口を設けたマス
ク)(図示省略)を用いた高真空スパッタリングによ
り、上記有機層35a,35b,35c上に、ほぼ有機
層35a,35b,35cと同様な寸法の第2の電極
(陰極)36を形成する。このスパッタリングでは、ス
パッタリング雰囲気を例えば1.3Pa〜0.7Pa以
下に設定することにより、内部応力が0もしくは圧縮応
力を有する状態の例えばアルミニウムからなる第2の電
極36を成膜する。なお、プロセスガスには、一例とし
て、アルゴンを用いた。
【0084】さらにコリメータ(有機層35a,35
b,35cの位置に対応する位置に開口を設けたマス
ク)(図示省略)を用いた高真空スパッタリングによ
り、上記各第2の電極36上に、ほぼ第2の電極36と
同様な寸法の保護層37を形成する。このスパッタリン
グでは、スパッタリング雰囲気を高真空(例えば1.3
Pa〜0.7Pa以下)に設定することにより、内部応
力が0もしくは圧縮応力を有する状態の例えばタングス
テンからなる保護層37を成膜する。なお、プロセスガ
スには、一例として、アルゴンを用いた。
【0085】したがって、第1の電極32と第2の電極
36とが交差する位置に有機EL素子5が形成されてい
るものとなる。また、上記有機層35a,35b,35
cはそれぞれ赤(R)、緑(G)、青(B)のうちの一
つに対応する発光特性を有しており、これによって、有
機ELディスプレイはフルカラーもしくはマルチカラー
のディスプレイとなる。
【0086】上記の如くに、有機ELディスプレイ7が
作製される。
【0087】上記説明した製造方法は一例であって、第
1の電極32、有機層35a,35b,35cの製造方
法は上記例に限定されることはなく、他の方法(CVD
法、蒸着法、スパッタリング等)により形成することも
可能である。
【0088】また、上記第2の電極36は、アルミニウ
ム以外に、内部応力が0もしくは圧縮応力を有するタン
グステン、ニオブ、タンタル、チタン等で形成すること
も可能である。上記保護層37は、タングステン以外
に、内部応力が0もしくは圧縮応力を有する酸化シリコ
ン、窒化シリコン、アルミニウム等で形成することも可
能である。
【0089】上記有機ELディスプレイの製造方法で
は、一般に内部応力が非常に小さい有機材料からなる有
機層35a,35b,35c上に、第2の電極36およ
び保護層37を内部応力が0もしくは圧縮応力を有する
膜で形成することから、有機層35a,35b,35c
から第2の電極36は剥がれ難くなる。したがって、信
頼性の高い有機ELディスプレイ7となっている。
【0090】また、保護層37を圧縮応力を有する膜で
形成することは、保護層37が第2の電極36の側端部
を押さえつける状態になるので、第2の電極36が有機
層35a,35b,35cから剥がれるのを防止するの
により効果的となる。
【0091】なお、第2の電極36と保護層37とを合
わせた内部応力が、0もしくは圧縮応力となっていれ
ば、有機層35上から第2の電極36は剥がれ難くな
る。したがって、第2の電極36を引張応力を有する材
料で形成し、保護層37を圧縮応力を有する材料で形成
して、かつ第2の電極36と保護層37とを合わせた内
部応力が0もしくは圧縮応力となっていてもよい。
【0092】上記有機ELディスプレイでは、カラーデ
ィスプレイを例に説明したが、当然のことながら、モノ
クロディスプレイにも、本発明の構成である、有機層上
に内部応力が0となる膜もしくは圧縮応力を有する膜か
らなる第2の電極、または第2の電極と保護層を形成し
た構成を採用することは可能である。
【0093】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の有機EL
素子によれば、少なくとも有機発光材料からなる発光層
を有する有機層上に、内部応力が0もしくは圧縮応力を
有する膜を備えているので、その膜は一般に応力が非常
に小さい有機層から剥がれ難くい膜となる。このような
膜で電極、もしくは電極と保護層とが形成される有機E
L素子は、高品質なものとなり、高い信頼性が得られ
る。
【0094】本発明の有機EL素子の製造方法によれ
ば、少なくとも有機発光材料からなる発光層を有する有
機層上に内部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜を形
成する工程を備えているので、有機層上に形成される電
極、もしくは電極と保護層とを、上記内部応力が0もし
くは圧縮応力を有する膜で形成することにより、一般に
内部応力が非常に小さい有機層上に、剥がれ難い電極、
もしくは電極と保護層とを形成することが可能になる。
その結果、品質が高く、信頼性の高い有機EL素子を形
成することが可能になる。
【0095】本発明の有機ELディスプレイによれば、
少なくとも有機発光材料からなる発光層を有する有機層
上に、内部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜を設け
たので、この膜は一般に内部応力が非常に小さい有機層
から剥がれ難い膜となる。このような膜で電極、もしく
は電極と保護層とが有機層上に形成される複数の有機E
L素子からなる有機ELディスプレイは、高品質なもの
となり、高信頼性が得られる。
【0096】本発明の有機ELディスプレイの製造方法
によれば、少なくとも有機発光材料からなる発光層を有
する有機層上に内部応力が0もしくは圧縮応力を有する
膜を形成する工程を備えているので、有機層上に形成さ
れる電極、もしくは電極と保護層とを、上記内部応力が
0もしくは圧縮応力を有する膜で形成することにより、
一般に内部応力が非常に小さい有機層上に、剥がれ難い
電極、もしくは電極と保護層とを備えた有機EL素子か
らなる有機ELディスプレイを形成することが可能にな
る。その結果、品質が高く、信頼性の高い有機ELディ
スプレイを形成することが可能になる。しかも、有機層
と第2の電極との形成工程を繰り返し行うことが可能に
なるので、フルカラーもしくはマルチカラーの有機EL
ディスプレイを、高品質にかつ高い信頼性を有するよう
に製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機EL素子に係わる第1の実施の形
態を説明する概略構成断面図である。
【図2】本発明の有機EL素子に係わる第2の実施の形
態を説明する概略構成断面図である。
【図3】本発明の有機EL素子の製造方法に係わる第1
の実施の形態を説明する概略構成断面図である。
【図4】本発明の有機EL素子の製造方法に係わる第2
の実施の形態を説明する概略構成断面図である。
【図5】本発明の有機ELディスプレイに係わる第1の
実施の形態を説明する概略構成斜視図である。
【図6】本発明の有機ELディスプレイに係わる第2の
実施の形態を説明する概略構成斜視図である。
【図7】本発明の有機ELディスプレイの製造方法に係
わる第1の実施の形態を説明する概略構成斜視図であ
る。
【図8】本発明の有機ELディスプレイの製造方法に係
わる第2の実施の形態を説明する概略構成斜視図であ
る。
【図9】従来のシングルヘテロ型有機EL素子を説明す
る概略構成断面である。
【図10】従来の有機ELディスプレイを説明する概略
構成斜視図である。
【図11】別の従来の有機ELディスプレイを説明する
概略構成斜視図である。
【図12】課題の説明図である。
【符号の説明】
1…有機EL素子、14…発光層、15…有機層、16
…第2の電極
フロントページの続き (72)発明者 佐野 直樹 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 中山 徹生 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 平野 貴之 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 千葉 安浩 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB15 BA06 CA01 CB01 CC00 DA01 DB03 EB00 FA01

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 有機エレクトロルミネッセンス素子を構
    成するもので少なくとも有機発光材料からなる発光層を
    有する有機層上に、内部応力が0もしくは圧縮応力を有
    する膜を備えたことを特徴とする有機エレクトロルミネ
    ッセンス素子。
  2. 【請求項2】 前記内部応力が0もしくは圧縮応力を有
    する膜は、 導電性材料からなる電極であることを特徴とする請求項
    1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 【請求項3】 前記内部応力が0もしくは圧縮応力を有
    する膜は、 導電性材料からなる電極と、 前記電極上に形成された保護層とからなることを特徴と
    する請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素
    子。
  4. 【請求項4】 少なくとも有機発光材料からなる発光層
    を有する有機層上に内部応力が0もしくは圧縮応力を有
    する膜を形成する工程を備えたことを特徴とする有機エ
    レクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記内部応力が0もしくは圧縮応力を有
    する膜を導電性材料からなる電極で形成することを特徴
    とする請求項4記載の有機エレクトロルミネッセンス素
    子の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記内部応力が0もしくは圧縮応力を有
    する膜を形成する工程は、 前記有機層上に導電性材料からなる電極を形成する工程
    と、 前記電極上に保護層を形成する工程とからなり、 前記電極と前記保護層とを合わせた膜の内部応力が0も
    しくは圧縮応力を有するように、前記電極と前記保護層
    とを形成することを特徴とする請求項4記載の有機エレ
    クトロルミネッセンス素子の製造方法。
  7. 【請求項7】 複数の有機エレクトロルミネッセンス素
    子を備えたものであって、 前記有機エレクトロルミネッセンス素子を構成するもの
    で少なくとも有機発光材料からなる発光層を有する有機
    層上に、内部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜を設
    けたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデ
    ィスプレイ。
  8. 【請求項8】 前記内部応力が0もしくは圧縮応力を有
    する膜は、導電性材料からなる電極であることを特徴と
    する請求項7記載の有機エレクトロルミネッセンスディ
    スプレイ。
  9. 【請求項9】 前記内部応力が0もしくは圧縮応力を有
    する膜は、 導電性材料からなる電極と、 前記電極上に形成された保護層とからなることを特徴と
    する請求項7記載の有機エレクトロルミネッセンスディ
    スプレイ。
  10. 【請求項10】 複数の有機エレクトロルミネッセンス
    素子から構成されるディスプレイの製造方法であって、 前記有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する少な
    くとも有機発光材料からなる発光層を有する有機層上
    に、内部応力が0もしくは圧縮応力を有する膜を形成す
    る工程を備えたことを特徴とする有機エレクトロルミネ
    ッセンスディスプレイの製造方法。
  11. 【請求項11】 前記内部応力が0もしくは圧縮応力を
    有する膜を、導電性材料からなる電極で形成することを
    特徴とする請求項10記載の有機エレクトロルミネッセ
    ンスディスプレイの製造方法。
  12. 【請求項12】 前記内部応力が0もしくは圧縮応力を
    有する膜を形成する工程は、 前記有機層上に導電性材料からなる電極を形成する工程
    と、 前記電極上に保護層を形成する工程とからなり、 前記電極と前記保護層とを合わせた膜の内部応力が0も
    しくは圧縮応力を有するように前記電極と前記保護層と
    を形成することを特徴とする請求項10記載の有機エレ
    クトロルミネッセンスディスプレイの製造方法。
JP10301024A 1998-10-22 1998-10-22 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、および有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとその製造方法 Pending JP2000133462A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10301024A JP2000133462A (ja) 1998-10-22 1998-10-22 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、および有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとその製造方法
US09/419,248 US20030011301A1 (en) 1998-10-22 1999-10-15 Organic electroluminescent device and method for producing it, and organic electroluminescent display and method for producing it

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10301024A JP2000133462A (ja) 1998-10-22 1998-10-22 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、および有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000133462A true JP2000133462A (ja) 2000-05-12

Family

ID=17891938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10301024A Pending JP2000133462A (ja) 1998-10-22 1998-10-22 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、および有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20030011301A1 (ja)
JP (1) JP2000133462A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003178885A (ja) * 2001-12-07 2003-06-27 Ulvac Japan Ltd 有機el表示装置
JP2004139930A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 有機エレクトロ・ルミネッセンス素子、該有機エレクトロ・ルミネッセンス素子の製造方法、および有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置
US7023132B2 (en) * 2002-09-27 2006-04-04 Stanley Electric Co., Ltd. Organic EL display element
JP2009211877A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP2010258438A (ja) * 2009-03-30 2010-11-11 Fujifilm Corp 光電変換素子及び撮像素子
JP2013008704A (ja) * 2012-10-11 2013-01-10 Sony Corp 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100565636B1 (ko) * 2003-12-02 2006-03-30 엘지전자 주식회사 유기 el 소자 및 그의 제조방법
KR100606817B1 (ko) 2004-04-27 2006-08-01 엘지전자 주식회사 유기 el 소자의 제조방법
GB0417401D0 (en) * 2004-08-05 2004-09-08 Controlled Therapeutics Sct Stabilised prostaglandin composition

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6198220B1 (en) * 1997-07-11 2001-03-06 Emagin Corporation Sealing structure for organic light emitting devices

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003178885A (ja) * 2001-12-07 2003-06-27 Ulvac Japan Ltd 有機el表示装置
US7023132B2 (en) * 2002-09-27 2006-04-04 Stanley Electric Co., Ltd. Organic EL display element
JP2004139930A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 有機エレクトロ・ルミネッセンス素子、該有機エレクトロ・ルミネッセンス素子の製造方法、および有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置
JP2009211877A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP2010258438A (ja) * 2009-03-30 2010-11-11 Fujifilm Corp 光電変換素子及び撮像素子
JP2013008704A (ja) * 2012-10-11 2013-01-10 Sony Corp 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20030011301A1 (en) 2003-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6811808B2 (en) Organic electroluminescent display panel and method of manufacturing the same
JP3813217B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
KR101161443B1 (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN100565970C (zh) 有机电致发光装置制造方法及有机电致发光装置
US20030044639A1 (en) Organic electroluminescence muti-color display and method of fabricating the same
JPH05307997A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002117975A (ja) 単純マトリクス式画素配列型有機電界発光装置の製造方法
US6781293B2 (en) Organic EL device with high contrast ratio and method for manufacturing the same
JPH10208883A (ja) 発光装置とその製造方法
JP2000100576A (ja) 有機elディスプレイ
JP4479250B2 (ja) 表示装置の製造方法および表示装置
US6717357B2 (en) Organic electroluminescent display panel
JP2000133462A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、および有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとその製造方法
JP2000113981A (ja) 有機elディスプレイの製造方法
JPH11224778A (ja) エレクトロルミネッセンス光源
JP2001148289A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JP2006237012A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JP2000133449A (ja) 有機el素子の積層構造
JP3926314B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JP2000268978A (ja) 有機薄膜el素子とその製造方法
JP3518682B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4737369B2 (ja) 有機el素子の製造方法
JP3901675B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JP2000100564A (ja) 有機elディスプレイの製造方法
JP4060876B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル