KR102175991B1 - 디스플레이 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

디스플레이 장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102175991B1
KR102175991B1 KR1020140191126A KR20140191126A KR102175991B1 KR 102175991 B1 KR102175991 B1 KR 102175991B1 KR 1020140191126 A KR1020140191126 A KR 1020140191126A KR 20140191126 A KR20140191126 A KR 20140191126A KR 102175991 B1 KR102175991 B1 KR 102175991B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
substrate
pixel
disposed
insulating layer
Prior art date
Application number
KR1020140191126A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160080310A (ko
Inventor
이광훈
김무겸
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020140191126A priority Critical patent/KR102175991B1/ko
Priority to US14/885,828 priority patent/US10121842B2/en
Priority to TW104143786A priority patent/TWI694608B/zh
Priority to CN201511001468.3A priority patent/CN105742321B/zh
Priority to CN202011547803.0A priority patent/CN112670330A/zh
Publication of KR20160080310A publication Critical patent/KR20160080310A/ko
Priority to US16/181,254 priority patent/US10777630B2/en
Priority to US16/932,053 priority patent/US11411064B2/en
Priority to KR1020200144726A priority patent/KR102347533B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102175991B1 publication Critical patent/KR102175991B1/ko
Priority to US17/809,838 priority patent/US20240130176A9/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Psychiatry (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Business, Economics & Management (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Social Psychology (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Primary Health Care (AREA)
  • Dermatology (AREA)

Abstract

본 발명은 사용자의 편의성을 향상시킬 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 위하여, 기판; 상기 기판 상에 배치된 복수개의 화소부들; 상기 기판 상에 정의되고, 상기 복수개의 화소부들 중 서로 인접한 두 개의 화소부들 사이에 배치된, 이격영역; 상기 이격영역에 배치되고 상기 기판을 관통하는 내측면을 갖는, 관통부 및 상기 기판 상에 배치되고 상기 관통부의 상기 내측면을 덮으며, 상기 화소부들을 밀봉하도록 유기막과 무기막이 교번하여 배치되는, 봉지층을 구비하는, 디스플레이 장치 및 제조방법을 제공한다.

Description

디스플레이 장치 및 그 제조방법{Display apparatus and manufacturing method thereof}
본 발명은 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 사용자의 편의성을 향상시킬 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
근래에 디스플레이 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 특히, 디스플레이 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
한편 근래에 디스플레이 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 형태의 디스플레이 장치로 대체되는 추세이다.
그러나 이러한 종래의 평판 형태의 디스플레이 장치는 소정의 두께 및 제조 공정의 어려움으로 인하여 내구성을 향상하기 용이하지 않다. 특히, 최근 디스플레이 장치를 휴대 시 사용자의 의도에 따라 또는 제조 시에 변형, 예를 들면 휘거나 접는 등의 유연성을 요구하고 있는데, 이러한 유연성을 확보하면서 내구성을 유지하도록 디스플레이 장치를 제조하기 용이하지 않다.
이를 통하여 사용자의 편의성을 향상하는데 한계가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 사용자의 편의성을 향상시킬 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 배치된 복수개의 화소부들; 상기 기판 상에 정의되고, 상기 복수개의 화소부들 중 서로 인접한 두 개의 화소부들 사이에 배치된, 이격영역; 상기 이격영역에 배치되고 상기 기판을 관통하는 내측면을 갖는, 관통부 및 상기 기판 상에 배치되고 상기 관통부의 상기 내측면을 덮으며, 상기 화소부들을 밀봉하도록 유기막과 무기막이 교번하여 배치되는, 봉지층을 구비하는, 디스플레이 장치가 제공된다.
상기 관통부의 상기 내측면은 경사를 가질 수 있다.
상기 관통부의 상기 내측면은 계단 형상일 수 있다.
상기 복수개의 화소부들 각각은, 상기 기판 상에 배치된 화소전극, 상기 화소전극 상에 배치된 발광층을 포함하는 중간층, 상기 중간층을 덮으며 상기 화소전극과 대향하도록 배치된 대향전극을 포함할 수 있다.
상기 관통부의 상기 내측면은 상기 대향전극에서 상기 기판 측으로 갈수록 좁아지는 폭을 가질 수 있다.
상기 이격영역은 제1 이격영역 및 제2 이격영역을 구비하고, 상기 제1 이격영역은 상기 복수개의 화소부들 중 제1 방향으로 인접한 두 개의 화소부들 사이의 영역을 포함하고, 상기 제2 이격영역은 상기 복수개의 화소부들 중 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 인접한 두 개의 화소들 사이의 영역을 포함하고, 상기 관통부는 제1 관통부 및 제2 관통부를 포함하고, 상기 제1 관통부는 상기 제1 이격영역에 배치되고, 상기 제2 관통부는 상기 제2 이격영역에 배치될 수 있다.
상기 제1 관통부는 제2 방향을 따라 길게 연장된 형상을 갖고, 상기 제2 관통부는 제1 방향을 따라 길게 연장된 형상을 가질 수 있다.
상기 복수개의 화소부들에 전기적으로 연결되는 하나 이상의 배선을 더 포함하고, 상기 하나 이상의 배선은 상기 관통부와 중첩되지 않도록 배치될 수 있다.
상기 하나 이상의 배선은 일 방향으로 연장되고, 일 방향과 교차하는 타 방향으로 배치된 상기 관통부의 주변을 따라 일 방향과 교차하는 타 방향으로 돌출되어 굴곡되도록 배치될 수 있다.
상기 하나 이상의 배선은 복수개의 배선들을 구비하고, 상기 복수개의 배선들 중 서로 일 방향으로 인접한 두 개의 배선은 상기 관통부를 중심으로 서로 대칭되도록 배치될 수 있다.
상기 기판은 유연성을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 복수개의 화소부들이 위치하는 화소영역 및 상기 복수개의 화소부들 중 서로 인접한 두 개의 화소부들 사이에 형성된 이격영역을 갖는 기판을 준비하는 단계; 기판의 화소영역 상에 복수개의 화소부들을 형성하는 단계; 기판의 이격영역에 기판을 관통하는 내측면을 갖는 관통부를 형성하는 단계; 및기판 상에 형성되고 관통부의 내측면을 덮으며, 화소부들을 밀봉하도록 유기막과 무기막을 교번하여 봉지층을 형성하는 단계을 포함하는, 디스플레이 장치의 제조방법이 제공된다.
상기 관통부를 형성하는 단계에서 있어서, 관통부의 내측면은 경사를 갖거나 또는 단차를 갖도록 형성될 수 있다.
상기 복수개의 화소부들을 형성하는 단계는, 기판 상에 화소전극을 형성하는 단계; 화소전극 상에 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계; 및 중간층을 덮으며 화소전극과 대향하는 대향전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 관통부를 형성하는 단계는, 관통부의 내측면을 대향전극에서 기판 방향으로 갈수록 폭이 좁아지도록 형성할 수 있다.
기판 상에 반도체층, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 구비하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계;를 더 포함하고, 상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는, 반도체층과 게이트전극 사이에 게이트절연막을 형성하는 단계; 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극 사이에 층간절연막을 형성하는 단계; 및 게이트절연막과 층간절연막에, 반도체층에 소스전극 및 드레인전극이 전기적으로 연결되도록 하는 컨택홀을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 관통부를 형성하는 단계는, 제1 관통부를 형성하는 단계; 제2 관통부를 형상하는 단계; 제3 관통부를 형성하는 단계; 및 제4 관통부를 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 컨택홀을 형성하는 단계와 상기 제1 관통부를 형성하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.
박막트랜지스터 상에 박막트랜지스터의 소스전극 또는 드레인전극 중 하나가 노출되는 홀이 형성된 제1 절연층을 형성하는 단계;를 더 포함하고, 상기 제1 절연층을 형성하는 단계는 상기 제2 관통부를 형성하는 단계와 동시에 수행될 수 있다.
제1 절연층 상에 화소전극의 중앙부를 노출시키는 개구를 갖는 제2 절연층을 형성하는 단계;를 더 포함하고, 상기 제2 절연층을 형성하는 단계는 상기 제3관통홀을 형성하는 단계와 동시에 수행될 수 있다.
상기 제4 관통홀을 형성하는 단계는, 제1 관통홀과 대응되는 위치의 기판을 제거하여 제4 관통홀을 형성하는 단계일 수 있다.
상기 기판을 준비하는 단계에서, 기판은 유연성을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 사용자의 편의성을 향상시킬 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1의 A부분을 확대하여 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 취한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 2의 Ⅵ-Ⅵ선을 따라 취한 단면도들이다.
도 5는 도 1의 A부분을 확대하여 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 6은 도 1의 A부분을 확대하여 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 7은 도 6의 K부분을 확대하여 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 8 내지 도 12은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 제조하는 제조공정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
한편, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 "바로 위에" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 2는 도 1의 A부분을 확대하여 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 기판(100)을 포함한다. 기판(100)상에는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)이 정의된다. 표시 영역(DA)에는 하나 이상의 화소(PU) 및 관통부(400)가 형성된다.
기판(100)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 구체적으로 기판(100)은 유리, 금속 또는 유기물 기타 재질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 플렉서블 소재로 형성할 수 있다. 즉 기판(100)은 휘어지고 구부러지며 접거나 돌돌 말 수 있는 재질로 형성될 수 있다. 기판(100)을 형성하는 플렉서블 소재는 초박형 유리, 금속 또는 플라스틱일 수 있다. 기판(100)이 플라스틱을 포함하는 경우 플렉서블 기판(100)은 내열성 및 내구성이 우수하며, 곡면 구현이 가능한 특성을 가진 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재로 형성될 수 있다.
이러한 기판(100)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)으로 구획될 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수개의 화소(PU)들이 배치되는 영역으로 화상이 표시될 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수개의 화소(PU)들이 위치하는 화소영역과 화소영역 사이의 이격영역을 구비할 수 있다. 화소(PU)는 가시 광선을 구현할 수 있도록 표시 소자(미도시)를 구비할 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)과 인접하도록 형성될 수 있다. 도 1에는 비표시 영역(NDA)이 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 도시되어 있다. 다른 실시예로서 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 일 측면에 인접하도록 형성될 수 있다. 또 다른 실시예로서 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 두 개의 측면 또는 세 개의 측면에 인접하도록 형성될 수 있다. 또한, 경우에 따라 기판(100)상에 표시 영역(DA)만이 존재할 수 있다. 즉, 도시하지 않았으나 기판(100)에 비표시 영역(NDA)이 없이 표시 영역(DA)만 있을 수도 있다.
표시 영역(DA)에는 하나 이상의 화소(PU) 및 관통부(400)가 배치될 수 있다. 이때 일 화소(PU) 및 이와 인접한 다른 일 화소(PU)의 사이에는 이격영역(BA)이 배치될 수 있다. 관통부(400)는 이격영역(BA)에 배치될 수 있다. 경우에 따라 관통부(400)는 화소(PU)와 이격되도록 배치할 수 있다.
화소(PU)는 표시 소자를 구비하는데, 이는 유기발광소자일 수도 있고 액정 소자일 수도 있다. 이에 관하여는 자세히 후술한다.
관통부(400)는 기판(100)에 형성된다. 즉, 관통부(400)는 기판(100)을 관통하는 내측면을 갖도록 형성된다. 일 예로서 관통부(400)는 기판(100)의 일 영역을 식각등의 방법으로 제거하여 형성된 것일 수 있고, 또 다른 예로서 기판(100)의 제조 시 관통부(400)를 구비하도록 형성된 것일 수 있다. 기판(100)에 관통부(400)가 형성되는 과정의 예는 다양할 수 있고, 그 제조 방법에 제한은 없다. 관통부(400)는 화소(PU)와 이와 인접한 화소(PU)의 사이의 이격영역(BA)에 길게 연장된 형상을 가질 수 있다.
관통부(400)는 제1 관통부(410) 및 제2 관통부(420)를 포함한다. 이격영역(BA)은 제1 이격영역(BA1) 및 제2 이격영역(BA2)를 구비한다. 제1 관통부(410)는 제1 이격영역(BA1)에 배치되고, 제2 관통부(420)는 제2 이격영역(BA2)에 배치된다. 이하 관통부(400)에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
먼저, 이격영역(BA)은 제1 이격영역(BA1) 및 제2 이격영역(BA2)를 구비한다. 제1 이격영역(BA1)은 제1 방향, 예를 들면 도 2의 X축 방향으로 서로 인접한 두 개의 화소(PU)의 사이의 영역으로 이해될 수 있다. 제2 이격영역(BA2)은 제1 방향과 교차하는 제2 방향, 예를 들면 도 2의 Y축 방향으로 서로 인접한 두 개의 화소(PU)의 사이의 영역으로 이해될 수 있다. 경우에 따라 제1 방향과 제2 방향으로 서로 직교할 수 있다.
관통부(400)의 제1 관통부(410)는 제1 이격영역(BA1)에 배치될 수 있다. 제1 관통부(410)는 제1 방향(X축 방향)과 교차하는 방향, 예를 들면 제2 방향(Y축 방향)을 따라 길게 연장된 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 제1 관통부(410)는 제1 이격영역(BA1)을 지나치도록 형성될 수 있는데, 예를 들면 제1 이격영역(BA1)을 연장한 영역과 제2 이격영역(BA2)을 연장한 영역이 중첩된 영역에 대응되도록 형성될 수 있다.
또한 제1 관통부(410)는 제1 방향으로 인접한 두 개의 화소(PU)사이의 제1 이격영역(BA1)뿐만 아니라, 상기 제1 방향으로 인접한 두 개의 화소(PU)와 각각 제2 방향으로 인접한 두 개의 화소(PU)들 사이의 제1 이격영역(BA1)에 까지 대응되도록 길게 연장된 형태를 가질 수 있다.
이를 통해 제1 관통부(410)는 제1 방향으로 인접한 두 개의 화소(PU)의 각각의 일 측면에 대응되고, 상기 제1 방향으로 인접한 두 개의 화소(PU)와 각각 제2 방향으로 인접한 두 개의 화소(PU)의 각각의 일 측면에 대응될 수 있다. 예를 들면 한 개의 제1 관통부(410)를 중심으로 주변에 4개의 화소(PU)가 대응되도록 배치될 수 있다.
구체적으로 도 2에 도시된 것과 같이, 제1 관통부(410)의 상부에 제1 관통부(410)를 사이에 두고 좌우 양쪽에 2개의 화소(PU) 및 제1 관통부(410)의 하부에 제1 관통부(410)를 사이에 두고 좌우 양쪽에 2개의 화소(PU)가 대응되도록 배치될 수 있다.
관통부(400)의 제2 관통부(420)는 제2 이격영역(BA2)에 배치될 수 있다. 제2 관통부(420)는 제2 방향과 교차하는 방향, 예를 들면 제1 방향을 따라 길게 연장된 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 제2 관통부(420)는 제2 이격영역(BA2)을 지나치도록 형성될 수 있는데, 예를들면 제2 이격영역(BA2)을 연장한 영역과 제1 이격영역(BA1)을 연장한 영역이 중첩된 영역에 대응되도록 형성될 수 있다.
또한 제2 관통부(420)는 제2 방향으로 인접한 두 개의 화소(PU)사이의 제2 이격영역(BA2)뿐만 아니라, 상기 제2 방향으로 인접한 두 개의 화소(PU)와 각각 제1 방향으로 인접한 두 개의 화소(PU)들 사이의 제2 이격영역(BA2)에까지 대응되도록 길게 연장된 형태를 가질 수 있다.
이를 통해 제2 관통부(420)는 제2 방향으로 인접한 두 개의 화소(PU)의 각각의 일측면에 대응되고, 상기 제2 방향으로 인접한 두 개의 화소(PU)와 각각 제1 방향으로 인접한 두 개의 화소(PU)의 각각의 일측면에 대응될 수 있다. 예를들면 한 개의 제2 관통부(420)를 중심으로 4개의 화소(PU)가 대응되도록 배치될 수 있다.
구체적으로 도 2에 도시된 것과 같이, 제2 관통부(420)의 좌측에 제2 관통부(420)를 기준으로 상하 양쪽에 2개의 화소(PU) 및 제2 관통부(420)의 우측에 제2 관통부(420)를 기준으로 상하 양쪽에 2개의 화소(PU) 배치될 수 있다.
한편, 제1 관통부(410) 및 제2 관통부(420)는 서로 이격될 수 있다. 도 2를 참조하면 본 실시예의 디스플레이 장치(1)는 기판(100)에 관통부(400)가 형성되고, 관통부(400)가 복수의 제1 관통부(410) 및 복수의 제2 관통부(420)를 구비할 수 있다.
또한 복수의 제1 관통부(410) 중 서로 인접한 2 개의 제1 관통부(410)의 사이에 제2 관통부(420)가 배치될 수 있다. 복수의 제2 관통부(420) 중 서로 인접한 2 개의 제2 관통부(420)의 사이에 제1 관통부(410)가 배치될 수 있다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 취한 단면도이다. 도 3에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 표시 영역(DA)에 대해 자세히 설명한다. 상술한 것과 같이 본 발명의 표시 영역(DA)에 배치된 표시 소자들은 유기발광소자일 수도 있고, 액정 소자일 수도 있다. 본 실시예에서는 유기발광소자를 구비한 디스플레이 장치에 관하여 설명하기로 한다.
도 3을 참조하면, 기판 상에 박막트랜지스터(TFT) 및 커패시터가 배치되고, 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결되는 유기발광소자가 배치될 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(120), 게이트전극(140), 소스전극(160) 및 드레인전극(162)을 포함한다. 이하 박막트랜지스터(TFT)의 일반적인 구성을 자세히 설명한다.
먼저 기판(100) 상에는 기판(100)의 면을 평탄화하기 위해 또는 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(120)으로 불순물 등이 침투하는 것을 방지하기 위해, 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드 등으로 형성된 버퍼층(110)이 배치되고, 이 버퍼층(110) 상에 반도체층(120)이 위치하도록 할 수 있다.
반도체층(120)의 상부에는 게이트전극(140)이 배치되는데, 이 게이트전극(140)에 인가되는 신호에 따라 소스전극(160) 및 드레인전극(162)이 전기적으로 소통된다. 게이트전극(140)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
이때 반도체층(120)과 게이트전극(140)과의 절연성을 확보하기 위하여, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘나이트라이드 등으로 형성되는 게이트절연막(130)이 반도체층(120)과 게이트전극(140) 사이에 개재될 수 있다.
게이트전극(140)의 상부에는 층간절연막(150)이 배치될 수 있는데, 이는 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드 등의 물질로 단층으로 형성되거나 또는 다층으로 형성될 수 있다.
층간절연막(150)의 상부에는 소스전극(160) 및 드레인전극(162)이 배치된다. 소스전극(160) 및 드레인전극(162)은 층간절연막(150)과 게이트절연막(130)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(120)에 각각 전기적으로 연결된다. 소스전극(160) 및 드레인전극(162)은 도전성 등을 고려하여 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
한편 도면에는 도시되지 않았으나, 이러한 구조의 박막트랜지스터(TFT)의 보호를 위해 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 보호막(미도시)이 배치될 수 있다. 보호막은 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다.
한편, 기판(100)의 상에 제1 절연층(170)이 배치될 수 있다. 이 경우 제1 절연층(170)은 평탄화막일 수도 있고 보호막일 수도 있다. 이러한 제1 절연층(170)은 박막트랜지스터(TFT) 상부에 유기발광소자가 배치되는 경우 박막트랜지스터(TFT) 의 상면을 대체로 평탄화하게 하고, 박막트랜지스터(TFT) 및 각종 소자들을 보호하는 역할을 한다. 이러한 제1 절연층(170) 은 예컨대 아크릴계 유기물 또는 BCB(Benzocyclobutene) 등으로 형성될 수 있다. 이때 도 10에 도시된 것과 같이, 버퍼층(110), 게이트절연막(130), 층간절연막(150) 및 제1 절연층(170)은 기판(100)의 전면(全面)에 형성될 수 있다.
한편, 박막트랜지스터(TFT) 상부에는 제2 절연층(180)이 배치될 수 있다. 이경우 제2 절연층(180)은 화소정의막일 수 있다. 제2 절연층(180)은 상술한 제1 절연층(170) 상에 위치할 수 있으며, 개구를 가질 수 있다. 이러한 제2 절연층(180)은 기판(100) 상에 화소영역을 정의하는 역할을 한다.
이러한 제2 절연층(180)은 예컨대 유기 절연막으로 구비될 수 있다. 그러한 유기 절연막으로는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)와 같은 아크릴계 고분자, 폴리스티렌(PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 혼합물 등을 포함할 수 있다.
한편, 제2 절연층(180) 상에는 유기발광소자(200)가 배치될 수 있다. 유기발광소자(200)는 화소전극(210), 발광층(EML: Emission Layer)을 포함하는 중간층(220) 및 대향전극(230)을 포함할 수 있다.
화소전극(210)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. (반)투명 전극으로 형성될 때에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성될 수 있다. 반사형 전극으로 형성될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
제2 절연층(180)에 의해 정의된 화소영역에는 중간층(220)이 각각 배치될 수 있다. 이러한 중간층(220)은 전기적 신호에 의해 빛을 발광하는 발광층(EML: Emission Layer)을 포함하며, 발광층(EML)을 이외에도 발광층(EML)과 화소전극(210) 사이에 배치되는 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer) 및 발광층(EML)과 대향전극(230) 사이에 배치되는 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있다. 물론 중간층(220)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다.
발광층(EML)을 포함하는 중간층(220)을 덮으며 화소전극(210)에 대향하는 대향전극(230)이 기판(100) 전면(全面)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다.
대향전극(230)이 (반)투명 전극으로 형성될 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 대향전극(230)이 반사형 전극으로 형성될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 대향전극(230)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
한편 도 3을 참조하면, 유기발광소자(200)을 덮도록 기판(100) 상에 봉지층(300)이 배치될 수 있다. 도 3에는 도시되지 않았으나, 봉지층(300)은 하나 이상의 무기막(미도시)과 유기막(미도시)이 적층된 다층구조일 수 있다. 봉지층(300)을 다층구조로 형성하는 이유는, 봉지층(300)을 유기막 또는 무기막 만으로 형성할 경우 막 내부에 형성된 미세한 통로를 통해 외부로부터 산소나 수분 등이 침투하여 디스플레이부가 손상될 수 있기 때문이다. 이러한 봉지층(300)에 의해 화소부들이 외부와 차단되고 밀봉될 수 있다.
상기 유기막에 포함되는 유기물로는 예를 들어, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
또한 무기막에 포함되는 무기물로는 예를 들어, 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 도 2의 Ⅵ-Ⅵ선을 따라 취한 단면도들이다. 도 4a 내지 도 4c에서는 관통부(400)의 구조에 관한 실시예들을 설명한다.
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 이격영역(BA)에 관통부(400)가 배치될 수 있다. 도 4a내지 도 4c에서는 제1 이격영역(BA1)에 형성된 제1 관통부(410)의 단면을 도시하였으나, 제2 이격영역(BA2)에 형성된 제2 관통부(420) 역시 제1 관통부(410)와 동일한 구조를 가질 수 있다.
도 4a를 참조하면, 관통부(400)는 기판(100)을 관통하도록 형성되고, 기판(100)을 관통하는 내측의 내측면(400a)을 갖는다. 내측면(400a)은 기판(100)을 비롯하여 기판(100) 상에 배치된 하나 이상의 물질층들을 관통하며 형성된 단면을 의미한다. 일 실시예로 관통부(400)의 내측면(400a)은 기판(100)과 대략 수직으로 형성될 수 있다.
한편, 유기발광소자 상에는 유기막과 무기막이 교번하여 적층되는 봉지층(300)이 배치될 수 있는데, 봉지층(300)은 관통부(400)의 내측면(400a)을 덮도록 배치될 수 있다. 봉지층(300)이 관통부(400)의 내측면(400a)까지 덮도록 배치되지 않으면, 관통부(400)의 내측면(400a)으로 인해 단면이 노출된 하나 이상의 물질층들로 습기나 불순물이 유입되어 각종 소자부들을 손상시킬 수 있다. 따라서 봉지층(300)이 관통부(400)의 내측면(400a)을 덮도록 밀봉되어야 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 4b를 참조하면, 관통부(400)의 내측면(400a)은 경사를 갖도록 형성될 수 있다. 즉 관통부(400)의 내측면(400a)은 경사면일 수 있다. 관통부(400)의 내측면(400a)은 대향전극에서 기판(100) 측으로 갈수록 폭이 좁아지는 형상일 수 있다. 즉 관통부(400)의 내측면(400a)은 기판(100) 측이 개방된 V자 형상일 수 있다. 관통부(400)의 내측면(400a)의 경사는 기판(100)을 기준으로 예각을 이루며 형성될 수 있다.
관통부(400)의 내측면(400a)이 경사를 갖는다는 것은, 기판(100) 상에 배치된 하나 이상의 물질층들을 관통하며 형성된 단면이 경사를 갖는다는 것을 의미한다. 이러한 인위적인 경사면을 형성하기 위해서는 물질층을 패터닝하는 과정에서 하프-톤 마스크나 슬릿 마스크 등을 이용할 수 있다. 다만 내측면(400a)에 경사면을 갖는 관통홀을 형성하기 위한 제조방법 특정한 방법에 제한되지 않는다. 이를 통해 봉지층(300)을 형성할 때, 봉지층(300)이 관통홀의 내측면(400a)을 덮기에 매우 용이할 수 있다.
도 4c를 참조하면, 관통부(400)는 기판(100)을 관통하도록 형성되고, 기판(100)을 관통하는 내측의 내측면(400a)을 갖는다. 내측면(400a)은 기판(100)을 비롯하여 기판(100) 상에 배치된 하나 이상의 물질층들(190)을 관통하며 형성된 단면을 의미한다. 하나 이상의 물질층들(190)은 예컨대, 기판(100) 상에 배치되는 버퍼층(110), 게이트절언막(130), 층간절연막(150), 제1 절연층(170) 및 제2 절연층(180) 일 수 있다. 따라서 관통부(400)의 내측면(400a)은 각각의 물질층들이 관통부(400)의 내측면(400a)에 대응하는 단부면들(110a, 130a, 150a, 170a, 180a)을 포함할 수 있다.
한편 본 발명의 일 실시예로 관통부(400)의 내측면(400a)은 계단 형상으로 형성될 수 있다. 이는 상기 물질층들(190)의 단부면들(110a, 130a, 150a, 170a, 180a)이 각각 단차를 갖도록 형성되는 것을 의미한다. 관통부(400)의 내측면(400a)은 대향전극에서 기판(100) 측으로 갈수록 폭이 좁아지도록 형성될 수 있다. 즉 도 4c에서 일 단부면들(110a, 130a, 150a)이 관통부(400) 측으로 가장 돌출되도록 형성되고, 다른 단부면들(170a, 180a)이 단차를 갖도록 위에 적층될 수 있다. 물론 기판(100)(100)의 단부면(100a)는 일 단부면들(110a, 130a, 150a)과 동일한 면을 갖도록 형성되거나, 일 단부면들(110a, 130a, 150a) 보다 더 돌출되도록 형성될 수 있다.
도 4c에서는 버퍼층(110)의 단부면(110a), 게이트절연막(130)의 단부면(130a), 층간절연막(150)의 단부면(150a)가 동일한 면을 갖도록 형성되어 있다. 이는 제조 공정에서 반도체층(120)과 소스전극(160) 및 드레인전극(162)이 전기적으로 연결되도록 컨택홀을 형성하는 과정에, 버퍼층(110), 게이트절연막(130), 층간절연막(150)을 동시에 패터닝하기 때문인 것으로 이해될 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고 경우에 따라서는 단부면들(110a, 130a, 150a)이 각각 단차를 갖도록 형성할 수도 있다.
한편 봉지층(300)이 유기발광소자를 밀봉하며 상기 단부면들(110a, 130a, 150a, 170a, 180a)을 덮도록 기판(100) 전면(全面)에 걸쳐 배치될 수 있다. 이러한 관통홀의 내측면 구조를 통해, 봉지층(300)을 형성할 때 봉지층(300)이 관통홀의 내측면(400a)을 덮기에 매우 용이할 수 있다. 따라서 봉지층(300)이 관통부(400)의 내측면(400a)을 덮도록 밀봉되어 디스플레이 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 5은 도 1의 A부분을 확대하여 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 5를 참조하면 디스플레이 장치(1)는 기판(100) 및 하나 이상의 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)을 포함한다.
기판(100)상에는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)이 정의된다. 표시 영역(DA)에는 하나 이상의 화소(PU) 및 관통부(400)가 형성된다.
기판(100)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)으로 구획된다. 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)의 위치 등에 대한 내용은 전술한 실시예와 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다.
표시 영역(DA)에는 하나 이상의 화소(PU) 및 관통부(400)가 형성된다. 화소(PU)는 가시 광선을 구현하는 하나 이상의 표시 소자(미도시)를 구비하는데, 이에 대하여는 전술한 실시예에서 설명한 바와 같고, 도 3에서 설명한 구조를 적용할 수도 있다.
관통부(400)는 기판(100)에 형성된다. 관통부(400) 및 이격 영역(BA)은 전술한 실시예에서 설명한 바와 같으므로 구체적인 설명은 생략한다.
하나 이상의 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)은 화소(PU)와 전기적으로 연결되는 배선으로서 관통부(400)와 중첩되지 않고 이격되도록 형성된다.
하나 이상의 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)은 하나 이상의 제1 배선(SL1 내지 SL3)을 포함할 수 있다.
하나 이상의 제1 배선(SL1 내지 SL3)은 화소(PU)에 전기적으로 연결된다. 선택적 실시예로서, 제1 배선(SL1)은 제1 방향(도 5의 X축 방향)으로 배열된 일 열의 복수의 화소(PU)의 각각에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 배선(SL1)은 적어도 굴곡을 갖도록 형성된다. 즉 제1 배선(SL1)은 제1 방향으로 연장된 영역을 갖고, 제1 관통부(410)의 주변을 따라 제1 방향과 교차하는 제2 방향(도 9의 Y축 방향)으로 굴곡된 영역을 갖고, 제2 방향(도 9의 Y축 방향)으로 굴곡된 영역이란 제2 방향으로 돌출된 영역을 의미할 수 있다. 이를 통하여 제1 배선(SL1)은 제1 관통부(410) 및 제2 관통부(420)와 이격되도록 한다.
선택적 실시예로서, 제1 배선(SL2)은 제1 배선(SL1)의 아래, 즉 제1 방향과 교차하는 제2 방향(도 9의 Y축 방향)으로 인접하도록 배치되고, 제1 방향(도 9의 X축 방향)으로 배열된 일 열의 복수의 화소(PU)의 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 배선(SL2)은 적어도 굴곡을 갖도록 형성된다. 즉 제1 배선(SL2)은 제1 방향으로 연장된 영역을 갖고, 제1 관통부(410)의 주변을 따라 제2 방향으로 굴곡된 영역을 갖고, 제2 방향(도 9의 Y축 방향)으로 굴곡된 영역이란 제2 방향으로 돌출된 영역을 의미할 수 있다. 이를 통하여 제1 배선(SL2)은 제1 관통부(410) 및 제2 관통부(420)와 이격되도록 한다.
선택적 실시예로서, 제1 배선(SL2)은 제1 배선(SL1)과 대칭된 형태를 가질 수 있고, 구체적으로 제1 배선(SL2)과 제1 배선(SL1)은 제2 관통부(420)를 기준으로 대칭된 형태를 가질 수 있다.
제1 배선(SL3)은 제1 배선(SL1)과 동일한 형태를 갖는다. 제1 배선(SL3)은 제1 방향(도 9의 X축 방향)으로 배열된 일 열의 복수의 화소(PU)의 각각에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 배선(SL3)은 적어도 굴곡을 갖도록 형성된다. 즉 제1 배선(SL3)은 제1 방향으로 연장된 영역을 갖고, 제1 관통부(410)의 주변을 따라 제1 방향과 교차하는 제2 방향(도 9의 Y축 방향)으로 굴곡된 영역을 갖고, 제2 방향(도 9의 Y축 방향)으로 굴곡된 영역이란 제2 방향으로 돌출된 영역을 의미할 수 있다. 이를 통하여 제1 배선(SL3)은 제1 관통부(410) 및 제2 관통부(420)와 이격되도록 한다.
도시하지 않았으나, 제1 배선(SL3)의 아래에는 제1 배선(SL2)과 동일한 형태의 제1 배선(미도시)가 형성될 수 있다. 또한, 이러한 제1 배선(SL1, SL2, SL3)의 배열은 반복될 수 있다.
제1 배선(SL1, SL2, SL3)은 다양한 신호를 화소(PU)에 전달할 수 있는데, 선택적 실시예로서 제1 배선(SL1, SL2, SL3)은 화소(PU)에 스캔 신호를 전달할 수 있다. 또한 예로서, 제1 배선(SL1, SL2, SL3)은 도 7에 도시한 박막 트랜지스터의 게이트 전극(105)에 전기적으로 연결될 수 있다.
하나 이상의 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)은 하나 이상의 제2 배선(V1 내지 V3)을 포함할 수 있다. 하나 이상의 제2 배선(V1 내지 V3)은 화소(PU)에 전기적으로 연결된다. 선택적 실시예로서, 제2 배선(V1)은 제2 방향(도 5의 Y축 방향)으로 배열된 일 열의 복수의 화소(PU)의 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 배선(V1)은 적어도 굴곡을 갖도록 형성된다. 즉 제2 배선(V1)은 제2 방향으로 연장된 영역을 갖고, 제2 관통부(420)의 주변을 따라 제1 방향(도 9의 X축 방향)으로 굴곡된 영역을 갖고, 제1 방향으로 굴곡된 영역이란 제1 방향으로 돌출된 영역을 의미할 수 있다. 이를 통하여 제2 배선(V1)은 제1 관통부(410) 및 제2 관통부(420)와 이격되도록 한다.
선택적 실시예로서, 제2 배선(V2)은 제2 배선(V1)의 측면 방향(예를들면 우측), 즉 제2 방향과 교차하는 제1 방향(도 5의 x축 방향)으로 인접하도록 배치되고, 제2 방향으로 배열된 일 열의 복수의 화소(PU)의 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 배선(V2)은 적어도 굴곡을 갖도록 형성된다. 즉 제2 배선(V2)은 제2 방향으로 연장된 영역을 갖고, 제2 관통부(420)의 주변을 따라 제1 방향으로 굴곡된 영역을 갖고, 제1 방향으로 굴곡된 영역이란 제1 방향으로 돌출된 영역을 의미할 수 있다. 이를 통하여 제2 배선(V2)은 제1 관통부(410) 및 제2 관통부(420)와 이격되도록 한다.
선택적 실시예로서, 제2 배선(V2)은 제2 배선(V1)과 대칭된 형태를 가질 수 있고, 구체적으로 제2 배선(V2)과 제2 배선(V1)은 제1 관통부(410)를 기준으로 대칭된 형태를 가질 수 있다.
제2 배선(V3)은 제2 배선(V1)과 동일한 형태를 갖는다. 제2 배선(V3)은 제2 방향으로 배열된 일 열의 복수의 화소(PU)의 각각에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 배선(V3)은 적어도 굴곡을 갖도록 형성된다. 즉 제2 배선(V3)은 제2 방향으로 연장된 영역을 갖고, 제2 관통부(420)의 주변을 따라 제1 방향으로 굴곡된 영역을 갖고, 제1 방향으로 굴곡된 영역이란 제1 방향으로 돌출된 영역을 의미할 수 있다. 이를 통하여 제2 배선(V3)은 제1 관통부(410) 및 제2 관통부(420)와 이격되도록 한다.
도시하지 않았으나, 제2 배선(V3)의 우측에는 제2 배선(V2)과 동일한 형태의 제2 배선(미도시)이 형성될 수 있다. 또한, 이러한 제2 배선(V1, V2, V3)의 배열은 반복될 수 있다.
제2 배선(V1, V2, V3)은 다양한 신호를 화소(PU)에 전달할 수 있는데, 선택적 실시예로서 제2 배선(V1, V2, V3)은 화소(PU)에 전원 공급을 위한 신호를 전달할 수 있다. 또한 예로서, 제2 배선(V1, V2, V3)은 도 6 또는 도 7에 도시한 제1 전극(131) 또는 제2 전극(132)에 전기적으로 연결될 수 있다.
하나 이상의 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)은 하나 이상의 제3 배선(D1 내지 D3)을 포함할 수 있다.
하나 이상의 제3 배선(D1 내지 D3)은 화소(PU)에 전기적으로 연결된다. 선택적 실시예로서, 제3 배선(D1)은 제2 방향(도 5의 Y축 방향)으로 배열된 일 열의 복수의 화소(PU)의 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
제3 배선(D1)은 적어도 굴곡을 갖도록 형성된다. 즉 제3 배선(D1)은 제2 방향으로 연장된 영역을 갖고, 제2 관통부(420)의 주변을 따라 제1 방향(도 9의 X축 방향)으로 굴곡된 영역을 갖고, 제1 방향으로 굴곡된 영역이란 제1 방향으로 돌출된 영역을 의미할 수 있다. 이를 통하여 제3 배선(D1)은 제1 관통부(410) 및 제2 관통부(420)와 이격되도록 한다.
선택적 실시예로서 제3 배선(D1)은 제2 배선(V1 내지 V3)과 이격될 수 있다. 또한, 제3 배선(D1)의 제1 방향으로 굴곡된 영역에 대응되는 제2 관통부(420)와 제2 배선(V1 내지 V3)의 제1 방향으로 굴곡된 영역에 대응되는 제2 관통부(420)는 서로 다를 수 있고, 예를들면 서로 인접할 수 있다.
선택적 실시예로서, 제3 배선(D2)은 제3 배선(D1)의 측면 방향(예를들면 우측), 즉 제2 방향과 교차하는 제1 방향(도 9의 x축 방향)으로 인접하도록 배치되고, 제2 방향으로 배열된 일 열의 복수의 화소(PU)의 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
제3 배선(D2)은 적어도 굴곡을 갖도록 형성된다. 즉 제3 배선(D2)은 제2 방향으로 연장된 영역을 갖고, 제2 관통부(420)의 주변을 따라 제1 방향으로 굴곡된 영역을 갖고, 제1 방향으로 굴곡된 영역이란 제1 방향으로 돌출된 영역을 의미할 수 있다. 이를 통하여 제3 배선(D2)은 제1 관통부(410) 및 제2 관통부(420)와 이격되도록 한다.
선택적 실시예로서, 제3 배선(D2)은 제3 배선(D1)과 대칭된 형태를 가질 수 있고, 구체적으로 제3 배선(D2)과 제3 배선(D1)은 제1 관통부(410)를 기준으로 대칭된 형태를 가질 수 있다.
선택적 실시예로서 제3 배선(D2)은 제2 배선(V1 내지 V3)과 이격될 수 있다. 또한, 제3 배선(D2)의 제1 방향으로 굴곡된 영역에 대응되는 제2 관통부(420)와 제2 배선(V1 내지 V3)의 제1 방향으로 굴곡된 영역에 대응되는 제2 관통부(420)는 서로 다를 수 있고, 예를들면 서로 인접할 수 있다.
제3 배선(D3)은 제3 배선(D1)과 동일한 형태를 갖는다. 제3 배선(D3)은 제2 방향으로 배열된 일 열의 복수의 화소(PU)의 각각에 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 배선(D3)은 적어도 굴곡을 갖도록 형성된다. 즉 제3 배선(D3)은 제2 방향으로 연장된 영역을 갖고, 제2 관통부(420)의 주변을 따라 제1 방향으로 굴곡된 영역을 갖고, 제1 방향으로 굴곡된 영역이란 제1 방향으로 돌출된 영역을 의미할 수 있다. 이를 통하여 제3 배선(D3)은 제1 관통부(410) 및 제2 관통부(420)와 이격되도록 한다.
선택적 실시예로서 제3 배선(D3)은 제2 배선(V1 내지 V3)과 이격될 수 있다. 또한, 제3 배선(D3)의 제1 방향으로 굴곡된 영역에 대응되는 제2 관통부(420)와 제2 배선(V1 내지 V3)의 제1 방향으로 굴곡된 영역에 대응되는 제2 관통부(420)는 서로 다를 수 있고, 예를들면 서로 인접할 수 있다.
도시하지 않았으나, 제3 배선(D3)의 우측에는 제3 배선(D2)과 동일한 형태의 제3 배선(미도시)이 형성될 수 있다. 또한, 이러한 제3 배선(D1, D2, D3)의 배열은 반복될 수 있다.
제3 배선(D1, D2, D3)은 다양한 신호를 화소(PU)에 전달할 수 있는데, 선택적 실시예로서 제3 배선(D1, D2, D3)은 화소(PU)에 데이터 신호를 전달할 수 있다. 또한 예로서, 제3 배선(D1, D2, D3)은 도 7에 도시한 소스 전극(107) 또는 드레인 전극(108)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도시하지 않았으나 본 실시예의 디스플레이 장치(1)에 도 3, 도 4 및 도 5중 어느 하나를 선택적으로 적용할 수 있다.
본 실시예의 디스플레이 장치(1)는 기판(100)에 관통부(400)가 형성된다. 이를 통하여 기판(100)의 유연성을 향상하여 기판(100)의 무게를 감소할 수 있다. 또한 디스플레이 장치(1)가 벤딩(bending) 디스플레이 장치, 플렉시블(flexible) 디스플레이 장치 또는 스트레쳐블(stretchable) 디스플레이 장치로 적용 시 유연성을 향상하고 비정상적인 변형을 감소할 수 있다.
선택적 실시예로서 관통부(400)가 일 방향으로 연장된 형태의 제1 관통부(410)를 가지고, 이와 함께 상기 일 방향과 교차하는 일 방향으로 연장된 형태의 제2 관통부(420)를 가지므로 기판(100)에 대한 여러 방향으로의 휨, 구부림, 롤링 등의 변형시에도 기판(100)의 유연성을 확보하고, 기판(100)의 비정상적 변형을 방지하고 내구성을 향상할 수 있다. 이를 통하여 디스플레이 장치(1) 사용 시 사용자의 편의성을 향상할 수 있고, 특히 디스플레이 장치(1)를 웨어러블(wearable) 장치에 용이하게 적용할 수 있다.
또한, 선택적 실시예로서 관통부(400)의 제1 관통부(410)를 형성 시 일 방향으로 인접한 두 개의 화소(PU) 및 이와 인접한 또 다른 두 개의 화소(PU)에도 대응되도록 길게 연장된 형태로 형성할 수 있고, 이를 통하여 화소(PU)와 화소(PU)간 경계선에서의 변형 특성이 변하는 것을 완화하여 디스플레이 장치(1)의 내구성을 향상하고, 유연성이 필요한 디스플레이 장치(1), 예를들면 벤딩(bending) 디스플레이 장치, 플렉시블(flexible) 디스플레이 장치 또는 스트레쳐블(stretchable) 디스플레이 장치에 용이하게 적용할 수 있다.
또한, 선택적 실시예로서 관통부(400)의 제2 관통부(420)를 형성 시 제1 관통부(410)와 교차하는 방향으로 형성하고, 두 개의 화소(PU) 및 이와 인접한 또 다른 두 개의 화소(PU)에도 대응되도록 길게 연장된 형태로 형성할 수 있고, 이를 통하여 화소(PU)와 화소(PU)간 경계선에서의 변형 특성이 변하는 것을 완화하여 디스플레이 장치(1)의 내구성을 향상하고, 유연성이 필요한 디스플레이 장치(1), 예를들면 벤딩(bending) 디스플레이 장치, 플렉시블(flexible) 디스플레이 장치 또는 스트레쳐블(stretchable) 디스플레이 장치에 용이하게 적용할 수 있다.
또한, 본 실시예의 디스플레이 장치(1)는 화소(PU)와 전기적으로 연결되는 하나 이상의 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)을 포함하고, 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)은 관통부(400)와 중첩되지 않고 이격되도록 형성된다. 이를 통하여 관통부(400)를 통한 기판(100)의 유연성 향상 및 내구성 향상 효과가 감소되지 않는다. 또한, 하나 이상의 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)이 관통부(400)에 중첩되어 박리되거나 외부의 산소와 같은 기체에 오염되거나 수분에 의하여 변질되는 것을 차단할 수 있다.
하나 이상의 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)의 각 종류별 배선, 즉 배선(SL1 내지 SL3)은 일 방향으로 연장되고, 굴곡된 형태를 갖고, 일정한 주기를 갖고 반복될 수 있어, 배선(SL1 내지 SL3)으로 인한 화소(PU)별 불균일을 감소 또는 방지할 수 있다.
또한 배선(V1 내지 V3)은 일 방향으로 연장되고, 굴곡된 형태를 갖고, 일정한 주기를 갖고 반복될 수 있어, 배선(V1 내지 V3)으로 인한 화소(PU)별 불균일을 감소 또는 방지할 수 있다.
또한 배선(D1 내지 D3)은 일 방향으로 연장되고, 굴곡된 형태를 갖고, 일정한 주기를 갖고 반복될 수 있어, 배선(D1 내지 D3)으로 인한 화소(PU)별 불균일을 감소 또는 방지할 수 있다.
특히 동일한 방향으로 연장되고, 동일한 방향으로 배열된 화소(PU)들과 전기적으로 연결된 배선(V1 내지 V3) 및 배선(D1 내지 D3)을 서로 중첩되지 않도록 형성하여 서로간의 간섭을 최소화할 수 있다. 또한 배선(V1 내지 V3) 및 배선(D1 내지 D3)의 서로 굴곡된 영역이 서로 다른 제2 관통부(420)에 대응되도록 하여 배선(V1 내지 V3) 및 배선(D1 내지 D3)의 굴곡부에서의 간섭으로 인한 화소(PU)에서의 전기적 특성 감소를 방지할 수 있다.
도 6은 도 1의 A부분을 확대하여 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 7은 도 6의 K부분을 확대하여 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 6 및 도 7를 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 기판(100) 및 하나 이상의 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)을 포함한다.
기판(100)상에는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)이 정의된다. 표시 영역(DA)에는 하나 이상의 화소(PU1, PU2, PU3) 및 관통부(400)가 형성된다. 화소(PU1, PU2, PU3)의 각각은 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)를 구비할 수 있다.
기판(100)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)으로 구획된다. 관통부(400)는 기판(100)에 형성된다. 기판(100) 및 관통부(400)는 전술한 실시예에서 설명한 바와 같으므로 구체적인 설명은 생략한다.
본 실시예의 화소(PU1, PU2, PU3)의 각각은 하나 이상의 부화소(SP1, SP2, SP3)를 구비한다. 구체적인 예로서 화소(PU1)은 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)를 구비한다.
도 6에는 세 개의 부화소(SP1, SP2, SP3)가 도시되어 있으나, 본 실시예는 이에 한정되지 않고 한 개의 화소(PU1)에 두 개 또는 네 개 이상의 부화소가 구비될 수 있다. 선택적 실시예로서 일 화소(PU1)에 구비된 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)는 각각 다른 색의 가시 광선을 구현, 예를 들면 발광할 수 있다. 구체적인 예로서 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)는 각각 적색, 녹색 및 청색 계열의 가시 광선을 구현할 수 있다.
일 화소(PU1)에 구비된 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)는 일 방향, 예를 들면 도 6을 기준으로 X축 방향으로 순서대로 배열될 수 있다. 또한, 일 화소(PU1)와 인접한 다른 화소(PU2)는 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)를 구비하는데, 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)는 상기 일 방향과 교차하는 방향, 예를 들면 도 6을 기준으로 Y축 방향으로 순서대로 배열될 수 있다.
또한, 일 화소(PU2)와 인접한 다른 화소(PU3)는 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)를 구비하는데, 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)는 상기 일 방향과, 예를 들면 도 6을 기준으로 X축 방향으로 순서대로 배열될 수 있다. 선택적 실시예로서 화소(PU1, PU2, PU3)에 구비된 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)들이 모두 일 방향(X축 방향)으로 배열되거나 모두 이와 교차하는 일 방향(Y축 방향)으로 배열될 수 있다.
하나 이상의 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)은 하나 이상의 제1 배선(SL1 내지 SL3), 제2 배선(V1 내지 V3) 및 제3 배선(D1 내지 D3)을 포함할 수 있다. 하나 이상의 제1 배선(SL1 내지 SL3), 제2 배선(V1 내지 V3) 및 제3 배선(D1 내지 D3)은 화소(PU1, PU2, PU3)에 전기적으로 연결된다. 제1 배선(SL1 내지 SL3), 제2 배선(V1 내지 V3) 및 제3 배선(D1 내지 D3)의 배치에 관하여는 전술한 실시예와 동일한 바, 구체적인 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면서 설명하기로 한다. 도 7은 도 6의 K를 확대한 도면이다.
도 7을 참조하면 제1 배선(SL1)은 화소(PU1)의 부화소(SP1, SP2, SP3)에 전기적으로 연결된다. 제1 배선(SL1)은 다양한 형태를 가질 수 있다. 선택적 실시예로서 제1 배선(SL1)은 각 부화소(SP1, SP2, SP3)에 연결되도록 서로 이격 배치된 복수의 연결선(SL1c), 상기 복수의 연결선(SL1c)에 공통으로 연결된 공통선(SL1b) 및 상기 공통선(SL1b)과 연결되고 상기 부화소(SP1, SP2, SP3) 중 일 부화소, 예를들면 부화소(SP1)의 측면에 대응하도록 형성된 본체선(SP1a)을 구비한다.
제2 배선(V1)은 화소(PU1)의 부화소(SP1, SP2, SP3)에 전기적으로 연결된다. 제2 배선(V1)은 다양한 형태를 가질 수 있다. 선택적 실시예로서 제2 배선(V1)은 각 부화소(SP1, SP2, SP3)에 연결되도록 서로 이격 배치된 복수의 연결선(V1c), 상기 복수의 연결선(V1c)에 공통으로 연결된 공통선(V1b) 및 상기 공통선(V1b)과 연결되고 상기 부화소(SP1, SP2, SP3) 중 일 부화소, 예를들면 부화소(SP1)의 측면에 대응하도록 형성된 본체선(V1a)을 구비한다.
제3 배선(D1)은 화소(PU1)의 부화소(SP1, SP2, SP3)에 전기적으로 연결된다. 제3 배선(D1)은 다양한 형태를 가질 수 있다. 선택적 실시예로서 제3 배선(D1)은 각 부화소(SP1, SP2, SP3)에 연결되도록 서로 이격 배치된 복수의 연결선(D1c), 상기 복수의 연결선(D1c)에 공통으로 연결된 공통선(D1b) 및 상기 공통선(D1b)과 연결되고 상기 부화소(SP1, SP2, SP3) 중 일 부화소, 예를들면 부화소(SP3)의 측면에 대응하도록 형성된 본체선(D1a)을 구비한다.
본 실시예의 디스플레이 장치(1)는 기판(100)에 관통부(400)가 형성된다. 이를 통하여 기판(100)의 유연성을 향상하여 기판(100)의 무게를 감소할 수 있다.
또한 기판(100)의 영역 중 화소(PU1, PU2, PU3)들 사이의 이격영역(BA)에 형성되어 기판(100)의 변형, 즉, 기판(100)에 대한 휨, 구부림, 롤링 등이 발생 시 화소(PU1, PU2, PU3)들 주변에서의 기판(100)의 변형을 용이하게 하고, 변형 시의 응력 발생을 용이하게 감소 또는 차단할 수 있다. 즉, 디스플레이 장치(1)가 벤딩(bending) 디스플레이 장치, 플렉시블(flexible) 디스플레이 장치 또는 스트레쳐블(stretchable) 디스플레이 장치로 적용 시 유연성을 향상하고 비정상적인 변형을 감소할 수 있다.
선택적 실시예로서 관통부(400)가 일 방향으로 연장된 형태의 제1 관통부(410)를 가지고, 이와 함께 상기 일 방향과 교차하는 일 방향으로 연장된 형태의 제2 관통부(420)를 가지므로 기판(100)에 대한 여러 방향으로의 휨, 구부림, 롤링 등의 변형시에도 기판(100)의 유연성을 확보하고, 기판(100)의 비정상적 변형을 방지하고 내구성을 향상할 수 있다. 이를 통하여 디스플레이 장치(1) 사용 시 사용자의 편의성을 향상할 수 있고, 특히 디스플레이 장치(1)를 웨어러블(wearable) 장치에 용이하게 적용할 수 있다.
또한 선택적 실시예로서 복수의 제1 관통부(410) 중 서로 인접한 2 개의 제1 관통부(410)의 사이에 제2 관통부(420)를 배치하여 제1 관통부(410)의 일 방향의 연장으로 인한 기판(100)의 제1 관통부(410)의 길이 방향으로 발생할 수 있는 크랙의 발생을 차단할 수 있다.
또한, 복수의 제2 관통부(420) 중 서로 인접한 2 개의 제2 관통부(420)의 사이에 제1 관통부(410)를 배치하여 제2 관통부(420)의 일 방향의 연장으로 인한 기판(100)의 제2 관통부(420)의 길이 방향으로 발생할 수 있는 크랙의 발생을 차단할 수 있다.
또한, 본 실시예의 화소(PU1, PU2, PU3)들은 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)를 구비하고, 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)는 일 방향으로 배열되는데, 화소(PU1)의 부화소(SP1, SP2, SP3)들이 배열된 방향과 이와 인접한 부화소(SP1, SP2, SP3)들이 배열된 방향이 서로 교차된다. 이를 통하여 제1 관통부(410) 및 제2 관통부(420)의 배열 방향과 대응되도록 부화소(SP1, SP2, SP3)를 배열할 수 있다. 이를 통하여 제1 관통부(410) 및 제2 관통부(420)의 배열 방향이 다르더라도 화소(PU1, PU2, PU3)들에 대한 시각적 영향의 불균일성을 최소화하여 디스플레이 장치(1)의 화질 특성을 향상할 수 있다.
또한, 본 실시예의 디스플레이 장치(1)는 하나 이상의 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)을 포함하고, 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)은 관통부(400)와 중첩되지 않고 이격되도록 형성된다. 이를 통하여 관통부(400)를 통한 기판(100)의 유연성 향상 및 내구성 향상 효과가 감소되지 않는다. 또한, 하나 이상의 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)이 관통부(400)에 중첩되어 박리되거나 외부의 산소와 같은 기체에 오염되거나 수분에 의하여 변질되는 것을 차단할 수 있다.
하나 이상의 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)의 각 종류별 배선, 즉 배선(SL1 내지 SL3)은 일 방향으로 연장되고, 굴곡된 형태를 갖고, 일정한 주기를 갖고 반복될 수 있어, 배선(SL1 내지 SL3)으로 디스플레이 장치(1)의 불균일을 감소 또는 방지할 수 있다. 또한 배선(V1 내지 V3) 및 배선(D1 내지 D3)도 불균일을 감소 또는 방지할 수 있다.
특히 동일한 방향으로 연장된, 배선(V1 내지 V3) 및 배선(D1 내지 D3)을 서로 중첩되지 않도록 형성하여 서로간의 간섭을 최소화할 수 있다. 또한 배선(V1 내지 V3) 및 배선(D1 내지 D3)의 서로 굴곡된 영역이 서로 다른 제2 관통부(420)에 대응되도록 하여 배선(V1 내지 V3) 및 배선(D1 내지 D3)의 굴곡부에서의 간섭으로 인한 디스플레이 장치(1)의 전기적 특성 감소를 방지할 수 있다.
또한, 화소(PU1, PU2, PU3)이 각각 소정의 방향으로 배열된 부화소(SP1, SP2, SP3)을 구비하고, 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)의 각각이 부화소(SP1, SP2, SP3)에 연결되고, 관통부(400)와도 이격되도록 굴곡을 갖는데, 이를 위하여 배선들은 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)에 연결되는 복수의 연결선, 공통선 및 본체선을 가지므로 관통부(400)와 중첩됨 없이 배선(SL1 내지 SL3, V1 내지 V3, D1 내지 D3)을 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)에 용이하게 전기적으로 연결할 수 있다.
지금까지는 디스플레이 장치에 대해서만 주로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이러한 디스플레이 장치를 제조하는 디스플레이 장치의 제조방법 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 제조하는 제조공정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 8을 참조하면, 복수개의 화소부(PU)들이 위치하는 화소영역(PA) 및 복수개의 화소부(PU)들 중 서로 인접한 두 개의 화소부(PU)들 사이에 형성된 이격영역(BA)을 갖는 기판(100)을 준비하는 단계를 거칠 수 있다. 기판(100)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 구체적으로 기판(100)은 유리, 금속 또는 유기물 기타 재질로 형성할 수 있다. 선택적 실시예로서 기판(100)은 유연성을 갖는 플렉서블 소재로 형성할 수 있다.
기판(100) 상에 버퍼층(110), 게이트절연막(130) 및 층간절연막(150)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 또한 기판(100) 상에는 박막트랜지스터(TFT)를 형성하기 위한 반도체층(120), 게이트전극(140)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 게이트전극(140) 상에 층간절연막(150)을 적층한 후, 소스전극(160) 및 드레인전극(162)이 반도체층(120)과 전기적으로 연결되도록 컨택홀(CNT)을 형성할 수 있다.
이때 컨택홀(H1)을 형성하는 과정에서, 이격영역(BA)에 제1 관통홀(401)을 동시에 형성할 수 있다. 이를 통해 이격영역(BA)에 제1 관통홀(401)을 형성하는 과정을 별도의 마스크 추가 없이 형성할 수 있어 제조 단가를 절감할 수 있다.
제1 관통홀(401)을 통해, 버퍼층(110)의 단부면(110a), 게이트절연막(130)의 단부면(130a) 및 층간절연막(150)의 단부면(150a)이 노출될 수 있다. 단부면들(110a, 130a, 150a)은 제1 관통홀(401)의 제1 단부면(160a)일 수 있다. 이러한 제1 단부면(160a)은 동일면을 갖도록 형성될 수 있다. 이는 컨택홀(H1)을 형성하는 과정에서 제1 관통홀(401)을 형성하기 때문인 것으로 이해할 수 있다. 다른 실시예로 제1 단부면(160a)이 각각 다른 면을 갖도록 단차가 있는 형태로 형성될 수도 있다.
도 9를 참조하면, 게이트전극(140) 상에 컨택홀(H1)을 통해 반도체층(120)과 전기적으로 연결되는 소스전극(160) 및 드레인전극(162)을 형성할 수 있다. 소스전극(160) 및 드레인전극(162) 상에는 제1 절연층(170)을 적층할 수 있다. 제1 절연층(170)에는 화소전극(210)이 소스전극(160) 및 드레인전극(162) 중 어느 하나와 전기적으로 연결되도록 비아홀(H2)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다.
이때 비아홀(H2)을 형성하는 과정에서, 이격영역(BA)에 제2 관통부(420)을 동시에 형성할 수 있다. 이를 통해 이격영역(BA)에 제2 관통부(420)을 형성하는 과정을 별도의 마스크 추가 없이 형성할 수 있어 제조 단가를 절감할 수 있다.
제2 관통부(420)을 통해, 제2 단부면(170a)이 노출될 수 있다. 이는 비아홀(H2)을 형성하는 과정에서 제2 관통부(420)을 형성하기 때문인 것으로 이해될 수 있다. 이때 제2 관통부(420)의 폭은 제1 관통홀(401)의 폭보다 크게 형성될 수 있다.
도 10을 참조하면, 제1 절연층(170) 상에 화소전극(210)을 각 화소마다 패터닝하여 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 화소전극(210)은 제1 절연층(170)에 형성된 비아홀(H2)을 통해 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(160) 또는 드레인전극(162) 중 어느 하나와 전기적으로 연결될 수 있다.
화소전극(210)을 형성한 후, 화소전극(210)의 중앙부를 노출시키며 화소전극(210)의 가장자리를 덮도록 제2 절연층(180)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 제2 절연층(180)은 화소정의막으로 이해될 수 있다.
제2 절연층(180)이 화소전극(210)의 중앙부를 노출시키는 개구(H3)를 형성하는 과정에서, 이격영역(BA)에 제3 관통홀(403)을 동시에 형성할 수 있다. 이를 통해 이격영역(BA)에 제3 관통홀(403)을 형성하는 과정을 별도의 마스크 추가 없이 형성할 수 있어 제조 단가를 절감할 수 있다.
제3 관통홀(403)을 통해, 제3 단부면(180a)이 노출될 수 있다. 이는 개구(H3)를 형성하는 과정에서 제3 관통홀(403)을 형성하기 때문인 것으로 이해될 수 있다. 이때 제3 관통홀(403)의 폭은 제2 관통홀(402)의 폭보다 크게 형성될 수 있다.
즉, 제1 관통홀(401)이 가장 작은 폭을 갖도록 형성되고, 그 위에 제2 관통부(420)이 형성되며, 제3 관통홀(403)이 가장 큰 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 이로써 제1 단부면(160a), 제2 단부면(170a) 및 제3 단부면(180a)은 단차를 갖는 계단 구조를 갖도록 형성될 수 있다. 제1 단부면(160a)은 제2 단부면(170a)보다 돌출되도록 형성되고, 제2 단부면(170a)은 제3 단부면(180a) 보다 돌출되도록 형성될 수 있다. 도 9에서는 제1 단부면(160a), 제2 단부면(170a) 및 제3 단부면(180a)가 단차를 갖도록 형성한 구조를 도시하고 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니고, 관통홀의 단부면은 전술한 도 4a 내지 도 4c의 구조 중 하나를 가질 수 있다.
도 11을 참조하면, 제2 절연층(180)에 의해 노출된 화소전극(210) 상에 발광층을 포함한 중간층(220)을 형성할 수 있다. 그 후 중간층(220)을 덮도록 제2 절연층(180) 상에 화소전극(210)과 대향하는 대향전극(230)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 대향전극(230)은 기판(100) 전면(全面)에 형성될 수 있다. 따라서 도면에는 도시되지 않았으나, 제1 단부면(160a), 제2 단부면(170a) 및 제3 단부면(180a) 상에도 대향전극(230)이 형성될 수 있다.
그 후 제1 관통홀(401)과 동일하거나 더 작은 크기를 갖는 제4 관통홀(404)을 기판(100)에 형성할 수 있다. 제4 관통홀(404)을 기판(100)을 관통하도록 형성될 수 있다. 이러한 제4 관통홀(404)은 레이저 커팅을 이용하여 형성할 수 있고, 예컨대 펨토 레이저 등을 이용한 미세 패턴 가공을 통해 기판(100)의 일부를 제거할 수 있다.
도 12를 참조하면, 제1 관통홀(401)에 대응하는 기판(100)의 일부가 제거되어 제4 관통홀(404)이 형성될 수 있다. 따라서 이격영역(BA)에 형성된 관통부(400)는 제1 관통홀(401) 내지 제4 관통홀(404)이 중첩되어 형성될 수 있다. 또한 제4 관통홀(404)에 의해 제4 단부면(100a)이 노출될 수 있다. 제1 단부면(160a) 내지 제4 단부면(100a)는 관통부(400)의 내측면(400a)으로 이해될 수 있다.
관통부(400)의 내측면(400a)은 도 12와 같이 계단 형상으로 단차를 갖도록 형성되거나, 경사를 갖도록 형성될 수도 있다. 또한 관통부(400)의 내측면(400a)은 대향전극(230)에서 기판(100) 측으로 갈수록 폭이 좁아지도록 형성될 수 있다. 즉 하부가 개방된 V자 형상으로 형성될 수 있다.
도 12에서는 대향전극(230)이 제2 절연층(180) 상에 형성되고, 제1 단부면(160a) 내지 제4 단부면(100a) 상에는 형성되지 않는 것으로 도시되어 있으나, 경우에 따라 대향전극(230)은 패터닝 되지 않고 기판(100) 전면(全面)에 형성되므로, 관통부(400)의 내측면(400a)에도 대향전극(230)이 형성될 수 있다.
대향전극(230) 상에 봉지층(300)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 도 12에는 도시되어 있지 않으나, 봉지층(300)은 유기막과 무기막이 교번하여 적층된 다층 구조로 형성될 수 있다.
봉지층(300)은 유기발광소자를 밀봉하도록 형성되며, 관통부(400)의 내측면(400a)을 덮도록 형성된다. 봉지층(300)이 관통부(400)의 내측면(400a)까지 덮도록 배치되지 않으면, 관통부(400)의 내측면(400a)으로 인해 단면이 노출된 하나 이상의 물질층들로 습기나 불순물이 유입되어 각종 소자부들을 손상시킬 수 있다. 따라서 봉지층(300)이 관통부(400)의 내측면(400a)을 덮도록 밀봉되어야 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
100: 기판
200: 유기발광소자
300: 봉지층
400: 관통부
400a: 내측면
410: 제1 관통부
420: 제2 관통부
BA: 이격 영역
PU, PU1, PU2, PU3: 화소
SP1, SP2, SP3: 부화소

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치된, 게이트절연막;
    상기 게이트절연막 상에 배치된, 층간절연막;
    상기 층간절연막 상에 배치된, 제1 절연층;
    상기 제1 절연층 상에 배치되며, 각각이 화소전극, 상기 화소전극 상에 배치된 발광층을 포함하는 중간층, 상기 중간층을 덮으며 상기 화소전극과 대향하도록 배치된 대향전극을 포함하는 복수개의 화소부들;
    상기 화소전극의 가장자리를 덮으며 중앙부를 노출하는 개구를 갖는, 제2 절연층;
    상기 기판 상에 정의되고, 상기 복수개의 화소부들 중 서로 인접한 두 개의 화소부들 사이에 배치된, 이격영역;
    상기 이격영역에 배치되고 상기 기판을 관통하는 내측면을 갖는, 관통부; 및
    상기 기판 상에 배치되고 상기 관통부의 상기 내측면을 덮으며, 상기 화소부들을 밀봉하도록 유기막과 무기막이 교번하여 배치되는, 봉지층;을 구비하고,
    상기 관통부는,
    상기 게이트절연막 및 상기 층간절연막을 관통하는 제1 관통홀, 상기 제1 절연층을 관통하는 제2 관통홀, 상기 제2 절연층을 관통하는 제3 관통홀 및 상기 기판을 관통하는 제4 관통홀을 갖고,
    상기 봉지층은 상기 제1 관통홀, 상기 제2 관통홀, 상기 제3 관통홀 및 상기 제4 관통홀 각각의 내측면을 덮도록 직접 접촉하는, 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 관통부의 상기 내측면은 경사를 갖는, 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 관통부의 상기 내측면은 단차를 갖는, 디스플레이 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 관통부의 상기 내측면은 상기 대향전극에서 상기 기판 측으로 갈수록 좁아지는 폭을 갖는, 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 이격영역은 제1 이격영역 및 제2 이격영역을 구비하고,
    상기 제1 이격영역은 상기 복수개의 화소부들 중 제1 방향으로 인접한 두 개의 화소부들 사이의 영역을 포함하고,
    상기 제2 이격영역은 상기 복수개의 화소부들 중 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 인접한 두 개의 화소들 사이의 영역을 포함하고,
    상기 관통부는 제1 관통부 및 제2 관통부를 포함하고,
    상기 제1 관통부는 상기 제1 이격영역에 배치되고, 상기 제2 관통부는 상기 제2 이격영역에 배치되는, 디스플레이 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 관통부는 제2 방향을 따라 길게 연장된 형상을 갖고, 상기 제2 관통부는 제1 방향을 따라 길게 연장된 형상을 갖는, 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 복수개의 화소부들에 전기적으로 연결되는 하나 이상의 배선을 더 포함하고, 상기 하나 이상의 배선은 상기 관통부와 중첩되지 않도록 배치되는, 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 하나 이상의 배선은 일 방향으로 연장되고, 일 방향과 교차하는 타 방향으로 배치된 상기 관통부의 주변을 따라 일 방향과 교차하는 타 방향으로 돌출되어 굴곡되도록 배치되는, 디스플레이 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 하나 이상의 배선은 복수개의 배선들을 구비하고,
    상기 복수개의 배선들 중 서로 일 방향으로 인접한 두 개의 배선은 상기 관통부를 중심으로 서로 대칭되도록 배치되는, 디스플레이 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 유연성을 갖는, 디스플레이 장치.
  12. 복수개의 화소부들이 위치하는 화소영역 및 상기 복수개의 화소부들 중 서로 인접한 두 개의 화소부들 사이에 형성된 이격영역을 갖는 기판을 준비하는 단계;
    기판 상에 반도체층, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 구비하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
    기판의 화소영역 상에 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 복수개의 화소부들을 형성하는 단계;
    기판의 이격영역에 기판을 관통하는 내측면을 갖는 관통부를 형성하는 단계; 및
    기판 상에 형성되고 관통부의 내측면을 덮도록 내측면에 직접 접촉하며, 화소부들을 밀봉하도록 유기막과 무기막을 교번하여 봉지층을 형성하는 단계;
    을 포함하고,
    상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는,
    반도체층과 게이트전극 사이에 게이트절연막을 형성하는 단계;
    게이트전극과 소스전극 및 드레인전극 사이에 층간절연막을 형성하는 단계; 및
    게이트절연막과 층간절연막에, 반도체층에 소스전극 및 드레인전극이 전기적으로 연결되도록 하는 컨택홀을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 관통부를 형성하는 단계는, 게이트절연막 및 층간절연막을 관통하는 제1 관통홀을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 컨택홀을 형성하는 단계와 상기 제1 관통홀을 형성하는 단계는 동시에 수행되는, 디스플레이 장치의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 관통부를 형성하는 단계에서 있어서, 관통부의 내측면은 경사를 갖거나 또는 단차를 갖도록 형성되는, 디스플레이 장치의 제조방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 복수개의 화소부들을 형성하는 단계는,
    소스전극 및 드레인전극 상에 배치된 제1 절연층 상에 화소전극을 형성하는 단계;
    화소전극 상에 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계; 및
    중간층을 덮으며 화소전극과 대향하는 대향전극을 형성하는 단계;
    를 포함하는, 디스플레이 장치의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 관통부를 형성하는 단계는, 관통부의 내측면을 대향전극에서 기판 방향으로 갈수록 폭이 좁아지도록 형성하는, 디스플레이 장치의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 화소전극의 가장자리를 덮으며 중앙부를 노출시키는 개구를 갖는 제2 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 관통부를 형성하는 단계는,
    제1 절연층에 제2 관통홀을 형상하는 단계;
    제2 절연층에 제3 관통홀을 형성하는 단계; 및
    기판에 제4 관통홀을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 디스플레이 장치의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    박막트랜지스터 상에 박막트랜지스터의 소스전극 또는 드레인전극 중 하나가 노출되는 홀이 형성된 제1 절연층을 형성하는 단계;를 더 포함하고,
    상기 제1 절연층을 형성하는 단계는 상기 제2 관통홀을 형성하는 단계와 동시에 수행되는, 디스플레이 장치의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서,
    제1 절연층 상에 화소전극의 중앙부를 노출시키는 개구를 갖는 제2 절연층을 형성하는 단계;를 더 포함하고,
    상기 제2 절연층을 형성하는 단계는 상기 제3 관통홀을 형성하는 단계와 동시에 수행되는, 디스플레이 장치의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제4 관통홀을 형성하는 단계는, 제1 관통홀과 대응되는 위치의 기판을 제거하여 제4 관통홀을 형성하는 단계인, 디스플레이 장치의 제조방법.
  20. 제12항에 있어서,
    상기 기판을 준비하는 단계에서, 기판은 유연성을 갖는 물질로 형성되는, 디스플레 장치의 제조방법.
KR1020140191126A 2014-12-26 2014-12-26 디스플레이 장치 및 그 제조방법 KR102175991B1 (ko)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140191126A KR102175991B1 (ko) 2014-12-26 2014-12-26 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US14/885,828 US10121842B2 (en) 2014-12-26 2015-10-16 Display device and method of manufacturing the same
TW104143786A TWI694608B (zh) 2014-12-26 2015-12-25 顯示裝置
CN202011547803.0A CN112670330A (zh) 2014-12-26 2015-12-28 显示装置
CN201511001468.3A CN105742321B (zh) 2014-12-26 2015-12-28 显示装置
US16/181,254 US10777630B2 (en) 2014-12-26 2018-11-05 Display device and method of manufacturing the same
US16/932,053 US11411064B2 (en) 2014-12-26 2020-07-17 Display device comprising sub-pixels separated by through holes and having specified orientations
KR1020200144726A KR102347533B1 (ko) 2014-12-26 2020-11-02 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US17/809,838 US20240130176A9 (en) 2014-12-26 2022-06-29 Display device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140191126A KR102175991B1 (ko) 2014-12-26 2014-12-26 디스플레이 장치 및 그 제조방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200144726A Division KR102347533B1 (ko) 2014-12-26 2020-11-02 디스플레이 장치 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160080310A KR20160080310A (ko) 2016-07-08
KR102175991B1 true KR102175991B1 (ko) 2020-11-09

Family

ID=56165223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140191126A KR102175991B1 (ko) 2014-12-26 2014-12-26 디스플레이 장치 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (4) US10121842B2 (ko)
KR (1) KR102175991B1 (ko)
CN (2) CN112670330A (ko)
TW (1) TWI694608B (ko)

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104505373B (zh) * 2014-12-19 2017-11-21 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置及显示面板的制造方法
KR102552272B1 (ko) 2015-11-20 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102421577B1 (ko) * 2016-04-05 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102548461B1 (ko) 2016-06-10 2023-06-28 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR20180004488A (ko) * 2016-07-04 2018-01-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10210798B2 (en) 2016-07-04 2019-02-19 Samsung Display Co., Ltd. Display device having protective structure
KR102103962B1 (ko) * 2016-09-02 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 제조 방법
KR102656842B1 (ko) * 2016-10-24 2024-04-17 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR20180045968A (ko) * 2016-10-26 2018-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6807223B2 (ja) * 2016-11-28 2021-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20180072022A (ko) * 2016-12-20 2018-06-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106783881A (zh) * 2016-12-26 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法
KR20180076429A (ko) 2016-12-27 2018-07-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN206322700U (zh) * 2017-01-09 2017-07-11 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示器
US20190363290A1 (en) * 2017-03-30 2019-11-28 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and production method of said display device
CN107425039B (zh) * 2017-06-14 2020-01-21 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置
CN107316839B (zh) * 2017-06-30 2020-06-23 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
CN107452894B (zh) * 2017-07-31 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN107579171B (zh) * 2017-08-31 2019-07-30 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置
KR101957156B1 (ko) * 2017-09-05 2019-03-14 (주)코텍 터치스크린 패널
KR102083315B1 (ko) * 2017-09-11 2020-03-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102417112B1 (ko) * 2017-09-28 2022-07-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP7028616B2 (ja) * 2017-11-22 2022-03-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107731888B (zh) * 2017-11-23 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
JP2019102147A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置と表示装置の製造方法
KR102014179B1 (ko) * 2017-12-08 2019-08-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
KR102482534B1 (ko) * 2017-12-19 2022-12-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법
US10571758B2 (en) 2018-01-05 2020-02-25 Innolux Corporation Display device
US10690973B2 (en) 2018-01-19 2020-06-23 Innolux Corporation Electronic device
CN108321176B (zh) * 2018-02-02 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
KR102522591B1 (ko) * 2018-02-05 2023-04-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20190108212A (ko) 2018-03-13 2019-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
CN108400152B (zh) * 2018-03-30 2022-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示屏的制造方法及oled显示屏
WO2019183935A1 (en) * 2018-03-30 2019-10-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode display panel and display apparatus, fabricating method thereof
KR102583898B1 (ko) * 2018-04-30 2023-10-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN108682305B (zh) * 2018-05-21 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板及其制备方法、和柔性显示装置
KR20200003328A (ko) 2018-06-29 2020-01-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN208270884U (zh) * 2018-07-04 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 基板和显示装置
CN108962952B (zh) 2018-07-17 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN108899352B (zh) 2018-07-20 2020-11-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN109166889B (zh) * 2018-08-29 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN110931521B (zh) * 2018-08-29 2022-07-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
KR102608021B1 (ko) * 2018-09-03 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치 및 이의 제조 방법
KR20200034333A (ko) * 2018-09-21 2020-03-31 엘지이노텍 주식회사 디스플레이용 기판
WO2020065858A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置
CN109390357B (zh) * 2018-10-19 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN109216349B (zh) * 2018-10-31 2020-08-25 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
KR102612769B1 (ko) * 2018-11-09 2023-12-11 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
TWI679788B (zh) * 2018-11-13 2019-12-11 友達光電股份有限公司 畫素結構
JP7242706B2 (ja) * 2018-12-05 2023-03-20 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 伸縮可能な表示パネル、伸縮可能な表示装置および伸縮可能な表示パネルの製造方法
KR20200073544A (ko) * 2018-12-14 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102669514B1 (ko) 2018-12-24 2024-05-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치의 제조 방법
US11818912B2 (en) * 2019-01-04 2023-11-14 Apple Inc. Organic light-emitting diode display panels with moisture blocking structures
JP2020112647A (ja) * 2019-01-10 2020-07-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN109994657B (zh) * 2019-03-08 2021-09-28 云谷（固安）科技有限公司 Oled显示面板制作方法及由该方法制备的显示面板
KR20200109435A (ko) * 2019-03-12 2020-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200119452A (ko) * 2019-04-09 2020-10-20 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102704013B1 (ko) 2019-04-11 2024-09-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 모듈, 표시 모듈 제조 방법, 및 레이저 가공 방법
KR20200120803A (ko) 2019-04-11 2020-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
CN110212111B (zh) * 2019-05-30 2022-04-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制作方法、显示面板、显示装置
US20200403047A1 (en) 2019-06-18 2020-12-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN110289292B (zh) * 2019-06-27 2022-04-15 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示装置和显示基板的制作方法
CN110265470B (zh) 2019-07-01 2022-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN110289301B (zh) * 2019-07-09 2021-11-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN110379837B (zh) * 2019-07-22 2022-04-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、开孔方法及电子设备
CN110459694B (zh) * 2019-07-30 2021-11-05 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
CN110428740B (zh) 2019-08-07 2021-04-30 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元、显示面板及显示设备
EP3799129A1 (en) 2019-09-27 2021-03-31 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
KR20210052729A (ko) * 2019-10-30 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN110970483A (zh) * 2019-12-20 2020-04-07 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示基板及其制造方法
CN111276496B (zh) * 2020-02-17 2022-12-09 京东方科技集团股份有限公司 显示背板和显示装置
KR20210142808A (ko) * 2020-05-18 2021-11-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
CN113972217A (zh) * 2020-07-22 2022-01-25 京东方科技集团股份有限公司 柔性阵列基板和显示装置
KR20220016422A (ko) * 2020-07-31 2022-02-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN112490272B (zh) * 2020-11-27 2022-12-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
US20220238611A1 (en) * 2021-01-28 2022-07-28 Innolux Corporation Light emitting device
KR20230127930A (ko) 2022-02-24 2023-09-01 가톨릭대학교 산학협력단 유도만능줄기세포 유래 신경세포 분비단백질을 포함하는 신경 퇴행성 질환 예방, 개선 또는 치료용 조성물 내지 이의 용도
US20230317633A1 (en) * 2022-03-30 2023-10-05 Win Semiconductors Corp. Semiconductor chip

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004531753A (ja) 2001-02-16 2004-10-14 イグニス イノベーション インコーポレーテッド 可撓性表示装置
JP2008542834A (ja) * 2005-05-31 2008-11-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 柔軟なディスプレイデバイス
JP2014126574A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、および電子機器

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6410942B1 (en) * 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
JP2002278466A (ja) 2001-03-15 2002-09-27 Minolta Co Ltd 表示装置
WO2006129223A1 (en) * 2005-05-31 2006-12-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flexible display device
TW200705001A (en) * 2005-07-20 2007-02-01 Ind Tech Res Inst Pixel layout structure with flexibility for display
KR101373406B1 (ko) 2007-02-16 2014-03-13 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2009047902A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Hitachi Displays Ltd 表示装置
KR101499234B1 (ko) * 2008-06-27 2015-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 그 제조 방법 및 이에 사용되는섀도우 마스크
US9342176B2 (en) 2008-07-21 2016-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP2010072380A (ja) 2008-09-19 2010-04-02 Hitachi Displays Ltd 表示装置
KR101097454B1 (ko) 2009-02-16 2011-12-23 네오뷰코오롱 주식회사 Ｏｌｅｄ 패널의 화소 회로, 이를 이용한 표시 장치 및 ｏｌｅｄ 패널의 구동 방법
JP5532481B2 (ja) * 2009-05-13 2014-06-25 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 カラー画像表示方式、カラーフィルタ基板、カラー画素アレイ基板、画像表示装置及び電子機器
US8896505B2 (en) 2009-06-12 2014-11-25 Global Oled Technology Llc Display with pixel arrangement
KR20110132136A (ko) * 2010-06-01 2011-12-07 삼성전자주식회사 연결 구조를 이용한 발광소자 및 그 제조 방법
KR20120059946A (ko) 2010-12-01 2012-06-11 주식회사 오리온 디스플레이 패널용 후면 기판 및 디스플레이 패널, 후면 기판의 배기홀 형성방법
KR101306843B1 (ko) * 2012-02-24 2013-09-10 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
TWI518405B (zh) * 2014-01-24 2016-01-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製作方法
US9363889B2 (en) * 2014-08-27 2016-06-07 Sharp Laboratories Of America, Inc. Pixel design for flexible active matrix array
KR102300025B1 (ko) * 2014-10-08 2021-09-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102618354B1 (ko) * 2016-04-15 2023-12-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004531753A (ja) 2001-02-16 2004-10-14 イグニス イノベーション インコーポレーテッド 可撓性表示装置
JP2008542834A (ja) * 2005-05-31 2008-11-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 柔軟なディスプレイデバイス
JP2014126574A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
TWI694608B (zh) 2020-05-21
US20220330864A1 (en) 2022-10-20
CN112670330A (zh) 2021-04-16
US10777630B2 (en) 2020-09-15
KR20160080310A (ko) 2016-07-08
US20200350392A1 (en) 2020-11-05
US10121842B2 (en) 2018-11-06
US20190074345A1 (en) 2019-03-07
US20160190389A1 (en) 2016-06-30
US11411064B2 (en) 2022-08-09
CN105742321A (zh) 2016-07-06
US20240130176A9 (en) 2024-04-18
TW201624693A (zh) 2016-07-01
CN105742321B (zh) 2021-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102175991B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102410522B1 (ko) 디스플레이 장치
US11619969B2 (en) Display apparatus
KR102639568B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102586046B1 (ko) 디스플레이 장치
KR102696805B1 (ko) 디스플레이 장치
KR102643637B1 (ko) 디스플레이 장치
KR20220066024A (ko) 표시 장치
KR20220141273A (ko) 디스플레이 장치
KR20200046221A (ko) 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크
US9349754B2 (en) Display device and method for manufacturing the same
KR102370356B1 (ko) 디스플레이 장치
KR102426711B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치
KR20180049469A (ko) 디스플레이 장치
KR102347533B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102593533B1 (ko) 디스플레이 장치용 기판의 제조방법 및 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20240046858A (ko) 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant