TWI594414B - 有機發光二極體顯示器及其製造方法 - Google Patents
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Description
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年10月5日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0110557號之優先權及效益，其全部內容係於此併入作為參考。
本發明實施例係關於一種有機發光二極體顯示器及其製造方法，更特別的是，一種藉由差異化各紅色、綠色及藍色像素之結構而強化發光效率及可見度之有機發光二極體顯示器及其製造方法。
有機發光二極體顯示器係自發光顯示裝置，其具有發光以顯示影像之一或多個有機發光二極體。因為有機發光二極體顯示器不須獨立光源，不像液晶顯示器，與液晶顯示器相較可減少顯示裝置之厚度及重量。更進一步，因為有機發光顯示二極體具有如低功率消耗、高亮度及快速反應速度之高性能特性，故有機發光二極體顯示器已受到重視作為下一代可攜式電子設備之顯示裝置。
一般而言，有機發光二極體包含電洞注入電極、有機發光層、以及電子注入電極。於有機發光二極體中，從電洞注入電極供應之電洞及從電子注入電極供應之電子係於有機發光層彼此耦合以形成激子，且藉由於激子掉落至基態時產生的能量產生光。於有機發光二極體之例子中，因為自發光效率不高，故為了改進效率，可製造內部共振環境。然而，於內部共振環境中，因為前面的光的路徑不同，紅色像素、綠色像素、藍色像素之效率比係彼此不同，因此，根據在前面與側邊之顏色差(White Angle Dependence, WAD)係產生(例如，會出現基於視角的顏色差或亮度改變)。此外，因為從有機發光層發出之大部分的光係由於全反射(例如全內反射)導引至平行疊層表面之方向且損失，故光擷取效率會很低。光擷取效率係從二極體於觀察者側擷取的光的量與從發光層發的光的量之比值，且因為有機發光二極體具有低光擷取效率，還有改進關於顯示裝置之特性如亮度之空間。
因此，以發展多種方法以藉由有效地擷取發自有機發光層中的光改進發光效率且藉由降低色差(例如顏色或亮度偏移)改進可見度。
本發明之實施例態樣係針對提供一種藉由差異化各紅色、綠色及藍色像素之結構而強化發光效率且藉由降低根據角度(例如視角)之色差(WAD)而具有增加光擷取效率之有機發光二極體顯示器及其製造方法。
本發明之例示性實施例提供一種有機發光二極體顯示器，其包含：基板；於基板上之絕緣層；於絕緣層上之複數個像素電極；於絕緣層上與像素電極之至少其一之一末端重疊，且定義發光區與非發光區之像素定義層；於像素電極上之有機發光層；以及於有機發光層上之共同電極，其中絕緣層具有複數個凹陷部於鄰近對應之像素電極之非發光區中，其中凹陷部之每一個具有底部及傾斜部，以及其中反射表面係於傾斜部之至少其一上。
像素電極可包含紅色像素電極、綠色像素電極、以及藍色像素電極。
像素電極可更包含白色像素電極。
共同電極可於像素定義層與絕緣層上。
第一反射表面可於鄰近紅色像素電極之第一凹陷部之第一傾斜部上，且第二反射表面可於鄰近綠色像素電極之第二凹陷部之第二傾斜部上。
第一反射表面與第二反射表面可與共同電極分隔。
共同電極可於第一傾斜部與第二傾斜部上，且形成第一反射表面與第二反射表面。
第三反射表面可於鄰近藍色像素電極之第三凹陷部之第三傾斜部且可與共同電極分隔。
反射表面可包含選自由鋁、鈦、鎂以及銀組成之群組之其中一材料。
絕緣層可包含第一絕緣層及於第一絕緣層上之第二絕緣層，其中底部可第一絕緣層之表面且傾斜部係第二絕緣層之表面。
更進一步，本發明之實施例提供一種有機發光二極體顯示器之製造方法。
本發明之另一例示性實施例提供一種有機發光二極體顯示器之製造方法，該方法包含：形成絕緣層於基板上；形成複數個像素電極於絕緣層上；形成像素定義層於像素電極之間以與像素電極之末端重疊；形成有機發光層於像素電極上；以及形成共同電極於有機發光層上，其中絕緣層具有複數個凹陷部於鄰近對應之像素電極之非發光區中，其中複數個凹陷部之每一個具有底部及傾斜部，以及其中反射表面係於凹陷部之至少其一上。
形成複數個像素電極可包含形成紅色像素電極、綠色像素電極以及藍色像素電極。
形成複數個像素電極可包含形成白色像素電極。
共同電極可於像素定義層與絕緣層上 。
第一反射表面可於鄰近紅色像素電極之第一凹陷部之第傾斜部上，且第二反射表面可於鄰近綠色像素電極之第二凹陷部之第二傾斜部上。
反射表面可與共同電極分隔。
共同電極可於第一傾斜部與第二傾斜部上，且形成第一反射表面與第二反射表面。
第三反射表面係於鄰近藍色像素電極之第三凹陷部之第三傾斜部且與共同電極分隔。
反射表面可包含選自由鋁、鈦、鎂以及銀組成之群組之其中一材料。
形成絕緣層可包含：形成第一絕緣層，底部係第一絕緣層之表面；以及形成第二絕緣層，傾斜部係第二絕緣層之表面。
根據本發明之一實施例的有機發光二極體顯示器，藉由差異化地形成紅色像素單元與綠色像素單元於具有極佳效率及前亮度之結構以及藍色像素單元於具有極佳效率及側亮度之結構，可藉由降低色差之發生增加發光效率及改進可見度。
前述內容係說明性，而非意圖以任何方式限制。除了上述說明態樣、實施例及特性之外，更多態樣、實施例及特性將皆由參考圖式及下列詳細說明便的顯而易見。
1100、2100、3100．．．基板
1200、2200、3200．．．絕緣層
1210、2210、3210．．．第一絕緣層
1220、2220、3220．．．第二絕緣層
1300、2300、3300．．．像素電極
1400、2400、3400．．．像素定義層
1500、2500、3500．．．有機發光層
1600、2600、3600．．．共同電極
2410、3410．．．分隔物
2700、3700．．．反射表面
第1圖係表示根據本發明之第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之紅色像素單元及/或綠色像素單元之結構的示意剖面圖。
第2圖係表示根據本發明之第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之藍色像素單元之結構的示意剖面圖。
第3圖係表示根據本發明之第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器之紅色像素單元及/或綠色像素單元之結構的示意剖面圖。
第4圖係表示根據本發明之第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器之藍色像素單元之結構的示意剖面圖。
第5圖係表示根據本發明之第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器之紅色像素單元及/或綠色像素單元之結構的示意剖面圖。
第6圖係表示根據本發明之第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器之藍色像素單元之結構的示意剖面圖。
下文中，本發明之例示性實施例將參考附圖而更詳細描述。
雖然本發明之實施例可多樣化修改且具有數個實施例，特定例示性實施例係繪示於附圖且將主要描述於說明書中。然而，本發明之範疇之不受限於特定實施例，且應包含所有改變、等效物及置換包含於本發明之精神於範疇之建構。
於此說明書中，特定結構或功能說明係提供至以描述例示性實施例，且本發明之例示性實施例可以多種形式實行。本發明之實施例不受限於例示性實施例。應理解的是，本發明包含含有於本發明之精神與範疇之所有改變、等效物及置換。將理解的是，當元件表示為”連接至(connected to)”或”接觸至”(contacted to)另一元件時不需”直接連接至(directly contacted to)”或”直接接觸至(directly contacted to)”另一元件於本說明書中，可”直接連接至”或”直接接觸至”另一元件，或者連接至或耦合至另一元件而具有令一物件插設於其間。更進一步，當元件表示為”直接連接至(directly connected to)”或”直接接觸至(directly contacted)”時，沒有其他元件插設於其間。其它描述與元件間關係之詞句，例如”於…之間(between)”、”直接於…之間(directly between)”、或”相鄰(adjacent to’)”、及”直接相鄰(directly adjacent)”亦可相似地理解。
於說明書中使用的詞彙係用以描述例示性實施例，且並非建構來限制本發明之實施例。使用單數詞語描述之態樣應建構包含複數詞語只要詞語並無明確指出不同意義。於此說明書中，如”包含(comprise)”、”包含(include)”、或”具有(have)”之詞彙係用於指明實行之特徵、圖表、步驟、作動、元件、部分或其組合之存在，且應理解的是不排除另外特徵、圖表、步驟、作動、元件、部分或其組合之存在或額外的存在機率。如果不同地定義，包含技術或科學詞彙之所有於此使用之詞彙具有根據技術領域中具通常知識者所理解之意義。應理解的是，先前定義之一般使用的詞彙具有與相關技術之語境意義相同之意義，且如果於說明書中沒有明確定義，詞彙並不定義成限制詞彙意義之範疇。
於說明書中使用的詞彙，如”第一”、”第二”、”第三”…等等在此處可能被用以形容元件，但這些元件不應受限於詞彙。這些詞彙只被用來區別此一元件與其他元件間之不同。例如，”第一”元件在不脫離本發明之範疇下可命名為”第二”或”第三”元件，相似地，”第二”或”第三”元件也可相似地交換命名。
為了簡要描述本發明與敘述無關的部份係省略，於說明書中相似參考數碼代表相似元件。更進一步，於圖式中，為了方面說明之目的，各元件之尺寸與厚度係任意表示，且本發明之實施例不受限圖式中繪示的實施例。
於圖式中，層及區域之厚度係為清晰而誇大。於圖式中，層及區域之厚度係為為了方面說明之目的而誇大。
第1圖及第2圖係表示根據本發明之第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之各像素之結構的示意剖面圖。
更詳細地講，根據本發明之第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器中，第1圖繪示紅色像素單元及/或綠色像素單元之結構以及於第2圖繪示藍色像素單元之結構(例如，於一些實施例中，當與藍色像素單元之結構相較時，紅色像素單元及綠色像素單元之結構係實質上相似)。
首先，根據本發明之第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之紅色像素單元及綠色像素單元之結構將參考第1圖而說明。
根據本發明之第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器包含基板1100、設置於基板1100上之絕緣層1200、設置於絕緣層1200上之像素電極1300、形成於絕緣層1200上與像素電極1300之末端重疊且定義發光區與非發光區之像素定義層1400、設置於像素電極1300上之有機發光層1500、以及設置於有機發光層1500上之共同電極1600。
首先，基板1100可為透明絕緣基板。例如，基板1100可為玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板或其相似物。可用作基板1100之透明樹脂基板的種類可包含聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯樹脂、聚對苯二甲酸二乙酯樹脂、磺酸樹脂、及其相似物。這些材料可單獨或是組合使用。
半導體裝置可形成於基板1100上。半導體裝置之範例係包含閘極電極、源極電極，及汲極電極之薄膜電晶體(TFT)。於此處描述的本發明之第一例示性實施例中，係描述像素電極為陽極的情況，作為陽極的像素電極1300可電性連接至薄膜電晶體(TFT)的汲極電極。半導體裝置可藉由技術領域中習知的形成薄膜電晶體之一般方法形成。因此，此處忽略形成半導體裝置獲薄膜電晶體之詳細方法的敘述。
因此，根據本發明之一實施例，包含開關元件、接頭、墊片、插頭、電極、導電圖樣、絕緣圖樣或其相似物之下結構可提供於基板上。於此例中，下結構可設置於未與像素電極上之主發光區重疊之位置。
根據本發明之第一例示性實施例，作為半導體裝置之薄膜電晶體可形成於基板上。於基板1100上，閘極電極係形成，且用以絕緣的閘極絕緣層係形成。源極電極及汲極電極係形成於閘極絕緣層上。閘極電極、汲極電極及源極電極係作為半導體裝置之薄膜電晶體之元件。
於源極電極與汲極電極形成後，絕緣層1200係形成遍及於基板之表面(例如基板之整個表面)。絕緣層1200具有足夠的厚度以覆蓋形成於基板上之下結構。
絕緣層1200可形成為單層結構或可形成為包含二或更多層之多層結構。
如第1圖所示，絕緣層1200可包含依序形成於基板1100上之第一絕緣層1210及第二絕緣層1220。於一實施例中，第一絕緣層1210及第二絕緣層1220可藉由使用實質上相同或相似材料而形成。於其他實施例中，第一絕緣層1210及第二絕緣層1220可藉由使用不同材料而形成。
絕緣層1200具有凹陷部。凹陷部具有底部與為傾斜側邊部之傾斜部。更詳細講，凹陷部係藉由第一絕緣層1210及第二絕緣層1220形成。於第1圖之實施例中，第一絕緣層1210形成底部，且第二絕緣層1220之側邊部形成傾斜部。
根據本發明之第一例示性實施例，為了改進形成於基板上之絕緣層1200之平坦化程度，平坦化製程可於基板上進行。例如，基板可藉由施加化學機械研磨(chemical mechanical polishing, CMP)製程、回蝕(etch-back)製程或相似製程於基板而具有平坦上表面。
根據本發明之第一例示性實施例，絕緣層1200可含有有機材料。例如，絕緣層1200可含有選自光阻、丙烯基聚合物、聚醯亞胺基聚合物、聚醯基聚合物、矽氧基聚合物、含光敏性丙烯基羧基團之聚合物、酚醛樹脂、鹼可溶樹脂之材料。這些材料可單獨或組合使用。
於本發明之一些實施例中，絕緣層1200可藉由使用無機材料如矽化合物、金屬、金屬氧化物或其相似物形成。例如，絕緣層1200可含有選自氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、碳氧化矽(SiOxCy)、碳氮化矽(SiCxNy)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、氧化鋁(AlOx)、氧化鈦(TiOx)、氧化鉭(TaOx)、氧化鎂(MgOx)、氧化鋅(ZnOx)、氧化鉿(HfOx)、及氧化鋯(ZrOx)之材料。這些材料可單獨或組合使用。
絕緣層1200可藉由根據組成材料而使用自旋塗佈製程、印刷製程、濺鍍製成、化學氣相沉積(CVD)製程、原子層沉積(ALD)製程、電漿強化化學氣相沈積(PECVD)製程、高密度電漿化學氣相沈積(HDP-CVD)製程、真空沉積製程、或其相似製程而形成於基板上。
根據一實施例，像素電極1300係形成於絕緣層1200上。像素電極1300可電性連接至薄膜電晶體之汲極電極。
根據本發明之第一例示性實施例，像素電極1300包含紅色像素電極、綠色像素電極、及藍色像素電極，且可接由使用透明導電材料形成。例如，像素電極1300可包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅錫、氧化鋅、氧化錫、及氧化鎵之至少其一。這些材料可單獨或組合使用。
根據本發明之第一例示性實施例，像素電極1300可藉由塗佈像素電極之材料於絕緣層1200之整個表面(或實質上整個表面)上而形成於絕緣層1200之部份上，而後圖樣化像素電極之材料。此處，像素電極可形成藉由使用像素電極材料而以例如濺鍍製程、真空沉積製程、化學氣相沉積製程、脈衝雷射沉積製程、印刷製程、及原子層沉積製程之方法而形成。
穿透絕緣層1200連接至半導體裝置，即薄膜電晶體，之穿孔可形成於絕緣層1200中。半導體裝置之部分係藉由穿孔而暴露，接觸結構或墊片結構係形成於穿孔中，且於例如薄膜電晶體(TFT)之暴露之半導體裝置上，而形成於絕緣層1200上之像素電極1300可連接至接觸結構或墊片結構。因此，像素電極1300可透過接觸結構或墊片結構電性連接至半導體裝置。
接著，像素定義層1400係形成於絕緣層1200及像素電極1300上。像素定義層1400可藉由使用有機材料、無機材料或相似物形成。例如，像素定義層1400可包含選自光阻、聚丙烯基樹脂、聚醯亞胺基樹脂、丙烯基樹脂、丙烯基樹脂之有機材料或如矽化合物之無機材料。
形成像素定義層之材料係塗佈於像素電極1300及絕緣層1200之整個上部分上，且而後部份蝕刻以形成像素定義層1400，致使像素電極1300之一部分暴露。例如，暴露像素電極1300之開口可藉由使用光刻製程或使用額外蝕刻遮罩之蝕刻製程形成。於此例中，像素定義層1400之開口之側璧可具有與傾斜部之傾斜角實質上相同或相似之傾斜角。
根據本發明之第一例示性實施例，像素定義層1400可藉由蝕刻(或穿透至)至第一絕緣層1210之頂部而形成，致使藉由第一絕緣層1210與第二絕緣層1220形成之凹陷部係暴露，如第1圖所示。
當開口係形成於像素定義層1400中時，定義有機發光顯示二極體顯示器之發光區與非發光區。此處，像素定義層1400之開口設置之區域對應發光區，且鄰近該開口之區域對應非發光區。
如上所述，於像素定義層1400形成後，有機發光層1500係形成於像素定義層1400及像素電極300。
有機發光層1500可藉由使用根據有機發光二極體顯示器之各像素之能發出不同顏色的光如紅光、綠光、及藍光之發光材料而形成。根據某些實施例，有機發光層1500可藉由分層能發出不同顏色的光如紅光、綠光、及藍光之複數個發光材料而具有發白光之多層結構。根據本發明之其他實施例，有機發光層1500可額外包含具有實質上大於發光材料之能帶隙之主體材料。
根據本發明之第一例示性實施例，有機發光層1500係位於像素電極1300上。更進一步，有機發光層1500從位於發光區之像素電極1300延伸至亦形成於像素定義層1400及絕緣層1200之上。亦即，如第1圖所示，有機發光層1500之底係位於(例如接觸)像素電極1300，且有機發光層1500之側邊接觸像素定義層1400及絕緣層1200。
根據本發明之實施例，第一輔助發光層可形成介於像素電極1300及有機發光層1500之間。於此例中，第一輔助發光層可包含電洞注入層與電洞傳輸層之至少其一。更進一步，第二輔助發光層可形成於有機發光層1500與共同電極1600之間。於此例中，第二輔助層可包含電子注入層與電子傳輸層之至少其一。
接著，共同電極1600可形成於有機發光層1500上。共同電極1600可以規則的(例如實質上均勻的)厚度形成於有機發光層1500上。共同電極1600可藉由使用反射材料形成。例如，共同電極1600可包含選自例如鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、銥(Ir)以及其合金之金屬之材料。 這些材料可用來單獨或組合使用。
根據本發明之第一例示性實施例，共同電極1600可形成遍及有機發光層1500之表面(例如整個表面)。亦即，共同電極1600可形成以延伸至像素定義層1400及絕緣層1200。
根據本發明之實施例，共同電極1600可只位於發光區。例如，共同電極1600可設置有機發光層1500之一部份上。於此例中，共同電極層係形成遍及有機發光層1500之表面(例如整個表面)，且而後圖樣化以只於發光區形成選擇性設置之共同電極1600。
根據本發明之第一例示性實施例，如第1圖所示，共同電極1600係形成以延伸至絕緣層1200之作為反射表面之傾斜部，且因此，將因為在其中全反射(例如全內反射)所耗散的光反而會反射至共同電極1600以朝向基板而釋出，從而改進整個表面之光擷取效率。
接著，根據本發明之第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之藍色像素單元之結構將參考第2圖而說明。
於藍色像素單元中，除了像素定義層1400之組成元件(例如基板1100、絕緣層1200、像素電極1300、有機發光層1500、以及共同電極1600)可與參考第1圖說明之紅色像素單元與綠色像素單元之結構相同或實質上相似。
根據本發明之第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之藍色像素單元具有一種結構，其中由於形成共同電極於快速(或陡峭)的傾腳上而使共同電極1600之厚度免於減小(例如過份減小)。當像素定義層1400形成(例如，像素定義層1400係未完全蝕刻於絕緣層1200之凹陷部)時，如第2圖所示，這可完成藉由執行蝕刻致使由第一絕緣層1210與第二絕緣層1220形成之絕緣層1200之凹陷部不暴露從而減少共同電極1600之斜面的斜率。因此，於本發明之實施例中，與技術領域中之有機發光二極體顯示器相較下，由於共同電極之電阻增加造成之電流不均勻性係減小或最小化。
第3圖及第4圖係表示根據本發明之第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器之各像素之結構的示意剖面圖。
更詳細地講，於根據本發明之第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器中，紅色像素單元及/或綠色像素單元之結構係繪示於第3圖，且藍色像素單元之結構係繪示於第4圖。
首先，根據本發明之第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器之紅色像素單元及/或綠色像素單元之結構將參考第3圖而說明。
根據本發明之第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器包含基板2100、設置於基板2100上之絕緣層2200、設置於絕緣層2200上之像素電極2300、形成於絕緣層2200上且與像素電極2300之末端重疊並定義發光區與非發光區之像素定義層2400、設置於像素電極2300上之有機發光層2500、以及設置於有機發光層2500上之共同電極2600。
首先，基板2100可為透明絕緣基板。例如，基板2100可為玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板或其相似物。可用作基板2100之透明樹脂基板的種類可包含聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯樹脂、聚對苯二甲酸二乙酯樹脂、磺酸樹脂、及其相似物。這些材料可單獨或是組合使用。
半導體裝置可形成於基板2100上。半導體裝置之範例係包含閘極電極、源極電極，及汲極電極之薄膜電晶體(TFT)。於此處描述的本發明之某些實施例中，在像素電極為陽極的情況下，作為陽極的像素電極2300可電性連接至薄膜電晶體(TFT)的汲極電極。半導體裝置可藉由技術領域中習知的形成薄膜電晶體之一般方法形成。因此，此處忽略形成半導體裝置獲薄膜電晶體之詳細方法的敘述。
因此，根據本發明之一實施例，包含開關元件、接頭、墊片、插頭、電極、導電圖樣、絕緣圖樣或其相似物之下結構可提供於基板上。於此例中，下結構可設置於未被像素電極上之主發光區覆蓋之位置。
根據本發明之第二例示性實施例，作為半導體裝置之薄膜電晶體可形成於基板上。於基板2100上，閘極電極係形成，且用以絕緣的閘極絕緣層係形成。源極電極及汲極電極係形成於閘極絕緣層上。閘極電極、汲極電極及源極電極係作為半導體裝置之薄膜電晶體之元件。
於源極電極與汲極電極形成後，絕緣層2200係形成遍及於基板之表面(例如基板之整個表面)上。絕緣層2200具有足夠的厚度以覆蓋形成於基板上之下結構。
絕緣層2200可形成為單層結構或可形成為包含二或更多層之多層結構。
如第3圖所示，絕緣層2200可包含依序形成於基板2100上之第一絕緣層2210及第二絕緣層2220。於一實施例中，第一絕緣層2210及第二絕緣層2220可藉由使用相同或相似材料而形成。於其他實施例中，第一絕緣層2210及第二絕緣層2220可藉由使用不同材料而形成。
絕緣層2200具有凹陷部。凹陷部具有底部與為傾斜側邊部之傾斜部。更詳細講，凹陷部係藉由第一絕緣2210及第二絕緣層2220形成。於第3圖之實施例中，第一絕緣層2210形成底部，且第二絕緣層2220之側邊部形成傾斜部。
根據本發明之第二例示性實施例，為了改進形成於基板上之絕緣層2200之平坦化程度，平坦化製程可於基板上進行。例如，基板可具有藉由施加化學機械研磨(CMP)製程、回蝕製程或相似製程於基板之平坦上表面。
根據本發明之第二例示性實施例，絕緣層2200可含有有機材料。例如，絕緣層2200可含有選自光阻、丙烯基聚合物、聚醯亞胺基聚合物、聚醯基聚合物、矽氧基聚合物、含光敏性丙烯基羧基團之聚合物、酚醛樹脂、鹼可溶樹脂之材料。這些材料可單獨或組合使用。
根據本發明之實施例，絕緣層2200可藉由使用無機材料如矽化合物、金屬、金屬氧化物或其相似物形成。例如，絕緣層1200可含有選自氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、碳氧化矽(SiOxCy)、碳氮化矽(SiCxNy)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、氧化鋁(AlOx)、氧化鈦(TiOx)、氧化鉭(TaOx)、氧化鎂(MgOx)、氧化鋅(ZnOx)、氧化鉿(HfOx)、及氧化鋯(ZrOx)之材料。這些材料可單獨或組合使用。
絕緣層2200可藉由根據組成材料使用自旋塗佈製程、印刷製程、濺鍍製成、化學氣相沉積(CVD)製程、原子層沉積(ALD)製程、電漿強化化學氣相沈積(PECVD)製程、高密度電漿化學氣相沈積(HDP-CVD)製程、真空沉積製程、或其相似而形成於基板上。
根據一實施例，像素電極2300係形成於絕緣層2200上。像素電極2300可電性連接至薄膜電晶體之汲極電極。
根據本發明之第二例示性實施例，像素電極2300包含紅色像素、綠色像素、及藍色像素，且可接由使用透明導電材料形成。例如，像素電極2300可包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅錫、氧化鋅、氧化錫、及氧化鎵。這些材料可單獨或組合使用。
根據本發明之第二例示性實施例，像素電極2300可藉由塗佈像素電極之材料於絕緣層之整個表面(或實質上整個表面)上而形成於絕緣層2200之部份上，而後圖樣化像素電極之材料。此處，像素電極可形成藉由使用像素電極材料之如濺鍍製程、真空沉積製程、化學氣相沉積製程、脈衝雷射沉積製程、印刷製程、及原子層沉積製程之方法而形成。
穿透絕緣層2200連接至半導體裝置，即薄膜電晶體，之穿孔可形成於絕緣層2200中。半導體裝置之部分係藉由穿孔而暴露，接觸結構或墊片結構係形成於穿孔中，且於例如薄膜電晶體(TFT)之暴露之半導體裝置上，形成於絕緣層2200之像素電極2300可連接至接觸結構或墊片結構。因此，像素電極2300可透過接觸結構或墊片結構電性連接至半導體裝置。
接著，像素定義層2400係形成於絕緣層2200及像素電極2300上。像素定義層2400可藉由使用有機材料、無機材料或相似物形成。例如，像素定義層2400可包含選自光阻、聚丙烯基樹脂、聚醯亞胺基樹脂、丙烯基樹脂、丙烯基樹脂之有機材料或如矽化合物之無機材料。
形成像素定義層之材料係塗佈於像素電極2300及絕緣層2200之整個上表面上，且而後部份蝕刻以形成像素定義層2400，致使像素電極2300之部分暴露。例如，暴露像素電極2300之開口可藉由使用光刻製程或使用額外蝕刻遮罩之蝕刻製程形成。於此例中，像素定義層2400之開口之側璧可具有與傾斜部之傾斜角實質上相同或相似之傾斜角。
根據本發明之第二例示性實施例，像素定義層2400可藉由蝕刻(或穿透至)至第一絕緣層2210之頂部，致使藉由第一絕緣層2210與第二絕緣層2220形成之凹陷部係暴露，如第3圖所示。
當開口係形成於像素定義層2400中時，定義有機發光顯示二極體顯示器之發光區與非發光區。此處，像素定義層2400之開口設置之區域對應發光區，且鄰近該開口之區域對應非發光區。
如上所述，於像素定義層2400形成後，有機發光層2500係形成於像素定義層2400及像素電極2300。
有機發光層2500可藉由使用根據有機發光二極體顯示器之各像素之能發出不同顏色的光如紅光、綠光、及藍光之發光材料而形成。根據第二例示性實施例，有機發光層2500可藉由分層能發出不同顏色的光如紅光、綠光、及藍光之複數個發光材料而具有發白光之多層結構。根據本發明之第二例示性實施例，有機發光層2500可額外包含具有實質上大於發光材料之能帶隙之主體材料。
根據本發明之第二例示性實施例，有機發光層2500係位於像素電極1300。更進一步，有機發光層1500從發光區之像素電極2300延伸至亦形成於像素定義層2400及絕緣層2200之上。亦即，如第3圖所示，有機發光層2500之底係位於(例如接觸)像素電極2300，且有機發光層2500之側邊接觸像素定義層2400及絕緣層2200。
根據本發明之第二例示性實施例，第一輔助發光層可形成介於像素電極2300及有機發光層2500之間。於此例中，第一輔助發光層可包含電洞注入層與電洞傳輸層之至少其一。更進一步，第二輔助發光層可形成於有機發光層2500與共同電極2600之間。於此例中，第二輔助層可包含電子注入層與電子傳輸層之至少其一。
接著，共同電極2600係形成於有機發光層2500上。共同電極2600係以規則(例如實質上均勻的)厚度形成於有機發光層2500上。共同電極2600可藉由使用反射材料形成。例如，共同電極2600可包含選自例如鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、銥(Ir)以及其合金之金屬之材料。 這些材料可用來單獨或組合使用。
根據本發明之第二例示性實施例，共同電極2600可形成遍及有機發光層2500之表面(例如整個表面)。亦即，共同電極2600可形成以延伸至像素定義層2400及絕緣層2200。
根據本發明之第二例示性實施例，共同電極2600可只位於發光區。例如，共同電極2600可設置有機發光層2500之部份上。於此例中，共同電極層係形成遍及有機發光層2500之表面(例如整個表面)，且而後圖樣化以只於發光區形成選擇性設置之共同電極2600。
根據本發明之第二例示性實施例，如第3圖所示，共同電極2600係形成以延伸至絕緣層2200之作為反射表面之傾斜部，且因此，將因為在其中全反射(例如全內反射)所耗散的光反而會反射至共同電極2600以朝向基板而釋出，從而改進整個表面之光擷取效率。
接著，第4圖係表示根據本發明之第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器之藍色像素單元之結構的示意剖面圖。
藍色像素單元可與參考第3圖說明之紅色像素單元與綠色像素單元之結構相同或實質上相似，除了獨立反射表面2700及分隔物2410係設置於像素定義層2400上。
如第4圖所示，於根據本發明之第二例示性實施例之藍色像素單元之例子中，獨立反射表面2700係形成於像素定義層2400之對應至絕緣層2200之傾斜部之側邊(例如，絕緣層2200之相鄰像素電極2300之傾斜部)。
因為具有低導電率及高反射率之材料可用為形成反射表面2700之材料，故廣泛的材料可用於作為反射表面2700。例如，反射表面2700可包含選自鋁、鈦、鎂、及銀組成之群組之至少一材料。
分隔物2410係形成於反射表面2700上。分隔物2410可延伸至像素定義層2400以覆蓋反射表面2700。
更詳細地講，反射表面2700係埋於像素定義層2400與分隔物2410之間。於第4圖中，繪示反射表面2700覆蓋像素定義層2400之實施例，但於其它實施例中，反射表面2700可以可反射側邊之光線之任何形式形成。
接著，有機發光層2500係形成於暴露之像素電極2300及分隔物2410上。
根據本發明之第二例示性實施例，有機發光層2500係位於像素定義層2300上。更進一步，有機發光層2500從發光區之像素電極2300延伸至亦形成於像素定義層2400及分隔物2410上。亦即，如第4圖所示，有機發光層2500之底係位於(例如接觸)像素電極2300，且有機發光層2500之側邊接觸像素定義層2400及分隔物2410。
因為反射表面2700係額外形成於對應至絕緣層2200之傾斜部之像素定義層2400以減緩或預防於其中產生之光之全反射(例如全內反射)，故可降低或最小化共同電極2600之厚度之縮減(例如減緩其變薄)，縮減係藉由形成共同電極2600於相關技術領域中之有機發光二極體顯示器中用以反射光之傾斜部上所造成。所以，於本發明之有機發光二極體顯示器之一實施例中，與技術領域中之有機發光二極體顯示器相較下，減少或最小化由於共同電極之電阻增加造成之電流不均勻性。
第5圖及第6圖係表示根據本發明之第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器之各像素單元之結構的示意剖面圖。
更詳細地講，根據本發明之第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器，第5圖繪示紅色像素單元及/或綠色像素單元之結構以及第6圖繪示藍色像素單元之結構。
首先，根據本發明之第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器之紅色像素單元及綠色像素單元之結構將參考第5圖而說明。
根據本發明之第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器包含基板3100、設置於基板3100上之絕緣層3200、設置於絕緣層3200上之像素電極3300、形成於絕緣層3200上與像素電極3300之末端重疊且定義發光區與非發光區之像素定義層3400、設置於像素電極3300上之有機發光層3500、以及設置於有機發光層3500上之共同電極3600。
首先，基板3100可為透明絕緣基板。例如，基板3100可為玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板或其相似物。可用作基板3100之透明樹脂基板的種類可包含聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯樹脂、聚對苯二甲酸二乙酯樹脂、磺酸樹脂、及其相似物。這些材料可單獨或是組合使用。
半導體裝置可形成於基板3100上。半導體裝置之範例係包含閘極電極、源極電極，及汲極電極之薄膜電晶體(TFT)。於此處描述的本發明之第三例示性實施例中，在像素電極係陽極的情況下，作為陽極的像素電極3300可電性連接至薄膜電晶體(TFT)的汲極電極。半導體裝置可藉由技術領域中所習知的形成薄膜電晶體之一般方法而形成。因此，此處忽略形成半導體裝置獲薄膜電晶體之詳細方法的敘述。
因此，根據本發明之一實施例，包含開關元件、接頭、墊片、插頭、電極、導電圖樣、絕緣圖樣或其相似物之下結構可提供於基板上。於此例中，下結構可設置於未被像素電極上之主發光區覆蓋之位置。
根據本發明之第三實施例，作為半導體裝置之薄膜電晶體可形成於基板上。於基板3100上，閘極電極係形成，且用以絕緣的閘極絕緣層係形成。源極電極及汲極電極係形成於閘極絕緣層。閘極電極、汲極電極及源極電極係作為半導體裝置之薄膜電晶體之元件。
於源極電極與汲極電極形成後，絕緣層3200係形成遍及於基板之表面(例如基板之整個表面)。絕緣層3200具有足夠的厚度以覆蓋形成於基板上之下結構。
絕緣層3200可形成為單層結構或可形成為包含二或更多層之多層結構。
如第5圖所示，絕緣層3200可包含依序形成於基板3100上之第一絕緣層3210及第二絕緣層3220。於一實施例中，第一絕緣層3210及第二絕緣層3220可藉由使用相同或相似材料而形成。於其他實施例中，第一絕緣層3210及第二絕緣層3220可藉由使用不同材料而形成。
絕緣層3200具有凹陷部。凹陷部具有底部與為傾斜側邊部之傾斜部。更詳細講，凹陷部係藉由第一絕緣層3210及第二絕緣層3220形成。於此例中，第一絕緣層3210形成底部，且第二絕緣層3220之側邊部形成傾斜部。
根據本發明之第三例示性實施例，為了改進形成於基板上之絕緣層3200之平坦化程度，平坦化製程可於基板上進行。例如，基板可藉由施加化學機械研磨(CMP)製程、回蝕製程或相似製程於基板而具有平坦上表面。
根據本發明之第三例示性實施例，絕緣層3200可含有有機材料。例如，絕緣層3200可含有選自光阻、丙烯基聚合物、聚醯亞胺基聚合物、聚醯基聚合物、矽氧基聚合物、含光敏性丙烯基羧基團之聚合物、酚醛樹脂、鹼可溶樹脂之材料。這些材料可單獨或組合使用。
於本發明之實施例，絕緣層3200可藉由使用無機材料如矽化合物、金屬、金屬氧化物或其相似物形成。例如，絕緣層1200可含有選自氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、碳氧化矽(SiOxCy)、碳氮化矽(SiCxNy)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、氧化鋁(AlOx)、氧化鈦(TiOx)、氧化鉭(TaOx)、氧化鎂(MgOx)、氧化鋅(ZnOx)、氧化鉿(HfOx)、及氧化鋯(ZrOx)之材料。這些材料可單獨或組合使用。
絕緣層3200可藉由根據組成材料使用自旋塗佈製程、印刷製程、濺鍍製成、化學氣相沉積(CVD)製程、原子層沉積(ALD)製程、電漿強化化學氣相沈積(PECVD)製程、高密度電漿化學氣相沈積(HDP-CVD)製程、真空沉積製程、或其相似而形成於基板上。
根據一實施例，像素電極3300係形成於絕緣層3200上。像素電極3300可電性連接至薄膜電晶體之汲極電極。
根據本發明之第三例示性實施例，像素電極3300包含紅色像素、綠色像素、及藍色像素，且可接由使用透明導電材料形成。例如，像素電極3300可包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅錫、氧化鋅、氧化錫、及氧化鎵。這些材料可單獨或組合使用。
根據本發明之第三例示性實施例，像素電極3300可藉由塗佈像素電極之材料於絕緣層之整個表面上而形成於絕緣層3200之一部份上，而後圖樣化像素電極之材料。此處，像素電極可藉由使用像素電極材料之如濺鍍製程、真空沉積製程、化學氣相沉積製程、脈衝雷射沉積製程、印刷製程、及原子層沉積製程之方法而形成。
穿透絕緣層3200連接至半導體裝置，即薄膜電晶體，之穿孔可形成於絕緣層3200。半導體裝置之部分係藉由穿孔而暴露，接觸結構或墊片結構係形成於穿孔中，且於例如薄膜電晶體(TFT)之暴露之半導體裝置上，形成於絕緣層3200之像素電極3300可連接至接觸結構或墊片結構。因此，像素電極3300可透過接觸結構或墊片結構電性連接至半導體裝置。
接著，像素定義層3400係形成於絕緣層3200及像素電極3300上。像素定義層3400可藉由使用有機材料、無機材料或相似物形成。例如，像素定義層1400可包含選自光阻、聚丙烯基樹脂、聚醯亞胺基樹脂、丙烯基樹脂、丙烯基樹脂之有機材料或如矽化合物之無機材料。
形成像素定義層之材料係塗佈於像素電極3300及絕緣層3200之整個上部分上，且而後部份蝕刻以形成像素定義層3400，致使像素電極3300之部分暴露。例如，暴露像素電極3300之開口可藉由使用光刻製程或使用額外蝕刻遮罩之蝕刻製程形成。於此例中，像素定義層3400之開口之側璧可具有與傾斜部之傾斜角實質上相同或相似之傾斜角。
根據本發明之第三例示性實施例，像素定義層3400可藉由蝕刻(或穿透至)至第一絕緣層3210之頂部而形成，致使藉由第一絕緣層3210與第二絕緣層3220形成之凹陷部係暴露，如第5圖所示。
當開口係形成於像素定義層3400中時，定義有機發光顯示二極體顯示器之發光區與非發光區。此處，像素定義層3400之開口設置之區域對應發光區，且鄰近該開口之區域對應非發光區。
如上所述，於像素定義層3400形成後，獨立反射表面3700係形成於像素定義層3400之側邊，如第5圖所示。因為具有低導電率及高反射率之材料可用為形成反射表面3700之材料，故廣泛的材料可用於作為反射表面3700。例如，反射表面3700可包含選自鋁、鈦、鎂、及銀組成之群組之至少一材料。
分隔物3410係形成於反射表面3700。分隔物3410可延伸至像素定義層3400以覆蓋反射表面3700。
更詳細地講，反射表面3700係埋於像素定義層3400與分隔物3410之間。於第5圖中，繪示反射表面3700覆蓋像素定義層3400之實施例，但於其它實施例中，反射表面3700可以可反射側邊之光線之任何形式形成。
接著，有機發光層3500係形成於暴露之像素電極3300及分隔物3410上。
有機發光層3500可藉由使用根據有機發光二極體顯示器之各像素能發不同色光如紅光、綠光、之發光材料而形成。根據本發明之一些實施例，有機發光層3500可藉由分層能發出不同顏色的光如紅光、綠光、及藍光之複數個發光材料具有發白光之多層結構。根據本發明之實施例，有機發光層3500可額外包含具有實質上大於發光材料之能帶隙之主體材料。
根據本發明之第三例示性實施例，有機發光層3500係位於像素電極3300上。更進一步，有機發光層3500從發光區之像素電極3300延伸至亦形成於像素定義層3400及分隔物3410上。亦即，如第5圖所示，有機發光層3500之底係位於(例如接觸)像素電極，且有機發光層3500之側邊接觸像素定義層3400及分隔物3410。
根據本發明之第三例示性實施例，第一輔助發光層可形成介於像素電極3300及有機發光層3500之間。於此例中，第一輔助發光層可包含電洞注入層與電洞傳輸層之至少其一。更進一步，第二輔助發光層可形成於有機發光層3500與共同電極3600之間。於此例中，第二輔助層可包含電子注入層與電子傳輸層之至少其一。
接著，共同電極3600係形成於有機發光層3500上。共同電極3600係以規則(例如實質上均勻的)厚度形成於有機發光層3500上。共同電極3600可藉由使用反射材料形成。例如，共同電極3600可包含選自例如鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、銥(Ir)以及其合金之金屬之材料。 這些材料可用來單獨或組合使用。
根據本發明之第三例示性實施例，共同電極3600可形成遍及有機發光層3500之表面(例如整個表面)。亦即，共同電極3600可形成以延伸至像素定義層3400及絕緣層3200。
根據本發明之實施例，共同電極3600可只位於發光區。例如，共同電極3600可設置有機發光層3500之一部份上。於此例中，共同電極層係形成遍及有機發光層3500之表面(例如整個表面)，且而後圖樣化以只於發光區形成選擇性設置之共同電極3600。
根據本發明之第三例示性實施例，如第5圖所示，共同電極3600係形成以延伸至絕緣層1200之作為反射表面之傾斜部，且因此，將因為在其中全反射(例如全內反射)所耗散的光反而會反射至共同電極3600以朝向基板而釋出，從而改進整個表面之光擷取效率。
接著，根據本發明之第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器之藍色像素單元之結構將參考第6圖而說明。
根據本發明之第三例示性實施例之藍色像素單元之結構可與參考第2圖說明之根據本發明之第一例示性實施例之藍色像素單元之結構相同或實質上相似。
如第6圖所示，根據本發明之第三例示性實施例之藍色像素單元具有一結構，其能夠減少或最小化共同電極3600因執行蝕刻之快速傾斜而導致之厚度的減縮，致使藉由第一絕緣層3210與第二絕緣層3220所形成之絕緣層3200之凹陷部不會於像素定義層3400形成時被暴露，如第2圖所示。據此，在本發明之一實施例中，相較於所屬技術領域之有機發光二極體顯示器，能減少或最小化由於共同電極之電阻增加造成之電流不均勻性。
如第1圖、第3圖及第5圖所示，根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體可為顯示表面可為形成於基板側邊之背面發光型顯示器，且於此例中，反射表面係形成於傾斜部上，致使從有機發光層產生的光的部份係被反射表面反射以被朝向基板側邊釋出。
更詳細地講，從有機發光層產生的光的部份係直接朝基板側邊釋出，但大部分的光係直接於有機發光二極體顯示器中。特別是，於形成於多層結構之有機發光二極體顯示器中，通常會形成光學波導(optical waveguide)，且大部分的光藉由全反射(例如全內反射)而沿光學波導移動，且而後於有機發光二極體顯示器中耗散。於本發明之實施例中，反射表面係設置於光學波導之路徑上，而後藉由全反射(例如全內反射)而沿光學波導移動的光係被反射表面反射而朝基板側釋出。
因此，為了反射表面係設置於光學波導上，於本發明之例示性實施例中，傾斜部係形成於絕緣層上，且反射表面(反射共同電極或獨立反射表面)係設置於傾斜部上，因此，由於全反射(例如全內反射)造成於其它方向會耗散的光係被反射表面反射而釋出至基板側，從而改進光擷取效率。
更進一步，如第2圖、第4圖及第6圖所示，根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體顯示器可減少或最小化共同電極之厚度減縮(或變薄)，減縮係藉由形成共同電極之部分於有機發光二極體顯示器之用以反射光之傾斜部上所造成。所以，於本發明之有機發光二極體顯示器之一實施例中，與技術領域中之有機發光二極體顯示器相較下，減少或最小化由於共同電極之電阻增加造成之電流不均勻性。
如上所示，根據本發明，紅色像素單元及綠色像素單元具有改進亮度之結構且藍色像素單元具有改進側邊亮度之結構，以差異化形成各紅色像素、綠色像素、及藍色像素之結構，且因此，可改進由於色差造成之可見度及光擷取效率。
從前述知，可理解本發明之各種實施例已於此為說明之目的而描述，在不脫離本發明之範疇與精神下可進行多種修改。因此，與此揭露之各種實施例並不意指為限制，而為下列申請專利範圍及其等效物所表示之其真實範疇與精神。
1100．．．基板
1200．．．絕緣層
1210．．．第一絕緣層
1220．．．第二絕緣層
1300．．．像素電極
1400．．．像素定義層
1500．．．有機發光層
1600．．．共同電極
Claims (20)
- 一種有機發光二極體顯示器，其包含：
一基板；
一絕緣層，係於該基板上；
複數個像素電極，係於該絕緣層上；
一像素定義層，係於該絕緣層上，與該複數個像素電極之至少其一之一末端重疊，且定義一發光區與一非發光區；
一有機發光層，係於該複數個像素電極上；以及
一共同電極，係於該有機發光層上，
其中該絕緣層具有複數個凹陷部於鄰近對應之像素電極之該非發光區中，
其中該複數個凹陷部之每一個具有一底部及一傾斜部，以及其中一反射表面係於該些傾斜部之至少其一上。 - 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該複數個像素電極包含一紅色像素電極、一綠色像素電極、以及一藍色像素電極。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示器，其中該複數個像素電極更包含一白色像素電極。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該共同電極係於該像素定義層與該絕緣層上。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示器，其中一第一反射表面係於鄰近該紅色像素電極之一第一凹陷部之一第一傾斜部上，且一第二反射表面係於鄰近該綠色像素電極之一第二凹陷部之一第二傾斜部上。
- 如申請專利範圍第5項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一反射表面與該第二反射表面係與該共同電極分隔。
- 如申請專利範圍第5項所述之有機發光二極體顯示器，其中該共同電極係於該第一傾斜部與該第二傾斜部上，且形成該第一反射表面與該第二反射表面。
- 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，一第三反射表面係於鄰近該藍色像素電極之一第三凹陷部之一第三傾斜部且與該共同電極分隔。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該反射表面包含選自由鋁、鈦、鎂以及銀組成之群組之其中一材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該絕緣層包含一第一絕緣層及於該第一絕緣層上之一第二絕緣層，且其中該底部係該第一絕緣層之一表面且該傾斜部係該第二絕緣層之一表面。
- 一種有機發光二極體顯示器之製造方法，包含：
形成一絕緣層於一基板上；
形成複數個像素電極於該絕緣層上；
形成一像素定義層於該複數個像素電極之間以與該複數個像素電極之末端重疊；
形成一有機發光層於該複數個像素電極上；以及
形成一共同電極於該有機發光層上，
其中該絕緣層具有複數個凹陷部於鄰近對應之像素電極之非發光區中，
其中該複數個凹陷部之每一個具有一底部及一傾斜部，以及其中一反射表面係於該些凹陷部之至少其一上。 - 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，其中形成該複數個像素電極包含形成一紅色像素電極、一綠色像素電極以及一藍色像素電極。
- 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，其中形成該複數個像素電極包含形成一白色像素電極。
- 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，其中該共同電極係於該像素定義層與該絕緣層上。
- 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，其中一第一反射表面係於鄰近該紅色像素電極之一第一凹陷部之一第一傾斜部上，且一第二反射表面係於鄰近該綠色像素電極之一第二凹陷部之一第二傾斜部上。
- 如申請專利範圍第15項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，其中該反射表面係與該共同電極分隔。
- 如申請專利範圍第15項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，其中該共同電極係於該第一傾斜部與該第二傾斜部上，且形成該第一反射表面與該第二反射表面。
- 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，其中一第三反射表面係於鄰近該藍色像素電極之一第三凹陷部之一第三傾斜部且與該共同電極分隔。
- 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，其中該反射表面包含選自由鋁、鈦、鎂以及銀組成之群組之其中一材料。
- 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，其中形成該絕緣層包含：
形成一第一絕緣層，該底部係該第一絕緣層之一表面；以及形成一第二絕緣層，該傾斜部係該第二絕緣層之一表面。
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