CN107104061B - 发光二极管移送器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管移送器，包括：头主体部，能够旋转，并具有用于拾取衬底基板上的发光二极管的至少一个拾取部；检测部，与所述头主体部相隔，并具有对应于所述拾取部的位置处的接触部和相邻于所述接触部的光检测元件；线性驱动部，用于使所述头主体部和所述检测部中的至少一个进行线性移动，以使贴附于所述拾取部的所述发光二极管接触于所述接触部；控制器，基于与所述发光二极管发射的光强度对应的所述光检测元件的输出而测量所述发光二极管的光特性，并根据测量出的所述光特性而计算即将布置所述发光二极管的显示基板上的坐标。

Description

发光二极管移送器
技术领域
本发明的实施例涉及一种用于移送发光二极管的装置及方法。
背景技术
发光二极管(LED；Light Emitting Diode)是一种如下的半导体元件：当把电压正向施加于PN结二极管时，空穴和电子将得到注入，而且使随着该空穴与电子的重新结合而生成的能量转变为光能。
发光二极管由无机发光二极管或有机发光二极管构成，且包括液晶显示TV的背光单元、照明设备、电光板在内，从手机之类的小型电子设备到大型TV，均使用发光二极管。
发明内容
由于衬底基板上的发光二极管的发光效率存在偏差，因此在将发光二极管移送到显示基板之后制造出的显示装置中存在出现斑点的问题。本发明的实施例的目的在于提供一种可使衬底基板上的发光二极管的发光效率偏差所引起的影响最小化的移送装置及方法。
根据本发明之一实施例的一种发光二极管移送器，包括：头主体部，能够旋转，并具有用于拾取衬底基板上的发光二极管的至少一个拾取部；检测部，与所述头主体部相隔，并具有对应于所述拾取部的位置处的接触部和相邻于所述接触部的光检测元件；线性驱动部，用于使所述头主体部和所述检测部中的至少一个进行线性移动，以使贴附于所述拾取部的所述发光二极管接触于所述接触部；控制器，基于与所述发光二极管发射的光强度对应的所述光检测元件的输出而测量所述发光二极管的光特性，并根据测量出的所述光特性而计算即将布置所述发光二极管的显示基板上的坐标。
在本实施例中，所述拾取部可配备多个，所述多个拾取部可沿所述头主体部的长度方向相隔布置。
在本实施例中，所述发光二极管移送器还可以包括：旋转驱动部，连接于所述头主体部而使所述头主体部旋转。
在本实施例中，当所述发光二极管的测量光特性与所述衬底基板中匹配于所述发光二极管的坐标的标准光特性一致时，所述控制器提取出所述发光二极管中已设定的所述显示基板中的坐标；当所述发光二极管的测量光特性与所述衬底基板中匹配于所述发光二极管的坐标的标准光特性不一致时，所述控制器计算出所述发光二极管的所述显示基板中的新坐标。
在本实施例中，所述拾取部可包括第一布线，所述接触部可包括第二布线。
在本实施例中，所述第二布线可包括一对电极。
在本实施例中，所述发光二极管可具有：第一电极垫；第二电极垫，与所述第一电极垫对向，其中，所述发光二极管的第一电极垫可接触于所述第二布线，所述第二电极垫可接触于所述第一布线。
在本实施例中，所述发光二极管可具有朝相同方向布置的第一电极垫和第二电极垫，所述发光二极管的第一电极垫和第二电极垫可分别与所述第二布线接触。
在本实施例中，所述头主体部还可以包括：光源，相邻布置于所述拾取部。
在本实施例中，所述控制器通过比较所述发光二极管的测量光特性与标准光特性而判断所述发光二极管的不良与否，如果所述发光二极管正常，则所述控制器在所述发光二极管被置于所述显示基板上时开启所述光源，如果所述发光二极管不良，则所述控制器在所述发光二极管被置于所述显示基板上时关闭所述光源。
根据本发明的另一实施例的一种通过利用移送器而将发光二极管从衬底基板移送到显示基板的方法，其中，所述移送器包括：头主体部，能够旋转，并具有至少一个拾取部；检测部，与所述头主体部相隔，并具有对应于所述拾取部的位置处的接触部和相邻于所述接触部的光检测元件，所述移送方法包括如下步骤：借助于所述头主体部的拾取部而从所述衬底基板中拾取所述发光二极管；使所述头主体部旋转，并使所述头主体部和所述检测部中的至少一个进行线性移动，从而使贴附于所述拾取部的所述发光二极管接触于所述接触部；使所述发光二极管发光；基于与所述发光二极管发射的光强度对应的所述光检测元件的输出而测量所述发光二极管的光特性；根据测量出的所述光特性而计算即将布置所述发光二极管的所述显示基板上的坐标。
在本实施例中，所述发光二极管可具有：第一电极垫；第二电极垫，与所述第一电极垫对向，其中，所述发光二极管发光步骤可包括如下步骤：对所述发光二极管的所述第一电极垫所接触的所述接触部和所述第二电极垫所接触的所述拾取部分别施加电压或电流。
在本实施例中，所述发光二极管可具有朝相同方向布置的第一电极垫和第二电极垫，其中，所述发光二极管发光步骤可包括如下步骤：对所述发光二极管的第一电极垫和第二电极垫所接触的所述接触部的一对电极分别施加电压或电流。
在本实施例中，所述坐标计算步骤可包括如下步骤：当所述发光二极管的测量光特性与所述衬底基板中匹配于所述发光二极管的坐标的标准光特性一致时，提取出所述发光二极管中已设定的所述显示基板中的坐标；当所述发光二极管的测量光特性与所述衬底基板中匹配于所述发光二极管的坐标的标准光特性不一致时，计算出所述发光二极管的所述显示基板中的新坐标。
在本实施例中，所述移送方法还可以包括如下步骤：使所述头主体部和所述检测部中的至少一个进行线性移动，从而使所述发光二极管从所述接触部隔置；将所述发光二极管置于所述显示基板的计算出的坐标的导电层上。
在本实施例中，所述移送方法还可以包括如下步骤：通过比较所述发光二极管的测量光特性与标准光特性而判断所述发光二极管的不良与否；将所述发光二极管置于所述显示基板上的计算出的坐标的导电层上；当所述发光二极管正常时，对包围所述正常发光二极管的粘接层照射所述光，并将所述发光二极管从所述拾取部释放；当所述发光二极管不良时，对包围所述不良发光二极管的粘接层不予照射所述光，并将所述发光二极管从所述显示基板中拾取。
本发明的实施例可通过减少显示装置中的斑点不良而提高显示品质。
附图说明
图1为表示根据本发明的一个实施例的发光二极管移送器的正视图。
图2为表示图1所示发光二极管移送器的侧视图。
图3为表示根据本发明的一个实施例的图1所示发光二极管移送器的头部的立体图。
图4为表示图3所示头部的检测部的一个表面的图。
图5为表示利用图1所示发光二极管移送器而制造显示装置的工艺的示例图。
图6是用于说明根据本发明的一个实施例的发光二极管的移送方法的流程图。
图7a至图7d是用于说明根据本发明的一个实施例的垂直型发光二极管的光特性测量方法的头部的示例性剖视图。
图8a至图8d是用于说明根据本发明的一个实施例的水平型发光二极管的光特性测量方法的头部的示例性剖视图。
图9为表示根据本发明的另一实施例的图1所示发光二极管移送器的头部的立体图。
图10是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管移送方法的流程图。
图11a至图11c是用于说明图10所示发光二极管移送方法的头部的示例性剖视图。
图12为概略地表示根据本发明的一个实施例而制造的显示装置的平面图。
图13和图14为概略地表示图12所示显示装置的A-A′剖面之一例的剖视图。
具体实施方式
本发明可施加多样的变换，并可具有多种实施例，即将在附图中举例示出特定实施例并在说明书中详细说明。本发明的技术效果、特征及用于达到目的之方法可通过参考结合附图详细阐述的实施例而清楚地了解。然而本发明并不局限于以下公开的实施例，其可以由多样的形态实现。
以下，参考附图而详细说明本发明的实施例，在参考附图进行说明时，对相同或对应的构成要素赋予相同的附图标记并省略与之相关的重复说明。
在以下的实施例中，第一、第二等术语并非具有限定性含义，而且用于将一个构成要素与其他构成要素加以区分。
在以下的实施例中，除非在文脉上明确表示其他含义，单数型表述包含复数型含义。
在以下的实施例中，“包括”或“具有”等术语用于表示说明书中记载的特征或构成要素的存在，其并不预先排除一个以上的其他特征或构成要素的可附加性。
在以下的实施例中，当提到膜、区域、构成要素等部分位于其他部分上方或上面时，不仅包括与其他部分紧邻而位于上方的情形，而且还包括中间夹设有其他膜、区域、构成要素等的情形。
附图中为了便于说明而可能将构成要素的大小放大或缩小而示出。例如，图中所示的各个构成要素的大小和厚度被任意表示以便于说明。本发明并不局限于图示情形。
在以下的实施例中，x轴、y轴、z轴并不局限于正交坐标系上的三个轴，而是可以解释为包含这种情形的广义的含义。例如，x轴、y轴、z轴固然可以相互正交，然而也可以指代互不正交的不同方向。
当某些实施例能够以不同方式实现时，特定的工艺顺序可以与说明情形不同地执行。例如，连续说明的两个工序既可以实质上同时执行，也可以按照与说明顺序相反的顺序执行。
图1为表示根据本发明的一个实施例的发光二极管移送器(transfer)的正视图。图2为表示图1所示发光二极管移送器的侧视图。
参考图1和图2，发光二极管移送器(以下，称为“移送器”)100可包括基台110、移动部120、头部130、视景部140以及控制器150。发光二极管移送器100可设置于腔室(未图示)的内部空间。腔室内部的压力可多样地营造。例如，腔室内部的压力可营造为即将下述的工艺进行的时段内相同或相似于大气压或真空。
基台110可处于固定在腔室内部的状态。基台110可形成为板形态。此时，基台110的一个表面可安置显示基板200和衬底基板1。衬底基板1可以是直接形成有发光二极管20的晶圆，或者是发光二极管20从晶圆处一次移送而重新排列的临时基板。
移动部120可滑动地结合于基台110。此时，移动部120可设置于基台110的侧部而沿着一个方向(X轴方向)线性运动。
头部130可线性运动地设置于移动部120。此时，头部130可相对于移动部120而沿着荷重方向(Z轴方向)进行线性运动。而且，头部130可相对于移动部120而沿着Y轴方向进行线性运动。或者，显示基板200和衬底基板1可相对于头部130而沿着Y轴方向进行线性运动。或者，显示基板200及衬底基板1和头部130可彼此沿着Y轴的相反方向进行线性运动。
视景部140可包含摄像机，从而拍摄头部130、衬底基板1以及显示基板200中的至少一个的位置。可根据由视景部140拍摄的图像而调节头部130的位置。视景部140可设置于移动部120，然而并不局限于此，可设置于多样的位置。
控制器150可控制移送器100的全局性驱动。
控制器150可在发光二极管20从衬底基板1处得到拾取而被移送到显示基板200之前测量发光二极管20的光特性，并根据测量光特性而计算出即将用于布置发光二极管20的显示基板200上的坐标。并且，控制器150可根据测量光特性而判断发光二极管20的不良与否，并以如下方式控制光源的启闭：使正常发光二极管布置于显示基板200上的相关坐标，并防止不良发光二极管布置于显示基板200上。
图3为表示根据本发明的一个实施例的图1所示发光二极管移送器的头部的立体图。图4为表示图3所示头部的检测部的一个表面的图。
参考图3和图4，头部130可包括头主体部160、旋转驱动部170、检测部180以及线性驱动部190。
头主体部160可形成为立体形状。头主体部160可形成为多样的形态。例如，头主体部160可形成为多棱柱、圆柱形态。
头主体部160的表面可布置有拾取部161。拾取部161可将发光二极管20从衬底基板1分离而移送到显示基板200。此时，拾取部161可利用静电力或粘接力而贴附发光二极管20。拾取部161并不局限于上述情形，其可以包含能够贴附发光二极管20的所有装置及所有结构。拾取部161可配备多个。多个拾取部161可沿着头主体部160的长度方向(Y轴方向)而相隔布置。在头主体部160为多边形的情况下，多个拾取部161可以以单列排列于多边形的各个表面。在头主体部160为圆柱形态的情况下，多个拾取部161可以隔开预定间距而相隔排列于头主体部160的表面。
拾取部161可包括第一布线162。第一布线162既可以由一个电极构成，也可以由相互隔开并绝缘的一对电极构成。图3中示出由一对电极构成的第一布线162。当发光二极管20为垂直型时，发光二极管20的对向的两个电极垫中的一个电极垫可贴附于拾取部161而与第一布线162接触。当发光二极管20为水平型或倒置型时，拾取部161中可贴附未形成电极垫的发光二极管20的一侧。
发光二极管20可以是微型LED。其中，微型可表示1至100μm的大小，然而本发明的实施例并不局限于此，也可以应用于大小与之相比更大或更小的发光二极管。
旋转驱动部170可以与头主体部160连接而使头主体部160旋转。旋转驱动部170可将头主体部160的长度方向(Y轴方向)作为旋转轴而使头主体部160旋转。
旋转驱动部170可包括以贯穿头主体部160的方式设置的旋转轴172以及与旋转轴172连接的旋转马达171。此时，旋转马达171与旋转轴172之间的连接方式可有多样方式。例如，旋转马达171与旋转轴172可通过分别设置于旋转轴172和旋转马达171的滚轮及用于连接滚轮的传送带而实现连接。作为另一实施例，旋转马达171和旋转轴172可分别设置有齿轮单元，从而使各个齿轮单元相互连接。作为又一实施例，旋转马达171与旋转轴172还可以彼此直接连接。
检测部180可以与头主体部160相似地由立体形状形成。此时，检测部180可形成为多样的形态。例如，检测部180可形成为多棱柱、圆柱形态。检测部180可以以与头主体部160相隔的方式布置在头主体部160的上部。
检测部180可在与头主体部160对向的表面180a具有接触部181和光检测元件185。
接触部181可在与头主体部160的拾取部161对应的位置处以与拾取部161对向的方式配备。接触部181可包括第二布线182。第二布线182可由相互隔置并绝缘的一对电极构成。通过使第二布线182包括一对电极，可对垂直型发光二极管以及水平型/倒置型发光二极管的移送均合适。一对电极之间的绝缘体183可以是空气或绝缘物质。作为一个实施例，接触部181可配备于检测部180的表面上形成的槽。作为另一实施例，接触部181可形成于检测部180的平整的表面，从而被配备成从检测部180的表面突出。
当发光二极管20为垂直型时，与贴附于拾取部161的电极垫对向的发光二极管20的电极垫可接触于接触部181的第二布线182。当发光二极管20为水平型或倒置型时，发光二极管20的一对电极垫可分别与接触部181的第二布线182的一对电极接触。
光检测元件185可配备于接触部181的周围。光检测元件185可以是光传感器。光检测元件185可以与接触部181相邻地配备一个或一个以上。光检测元件185可接收与拾取部161和接触部181连接的发光二极管20发射的光，并检测所接收到的光的光强度(光量)，且可以输出对应于光强度的感测值。
线性驱动部190可连接于头主体部160和检测部180而使头主体部160与检测部180中的至少一个进行线性运动。借助于线性驱动部190，贴附于头主体部160的拾取部161的发光二极管20可接触于检测部180的接触部181。
线性驱动部190包括第一部件191和第二部件192，从而可借助于第一部件191与第二部件192的相互驱动而使头主体部160和检测部180中的至少一个沿着荷重方向(Z轴方向)进行线性运动。线性驱动部190并不局限于前述结构而可以包括多样的装置及结构。例如，线性驱动部190可包括具有位置可变的轴的气缸。作为另一实施例，线性驱动部190可包括直线马达。作为又一实施例，线性驱动部190可包括马达及连接于马达的滚珠螺杆。作为又一实施例，线性驱动部190可包括马达及连接于马达的齿轮单元。线性驱动部190并不局限于前述实施例，其可以包括设置于头主体部160与检测部180之间而使头主体部160和检测部180中的至少一个沿着一个方向进行线性运动的所有装置及结构。
图5为表示利用图1所示发光二极管移送器而制造显示装置的工艺的示例图。
参考图5，移送器100可通过将衬底基板1上的发光二极管20移送到显示基板200而制造显示装置。
移送器100可将移动部120布置于衬底基板1上之后，使头部130下降而布置于衬底基板1上的已设定位置。此时，可根据视景部(参考图2)140所拍摄的图像而掌握头部130和衬底基板1的位置，并改变头部130的位置。
如果头部130被布置于已设定位置，则移送器100使头部130下降之后拾取发光二极管20。
移送器100可以使头部130上升。而且，通过启动旋转驱动部170而使头主体部160旋转预定角度。因头主体部160的旋转，未贴附有发光二极管20的表面的拾取部161可再次与衬底基板1对向地布置。
移送器100可再次使头主体部160下降而使发光二极管20贴附于拾取部161。上述作业可直至头主体部160的所有拾取部161均贴附有发光二极管20为止反复执行。
当发光二极管20贴附于头主体部160的所有拾取部161时，移送器100可使移动部120从衬底基板1朝显示基板200(沿X轴方向)移动。
移送器100可在移动过程中或者移动之前启动旋转驱动部170，从而使头主体部160旋转，以使贴附有想要检测特性的发光二极管20的头主体部160的表面与检测部180的底面180a对向。
然后，移送器100启动线性驱动部190，从而可借助于头主体部160的上升和/或检测部180的下降而使贴附于拾取部161的发光二极管20接触于检测部180的接触部181。
控制器150可从电源部(未图示)向拾取部161和接触部181施加电压或电流，从而使发光二极管20发光。光检测元件185可接收发光二极管20发射的光，并输出对应于光强度的感测值。
控制器150可基于光检测元件185输出的感测值来测量发光二极管20的光特性。光特性可包括发光二极管20的发光效率。控制器150可将发光二极管20的发光效率与标准发光效率进行比较而计算出发光二极管20的不良与否和/或即将布置于显示基板200的坐标(位置)。
移送器100可再次启动线性驱动部190，从而借助于头主体部160的下降和/或检测部180的上升而使贴附于拾取部161的发光二极管20从检测部180的接触部181隔开。
上述作业可直至贴附于头主体部160的所有拾取部161的发光二极管20的光特性均得到测量为止反复执行。
移送器100可以使移动部120向显示基板200移动。此时，视景部140可拍摄显示基板200和头主体部160的位置，并基于拍摄结果而调节头主体部160的位置。
如果头主体部160的位置来到设定位置，则移送器100可通过使头主体部160下降而将发光二极管20布置于显示基板200的相关坐标处。
当头主体部160的所有拾取部161的发光二极管20的移送完毕时，移送器100可将移动部120布置于衬底基板1，并反复执行如上所述的作业。
如果上述过程完毕，则发光二极管20得到移送的显示基板200被移送到腔室外部，并可通过后续工序而制造显示装置。
图6为用于说明根据本发明的一个实施例的发光二极管的移送方法的流程图。图7a至图7d为用于说明根据本发明的一个实施例的垂直型发光二极管的光特性测量方法的头部的示例性剖视图。图8a至图8d为用于说明根据本发明的一个实施例的水平型发光二极管的光特性测量方法的头部的示例性剖视图。以下，以检测部180的接触部181配备于检测部180表面的槽的情形为例进行说明，然而也同样可以应用于如图4所示的接触部181从检测部180的表面突出地配备的示例。
移送器100可借助于头主体部160的拾取部161而拾取衬底基板1上的发光二极管20(S61)。发光二极管20可以是垂直型发光二极管20a或者水平型或倒置型发光二极管(以下，统称为“水平型发光二极管”)20b。
作为一个实施例，如图7a所示，移送器100可借助于头主体部160的拾取部161而拾取衬底基板1上的垂直型发光二极管20a。此时，垂直型发光二极管20a的第二电极垫237a可以与拾取部161的第一布线162接触。作为另一实施例，如图8a所述，移送器100可借助于头主体部160的拾取部161而拾取衬底基板1上的水平型发光二极管20b。此时，水平型发光二极管20b的没有电极垫的一侧可贴附于拾取部161。
移送器100可测量被拾取的发光二极管20的光特性(S63)。为此，如图7b和图8b所示，移送器100可通过启动旋转驱动部170而使头主体部160旋转180度。头主体部160的拾取部161与检测部180的接触部181对向。另外，如图7c和图8c所示，移送器100可通过启动线性驱动部190而使头主体部160上升。作为另一例，可以使检测部180下降，或者使检测部180的下降与头主体部160的上升同时操作。贴附在头主体部160的拾取部161的图7c所示的垂直型发光二极管20a的第一电极垫235a可接触于检测部180的接触部181的第二布线182，图8c所示的水平型发光二极管20b的第一电极垫235b和第二电极垫237b可分别与检测部180的接触部181的第二布线182的一对电极接触。
对于垂直型发光二极管20a而言，移送器100可通过将电压或电流分别施加于拾取部161的第一布线162和接触部181的第二布线182而使垂直型发光二极管20a发光。对于水平型发光二极管20b而言，移送器100并不给拾取部161的第一布线162施加电压或电流而只给接触部181的第二布线182施加电压或电流，由此使水平型发光二极管20b发光。第一布线162可被施加与施加到第二布线182的电压或电流不同的电压或电流。
移送器100可通过发光二极管20的发光而测量光特性，并计算出即将布置发光二极管20的显示基板200上的坐标(S65)。光检测元件185可测量发光二极管20的光强度，并输出与之对应的感测值。控制器150可基于光检测元件185的感测值而测量发光二极管20的光特性。控制器150可将测量的光特性与标准光特性进行比较。控制器150可将衬底基板1的按坐标的发光二极管20的光特性作为标准光特性而预先存储于存储器等存储单元。控制器150可将衬底基板1的按坐标的发光二极管20的光特性累计值作为标准光特性。控制器150可基于测量光特性而更新标准光特性。控制器150可将匹配于衬底基板1的坐标的显示基板200的坐标一并预存储于存储单元。控制器150可在测量光特性与标准光特性一致的情况下，将与发光二极管20的衬底基板1的坐标相匹配的显示基板200的坐标从存储单元中提取。控制器150可在测量光特性与标准光特性并不一致的情况下，重新计算出即将布置于显示基板200的坐标。控制器150为了避免显示基板200上出现图像斑点，将测量光特性作为基础而以发光二极管20分组化方式计算出坐标，从而可以使组之间的发光偏差最小化。
在计算出发光二极管20的坐标的情况下，移送器100可通过启动线性驱动部190而使头主体部160下降，并通过启动旋转驱动部170而使头主体部160旋转180度。
如图7d和图8d所示，移送器100可将发光二极管20显示于显示基板200上的确定的坐标处(S67)。移送器100将发光二极管20从拾取部161释放，从而可以将发光二极管20移送到显示基板200(S69)。显示基板200上可具有第一电极211、第二电极213、第一电极211与第二电极213周围的岸状(bank)层206、岸状层206之间的粘接层207′。粘接层207′可以是因热量或紫外线等而固化的液态绝缘物质。发光二极管20可以与第一电极211和第二电极213接触。
图9为表示根据本发明的另一实施例的图1所示发光二极管移送器的头部的立体图。
图9所示头部130′不同于图3所示头部130之处在于，在头主体部160附加有光源165。以下，以区别于图3之处为中心而进行说明。
头主体部160可在拾取部161的周围配备光源165。光源165可输出能够使显示基板200上的粘接层207′固化的波长的光。例如，光源165可发射紫外线波段的光。
图10为用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管移送方法的流程图。图11a至图11c为用于说明图10所示发光二极管移送方法的头部的示例剖视图。以下，对与图1至图8重复的内容予以省略。
如图7a和图8a所示，移送器100可借助于头主体部160的拾取部161而拾取衬底基板1上的发光二极管20(S 101)。
如图7b、7c及图8b、8c所示，移送器100可测量被拾取的发光二极管20的光特性(S103)。
移送器100可以使发光二极管20发光，并测量发光二极管20的光特性，且可以判断发光二极管20的不良与否(S105)。光检测元件185可测量发光二极管20的光强度，并输出与之对应的感测值。控制器150可基于光检测元件185的感测值而测量发光二极管20的光特性。控制器150可将测量的光特性与标准光特性进行比较。控制器150可将衬底基板1的按坐标的发光二极管20的光特性作为标准光特性而预先存储于存储器等存储单元。控制器150可在测量光特性为标准光特性以上的情况下，将发光二极管20判断为正常。控制器150可在测量光特性不足标准光特性的情况下(包括不发光情形)，将发光二极管20判断为不良。
如图11a所示，移送器100可将判断为正常或不良的发光二极管20置于显示基板200上的确定坐标处(S111、S121)。
移送器100可将正常的发光二极管20周围的光源815开启(turn on)，从而对包围正常的发光二极管20的粘接层207′照射光而执行固化，而且可将不良的发光二极管20周围的光源815关闭(turn off)，从而对包围不良的发光二极管20的粘接层207′并不照射光(S113、S123)。
移送器100可将正常的发光二极管20从拾取部161释放，从而将发光二极管20移送到显示基板200(S115)。粘接层207′因光的照射而固化，从而将发光二极管20结合于显示基板200，并可以使发光二极管20遗留在显示基板200。
相反，如图11b所示，移送器100对不良的发光二极管20则并不从拾取部161释放而是拾取，从而可以将发光二极管20从显示基板200分离(S 125)。包围不良的发光二极管20的粘接层207′并不被照射光，因此得不到固化，所以可借助于拾取部161的贴附力而将不良的发光二极管20从显示基板200分离。
如图11c所示，移送器100可将不良的发光二极管20释放到形成有粘接层310的虚设板300，从而废弃不良发光二极管20。
图11a至图11c中以垂直型发光二极管为例进行了说明，然而当然也同样可以应用于水平型发光二极管。
图12为概略地表示根据本发明的一个实施例而制造的显示装置的平面图。图13和图14为概略地表示图12所示显示装置的A-A′截面的一例的剖视图。
参考图12和图13，显示装置10可包括显示基板200以及位于显示基板200上的发光二极管20a。发光二极管20a为垂直型发光二极管。
显示基板200可包括基板201、位于基板201上的薄膜晶体管(TFT)、位于薄膜晶体管(TFT)上的平坦化层205，平坦化层205上可形成有通过通孔而与薄膜晶体管(TFT)连接的第一电极211。而且，显示基板200可包括以覆盖第一电极211的一部分的方式布置的岸状层206。
基板201上可被定义有显示区域DA以及位于显示区域DA的外轮廓的非显示区域NA。显示区域DA可布置有发光二极管20a，非显示区域NA可布置有电源布线等。并且，非显示区域NA可布置有垫(pad)部250。
基板201可包括多样的素材。例如，基板201可由将二氧化硅(SiO2)作为主成分的透明玻璃材料构成。然而，基板201并不局限于此，也可以由透明的塑料材质构成而具备可挠性。塑料材质可以是从由如下的绝缘性有机物构成的组中选择的有机物：聚醚砜(PES；polyethersulphone)、聚丙烯酸酯(PAR；polyacrylate)、聚醚酰亚胺(PEI；polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN；polyethyelenen napthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET；polyethyeleneterepthalate)、聚苯硫醚(PPS；polyphenylenesulfide)、聚芳酯(polyallylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)、醋酸丙酸纤维素(CAP；cellulose acetate propionate)。
基板201上可形成缓冲层202。缓冲层202可对基板201的上部提供平坦面，并可阻断异物或湿气通过基板201而渗透。例如，缓冲层202可包含：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛等无机物；或者聚酰亚胺、聚酯、亚克力等有机物，并可由举例列举的材料中的多个材料的层叠体构成。
薄膜晶体管(TFT)可包括活性层217、栅极218、源极219a以及漏极219b。
以下，以薄膜晶体管(TFT)为活性层217、栅极218、源极219a、漏极219b依次层叠而成的顶栅型(top gate type)的情形为例进行说明。然而本实施例并不局限于此，也可以采用底栅型(bottom gate type)等多种类型的薄膜晶体管(TFT)。
活性层217可包括半导体物质，例如可包括非晶态硅(amorphous silicon)或多晶硅(poly crystalline silicon)。然而本实施例并不局限于此，活性层217可包含有多样的物质。作为选择性实施例，活性层217可包含有机半导体物质、氧化物半导体物质等。
栅绝缘膜203形成于活性层217上。栅绝缘膜203起到将活性层217与栅极218绝缘的作用。栅绝缘膜203可如下形成：由氧化硅和/或氮化硅等无机物构成的膜形成为多层或单层。
栅极218形成于栅绝缘膜203的上部。栅极218可以与用于将启闭信号施加到薄膜晶体管(TFT)的栅线(未图示)连接。栅极218可由低电阻金属材料构成。考虑到与相邻层之间的密接性、层叠而成的层的表面平坦性以及加工性等，栅极218例如可以由如下物质中的一种以上的物质以单层或多层的方式形成：铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)。
栅极218上形成层间绝缘膜204。层间绝缘膜204用于将源极219a、漏极219b与栅极218绝缘。层间绝缘膜204可如下形成：由无机物构成的膜形成为多层或单层。例如，无机物可以是金属氧化物或金属氮化物，具体而言，无机物可包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)等。
层间绝缘膜204上形成有源极219a和漏极219b。源极219a和漏极219b可由如下物质中的一种以上的物质以单层或多层的方式形成：铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)。源极219a和漏极219b形成为分别与活性层217的源极区域和漏极区域接触。
平坦化层205形成于薄膜晶体管(TFT)上。平坦化层205形成为覆盖薄膜晶体管(TFT)，从而消除从薄膜晶体管(TFT)始出现的落差并可以使上表面平坦化。平坦化层205可由有机物构成的单层或多层的膜形成。有机物可包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA；Polymethylmethacrylate)或聚苯乙烯(PS)之类的通用聚合物、具有酚系基团的高分子衍生物、亚克力系高分子、酰亚胺系高分子、芳醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子及其混合物等。并且，平坦化层205还可以由无机绝缘膜与有机绝缘膜的复合层叠体形成。
平坦化层205上可布置有第一电极211和岸状层206。
第一电极211可以与薄膜晶体管(TFT)电连接。具体而言，第一电极211可通过形成于平坦化层205的通孔而与漏极219b电连接。第一电极211可具有多样的形态，例如可图案化为岛屿形态而形成。
岸状层206可布置于第一电极211和平坦化层205上而定义像素区域。岸状层206可形成用于布置发光二极管20a的空间(开口)。此时，岸状层206可由如下的材料形成：聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜、聚乙烯醇缩丁醛、聚苯醚、聚酰胺、聚醚酰亚胺、降冰片烯系(norbornene system)树脂、甲基丙烯酸甲酯树脂、环状聚烯烃系等热可塑性树脂；环氧树脂、酚醛树脂、亚克力树脂、乙烯酯树脂、酰亚胺系树脂、聚氨酯系树脂、尿素(urea)树脂、三聚氰胺(melamine)树脂等热固性树脂；或者聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚碳酸酯等有机绝缘物质。然而，并不局限于此。而且，作为另一实施例，岸状层206可由SiOx、SiNx、SiNxOy、AlOx、TiOx、TaOx、ZnOx等无机氧化物、无机氮化物之类的无机绝缘材料构成，然而并不局限于此。作为又一实施例，岸状层206可由黑色矩阵(black matrix)材料之类的非透明材料构成。作为示例性绝缘黑色矩阵材料，可包括有机树脂、玻璃浆料(glass paste)、含黑色颜料的树脂或浆料、金属颗粒(例如镍、铝、钼及其合金)、金属氧化物颗粒(例如氧化铬)或者金属氮化物颗粒(例如氮化铬)。岸状层206并不局限于上述物质，可根据发光二极管20的结构、发光二极管20与电极的连接等而由多样的材料构成。
岸状层206之间的空间可布置有专门的钝化层207。粘接层207′被光照射而固化，从而可形成钝化层207。钝化层207可布置于发光二极管20与岸状层206之间，从而防止第二电极212与第一电极211接触。
钝化层207可对可见光透明或半透明，从而可以避免所完成的系统的光提取效率显著劣化。钝化层207可由多样的材料构成，例如可由环氧材料、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、聚酯构成，然而并不局限于此。在一个实施例中，钝化层207可在发光二极管230的周围通过喷墨处理而形成。
发光二极管20a可发射红色、绿色或蓝色的光，而且通过采用荧光物质或者将颜色进行组合，还可以实现白色光。发光二极管20a可包括：第一半导体层231、第二半导体层232、第一半导体层231与第二半导体层232之间的中间层233。
第一半导体层231例如可以由p型半导体层构成。p型半导体层可从组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料中选择，例如可从GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等中选择，并可掺杂有Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等p型掺杂剂。
第二半导体层232例如可包含n型半导体层而构成。n型半导体层可从组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料中选择，例如可从GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等中选择，并可掺杂有Si、Ge、Sn等n型掺杂剂。
然而本发明并不局限于此，也可以使第一半导体层231包含n型半导体层而第二半导体层232包含p型半导体层。
中间层233为电子与空穴重新结合的区域，随着电子与空穴重新结合，发生向低能级的跃迁，并可生成具有与之相应的波长的光。中间层233例如可包含组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料而构成，并可形成为单量子阱结构或多量子阱结构。而且，还可以包括量子线(Quantum wire)结构或量子点(Quantumdot)结构。
第一半导体层231可形成有第一电极垫235a，第二半导体层232可形成有第二电极垫237。第一电极垫235可以与第一电极211接触。并且，当发光二极管230具有垂直型结构时，第二电极垫237可位于第一电极垫235的相反侧，并与第二电极接触212。
第一电极211可具有：由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物构成的反射膜；以及形成于反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可具有从包含如下物质的组中选择的至少一种物质：氧化铟锡(ITO；indium tin oxide)、氧化铟锌(IZO；indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO；zinc oxide)、氧化铟(In2O3；indium oxide)、氧化铟镓(IGO；indium gallium oxide)、氧化锌铝(AZO；aluminum zinc oxide)。
第二电极212可在发光二极管20a上整体形成。第二电极212可以是透明或半透明电极，并可由包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物的功函数低的金属薄膜构成。而且，金属薄膜上还可以由ITO、IZO、ZnO或In2O3等透明电极形成用物质形成辅助电极层或总线电极。于是，第二电极212可以使从发光二极管20a发射出的光透射。
本实施例的显示装置10并不局限于正面发光型，也可以是发光二极管20a发射出的光朝向基板201侧发射的背面发光型。在此情况下，第一电极211可由透明或半透明电极构成，第二电极212可由反射电极构成。并且，本实施例的显示装置10也可以是朝向正面和背面这两个方向发射光的双面发光型。
另外，图13中对第一电极垫235与第二电极垫237位于相反侧的垂直型发光二极管20a进行了说明，然而本发明并不局限于此。即，发光二极管20b还可以是第一电极垫235b与第二电极垫237b朝向相同方向得到布置的水平型结构或倒置型结构。
参考图14，水平型发光二极管20b包括第一半导体层231、第二半导体层232以及位于第一半导体层231与第二半导体层232间的中间层233，第一半导体层231形成有第一电极垫235，第二半导体层232形成有第二电极垫237，第一电极垫235与第二电极垫237可布置为均朝向相同方向。
接触于第二电极垫237的第二电极213也与第一电极211相同地可形成于平坦化层205上。第二电极213可在与第一电极211相隔的位置处形成为与第一电极211电分离，并可形成于与第一电极211相同的层。
另外，为了将发光二极管20a、20b从氧气、水分的环境中隔离，可设置专门的封固部214。此时，封固部214可包括：封固基板，由与基板201相同或相似的材料构成；或者薄膜，包括有机层和无机层中的至少一层。
对于上述本发明的实施例而言，当把发光二极管从衬底基板向显示基板移送时，通过测量发光二极管的光特性而计算即将布置于显示基板的坐标，据此可实现发光二极管的光特性偏差引起的显示品质劣化的最小化。
并且，本发明的实施例通过测量发光二极管的光特性而判断不良与否，从而区分出不发光或者发光效率低的发光二极管，并只将正常发光二极管移送到显示基板，据此可以提高显示品质。
根据本发明的实施例的发光二极管移送器可实现光特性测量及光照射，从而可在没有专门装置的情况下有效地将发光二极管移送到显示基板。
以上，已参考如图所示的一个实施例而说明了本发明，然而这只是示例性的，只要是本领域中具有基本知识的人员就能够由此实现多样的变形和实施例的更改。因此，应当根据权利要求书的技术思想确定本发明的真正的技术保护范围。

Claims (10)

1.一种发光二极管移送器，包括：
头主体部，能够旋转，并具有用于拾取衬底基板上的发光二极管的至少一个拾取部；
检测部，与所述头主体部相隔，并具有对应于所述拾取部的位置处的接触部和相邻于所述接触部的光检测元件；
线性驱动部，用于使所述头主体部和所述检测部中的至少一个进行线性移动，以使贴附于所述拾取部的所述发光二极管接触于所述接触部；以及
控制器，基于与所述发光二极管发射的光强度对应的所述光检测元件的输出而测量所述发光二极管的光特性，并根据测量出的所述光特性而计算即将布置所述发光二极管的显示基板上的坐标。
2.如权利要求1所述的发光二极管移送器，其中，所述拾取部配备多个，所述多个拾取部沿所述头主体部的长度方向相隔布置。
3.如权利要求1所述的发光二极管移送器，其中，还包括：
旋转驱动部，连接于所述头主体部而使所述头主体部旋转。
4.如权利要求1所述的发光二极管移送器，其中，
当所述发光二极管的测量光特性与所述衬底基板中匹配于所述发光二极管的坐标的标准光特性一致时，所述控制器提取出所述发光二极管中已设定的所述显示基板中的坐标，
当所述发光二极管的测量光特性与所述衬底基板中匹配于所述发光二极管的坐标的标准光特性不一致时，所述控制器计算出所述发光二极管的所述显示基板中的新坐标。
5.如权利要求1所述的发光二极管移送器，其中，所述拾取部包括第一布线，所述接触部包括第二布线。
6.如权利要求5所述的发光二极管移送器，其中，所述第二布线包括一对电极。
7.如权利要求5所述的发光二极管移送器，其中，所述发光二极管具有：
第一电极垫；
第二电极垫，与所述第一电极垫对向，
其中，所述发光二极管的第一电极垫接触于所述第二布线，所述第二电极垫接触于所述第一布线。
8.如权利要求5所述的发光二极管移送器，其中，所述发光二极管具有朝相同方向布置的第一电极垫和第二电极垫，
所述发光二极管的第一电极垫和第二电极垫分别与所述第二布线接触。
9.如权利要求1所述的发光二极管移送器，其中，所述头主体部包括：
光源，相邻布置于所述拾取部。
10.如权利要求9所述的发光二极管移送器，其中，
所述控制器通过比较所述发光二极管的测量光特性与标准光特性而判断所述发光二极管的不良与否，
如果所述发光二极管正常，则所述控制器在所述发光二极管被置于所述显示基板上时开启所述光源，
如果所述发光二极管不良，则所述控制器在所述发光二极管被置于所述显示基板上时关闭所述光源。
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