CN113707781A - 基板及其制备方法 - Google Patents

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CN113707781A CN202110890042.7A CN202110890042A CN113707781A CN 113707781 A CN113707781 A CN 113707781A CN 202110890042 A CN202110890042 A CN 202110890042A CN 113707781 A CN113707781 A CN 113707781A
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Abstract

本申请公开一种基板及其制备方法。所述基板包括衬底、沉积电极以及发光层。其中,沉积电极设置在所述衬底上。所述沉积电极包括第一电极和第二电极。所述第一电极与所述第二电极绝缘设置。所述第一电极于所述衬底所在平面的正投影为第一投影,所述第二电极于所述衬底所在平面的正投影为第二投影,所述第一投影的至少部分位于所述第二投影的外侧。所述发光层设置在所述沉积电极上。本申请可以调控发光层的形貌,得到平整的发光层,提高基板的出光效率。

Description

基板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示术领域,具体涉及一种基板及其制备方法。
背景技术
量子点薄膜是一种良好的光电转换材料,广泛应用于发光二极管、生物传感器、显示面板及其它器件中。随着薄膜制备技术的发展,制备量子点薄膜的方法多种多样,主要包括旋涂法、自组装法、电沉积法和电泳沉积法等。其中电泳沉积法由于实验设备简单、操作方便、能耗低、沉积速度快等优点而被广泛应用于各种薄膜的制备。
其中,电泳沉积的原理是带电粒子在外加电场作用下,在均匀分散体系中向电性相反的电极迁移,随后沉积在电极表面上,并通过粒子团聚形成均匀致密的薄膜。但是由于电极的大小、形状以及沉积材料的特性等因素,电泳沉积得到的薄膜层的形貌不可控,影响其发光效果。
发明内容
本申请提供一种基板及其制备方法,可以调控发光层的形貌,得到平整的发光层,提高基板的出光效率。
本申请提供一种基板,其包括:
衬底;
沉积电极,设置在所述衬底上,所述沉积电极包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第二电极绝缘设置,所述第一电极于所述衬底所在平面的正投影为第一投影,所述第二电极于所述衬底所在平面的正投影为第二投影,所述第一投影的至少部分位于所述第二投影的外侧;以及
发光层,设置在所述沉积电极上。
可选的,在本申请一些实施例中,所述第一电极和所述第二电极异层设置,所述第二电极的部分与所述第一电极重叠设置。
可选的,在本申请一些实施例中,所述第二电极包括第一子电极和第二子电极,所述第一子电极和所述第二子电极同层且间隔设置。
可选的,在本申请一些实施例中,所述第二电极包括第一子电极和第二子电极,所述基板还包括第一绝缘层和第二绝缘层;
所述第一绝缘层设置在所述第一电极的一部分上,所述第一子电极设置在所述第一绝缘层上,所述第二绝缘层设置在所述第一子电极的一部分上,所述第二子电极设置在所述第二绝缘层上。
可选的,在本申请一些实施例中,所述第一电极和所述第二电极同层且间隔设置。
可选的,在本申请一些实施例中,所述第一电极环绕所述第二电极设置,
可选的,在本申请一些实施例中,所述第一电极与所述第二电极并列排布。
可选的,在本申请一些实施例中,所述第二电极包括第一子电极和第二子电极,所述基板还包括第一绝缘部和第二绝缘部,所述第二子电极环绕所述第一子电极设置,所述第一电极环绕所述第二子电极设置,所述第一绝缘部位于所述第一电极和所述第二子电极之间,所述第二绝缘部位于所述第二子电极和所述第一子电极之间。
可选的,在本申请一些实施例中,所述第二电极包括第一子电极和第二子电极,所述基板还包括第一绝缘部和第二绝缘部,所述第一绝缘部位于所述第一电极和所述第一子电极之间,所述第二绝缘部位于所述第一电极和所述第二子电极之间。
可选的,在本申请一些实施例中,所述沉积电极设置为多个,所述基板还包括像素定义层,所述像素定义层设置在所述沉积电极上,所述像素定义层上设有多个开口,每一所述开口暴露出相应的所述沉积电极,所述发光层设置在所述开口内。
相应的,本申请还提供一种基板的制备方法,其包括:
提供一衬底;
在所述衬底上形成沉积电极,所述沉积电极包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第二电极绝缘设置,所述第二电极在所述衬底上的正投影位于所述第一电极在所述衬底上的正投影内;
分别对所述第一电极和所述第二电极施加电压值不同且极性相同的电压;
在所述沉积电极上形成发光层。
本申请提供一种基板及其制备方法。本申请的基板包括衬底、沉积电极以及发光层。发光层设置在沉积电极上。本申请通过将沉积电极设置为相互绝缘的第一电极和第二电极,且第一电极于衬底所在平面的正投影的一部分位于第二电极于衬底所在平面的正投影的外侧。由此,利用电泳沉积的方法在沉积电极上形成发光层时,可以分别对第一电极和第二电极配置不同的电压值,对发光层的形貌进行调控,使得发光层材料在沉积电极上均匀沉积,从而提高发光层的平整性,提高基板的出光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的基板的第一结构示意图;
图2是本申请提供的基板的沉积电极的第一平面示意图;
图3是本申请提供的基板的沉积电极的第二平面示意图;
图4是本申请提供的基板的第二结构示意图;
图5是本申请提供的基板的第三结构示意图;
图6是本申请提供的基板的第四结构示意图;
图7是本申请提供的基板的第五结构示意图;
图8是本申请提供的基板的沉积电极的第三平面示意图;
图9是本申请提供的基板的第六结构示意图;
图10是本申请提供的基板的第七结构示意图
图11是本申请提供的基板的第八结构示意图;
图12是本申请提供的基板的制备方法流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”、“下”、“左”、“右”通常是指装置实际使用或工作状态下的上、下、左和右,具体为附图中的图面方向。
本申请提供一种基板及其制备方法,以下进行详细说明。需要说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对本申请实施例优选顺序的限定。且在以下实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其它实施例的相关描述。
请参阅图1和图2,图1是本申请提供的基板的第一结构示意图。图2是本申请提供的沉积电极的第一平面示意图。在本申请中,基板100包括衬底10、沉积电极20以及发光层30。其中,沉积电极20设置在衬底10上。沉积电极20包括第一电极21和第二电极22。第一电极21与第二电极22绝缘设置。第一电极21于衬底10所在平面的正投影为第一投影21A。第二电极22于衬底10所在平面的正投影为第二投影22B。第一投影21A的至少部分位于第二投影22B的外侧。发光层30设置在沉积电极20上。
由前述内容可知,电泳沉积的原理是带电粒子在外加电场作用下,在均匀分散体系中向电性相反的电极迁移(异性相吸),随后沉积在电极表面上。也即,电泳沉积发光层30的方式需要在空间中形成电场。比如,设置两个相对的电极,分别在两个电极上施加极性相反的偏压,以在两个电极之间形成垂直电场。在本申请中,沉积电极20即为上述两个电极中用于沉积带电粒子的电极。在沉积电极20远离衬底10的一侧还需要设置一个对电极(图中未示出)。对电极被施加上与沉积电极20极性相反的偏压。从而在沉积电极20和对电极之间形成电场,以在沉积电极20上沉积发光层30。需要说明的是,对电极仅用于在沉积发光层30的过程中,与沉积电极20配合形成电场,在发光层30形成后被移除。当然,也可以利用同一电极形成水平电场,在此不再赘述。
由此,本申请通过将沉积电极20设置为相互绝缘的第一电极21和第二电极22。且第一电极21于衬底10所在平面的第一投影21A位于第二电极22于衬底10所在平面的第二投影22B的外侧。当利用电泳沉积的方法在沉积电极20上形成发光层30时,可以分别对第一电极21和第二电极22施加电压值不同且极性相同的电压,以在沉积电极20的不同位置处对发光层材料施以不同的吸引力,使得发光层材料在沉积电极20上均匀沉积。由此,对发光层30的形貌进行调控,提高发光层30的平整性,提高基板100的出光效率。
当然,本申请的技术方案并不一定要得到平整的发光层30。当实际产品对发光层30的膜厚分布有特殊要求时,对第一电极21和第二电极22的相对位置进行合理的设计,也可实现对发光层30形貌的调控。
需要说明的是,在实际产品中,第一电极21和第二电极22的厚度很薄,其相对于发光层30的厚度可忽略。因此,第一电极21和第二电极22之间存在的高度差可忽略,基本不会影响发光层30的形貌。也即,本申请中的附图仅为示例,不能理解为对本申请的限定。
在本申请中,发光层30的材料可以为量子点、上转换纳米颗粒等发光材料。本申请以下各实施例均以量子点为例进行说明,但不能理解为对本申请的限定。
具体的,发光层30可由量子点胶体溶液电泳沉积形成。其中,量子点可以为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质等。比如,量子点可以为CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe、GaP、GaAs、InP、InAs、CdZnSe/ZnS、CdSe/ZnS、CsPbBr3、CsPbCL3中的一种或几种的组合。此外,可以理解的是,为了钝化量子点表面的缺陷,改善量子点的发光特性以及溶解性,常使用有机配体对量子点表面进行修饰。有机配体包含丙二醇衍生物、硫代硫醇化合物、硫代羧酸化合物、以及包含酯基和硫醇基的化合物中的一种或多种的组合。再则,溶解量子点的溶剂有丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、醇类(如乙醇、丁醇)、水、醚类(如乙醚)、酯类(如醋酸乙酯、)、烷类(如正辛烷、正己烷)等。
综上,一方面量子点表面的有机配体带有羧基、烷烃链等不同的基团,而不同的基团带有不同的电荷。另一方面,量子点表面可能还会经过其它修饰处理等。因此,不同的量子点材料体系会带有正电荷或负电荷。
在本申请中,沉积电极20的材料可以是氧化铟锡(ITO)、铜(Cu)、银(Ag)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、铝(Al)掺杂氧化锌(AZO)或氧化锑锡(ATO)中的一种或几种的组合。沉积电极20也可采用Mo(钼)/Al、ITO/Ag/ITO或ITO/Al/ITO的叠层结构等。其中,上述材料中的透明金属氧化物材料具有很好的导电性和透明性,并且厚度较小,利于实现基板100的轻薄化。
在本申请中,第一电极21的平面结构可以为线形、矩形、圆角方形、六边形、三角形、菱形等其它图案化形状。第二电极22的平面结构也可以为线形、矩形、圆角方形、六边形、三角形、菱形等其它图案化形状。需要说明的是,第一电极21和第二电极22的平面结构可以相同,也可以不同。
比如,请同时参阅图2和图3。图3是本申请提供的沉积电极的第二平面示意图。
如图2所示,第一电极21和第二电极22的平面结构均为矩形。如图3所示,第一电极21和第二电极22的平面结构均为圆角方形。需要说明的是,图2和图3仅为说明第一电极21和第二电极22的平面结构,并不能理解为对第一电极21和第二电极22的相对位置的限定。
在本申请中,第二电极22相对于第一电极21的具体位置可以根据发光层30的实际厚度分布进行设置。
比如,通常当沉积电极20的尺寸较大时,发光层材料会优先在沉积电极20的边缘沉积,从而导致发光层30中间薄四周厚,呈山谷形。又比如,当沉积电极20的尺寸较小,且电泳沉积时间较短时,发光层材料会优先在沉积电极20的中心沉积,从而导致发光层30中间厚四周薄,呈山峰形。对此,第二电极22在衬底10上的正投影可位于第一电极21在衬底10上的正投影的中心区域,便于在电泳沉积过程中,对发光层30的中心和四周的厚度进行调控。
当然,若形成发光层30的量子点胶体溶液的粘稠度不同或者其它干扰因素造成发光层30的膜层不均匀,且不是典型的山峰形或山谷形。则可根据实验中发光层30的实际厚度分布情况,在生产中设计第二电极22的位置,从而形成平整的发光层30,提高基板100的出光效率。
此外,本申请还可以降低对量子点材料体系的要求。由上述内容可知,量子点表面一般修饰有有机配体。若有机配体的支链较长,量子点在电场下移动比较困难。因此,该类量子点比较适合在尺寸较小的电极上沉积,在尺寸较大的电极上沉积时易聚集。同理,当有机配体的支链较短时,量子点在电场下移动比较容易,适合在尺寸较大的电极上沉积。此外,量子点胶体溶液的粘稠度也会影响量子点沉积的均匀性。因此,在实际生产过程中,需要根据电极的大小选择合适的量子点材料体系。本申请将沉积电极20设置为相互绝缘的第一电极21和第二电极22。采用电泳沉积的方法在沉积电极20上形成发光层30时,可以通过对第一电极21和第二电极22施加不同的电压,对量子点的移动速率和移动方向进行调控,因此对量子点材料体系的要求不高,量子点材料体系的选择范围更大。
请继续参阅图1,在本申请中,第二电极22在衬底10上的正投影位于第一电极21在衬底10上的正投影内。具体的,基板100还包括第一绝缘层40。第一绝缘层40设置在第一电极21的一部分上。第二电极22设置在第一绝缘层40上。
其中,第一电极21和第二电极22叠层设置,且第一绝缘层40设置在第一电极21和第二电极22之间,可以有效避免第一电极21和第二电极22之间发生信号串扰。在一些实施例中,第一绝缘层40在衬底10上的正投影与第二电极22在衬底10上的正投影重合,在完全支撑第二电极22的基础上,可以避免对第一电极21产生影响。
需要说明的是,在上述实施例的基板100中,第二电极22设置在第一电极21远离衬底10的一侧,但不能理解为对本申请的限定。在本申请中,第一电极21也可以设置在第二电极22远离衬底10的一侧,在此不再赘述。
需要说明的是,在本申请中,沉积电极20还可以包括3个或更多个电极,任意两个电极至少部分不重叠。在电泳沉积形成发光层30的过程中,可以对多个电极施加相应的电压,更好的调控发光层30的形貌。
请参阅图4,图4是本申请提供的基板的第二结构示意图。与上述各实施例中的基板100的不同之处在于,在本实施例提供的基板200中,第二电极22包括第一子电极221和第二子电极222。第一子电极221和第二子电极222绝缘设置。第二子电极222在衬底10上的正投影位于第一子电极221在衬底10上的正投影内。
具体的,在本实施例中,基板100还包括第二绝缘层50。第一子电极221位于第一绝缘层40上。第二绝缘层50设置在部分第一子电极221上。第二子电极222设置在第二绝缘层50上。
同理,第一子电极221和第二子电极222叠层设置,且第二绝缘层50设置在第一子电极221和第二子电极222之间,可以有效避免第一子电极221和第二子电极222之间发生信号串扰。在一些实施例中,第二绝缘层50在衬底10上的正投影与第二子电极222在衬底10上的正投影重合,在完全支撑第二子电极222的基础上,可以避免对第一子电极221以及第一电极21产生影响。
在本实施例中,由于设置第二电极22包括第一子电极221和第二子电极222,在电泳沉积发光层30的过程中,可分别对第一电极21、第一子电极221以及第二子电极222施加相应的电压,以对量子点的移动速率和移动方向进行更精细化的控制,更好的调控发光层30的形貌。
需要说明的是,在本申请中,第二电极22还可以包括3个或更多个子电极,以在电泳沉积形成发光层30的过程中,对第一电极21和每一子电极施加相应的电压,更好的调控发光层30的形貌。
请参阅图5,图5是本申请提供的基板的第三结构示意图。与上述各实施例中的基板200的不同之处在于,在本实施例提供的基板300中,第一子电极221和第二子电极222同层间隔设置。
具体的,第二子电极222在衬底10上的正投影与第一子电极221在衬底10上的正投影错开。
可以理解的是,实验中发光层30的实际厚度分布并不都是山峰形或山谷形,也可能呈不规则分布状态。则在实际生产时,在对应膜层较薄或较厚的位置处设置第一子电极221和第二子电极222,可以施加相应的电压进行膜厚调整。由此,第一子电极221和第二子电极222同层间隔设置,更有利于设计第一子电极221和第二子电极222的位置,灵活调控发光层30的形貌。
此外,第一子电极221和第二子电极222同层间隔设置,仅需要设置一层间绝缘层,可以减小基板200的厚度,有利于轻薄化。
需要说明的是,当第一子电极221和第二子电极222同层间隔设置时,第一子电极221还可以环绕第二子电极222设置,以针对实验中呈山峰形或山谷形的发光层进行调控,得到平整的发光层30。
请参阅图6,图6是本申请提供的基板的第四结构示意图。与上述各实施例中的基板100的不同之处在于,在本实施例提供的基板400中,第一电极21和第二电极22同层间隔设置。
具体的,第一电极21环绕第二电极22周缘设置。其中,第一电极21和第二电极22之间间隔设置,可以避免第一电极21和第二电极22之间发生短接。进一步的,基板100还包括第一绝缘部41。第一绝缘部41位于第一电极21和第二电极22之间,进一步避免第一电极21和第二电极22之间发生信号串扰。
本实施例将第一电极21和第二电极22同层间隔设置,可以进一步减小基板400的厚度,有利于轻薄化。同时,由于第一电极21和第二电极22位于同层,第一电极21和第二电极22之间没有阶梯差,进一步提高了发光层30的平整性。
请参阅图7和图8,图7是本申请提供的基板的第五结构示意图。图8是本申请提供的沉积电极的第三平面示意图。与上述各实施例中的基板400的不同之处在于,在本实施例的基板500中,第一电极21与第二电极22并列排布。
可以理解的是,对于尺寸较大的沉积电极20,电泳沉积形成的发光层30易呈山谷形。本实施例将沉积电极20设计为并列排布的第一电极21和第二电极22,相当于将沉积电极20分为面积较小的部分,从而减弱沉积电极20面积太大时造成的量子点沉积不均匀的问题,从而提高发光层30的平整性。
请参阅图8,图8是本申请提供的基板的第六结构示意图。与上述各实施例中的基板400的不同之处在于,在本实施例的基板600中,第二电极22包括第一子电极221和第二子电极222。基板600还包括第一绝缘部41和第二绝缘部42。第二子电极222环绕第一子电极221设置。第一电极21环绕第二子电极222设置。第一绝缘部41位于第一电极21和第二子电极222之间。第二绝缘部42位于第二子电极222和第一子电极221之间。
也即,在本实施例中,第二子电极222在衬底10上的正投影与第一子电极221在衬底10上的正投影错开。并且,第一子电极221、第二子电极222以及第一电极21由内向外依次呈环状排布。本实施例在电泳沉积发光层30时,可以分别对第一子电极221、第二子电极222以及第一电极21施加电压值递增或递减的同极性电压,以针对实验中呈山峰形或山谷形的发光层进行调控,得到平整的发光层30。
请参阅图9,图9是本申请提供的基板的第七结构示意图。与上述各实施例中的基板500的不同之处在于,在本申请实施例的基板700中,第一绝缘部41位于第一电极21和第一子电极221之间。第二绝缘部42位于第一电极21和第二子电极222之间。
也即,在基板700中,第一子电极221和第二子电极222之间不是环绕的关系。第一子电极221和第二子电极222可分别设置在第一电极21内部的不同位置处。
则当实验中发光层30的实际厚度分布不是山峰形或山谷形,而是呈不规则分布状态时。可在实际生产时,在对应膜层较薄或较厚的位置处设置第一子电极221和第二子电极222,以施加相应的电压进行膜厚调整。由此,更有利于设计第一子电极221和第二子电极222的位置,灵活调控发光层30的形貌。
请参阅图10,图10是本申请提供的基板的第八结构示意图。与上述实施例中的基板100的不同之处在于,在本申请实施例的基板800中,沉积电极20设置为多个。基板100还包括像素定义层60。像素定义层60设置在沉积电极20上。像素定义层60上设有多个开口60A。每一开口60A暴露出相应的沉积电极20。发光层30设置在开口60A内。
可以理解的是,本实施例通过在衬底10上设置像素定义层60,并在像素定义层60上开设暴露出相应沉积电极20的开口60A,可以在多个开口60A内同时设置多个发光层30。且相邻开口60A之间的像素定义层60可防止发光材料串扰,且避免电泳沉积过程中,电压信号相互干扰。
此外,在本申请中,基板100可以是彩膜基板或者阵列基板。其中彩膜基板或者阵列基板的结构为本领域技术人员熟知的技术在此不再赘述。基板100可应用于QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes,量子点发光二极管)显示器、OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有机发光二极管)显示器或者LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)。
相应的,本申请还提供一种基板的制备方法,以制备上述任一项所述的基板。具体的,请同时参阅图1和图11,图11是本申请提供的基板的制备方法流程示意图。基板的制备方法包括以下步骤:
步骤101、提供一衬底。
具体的,衬底10的材料可以是聚酰亚胺或玻璃,在此不再赘述。
步骤102、在所述衬底上形成沉积电极,所述沉积电极包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第二电极绝缘设置,所述第二电极与所述第一电极在所述衬底至少部分不重合。
在一些实施例中,第二电极22在衬底10上的正投影位于第一电极21在衬底10上的正投影内。
具体的,如图1所示,第一电极21和第二电极22异层设置。则,在衬底10上形成第一金属层,对第一金属层进行图案化处理,以形成第一电极21。在第一电极21上形成第一绝缘层40。然后,在衬底10上形成第二金属层。第二金属层覆盖衬底、第一电极21和第一绝缘层40。对第二金属层进行图案化处理,以形成第二电极22。
在一些实施例中,第一电极21和第二电极22同层间隔设置。
具体的,在衬底10上形成第一金属层,对第一金属层进行图案化处理,可同时形成第一电极21和第二电极22。进一步的,在第一电极21和第二电极22之间形成第一绝缘部41。其中,如图6所示,第一电极21环绕第二电极22设置。又如图7所示,第一电极21与第二电极22并排设置。
其中,沉积电极20的材料可以是氧化铟锡(ITO)、铜(Cu)、银(Ag)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、铝(Al)掺杂氧化锌(AZO)或氧化锑锡(ATO)中的一种或几种的组合。沉积电极20也可采用Mo(钼)/Al、ITO/Ag/ITO或ITO/Al/ITO的叠层结构等。
其中,第一电极21和第二电极22的平面结构可以为线性、矩形、圆角方形、六边形、三角形、菱形等其它图案化形状。需要说明的是,第一电极21和第二电极22的平面结构可以相同,也可以不同。
步骤103、分别对所述第一电极和所述第二电极施加电压值不同且极性相同的电压。
可以理解的是,由于本申请通过第一电极21和第二电极22对带电粒子的移动速度和移动位置进行调控,因此,需要对第一电极21和第二电极22配置电压值不同且极性相同的电压。从而在沉积电极20的不同位置对带电粒子施加不同大小的吸引力。
此外,需要说明的是,由上述实施例可知,电泳沉积形成发光层30时,需要在空间形成电场。沉积电极20作为产生电场的两极中的一极,在沉积电极20远离衬底10的一侧还需要设置一个对电极。对电极被施加与沉积电极20极性相反的偏压。从而在沉积电极20和对电极之间形成垂直电场。在完成电泳沉积后,可将对电极移除。
步骤104、在所述沉积电极远离所述衬底的一侧形成发光层。
具体的,发光层30的材料可以为量子点、上转换纳米颗粒等发光材料。本申请以量子点为例进行说明。量子点可以为CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe、GaP、GaAs、InP、InAs、CdZnSe/ZnS、CdSe/ZnS、CsPbBr3、CsPbCL3中的一种或几种的组合。为了钝化量子点表面的缺陷,改善量子点的发光特性以及溶解性,常使用有机配体对量子点表面进行修饰。有机配体包含丙二醇衍生物、硫代硫醇化合物、硫代羧酸化合物、以及包含酯基和硫醇基的化合物中的一种或多种的组合。再则,溶解量子点的溶剂有丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、醇类(如乙醇、丁醇)、水、醚类(如乙醚)、酯类(如醋酸乙酯、)、烷类(如正辛烷、正己烷)等。
量子点胶体溶液的浓度在1mg/ml-550mg/ml之间,选择范围比较灵活。比如,量子点胶体溶液的浓度可以为1mg/ml、10mg/ml、100mg/ml、200mg/ml、550mg/ml等。量子点胶体溶液的浓度可根据量子点材料体系以及电泳沉积的时间进行设置。
此外,由电泳沉积的原理可知,沉积电极20和量子点材料体系的电荷极性相反。
本申请提供一种基板的制备方法,通过将沉积电极20设置为相互绝缘的第一电极21和第二电极22。且第二电极22在衬底10上的正投影位于第一电极21在衬底10的正投影内。在电泳沉积发光层30时,可以分别对第一电极21和第二电极22配置电压值不同且极性相同的电压,以在沉积电极20的不同位置处对发光层材料施加不同的吸引力,使得发光层材料在沉积电极20上均匀沉积。由此,提高发光层30的平整性,提高基板100的出光效率。
以上对本申请提供的基板及其制备方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种基板,其特征在于,包括:
衬底;
沉积电极,设置在所述衬底上,所述沉积电极包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第二电极绝缘设置,所述第一电极于所述衬底所在平面的正投影为第一投影,所述第二电极于所述衬底所在平面的正投影为第二投影,所述第一投影的至少部分位于所述第二投影的外侧;以及
发光层,设置在所述沉积电极上。
2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极异层设置,所述第二电极的部分与所述第一电极重叠设置。
3.根据权利要求2所述的基板,其特征在于,所述第二电极包括第一子电极和第二子电极,所述第一子电极和所述第二子电极同层且间隔设置。
4.根据权利要求2所述的基板,其特征在于,所述第二电极包括第一子电极和第二子电极,所述基板还包括第一绝缘层和第二绝缘层;
所述第一绝缘层设置在所述第一电极的一部分上,所述第一子电极设置在所述第一绝缘层上,所述第二绝缘层设置在所述第一子电极的一部分上,所述第二子电极设置在所述第二绝缘层上。
5.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极同层且间隔设置。
6.根据权利要求5所述的基板,其特征在于,所述第一电极环绕所述第二电极设置。
7.根据权利要求5所述的基板,其特征在于,所述第一电极与所述第二电极并列排布。
8.根据权利要求5所述的基板,其特征在于,所述第二电极包括第一子电极和第二子电极,所述基板还包括第一绝缘部和第二绝缘部,所述第二子电极环绕所述第一子电极设置,所述第一电极环绕所述第二子电极设置,所述第一绝缘部位于所述第一电极和所述第二子电极之间,所述第二绝缘部位于所述第二子电极和所述第一子电极之间。
9.根据权利要求5所述的基板,其特征在于,所述第二电极包括第一子电极和第二子电极,所述基板还包括第一绝缘部和第二绝缘部,所述第一绝缘部位于所述第一电极和所述第一子电极之间,所述第二绝缘部位于所述第一电极和所述第二子电极之间。
10.根据权利要求1-9任一项所述的基板,其特征在于,所述沉积电极设置为多个,所述基板还包括像素定义层,所述像素定义层设置在所述沉积电极上,所述像素定义层上设有多个开口,每一所述开口暴露出相应的所述沉积电极,所述发光层设置在所述开口内。
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