KR20180045968A - 표시 장치 - Google Patents

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신재민
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김민우
강승배
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Abstract

본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 의한 표시 장치는, 화소가 제공되는 복수의 아일랜드와, 각각의 아일랜드 주변에 위치하며, 상기 화소에 연결되는 제1 배선들이 제공되는 복수의 브릿지를 포함하는 베이스층; 상기 베이스층 상에 제공되며, 상기 브릿지의 일부를 노출하는 개구부를 포함하는 무기절연층; 및 상기 개구부를 덮는 유기물층을 포함하고, 서로 인접한 아일랜드들은 상기 복수의 브릿지를 통해 연결되며, 상기 제1 배선들은 상기 유기물층 상에 제공될 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
현재 알려져 있는 표시 장치에는 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel: PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode device: OLED device), 전계 효과 표시 장치(field effect display: FED), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display device) 등이 있다.
유기 발광 표시 장치는 자발광(self-luminance) 특성을 가지며, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
최근에는 이러한 표시 장치가 휘거나 접거나, 또는 늘어날 수 있는 표시 장치가 개발되고 있다. 특히, 연신(延伸) 가능한 표시 장치에서는, 연신 가능한 기판 위에 발광 소자가 형성되는 데, 기판이 연신될 때 상부에 적층된 발광 소자 또는 배선들이 손상되는 문제가 있다.
본 발명은 연신 가능한 기판이 반복적으로 늘어나거나 수축되더라도, 상기 기판 위에 적층된 발광 소자가 손상되는 것을 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 데에 목적이 있다.
또한, 연신 가능한 기판이 반복적으로 늘어나거나 수축될 때 배선이 단락되는 등의 불량 발생을 최소화할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 데에 다른 목적이 있다.
본 발명의 실시예에 의한 표시 장치는, 화소가 제공되는 복수의 아일랜드와, 각각의 아일랜드 주변에 위치하며, 상기 화소에 연결되는 제1 배선들이 제공되는 복수의 브릿지를 포함하는 베이스층; 상기 베이스층 상에 제공되며, 상기 브릿지의 일부를 노출하는 개구부를 포함하는 무기절연층; 및 상기 개구부를 덮는 유기물층을 포함하고, 서로 인접한 아일랜드들은 상기 복수의 브릿지를 통해 연결되며, 상기 제1 배선들은 상기 유기물층 상에 제공될 수 있다.
또한, 상기 아일랜드는 사각 형상을 갖고, 상기 아일랜드의 각 변에 상기 브릿지가 연결될 수 있다.
또한, 상기 브릿지는 곡선부를 포함하며, 상기 곡선부는 상기 아일랜드의 일 측에 위치할 수 있다.
또한, 상기 곡선부는 일정한 곡률 반경을 가질 수 있다.
또한, 상기 베이스층은, 상기 아일랜드의 각 변에 연결되는 주변 영역을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 아일랜드의 일 변에 위치하는 상기 주변 영역과 상기 브릿지 사이에 슬릿이 형성되며, 상기 슬릿은 곡선부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 무기절연층은, 순차적으로 적층된 버퍼층, 게이트 절연막 및 층간 절연막을 포함할 수 있다.
또한, 상기 화소는 트랜지스터를 포함하며, 상기 트랜지스터는, 상기 버퍼층 상에 제공되는 반도체층; 상기 게이트 절연막 상에 제공되는 게이트 전극; 및 상기 층간 절연막 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 배선들은, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 포함된 재료와 동일한 재료를 포함할 수 있다.
또한, 상기 게이트 절연막 상에 제공되는 제1 도전층; 및 상기 층간 절연막 상에 제공되는 제2 도전층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 배선들은 상기 제2 도전층에 포함된 재료와 동일한 재료를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 도전층의 연신율이 상기 제1 도전층의 연신율보다 클 수 있다.
또한, 상기 유기물층은, 상기 무기절연층의 가장자리를 덮도록 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1 배선들은 상기 유기물층의 상부로부터 상기 층간 절연막의 상부까지 연장될 수 있다.
또한, 상기 제1 배선들은 상기 유기물층 상에만 제공되고, 상기 제1 배선들은 상기 제1 도전층을 통해 상기 제2 도전층과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 제1 배선들은 제1 접촉 구멍을 통해 상기 제1 도전층과 연결되며, 상기 제1 도전층은 상기 제2 접촉 구멍을 통해 상기 제2 도전층과 연결될 수 있다.
또한, 상기 층간 절연막 및 상기 제1 배선들 상에 위치하는 제1 보호층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 화소는 유기 발광 다이오드를 더 포함하며, 상기 유기 발광 다이오드는, 상기 층간 절연막 상에 위치하는 상기 제1 보호층 상에 제공된 제1 화소 전극; 상기 제1 화소 전극 상에 제공된 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 제공된 제2 화소 전극을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 화소 전극은, 상기 베이스층의 형상에 대응하여 일체(一體)로 형성되며, 상기 제1 배선들 상에 위치하는 상기 제1 보호층에 형성된 접촉 구멍을 통해, 상기 제1 배선들 중 적어도 어느 하나와 연결될 수 있다.
또한, 각 아일랜드 상에는, 제1 컬러를 표시하는 제1 화소, 제2 컬러를 표시하는 제2 화소, 제3 컬러를 표시하는 제3 화소가 제공될 수 있다.
본 발명에 따르면, 연신 가능한 기판이 반복적으로 늘어나거나 수축되더라도, 상기 기판 위에 적층된 발광 소자가 손상되는 것을 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 연신 가능한 기판이 반복적으로 늘어나거나 수축될 때 배선이 단락되는 등의 불량 발생을 최소화할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치에 포함된 기판을 나타낸 도면이다.
도 2는 기판 위에 형성되는 화소 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 베이스층을 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 하나의 아일랜드와 그에 연결된 브릿지들의 일부를 확대한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 화소의 등가 회로도이다.
도 6은 도 5에 도시된 화소의 구성을 도시한 평면도이다.
도 7은 도 6의 ⅩⅠ-ⅩⅠ'선에 따른 단면도이다.
도 8은 도 6의 ⅩⅡ-ⅩⅡ'선에 따른 단면도이다.
도 9는 도 4의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 단면도이다.
도 10은 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 단면도이다.
도 11은 도 4의 Ⅲ-Ⅲ'선에 따른 단면도이다.
도 12는 도 4에 도시된 곡선부의 곡률 반경에 따른 브릿지의 변형률을 나타낸 그래프이다.
도 13은 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 단면도로, 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
도 14는 도 4의 Ⅲ-Ⅲ'선에 따른 단면도로, 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
도 15는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 단면도로, 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
도 16a 내지 도 16c는 아일랜드 상에 제공되는 화소의 배치 관계를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 베이스층을 나타낸 평면도이다.
도 18은 도 17의 영역 A를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 19는 도 18에 도시된 곡선부의 형상에 따른 브릿지의 변형률을 나타낸 그래프이다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 본 발명과 관계없는 부분은 본 발명의 설명을 명확하게 하기 위하여 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
이하, 본 발명의 실시예들과 관련된 도면들을 참고하여, 본 발명의 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치에 대해 설명하도록 한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이고, 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치에 포함된 기판을 나타낸 도면이다.
도 1a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는, 표시 패널(300)과 표시 구동부(400)를 포함할 수 있다.
표시 패널(300)은 화소들(PXL), 화소들(PXL)에 연결된 데이터선들(D1~Dq) 및 주사선들(S1~Sp)을 포함할 수 있다.
각각의 화소들(PXL)은 데이터선들(D1~Dq) 및 주사선들(S1~Sp)을 통해 데이터 신호 및 주사 신호를 공급받을 수 있다.
또한, 화소들(PXL)은 제1 전원(ELVDD) 및 제2 전원(ELVSS)과 연결될 수 있다.
화소들(PXL)은 발광 소자(예를 들어, 유기발광 다이오드)를 포함할 수 있으며, 제1 전원(ELVDD)으로부터 발광 소자를 경유하여 제2 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류에 의해, 데이터 신호에 대응하는 빛을 생성할 수 있다.
표시 구동부(400)는 주사 구동부(410), 데이터 구동부(420) 및 타이밍 제어부(450)를 포함할 수 있다.
주사 구동부(410)는 주사 구동부 제어신호(SCS)에 응답하여 주사선들(S1~Sp)에 주사 신호들을 공급할 수 있다. 예를 들어, 주사 구동부(410)는 주사선들(S1~Sp)에 주사 신호들을 순차적으로 공급할 수 있다.
주사선들(S1~Sp)과의 연결을 위하여, 주사 구동부(410)는 화소들(PXL)이 형성된 기판(100) 상에 직접 실장되거나, 연성 회로 기판 등과 같은 별도의 구성 요소를 통해 기판(100)과 연결될 수 있다.
데이터 구동부(420)는 타이밍 제어부(450)로부터 데이터 구동부 제어신호(DCS)와 영상 데이터(DATA)를 입력 받아, 데이터 신호를 생성할 수 있다.
데이터 구동부(420)는 생성된 데이터 신호를 데이터선들(D1~Dq)에 공급할 수 있다.
데이터선들(D1~Dq)과의 연결을 위하여, 데이터 구동부(420)는 화소들(PXL)이 형성된 기판(100) 상에 직접 실장되거나, 연성 회로 기판 등과 같은 별도의 구성 요소를 통해 기판(100)과 연결될 수 있다.
특정 주사선으로 주사 신호가 공급되면, 상기 특정 주사선과 연결된 일부의 화소들(PXL)은 데이터선들(D1~Dq)로부터 전달되는 데이터 신호를 공급받을 수 있으며, 상기 일부의 화소들(PXL)은 공급받은 데이터 신호에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다.
타이밍 제어부(450)는 주사 구동부(410)와 데이터 구동부(420)를 제어하기 위한 제어신호들을 생성할 수 있다.
예를 들어, 상기 제어신호들은 주사 구동부(410)를 제어하기 위한 주사 구동부 제어신호(SCS)와, 데이터 구동부(420)를 제어하기 위한 데이터 구동부 제어신호(DCS)를 포함할 수 있다.
이때, 타이밍 제어부(450)는 외부 입력 신호를 이용하여 주사 구동부 제어신호(SCS)와 데이터 구동부 제어신호(DCS)를 생성할 수 있다.
예를 들어, 외부 입력 신호는 도트 클럭(DCLK), 데이터 인에이블 신호(DE), 수직 동기 신호(Vsync) 및 수평 동기 신호(Hsync)를 포함할 수 있다.
또한, 타이밍 제어부(450)는 주사 구동부 제어신호(SCS)를 주사 구동부(410)로 공급하고, 데이터 구동부 제어신호(DCS)를 데이터 구동부(420)로 공급할 수 있다.
타이밍 제어부(450)는 외부에서 입력되는 영상 데이터(RGB)를 데이터 구동부(420)의 사양에 맞는 영상 데이터(DATA)로 변환하여, 데이터 구동부(420)로 공급할 수 있다.
데이터 인에이블 신호(DE)는 유효한 데이터가 입력되는 기간을 정의하는 신호이며 1 주기는 수평 동기 신호(Hsync)와 같은 1 수평기간으로 설정될 수 있다.
도 1a에서는 주사 구동부(410), 데이터 구동부(420), 및 타이밍 제어부(450)를 개별적으로 도시하였으나, 상기 구성 요소들 중 적어도 일부는 필요에 따라 통합될 수 있다.
또한, 주사 구동부(410), 데이터 구동부(420), 및 타이밍 제어부(450)는 칩 온 글래스(Chip On Glass), 칩 온 플라스틱(Chip On Plastic), 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package), 칩 온 필름(Chip On Film) 등과 다양한 방식에 의하여 설치될 수 있다.
도 1b를 참조하면, 기판(100)은 상부에 형성되는 화소(PXL) 등을 지지하는 구조물일 수 있으며, 연신(延伸) 가능한 것으로서 일 방향으로 늘어나거나 줄어들 수 있다.
기판은 화소 영역(AA)과 주변 영역(NA)을 포함할 수 있다.
화소 영역(AA)에는 다수의 화소들(PXL)이 위치하며, 이에 따라 화소 영역(AA)에서는 소정의 영상을 표시할 수 있다. 따라서, 화소 영역(AA)은 표시 영역으로 지칭될 수 있다.
주변 영역(NA)에는 화소들(PXL)을 구동하기 위한 구성 요소들(예를 들어, 표시 구동부(400) 및 배선 등)이 위치할 수 있다. 주변 영역(NA)에는 화소들(PXL)이 존재하지 않으므로, 비표시 영역으로 지칭될 수 있다.
예를 들어, 주변 영역(NA)은 화소 영역(AA)의 외측에 존재할 수 있으며, 화소 영역(AA)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
기판(100)은 유리, 수지(resin) 등과 같은 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(100)은 휘거나 접힘이 가능하도록 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있고, 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 기판(100)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 2는 기판(100) 위에 형성되는 화소(PXL) 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판(100) 상에 형성되는 화소(PXL)는, 베이스층, 박막 트랜지스터, 제1 전극, 발광층 및 제2 전극 등을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터, 제1 전극, 발광층 및 제2 전극은 유기 발광 표시 장치를 이루는 주요 구성일 수 있다.
우선, 베이스층은 기판(100) 상에 위치할 수 있으며, 베이스층은 기판(100)이 연신될 때, 함께 연신 가능한 구조로 이루어질 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 베이스층을 나타낸 평면도이다.
도 3을 참조하면, 베이스층(110)은 기판(100) 상에 구비되는 것으로서, 아일랜드(island) 형태로 이루어질 수 있으며, 복수의 아일랜드(IS)와 복수의 브릿지(BR)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 복수의 아일랜드(IS)는 제1 축(x축) 및 제2 축(y축) 방향을 따라 규칙적으로 배열될 수 있다. 또한, 서로 인접한 아일랜드들(IS)은 적어도 어느 하나의 브릿지(BR)를 통해 서로 연결될 수 있다.
각 아일랜드(IS) 상에는 화소 구조(예를 들어, 박막 트랜지스터, 커패시터, 유기 발광 다이오드 등)가 형성될 수 있으며, 하나의 화소(PXL)가 형성될 수도 있고 복수의 화소(PXL)가 형성될 수도 있다.
각 브릿지(BR) 상에는 화소 구조에 전원 전압, 데이터 신호, 주사 신호 등을 공급하기 위한 배선들이 형성될 수 있다.
기판(100)이 연신되는 경우, 아일랜드(IS) 사이의 간격이 증가 또는 감소할 수 있다. 이 경우, 각 아일랜드(IS)의 형상은 변형되지 않을 수 있다. 즉, 아일랜드(IS)의 폭 및 높이가 증가 또는 감소되지 않을 수 있다. 따라서 아일랜드(IS) 상에 형성되는 화소(PXL)의 구조도 변형되지 않을 수 있다.
다만, 기판(100)이 연신되는 경우 아일랜드(IS)를 연결하는 브릿지들(BR)이 변형될 수 있다.
한편, 도 3에서는 각각의 아일랜드(IS)가 사각형인 것으로 도시되었으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 아일랜드(IS)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 아일랜드(IS)를 연결하는 브릿지(BR)의 형상 또한 도 3에 도시된 것에 제한되지 않고 다양하게 변형될 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 하나의 아일랜드와 그에 연결된 브릿지들의 일부를 확대한 도면이다.
도 4를 참조하면, 아일랜드(IS)는 제1 내지 제4 변(IS1~IS4)으로 둘러싸인 사각형 형상일 수 있다.
아일랜드(IS) 상에는 화소(PXL)가 형성될 수 있으며, 하나의 아일랜드(IS)에 하나의 화소(PXL)가 형성될 수도 있고, 복수의 화소(PXL)가 형성될 수도 있다. 예를 들어, 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)가 제공될 수 있다.
아일랜드(IS)의 제1 내지 제4 변(IS1~IS4) 각각에는 제1 내지 제4 브릿지(BR1~BR4)가 연결될 수 있다.
제1 브릿지(BR1)는 제1 변(IS1)의 일부와 연결되며, 제1 방향(x축 방향)을 따라 연장되도록 형성될 수 있다. 제1 브릿지(BR1)는 제1 변(IS1)과 연결되는 부분에서 구비되는 곡선부(CA)를 포함할 수 있다.
제2 브릿지(BR2)는 제2 변(IS2)의 일부와 연결되며, 제2 방향(y축 방향)을 따라 연장되도록 형성될 수 있다. 제2 브릿지(BR2)는 제2 변(IS2)과 연결되는 부분에서 구비되는 곡선부(CA)를 포함할 수 있다.
제3 브릿지(BR3)는 제3 변(IS3)의 일부와 연결되며, 제1 방향(x축 방향)을 따라 연장되도록 형성되며, 제1 브릿지(BR1)가 연장되는 방향과 반대 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다. 제3 브릿지(BR3)는 제3 변(IS3)과 연결되는 부분에서 구비되는 곡선부(CA)를 포함할 수 있다.
제4 브릿지(BR4)는 제4 변(IS4)의 일부와 연결되며, 제1 방향(y축 방향)을 따라 연장되도록 형성되며, 제2 브릿지(BR2)가 연장되는 방향과 반대 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다. 제4 브릿지(BR4)는 제4 변(IS4)과 연결되는 부분에서 구비되는 곡선부(CA)를 포함할 수 있다.
각 브릿지(BR1~BR4) 상에는 아일랜드(IS) 상에 형성된 화소(PXL)로 구동 전압, 주사 신호, 데이터 신호 등을 공급하기 위한 제1 배선(BL)들이 형성될 수 있다.
각 브릿지(BR1~BR4) 상에 제공되는 제1 배선들(BL)의 개수는 아일랜드(IS) 상에 형성되는 화소(PXL)의 개수에 따라 다양하게 변형될 수 있으며, 화소(PXL)를 형성하는 트랜지스터의 개수 등에 따라 다양하게 변형될 수도 있다.
또한, 각 브릿지(BR1~BR4) 상에 제공되는 제1 배선들(BL)의 개수는 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
브릿지(BR1~BR4) 상에 형성되는 제1 배선(BL)의 구조는 이하에서 도 9 내지 도 11을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 화소의 등가 회로도이고, 도 6은 도 5에 도시된 화소의 구성을 도시한 평면도이며, 도 7은 도 6의 ⅩⅠ-ⅩⅠ'선에 따른 단면도이고, 도 8은 도 6의 ⅩⅡ-ⅩⅡ'선에 따른 단면도이다.
이하에서는 도 5 내지 도 8을 참조하여, 아일랜드(IS) 상에 형성되는 화소(PXL)의 구조를 구체적으로 설명하도록 한다.
우선, 도 5를 참조하여, 각 아일랜드(IS) 위에 형성되는 화소(PXL)의 등가 회로도에 대해 설명하기로 한다.
도 5에 도시된 것과 같이, 화소(PXL)는 주사 신호를 전달하는 주사선(scan line, 121), 데이터 신호를 전달하는 데이터선(data line, 171), 구동 전압을 전달하는 구동 전압선(driving voltage line, 172)을 포함할 수 있다.
도 5에 도시된 주사선(121)은 도 1에 도시된 주사선들(S1~Sp) 중 어느 하나일 수 있고, 데이터선(171)은 도 1에 도시된 데이터선들(D1~Dq) 중 어느 하나 일 수 있으며, 구동 전압선(172)은 제1 전원(ELVDD)를 공급하는 선일 수 있다.
다음으로, 화소(PXL)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor; T1), 구동 트랜지스터(driving transistor; T2), 스토리지 커패시터(storage capacitor; Cst) 및 유기 발광 다이오드다이오드(organic light emitting diode; OLED)를 포함할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(T1)는, 게이트 전극, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3 노드(N3)와 연결될 수 있다. 구체적으로, 스위칭 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 제2 노드(N2)와 연결되고, 제2 전극은 제3 노드(N3)와 연결되며, 게이트 전극은 제1 노드(N1)와 연결될 수 있다.
이때, 제1 노드(N1)는 주사선(121)에 연결되고, 제2 노드(N2)는 데이터선(171)에 연결되며, 제3 노드(N3)는 구동 트랜지스터(T2)에 연결될 수 있다.
스위칭 트랜지스터(T1)는 주사선(121)으로부터 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어, 데이터선(171)으로부터 받은 데이터 신호를 스토리지 커패시터(Cst)로 공급할 수 있다.
이 때, 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전할 수 있다.
구동 트랜지스터(T2)는, 게이트 전극, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 제3 노드(N3), 제4 노드(N4) 및 제5 노드(N5)와 연결될 수 있다. 구체적으로, 구동 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제3 노드(N3)에 연결되고, 제1 전극은 제4 노드(N4)에 연결되며 제2 전극은 제5 노드(N5)에 연결될 수 있다.
이때, 제3 노드(N3)는 스위칭 트랜지스터(T1)의 제2 전극에 연결되고, 제4 노드(N4)는 구동 전압선(172)에 연결되며, 제5 노드(N5)는 유기 발광 다이오드다이오드(OLED)의 애노드 전극에 연결될 수 있다.
구동 트랜지스터(T2)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동 전압선(172)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류(Id)의 양을 제어할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(T2)의 제2 전극에 연결되는 애노드 전극과, 제2 전원(ELVSS)에 연결되는 캐소드 전극을 포함할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(T2)로부터 공급되는 전류(Id)의 양에 대응되는 빛을 생성할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나 또는 하나 이상의 빛을 고유하게 내는 유기 물질을 포함할 수 있으며, 유기 발광 표시 장치(1)는 이들 색의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시할 수 있다.
도 5에서, 트랜지스터들(T1, T2)의 제1 전극은 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나로 설정되고, 트랜지스터들(T1, T2)의 제2 전극은 제1 전극과 다른 전극으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극이 소스 전극으로 설정되면 제2 전극은 드레인 전극으로 설정될 수 있다.
또한, 도 5에서는 예시적으로 트랜지스터들(T1, T2)이 PMOS 트랜지스터인 것으로 도시하였으나, 다른 실시예에서는 트랜지스터들(T1, T2)이 NMOS 트랜지스터로 구현될 수 있다.
도 5에 도시된 화소(PXL)의 구조는 본 발명의 일 실시예일뿐이므로, 본 발명의 화소(PXL)가 상기 구조에 한정되는 것은 아니다. 실제로, 화소(PXL)는 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급할 수 있는 회로 구조를 가지며, 현재 공지된 다양한 구조 중 어느 하나로 선택될 수 있다.
즉, 도 5에 도시된 스위칭 트랜지스터(T1) 및 구동 트랜지스터(T2) 외에, 유기 발광 다이오드에 제공되는 전류를 보상하기 위한 부가적 트랜지스터 및 커패시터를 더 포함할 수 있다.
한편, 구동 전압선(172)을 통해 공급되는 제1 전원(ELVDD)은 고전위 전압이고, 제2 전원(ELVSS)은 저전위 전압일 수 있다.
예를 들어, 제1 전원(ELVDD)은 양전압으로 설정되고, 제2 전원(ELVSS)은 음전압 또는 그라운드 전압으로 설정될 수 있다.
하기에서는, 도 6 내지 도 8를 참조하여, 아일랜드(IS) 상에 형성되는 화소(PXL)의 적층 구조에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.
베이스층(110)은 기판(100) 위에 위치하는 것으로, 폴리이미드(Polyimide), 폴리아미드(Polyamide), 폴리아크릴계(polyacrylates) 등으로 이루어질 수 있다.
베이스층(110) 위에는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물을 포함하는 버퍼층(120)이 개재될 수 있다.
이러한 버퍼층(120)은 베이스층(110)의 상면의 평활성을 높이거나 베이스층(110) 등으로부터의 불순물이 박막 트랜지스터(T1)의 반도체층(135a)으로 침투하는 것을 방지하거나 최소화하는 역할을 할 수 있다.
버퍼층(120)은 단일막 구조를 가질 수도 있고, 다중층 구조를 가질 수도 있다.
버퍼층(120) 위에는 서로 이격된 위치에 스위칭 반도체층(135a) 및 구동 반도체층(135b)이 형성될 수 있다.
이러한 반도체층들(135a, 135b)은 폴리 실리콘 또는 산화물 반도체로 이루어질 수 있다.
산화물 반도체는 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 게르마늄(Ge), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 이들의 복합 산화물인 산화아연(ZnO), 인듐-갈륨-아연 산화물(InGaZnO4), 인듐-아연 산화물(Zn-In-O), 아연-주석 산화물(Zn-Sn-O), 인듐-갈륨 산화물 (In-Ga-O), 인듐-주석 산화물(In-Sn-O), 인듐-지르코늄 산화물(In-Zr-O), 인듐-지르코늄-아연 산화물(In-Zr-Zn-O), 인듐-지르코늄-주석 산화물(In-Zr-Sn-O), 인듐-지르코늄-갈륨 산화물(In-Zr-Ga-O), 인듐-알루미늄 산화물(In-Al-O), 인듐-아연-알루미늄 산화물(In-Zn-Al-O), 인듐-주석-알루미늄 산화물(In-Sn-Al-O), 인듐-알루미늄-갈륨 산화물(In-Al-Ga-O), 인듐-탄탈륨 산화물(In-Ta-O), 인듐-탄탈륨-아연 산화물(In-Ta-Zn-O), 인듐-탄탈륨-주석 산화물(In-Ta-Sn-O), 인듐-탄탈륨-갈륨 산화물(In-Ta-Ga-O), 인듐-게르마늄 산화물(In-Ge-O), 인듐-게르마늄-아연 산화물(In-Ge-Zn-O), 인듐-게르마늄-주석 산화물(In-Ge-Sn-O), 인듐-게르마늄-갈륨 산화물(In-Ge-Ga-O), 티타늄-인듐-아연 산화물(Ti-In-Zn-O), 하프늄-인듐-아연 산화물(Hf-In-Zn-O) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
반도체층들(135a, 135b)이 산화물 반도체로 이루어지는 경우에는 고온 등의 외부 환경에 취약한 산화물 반도체를 보호하기 위해 별도의 보호층이 더 추가될 수도 있다.
스위칭 반도체층(135a) 및 구동 반도체층(135b)은 각각 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(1355)과, 채널 영역(1355)의 양측에 각각 불순물이 도핑되어 형성된 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)으로 구분될 수 있다. 여기서, 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라지며, n형 불순물 또는 p형 불순물이 가능하다.
스위칭 반도체층(135a) 및 구동 반도체층(135b)의 채널 영역(1355)은 불순물이 도핑되지 않은 폴리 실리콘, 즉 진성 반도체(intrinsic semiconductor)를 포함할 수 있다.
그리고, 스위칭 반도체층(135a) 및 구동 반도체층(135b)의 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)은 도전성 불순물이 도핑된 폴리 실리콘, 즉 불순물 반도체(impurity semiconductor)을 포함할 수 있다.
스위칭 반도체층(135a) 및 구동 반도체층(135b) 위에는 게이트 전극과의 절연성을 확보하기 위한 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 단층 또는 복수 층일 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 게이트선(121), 상기 게이트선(121)으로부터 돌출되어 형성되는 스위칭 게이트 전극(125a), 제1 커패시터 전극(128) 및 상기 제1 커패시터 전극(128)으로부터 돌출되어 형성되는 구동 게이트 전극(125b)이 형성될 수 있다.
게이트 절연막(140) 상에 형성되는 게이트선(121) 및 제1 커패시터 전극(128)은 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 금속은 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있으며, 이외에도 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu) 중 적어도 하나, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
또한, 게이트선(121)은 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 금속들 및 합금들 중 2 이상 물질이 적층된 다중막으로 형성될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 다른 배선들이 게이트선(121) 및 제1 커패시터 전극(128)과 동일한 층에 동일한 재료로 제공될 수 있다.
게이트선(121)은 가로 방향으로 뻗어 있으며, 주사 신호를 스위칭 트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 이때, 게이트선(121)은 스위칭 반도체층(135a)으로 돌출한 스위칭 게이트 전극(125a)을 포함할 수 있다.
구동 게이트 전극(125b)은 제1 커패시터 전극(128)으로부터 구동 반도체층(135b)으로 돌출되어 형성될 수 있다.
스위칭 게이트 전극(125a) 및 구동 게이트 전극(125b)은 각각 채널 영역(1355)과 중첩한다.
한편, 게이트선(121), 스위칭 게이트 전극(125a), 제1 커패시터 전극(128) 및 구동 게이트 전극(125b) 상에는 층간 절연막(160)이 배치될 수 있다.
층간 절연막(160)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함할 수 있다.
층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)에는 소스 영역(1356)과 드레인 영역(1357)을 각각 노출하는 소스 접촉 구멍(61)과 드레인 접촉 구멍(62)이 형성될 수 있다.
또한, 층간 절연막(160)에는 제1 커패시터 전극(128)의 일부를 노출하는 스토리지 접촉 구멍(63)이 형성될 수 있다.
층간 절연막(160) 위에는 스위칭 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 구동 소스 전극(176b) 및 제2 커패시터 전극(178)을 포함하는 구동 전압선(172), 제1 커패시터 전극(128)과 연결되는 스위칭 드레인 전극(177a) 및 구동 드레인 전극(177b)이 구비될 수 있다.
층간 절연막(160) 상에 제공되는 전극들(또는 배선들)은 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu)와 같은 금속 중 적어도 하나, 또는 금속들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 전극들(또는 배선들)은 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 금속들 및 합금들 중 2 이상 물질이 적층된 다중막으로 형성될 수 있다.
도면에 도시되지 않았으나, 층간 절연막(160) 상에는 상술한 데이터선(171), 구동 전압선(172) 등 외에도 다른 전극들(또는 배선들)이 제공될 수 있으며, 상술한 데이터선(171), 구동 전압선(172) 등과 동일한 재료로 형성될 수 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 게이트선(121)과 교차하는 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 구동 전압선(172)은 구동 전압을 전달하기 위한 것으로, 데이터선(171)과 분리되어 형성되며 데이터선(171)과 평행하도록 연장되어 형성될 수 있다.
스위칭 소스 전극(176a)은 데이터선(171)으로부터 스위칭 반도체층(135a)을 향해서 돌출되도록 형성되며, 구동 소스 전극(176b)은 구동 전압선(172)으로부터 구동 반도체층(135b)을 향해서 돌출되도록 형성될 수 있다.
스위칭 소스 전극(176a)과 구동 소스 전극(176b)은 각각 소스 접촉 구멍(61)을 통해서 소스 영역(1356)과 연결될 수 있다.
스위칭 드레인 전극(177a)은 스위칭 소스 전극(176a)과 마주하고 구동 드레인 전극(177b)은 구동 소스 전극(176b)과 마주할 수 있다.
스위칭 드레인 전극(177a) 및 구동 드레인 전극(177b)은 각각 드레인 접촉 구멍(62)을 통해서 드레인 영역(1357)과 연결될 수 있다.
스위칭 드레인 전극(177a)은 연장되어 층간 절연막(160)에 형성된 접촉 구멍(63)을 통해서 제1 커패시터 전극(128) 및 구동 게이트 전극(125b)과 전기적으로 연결된다.
제2 커패시터 전극(178)은 구동 전압선(172)에서 돌출하여 제1 커패시터 전극(128)과 중첩하고 있다. 따라서, 제1 커패시터 전극(128)과 제2 커패시터 전극(178)은 층간 절연막(160)을 유전체로 하는 스토리지 커패시터(Cst)를 이룰 수 있다.
스위칭 반도체층(135a), 스위칭 게이트 전극(125a), 스위칭 소스 전극(176a) 및 스위칭 드레인 전극(177a)은 스위칭 트랜지스터(T1)를 이룰 수 있다.
구동 반도체층(135b), 구동 게이트 전극(125b), 구동 소스 전극(176b) 및 구동 드레인 전극(177b)은 구동 트랜지스터(T2)를 이룰 수 있다.
이러한 스위칭 트랜지스터(T1) 및 구동 트랜지스터(T2)는 스위칭 소자에 해당한다.
스위칭 소스 전극(176a), 구동 소스 전극(176b), 스위칭 드레인 전극(177a) 및 구동 드레인 전극(177b) 위에는 패시베이션층(180)이 제공될 수 있다.
패시베이션층(180)은 무기 재료로 이루어진 무기 절연막일 수 있다. 무기 재료로는 폴리실록산, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘산질화물 등이 이용될 수 있다. 패시베이션층(180)은 실시예에 따라 생략될 수도 있다.
패시베이션층(180) 상에는 제1 보호층(190)이 형성될 수 있다.
제1 보호층(190)은 유기 재료로 이루어진 유기 절연막일 수 있다. 유기 재료로는 폴리아크릴계 화합물, 폴리이미드계 화합물, 테프론과 같은 불소계 탄소 화합물, 벤조시클로부텐 화합물 등과 같은 유기 절연 물질이 이용될 수 있다.
제1 보호층(190) 위에는 제1 화소 전극(710)이 형성될 수 있다.
제1 화소 전극(710)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 투명한 도전 물질이나 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au) 등의 반사성 금속을 포함할 수 있다.
한편, 제1 화소 전극(710)은 패시베이션층(180)과 제1 보호층(190)에 형성된 접촉 구멍(181)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(T2)의 구동 드레인 전극(177b)과 전기적으로 연결되며, 유기 발광 다이오드(70)의 애노드 전극이 될 수 있다.
제1 보호층(190) 및 제1 화소 전극(710)의 가장자리부 위에는 화소 정의막(350)이 형성될 수 있다. 화소 정의막(350)은 제1 화소 전극(710)을 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 즉, 화소 정의막(350)은 각 화소에 대응하도록 화소 영역을 구획할 수 있다.
화소 정의막(350)은 유기 재료로 이루어진 유기 절연막이다. 유기 재료로는 폴리아크릴계 화합물, 폴리이미드계 화합물, 테프론과 같은 불소계 탄소 화합물, 벤조시클로부텐 화합물 등과 같은 유기 절연 물질이 이용될 수 있다.
화소 정의막(350)의 개구부에는 유기 발광층(720)이 제공될 수 있다.
유기 발광층(720)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 저분자 물질로는 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 포함할 수 있다. 이러한 물질들은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다. 고분자 물질로는 PEDOT, PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등을 포함할 수 있다.
유기 발광층(720)은 단일층으로 제공될 수 있으나, 다양한 기능 층을 포함하는 다중층으로 제공될 수 있다. 유기 발광층(720)이 다중 층으로 제공되는 경우, 정공 주입층(Hole Injection Layer), 정공 수송층(Hole Transport Layer), 발광층(Emission Layer), 전자 수송층(Electron Transport Layer), 전자 주입층(Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있다.
유기 발광층(720)이 이들 모두를 포함할 경우 정공 주입층이 애노드 전극인 제1 화소 전극(710) 위에 위치하고 그위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층될 수 있다.
이러한 유기 발광층(720)은 증착(evaporation), 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄방법, 레이저열전사방법(LITI; Laser induced thermal imaging) 등으로 형성할 수 있다.
유기 발광층(720)은 적색을 발광하는 적색 유기 발광층, 녹색을 발광하는 녹색 유기 발광층 및 청색을 발광하는 청색 유기 발광층을 포함할 수 있으며, 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층은 각각 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 형성되어 컬러 화상을 구현하게 된다.
또한, 유기 발광층(720)은 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층을 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 모두 함께 적층하고, 각 화소별로 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 형성하여 컬러 화상을 구현할 수 있다.
다른 예로, 백색을 발광하는 백색 유기 발광층을 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소 모두에 형성하고, 각 화소 별로 각각 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 형성하여 컬러 화상을 구현할 수도 있다.
다른 예에서 설명한 백색 유기 발광층은 하나의 유기 발광층으로 형성될 수 있음은 물론이고, 복수 개의 유기 발광층을 적층하여 백색을 발광할 수 있도록 한 구성까지 포함한다.
예를 들어, 적어도 하나의 옐로우 유기 발광층과 적어도 하나의 청색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성, 적어도 하나의 시안 유기 발광층과 적어도 하나의 적색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성, 적어도 하나의 마젠타 유기 발광층과 적어도 하나의 녹색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성 등도 포함할 수 있다.
화소 정의막(350) 및 유기 발광층(720) 위에는 제2 화소 전극(730)이 제공될 수 있다.
제2 화소 전극(730)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 등의 금속막 및/또는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등의 투명 도전성막으로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제2 화소 전극(730)은 금속 박막을 포함하는 이중막 이상의 다중막으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, ITO/Ag/ITO 의 삼중막으로 이루어질 수도 있다.
앞서 설명한 것과 같이, 제1 화소 전극(710)이 유기 발광 다이오드(70)의 애노드 전극이 됨에 따라, 제2 화소 전극(730)은 유기 발광 다이오드(70)의 캐소드 전극이 될 수 있다.
다만, 경우에 따라 제1 화소 전극(710)이 캐소드 전극이 되고, 제2 화소 전극(720)이 애노드 전극이 될 수도 있다.
제1 화소 전극(710), 유기 발광층(720) 및 제2 화소 전극(730)은 유기 발광 다이오드(70)를 이룬다.
도면에 도시되지는 않았으나, 제2 화소 전극(730) 위에는 유기 발광 다이오드(70)를 보호하는 봉지층(미도시)이 더 제공될 수 있다.
도 9는 도 4의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 단면도이고, 도 10은 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 단면도이며, 도 11은 도 4의 Ⅲ-Ⅲ'선에 따른 단면도이다.
하기에서는, 도 9 내지 도 11을 참조하여, 제1 브릿지(BR1) 상에 형성되는 제1 배선들(BL)의 적층 구조에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.
베이스층(110) 상에는 제2 보호층(195)이 제공될 수 있다.
버퍼층(120), 게이트 절연막(140) 및 층간 절연막(160)은, 베이스층(110)의 브릿지(BR1)를 노출하는 개구부(OA)를 포함할 수 있다.
즉, 버퍼층(120), 게이트 절연막(140) 및 층간 절연막(160)은 아일랜드(IS) 상에 주로 제공되고, 브릿지(BR1)에는 버퍼층(120), 게이트 절연막(140) 및 층간 절연막(160)이 일부에만 제공될 수 있다.
제2 보호층(195)은 상기 개구부(OA)를 덮도록 제공될 수 있으며, 버퍼층(120), 게이트 절연막(140) 및 층간 절연막(160)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다.
제2 보호층(195)은 유기 재료로 이루어진 유기 절연막일 수 있다. 유기 재료로는 폴리아크릴계 화합물, 폴리이미드계 화합물, 테프론과 같은 불소계 탄소 화합물, 벤조시클로부텐 화합물 등과 같은 유기 절연 물질이 이용될 수 있다.
제2 보호층(195) 상에는 제1 배선들(BL1~BL4)이 형성될 수 있다.
브릿지(BR1) 상에 제공된 제1 배선들(BL1~BL4)은 브릿지(BR1)의 형상을 따라 연장된다.
또한, 브릿지(BR1) 상에 제공된 제1 배선들(BL1~BL4)은 아일랜드(IS)까지 연장되어 제공될 수 있다. 아일랜드(IS)까지 연장된 제1 배선들(BL1~BL4)은 층간 절연막(160) 상에 위치할 수 있다.
브릿지(BR1)에서 아일랜드(IS)까지 연장된 제1 배선들(BL1~BL4)은, 층간 절연막(160) 상에 위치하는 전극들/배선들 중 일부와 연결될 수 있으며, 게이트 절연막(140) 상에 위치하는 전극들/배선들 중 일부와 전기적으로 연결될 수도 있다.
제1 배선들(BL1~BL4)은, 층간 절연막(160) 상에 제공되는 트랜지스터의 소스 전극(176a, 176b), 데이터선(171), 제2 커패시터 전극(178), 구동 전압선(172), 트랜지스터의 드레인 전극(177a, 177b) 등과 동일한 재료로 제공될 수 있다.
제1 배선들(BL1~BL4) 상에는 제1 보호층(190)이 형성될 수 있다.
브릿지(BL1) 상에 제공된 제1 보호층(190)은 아일랜드(IS)까지 연장되어 제공될 수 있으며, 패시베이션층(180)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다.
즉, 제1 배선(BL1~BL4)의 일부는 제1 보호층(190)에 의하여 보호되고, 나머지는 패시베이션층(180)에 의하여 보호될 수 있다.
제1 보호층(190) 상에는 제2 화소 전극(730)이 제공될 수 있으며, 제2 화소 전극(730)은 베이스층(110), 제2 보호층(195) 및 제1 보호층(190)을 덮도록 형성될 수 있다.
도면에 도시되지는 않았으나, 제2 화소 전극(730) 상에는 봉지층이 더 제공될 수도 있다.
무기물을 포함하는 버퍼층(120), 게이트 절연막(140) 및 층간 절연막(160)을 통칭하여 무기 절연층이라 할 수 있다. 또한, 제1 보호층(190) 및 제2 보호층(195)을 통칭하여 유기물층이라 할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면 상기 무기절연층은 브릿지(BR)에 대응하는 개구부(OA)를 가지며, 브릿지(BR)는 상기 개구부(OA)의 적어도 일부를 채우는 유기물층을 구비한다.
또한, 제1 배선(BL)은 브릿지(BR)를 거쳐 아일랜드(IS)로 연장되며, 제1 배선(BL)은 브릿지(BR)에서 유기물층 상에 위치한다. 제1 배선(BL)은 트랜지스터의 소스 전극이나 드레인 전극과 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.
본 발명의 의한 유기 발광 표시 장치(1)는 스트레쳐블(stretchable)한 것으로, 만일 무기절연층이 브릿지(BR)에서 개구부(OA)를 갖지 않아 아일랜드(IS)에서 브릿지(BR)에 이르기까지 연속적인 형상을 갖고, 제1 배선(BL)이 브릿지(BR)에서 무기절연층 상에 위치한다면, 기판(100) 연신될 때 제1 배선(BL)에 큰 인장 스트레스가 인가된다.
특히 무기절연층은 경도가 유기물층보다 높기에 브릿지(BR)에 존재하는 무기절연층에 크랙 등이 발생할 확률이 매우 높으며, 무기절연층에 크랙이 발생할 경우 무기절연층 상의 제1 배선(BL)에도 크랙 등이 발생하여 제1 배선(BL)의 단선 등의 불량이 발생할 확률이 매우 높게 된다.
하지만, 본 실시예에 따른 표시 장치의 경우, 무기절연층은 기판(100)이 연신되더라도 스트레스를 거의 받지 않는 베이스층(110)의 아일랜드(IS) 상에 주로 제공하고, 스트레스를 받는 브릿지(BR)에는 최소화하여 제공함으로써, 브릿지(BR)에서 제1 배선(BL)이 유기물층 상에 위치하도록 한다.
유기물층의 경우 유기물을 포함하는 특성 상 크랙이 발생할 확률이 낮으므로, 유기물층 상에 위치하는 제1 배선(BL)에 크랙 등이 발생하는 것을 방지하거나 발생확률을 최소화할 수 있다.
유기물층은 경도가 무기절연층보다 낮으므로, 기판(100)에 가해지는 인장 스트레스를 흡수하고, 따라서 제1 배선(BL)에 인장 스트레스가 집중되는 것을 효과적으로 최소화할 수 있다.
게이트 절연막(140) 상에 형성되는 전극들/배선들을 통칭하여 제1 도전층이라 할 수 있다. 또한, 층간 절연막(160) 상에 형성되는 전극들/배선들을 통칭하여 제2 도전층이라 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 브릿지(BR) 상에 제공되는 제1 배선들(BL)은 제2 도전층에 포함되는 재료와 동일한 재료를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 브릿지(BR) 상에 제공되는 제1 배선들(BL)에 연신율이 높은 물질이 포함되도록 함으로써, 제1 배선들(BL)에 크랙이 발생하거나 제1 배선들(BL)이 단선되는 등의 불량이 발생하지 않도록 할 수 있다.
아일랜드(IS)에서는, 제1 배선들(BL)보다는 연신율이 낮지만 제1 배선들(BL)과 상이한 전기적/물리적 특성을 갖는 물질로 형성된 제1 도전층을 형성함으로써 전기적 신호 전달의 효율성을 높이거나, 제조 과정에서의 불량 발생률을 낮출 수 있다.
예를 들어, 아일랜드(IS) 상에 제공되는 제1 도전층은 몰리브덴을 포함할 수 있고, 제2 도전층 및 제1 배선들(BL)은 알루미늄을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 유기물을 포함하는 제2 보호층(195)이 무기절연층의 가장자리와 브릿지(BR)를 덮도록 형성한 후 제2 보호층(195) 상에 제1 배선(BL)을 형성한다.
제1 배선(BL)은 제2 도전층(예를 들어, 트랜지스터의 소스 전극, 드레인 전극 등)과 동일 물질로 동시에 형성될 수 있으며, 베이스층의 전면(全面)에 도전층을 형성한 후 이를 패터닝하여 형성될 수 있다.
유기물층이 무기 절연층 개구부(OA)의 내측면을 덮지 않는 경우, 도전층을 패터닝하는 과정에서 도전성 물질이 버퍼층(120), 게이트 절연막(140), 층간 절연막(160) 등에서 제거되지 않고 잔존할 수 있다. 이 경우, 잔존하는 도전성 물질은 다른 도전층들 사이의 쇼트를 야기할 수 있다.
제2 브릿지 내지 제4 브릿지(BR2~BR4)의 구조는 상술한 제1 브릿지(BR1)의 구조와 유사할 수 있다. 즉, 제2 브릿지 내지 제4 브릿지(BR2~BR4)에서 무기절연층이 제거되고, 제1 배선들(BL)은 유기물층 상에 제공될 수 있다. 제2 브릿지 내지 제4 브릿지(BR2~BR4)에 제공되는 제1 배선들(BL)의 개수는 제1 브릿지(BR1)에 제공되는 제1 배선들(BL)의 개수와 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
도 12는 도 4에 도시된 곡선부의 곡률 반경에 따른 브릿지의 변형률을 나타낸 그래프이다. 특히, 제1 브릿지(BR1)의 외측변에서 제3 브릿지(BR3)의 외측변까지의 길이가 420um이고, 제2 브릿지(BR2)의 외측변에서 제4 브릿지(BR4)의 외측변까지의 길이가 420um인 것을 기준으로, 곡률 반경의 크기가 5um 내지 35um인 곡선부(CA)를 갖는 브릿지(BR)가 연신된 경우 측정된 브릿지(BR)의 최대 변형률을 나타낸 것이다.
도 4를 참조하면, 각 브릿지(BR)는 곡선부(CA)를 포함할 수 있다.
상기 곡선부(CA)는 아일랜드(IS)의 일 측에 위치할 수 있으며, 소정의 곡률 반경을 갖도록 만곡된 형상일 수 있다.
기판(100)이 연신되면, 브릿지(BR)가 변형되게 되며, 곡선부(CA)의 곡률 반경에 따라 브릿지(BR)의 변형률이 변할 수 있다.
도 12를 참조하면, 곡률 반경의 크기가 15um 내지 25um 인 경우, 브릿지(BR)의 최대 변형률이 낮게 나타난다.
구체적으로, 곡률 반경의 크기가 5um에서 20um로 증가할수록 최대 변형율이 낮아지고, 곡률 반경의 크기가 20um에서 35um로 증가할수록 최대 변형율이 커진다.
브릿지(BR)의 변형율이 높을수록 브릿지(BR) 상에 형성된 구조들(제1 보호층(190), 제1 배선들(BL), 제2 보호층(195) 등)에 크랙 등의 불량이 발생할 가능성이 높아지고, 반대로 브릿지(BR)의 변형율이 낮을수록 브릿지(BR) 상에 형성된 구조들에 크랙 등의 불량이 발생할 가능성이 낮아진다.
즉, 브릿지(BR)에 포함되는 곡선부(CA)는 15um 내지 25um인 곡률 반경을 갖도록 형성될 수 있다.
한편, 도 12를 참조하여, 제1 브릿지(BR1)의 외측변에서 제3 브릿지(BR3)의 외측변까지의 길이가 420um이고, 제2 브릿지(BR2)의 외측변에서 제4 브릿지(BR4)의 외측변까지의 길이가 420um일 때 최적의 곡률 반경을 설명한 것이므로, 아일랜드(IS)와 브릿지들(BR1~BR4)의 크기가 작아지면, 이에 대응하여 곡선부(CA)의 최적의 곡률 반경의 범위가 15um 내지 25um보다 작아질 수 있다. 또는 이와 반대로, 아일랜드(IS)와 브릿지들(BR)의 크기가 커지면, 이에 대응하여 곡선부(CA)의 최적의 곡률 반경의 범위가 15um 내지 25um보다 커질 수도 있다.
도 13은 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 단면도이고, 도 14는 도 4의 Ⅲ-Ⅲ'선에 따른 단면도로, 도 13 및 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 의한 브릿지 구조를 나타내는 도면이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 제1 배선들(BL)은 제2 전원(ELVSS)을 전달하기 위한 제1 배선(BL3)을 포함할 수 있다.
제1 보호층(190)에는 배선 접촉부(740)가 형성될 수 있으며, 배선 접촉부(740)는 제1 배선(BL3)의 일부를 노출하는 접촉 구멍 상에 제공될 수 있다. 배선 접촉부(740)는 브릿지(BR) 상에 제공되며, 경우에 따라 배선 접촉부(740)의 일부는 아일랜드(IS) 상에 제공될 수도 있다.
제2 화소 전극(730)은 배선 접촉부(740)를 통해 제1 배선(BL3)과 연결될 수 있다.
도 15는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 단면도로, 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
제1 배선들(BL)이 제2 보호층(195)을 지나 층간 절연막(160)까지 연장되어 제공되었던 것과 달리, 제1 배선들(BL)은 제2 보호층(195) 상에만 제공될 수 있다.
제2 보호층(195)과 층간 절연막(160)에는 게이트 절연막(140) 상에 제공된 게이트 배선(1211)의 일부를 노출하는 접촉 구멍(750)이 형성될 수 있다.
제1 배선들(BL)은 접촉 구멍(750)을 통해서 상기 게이트 배선(1211)과 전기적으로 연결될 수 있다.
아일랜드(IS)에서, 층간 절연막(160) 상에 제1 데이터선(1711)이 위치할 수 있으며, 층간 절연막(160)에는 게이트 배선(1211)의 일부를 노출하는 접촉 구멍(760)이 형성될 수 있다.
제1 데이터선(1711)은 접촉 구멍(760)을 통해서 게이트 배선(1211)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 데이터선(1711)과 제1 배선(BL)은 접촉 구멍(750, 760)과 게이트 배선(1211)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
즉, 브릿지(BR1) 상에 형성된 제1 배선들(BL)은, 아일랜드(IS)의 게이트 절연막(140) 상에 위치하는 배선을 거쳐, 아일랜드(IS)의 층간 절연막(160) 상에 위치하는 배선들/전극들과 연결될 수 있다.
한편, 게이트 배선(1211)은 상술한 게이트선(121)과 연결되는 것일 수 있고, 제1 배선(BL)과의 접촉을 위하여 게이트선(121)과 별개로 패터닝된 것일 수도 있다.
게이트 배선(1211)은 게이트 절연막(140) 상에 형성되는 전극들/배선들과 동일한 층에 동일한 물질로 형성된 것일 수 있다.
제1 데이터선(1711)은 상술한 데이터선(171)과 연결되는 것일 수 있고, 또는 구동 전압선(172), 소스 전극/드레인 전극과 연결되는 것일 수 있다.
제1 데이터선(1711)은 층간 절연막(160) 상에 형성되는 전극들/배선들과 동일한 층에 동일한 물질로 형성된 것일 수 있다.
도 16a 내지 도 16c는 아일랜드 상에 제공되는 화소들의 배치 관계를 예시적으로 나타낸 도면이다.
본 발명의 실시예에 의하면, 각 아일랜드(IS) 상에는 복수의 화소(PXL)가 제공될 수 있다. 각 화소(PXL)는 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)를 포함할 수 있으며, 화소들(PXL)은 다양한 형태로 배치될 수 있다.
도 16a를 참조하면, 하나의 아일랜드(IS) 상에 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)가 각각 하나씩 제공될 수 있다.
도 16b를 참조하면, 하나의 아일랜드(IS) 상에 적색 화소(R), 및 청색 화소(B)가 각각 하나씩 제공되고, 두 개의 녹색 화소(G)가 제공될 수 있다. 두 개의 녹색 화소(G)는 세로 방향을 따라 배열되고, 적색 화소(R)와 청색 화소(B)는 가로 방향을 따라 배열될 수 있다.
도 16c를 참조하면, 하나의 아일랜드(IS) 상에 적색 화소(R), 및 녹색 화소(G)가 각각 하나씩 제공되고, 제1 청색 화소(B1)와 제2 청색 화소(B2)가 제공될 수 있다.
이 경우, 제1 청색 화소(B1)와 제2 청색 화소(B2)는 파장이 서로 다른 청색 계열을 나타내는 것일 수 있다.
도 16a 내지 도 16c에서는 화소(PXL)가 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B) 중 어느 하나인 것으로 도시되었으나 본 발명이 이에 제한되지는 않는다. 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색 외에 다른 색을 나타낼 수도 있다. 또한, 아일랜드(IS)에 제공되는 화소(PXL)의 개수도 경우에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 베이스층을 나타낸 평면도이다.
도 17을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 베이스층(110')은 기판 상에 구비되는 것으로서, 아일랜드(island) 형태로 이루어질 수 있다.
구체적으로, 복수의 아일랜드(IS)는 제1 축(x축) 및 제2 축(y축) 방향을 따라 규칙적으로 배열될 수 있다.
각 아일랜드(IS) 상에는 상술한 화소(PXL)가 제공될 수 있으며, 하나의 화소(PXL)가 제공될 수도 있고 복수의 화소(PXL)가 제공될 수도 있다.
아일랜드(IS)는 제1 내지 재4 변(IS1~IS4)으로 둘러싸일 수 있으며, 아일랜드의 각 변(IS1~IS4)에는 브릿지(BR')와 주변 영역(PR)이 위치할 수 있다.
브릿지(BR')는 인접하는 아일랜드들(IS)을 연결할 수 있으며, 각 브릿지(BR') 상에는 화소(PXL)에 전원, 데이터 신호, 주사 신호 등을 공급하기 위한 배선들이 형성될 수 있다.
기판(100)이 연신 되는 경우, 아일랜드(IS) 사이의 간격이 증가 또는 감소할 수 있다. 이 경우, 각 아일랜드(IS)의 형상은 변형되지 않을 수 있다. 즉, 아일랜드(IS)의 폭 및 높이가 증가 또는 감소되지 않을 수 있다.
따라서 아일랜드(IS) 상에 형성되는 화소의 구조도 변형되지 않을 수 있다.
다만, 기판(100)이 연신되는 경우 아일랜드(IS)를 연결하는 브릿지들(BR')이 변형될 수 있다.
아일랜드(IS)의 어느 한 변(IS1~IS4)에 위치하는 브릿지(BR')와 주변 영역(PR) 사이에는 슬릿(S)이 형성될 수 있다. 슬릿(S)은 일단에 위치하는 곡선부(Sr)를 포함할 수 있다.
브릿지(BR')의 두께, 슬릿(S)의 길이, 슬릿(S)의 폭 등을 조절하여 연신율을 조절할 수 있다.
도 18은 도 17의 영역 A를 확대하여 나타낸 도면이다.
브릿지(BR')와 주변 영역(PR) 사이에 형성된 슬릿(S)은 직선부(Sl)와 곡선부(Sr)를 포함할 수 있다. 직선부(Sl)는 어느 한 방향을 따라 연장된 것일 수 있다.
곡선부(Sr)는 직선부(Sl)의 일단에 위치하며, 소정의 곡률을 갖도록 만곡된 형상일 수 있다. 곡선부(Sr)의 곡률 반경 또는 곡선부(Sr)의 길이에 따라 곡선부(Sr)의 양 단 사이의 각도(θ)가 변할 수 있다.
기판(100)이 연신되면, 브릿지(BR')가 변형되게 되며, 상기 각도(θ)의 크기에 따라 브릿지(BR')의 변형률이 변할 수 있다.
도 19는 도 18에 도시된 곡선부의 형상에 따른 브릿지의 변형률을 나타낸 그래프이다. 특히, 도 18에 도시된 각도가 0도 내지 90도인 슬릿(S)을 갖는 브릿지(BR')가 연신된 경우 측정된 브릿지(BR')의 최대 변형률을 나타낸 것이다.
도 19를 참조하면, 곡선부(Sr)의 양 단 사이의 각도(θ)가 0인 경우(슬릿(S)에 곡선부가 존재하지 않는 경우), 최대 변형율의 값이 가장 크다.
곡선부(Sr)의 양 단 사이의 각도(θ)가 0에서 45도로 증가할수록 브릿지(BR')의 최대 변형율의 값이 낮아진다.
곡선부(Sr)의 양 단 사이의 각도(θ)가 45도 내지 90도인 경우에는, 최대 변형율의 값이 거의 비슷하다.
브릿지(BR')의 변형율이 높을수록 브릿지(BR') 상에 형성된 구조들(제1 보호층(190), 제1 배선들(BL), 제2 보호층(195) 등)에 크랙 등의 불량이 발생할 가능성이 높아지고, 반대로 브릿지(BR')의 변형율이 낮을수록 브릿지(BR') 상에 형성된 구조들에 크랙 등의 불량이 발생할 가능성이 낮아진다.
즉, 슬릿(S)은, 곡선부(Sr)의 양 단 사이의 각도(θ)가 45도 내지 90도가 되도록 형성될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
1: 유기 발광 표시 장치
PXL: 화소
100: 기판
110: 베이스층
IS: 아일랜드
BR, BR': 브릿지
BL: 제1 배선
120: 버퍼층
140: 게이트 절연막
160: 층간 절연막
180: 패시베이션층
190: 제1 보호층
195: 제2 보호층

Claims (20)

  1. 화소가 제공되는 복수의 아일랜드와, 각각의 아일랜드 주변에 위치하며, 상기 화소에 연결되는 제1 배선들이 제공되는 복수의 브릿지를 포함하는 베이스층;
    상기 베이스층 상에 제공되며, 상기 브릿지의 일부를 노출하는 개구부를 포함하는 무기절연층; 및
    상기 개구부를 덮는 유기물층을 포함하고,
    서로 인접한 아일랜드들은 상기 복수의 브릿지 중 적어도 어느 하나를 통해 연결되며,
    상기 제1 배선들은 상기 유기물층 상에 제공되는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 아일랜드는 사각 형상을 갖고,
    상기 아일랜드의 각 변에 상기 브릿지가 연결되는 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 브릿지는 곡선부를 포함하며,
    상기 곡선부는 상기 아일랜드의 일 측에 위치하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 곡선부는 일정한 곡률 반경을 갖는 표시 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 베이스층은, 상기 아일랜드의 각 변에 연결되는 주변 영역을 더 포함하는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 아일랜드의 일 변에 위치하는 상기 주변 영역과 상기 브릿지 사이에 슬릿이 형성되며,
    상기 슬릿은 곡선부를 포함하는 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 무기절연층은, 순차적으로 적층된 버퍼층, 게이트 절연막 및 층간 절연막을 포함하는 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 화소는 트랜지스터를 포함하며, 상기 트랜지스터는,
    상기 버퍼층 상에 제공되는 반도체층;
    상기 게이트 절연막 상에 제공되는 게이트 전극; 및
    상기 층간 절연막 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 배선들은, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 포함된 재료와 동일한 재료를 포함하는 표시 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 게이트 절연막 상에 제공되는 제1 도전층; 및
    상기 층간 절연막 상에 제공되는 제2 도전층을 더 포함하는 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 배선들은 상기 제2 도전층에 포함된 재료와 동일한 재료를 포함하는 표시 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제2 도전층의 연신율이 상기 제1 도전층의 연신율보다 큰 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 유기물층은, 상기 무기절연층의 가장자리를 덮도록 제공되는 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 배선들은 상기 유기물층의 상부로부터 상기 층간 절연막의 상부까지 연장된 표시 장치.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 제1 배선들은 상기 유기물층 상에만 제공되고,
    상기 제1 배선들은 상기 제1 도전층을 통해 상기 제2 도전층과 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 배선들은 제1 접촉 구멍을 통해 상기 제1 도전층과 연결되며, 상기 제1 도전층은 상기 제2 접촉 구멍을 통해 상기 제2 도전층과 연결되는 표시 장치.
  17. 제7항에 있어서,
    상기 층간 절연막 및 상기 제1 배선들 상에 위치하는 제1 보호층을 더 포함하는 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 화소는 유기 발광 다이오드를 더 포함하며, 상기 유기 발광 다이오드는,
    상기 층간 절연막 상에 위치하는 상기 제1 보호층 상에 제공된 제1 화소 전극;
    상기 제1 화소 전극 상에 제공된 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층 상에 제공된 제2 화소 전극을 포함하는 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제2 화소 전극은,
    상기 베이스층의 형상에 대응하여 일체(一體)로 형성되며,
    상기 제1 배선들 상에 위치하는 상기 제1 보호층에 형성된 접촉 구멍을 통해, 상기 제1 배선들 중 적어도 어느 하나와 연결되는 표시 장치.
  20. 제1항에 있어서,
    각 아일랜드 상에는, 제1 컬러를 표시하는 제1 화소, 제2 컬러를 표시하는 제2 화소, 제3 컬러를 표시하는 제3 화소가 제공되는 표시 장치.
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