KR100606817B1 - 유기 ｅｌ 소자의 제조방법 - Google Patents

유기 ｅｌ 소자의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100606817B1
KR100606817B1 KR1020040029006A KR20040029006A KR100606817B1 KR 100606817 B1 KR100606817 B1 KR 100606817B1 KR 1020040029006 A KR1020040029006 A KR 1020040029006A KR 20040029006 A KR20040029006 A KR 20040029006A KR 100606817 B1 KR100606817 B1 KR 100606817B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
anode
film
organic
substrate
tensile stress
Prior art date
Application number
KR1020040029006A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050103726A (ko
Inventor
김창남
이호년
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020040029006A priority Critical patent/KR100606817B1/ko
Priority to EP05008860.8A priority patent/EP1592064B1/en
Priority to JP2005126976A priority patent/JP4351648B2/ja
Priority to US11/113,997 priority patent/US7559820B2/en
Priority to CNB2005100681386A priority patent/CN100481488C/zh
Publication of KR20050103726A publication Critical patent/KR20050103726A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100606817B1 publication Critical patent/KR100606817B1/ko
Priority to US12/481,426 priority patent/US8174186B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61C—DENTISTRY; APPARATUS OR METHODS FOR ORAL OR DENTAL HYGIENE
    • A61C8/00—Means to be fixed to the jaw-bone for consolidating natural teeth or for fixing dental prostheses thereon; Dental implants; Implanting tools
    • A61C8/0089—Implanting tools or instruments
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61C—DENTISTRY; APPARATUS OR METHODS FOR ORAL OR DENTAL HYGIENE
    • A61C7/00—Orthodontics, i.e. obtaining or maintaining the desired position of teeth, e.g. by straightening, evening, regulating, separating, or by correcting malocclusions
    • A61C7/02—Tools for manipulating or working with an orthodontic appliance
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61C—DENTISTRY; APPARATUS OR METHODS FOR ORAL OR DENTAL HYGIENE
    • A61C8/00—Means to be fixed to the jaw-bone for consolidating natural teeth or for fixing dental prostheses thereon; Dental implants; Implanting tools
    • A61C8/0093—Features of implants not otherwise provided for
    • A61C8/0096—Implants for use in orthodontic treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Abstract

본 발명은 탑 이미션 방식의 유기 EL 소자에서 오목거울 형태(concave)의 애노드를 사용하여 노말(normal) 방향으로 반사되어 나가는 빛의 양을 증가시켜 광효율 특성을 개선하기 위한 것으로서, 기판 위에 TFT, 소스/드레인 전극 및 평탄화막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 평탄화막 위에 인장 응력을 갖는 애노드를 성막하는 단계와, 상기 성막된 애노드 상에 PR 도포 후 에칭공정을 통해 발광영역을 제외한 영역을 평탄화막이 노출되도록 상기 애노드 및 PR막을 패터닝하는 단계와, PR 스트리퍼(stripper)를 이용하여 상기 PR막을 제거하여 상기 애노드의 인장 응력에 의한 가장자리 부분의 띄움 현상을 통해 오목거울 모양의 애노드를 형성하는 단계와, 상기 소스/드레인 전극과 애노드가 접촉된 영역이 덮이도록 절연막을 형성하는 단계와, 전면에 유기 EL층 및 캐소드를 순차적으로 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.
탑 이미션, 유기 EL, 애노드, 액티브 매트릭스

Description

유기 ＥＬ 소자의 제조방법{method for fabricating of organic electroluminescence device}
도 1 은 종래 기술에 따른 폴리 실리콘(P-Si) TFT를 이용한 보텀 방식의 액티브 매트릭스 유기 EL 소자의 구조를 나타낸 도면
도 2a 내지 도 2f는 종래 기술에 따른 탑 이미션(top emission) 방식의 액티브 매트릭스 유기 EL 소자의 제조방법을 나타낸 도면
도 3 은 도 2에서 나타내고 있는 탑 이미션 방식의 액티브 매트릭스 유기 EL 소자의 구조에서 참조기호 A 부분만을 나타낸 종래 기술에 따른 도면
도 4 는 도 2에서 나타내고 있는 탑 이미션 방식의 액티브 매트릭스 유기 EL 소자의 구조에서 참조기호 A 부분만을 나타낸 본 발명에 따른 도면
도 5(a) 내지 5(c)는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법을 나타낸 도면
도 6(a) 내지 6(c)은 Tencor사의 FLX-2320 장비를 이용하여 박막 증착 전후의 기판의 곡률을 측정한 그래프
도 7의 (a)(b), (c)(d) 및 (e)(f)은 Cr 박막을 300, 600, 1000Å의 두께로 각각 증착하고 포토 공정을 끝낸 샘플을 나타낸 도면
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 기판 20 : 애노드
30 : 절연막 40 : 유기 EL층
50 : 캐소드 60 : TFT
62 : P-Si층 64 : 게이트 절연막/패시베이션
66 : 이온 도핑된 P-Si층 68 : 소스/드레인 전극
70 : PR 80 : 평탄화막
82 : 비아 홀
본 발명은 유기 EL 소자에 관한 것으로, 특히 탑-이미션(Top-emission) 방식의 유기 EL 소자의 제조방법에 관한 것이다.
근래, 공액고분자(conjugate polymer)의 하나인 폴리(p-페닐린비닐린)(PPV)를 이용한 유기전계발광소자가 개발된 이래 전도성을 지닌 공액고분자와 같은 유기물에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 이러한 유기물을 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT), 센서, 레이저, 광전소자 등에 응용하기 위한 연구도 계속 진행되고 있으며, 그 중에서도 유기전계발광소자에 대한 연구가 가장 활발하게 진행되고 있다.
인광물질(phosphors) 계통의 무기물로 이루어진 전계발광소자의 경우 작동전압이 교류 200V 이상 필요하고 소자의 제작 공정이 진공증착으로 이루어지기 때문 에 대형화가 어렵고 특히 청색발광이 어려울 뿐만 아니라 제조가격이 높다는 단점이 있다. 그러나, 유기물로 이루어진 전계발광소자는 뛰어난 발광효율, 대면적화의 용이화, 공정의 간편성, 특히 청색발광을 용이하게 얻을 수 있다는 장점과 함께 휠 수 있는 전계발광소자의 개발이 가능하다는 점등에 의하여 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
특히, 현재에는 액정표시장치와 마찬가지로 각 화소(pixel)에 능동형 구동소자를 구비한 액티브 매트릭스(active matrix) 전계발광소자가 평판표시장치(flat panel display)로서 활발히 연구되고 있다.
도 1 은 종래 기술에 따른 폴리 실리콘(P-Si) TFT를 이용한 액티브 매트릭스 유기 EL 소자의 구조를 나타낸 도면으로, 빛이 기판으로 발광되는 보텀 이미션(bottom emission) 방식을 나타내고 있다.
도 1과 같이, 투명 글라스로 구성되는 기판(10) 위에 TFT(60)를 형성하고, 상기 TFT(60)의 소스/드레인(source/drain) 전극에 오버랩(overlap)되어 접촉(contact)되도록 애노드(20)를 형성한다. 이어, 상기 TFT(60) 위에 절연막(30)을 형성하고, 전면에 유기 EL층(40) 및 캐소드(50)를 순차적으로 형성한다.
이와 같이 구성되는 보텀 이미션(bottom emission) 방식을 갖는 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널은 유기 EL층(40)에서 발광되는 빛이 기판(10)면을 통과해서 방사될 때, 상기 기판(10)과 유기 EL층(40) 사이에 형성되어 있는 TFT(60)에 의해 발광면이 가려지게 된다.
이에 따라, 상기 TFT(60)의 크기나 그 수가 많아질수록 액티브 매트릭스 유 기 EL 디스플레이 패널의 개구율은 기하급수적으로 줄어들게 되어 디스플레이 소자로서의 사용이 어렵게 된다.
이러한 문제점을 극복하기 위하여 도 2a 내지 도 2f와 같이 기판에 형성되어지는 TFT(60)와 상관없이 기판(10) 반대면으로 발광시키는 탑 이미션(top emission) 방식이 대두되었다.
도 2a와 같이, 먼저 기판(10) 위에 TFT(60)를 형성한다. 그리고 도 2b와 같이, 상기 TFT(60)의 소스/드레인 전극(68)이 노출되도록 하는 비아 홀(82)이 형성된 평탄화막(80)을 전면에 형성한다.
이어 도 2c와 같이, 전면에 애노드(20)를 형성하여 비아 홀(82)에 의해 노출된 TFT의 소스/드레인 전극(68)과 형성된 애노드(20)가 접촉(contact)되도록 한다.
그리고 도 2d와 같이, 상기 소스/드레인 전극(68)과 애노드(20)가 접촉된 영역이 덮이도록 절연막(30)을 형성하고, 다시 도 2e, 2f와 같이 전면에 유기 EL층(40) 및 캐소드(50)를 순차적으로 형성한다.
이와 같이 구성되는 탑 이미션(top emission) 방식을 갖는 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널은 TFT(60) 위에 형성하는 애노드(20)가 반사면이 되고, 여기에 유기물을 증착한 후 형성하는 캐소드(50)가 투명전극으로 빛이 나오는 방향이 된다.
이러한 탑 이미션 방식의 소자에서 빛이 나오는 경로는 크게 보았을 때 캐소드(50)를 통해 직접 나오는 것과, 애노드(20)를 통해 반사되어 투명전극인 캐소드(50)를 통해 나오는 것이 있다.
따라서, 이러한 소자의 경우 마이크로케버티(microcavity) 효과, 반사면의 반사율, 투명전극의 투과율 등의 복합적인 인자로부터 광효율이 결정된다.
특히, 상기 애노드(20)면이 모두 평탄하게 적층되는 소자의 구조는 도 3에서 나타낸 바와 같이 평면상의 반사면에서 노말(nomal) 방향으로 반사되어 나가는 빛의 양이 적어지게 된다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 종래의 탑 이미션 방식의 유기 EL 소자에서 오목거울 형태(concave)의 애노드를 사용하여 노말(normal) 방향으로 반사되어 나가는 빛의 양을 증가시켜 광효율 특성을 개선하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법의 특징은 기판 위에 TFT, 소스/드레인 전극 및 평탄화막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 평탄화막 위에 인장 응력을 갖는 애노드를 성막하는 단계와, 상기 성막된 애노드 상에 PR 도포 후 에칭공정을 통해 발광영역을 제외한 영역을 평탄화막이 노출되도록 상기 애노드 및 PR막을 패터닝하는 단계와, PR 스트리퍼(stripper)를 이용하여 상기 PR막을 제거하여 상기 애노드의 인장 응력에 의한 가장자리 부분의 띄움 현상을 통해 오목거울 모양의 애노드를 형성하는 단계와, 상기 소스/드레인 전극과 애노드가 접촉된 영역이 덮이도록 절연막을 형성하는 단계와, 전면에 유기 EL층 및 캐소드를 순차적으로 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.
이때, 상기 애노드 성막 단계는 상온에서 Cr을 사용하여 애노드를 성막하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 애노드 성막 단계는 50 ~ 400℃에서 Al, Au, Mo, Ti, Ag 중 적어도 하나 이상의 금속을 증착하는 단계와, 상기 50 ~ 400℃의 온도를 상온까지 내리는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.
그리고 상기 애노드는 단일막으로 형성하거나, 또는 저항감소막 + 애노드 또는 반사막 + 애노드인 2층 이상의 다층막으로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 폴리 실리콘(P-Si) TFT를 이용한 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널의 구조는 탑 이미션 방식을 갖는 도 2에서 나타낸 종래의 구조와 동일하며, 단지 빛의 반사면으로 사용되는 애노드(20)면의 적층 구조에서만 차이가 있다.
이하 기재되는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법은 애노드(20)면에 따른 성막 방법만 차이를 나타내며, 그 이외의 공정은 종래의 제조방법과 동일한 공정으로 이루어진다.
또한, 도 2에서 나타내고 있는 공정은 유기 EL 소자의 제조방법 중 일 실시예로서 상기 도 2에서 기재된 구조 및 공정과 동일하지 않더라도, 애노드(20)를 반 사면으로 사용하는 탑 이미션 방식의 액티브 매트릭스 유기 EL 소자의 모든 경우에는 모두 적용이 가능하다.
이하 명세서에서는 도 2의 구조 및 제조 공정을 참조하여 설명하며 종래와 동일한 제조 공정은 생략하고, 차이를 나타내고 있는 애노드(20)면의 성막 공정에 대해서만 설명하도록 한다.
도 4 는 도 2에서 나타내고 있는 탑 이미션 방식의 액티브 매트릭스 유기 EL 소자의 구조에서 참조기호 A 부분만을 나타낸 도면이다.
도 4와 같이, 평탄화막(80) 전면에 형성되는 애노드(20)막 중 빛이 반사되어 출사되는 외부 면을 오목한 형태의 구조로 형성한다.
이에 따라, 종래 도 3과 같이 애노드(20)면이 모두 평탄하게 적층되는 소자의 경우에 평면상의 반사면에서 노말(normal) 방향으로 반사되어 외부로 손실되는 빛의 양이 발생되게 되는 것을 방지할 수 있게 된다.
즉, 본 발명에 따른 탑 이미션 방식의 액티브 매트릭스 유기 EL 소자의 구조를 도 4에서 나타낸 바와 같이, 애노드(20)면을 오목하게 들어가는 구조로 형성함으로써, 반사되는 빛을 가운데로 모아지게 되어 발광층에서 발생한 빛이 손실되는 양을 최소화시킬 수 있게 되어, 소자의 효율을 개선할 수 있게 된다.
이때, 애노드(20) 면이 오목하게 들어가는 모양은 구, 실린더, 피라미드, 사다리꼴 등의 형태, 즉, 반사되는 빛이 면의 중앙으로 모아지는 형태인 경우는 모두 가능하다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5(a) 내지 도 5(c)는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법을 나타낸 도면으로, 애노드(20) 성막 후 필연적으로 거치게 되는 포토 공정(photo lithography)에서 성막시의 애노드의 인장 응력(tensile stress)에 의하여 패턴의 가장자리 부분을 뜨게 함으로써, 오목하게 들어간 애노드를 제작하여 유기 EL 소자의 효율을 개선하고 있다.
도 5를 참조하여 설명하면, 먼저 종래 도 2a와 같이 기판(10) 위에 TFT(60)를 형성한다. 그리고 도 2b와 같이, 상기 TFT(60)의 소스/드레인 전극(68)이 노출되도록 하는 비아 홀(82)이 형성된 평탄화막(80)을 전면에 형성한다.
이어 도 5(a)와 같이 상기 평탄화막(80)위에 인장 응력을 지니도록 애노드를 성막한다.
이때, 상기 애노드(20)는 단일막으로 형성되거나, 저항감소막 + 애노드 또는 반사막 + 애노드인 2층 이상의 다층막으로 형성될 수 있다.
그리고 도 5(b)와 같이 패터닝을 위하여 PR 도포, 노광, 디베럽(develop), 에칭 공정을 거치고 나면 상기 평탄화막(80) 위에는 PR(70)과 인장 응력이 가해지는 애노드(20)가 남아 있는 부분과 없는 부분이 남게 된다.
이 상태에서 PR 스트리퍼(stripper)를 이용하여 PR을 제거하고 나면 도 5(c)에 나타낸 바와 같이, 자연스럽게 패턴된 애노드(20)의 가장자리 부분이 뜨게 되어 오목거울 모양으로 형성되게 된다.
기본적으로 애노드 성막 시 스퍼터(sputter), 전자빔(E-beam), 열증착(thermal evaporation), CVD 등의 일반적으로 사용되는 증착공정 중 어떤 방법을 사용하여도 무방하지만, 증착된 막질을 고려한다면 전자빔이나 스퍼터 증착공정을 이용하여 애노드(20)를 성막하는 것이 가장 바람직하다.
그리고 애노드(20) 성막시 박막이 인장응력을 지니게 하기 위해서는 일반적으로 상온에서 성막하였을 경우 인장 응력을 지니는 Cr을 사용하여도 되고, 다른 Al, Au, Mo, Ti, Ag 등의 금속 또는 합금의 경우 50 ~ 400℃, 바람직하게는 200℃ 정도에서 증착하고 상온으로 온도를 내려도 박막이 인장 응력을 지니게 된다.
이때, 상기 상온의 온도는 약 20℃를 말한다.
이러한 박막의 응력은 증착시의 압력, 파워, 타겟과 기판의 거리, 온도, 기판에 가하는 바이어스(bias) 등을 제어함으로써 변화가 가능하다. 또한 기판의 종류를 바꾸거나, 기판 위에 증착하는 물질을 바꿈으로써도 변화가 가능하다.
이와 같이, 오목거울 모양의 애노드(20)가 형성되면, 상기 소스/드레인 전극(68)과 애노드(20)가 접촉된 영역이 덮이도록 절연막(30)을 형성하고, 다시 전면에 유기 EL층(40) 및 캐소드(50)를 순차적으로 형성한다.
실시예
본 실시 예에서는 Cr을 DC 스퍼터(sputter)를 이용하여 상온에서 증착하였으며, 증착 파워, 압력, 박막의 두께를 변화시키면서 기판의 응력을 측정하였다.
그리고 기판의 응력은 Tencor사의 FLX-2320 장비를 이용하여 박막 증착 전후의 기판의 곡률을 측정함으로써 응력을 계산하였다.
도 6(a)에 나타난 바와 같이, 증착 파워가 200[W], 400[W] 그리고 650[W]로 증가함에 따라 기판의 인장 응력이 1300[MPa], 1150[MPa] 그리고 950[MPa]로 감소하고 있다.
또한, 도 6(b)에 나타난 바와 같이, 증착 압력이 0.3[mTorr]에서 10[mTorr]로 증가함에 따라 초기에 증가하다 감소하고 있다.
그리고 도 6(c)에 나타난 바와 같이, 증착 두께가 500[Å]에서 2000[Å]으로 증가함에 따라 인장 응력이 2230[MPa]에서 1225[MPa]로 감소하다가 일정하게 되는 거동을 보였다.
이러한 결과를 바탕으로 증착된 박막의 두께에 대하여 응력변화가 민감한 1000Å이하의 두께를 지니는 박막 중 Cr 박막의 두께를 300, 600, 1000Å의 두께를 지니는 박막을 형성하였으며, 이를 이용하여 포토 공정(photo lithography)을 거친 뒤 박막의 형태를 광학 현미경을 이용하여 관찰하고 그 결과를 도 7에 나타내었다.
도 7의 (a)(b), (c)(d) 및 (e)(f)은 Cr 박막을 300, 600, 1000Å의 두께로 각각 증착하고 포토 공정을 끝낸 샘플들이다.
또한 도 7의 (a)(c)(e)와 (b)(d)(f)는 포토 공정을 끝낸 샘플을 증착면 쪽에서 관찰하거나 증착면 반대쪽에서 관찰한 사진이다.
이와 같이 도 7(a) 내지 7(f)에서 알 수 있듯이, 박막에 2000MPa 이상의 인장 응력이 가해지는 조건인 600Å 이하의 Cr 박막을 증착한 시편의 경우 포토 공정이 끝난 후에 애노드의 가장자리 부분이 뜨게 되어 애노드가 전체적으로 오목거울 모양으로 형성된 것을 확인할 수 있다.
또한 이는 증착면의 반대쪽에서 관찰하면 확연히 드러나며, 도 7의 (b)(d)(f)를 보면 확인 할 수 있다.
그러나 1500MPa의 인장 응력을 지니는 1000Å의 Cr 박막을 증착한 시편의 경우에는 그러한 현상이 나타나지 않았다.
이와 같이, 박막의 인장 응력을 제어함으로써 가장자리 부분을 뜨게 하여 애노드의 모양을 제어할 수 있게 된다.
이때, 박막의 인장 응력을 제어하는 방법으로는 앞에서 설명한 바와 같이 증착시의 압력, 파워, 타겟과 기판의 거리, 온도, 기판에 가하는 바이어스(bias) 등을 제어함으로써 변화가 가능하다. 또한 기판의 종류를 바꾸거나, 기판 위에 증착하는 물질을 바꿈으로써도 변화가 가능하다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법은 탑 이미션 유기 EL 소자에서 오목거울 형태(concave)의 애노드를 적용하여 노말(normal) 방향으로 반사되어 나가는 빛의 양을 증가시켜 광효율을 증가시킬 수 있는 장점을 지니고 있다.

Claims (8)

  1. 기판 위에 TFT, 소스/드레인 전극 및 평탄화막을 순차적으로 형성하는 단계와,
    상기 평탄화막 위에 인장 응력을 갖는 애노드를 성막하는 단계와,
    상기 성막된 애노드 상에 PR 도포 후 에칭공정을 통해 발광영역을 제외한 영역을 평탄화막이 노출되도록 상기 애노드 및 PR막을 패터닝하는 단계와,
    PR 스트리퍼(stripper)를 이용하여 상기 PR막을 제거하여 상기 애노드의 인장 응력에 의한 가장자리 부분의 띄움 현상을 통해 오목거울 모양의 애노드를 형성하는 단계와,
    상기 소스/드레인 전극과 애노드가 접촉된 영역이 덮이도록 절연막을 형성하는 단계와,
    전면에 유기 EL층 및 캐소드를 순차적으로 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 애노드 성막 단계는
    상온에서 Cr을 사용하여 애노드를 성막하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 애노드 성막 단계는
    50 ~ 400℃에서 Al, Au, Mo, Ti, Ag 중 적어도 하나 이상의 금속을 증착하는 단계와,
    상기 50 ~ 400℃의 온도를 상온까지 내리는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 인장 응력은 애노드 증착시의 압력, 파워, 타겟과 기판의 거리, 온도, 기판에 가하는 바이어스(bias), 기판의 종류, 증착 물질 중 적어도 하나 이상을 변화시켜 제어하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드 성막은 전자빔이나 스퍼터 증착공정 중 적어도 하나 이상을 이용하여 성막하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 오목거울 모양의 애노드는 구, 실린더, 피라미드, 사다리꼴의 형태 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드는 단일막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제 조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드는 저항감소막 + 애노드 또는 반사막 + 애노드인 2층 이상의 다층막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
KR1020040029006A 2004-04-27 2004-04-27 유기 ｅｌ 소자의 제조방법 KR100606817B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040029006A KR100606817B1 (ko) 2004-04-27 2004-04-27 유기 ｅｌ 소자의 제조방법
EP05008860.8A EP1592064B1 (en) 2004-04-27 2005-04-22 Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
JP2005126976A JP4351648B2 (ja) 2004-04-27 2005-04-25 トップエミッションタイプの有機電界発光素子の製造方法
US11/113,997 US7559820B2 (en) 2004-04-27 2005-04-26 Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
CNB2005100681386A CN100481488C (zh) 2004-04-27 2005-04-27 有机电致发光器件及其制造方法
US12/481,426 US8174186B2 (en) 2004-04-27 2009-06-09 Organic electroluminescent device and method for fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040029006A KR100606817B1 (ko) 2004-04-27 2004-04-27 유기 ｅｌ 소자의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050103726A KR20050103726A (ko) 2005-11-01
KR100606817B1 true KR100606817B1 (ko) 2006-08-01

Family

ID=34935597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040029006A KR100606817B1 (ko) 2004-04-27 2004-04-27 유기 ｅｌ 소자의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7559820B2 (ko)
EP (1) EP1592064B1 (ko)
JP (1) JP4351648B2 (ko)
KR (1) KR100606817B1 (ko)
CN (1) CN100481488C (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10950823B2 (en) 2018-08-20 2021-03-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device and display apparatus including the same

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103811669B (zh) * 2012-11-09 2016-08-17 上海天马微电子有限公司 有机发光器件、有机发光二极管显示装置及制造方法
CN104900678B (zh) * 2015-05-22 2017-12-26 京东方科技集团股份有限公司 Oled曲面显示面板及其制作方法、显示装置
JP7027141B2 (ja) * 2017-12-05 2022-03-01 キヤノン株式会社 トップエミッション型有機ｅｌ素子、トップエミッション型有機ｅｌ装置、およびトップエミッション型有機ｅｌ素子の製造方法
CN108231841A (zh) * 2017-12-29 2018-06-29 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件及制备方法
CN109148727B (zh) * 2018-08-31 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及制备方法、显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020055411A (ko) * 2000-12-28 2002-07-08 니시가키 코지 발광 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0907304B1 (en) * 1996-05-29 2002-11-06 Idemitsu Kosan Company Limited Organic el device
US6046543A (en) * 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
JP2000133462A (ja) * 1998-10-22 2000-05-12 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、および有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとその製造方法
JP2003017273A (ja) * 2001-07-05 2003-01-17 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
JP4009817B2 (ja) 2001-10-24 2007-11-21 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP2003257662A (ja) * 2002-03-04 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP4683825B2 (ja) 2002-04-24 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US7786496B2 (en) * 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
KR100477746B1 (ko) 2002-06-22 2005-03-18 삼성에스디아이 주식회사 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 전계 발광 소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020055411A (ko) * 2000-12-28 2002-07-08 니시가키 코지 발광 장치 및 그 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10950823B2 (en) 2018-08-20 2021-03-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device and display apparatus including the same
US11563199B2 (en) 2018-08-20 2023-01-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device and display apparatus including the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20090243481A1 (en) 2009-10-01
EP1592064A2 (en) 2005-11-02
EP1592064B1 (en) 2019-08-28
CN1691858A (zh) 2005-11-02
US8174186B2 (en) 2012-05-08
JP4351648B2 (ja) 2009-10-28
US7559820B2 (en) 2009-07-14
EP1592064A3 (en) 2007-01-03
CN100481488C (zh) 2009-04-22
US20050236978A1 (en) 2005-10-27
KR20050103726A (ko) 2005-11-01
JP2005317536A (ja) 2005-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8672723B2 (en) Top emission type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
US10658440B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
US7245080B2 (en) Substrate having organic electroluminescent device and method of fabricating the same
US7918704B2 (en) Organic electroluminescent display panel and method for fabricating same
US20090322657A1 (en) Organic light emitting display and fabricating method thereof
KR100686120B1 (ko) 유기 ｅｌ 소자의 제조방법
US20060273712A1 (en) Organic electroluminescence display apparatus
KR100606772B1 (ko) 유기 ｅｌ 소자의 제조방법
US8987723B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR20050113046A (ko) 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
US8174186B2 (en) Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
US11063234B2 (en) Organic light emitting diode display panel and method for manufacturing the same
KR101680704B1 (ko) 유기전계 발광소자
US7023131B2 (en) Active matrix organic light emitting display and method of forming the same
KR100531292B1 (ko) 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 제작 방법
KR20130007872A (ko) 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법
KR100685424B1 (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
KR100685423B1 (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
KR100611217B1 (ko) 유기 보호막을 사용한 유기 전계 발광 표시 장치
KR20050113039A (ko) 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100587303B1 (ko) 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법
KR20150033406A (ko) 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR100807552B1 (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
CN111211153A (zh) 一种双面有机发光二极管显示结构及制作方法
KR20060007771A (ko) 유기전계 발광표시장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130619

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150629

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160630

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190617

Year of fee payment: 14