CN107994052B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明构思涉及一种显示装置。根据本发明构思的示例性实施例的显示装置包括：基体层，包括设置有像素的多个岛、设置为围绕所述多个岛中的每个的多个桥以及设置在所述多个桥中的与所述像素连接的桥中的多条第一布线；无机绝缘层，设置在基体层上并且具有使所述桥的一部分暴露的开口；以及有机材料层，覆盖所述开口，其中，所述多个岛中的相邻的岛通过所述多个桥中的至少所述桥而彼此连接，并且所述多条第一布线设置在有机材料层上。

Description

显示装置
本申请要求于2016年10月26日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0140234号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明构思涉及一种显示装置。
背景技术
目前，众所周知的显示装置包括液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器、场效应显示器(FED)、电泳显示器等。
与液晶显示器(LCD)不同，由于OLED显示器具有自发光特性并且不需要额外的光源，所以OLED显示器可以具有减小的厚度和重量。另外，因为OLED显示器以诸如低功耗、高亮度和高响应速度的高质量特性为特征，所以OLED显示器作为下一代显示装置正在受到关注。
近来，已经开发了可弯曲的、可折叠的或可扩展的显示装置。更具体地，在可拉伸显示装置中，由于发光元件形成在可拉伸基底上，所以当可拉伸基板被拉伸时，堆叠在可拉伸基底上部的发光元件或布线会被损坏。
发明内容
本发明构思的示例性实施例提供了一种即使可拉伸显示器被反复地延伸或收缩也能够防止设置在可拉伸显示器中的发光元件被损坏的有机发光二极管(OLED)显示器。
另外，本发明构思的示例性实施例提供了一种即使可拉伸显示器被反复地延伸或收缩也能够防止布线被切割的OLED显示器。
根据本发明构思的示例性实施例的显示装置包括：基体层，包括设置有像素的多个岛、设置为围绕所述多个岛中的每个的多个桥以及设置在所述多个桥中的与像素连接的桥中的多条第一布线；无机绝缘层，设置在基体层上并且具有使桥的一部分暴露的开口；以及有机材料层，覆盖开口，其中，所述多个岛中的相邻的岛通过所述多个桥中的至少所述桥而彼此连接，并且所述多条第一布线设置在有机材料层上。
另外，所述多个岛中的岛可以具有四边形形状，并且所述桥可以连接到所述岛的一侧。
另外，所述桥可以包括弯曲部分，并且弯曲部分可以设置在所述岛的一侧处。
另外，弯曲部分可以具有预定的曲率半径。
另外，基体层还可以包括连接到所述岛的所述一侧的外围区域。
另外，狭缝可以形成在设置在所述岛的所述一侧处的外围区域与所述桥之间，并且狭缝可以包括弯曲部分。
另外，无机绝缘层可以包括顺序地堆叠的缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层。
另外，所述像素可以包括晶体管，晶体管可以包括：半导体层，设置在缓冲层上；栅电极，设置在栅极绝缘层上；以及源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上。
另外，所述多条第一布线包括与源电极和漏电极中所包括的材料相同的材料。
另外，示例性实施例还可以包括设置在栅极绝缘层上的第一导电层和设置在层间绝缘层上的第二导电层。
另外，所述多条第一布线可以包括与第二导电层中所包括的材料相同的材料。
另外，第二导电层的延伸率可以大于第一导电层的延伸率。
另外，有机材料层可以覆盖无机绝缘层的边缘。
另外，所述多条第一布线可以从有机材料层的上部延伸到无机绝缘层的上部。
另外，所述多条第一布线可以仅设置在有机材料层上，并且所述多条第一布线可以通过第一导电层电连接到第二导电层。
另外，多条第一布线可以通过第一接触孔连接到第一导电层，并且第一导电层可以通过第二接触孔连接到第二导电层。
另外，示例性实施例还可以包括设置在层间绝缘层和所述多条第一布线上的第一保护层。
另外，像素还可以包括有机发光二极管(OLED)，OLED包括：第一像素电极，设置在位于层间绝缘层上的第一保护层上；有机发射层，设置在第一像素电极上；以及第二像素电极，设置在有机发射层上。
另外，第二像素电极可以对应于基体层的形状一体地形成，并且可以通过形成在位于所述多条第一布线上的第一保护层中的接触孔连接到所述多条第一布线中的至少一条。
另外，用于显示第一颜色的第一像素、用于显示第二颜色的第二像素以及用于显示第三颜色的第三像素可以设置在所述多个岛中的每个上。
本发明构思的示例性实施例可以提供一种即使可拉伸显示器被反复地延伸或收缩也能够防止堆叠在可拉伸显示器上的发光元件被损坏的有机发光二极管(OLED)显示器。
另外，本发明构思的示例性实施例提供了一种即使可拉伸显示器被反复地延伸或收缩也能够防止布线被切割的OLED显示器。
附图说明
图1是示意性地示出了根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的构造的框图。
图2是示意性地示出了图1中的设置在有机发光二极管显示器中的像素结构的剖视图。
图3是根据本发明构思的示例性实施例的OLED显示器中的基体层的平面图。
图4是图3中所示的一个岛和桥的连接到岛的部分的放大平面图。
图5是根据本发明构思的示例性实施例的像素的等效电路图。
图6是图5中所示的像素的平面图。
图7是沿图6的线XI-XI'截取的剖视图。
图8是沿图6的线XII-XII'截取的剖视图。
图9是沿图4的线I-I'截取的剖视图。
图10是沿图4的线II-II'截取的剖视图。
图11是沿图4的向III-III'截取的剖视图。
图12是示出了图4中所示的桥依赖于弯曲部分的曲率半径的应变的曲线图。
图13是沿图4的线II-II'截取的剖视图，示出了本发明构思的其它示例性实施例。
图14是沿图4的向III-III'截取的剖视图，示出了本发明构思的其它示例性实施例。
图15是沿图4的线II-II'截取的剖视图，示出了本发明构思的其它示例性实施例。
图16A至图16C是示例性地示出设置在岛上的像素的布置关系的图。
图17是示出了根据本发明构思的其它示例性实施例的OLED显示器的基体层的平面图。
图18是图17中所示的区域A的放大图。
图19是示出了图18中所示的桥依赖于弯曲部分的形状的应变的曲线图。
具体实施方式
其它实施例的细节包括在具体实施方式和图中。
本发明构思的优点和特征及其实施方法将通过下面参照附图描述的实施例来阐明。然而，本发明构思可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此所阐述的实施例。在下面的该公开中，当一个部分(或元件、装置等)被称作“连接”到另一个部分(或元件、装置等)时，应当理解的是，前者可以“直接连接”到后者，或者经由中间部分(或元件、装置等)“电连接”到后者。为了阐明本发明构思，从图中省略与描述无关的部分，并且在图中从始至终使用同样的附图标记来表示同样的或相似的部分。
在下文中，将参照与本发明构思的示例性实施例相关的附图来描述根据本发明构思的示例性实施例的OLED显示器。
图1是示意性地示出了根据本发明构思的示例性实施例的OLED显示器的构造的框图。
参照图1，根据本发明构思的示例性实施例的OLED显示器1可以包括显示面板300和显示驱动器400。
显示面板300可以包括多个像素PXL以及连接到像素PXL的多条数据线D1至Dq和多条扫描线S1至Sp。
像素PXL中的每个可以分别通过数据线D1至Dq和扫描线S1至Sp接收数据信号和扫描信号。
另外，像素PXL可以连接到第一电源ELVDD和第二电源ELVSS。
像素PXL可以包括发光元件(例如，有机发光二极管)，并且可以通过从第一电源ELVDD经由发光元件流向第二电源ELVSS的电流产生对应于数据信号的光。
显示驱动器400可以包括扫描驱动器410、数据驱动器420和时序控制器450。
扫描驱动器410可以响应于扫描驱动器控制信号SCS向扫描线S1至Sp供应扫描信号。例如，扫描驱动器410可以顺序地向扫描线S1至Sp供应扫描信号。
扫描驱动器410可以直接安装在其上形成有像素PXL的基体层上，或者可以通过单独的元件(诸如支撑基体层的基底或者用于与扫描线S1至Sp连接的柔性电路板)来连接到基体层。
数据驱动器420可以从时序控制器450接收数据驱动器控制信号DCS和图像数据DATA以生成数据信号。
数据驱动器420可以将生成的数据信号供应到数据线D1至Dq。
数据驱动器420可以直接安装在其上形成有像素PXL的基体层上，或者可以通过单独的构造元件(诸如支撑基体层的基底或者用于与数据线D1至Dq连接的柔性电路板)来连接到基体层。
当扫描信号被供应给特定的扫描线时，连接到该特定的扫描线的一些像素PXL可以接收从数据线D1-Dq传输的数据信号，并且所述一些像素PXL可以发射具有与所接收的数据信号对应的亮度的光。
时序控制器450可以产生用于控制扫描驱动器410和数据驱动器420的控制信号。
例如，控制信号可以包括用于控制扫描驱动器410的扫描驱动器控制信号SCS和用于控制数据驱动器420的数据驱动器控制信号DCS。
此时，时序控制器450可以通过使用外部输入信号来产生扫描驱动器控制信号SCS和数据驱动器控制信号DCS。
例如，外部输入信号可以包括点时钟DCLK、数据使能信号DE、垂直同步信号Vsync和水平同步信号Hsync。
另外，时序控制器450可以向扫描驱动器410供应扫描驱动器控制信号SCS并向数据驱动器420供应数据驱动器控制信号DCS。
时序控制器450可以根据数据驱动器420的规格将从外部输入的图像数据RGB转换成图像数据DATA，并且可以将该图像数据DATA供应给数据驱动器420。
数据使能信号DE是限定输入有效数据的时段的信号，一个时段可以被设置为诸如水平同步信号Hsync的一个水平时段。
尽管在图1中分开地示出了扫描驱动器410、数据驱动器420和时序控制器450，但是构成元件中的至少一些可以根据需要而是集成的。
另外，扫描驱动器410、数据驱动器420和时序控制器450可以以诸如玻璃上芯片(COG)、塑料上芯片(COP)、载带封装(TCP)、膜上芯片(COF)等的各种方式安装。
图2是示意性地示出了图1中的设置在有机发光二极管显示器中的像素结构的剖视图。
参照图2，像素PXL可以包括基体层、薄膜晶体管TFT、第一电极、发射层、第二电极等。薄膜晶体管TFT、第一电极、发射层和第二电极可以是构造OLED显示器的主要元件。
首先，基体层110可以形成为可拉伸的结构。图3是根据本发明构思的示例性实施例的OLED显示器中的基体层的平面图。
参照图3，基体层110可以是岛。基体层110可以包括多个岛IS和多个桥BR。
具体地，多个岛IS可以有规律地布置在第一轴(x轴)方向和第二轴(y轴)方向上。另外，相邻的岛IS可以通过桥BR中的至少一个彼此连接。
像素结构(例如，薄膜晶体管、电容器、OLED等)可以形成在每个岛IS上，并且一个像素PXL或多个像素PXL可以形成在每个岛IS上。
用于向像素结构供应电源电压、数据信号、扫描信号等的布线可以形成在每个桥BR上。
当基体层110被拉伸时，会增大或减小岛IS之间的距离。在这种情况下，每个岛IS的形状可以不被改变。也就是说，岛IS的宽度和高度可以不被增大或减小。因此，设置在岛IS上的像素PXL的结构可以不被改变。
然而，当基体层110被拉伸时，可改变连接岛IS的桥BR。
与此同时，尽管在图3中每个岛IS被示出为四边形，但是本发明构思不限于此，岛IS的形状可以被不同地改变。另外，连接岛IS的桥BR的形状可以被各种改变，而不限于图3中所示的形状。
图4是图3中所示的一个岛和桥的连接到岛的部分的放大平面图。
参照图4，岛IS可以具有由第一侧IS1至第四侧IS4围绕的四边形形状。
像素PXL可以形成在岛IS上，一个像素PXL可以形成在一个岛IS上，或者多个像素PXL可以形成在一个岛IS上。例如，红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B可以设置在一个岛IS上。
第一桥BR1至第四桥BR4可以分别连接到岛IS的第一侧IS1至第四侧IS4。
第一桥BR1可以连接到第一侧IS1的一部分，并且可以形成为在第一方向(x轴方向)上延伸。第一桥BR1可以包括设置在与第一侧IS1连接的部分处的弯曲部分CA。
第二桥BR2可以连接到第二侧IS2的一部分，并且可以形成为在第二方向(y轴方向)上延伸。第二桥BR2可以包括设置在与第二侧IS2连接的部分处的弯曲部分CA。
第三桥BR3可以连接到第三侧IS3的一部分，可以形成为在第一方向(x轴方向)上延伸，并且可以形成为在与第一桥BR1延伸的方向相反的方向上延伸。第三桥BR3可以包括设置在与第三侧IS3连接的部分处的弯曲部分CA。
第四桥BR4可以连接到第四侧IS4的一部分，可以形成为在第二方向(y轴方向)上延伸，并且可以形成为在与第二桥BR2延伸的方向相反的方向上延伸。第四桥BR4可以包括设置在与第四侧IS4连接的部分处的弯曲部分CA。
用于向形成在岛IS上的像素PXL供应驱动电压、扫描信号、数据信号等的第一布线BL可以形成在桥BR1至BR4中的每个上。
设置在桥BR1至BR4中的每个上的第一布线BL的数量可以根据形成在岛IS上的像素PXL的数量而不同地改变，并且可以根据形成像素PXL的晶体管的数量等而不同地改变。
另外，设置在桥BR1至BR4中的每个上的第一布线BL的数量可以相同或不同。
下面将参照图9至图11详细描述桥BR1至BR4上形成的第一布线BL的结构。
图5是根据本发明构思的示例性实施例的像素的等效电路图，图6是图5中所示的像素的平面图，图7是沿图6的线XI-XI'截取的剖视图，图8是沿图6的线XII-XII'截取的剖视图。
在下文中，将参照图5至图8详细描述在岛IS上形成的像素PXL的结构。
首先，将参照图5描述在岛IS上形成的像素PXL的等效电路图。
如图5中所示，像素PXL可以包括用于传输扫描信号的扫描线(也被称作栅极线)121、用于传输数据信号的数据线171和用于传输驱动电压的驱动电压线172。
图5中所示的扫描线121可以是图1中所示的扫描线S1至Sp中的任何一条，数据线171可以是图1中所示的数据线D1至Dq中的任何一条，驱动电压线172可以是供应第一电源ELVDD的线。
其次，像素PXL可以包括开关晶体管T1、驱动晶体管T2、存储电容器Cst和有机发光二极管OLED。
开关晶体管T1可以包括栅电极、第一电极和第二电极，并且可以连接到第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。具体地，开关晶体管T1的第一电极可以连接到第二节点N2，第二电极可以连接到第三节点N3，并且栅电极可以连接到第一节点N1。
此时，第一节点N1可以连接到扫描线121，第二节点N2可以连接到数据线171，第三节点N3可以连接到驱动晶体管T2。
当从扫描线121供应扫描信号时，开关晶体管T1可以导通以将从数据线171接收的数据信号供应至存储电容器Cst。
此时，存储电容器Cst可以充入对应于数据信号的电压。
驱动晶体管T2可以包括栅电极、第一电极和第二电极，并且可以连接到第三节点N3、第四节点N4和第五节点N5。具体地，驱动晶体管T2的栅电极可以连接到第三节点N3，第一电极可以连接到第四节点N4，第二电极可以连接到第五节点N5。
此时，第三节点N3可以连接到开关晶体管T1的第二电极，第四节点N4可以连接到驱动电压线172，第五节点N5可以连接到有机发光二极管OLED的阳极电极。
响应于存储在存储电容器Cst中的电压值，驱动晶体管T2可以控制从驱动电压线172流向有机发光二极管OLED的电流Id的量。
有机发光二极管OLED可以包括连接到驱动晶体管T2的第二电极的阳极电极和连接到第二电源ELVSS的阴极电极。
有机发光二极管OLED可以产生与从驱动晶体管T2提供的电流Id的量对应的光。
有机发光二极管OLED可以包括表示一种或更多种原色(包括红色、绿色和蓝色三种)的有机材料，并且OLED显示器1可以用这些颜色的空间加和来显示期望的图像。
在图5中，晶体管T1和T2的第一电极可以被设定为源电极和漏电极之一，晶体管T1和T2的第二电极可以被设定为与第一电极不同的电极。例如，如果第一电极被设定为源电极，则第二电极可以被设定为漏电极。
另外，虽然晶体管T1和T2在图5中示出为PMOS晶体管，但是在其它示例性实施例中，晶体管T1和T2可以被实现为NMOS晶体管。
由于图5中所示的像素PXL的结构仅是本发明构思的示例性实施例，所以本发明构思的像素PXL不限于上述结构。在实践中，像素PXL可以具有能够向有机发光二极管OLED供应电流的电路结构，并且可以选自目前已知的各种结构中的任何一种。
也就是说，除了图5中所示的开关晶体管T1和驱动晶体管T2之外，像素PXL还可以包括用于补偿供应至有机发光二极管OLED的电流的附加的晶体管和电容器。
与此同时，通过驱动电压线172供应的第一电源ELVDD可以是高电压，第二电源ELVSS可以是低电压。
例如，第一电源ELVDD可以设定为正电压，第二电源ELVSS可以设定为负电压或接地电压。
在下文中，将参照图6至图8详细描述在岛IS上形成的像素PXL的堆叠结构。
基体层110可以由聚酰胺、聚酰亚胺、聚丙烯酸酯等制成。
包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的无机材料的缓冲层120可以设置在基体层110上。
缓冲层120可以用于增加基体层110的上表面的平坦度，并且可以用于防止基体层110等中的杂质渗透到薄膜晶体管的半导体层中或者使基体层110等中的杂质到薄膜晶体管的半导体层的渗透最小化。
缓冲层120可以具有单层结构或多层结构。
开关半导体层135a和驱动半导体层135b可以在缓冲层120上形成为彼此分离。
这些半导体层135a和135b可以由多晶硅或氧化物半导体制成。
氧化物半导体可以包括从基于钛(Ti)、铪(Hf)、锆(Zr)、铝(Al)、钽(Ta)、锗(Ge)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)或铟(In)的一种氧化物以及它们的诸如氧化锌(ZnO)、铟镓锌氧化物(InGaZnO4)、铟锌氧化物(Zn-In-O)、锌锡氧化物(Zn-Sn-O)、铟镓氧化物(In-Ga-O)、铟锡氧化物(In-Sn-O)、铟锆氧化物(In-Zr-O)、铟锆锌氧化物(In-Zr-Zn-O)、铟锆锡氧化物(In-Zr-Sn-O)、铟锆镓氧化物(In-Zr-Ga-O)、铟铝氧化物(In-Al-O)、铟锌铝氧化物(In-Zn-Al-O)、铟锡铝氧化物(In-Sn-Al-O)、铟铝镓氧化物(In-Al-Ga-O)、铟钽氧化物(In-Ta-O)、铟钽锌氧化物(In-Ta-Zn-O)、铟钽锡氧化物(In-Ta-Sn-O)、铟钽镓氧化物(In-Ta-Ga-O)、铟锗氧化物(In-Ge-O)、铟锗锌氧化物(In-Ge-Zn-O)、铟锗锡氧化物(In-Ge-Sn-O)、铟锗镓氧化物(In-Ge-Ga-O)、钛铟锌氧化物(Ti-In-Zn-O)和铪铟锌氧化物(Hf-In-Zn-O)的复合氧化物中选择的至少一种。
当半导体层135a和135b由氧化物半导体制成时，可以加入单独的钝化层以保护易受诸如高温等的外部环境影响的氧化物半导体。
开关半导体层135a和驱动半导体层135b中的每个可以包括其中不掺杂杂质的沟道区1355以及在沟道区1355的相对侧处掺杂有杂质的源区1356和漏区1357。在这种情况下，掺杂的杂质可以根据薄膜晶体管的类型而改变，并且可以是n型或p型杂质。
开关半导体层135a和驱动半导体层135b的沟道区1355可以包括不掺杂杂质的多晶硅，即，本征半导体。
另外，开关半导体层135a和驱动半导体层135b的源区1356和漏区1357可以包括掺杂有导电杂质的多晶硅，即，杂质半导体。
栅极绝缘层140形成在开关半导体层135a和驱动半导体层135b上，用于确保与栅电极的绝缘。栅极绝缘层140可以是包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的单层或多层。
栅极线121、从栅极线121突出的开关栅电极125a、第一电容器电极128和从第一电容器电极128突出的驱动栅电极125b可以形成在栅极绝缘层140上。
形成在栅极绝缘层140上的栅极线121和第一电容器电极128可以由金属制成。
金属可以包括钼(Mo)，并且可以包括从金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和它们的合金中选择的至少一种。
另外，栅极线121可以由单层形成，但是不限于此。栅极线121可以由其中堆叠有两种或更多种金属和合金材料的多层来形成。
在本发明构思的示例性实施例中，其它布线可以在与栅极线121和第一电容器电极128的同一层中以与栅极线121和第一电容器电极128相同的材料来设置。
栅极线121可以在水平方向上延伸，并且可以将扫描信号传输到开关晶体管T1。在这种情况下，栅极线121可以包括朝向开关半导体层135a突出的开关栅电极125a。
驱动栅电极125b从第一电容器电极128朝向驱动半导体层135b突出。
开关栅电极125a和驱动栅电极125b中的每个与沟道区1355叠置。
与此同时，层间绝缘层160可以设置在栅极线121、开关栅电极125a、第一电容器电极128和驱动栅电极125b上。
层间绝缘层160可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。
源极接触孔61和漏极接触孔62可以形成在层间绝缘层160和栅极绝缘层140中以分别暴露源区1356和漏区1357。
另外，存储接触孔63可以形成在层间绝缘层160中以暴露第一电容器电极128的一个部分。
具有开关源电极176a的数据线171、具有驱动源电极176b和第二电容器电极178的驱动电压线172、连接到第一电容器电极128的开关漏电极177a以及驱动漏电极177b形成在层间绝缘层160上。
设置在层间绝缘层160上的电极(或布线)可以由金属制成。例如，电极(或布线)可以由从诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)的金属或金属的合金中选择的至少一种制成。另外，电极(或布线)可以由单层形成，但是不限于此，并且可以由堆叠有两种或更多种金属和合金材料的多层形成。
虽然未在图中示出，但是除了数据线171、驱动电压线172等之外，其它电极(或布线)也可以设置在层间绝缘层160上，其它电极(或布线)可以由与数据线171、驱动电压线172等的材料相同的材料制成。
数据线171可以传输数据信号，并且可以延伸至与栅极线121交叉。驱动电压线172可以是用于传输驱动电压的线，可以与数据线171分开，并且可以与数据线171平行地延伸。
开关源电极176a可以从数据线171朝向开关半导体层135a突出，驱动源电极176b可以从驱动电压线172朝向驱动半导体层135b突出。
开关源电极176a和驱动源电极176b中的每个可以通过源极接触孔61连接到源区1356。
开关漏电极177a可以面对开关源电极176a，驱动漏电极177b可以面对驱动源电极176b。
开关漏电极177a和驱动漏电极177b中的每个可以通过漏极接触孔62连接到漏区1357。
开关漏电极177a可以通过形成在层间绝缘层160中的存储接触孔63延伸以电连接到第一电容器电极128和驱动栅电极125b。
第二电容器电极178可以从驱动电压线172突出以与第一电容器电极128叠置。因此，第一电容器电极128和第二电容器电极178可以使用层间绝缘层160作为介电材料来形成存储电容器Cst。
开关半导体层135a、开关栅电极125a、开关源电极176a和开关漏电极177a可以形成开关晶体管T1。
驱动半导体层135b、驱动栅电极125b、驱动源电极176b和驱动漏电极177b可以形成驱动晶体管T2。
开关晶体管T1和驱动晶体管T2对应于开关元件。
钝化层180可以设置在开关源电极176a、驱动源电极176b、开关漏电极177a和驱动漏电极177b上。钝化层180可以是由无机材料制成的无机绝缘层。
无机材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
可以根据实施例省略钝化层180。
第一保护层190可以形成在钝化层180上。
第一保护层190可以是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可以包括诸如聚丙烯酸化合物、聚酰亚胺化合物、例如特氟龙的碳氟化合物、苯并环丁烯化合物等的有机绝缘材料。
第一像素电极710可以形成在第一保护层190上。
第一像素电极710可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)等的透明导电材料或者诸如锂、钙、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)等的反应性金属制成。
与此同时，第一像素电极710可以通过形成在钝化层180和第一保护层190中的接触孔181电连接到驱动晶体管T2的驱动漏电极177b，并且可以成为有机发光二极管70的阳极。
像素限定层350可以形成在第一保护层190和第一像素电极710的边缘部分上。像素限定层350可以包括暴露第一像素电极710的开口。也就是说，像素限定层350可以将像素区域划分成对应于每个像素。
像素限定层350可以是由有机材料制成的有机绝缘层。
有机材料可以包括诸如聚丙烯酰类化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟龙的碳氟化合物、苯并环丁烯化合物等的有机绝缘材料。
有机发射层720可以设置在像素限定层350的开口中。
有机发射层720可以包括低分子量材料或高分子量材料。低分子量材料可以包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等。这些材料可以通过使用真空沉积形成。高分子量材料可以包括PEDOT、聚苯撑乙烯撑(PPV)、聚芴等。
有机发射层720可以由单层形成，但也可以由包括各种功能层的多层形成。在有机发射层720由多层形成的情况下，有机发射层720可以具有包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等中的一个或更多个的堆叠结构。
在有机发射层720包括上述所有层的情况下，HIL设置在用作阳极的第一像素电极710上，HTL、发射层、ETL和EIL可以顺序地堆叠在HIL上。
有机发射层720可以通过使用蒸镀、丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI)等形成。
有机发射层720可以包括发射红光的红色有机发射层、发射绿光的绿色有机发射层和发射蓝光的蓝色有机发射层。红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层分别形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素上，以实现彩色图像。
另外，红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层与红色像素、绿色像素和蓝色像素一起一体地堆叠在有机发射层720上，以在每个像素中分别形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，从而实现彩色图像。
可选择地，发射白光的白色有机发射层形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素中的所有像素上，对于每个像素分别形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器以实现彩色图像。
在其它示例性实施例中描述的白色有机发射层可以形成为具有单个有机发射层，并且还可以包括堆叠有多个有机发射层以发射白光的构造。
例如，还可以包括至少一个黄色有机发射层与至少一个蓝色有机发射层组合以发射白光的构造、至少一个青色有机发射层与至少一个红色有机发射层组合以发射白光的构造以及/或者至少一个品红色有机发射层与至少一个绿色有机发射层组合以发射白光的构造。
第二像素电极730可以设置在像素限定层350和有机发射层720上。
第二像素电极730可以由诸如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)等的金属层以及/或者诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等的透明导电层制成。在本发明构思的示例性实施例中，第二像素电极730可以由包括金属薄膜的多层形成，例如，ITO/Ag/ITO的三层。
如上所述，第一像素电极710可以是有机发光二极管70的阳极电极，第二像素电极730可以是有机发光二极管70的阴极电极。
然而，第一像素电极710可以是阴极电极，第二像素电极730可以是阳极电极。
第一像素电极710、有机发射层720和第二像素电极730形成有机发光二极管70。
包封层380可以设置在第二像素电极730上。包封层380可以防止氧和湿气渗透到有机发光二极管OLED中。包封层380可以包括多个无机层(未示出)和/或多个有机层(未示出)。例如，包封层380可以包括包含无机层和设置在无机层上的有机层的多个单元包封层。
图9是沿图4的线I-I'截取的剖视图，图10是沿图4的线II-II'截取的剖视图，图11是沿图4的线III-III'截取的剖视图。
在下文中，将参照图9至图11详细描述形成在第一桥BR1上的第一布线BL的堆叠结构。
第二保护层195可以设置在基体层110上。
缓冲层120、栅极绝缘层140和层间绝缘层160可以具有暴露基体层110的桥BR1的开口OA。
也就是说，缓冲层120、栅极绝缘层140和层间绝缘层160的大部分可以设置在岛IS上，缓冲层120、栅极绝缘层140和层间绝缘层160的仅一部分可以设置在桥BR1上。
第二保护层195可以覆盖开口OA，并且可以覆盖缓冲层120、栅极绝缘层140和层间绝缘层160的边缘。
第二保护层195可以是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可以包括诸如聚丙烯酰类化合物、聚酰亚胺类化合物、例如特氟龙的碳氟化合物、苯并环丁烯化合物等的有机绝缘材料。
多条第一布线BL1至BL4可以形成在第二保护层195上。
设置在桥BR1上的第一布线BL1至BL4沿着桥BR1的形状延伸。
另外，设置在桥BR1上的第一布线BL1至BL4可以延伸到岛IS。延伸至岛IS的第一布线BL1至BL4可以设置在层间绝缘层160上。
从桥BR1延伸至岛IS的第一布线BL1至BL4可以连接到电极/布线中的设置在层间绝缘层160上的一些电极/布线，并且可以电连接到电极/布线中的设置在栅极绝缘层140上的一些电极/布线。
第一布线BL1至BL4可以由与位于层间绝缘层上的晶体管的源电极176a和176b、数据线171、第二电容器电极178、驱动电压线172、晶体管的漏电极177a和177b等的材料相同的材料形成。
第一保护层190可以形成在第一布线BL1至BL4上。
设置在桥BR1上的第一保护层190可以延伸到岛IS，并且可以覆盖钝化层180的边缘。
也就是说，第一保护层190可以覆盖第一布线BL1至BL4的一部分，钝化层180可以覆盖其余部分。
第二像素电极730可以设置在第一保护层190上，第二像素电极730可以覆盖基体层110、第二保护层195和第一保护层190。
包封层380可以设置在第二像素电极730上。
包括无机材料的缓冲层120、栅极绝缘层140和层间绝缘层160可以统称为无机绝缘层。另外，第一保护层190和第二保护层195可以统称为有机材料层。
根据本发明构思的示例性实施例，无机绝缘层具有对应于桥BR的开口OA，桥BR具有填充开口OA的至少一部分的有机材料层。
另外，第一布线BL经由桥BR延伸至岛IS，第一布线BL在桥BR处设置在有机材料层上。
第一布线BL可以与晶体管的源电极和漏电极以相同的材料同时形成。
根据本发明构思的有机发光二极管(OLED)显示器1是可拉伸的，如果无机绝缘层在桥BR中没有开口OA且具有从岛IS至桥BR的连续的形状，并且第一布线BL在桥BR处设置在无机绝缘层上，那么当基体层110被拉伸时，大的张应力被施加到第一布线BL。
更具体地，由于无机绝缘层具有比有机材料层更高的硬度，所以将很可能在设置于桥BR中的无机绝缘层中发生裂纹等。当在无机绝缘层中发生裂纹等时，无机绝缘层上的第一布线BL中也发生裂纹等，第一布线BL的诸如断开的缺陷发生的可能性变得非常高。
然而，在根据本示例性实施例的显示装置的情况下，无机绝缘层主要设置在基体层110的受应力较小的岛IS上，并且当基体层110被拉伸时无机绝缘层最少地设置在受应力的桥BR上，因此第一布线BL在桥BR处设置在有机材料层上。
因为有机材料层由于有机材料的特性而具有较低的开裂概率，所以可以防止在设置在有机材料层上的第一布线BL中发生裂纹等或者使裂纹等的发生概率最小化。
由于有机材料层的硬度低于无机绝缘层的硬度，有机材料层可以吸收施加到基体层110的张应力，因此，可以有效地使第一布线BL上的张应力的集中最小化。
形成在栅极绝缘层140上的电极/布线可以统称为第一导电层。另外，形成在层间绝缘层160上的电极/布线可以统称为第二导电层。
根据本发明构思的示例性实施例，设置在桥BR上的第一布线BL可以包括与第二导电层中所包括的材料相同的材料。
根据本发明构思的示例性实施例，设置在桥BR上的第一布线BL包括具有高延伸率的材料，使得不发生第一布线BL的诸如裂纹或断开的缺陷。
在岛IS中，尽管第一导电层具有比第一布线BL低的延伸率，但是第一导电层可以由具有与第一布线BL不同的电特性/物理特性的材料形成，从而改善电信号传输的效率或减少制造过程中的缺陷的发生。
例如，设置在岛IS上的第一导电层可以包括钼，第二导电层和第一布线BL可以包括铝。
另外，根据本发明构思的示例性实施例，在形成包括有机材料的第二保护层195以覆盖无机绝缘层的边缘和桥BR之后，在第二保护层195上形成第一布线BL。
第一布线BL可以与第二导电层(例如，晶体管的源电极或漏电极)以相同的材料同时形成。在基体层的整个表面上形成导电层之后，可以通过使导电层图案化来形成第一布线BL。
在有机材料层不覆盖无机绝缘层的开口OA的内表面的情况下，当对导电层进行图案化时，导电材料会剩余在缓冲层120、栅极绝缘层140、层间绝缘层160等中而不被去除。在这种情况下，剩余的导电材料会导致其它导电层之间的短路。
第二桥BR2至第四桥BR4的结构可以与上面描述的第一桥BR1的结构相似。也就是说，可以在第二桥BR2至第四桥BR4中去除无机绝缘层，第一布线BL可以设置在有机材料层上。设置在第二桥BR2至第四桥BR4中的第一布线BL的数量可以与设置在第一桥BR1中的第一布线BL的数量相同或不同。
图12是示出了图4中所示的桥依赖于弯曲部分的曲率半径的应变的曲线图。更具体地，参照从第一桥BR1的外侧到第三桥BR3的外侧的第一长度L1是420μm并且从第二桥BR2的外侧到第四桥BR4的外侧的第二长度L2是420μm的情况，图12示出了当包括具有5μm至35μm的曲率半径的弯曲部分CA的桥BR被拉伸时测量的桥BR的最大应变。
参照图4，每个桥BR可以包括弯曲部分CA。
弯曲部分CA可以设置在岛IS的一侧上，并且可以被弯曲以具有预定的曲率半径。
当基体层110被拉伸时，桥BR变形，桥BR的应变可以根据弯曲部分CA的曲率半径而变化。
参照图12，在曲率半径在从15μm至25μm的范围内的情况下，桥BR的最大应变是低的。
具体地，最大应变随着曲率半径从5μm至20μm增大而减小，最大应变随着曲率半径从20μm至35μm增大而增大。
桥BR的应变越高，在形成在桥BR上的结构(第一保护层190、第一布线BL、第二保护层195等)中发生诸如裂纹的缺陷的可能性越高。反之，桥BR的应变越低，在形成在桥BR上的结构中发生诸如裂纹的缺陷的可能性越低。
也就是说，包括在桥BR中的弯曲部分CA可以形成为具有15μm至25μm的曲率半径。
与此同时，参照示出了在从第一桥BR1的外侧到第三桥BR3的外侧的第一长度L1是420μm并且从第二桥BR2的外侧到第四桥BR4的外侧的第二长度L2是420μm情况下的最佳曲率半径的图12，当岛IS和桥BR1至BR4的尺寸减小时，弯曲部分CA的最佳曲率半径的范围可以小于15μm至25μm。
反之，当岛IS和桥BR的尺寸增大时，弯曲部分CA的最佳曲率半径的范围可以大于15μm至25μm。
图13是沿图4的线II-II'截取的剖视图，图14是沿图4的向III-III'截取的剖视图，图13和图14是示出了本发明构思的其它示例性实施例的图。
参照图13和图14，第一布线BL可以包括用于传输第二电源ELVSS的第一布线BL3。
布线接触部分740可以形成在第一保护层190中，并且布线接触部分740可以设置在使第一布线BL3的一部分暴露的接触孔中。布线接触部分740可以设置在桥BR上，并且在一些情况下，布线接触部分740的一部分可以设置在岛IS上。
第二像素电极730可以通过布线接触部分740连接到第一布线BL3。
图15是沿图4的线II-II'截取的剖视图，示出了本发明构思的其它示例性实施例。
与第一布线BL被设置为通过第二保护层195延伸到层间绝缘层160的情况不同，第一布线BL可以仅设置在第二保护层195上。
接触孔750可以形成在第二保护层195和层间绝缘层160中以暴露设置在栅极绝缘层140上的栅极布线1211的一部分。
第一布线BL可以通过接触孔750电连接到栅极布线1211。
第一数据线1711可以设置在层间绝缘层160上，并且接触孔760可以形成在层间绝缘层160中以暴露栅极布线1211的位于岛IS中的部分。
第一数据线1711可以通过接触孔760电连接到栅极布线1211。另外，第一数据线1711和第一布线BL可以分别通过接触孔760和750电连接到栅极布线1211。
也就是说，形成在桥BR1上的第一布线BL可以经由设置在岛IS的栅极绝缘层140上的布线连接到设置在岛IS的层间绝缘层160上的布线/电极。
与此同时，栅极布线1211可以连接到栅极线121，或者可以被图案化为与栅极线121分开以与第一布线BL接触。
栅极布线1211可以与形成在栅极绝缘层140上的电极/布线在同一层中以相同的材料形成。
第一数据线1711可以连接到数据线171或者可以连接到驱动电压线172、源电极/漏电极。
第一数据线1711可以与形成在层间绝缘层160上的电极/布线在同一层中以相同的材料形成。
图16A至图16C是示例性地示出设置在岛上的像素的布置关系的图。
根据本发明构思的示例性实施例，多个像素PXL可以设置在每个岛IS上。每个像素PXL可以包括红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B，像素PXL可以以各种形式布置。
参照图16A，一个红色像素R、一个绿色像素G和一个蓝色像素B可以设置在一个岛IS上。
参照图16B，一个红色像素R、一个蓝色像素B和两个绿色像素G可以设置在一个岛IS上。两个绿色像素G可以布置在竖直方向上，红色像素R和蓝色像素B可以布置在水平方向上。
参照图16C，一个红色像素R、一个绿色像素G、第一蓝色像素B1和第二蓝色像素B2可以设置在一个岛IS上。
在这种情况下，第一蓝色像素B1和第二蓝色像素B2可以表示具有不同波长的蓝色系列(series)。
虽然在图16A至图16C中像素PXL示出为红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B中的一个，但是本发明构思不限于此。例如，像素PXL可以表示除了红色、绿色和蓝色以外的其它颜色。另外，设置在岛IS上的像素PXL的数量可以根据情况进行各种改变。
图17是示出了根据本发明构思的其它示例性实施例的OLED显示器的基体层的平面图。
参照图17，根据本发明构思的其它实施例的基体层110'可以具有岛的形式。
具体地，多个岛IS可以有规律地布置在第一轴(x轴)方向和第二轴(y轴)方向上。
上述像素PXL可以设置在每个岛IS上，并且一个像素PXL或多个像素PXL可以设置在每个岛IS上。
岛IS可以由第一侧IS1至第四侧IS4围绕，并且桥BR'和外围区域PR可以设置在岛的每个侧IS1至IS4处。
桥BR'可以连接相邻的岛IS，用于将电力、数字信号、扫描信号等供应到像素PXL的布线可以形成在每个桥BR'上。
当基体层110'被拉伸时，会使岛IS之间的距离增大或减小。在这种情况下，每个岛IS的形状可以不被改变。也就是说，岛IS的宽度和高度可以不被增大或减小。
因此，设置在岛IS上的像素PXL的结构可以不被改变。
然而，当基体层110'被拉伸时，连接岛IS的桥BR'会被改变。
狭缝S可以形成在设置在岛IS的多个侧IS1至IS4中的一侧上的桥BR'与外围区域PR之间。狭缝S可以包括设置在其一端处的弯曲部分Sr。
可以通过调节桥BR'的厚度、狭缝S的长度、狭缝S的宽度等来控制延伸率。
图18是图17中所示的区域A的放大图。
形成在桥BR'与外围区域PR之间的狭缝S可以包括直线部分Sl和弯曲部分Sr。直线部分Sl可以在一个方向上延伸。
弯曲部分Sr可以设置在直线部分Sl的一端处，并且可以被弯曲以具有预定的曲率。弯曲部分Sr的两端之间的角度θ可以根据弯曲部分Sr的曲率半径或长度而变化。
当基体层110被拉伸时，会使桥BR'变形，桥BR'的应变可以根据角度θ的大小而改变。
图19是示出了图18中所示的桥依赖于弯曲部分的形状的应变的曲线图。更具体地，图19示出了当包括如图18中所示的具有0度至90度的角度的狭缝S的桥BR'被拉伸时测量的桥BR'的最大应变。
参照图19，在弯曲部分Sr的两端之间的角度θ为零(即，狭缝S中不存在弯曲部分)的情况下，弯曲部分Sr最大应变最大。
随着弯曲部分Sr的两端之间的角度θ从0度增大到45度，桥BR'的最大应变减小。
在弯曲部分Sr的两端之间的角度θ是45度至90度的情况下，桥BR'的最大应变几乎恒定。
桥BR'的应变越高，在形成在桥BR'上的结构(第一保护层190、第一布线BL、第二保护层195等)中发生诸如裂纹的缺陷的可能性就越高。另一方面，桥BR'的应变越低，在形成在桥BR'上的结构中发生诸如裂纹的缺陷的可能性就越低。
也就是说，狭缝S可以形成为使得弯曲部分Sr的两端之间的角度θ是45度至90度。
本发明构思所属技术领域的普通技术人员将理解的是，在不改变技术构思或基本特征的情况下，本发明构思可以以其它具体形式实施。
因此，上面描述的示例性实施例应当被解释为示例性的并且不在所有方面受到限制。
本发明构思的范围由所附权利要求而不是前面的说明书和在此描述的示例性实施例来限定，并且在发明的权利要求的等同的含义内和权利要求内进行的各种修改被认为在本发明构思的范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体层，包括：多个岛，所述多个岛中设置有像素；多个桥，设置为围绕所述多个岛中的每个；以及多条第一布线，设置在所述多个桥中的与所述像素连接的桥中；
无机绝缘层，设置在所述基体层上并且具有使所述桥的一部分暴露的开口；以及
有机材料层，覆盖所述开口，
其中，所述多个岛中的相邻的岛通过所述多个桥中的至少所述桥而彼此连接，并且
所述多条第一布线设置在所述有机材料层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个岛中的岛具有四边形形状，并且
所述桥连接到所述岛的一侧。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述桥包括设置在连接到所述岛的部分处的弯曲部分。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述基体层还包括外围区域，所述外围区域连接到所述岛的所述一侧并且与连接到所述岛的所述一侧的所述桥分隔开从而形成狭缝。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述狭缝包括弯曲部分。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述无机绝缘层包括顺序地堆叠的缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述像素包括晶体管，所述晶体管包括：
半导体层，设置在所述缓冲层上；
栅电极，设置在所述栅极绝缘层上；以及
源电极和漏电极，设置在所述层间绝缘层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述多条第一布线包括与所述源电极和所述漏电极中包括的材料相同的材料。
9.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一导电层，设置在所述栅极绝缘层上；以及
第二导电层，设置在所述层间绝缘层上。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述多条第一布线包括与所述第二导电层中包括的材料相同的材料。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述第二导电层的延伸率大于所述第一导电层的延伸率。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述有机材料层覆盖所述无机绝缘层的边缘。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述多条第一布线从所述有机材料层的上部延伸到所述无机绝缘层的上部。
14.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述多条第一布线仅设置在所述有机材料层上，并且
所述多条第一布线通过所述第一导电层电连接到所述第二导电层。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述多条第一布线通过第一接触孔连接到所述第一导电层，并且所述第一导电层通过第二接触孔连接到所述第二导电层。
16.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一保护层，设置在所述层间绝缘层和所述多条第一布线上。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
所述像素还包括有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：
第一像素电极，设置在位于所述层间绝缘层上的所述第一保护层上；
有机发射层，设置在所述第一像素电极上；以及
第二像素电极，设置在所述有机发射层上。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，
所述第二像素电极对应于所述基体层的形状一体地形成，并且通过形成在位于所述多条第一布线上的所述第一保护层中的接触孔连接到所述多条第一布线中的至少一条。
19.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
用于显示第一颜色的第一像素、用于显示第二颜色的第二像素以及用于显示第三颜色的第三像素设置在所述多个岛中的每个上。
20.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体层，包括设置有像素的多个岛以及连接所述多个岛中的每个的多个桥；
无机绝缘层，设置在所述多个岛上；
有机发光二极管，设置在所述像素中的每个中并且设置在所述无机绝缘层上；
有机材料层，覆盖所述多个桥；
多条布线，设置在所述有机材料层上并且电连接到所述像素；以及
包封层，设置在所述有机发光二极管和所述多条布线上。
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