KR20180026599A - 디스플레이 장치 및 제조 방법 - Google Patents

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KR20180026599A
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Abstract

본 발명의 일 실시예는 기판과, 기판 상의 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터, 및 이들과 전기적으로 연결된 화소전극을 회로소자층과, 회로소자층 상에 배치되며, 발광층, 발광층 상의 대향전극, 및 발광층과 대향전극 사이와 발광층과 화소전극 사이 중 적어도 어느 하나에 배치되는 기능층을 포함하는 표시층과, 발광층 상에 배치되며, 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함하는 봉지박막, 및 기판, 회로소자층, 표시층, 및 봉지박막을 관통하는 관통부를 포함하며, 관통부와 인접한 표시층의 측면의 경사각은, 관통부와 인접한 기판의 측면, 회로소자층의 측면 및 상기 봉지박막의 측면 중 어느 하나의 경사각과 다른, 디스플레이 장치를 개시한다.

Description

디스플레이 장치 및 제조 방법{Display device and manufacturing method thereof}
본 발명의 실시예들은 발광장치 및 그 제어 방법에 관한 것이다.
근래에 디스플레이 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 디스플레이 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다. 특히, 근래에 디스플레이 장치는 모니터, 휴대폰뿐만 아니라 시계 등과 같이 다양한 형태의 기기에 사용되고 있으며, 이에 따라 디스플레이 장치의 형태를 설계하는데 다양한 방법이 연구되고 있다.
본 발명의 일부 실시예들은 관통부를 구비한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 전술한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는, 기판; 상기 기판 상의 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터, 및 이들과 전기적으로 연결된 화소전극을 회로소자층; 상기 회로소자층 상에 배치되며, 발광층, 상기 발광층 상의 대향전극, 및 상기 발광층과 상기 대향전극 사이와 상기 발광층과 상기 화소전극 사이 중 적어도 어느 하나에 배치되는 기능층을 포함하는 표시층; 상기 발광층 상에 배치되며, 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함하는 봉지박막; 및 상기 기판, 상기 회로소자층, 상기 표시층, 및 상기 봉지박막을 관통하는 관통부;를 포함하며, 상기 관통부와 인접한 상기 표시층의 측면의 경사각은, 상기 관통부와 인접한 상기 기판의 측면, 상기 회로소자층의 측면 및 상기 봉지박막의 측면 중 어느 하나의 경사각과 다른, 디스플레이 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 기능층은, 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 발광층은, 상기 대향전극 상의 캡핑층 및 무기 배리어층 중 어느 하나를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 봉지박막 상의 추가 무기막을 더 포함하고, 상기 추가 무기막은, 상기 적어도 하나의 유기막의 상기 관통부와 인접한 측면, 및 상기 표시층의 상기 측면을 덮을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 추가 무기막은 상기 회로소자층의 무기 절연층과 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 관통부와 인접한 언더컷 형상의 단차부를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 단차부는 상기 표시층과 상기 기판 사이에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 단차부는, 서로 다른 소재의 제1층, 및 제2층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판은 수지재를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 기판 상에 배치되며, 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터, 및 이들과 전기적으로 연결된 화소전극을 포함하는 회로소자층을 형성하는 단계; 상기 회로소자층 상에 배치되며, 발광층, 대향전극, 상기 발광층과 상기 대향전극 사이와 상기 발광층과 상기 화소전극 사이 중 적어도 어느 하나에 배치되는 기능층을 포함하는 표시층을 형성하는 단계; 상기 발광층 상에 배치되며, 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함하는 봉지박막을 형성하는 단계, 및 상기 기판, 상기 회로소자층, 상기 표시층, 및 상기 봉지박막을 관통하는 관통부를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 관통부를 형성하는 단계는, 상기 봉지박막, 상기 표시층, 상기 회로소자층, 및 상기 기판 중 적어도 어느 하나의 일부를 제거하는 기계적 연마 법을 이용하는, 디스플레이 장치의 제조 방법을 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 관통부와 인접한 상기 표시층의 측면의 경사각은, 상기 관통부와 인접한 상기 기판의 측면, 상기 회로소자층의 측면 및 상기 봉지박막의 측면 중 어느 하나의 경사각과 다를 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시층을 형성하는 단계에서, 상기 기능층은 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시층을 형성하는 단계는, 상기 대향전극 상의 캡핑층 및 무기 배리어층 중 어느 하나를 더 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기계적 연마법은 연마 테이프와 팁을 이용할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 관통부를 형성하는 단계는, 상기 기계적 연마법을 이용해 상기 봉지박막의 일부 및 상기 표시층의 일부를 제거하여 예비 관통부를 형성하는 단계; 및 상기 예비 관통부가 형성된 기판 상에 레이저 빔을 조사하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 예비 관통부가 형성된 상기 봉지박막 상에 추가 무기막을 형성하는 공정을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 회로소자층을 형성하는 단계는, 상기 관통부와 인접한 언더컷 형상의 단차부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 단차부는, 서로 다른 소재의 제1층 및 제2층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 관통부를 형성하는 단계는, 상기 기계적 연마법을 이용해 상기 표시층의 일부를 제거하여 예비 관통부를 형성하는 단계; 및 상기 예비 관통부가 형성된 기판 상에 레이저 빔을 조사하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 관통부를 형성하는 단계는, 상기 기계적 연마법을 이용해 상기 봉지박막, 상기 표시층, 상기 회로소자층, 및 상기 기판 각각의 일부를 제거하여 관통부를 형성할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 관한 디스플레이 장치 및 그 제조방법은 관통부 주변에서 막(들)의 손상 및 들뜸 현상을 최소화할 수 있다. 또한, 디스플레이 장치를 구성하느 막(들)의 박리를 방지할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 상부도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 나타낸 상부도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예들에 따른 화소의 등가 회로도들이다.
도 4는 도 1의 IV- IV선에 따른 단면도이다.
도 5는 도 4의 V부분을 발췌하여 나타낸 단면도이며, 도 6은 도 4의 VI부분을 발췌하여 나타낸 단면도이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 10은 도 9의 X부분의 확대도이다.
도 11은 도 9의 XI부분의 확대도이다.
도 12a 내지 도 12d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 공정에 따른 단면도들이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예예 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 14는 도 13의 XIV 부분의 확대도이다.
도 15a 내지 도 15c는 본 발명의 다른 실시예예 따른 디스플레이 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 상부도이다. 도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 나타낸 상부도이다.
도 1을 참조하면, 디스플레이 장치(100)는 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시영역(DA)에는 유기발광소자 (organic light-emitting device, OLED)와 같은 표시소자를 구비한 화소(P)들이 배치되어, 소정의 이미지를 제공한다. 비표시영역(NDA)은 이미지를 제공하지 않는 영역으로서, 표시영역(DA)의 화소(P)들에 인가할 전기적 신호 및 전원을 전달하는 드라이버(예컨대, 스캔 드라이버, 데이터 드라이버), 및 배선들을 포함한다.
관통부(TH)는 디스플레이 장치(100)를 관통하는 홀이다. 관통부(TH)는 표시영역(DA)에 배치되어, 복수의 화소(P)들로 둘러싸일 수 있다. 관통부(TH)에는 카메라, 센서, 스피커, 마이크 등이 장착될 수 있다. 또는 관통부(TH)는 표시 장치(1)의 기능을 위한 별도의 부재 혹은 새로운 기능을 추가할 수 이는 별도의 부재를 위한 공간이 될 수 있다.
일부 실시예에서, 도 2a에 도시된 바와 같이, 관통부(TH)는 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 관통부(TH)의 일부는 표시영역(DA)의 화소들(P)에 의해 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 도 1 및 도 2a에 도시된 바와 같이 관통부(TH)는 디스플레이 장치(100)의 내측에 배치될 수 있으나, 다른 실시예에 따르면, 도 2b에 도시된 바와 같이 관통부(TH)는 디스플레이 장치(100)의 가장자리까지 연장될 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예들에 따른 화소의 등가 회로도들이다.
도 3a를 참조하면, 각 화소(P)는 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결된 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)에 연결된 유기발광소자(OLED)를 포함한다.
화소회로(PC)는 구동 박막 트랜지스터(T1), 스위칭 박막 트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(T2)는 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되며, 스캔선(SL)을 통해 입력되는 스캔 신호(Sn)에 따라 데이터선(DL)을 통해 입력된 데이터 신호(Dm)를 구동 박막 트랜지스터(T1)로 전달한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 박막 트랜지스터(T2) 및 구동전압선(PL)에 연결되며, 스위칭 박막 트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 구동전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.
구동 박막 트랜지스터(T1)는 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광소자(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광소자(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다.
도 3a에서는 화소(P)가 2개의 박막 트랜지스터 및 1개의 스토리지 박막 트랜지스터를 포함하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 3b를 참조하면, 화소회로(PC)는 구동 및 스위칭 박막 트랜지스터(T1, T2), 보상 박막 트랜지스터(T3), 제1 초기화 박막 트랜지스터(T4), 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5), 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6) 및 제2 초기화 박막 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다.
구동 박막 트랜지스터(T1)의 드레인전극은 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광소자(OLED)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 박막 트랜지스터(T1)는 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터 신호(Dm)를 전달받아 유기발광소자(OLED)에 구동 전류를 공급한다.
스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 게이트전극은 제1 스캔선(SL)과 연결되고, 소스전극은 데이터선(DL)과 연결된다. 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 드레인전극은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스전극과 연결되어 있으면서 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)과 연결될 수 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(T2)는 제1 스캔선(SL)을 통해 전달받은 제1 스캔 신호(Sn)에 따라 턴 온 되어 데이터선(DL)으로 전달된 데이터 신호(Dm)를 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스전극으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.
보상 박막 트랜지스터(T3)의 게이트전극은 제1 스캔선(SLn)에 연결될 수 있다. 보상 박막 트랜지스터(T3)의 소스전극은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 드레인전극과 연결되어 있으면서 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광소자(OLED)의 화소전극과 연결될 수 있다. 보상 박막 트랜지스터(T3)의 드레인전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 어느 하나의 전극, 제1 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 소스전극 및 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트전극과 함께 연결될 수 있다. 보상 박막 트랜지스터(T3)는 제1 스캔선(SL)을 통해 전달받은 제1 스캔 신호(Sn)에 따라 턴 온(turn on)되어 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트전극과 드레인전극을 서로 연결하여 구동 박막 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결(diode-connection)시킨다.
제1 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 게이트전극은 제2 스캔선(SLn-1)과 연결될 수 있다. 제1 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 드레인전극은 초기화 전압선(VL)과 연결될 수 있다. 제1 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 소스전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 어느 하나의 전극, 보상 박막 트랜지스터(T3)의 드레인전극 및 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트전극과 함께 연결될 수 있다. 제1 초기화 박막 트랜지스터(T4)는 제2 스캔선(SLn-1)을 통해 전달받은 제2 스캔 신호(Sn-1)에 따라 턴 온 되어 초기화 전압(VINT)을 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트전극에 전달하여 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트전극의 전압을 초기화시키는 초기화 동작을 수행할 수 있다.
제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)의 게이트전극은 발광 제어선(EL)과 연결될 수 있다. 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)의 소스전극은 구동전압선(PL)과 연결될 수 있다. 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)의 드레인전극은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스전극 및 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 드레인전극과 연결되어 있다.
제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 게이트전극은 발광 제어선(15)과 연결될 수 있다. 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 소스전극은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 드레인전극 및 보상 박막 트랜지스터(T3)의 소스전극과 연결될 수 있다. 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 드레인전극은 유기발광소자(OLED)의 화소전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5) 및 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)는 발광 제어선(EL)을 통해 전달받은 발광 제어 신호(En)에 따라 동시에 턴 온 되어 구동전압(ELVDD)이 유기발광소자(OLED)에 전달되며, 유기발광소자(OLED)에 구동 전류가 흐르게 된다.
제2 초기화 박막 트랜지스터(T7)의 게이트전극은 제3 스캔선(SLn+1)에 연결될 수 있다. 제2 초기화 박막 트랜지스터(T7)의 소스전극은 유기발광소자(OLED)의 화소전극과 연결될 수 있다. 제2 초기화 박막 트랜지스터(T7)의 드레인전극은 초기화 전압선(VL)과 연결될 수 있다. 제2 초기화 박막 트랜지스터(T7)는 제3 스캔선(SLn+1)을 통해 전달받은 제3 스캔 신호(Sn+1)에 따라 턴 온 되어 유기발광소자(OLED)의 화소전극을 초기화시킬 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 다른 하나의 전극은 구동전압선(PL)과 연결될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)의 어느 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트전극, 보상 박막 트랜지스터(T3)의 드레인전극 및, 제1 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 소스전극에 함께 연결될 수 있다.
유기발광소자(OLED)의 대향전극은 공통전원전압(ELVSS)과 연결된다. 유기발광소자(OLED)는 구동 박막 트랜지스터(T1)로부터 구동 전류를 전달받아 발광한다.
화소회로(PC)는 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명한 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터의 개수 및 회로 디자인에 한정되지 않으며, 그 개수 및 회로 디자인은 다양하게 변경 가능하다.
도 4는 도 1의 IV- IV선에 따른 단면도이고, 도 5는 도 4의 V부분을 발췌하여 나타낸 단면도이며, 도 6은 도 4의 VI부분을 발췌하여 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 디스플레이 장치(100)는 기판(101), 회로소자층(110), 표시층(120), 봉지박막(130), 및 추가 무기막(140)을 포함할 수 있으며, 관통부(TH)는 디스플레이 장치(100)의 전체 두께에 대응되는 깊이를 가질 수 있다. 관통부(TH)는 기판(101)으로부터 추가 무기막(140)을 모두 관통하도록 형성될 수 있다.
기판(101)은 글라스재, 금속 또는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재와 같은 다양한 재료를 포함할 수 있다. 기판(101)이 플라스틱재로 형성된 경우에는 글라스재로 형성된 경우 보다 가요성을 향상시킬 수 있다.
회로소자층(110)은 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 설명한 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 포함하는 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)와 연결된 화소전극을 포함한다.
표시층(120)은 발광층, 대향전극 및 기능층을 포함한다. 회로소자층(110)의 화소전극 및 표시층(120)의 대향전극 각각에서 주입되는 홀과 전자가 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exiton)은 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시킨다.
이하, 도 5를 참조하여, 회로소자층(110) 및 표시층(120)에 대하여 구체적으로 설명한다.
도 5를 참조하면, 회로소자층(110)은 박막 트랜지스터(TFT)와 스토리지 커패시터(Cst), 및 이들과 전기적을 연결된 화소전극(108)을 포함한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터(TFT)는 반도체층(AC), 게이트전극(GE), 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)을 포함하며, 스토리지 커패시터(Cst)는 상호 중첩되는 제1전극(CE1) 및 제2전극(CE2)을 포함한다. 제1전극(CE1) 및 제2전극(CE2)은 각각 게이트전극(GE) 및 소스와 드레인전극(SE, DE)과 동일한 층에 배치되며, 동일한 물질을 포함할 수 있다.
반도체층(AC)은 폴리실리콘 또는 아모퍼스 실리콘을 포함할 수 있다. 또 따른 실시예로서, 반도체층(AC)은 인듐(In), 갈륨(Ga) 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체층(AC)은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), ZIO(Zinc Indium Oxide)와 같은 산화물 반도체, 또는 유기 반도체를 포함할 수 있다.
게이트전극(GE)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속으로 단층 또는 다층일 수 있다. 제1전극(CE1)은 전술한 게이트전극(GE)과 동일한 층에 배치되며, 동일한 물질을 포함할 수 있다.
소스 및 드레인전극(SE, DE)은, 전도성이 좋은 재료를 이용하여 단층 또는 복층으로 형성할 수 있다. 예컨대, 소스 및 드레인전극(SE, DE)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 등을 포함할 수 있으며, 비제한적인 실시예로, Ti/Al/Ti 등의 삼중 층일 수 있다. 제2전극(CE2)은 전술한 소스 및 드레인전극(SE, DE)과 동일한 층에 배치되며, 동일한 물질을 포함할 수 있다.
기판(101)과 반도체층(AC) 사이에는 버퍼층(102)이 개재되고, 반도체층(AC)과 게이트전극(GE) 사이에는 게이트절연층(103)이 개재되며, 제1 및 제2전극(CE1, CE2) 사이 및 게이트전극(GE)과 소스 및 드레인전극(SE, DE) 사이에는 층간절연층(105)이 개재되며, 화소전극(108) 아래에는 평탄화절연층(107)이 배치된다.
버퍼층(102)과 게이트절연층(103)은 질화규소(SiNx) 및/또는 산화규소(SiOx)와 같은 무기물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있으며, 층간절연층(105)은 전술한 산화규소, 질화규소, 및 또는 산화알루미늄(Al2O3) 등과 같은 무기물을 포함하는 다층 또는 다층일 수 있으며, 평탄화절연층(107)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함하는 유기물을 포함할 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로, 평탄화절연층(107)은 무기물과 유기물의 다층일 수 있다.
본 실시예에서는 설명의 편의를 위하여 게이트전극(GE)이 반도체층(AC) 상에 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 도시하였다. 그러나 이는 설명의 편의를 위한 것으로서 본 실시예의 다른 실시예에 따르면 박막 트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트 타입(bottom gate type)를 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 제1전극(CE1) 및 제2전극(CE2) 각각이, 게이트전극(GE) 및 소스와 드레인전극(SE, DE)과 동일한 층에 배치되며, 동일한 물질을 포함하는 경우를 설명하였으나, 이는 예시적인 것이다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 고해상도에서, 박막 트랜지스터(TFT), 예컨대 구동 박막 트랜지스터의 채널길이를 증가시키고 스토리지 커패시터(Cst)의 커패시턴스를 증가시키기 위해, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막 트랜지스터(TFT) 상에 중첩되도록 배치될 수 있다. 예컨대, 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)의 제1전극은 동일한 전극일 수 있다. 즉, 게이트절연층(103)을 사이에 두고 반도체층(AC)과 중첩된 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)이 스토리지 커패시터(Cst)의 제1전극의 기능을 동시에 수행할 수 있다.
화소전극(108)은 다양한 도전성 소재를 포함한다. 화소전극(108)은 각 화소마다 패터닝될 수 있다. 화소전극(108)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막을 포함할 수 있다. 또는, 화소전극(108)은 전술한 반사막, 및 전술한 반사막의 위 또는/및 아래의 투명 도전성 산화물(TCO. Transparent conductive oxide)막을 포함할 수 있다.
화소정의막(109)은 화소전극(108)의 상에 배치되며, 화소전극(108)의 가장자리를 커버하되 화소전극(108)을 노출한다. 화소정의막(109)은 유기 절연재 및 무기 절연재로 형성되거나, 또는 유기 절연재로만, 또는 무기 절연재로만 형성될 수 있다.
표시층(120)은 회로소자층(110) 상에 배치된다. 표시층(120)은 발광층(123), 발광층(123)을 사이에 두고 화소전극(108)과 마주보는 대향전극(127)을 포함한다. 표시층(120)은 화소전극(108)과 발광층(123)사이와 발광층(123)과 대향전극(127) 사이 중 적어도 어느 하나에 개재되는 기능층(121, 125)을 포함한다. 표시층(120)은 캡핑층(128) 및/또는 무기 배리어층(129)을 포함할 수 있다.
발광층(123)은 대응되는 화소에 따라, 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나의 색을 방출할 수 있다. 발광층(123)은 적색, 녹색, 청색의 화소별로 패터닝될 수 있다. 발광층(123)의 아래와 위에는 제1기능층(121) 및 제2기능층(125)이 배치된다.
제1기능층(121)은 화소전극(108)과 발광층(123) 사이에 개재된다. 제1기능층(121)은 홀 수송층(HTL), 및 홀 주입층(HIL)을 포함할 수 있다. 제2기능층(125)은 발광층(123)과 대향전극(127) 사이에 개재된다. 제2기능층(125)은 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2기능층(121, 125)은 화소들에 공통적으로 형성된다. 예컨대, 제1 및 제2기능층(121, 125) 각각은 표시영역(DA, 도 1)의 전면에 배치될 수 있다.
발광층(123), 및 제1 및 제2기능층(121, 125)은 저분자 유기물 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 저분자 물질을 포함할 경우, 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 유기 물질이 사용될 수 있다. 고분자 물질을 포함하는 경우, 제1기능층(121)은 대부분 홀 수송층을 구비할 수 있다. 홀 수송층(HTL)으로 PEDOT를 사용하고, 발광층(123)은 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 사용할 수 있으나, 이는 예시적인 것으로 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 5에는, 제1 및 제2기능층(121, 125)이 발광층(123)의 아래와 위에 각각 구비된 경우를 도시하고 있으나, 이는 예시적인 것으로, 표시층(120)은 제1 및 제2기능층(121, 125) 중 어느 하나만 포함할 수 있다.
대향전극(127)은 기판(101)의 표시영역(DA, 도 1)을 커버하도록 일체로 형성될 수 있다. 대향전극(127)은 일함수가 작은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag, Ag와 Mg의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 반투과 금속 박막이거나, 또는 대향전극(127)은 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO 등의 투명 도전성 산화물 막으로 형성될 수 있다. 또는, 전술한 층들이 적층된 다층일 수 있다.
캡핑층(128)은 캡핑층(128)의 아래에 있는 층들, 예컨대 대향전극(127), 발광층(123), 제1 및 제2기능층(121, 125)들을 보호할 수 있다. 캡핑층(128)은 유기물 및/또는 무기물을 포함하는 단일 층 또는 다층일 수 있다.
무기 배리어층(129)은 불화리튬(LiF)을 포함할 수 있다. 무기 배리어층(129)은 후술할 봉지박막(130)의 형성, 예컨대 제1무기막(131)을 형성하기 위한 공정, 예컨대 플라즈마 화학기상증착 공정에서 발생하는 산소 라디컬들의 고에너지에 의해 아래에 배치된 층들(예컨대, 발광층)이 손상되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다.
다시 도 4를 참조하면, 봉지박막(130)은 적어도 하나의 무기막 및 적어도 하나의 유기막을 포함한다. 에컨대, 봉지박막(130)은 제1무기막(131)과 제2무기막(135), 및 이들 사이에 개재되는 유기막(133)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2무기막(131, 135)은 질화알루미늄(AlN), 산화알루미늄(Al2O3) 질화티타늄(TiN), 산화티타늄(TiO2), 산질화규소(SiON), 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 등을 포함할 수 있다. 제1 및 제2무기막(131, 135)은 수분 등으로부터 표시층(120)을 보호할 수 있다.
유기막(133)은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 등과 같은 폴리머(polymer)계열의 소재를 포함할 수 있다. 유기막(133)은 제1 및 제2무기막(131, 135) 보다 두껍게 형성될 수 있다. 유기막(133)은 제1 및 제2무기막(131, 135)의 내부 스트레스를 완화시키고, 제1 및 제2무기막(131, 135)의 결함을 보완하며 평탄화하는 등의 기능을 수행할 수 있다.
추가 무기막(140)은 봉지박막(130) 상에 배치되고, 추가 무기막(140)의 단부, 예컨대 관통부(TH)와 인접한 단부들은 봉지박막(130)의 측면(130s) 및 표시층(120)의 측면(120s)을 커버하도록 연장된다. 추가 무기막(140)은 도 6에 도시된 바와 같이, 회로소자층(110)의 층간절연층(105)과 접촉할 수 있다. 추가 무기막(140)이 무기물을 포함하는 층간절연층(105)과 접하는 경우, 디스플레이 장치(100)의 측면 투습을 방지할 수 있는 것과 같이 봉지 특성을 향상시킬 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 관통부(TH)의 내측면은 봉지박막(130) 및 표시층(120)의 측면(120s, 130s)들을 커버하는 추가 무기막(140), 회로소자층(110)의 측면(110s), 및 기판(101)의 측면(101s)에 의해 결정될 수 있다. 바꾸어 말하면, 관통부(TH)는 봉지박막(130) 및 표시층(120)의 측면(120s, 130s)들을 커버하는 추가 무기막(140), 회로소자층(110)의 측면(110s), 및 기판(101)의 측면(101s)에 의해 정의될 수 있다.
본 명세서에서, "A층의 측면"이라 함은, 다층 또는 단층으로 형성되는 A층의 가장 아래 끝(end)과 가장 위의 끝을 연결하는 면을 의미하고, "A층의 측면의 경사각"은 전술한 면의 테이퍼 각을 의미한다. A층이 단층인 경우, A층의 측면은 A층을 이루는 층의 측면과 동일한 평면에 놓인다. A층이 복수의 층인 경우, A층의 측면은, A층을 이루는 복수의 층들의 측면들 각각과 동일한 평면에 놓이거나, 또는 서로 다른 평면에 놓일 수 있다. 즉, A층을 이루는 복수의 층 각각의 측면과, A층의 측면은 서로 다른 개념으로 이해되어야 할 것이다.
따라서, "관통부(TH)와 인접한 기판(101)의 측면"은, 관통부(TH)와 인접한 기판(101)의 가장 아래 끝과 가장 위의 끝을 연결한 면(101s)을 의미하고, "관통부(TH)와 인접한 기판(101)의 측면(101s)의 경사각"은 전술한 면(101s)의 테이퍼 각(θ0)을 의미한다. "관통부(TH)와 인접한 회로소자층(110)의 측면"은, 관통부(TH)와 인접한 회로소자층(110)의 가장 아래 끝과 가장 위의 끝을 연결한 면(110s)을 의미하고, "관통부(TH)와 인접한 회로소자층(110)의 측면(110s)의 경사각"은 전술한 면(110s)의 테이퍼 각(θ1)을 의미한다. 마찬가지로, "관통부(TH)와 인접한 표시층(120)의 측면"은, 관통부(TH)와 인접한 표시층(120)의 가장 아래 끝과 가장 위의 끝을 연결한 면(120s)을 의미하고, "관통부(TH)와 인접한 표시층(120)의 측면(120s)의 경사각"은 전술한 면(120s)의 테이퍼 각(θ2)을 의미한다. 그리고, "관통부(TH)와 인접한 봉지박막(130)의 측면"은, 관통부(TH)와 인접한 봉지박막(130)의 가장 아래 끝과 가장 위의 끝을 연결한 면(130s)을 의미하고, "관통부(TH)와 인접한 봉지박막(130)의 측면(130s)의 경사각"은 전술한 면(130s)의 테이퍼 각(θ3)을 의미한다.
디스플레이 장치(100)의 층들(101, 110, 120, 130)의 측면 경사각(θ0, θ1, θ2, θ3)은 관통부(TH)를 형성하는 공정에 의해 서로 다른 값을 가질 수 있다. 관통부(TH)를 형성하기 위한 일부 공정으로 연마 테이프와 팁을 이용한 기계적 연마법을 이용하는 경우, 층들(101, 110, 120, 130) 중 적어도 어느 하나의 층의 경사각, 예컨대, 표시층(120)과 봉지박막(130)의 경사각(θ2, θ3)은 다른 층의 측면 경사각, 예컨대 기판(101)과 회로소자층(110)의 경사각(θ0, θ1)과 서로 다른 값을 갖는다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다.
도 7a를 참조하면, 기판(101) 상에 회로소자층(110), 표시층(120), 및 봉지박막(130)을 순차적으로 형성한다. 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 회로소자층(110)은 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터 및 이들과 연결된 화소전극을 포함하고, 표시층(120)은 발광층(123)과 대향전극(127), 및 제1 및/또는 제2기능층(121, 125)을 포함한다. 표시층(120)은 캡핑층(128), 및 무기 배리어층(129)을 더 포함할 수 있다. 기판(101), 회로소자층(110), 표시층(120), 및 봉지박막(130)의 구체적 물질은 도 4 및 도 5를 설명한 바와 같으므로 중복 설명은 생략한다. 표시층(120)의 층들은 열증착법(Thermal evaporation)에 의해 형성될 수 있다. 봉지박막(130)의 제1 및 제2무기막(131, 135)은 화학기상증착법(CVD)에 의해 형성될 수 있으며, 유기막(133)은 모노머를 형성한 후, 열이나 자외선 등의 빛을 이용하여 모노머를 경화시켜 형성할 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 봉지박막(130) 상에 배치된 연마 테이프(10)와 팁(20)을 이용한 기계적 연마법에 의하여 유기물을 포함하는 층들, 봉지박막(130)과 표시층(120)을 일부 제거한다. 기계적 연마법에 의해 봉지박막(130)의 일부, 및 표시층(120)의 일부가 제거되면서, 봉지박막(130)과 표시층(120)을 관통하는 예비 관통부(p-TH)가 형성된다. 예비 관통부(p-TH)는 봉지박막(130)과 표시층(120)의 두께에 대응되는 깊이를 가질 수 있다. 예비 관통부(p-TH)를 통해 회로소자층(110)이 노출될 수 있다.
연마 테이프(10)와 팁(20)을 이용한 기계적 연마법에 따라, 예비 관통부(p-TH)에 인접한 표시층(120)의 측면(120s)의 경사각(θ2)과 봉지박막(130)의 측면(130s)의 경사각(θ3)은 서로 다른 값을 가질 수 있다. 경사각(θ2, θ3)들은 표시층(120) 및 봉지박막(130)의 층들이 유기물을 포함하거나 무기물을 포함하는 것과 같이 서로 다른 물질을 포함하는 점, 팁(20)의 형상, 연마 순서 등의 요인에 의해 서로 다른 값을 가질 수 있다.
도 7b의 확대도를 참조하면, 표시층(120)을 구성하는 각 층들은 서로 다른 물질을 포함하며, 팁(20)의 형상과 연마 순서에 따라 서로 다른 값의 경사를 가질 수 있다. 예컨대, 제1기능층(121)의 측면의 경사각(α1), 제2기능층(125)의 측면의 경사각(α2), 대향전극(127)의 측면의 경사각(α3), 캡핑층(128)의 측면의 경사각(α4), 및 무기 배리어층(129)의 측면의 경사각(α5)은 서로 다른 값을 가질 수 있다. 마찬가지로, 제1무기막(131)의 측면의 경사각(β1), 유기막(133)의 측면의 경사각(β2), 및 제2무기막(135)의 측면의 경사각(β3)은 서로 다른 값을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들은 연마 테이프(10)와 팁(20)을 사용하는 공정을 이용하므로, 도 7b의 확대도의 K 방향에서 보았을 때, 제2무기막(135)을 관통하는 영역을 통해 그 아래 층인 유기막(133) 및 제1무기막(131)의 측면들이 노출될 수 있고, 유기막(133)을 관통하는 영역을 통해 그 아래 층인 제1무기막(131)의 측면이 노출될 수 있다. 마찬가지로, 도 7b의 확대도의 K 방향에서 보았을 때, 무기 배리어층(129)을 관통하는 영역을 통해 그 아래 층들인 캡핑층(128)부터 제1기능층(121)까지의 층들 중 적어도 어느 하나의 층의 측면이 노출될 수 있다. 마찬가지로, 캡핑층(128), 대향전극(127), 제2기능층(125) 각각을을 관통하는 영역을 통해 그 아래의 층들 중 적어도 하나의 층이 노출될 수 있다.
연마 테이프(10)는 연마 테이프 공급부(미도시)로부터 a 방향을 따라 봉지박막(130) 상으로 공급되고, 예비 관통부(p-TH)를 형성한 후, b 방향을 따라 연마 테이프 회수부(미도시)를 향해 이동할 수 있다. 본 발명의 비교예로서, 제자리에서 회전하는 연마기를 사용하는 경우, 대량 생산시 연마기의 마모에 따라 교체가 요구되며, 교체에 걸리는 시간만큼 생산성이 저하되는 문제가 있다. 그러나, 본 발명의 실시예와 같이 일 방향으로 공급되는 연마 테이프를 이용하는 경우, 별도로 연마기를 교체하는 공정이 생략되므로 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
도 7c를 참조하면, 예비 관통부(p-TH)를 형성한 후 추가 무기막(140)을 형성한다. 추가 무기막(140)은 기판(101) 상에 전체적으로 형성된다. 예컨대, 추가 무기막(140)은 봉지박막(130)의 상면, 봉지박막(130)의 측면(130s), 표시층(120)의 측면(120s), 및 예비 관통부(p-TH)를 통해 노출된 회로소자층(110)의 상면을 커버한다.
도 7d를 참조하면, 추가 무기막(140)을 형성한 후 예비 관통부(p-TH)와 대응되는 위치에 레이저 빔을 조사하여, 예비 관통부(p-TH)와 대응되는 회로소자층(110)의 일부 및 기판(101)의 일부를 제거하여, 관통부(TH)를 형성한다. 관통부(TH)는 디스플레이 장치(100)의 전체 두께에 대응되는 깊이를 가질 수 있다.
레이저 공정을 통해 형성된 회로소자층(110)의 측면(110s) 및 기판(101)의 측면(101s)의 경사각(θ0, θ1)들은, 앞서 연마 공정을 통해 형성된 표시층(120)의 측면(120s)의 경사각(θ2), 및 봉지박막(130)의 측면(130s)의 경사각(θ3)과 다르다. 레이저 공정에 의한 경사각(θ0, θ1)들은 레이저 빔의 DOF(depth of field)에 의해 실질적으로 수직(90°)에 가까운 값을 가질 수 있다.
도 4, 및 도 7a 내지 도 7d를 참조하여 설명한 디스플레이 장치(100)의 관통부(TH)는, 레이저 빔에 의해서만 형성된 관통부와 구별될 수 있다. 도 7a에 도시된 바와 같이 디스플레이 장치(100)를 형성한 후, 바로 레이저 빔을 조사하여 관통부를 형성하는 경우, 레이저 빔의 DOF에 의하여 각 층들의 경사각(θ2, θ3)은 실질적으로 동일한 값을 가질 수 있다. 또한, 레이저 빔에 의해 형성된 관통부 주변에서는, 레이저 조사시 발생하는 열에 의해 유기물의 변성이 일어나거나, 유기물의 막이 부풀어 오르거나, 유기물이 들뜨는 현상이 발생하며, 측면 방향(층과 층 사이의 계면 방향)으로의 투습이 발생할 수 있다.
그러나, 도 7a 내지 도 7d를 참조하여 설명한 제조 방법에 따르면, 유기물을 포함하는 층들, 예컨대, 봉지박막(130)과 표시층(120)을 레이저 공정이 아닌 기계적 연마 공정을 이용해 제거하므로, 레이저 빔의 조사시 발생하는 열에 의한 유기물의 변성이 일어나거나, 유기물의 막이 부풀어 오르거나, 유기물이 들뜨는 현상을 방지할 수 있다.
도 4, 및 도 7a 내지 도 7d를 참조하여 설명한 디스플레이 장치(100)의 관통부(TH)는, 제자리에서 회전하는 연마기에 의해 형성된 관통부와 구별될 수 있다. 본 발명의 비교예로서, 제자리에서 회전하는 연마기를 사용하는 경우, 복수의 층들을 연마하기 용이하지 않으며, 연마한다 하더라도 본 실시예와 같이 각 층들의 측면이 서로 다른 값의 경사각을 갖지 않는다. 또한, 제자리에서 회전하는 연마기를 사용하여 형성된 관통부 주변의 층들 상에는, 연마시 발생한 버(burr)가 배출되기 용이하지 않으므로, 연마시의 마찰열에 의해 관통부의 내경에 달라 붙는 것과 같은 문제가 발생할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8을 참조하면, 디스플레이 장치(200)는, 기판(201), 회로소자층(210), 표시층(220), 봉지박막(230) 및 추가 무기막(140)을 포함한다. 기판(201), 회로소자층(210), 표시층(220), 추가 무기막(240) 각각은 앞서 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 기판(101), 회로소자층(110), 표시층(120), 추가 무기막(140)과 동일하므로, 구체적 설명은 앞서 설명한 내용으로 갈음한다.
일 실시예로서, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이 디스플레이 장치(100)의 봉지박막(130)의 최상면은 무기막(제2무기막)일 수 있으나 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 다른 실시예로서 도 8에 도시된 봉지박막(230)은 최상면이 유기막(233)일 수 있다. 봉지박막(230)의 최제2층이 유기막(233)이지만, 봉지박막(230)의 상면에 추가 무기막(240)이 배치되어 있으므로 수분 등으로부터 표시층(220)을 보호할 수 있다.
봉지박막(230)은 무기막(231)과 유기막(233)을 포함할 수 있다. 무기막(231)과 유기막(233)은 각각 앞서 도 1을 참조하여 설명한 제1무기막(131)과 유기막(133)과 동일한 물질을 포함한다.
본 실시예에 따른 디스플레이 장치(200)의 층들(201, 210, 220, 230)의 측면의 경사각(θ0, θ1, θ2, θ3)은 관통부(TH)를 형성하는 공정에 의해 서로 다른 값을 가질 수 있다. 관통부(TH)를 형성하기 위한 공정으로 연마 테이프와 팁을 이용한 기계적 연마법을 이용하는 경우, 층들(201, 210, 220, 230)의 측면 경사각(θ0, θ1, θ2, θ3)은 서로 다른 값을 갖는다.
도 8에 도시된 디스플레이 장치(200)는, 봉지박막(230)의 최상층이 유기막(233)으로 형성되는 점을 제외하고는, 앞서 도 7a 내지 도 7b를 참조하여 설명한 공정과 실질적으로 동일한 공정에 의하므로, 이하 중복 설명은 생략한다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 10은 도 9의 X부분의 확대도이고, 도 11은 도 9의 XI부분의 확대도이다.
도 9를 참조하면, 디스플레이 장치(300)는, 기판(301), 회로소자층(310), 표시층(320), 및 봉지박막(330) 및 단차부(350)를 포함한다.
기판(301), 회로소자층(310), 표시층(320), 각각은 앞서 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 기판(101), 회로소자층(110), 표시층(120)과 동일하므로, 구체적 설명은 앞서 설명한 내용으로 갈음한다.
봉지박막(330)은 제1 및 제2무기막(331, 335) 및 이들 사이에 개재되는 유기막(333)을 포함할 수 있다. 전술한 디스플레이 장치(100, 200)의 봉지박막(130, 230)의 유기막(133, 233)이 관통부(TH)를 향해 직접 노출되지 않은 것에 비하여, 본 실시예에 따른 봉지박막(330)의 유기막(333)은 관통부(TH)의 측면을 향해 직접 노출될 수 있다.
도 10을 참조하면, 제1무기막(331)은 관통부(TH) 주변에서 층간절연층(305)과 직접 접촉하지 않을 수 있다. 또는, 제1무기막(331)이 관통부(TH) 주변에서 층간절연층(305)과 접촉하더라도 매우 작은 면적을 가지도록 접촉할 수 있다. 버퍼층(302), 게이트절연층(303) 및 층간절연층(305)은 무기막으로 이들 사이의 계면으로 수분이 침투하기 어렵지만, 관통부(TH) 주변에서 표시층(320)을 덮는 제1무기막(331)이 층간절연층(305)와 직접 접촉하면서 표시층(320)의 측면(320d)을 밀봉하지 않으므로, 표시층(320)으로 수분 등이 침투할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따르면 관통부(TH)와 인접하게 배치된 단차부(350)를 배치함으로써, 수분 등의 침투 경로를 차단할 수 있다.
도 11을 참조하면, 단차부(350)는 언더컷 형상을 갖는다. 단차부(350)는 폭이 서로 다른 제1층(351) 및 제1층(351) 상의 제2층(353)을 포함한다. 제1층(351)의 폭(w0)은 제2층(353)의 폭(w1)보다 작게 형성된다. 단차부(350)는 표시층(320)의 아래에 배치될 수 있다.
제1층(351)과 제2층(353)은 서로 다른 소재를 포함한다. 예컨대, 제1층(351)은 금속성 소재를, 제2층(353)은 절연성 소재를 포함할 수 있다. 제1층(351)은 도 5를 참조하여 설명한 박막 트랜지스터(TFT)의 전극, 또는 스토리지 커패시터(Cst)의 전극 중 어느 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1층(351)은 버퍼층(302)과 게이트절연층(303)의 상에 배치되며, 도 5를 참조하여 설명한 게이트전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 그리고, 제2층(353)은 층간절연층(305)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
언더컷 형상의 단차부(350)에 의해 단차부(350) 위의 층들, 예컨대 제1기능층(321), 제2기능층(325), 및 대향전극(327) 등의 표시층(320)은 서로 단절될 수 있다(disconnected). 표시층(320)이 측면 방향을 따라 수분이 침투하더라도, 예컨대 제1기능층(321), 제2기능층(325), 및 대향전극(327)들 사이의 계면을 통해 수분이 침투하더라도 단차부(350)에 의해 그 경로가 차단되므로, 수분이 화소까지 전달되는 것을 방지할 수 있다.
다시 도 9를 참조하면, 디스플레이 장치(300)의 층들(301, 310, 320, 330)의 측면(301s, 310s, 320s, 330s)의 경사각(θ0, θ1, θ2, θ3)은 관통부(TH)를 형성하는 공정에 의해 서로 다른 값을 가질 수 있다. 예컨대, 관통부(TH)를 형성하기 위한 일부 공정으로 연마 테이프와 팁을 이용한 기계적 연마법을 이용하는 경우, 층들(301, 310, 320, 330) 중 어느 하나의 층의 경사각(예컨대, 표시층(320)의 측면(320s)의 경사각(θ2)은 다른 층의 측면 경사각, 예컨대 기판(301), 회로소자층(310), 봉지박막(330)의 측면(301s, 310s, 330s)의 경사각(θ0, θ1, θ3)과 서로 다른 값을 갖는다.
도 12a 내지 도 12d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 공정에 따른 단면도들이다.
도 12a를 참조하면, 기판(301) 상에 회로소자층(310), 및 표시층(320)을 순차적으로 형성한다. 회로소자층(310)은 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터 및 이들과 연결된 화소전극을 포함하고, 표시층(320)은 발광층과 대향전극, 및 제1 및/또는 제2기능층을 포함한다. 표시층(320)은 캡핑층 및/또는 무기 배리어층을 더 포함할 수 있다. 기판(301), 회로소자층(310) 및 표시층(320)의 구체적 물질은 도 4 및 도 5를 설명한 바와 같으며, 구체적 방법은 도 7a를 참조하여 설명한 바와 같다.
회로소자층(310)을 형성하는 공정은 단차부(350)를 형성하는 공정을 포함할 수 있다. 단차부(350)은 도 10을 참조하여 설명한 바와 같이, 제1층(351), 및 제2층(353)을 포함할 수 있으며, 제1층(351), 및 제2층(353)은 앞서 설명한 바와 같은 물질을 포함한다. 본 발명의 일 실시예로, 단차부(350)의 언더컷 형상은 화소전극의 식각 공정에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소전극의 식각 공정에서 사용되는 에천트에 의해 제1층(351)을 구성하는 금속성 소재가 식각되면서 제2층(353)의 폭(w1)보다 작은 폭(w0)을 가질 수 있다.
도 12a 및 도 12b를 참조하면, 표시층(320) 상에 배치된 연마 테이프(10)와 팁(20)을 이용한 기계적 연마법에 의하여 유기물을 포함하는 층들, 예컨대 표시층(320)을 일부 제거한다. 연마 테이프(10)는 연마 테이프 공급부(미도시)로부터 a 방향을 따라 봉지박막(130) 상으로 공급되고, 예비 관통부(p-TH)를 형성한 후, b 방향을 따라 연마 테이프 회수부(미도시)를 향해 이동할 수 있다.
기계적 연마법에 의해 표시층(320)의 일부가 제거되면서, 표시층(120)을 관통하는 예비 관통부(p-TH)가 형성된다. 예비 관통부(p-TH)는 표시층(120)의 두께에 대응되는 깊이를 가질 수 있다. 예비 관통부(p-TH)를 통해 회로소자층(110)이 노출될 수 있다.
연마 테이프(10)와 팁(20)을 이용한 기계적 연마법에 따라 표시층(320)의 측면(320s)은 경사각(θ2)을 가질 수 있다. 도 12b에는 표시층(320)에 대한 측면(320s)은 경사각(θ2)만 도시되어 있으나, 도 7b를 참조하여 설명한 바와 같이 표시층(320)을 구성하는 각 층들은 서로 다른 물질을 포함하며, 팁(20)의 형상과 연마 순서에 따라 서로 다른 값의 경사를 가지며, 어느 하나의 층의 관통 영역을 통해 그 아래의 층들이 노출될 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.
도 12c를 참조하면, 예비 관통부(p-TH)를 형성한 후 봉지박막(330)을 형성한다. 봉지박막(330)은 제1 및 제2무기막(331, 335) 및 이들 사이의 유기막(333)을 포함하며, 그 구체적 물질 밀 공정은 앞서 설명한 바와 같다.
도 12c 및 도 12d를 참조하면, 예비 관통부(p-TH)와 대응되는 위치에 레이저 빔을 조사하여, 예비 관통부(p-TH)와 대응되는 봉지박막(330)의 일부, 회로소자층(310)의 일부 및 기판(301)의 일부를 제거하여, 관통부(TH)를 형성한다. 관통부(TH)는 디스플레이 장치(100)의 전체 두께에 대응되는 깊이를 가질 수 있다.
레이저 공정을 통해 형성된 봉지박막(330)의 측면(330s), 회로소자층(310)의 측면(310s) 및 기판(301)의 측면(301s)의 경사각(θ3, θ1, θ0)들은, 앞서 연마 공정을 통해 형성된 표시층(320)의 측면(320s)의 경사각(θ2)과 다르다. 레이저 공정에 의한 경사각(θ3, θ1, θ0)들은 레이저 빔의 DOF(depth of field)에 의해 실질적으로 수직(90°)에 가까운 값을 가질 수 있다..
도 13은 본 발명의 다른 실시예예 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 14는 도 13의 XIV 부분의 확대도이다.
도 13을 참조하면, 디스플레이 장치(400)는 기판(401), 회로소자층(410), 표시층(420), 및 봉지박막(430) 및 단차부(450)를 포함한다.
기판(401), 회로소자층(410), 표시층(420) 각각은 앞서 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 기판(101), 회로소자층(110), 표시층(120)과 동일하므로, 구체적 설명은 앞서 설명한 내용으로 갈음한다.
봉지박막(430)은 제1 및 제2무기막(431, 435) 및 이들 사이에 개재되는 유기막(433)을 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 봉지박막(430)의 유기막(433)은 앞서 설명한 봉지박막(330)과 마찬가지로 관통부(TH)의 측면을 향해 직접 노출될 수 있다.
일부 실시예로서, 디스플레이 장치(400)는 도 14에 도시된 바와 같이, 봉지박막(430)이 관통부(TH) 주변에서 층간절연층(405)과 직접 접촉하지 않는다. 즉, 표시층(420)의 제1기능층(421), 제2기능층(425), 대향전극(427) 등이 직접 관통부(TH)로 노출될 수 있다. 버퍼층(402), 게이트절연층(403) 및 층간절연층(405)은 무기막으로 이들 사이의 계면으로 수분이 침투하기 어렵지만, 표시층(420)이 노출되어 있으므로, 표시층(420)을 이루는 층들 사이의 계면을 통해 수분 등이 침투할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따르면 관통부(TH)와 인접하게 배치되며 언더컷 형상의 단차부(450)를 배치함으로써, 수분 등의 침투 경로를 차단할 수 있다. 단차부(450)의 구조는 앞서 도 10을 참조하여 설명한 바와 같으므로, 중복 명은 생략한다.
디스플레이 장치(400)의 층들(401, 410, 420, 430)의 측면 경사각(θ0, θ1, θ2, θ3)은 관통부(TH)를 형성하는 공정에 의해 서로 다른 값을 가질 수 있다. 예컨대, 관통부(TH)를 형성하기 위한 공정으로 연마 테이프와 팁을 이용한 기계적 연마법을 이용하는 경우, 층들(401, 410, 420, 430) 각각의 경사각(θ0, θ1, θ2, θ3)들은 서로 다른 값을 갖는다.
도 15a 내지 도 15c는 본 발명의 다른 실시예예 따른 디스플레이 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다.
도 15a를 참조하면, 기판(401) 상에 회로소자층(410), 표시층(420), 봉지박막(430)을 순차적으로 형성한다. 그리고, 봉지박막(430) 상에 보호필름층(460)을 형성한다.
회로소자층(410)은 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터 및 이들과 연결된 화소전극을 포함하고, 표시층(420)은 발광층과 대향전극, 및 제1 및/또는 제2기능층을 포함한다. 표시층(420)은 캡핑층 및/또는 무기 배리어층을 더 포함할 수 있다. 봉지박막(430)은 제1 및 제2무기막(431, 435) 및 이들 사이의 유기막(433)을 포함한다. 기판(401), 회로소자층(410), 표시층(420) 및 봉지박막(430)의 구체적 물질은 도 4 및 도 5를 설명한 바와 같으며, 구체적 방법은 도 7a를 참조하여 설명한 바와 같다. 앞서 도 12a를 참조하여 설명한 바와 같이, 회로소자층(410)을 형성하는 공정은, 단차부(450)를 형성하는 공정을 더 포함할 수 있으며, 단차부(450)는 앞서 도 10을 참조하여 설명한 단차부(350)와 동일하다.
보호필름층(460)은 공정 중 발생하는 이물질 등으로부터 디스플레이 장치를 보호한다. 예컨대, 보호필름층(460)은 PET, PEN, PI 등과 같은 플라스틱재와 같은 다양한 재료를 포함할 수 있다.
도 15a 및 도 15b를 참조하면, 보호필름층(460) 상에 배치된 연마 테이프(10)와 팁(20)을 이용한 기계적 연마법에 의하여 보호필름층(460), 봉지박막(430), 표시층(420), 회로소자층(410) 및 기판(401)의 일부들을 제거하여 관통부(TH)를 형성한다. 연마 테이프(10)는 연마 테이프 공급부(미도시)로부터 a 방향을 따라 봉지박막(130) 상으로 공급되고, 관통부(TH)를 형성한 후, b 방향을 따라 연마 테이프 회수부(미도시)를 향해 이동할 수 있다.
기계적 연마법에 의해 형성된 관통부(TH)의 깊이는 디스플레이 장치(400)의 전체 두께와 대응된다.
연마 테이프(10)와 팁(20)을 이용한 기계적 연마법에 따라 디스플레이 장치(400)의 각 층들, 예컨대 보호필름층(460)의 측면(460s)의 경사각(θ4), 봉지박막(430)의 측면(430s)의 경사각(θ3), 표시층(420)의 측면(420s)의 경사각(θ2), 회로소자층(410)의 측면(410s)의 경사각(θ1) 및 기판(401)의 측면(401s)의 경사각(θ0)은 각각 서로 다른 값을 가질 수 있다.
이후, 도 15c를 참조하면, 보호필름층(460)을 제거한다.
본 발명의 실시예들은 연마 테이프(10)와 팁(20)을 사용하는 공정을 이용하므로, 도 15c의 K 방향에서 보았을 때, 봉지박막(430)의 관통하는 영역을 통해 그 아래층인 표시층(420), 회로소자층(410), 및 기판(401)의 측면들이 노출될 수 있고, 표시층(420)의 관통하는 영역을 통해 회로소자층(410), 및 기판(401)의 측면들이 노출될 수 있으며, 회로소자층(410)의 관통하는 영역을 통해 기판(401)의 측면이 노출될 수 있다.
또한, 앞서 도 7b의 확대도를 참조하여 설명한 바와 마찬가지로, 국소적으로 표시층(420)을 이루는 각 층들(예컨대, 무기 배리어층, 캡핑층, 대향전극, 제2기능층 및 제1기능층) 각각의 경사각도 서로 다르게 형성되어, 각 층들의 관통 영역을 통해 아래의 층(들)이 노출될 수 있다. 유사하게, 봉지박막(430), 회로소자층(410) 및 기판(401)을 이루는 층들 각각의 경사각이 서로 다르게 형성될 수 있으며, 각층의 관통 영역을 통해 아래의 층(들)이 노출될 수 있다.
도 14, 및 도 15a 내지 도 15c를 참조하여 설명한 실시예에 따르면, 연마 테이프(10)와 팁(20)을 이용한 기계적 연마 공정이 보호필름층(460)으로부터 기판(401)을 향하는 방향으로 수행된 경우를 설명하였으나, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 기계적 연마 공정은 기판(401)으로부터 보호필름층(460)을 향하는 방향으로 수행될 수 있다. 이 경우에도, 전술한 실시예와 유사하게, 각 층의 경사각은 서로 다른 값을 가질 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10, 200, 300, 400: 디스플레이 장치
101, 201, 301, 401: 기판
110, 210, 310, 410: 회로소자층
120, 220, 320, 420: 표시층
130, 230, 330, 430: 봉지박막
140, 240: 추가 무기막

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상의 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터, 및 이들과 전기적으로 연결된 화소전극을 회로소자층;
    상기 회로소자층 상에 배치되며, 발광층, 상기 발광층 상의 대향전극, 및 상기 발광층과 상기 대향전극 사이와 상기 발광층과 상기 화소전극 사이 중 적어도 어느 하나에 배치되는 기능층을 포함하는 표시층;
    상기 발광층 상에 배치되며, 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함하는 봉지박막; 및
    상기 기판, 상기 회로소자층, 상기 표시층, 및 상기 봉지박막을 관통하는 관통부;
    를 포함하며,
    상기 관통부와 인접한 상기 표시층의 측면의 경사각은, 상기 관통부와 인접한 상기 기판의 측면, 상기 회로소자층의 측면 및 상기 봉지박막의 측면 중 어느 하나의 경사각과 다른, 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기능층은, 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 발광층은, 상기 대향전극 상의 캡핑층 및 무기 배리어층 중 어느 하나를 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 봉지박막 상의 추가 무기막을 더 포함하고,
    상기 추가 무기막은, 상기 적어도 하나의 유기막의 상기 관통부와 인접한 측면, 및 상기 표시층의 상기 측면을 덮는, 디스플레이 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 추가 무기막은 상기 회로소자층의 무기 절연층과 직접 접촉하는, 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 관통부와 인접한 언더컷 형상의 단차부를 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 단차부는 상기 표시층과 상기 기판 사이에 배치된, 디스플레이 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 단차부는, 서로 다른 소재의 제1층, 및 제2층을 포함하는, 디스플레이 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 수지재를 포함하는, 디스플레이 장치.
  10. 기판 상에 배치되며, 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터, 및 이들과 전기적으로 연결된 화소전극을 포함하는 회로소자층을 형성하는 단계;
    상기 회로소자층 상에 배치되며, 발광층, 대향전극, 상기 발광층과 상기 대향전극 사이와 상기 발광층과 상기 화소전극 사이 중 적어도 어느 하나에 배치되는 기능층을 포함하는 표시층을 형성하는 단계;
    상기 발광층 상에 배치되며, 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함하는 봉지박막을 형성하는 단계, 및
    상기 기판, 상기 회로소자층, 상기 표시층, 및 상기 봉지박막을 관통하는 관통부를 형성하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 관통부를 형성하는 단계는, 상기 봉지박막, 상기 표시층, 상기 회로소자층, 및 상기 기판 중 적어도 어느 하나의 일부를 제거하는 기계적 연마 법을 이용하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 관통부와 인접한 상기 표시층의 측면의 경사각은, 상기 관통부와 인접한 상기 기판의 측면, 상기 회로소자층의 측면 및 상기 봉지박막의 측면 중 어느 하나의 경사각과 다른, 디스플레이 장치의 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 표시층을 형성하는 단계에서, 상기 기능층은 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 표시층을 형성하는 단계는,
    상기 대향전극 상의 캡핑층 및 무기 배리어층 중 어느 하나를 더 형성하는 단계를 포함하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 기계적 연마법은 연마 테이프와 팁을 이용하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 관통부를 형성하는 단계는,
    상기 기계적 연마법을 이용해 상기 봉지박막의 일부 및 상기 표시층의 일부를 제거하여 예비 관통부를 형성하는 단계; 및
    상기 예비 관통부가 형성된 기판 상에 레이저 빔을 조사하는 단계;를 포함하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 예비 관통부가 형성된 상기 봉지박막 상에 추가 무기막을 형성하는 공정을 더 포함하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 회로소자층을 형성하는 단계는,
    상기 관통부와 인접한 언더컷 형상의 단차부를 형성하는 단계를 더 포함하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 단차부는, 서로 다른 소재의 제1층 및 제2층을 포함하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 관통부를 형성하는 단계는,
    상기 기계적 연마법을 이용해 상기 표시층의 일부를 제거하여 예비 관통부를 형성하는 단계; 및
    상기 예비 관통부가 형성된 기판 상에 레이저 빔을 조사하는 단계;를 포함하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 관통부를 형성하는 단계는,
    상기 기계적 연마법을 이용해 상기 봉지박막, 상기 표시층, 상기 회로소자층, 및 상기 기판 각각의 일부를 제거하여 관통부를 형성하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
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