KR102560102B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 한 실시예에 따른 표시 장치는 서로 이격되어 있는 복수의 메인부들, 상기 복수의 메인부들 중 인접한 메인부들 사이를 연결하는 복수의 브릿지들을 포함하고, 상기 메인부는 적어도 하나의 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하고, 상기 브릿지는 상기 트랜지스터 또는 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되어 있는 배선을 포함하고, 상기 브릿지는 적어도 두 개의 서로 다른 방향으로 굴곡된 굴곡부들을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 영상을 표시할 수 있는 복수의 화소를 포함한다. 최근에 주로 개발되고 있는 표시 장치의 예로는 발광 다이오드(LED) 등의 발광 소자를 포함하는 표시 장치가 있다. 표시 장치는 발광 소자에 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 표시 장치, 수 마이크로 사이즈의 LED 칩을 발광 재료로 사용하는 마이크로 LED 표시 장치, 양자점(quantum dot)을 사용하는 양자점 LED 표시 장치 등을 포함한다.
최근에는 사용자의 요구에 따라 이러한 표시 장치가 휘거나 접히거나 늘어나거나 줄어들 수 있는 등과 같이 변형이 가능한 표시 장치가 개발되고 있다.
본 기재는 표시 장치의 손상 없이 표시 장치의 변형 능력을 향상할 수 있는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
한 실시예에 따른 표시 장치는 서로 이격되어 있는 복수의 메인부들, 상기 복수의 메인부들 중 인접한 메인부들 사이를 연결하는 복수의 브릿지들을 포함하고, 상기 메인부는 적어도 하나의 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하고, 상기 브릿지는 상기 트랜지스터 또는 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되어 있는 배선을 포함하고, 상기 브릿지는 적어도 두 개의 서로 다른 방향으로 굴곡된 굴곡부들을 포함한다.
상기 브릿지는, 제1 굴곡부, 상기 제1 굴곡부의 양단에 연결되어 있는 한 쌍의 제2 굴곡부들을 포함하고, 상기 제1 굴곡부의 굴곡된 방향과 상기 한 쌍의 제2 굴곡부의 굴곡된 방향은 서로 다르고, 상기 한 쌍의 제2 굴곡부들의 내측변의 곡률 반경은 서로 동일할 수 있다.
상기 제2 굴곡부의 내측변의 곡률 반경은 상기 제1 굴곡부의 내측변의 곡률 반경보다 클 수 있다.
상기 제2 굴곡부의 내측변의 곡률 반경은 90 마이크로미터 미만일 수 있다.
상기 배선은 데이터선, 제1전압을 전달하는 구동 전압선, 상기 제1전압과 다른 제2전압을 전달하는 전압 전달선, 게이트선 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 브릿지는, 기판, 상기 기판 위에 위치하는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 위에 위치하는 제2 절연층을 포함하고, 상기 배선은 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층 사이에 위치하고, 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층은 상기 메인부에 위치하는 상기 트랜지스터와 중첩하지 않을 수 있다.
상기 메인부는 상기 기판 위에 위치하는 적어도 하나의 절연층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 절연층은 상기 브릿지에서는 존재하지 않고, 상기 제1 절연층은 상기 브릿지와 상기 메인부의 경계 부근에서 상기 적어도 하나의 절연층의 측면과 접촉할 수 있다.
상기 메인부는, 상기 기판, 상기 기판 위에 위치하는 액티브 패턴, 상기 액티브 패턴 위에 위치하는 제3 절연층, 상기 제3 절연층 위에 위치하는 제1 도전층, 상기 제1 도전층 위에 위치하는 제4 절연층, 상기 제4 절연층 위에 위치하는 제2 도전층, 상기 제2 도전층 위에 위치하는 상기 제2 절연층, 상기 제2 절연층 위에 위치하는 제1전극, 상기 제1전극 위에 위치하는 발광층, 그리고 상기 발광층 위에 위치하는 제2전극을 포함하고, 상기 배선은, 상기 브릿지에서 상기 제1 절연층 위에서 상기 제1 절연층과 접촉하는 부분, 그리고 상기 메인부에서 상기 제4 절연층 위에서 상기 제4 절연층과 접촉하는 부분을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층은 상기 메인부의 가장자리 부근에서 상기 트랜지스터 및 상기 발광 소자를 둘러싸는 홈을 포함할 수 있다.
상기 브릿지는, 상기 메인부에 연결되어 있는 제1부분, 그리고 상기 제1부분에 연결되어 있는 제2부분을 포함하고, 상기 제1부분은 시계 방향 및 반시계 방향 중 한 방향으로 굴곡되어 있고, 상기 제2부분은 상기 제1부분과 다른 방향으로 굴곡되어 있을 수 있다.
상기 복수의 메인부는 서로 이웃한 제1 메인부 및 제2 메인부를 포함하고, 상기 복수의 브릿지 중 상기 제1 메인부와 상기 제2 메인부 사이를 연결하는 제1 브릿지는, 상기 제1 메인부에 직접 연결되어 있는 제1부분, 그리고 상기 제2 메인부에 직접 연결되어 있는 제2부분을 포함하고, 상기 제1부분은 시계 방향 및 반시계 방향 중 한 방향으로 굴곡되어 있고, 상기 제2부분은 상기 제1부분과 다른 방향으로 굴곡되어 있을 수 있다.
상기 복수의 브릿지들은 상기 제1 메인부에 연결되어 있는 네 개의 브릿지들을 포함하고, 상기 네 개의 브릿지들은 서로 90도 회전 대칭된 형태를 가질 수 있다.
상기 메인부는 다각형, 원형, 타원형 중 하나의 형태를 가질 수 있다.
한 실시예에 따른 표시 장치는 트랜지스터 및 상기 발광 소자를 포함하는 메인부, 상기 메인부에 연결되어 있는 복수의 연결부들을 포함하고, 상기 복수의 연결부들 각각은, 상기 메인부에 연결되어 있으며 제1 곡률 반경으로 굴곡된 내측변을 가지는 제1부분, 그리고 상기 제1부분에 연결되어 있고, 상기 제1 곡률 반경과 다른 제2 곡률 반경으로 굴곡된 내측변을 가지며, 상기 제1부분과 다른 방향으로 굴곡된 제2부분을 포함한다.
상기 제1 곡률 반경은 상기 제2 곡률 반경보다 클 수 있다.
상기 메인부와 상기 복수의 연결부들은 하나의 기판을 포함하고, 상기 복수의 연결부들은 상기 트랜지스터 또는 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되어 있는 배선을 포함하고, 상기 배선과 상기 기판 사이에는 유기 절연 물질을 포함하는 제1 절연층이 위치하고, 상기 메인부는 상기 제1 절연층을 포함하지 않는 부분을 포함할 수 있다.
상기 메인부는 상기 기판과 상기 발광 소자 사이에 위치하는 적어도 하나의 절연층을 포함하고, 상기 복수의 연결부들은 상기 적어도 하나의 절연층을 포함하지 않을 수 있다.
상기 제1부분은 상기 메인부를 향하는 방향으로 굴곡되어 있고, 상기 제2부분은 상기 메인부로부터 멀어지는 방향으로 굴곡되어 있을 수 있다.
상기 제1부분이 상기 메인부와 연결된 모서리의 곡률 반경은 상기 제1 곡률 반경보다 작을 수 있다.
본 발명에 따르면, 표시 장치의 손상 없이 표시 장치의 변형 능력을 향상할 수 있다.
도 1은 한 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이고,
도 2는 한 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역의 평면 배치도이고,
도 3은 한 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역에 위치하는 단위 영역의 평면도이고,
도 4는 한 실시예에 따른 표시 장치의 브릿지의 평면도이고,
도 5는 한 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역에 위치하는 단위 영역의 평면 배치도이고,
도 6은 한 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소에 대한 평면 배치도이고,
도 7은 도 6에 도시한 표시 장치를 VIIa-VIIb 선을 따라 자른 단면도이고,
도 8은 도 5에 도시한 표시 장치를 VIIIa-VIIIb 선을 따라 자른 단면도이고,
도 9는 도 5에 도시한 표시 장치를 IXa-IXb 선을 따라 자른 단면도이고,
도 10은 도 5에 도시한 표시 장치를 Xa-Xb 선을 따라 자른 단면도이고,
도 11은 도 5에 도시한 표시 장치를 XIa-XIb 선을 따라 자른 단면도이고,
도 12는 도 5에 도시한 표시 장치를 XIa-XIb 선을 따라 자른 단면도의 다른 예이고,
도 13은 도 2에 도시한 표시 장치의 표시 영역을 이축 연신한 상태를 나타내고,
도 14 및 도 15는 여러 실시예에 따른 표시 장치를 늘렸을 때 변형률과 최대 연신율을 나타내고,
도 16은 비교예 및 한 실시예에 따른 표시 장치를 늘렸을 때 브릿지의 변형률과 형태를 나타내고,
도 17은 비교예 및 여러 실시예에 따른 표시 장치를 등방 및 비등방으로 늘렸을 때 표시 장치의 브릿지의 최대 변형률을 비교해 나타낸 막대 그래프이고,
도 18은 한 실시예에 따른 표시 장치의 한 메인부에 위치하는 화소들의 배치도이고,
도 19 내지 도 21은 각각 한 실시예에 따른 표시 장치의 화소들의 배치를 나타낸 평면 배치도이고,
도 22는 한 실시예에 따른 표시 장치의 한 메인부에 위치하는 화소들의 배치도이고,
도 23 내지 도 25는 각각 한 실시예에 따른 표시 장치의 화소들의 배치를 나타낸 평면 배치도이고,
도 26 내지 도 28은 각각 한 실시예에 따른 표시 장치의 한 메인부에 위치하는 화소들의 배치도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
명세서 전체에서, 평면 뷰(in a plan view)는 서로 교차하는 두 방향(예를 들어, 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2))에 평행한 면을 관찰하는 뷰를 의미하고(평면상이라고도 표현함), 단면 뷰(in a cross-sectional view)는 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2)에 평행한 면에 수직인 방향(예를 들어, 제3방향(DR3))으로 자른 면을 관찰하는 뷰를 의미한다. 또한, 두 구성 요소가 중첩한다고 할 때는 다른 언급이 없는 한 두 구성 요소가 제3방향(DR3)으로, 예를 들어 기판의 윗면에 수직인 방향으로, 중첩하는 것을 의미한다.
도 1 내지 도 4를 참조하여 한 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다.
도 1을 참조하면, 한 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 평면 뷰에서 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA) 주위의 주변 영역(PA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 액티브 영역이라도 하며 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2)에 평행한 면 상에서 영상을 표시할 수 있다.
표시 영역(DA)에는 복수의 단위 영역들(UA)과 복수의 신호선들이 위치한다. 단위 영역들(UA)은 규칙적인 배열 형태, 예를 들어 행렬 형태로 배열되어 있을 수 있다.
도 2를 참조하면, 복수의 단위 영역들(UA)은 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2)으로 서로 이웃하며 교대로 배열된 단위 영역(UAa) 및 단위 영역(UAb)을 포함할 수 있다. 각 단위 영역(UAa, UAb)은 하나의 메인부(main portion)(100)를 포함하고, 단위 영역(UAa)은 메인부(100)에 연결되어 있는 복수의 연결부(102a)를 포함하고, 단위 영역(UAb)은 메인부(100)에 연결되어 있는 복수의 연결부(102b)를 포함한다.
표시 영역(DA)에서 복수의 메인부(100)들은 규칙적인 배열 형태, 예를 들어 행렬 형태로 배열되어 있을 수 있으며, 서로 이격되어 있을 수 있다. 각 단위 영역(UAa, UAb)의 메인부(100)의 평면상 형태는 다양한 다각형, 원형 또는 타원형 중 하나일 수 있다. 본 실시예에서는 메인부(100)의 평면상 형태가 다각형, 그 중에서도 대략 정사각형인 경우를 예로 들어 설명하나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3을 참조하면, 각 메인부(100)에는 적어도 하나의 발광 소자(light emitting element)(LE) 및 발광 소자(LE)에 전기적으로 연결된 전기 소자가 위치할 수 있다. 발광 소자(LE)는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode), 마이크로 발광 다이오드(micro LED), 양자점 발광 다이오드(quantum dot LED) 등과 같은 다양한 발광 소자를 포함할 수 있다. 전기 소자는 발광 소자(LE)에 연결된 적어도 하나의 트랜지스터, 커패시터 등을 포함할 수 있다.
단위 영역(UAa)에서 연결부(102a)는 적어도 두 개의 서로 다른 방향으로 굴곡된 띠 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 연결부(102a)는 메인부(100)로부터 멀어지면서 시계 방향으로 굴곡된 제1부분(Pa1), 그리고 반시계 방향으로 굴곡되어 있으며 제1부분(Pa1)에 연결되어 있는 제2부분(Pa2)을 포함할 수 있다. 즉, 제1부분(Pa1)은 메인부(100)를 향하여 굴곡되어 있고, 제2부분(Pa2)은 메인부(100)로부터 멀어지는 쪽으로 굴곡되어 있을 수 있다.
제1부분(Pa1)의 내측변(inner edge)(IE1), 외측변(outer edge)(OE1)의 적어도 일부, 제2부분(Pa2)의 내측변(IE2)과 외측변(OE2)은 각각 곡선을 이룰 수 있다. 제1부분(Pa1)의 내측변(IE1)의 곡률 반경(R1)과 제2부분(Pa2)의 내측변(IE2)의 곡률 반경(R2)은 서로 다를 수 있다. 특히, 곡률 반경(R1)은 곡률 반경(R2)보다 클 수 있다. 여기서, 곡률 반경이라 하면, 해당 부분 전체의 곡률 반경의 평균을 의미하며 이는 이후로도 동일하다.
제1부분(Pa1)의 내측변(IE1)과 메인부(100)의 변이 만나는 내측 모서리의 곡률 반경(R3)은 제1부분(Pa1)의 내측변(IE1)의 곡률 반경(R1)과 다를 수 있다. 특히, 곡률 반경(R3)은 곡률 반경(R1)보다 작을 수 있다. 이와 달리, 제1부분(Pa1)의 내측변(IE1)과 메인부(100)의 변이 만나는 내측 모서리는 곡선 대신 뾰족한 모서리를 이룰 수도 있다(곡률 반경(R3)이 0이라고 볼 수 있음).
제1부분(Pa1)의 외측변(OE1)은 제1부분(Pa1)의 내측변(IE1)과 실질적으로 나란할 수도 있고, 외측변(OE1)의 일부는 내측변(IE1)과 나란하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 외측변(OE1) 중 메인부(100)에 인접한 부분은 대체로 직선인 직선변(SE)을 이룰 수 있고, 나머지 부분은 내측변(IE1)에 실질적으로 나란할 수 있다. 이에 따라, 제1부분(Pa1)의 폭(W1)은 일정하지 않을 수도 있고 실질적으로 일정할 수도 있다. 도 3은 제1부분(Pa1)의 폭(W1)이 일정하지 않은 예를 도시한다. 제1부분(Pa1)의 폭(W1)은 메인부(100)에서 멀어질수록 좁아지다가 일정 위치부터는 대략적으로 일정한 폭을 유지할 수 있다.
제2부분(Pa2)의 외측변(OE2)은 내측변(IE2)에 실질적으로 나란할 수 있다. 이에 따라, 제2부분(Pa2)의 폭(W2)은 실질적으로 일정할 수 있다. 이와 달리, 제2부분(Pa2)의 폭(W2)은 일정하지 않을 수도 있다.
연결부(102a)의 최소 폭은 메인부(100)의 어느 한 변의 길이보다 작을 수 있다.
단위 영역(UAa)에서 메인부(100)에는 네 개의 연결부(102a)들이 연결되어 있을 수 있고, 각 연결부(102a)는 메인부(100)의 서로 다른 방향을 향하는 변들에 각각 연결되어 있을 수 있다. 특히, 각 연결부(102a)의 제1부분(Pa1)의 외측변(OE1)이 메인부(100)의 모서리(또는 꼭지점)와 만날 수 있다. 한 메인부(100)에 연결되어 있는 네 개의 연결부(102a)들의 형태 및 메인부(100)와의 연결 관계는 서로 동일하여, 90도, 180도, 270도, 또는 360도로 회전한 단위 영역(UAa)은 처음과 같은 형태를 가질 수 있다. 즉, 하나의 메인부(100)에 연결되어 있는 네 개의 연결부(102a)들은 서로 90도 회전 대칭된 형태를 가질 수 있다.
한 단위 영역(UAa)에서, 연결부들(102a)의 바깥쪽 끝 부분은 단위 영역(UAa)의 가장자리에서 서로 다른 방향을 향할 수 있다. 즉, 메인부(100)의 좌상측 변에 연결된 연결부(102a)의 끝 부분은 제2방향(DR2)의 위쪽을 향하고, 메인부(100)의 우상측 변에 연결된 연결부(102a)의 끝 부분은 제1방향(DR1)의 오른쪽을 향하고, 메인부(100)의 우하측 변에 연결된 연결부(102a)의 끝 부분은 제2방향(DR2)의 아래쪽을 향하고, 메인부(100)의 좌하측 변에 연결된 연결부(102a)의 끝 부분은 제1방향(DR1)의 왼쪽을 향할 수 있다.
단위 영역(UAa)에 이웃한 단위 영역(UAb)의 형태, 즉 단위 영역(UAb)의 메인부(100) 및 연결부(102b)들의 형태는 단위 영역(UAa)을 거울 대칭한 형태와 같을 수 있다. 즉, 단위 영역(UAb)에서 연결부(102b)는 적어도 두 개의 서로 다른 방향으로 굴곡된 띠 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 연결부(102b)는 메인부(100)로부터 반시계 방향으로 굴곡된 제1부분, 그리고 제1부분에 연결되어 있으며 시계 방향으로 굴곡되어 있는 제2부분을 포함할 수 있다. 단위 영역(UAb)의 연결부(102b)는 단위 영역(UAa)의 연결부(102a)와 거울 대칭된 형태를 가지는 점을 제외하고는 연결부(102a)와 대체적으로 동일한 형태를 가지므로 연결부(102b)에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 2를 참조하면, 서로 이웃한 단위 영역(UAa)과 단위 영역(UAb)은 브릿지(BR)를 통해 서로 연결되어 있다. 각 브릿지(BR)는 단위 영역(UAa)의 한 연결부(102a)와 단위 영역(UAb)의 한 연결부(102b)를 포함할 수 있다. 서로 이웃한 단위 영역(UAa)과 단위 영역(UAb) 사이의 경계에서, 단위 영역(UAa)의 연결부(102a)의 끝 부분과 단위 영역(UAb)의 연결부(102b)의 끝 부분은 서로 연결되어 있다. 서로 연결된 연결부(102a)와 연결부(102b)의 가운데 부분의 내측변은 곡률 반경(R2)을 가지는 곡선을 이룰 수 있다.
도 4를 참조하면, 하나의 브릿지(BR)는 곡률 반경(R2)을 가지는 가운데 굴곡부(102C)와 곡률 반경(R1)을 가지는 한 쌍의 바깥쪽 굴곡부들(102E)을 포함할 수 있다. 브릿지(BR)의 바깥쪽 굴곡부들(102E)은 가운데 굴곡부(102C)의 양단에 각각 연결되어 있다. 브릿지(BR)의 가운데 굴곡부(102C)는 연결부(102a)의 제2부분(Pa2)과 연결부(102b)의 제2부분(Pb2)으로 이루어지며 곡률 반경(R2)의 내측변을 가지고 굴곡되어 있을 수 있다. 브릿지(BR)의 바깥쪽 굴곡부들(102E) 각각은 연결부(102a)의 제1부분(Pa1)과 연결부(102b)의 제1부분(Pb1)으로 이루어지며 곡률 반경(R1)의 내측변을 가지고 굴곡되어 있을 수 있다. 가운데 굴곡부(102C)의 굴곡된 방향과 한 쌍의 바깥쪽 굴곡부들(102E)의 굴곡된 방향은 서로 다를 수 있다. 즉, 가운데 굴곡부(102C)의 내측변의 곡률 반경의 중심이 브릿지(BR)를 기준으로 제1측에 있다면, 바깥쪽 굴곡부들(102E)의 내측변의 곡률 반경의 중심은 브릿지(BR)를 기준으로 제1측과 반대인 제2측에 위치할 수 있다.
이에 따라, 인접한 두 메인부(100)들을 연결하는 브릿지(BR)는 적어도 두 개의 서로 다른 방향으로 굴곡된 굴곡부들(102C, 102E)을 포함한 띠 형태를 가질 수 있다. 브릿지(BR)의 한 쌍의 바깥쪽 굴곡부들(102E)의 굴곡된 방향은 서로 같으나 가운데 굴곡부(102C)의 굴곡된 방향과는 다르다.
각 브릿지(BR)는 제1방향(DR1) 및/또는 제2방향(DR2)으로 대칭인 형태를 가질 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 인접한 메인부(100)들을 연결하는 브릿지(BR)들은 서로 대칭인 형태를 가지는 브릿지들(BR11, BR12, BR21, BR22)을 포함할 수 있다. 브릿지들(BR11, BR12, BR21, BR22)은 서로 90도로 회전된 형태를 가질 수 있다.
브릿지(BR11)와 브릿지(BR12)는 대체로 제1방향(DR1)으로 연장되어 있으며, 제1방향(DR1)으로 인접한 메인부(100)들을 서로 연결할 수 있다. 브릿지(BR11)와 브릿지(BR12)는 제1방향(DR1)에 나란한 기준선을 기준으로 서로 대칭인 형태를 가질 수 있다.
브릿지(BR21)와 브릿지(BR22)는 대체로 제2방향(DR2)으로 연장되어 있으며, 제2방향(DR2)으로 인접한 메인부(100)들을 서로 연결할 수 있다. 브릿지(BR21)와 브릿지(BR22)는 제2방향(DR2)에 나란한 기준선을 기준으로 서로 대칭인 형태를 가질 수 있다.
서로 이웃한 두 메인부들(100) 또는 서로 이웃한 두 브릿지들(BR)은 서로 이격되어 있어서 두 메인부(100) 또는 두 브릿지(BR) 사이에는 갭(GAP)이 위치한다. 갭(GAP)의 폭(W3)은 0보다 크다.
하나의 메인부(100)에 연결되어 있는 네 개의 브릿지들(BR)은 서로 90도, 180도, 270도, 또는 360도 회전 대칭된 형태를 가질 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 표시 장치(1000)는 기판(110)을 포함하며, 기판(110)의 평면상 형태는 표시 장치(1000)의 평면상 형태와 동일할 수 있다. 즉, 기판(110)의 평면상 형태는 앞에서 설명한 바와 같은 메인부(100)와 브릿지(BR)의 형태와 동일할 수 있다. 즉, 기판(110)은 메인부(100)와 브릿지(BR) 이외의 영역에서는 제거되어 있을 수 있다.
주변 영역(PA)에는 게이트 구동부(400a, 400b), 데이터 구동부(500) 등의 구동 회로가 위치할 수 있다.
게이트 구동부(400a, 400b)는 표시 영역(DA)에 위치하는 신호선 중 게이트선들과 연결되어 게이트 신호를 전달할 수 있다. 게이트 구동부(400a, 400b)는 표시 영역(DA)에 위치하는 트랜지스터들과 동일한 공정에서 동시에 형성될 수 있다. 표시 영역(DA)을 기준으로 좌측 또는 우측에 위치하는 게이트 구동부(400a, 400b) 중 하나는 생략될 수도 있다.
데이터 구동부(500)는 표시 영역(DA)에 위치하는 신호선 중 데이터선들과 연결되어 데이터 신호를 전달할 수 있다. 데이터 구동부(500)는 표시 장치(1000)에 본딩되어 있는 구동 회로칩을 포함할 수 있다.
이와 같이, 한 실시예에 따르면 표시 영역(DA)에서 발광 소자(LE)가 위치하는 복수의 메인부(100)들이 적어도 두 개의 서로 다른 방향으로 굴곡된 브릿지(BR)를 통해 서로 연결되어 있다. 뒤에서 구체적으로 설명하는 바와 같이 본 실시예에 따른 브릿지(BR)에 의해, 메인부(100)의 발광 소자(LE) 및 전기 소자의 손상 없이도, 표시 장치(1000)를 늘리거나(연신) 수축하는 것과 같은 변형 능력을 향상할 수 있다.
그러면, 앞에서 설명한 도면들과 함께 도 5 내지 도 12를 참조하여 한 실시예에 따른 표시 장치의 구조에 대해 설명한다.
도 5를 참조하면, 한 단위 영역(UA)(예를 들어 단위 영역(UAa))에서 메인부(100)에는 적어도 하나의 화소(PX)가 위치할 수 있다. 각 화소(PX)는 앞에서 설명한 바와 같은 발광 소자(LE) 및 트랜지스터 등의 전기 소자를 포함할 수 있다. 각 화소(PX)는 영상을 표시하는 단위로서 빛이 나오는 하나의 발광 영역을 가질 수 있다.
도 5는 하나의 메인부(100)에 위치하는 복수의 화소(PX)의 예로서 복수의 화소(R, G, B)들이 위치하는 예를 도시한다. 도 5에서 메인부(100) 내부에 사각형으로 표시한 부분은 각 화소(R, G, B)의 발광 영역에 해당할 수 있다. 한 메인부(100)에 위치하는 화소(R, G, B)들은 서로 다른 색의 빛을 내보낼 수 있다. 이와 달리, 한 메인부(100)에 위치하는 적어도 두 화소들(PX)은 실질적으로 서로 같은 색으로 인식될 수 있는 색의 빛을 내보낼 수도 있다.
연결부(102a)에는 복수의 배선(WR1, WR2)이 위치할 수 있다. 각 배선(WR1, WR2)은 메인부(100)의 전기 소자 및/또는 트랜지스터와 연결된 적어도 하나의 신호선을 포함할 수 있다.
끝 부분이 제1방향(DR1)을 향하는 연결부(102a)에 위치하는 배선(WR1)은 주로 제1방향(DR1)으로 연장되어 있고, 끝 부분이 제2방향(DR2)을 향하는 연결부(102a)에 위치하는 배선(WR2)은 주로 제2방향(DR2)으로 연장되어 있을 수 있다.
배선(WR1)이 포함하는 신호선들 중 일부는 배선(WR2)이 포함하는 신호선들이 전달하는 신호와 다른 종류의 신호를 전달할 수 있다. 예를 들어, 배선(WR1)은 게이트 신호를 전달하는 적어도 하나의 게이트선을 포함할 수 있고, 배선(WR2)은 데이터 신호를 전달하는 적어도 하나의 데이터선을 포함할 수 있다.
두 배선(WR1, WR2)은 적어도 하나의 전압 전달선을 포함할 수 있다. 예를 들어 두 배선(WR1, WR2)은 제1전압(예를 들어, 구동 전압(ELVDD))을 전달하는 구동 전압선 및/또는 제1전압과 다른 제2전압(예를 들어 공통 전압(ELVSS))을 전달하는 전압 전달선을 포함할 수 있다.
도 5와 함께 도 6 및 도 7을 참조하여 화소(PX)의 구조의 예 및 표시 장치의 적층 구조의 예에 대해 설명한다.
기판(110)은 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 기판(110)은 휘어질 수 있는 가요성(flexibility)을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에테르술폰(PES) 또는 폴리이미드(PI) 등의 다양한 유기 물질, 금속 박막 등을 포함할 수 있다. 기판(110)은 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
기판(110) 위에 버퍼층(120)이 위치할 수 있고, 버퍼층(120) 위에는 액티브 패턴(130)이 위치할 수 있다. 액티브 패턴(130)은 한 화소(PX)가 포함하는 복수의 트랜지스터들(T1, T2, T3_1, T3_2, T4_1, T4_2, T5, T6, T7) 각각의 채널을 형성하는 채널 영역(channel region)(131a, 131b, 131c_1, 131c_2, 131d_1, 131d_2, 131e, 131f, 131g) 및 도전 영역(conductive region)을 포함할 수 있다. 액티브 패턴(130)의 도전 영역은 채널 영역(131a, 131b, 131c_1, 131c_2, 131d_1, 131d_2, 131e, 131f, 131g)의 양쪽에 위치하는 소스 영역(136a, 136b, 136c_1, 136c_2, 136d_1, 136d_2, 136e, 136f, 136g) 및 드레인 영역(137a, 137b, 137c_1, 137c_2, 137d_1, 137d_2, 137e, 137f, 137g)을 포함할 수 있다.
액티브 패턴(130)은 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 산화물 반도체 물질 등을 포함할 수 있다.
액티브 패턴(130) 위에는 제1 절연층(141)이 위치하고, 제1 절연층(141) 위에는 제1 도전층이 위치할 수 있다. 제1 도전층은, 복수의 게이트선들(151, 152, 153, 154) 및 구동 게이트 전극(155a)을 포함할 수 있다.
게이트선들(151, 152, 153, 154)은 대체로 제1방향(DR1)으로 연장되어 있으며, 앞에서 설명한 게이트 구동부(400a, 400b)에 연결되어 있을 수 있다. 게이트선들(151, 152, 154)은 표시 영역(DA)에서 제2방향(DR2) 또는 그 반대 방향으로 스캐닝되는 게이트 신호를 전달할 수 있다. 게이트선(154)은 실질적으로 게이트선(152)과 같은 종류의 게이트선으로서 게이트선(152)이 전달하는 게이트 신호 다음 단의 게이트 신호를 전달할 수 있다. 게이트선(153)은 제어선이라고도 하며 게이트선들(151, 152, 154)과 다른 타이밍에 다른 파형의 신호를 전달할 수 있다.
액티브 패턴(130) 및 이와 중첩하는 복수의 게이트선들(151, 152, 153, 154) 및 구동 게이트 전극(155a)은 함께 복수의 트랜지스터(T1, T2, T3_1, T3_2, T4_1, T4_2, T5, T6, T7)를 형성할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 채널 영역(131a), 소스 영역(136a) 및 드레인 영역(137a), 그리고 채널 영역(131a)과 중첩하는 구동 게이트 전극(155a)을 포함한다. 제2 트랜지스터(T2)는 채널 영역(131b), 소스 영역(136b) 및 드레인 영역(137b), 그리고 채널 영역(131b)과 중첩하는 게이트선(151)의 일부인 게이트 전극(155b)을 포함한다. 제3 트랜지스터(T3_1, T3_2)는 서로 연결되어 있는 서브 트랜지스터들(T3_1, T3_2)을 포함할 수 있다. 서브 트랜지스터(T3_1)는 채널 영역(131c_1), 소스 영역(136c_1) 및 드레인 영역(137c_1), 그리고 채널 영역(131c_1)과 중첩하는 게이트선(151)의 일부인 게이트 전극(155c_1)을 포함한다. 서브 트랜지스터(T3_2)는 채널 영역(131c_2), 소스 영역(136c_2) 및 드레인 영역(137c_2), 그리고 채널 영역(131c_2)과 중첩하는 게이트선(151)의 일부인 게이트 전극(155c_2)을 포함한다. 제4 트랜지스터(T4_1, T4_2)는 서로 연결되어 있는 서브 트랜지스터들(T4_1, T4_2)를 포함할 수 있다. 서브 트랜지스터(T4_1)는 채널 영역(131d_1), 소스 영역(136d_1) 및 드레인 영역(137d_1), 그리고 채널 영역(131d_1)과 중첩하는 게이트선(152)의 일부인 게이트 전극(155d_1)을 포함한다. 서브 트랜지스터(T4_2)는 채널 영역(131d_2), 소스 영역(136d_2) 및 드레인 영역(137d_2), 그리고 채널 영역(131d_2)과 중첩하는 게이트선(152)의 일부인 게이트 전극(155d_2)을 포함한다. 제5 트랜지스터(T5)는 채널 영역(131e), 소스 영역(136e) 및 드레인 영역(137e), 그리고 채널 영역(131e)과 중첩하는 게이트선(153)의 일부인 게이트 전극(155e)을 포함한다. 제6 트랜지스터(T6)는 채널 영역(131f), 소스 영역(136f) 및 드레인 영역(137f), 그리고 채널 영역(131f)과 중첩하는 게이트선(153)의 일부인 게이트 전극(155f)을 포함한다. 제7 트랜지스터(T7)는 채널 영역(131g), 소스 영역(136g) 및 드레인 영역(137g), 그리고 채널 영역(131g)과 중첩하는 게이트선(154)의 일부인 게이트 전극(155g)을 포함한다.
제1 도전층 및 제1 절연층(141) 위에는 제2 절연층(142)이 위치할 수 있고, 제2 절연층(142) 위에는 제2 도전층이 위치할 수 있다. 제2 도전층은 스토리지선(156) 및 초기화 전압을 전달하는 초기화 전압선(159) 등을 포함할 수 있다. 스토리지선(156)은 각 화소(PX)에 위치하는 확장부(157)를 포함할 수 있다. 확장부(157)의 일부는 제거되어 개구부(51)를 이룰 수 있다.
제2 도전층 및 제2 절연층(142) 위에는 제3 절연층(160)이 위치할 수 있다.
버퍼층(120), 제1 절연층(141), 제2 절연층(142), 그리고 제3 절연층(160) 중 적어도 하나는 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiON) 등의 무기 절연 물질 및/또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)의 일부 또는 전부는 복수의 접촉 구멍들(61, 62, 63, 64, 65, 67, 68, 69)을 포함할 수 있다.
제3 절연층(160) 위에는 제3 도전층이 위치할 수 있다. 제3 도전층은 데이터선(171), 구동 전압선(172), 그리고 복수의 연결 부재들(174, 175, 179)을 포함할 수 있다.
데이터선(171)과 구동 전압선(172)은 대체로 제2방향(DR2)으로 연장되어 복수의 게이트선들(151, 152, 153, 154)과 교차할 수 있다.
연결 부재(174)의 일부는 스토리지선(156)의 확장부(157)의 개구부(51) 및 개구부(51) 안의 접촉 구멍(61)을 통해 구동 게이트 전극(155a)과 연결되어 있고, 연결 부재(174)의 다른 일부는 접촉 구멍(63)을 통해 제3 트랜지스터(T3)의 서브 트랜지스터(T3_1)의 드레인 영역(137c_1) 및 제4 트랜지스터(T4)의 서브 트랜지스터(T4_1)의 드레인 영역(137d_1)과 연결되어 있을 수 있다. 연결 부재(175)는 접촉 구멍(64)을 통해 초기화 전압선(159)과 연결되고 접촉 구멍(65)을 통해 제7 트랜지스터(T7)의 드레인 영역(137g)과 연결되어 있을 수 있다. 연결 부재(179)는 접촉 구멍(69)을 통해 제6 트랜지스터(T6)의 드레인 영역(137f)과 연결되어 있을 수 있다. 데이터선(171)은 접촉 구멍(62)을 통해 제2 트랜지스터(T2)의 소스 영역(136b)과 연결되어 있고, 구동 전압선(172)은 접촉 구멍(67)을 통해 제5 트랜지스터(T5)의 소스 영역(136e)과 연결되고 접촉 구멍(68)을 통해 스토리지선(156)의 확장부(157)와 연결되어 있을 수 있다. 따라서 스토리지선(156)의 확장부(157)는 구동 전압선(172)의 구동 전압(ELVDD)을 인가받을 수 있다.
제3 도전층은 제1전압과 다른 제2전압(예를 들어 공통 전압(ELVSS))을 전달하는 전압 전달선을 더 포함할 수 있다.
제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층 중 적어도 하나는 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈늄(Ta), 또는 이들 중 적어도 둘의 합금 등의 도전 물질을 포함할 수 있다.
제2 절연층(142)을 사이에 두고 서로 중첩하는 구동 게이트 전극(155a)과 스토리지선(156)의 확장부(157)는 커패시터(Cst)를 이룰 수 있다.
제3 도전층과 제3 절연층(160) 위에는 제4 절연층인 제1 보호막(180a) 및 제5 절연층인 제2 보호막(180b)이 위치할 수 있다. 제1 보호막(180a)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiON) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 보호막(180b)은 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 보호막(180a, 180b)은 연결 부재(179) 위에 위치하는 접촉 구멍(89)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 보호막(180a, 180b) 위에는 제4 도전층이 위치할 수 있다. 제4 도전층은 반투과성 도전 물질 또는 반사성 도전 물질을 포함할 수 있다.
제4 도전층은 제1전극(191)을 포함할 수 있다. 각 화소(PX)에는 하나의 제1전극(191)이 위치할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제1전극(191)은 화소 전극이라고도 한다. 제1전극(191)은 접촉 구멍(89)을 통해 연결 부재(179)와 전기적으로 연결되어 데이터 전압을 인가받을 수 있다.
제4 도전층은 도전 패턴(192)을 더 포함할 수 있다. 도전 패턴(192)은 제1전극(191)의 가장자리를 따라 굴곡되어 있을 수 있다. 도전 패턴(192)은 초기화 전압을 전달할 수 있다. 도전 패턴(192)은 생략될 수도 있다.
제2 보호막(180b) 및 제4 도전층 위에는 제6 절연층(350)이 위치할 수 있다. 제6 절연층(350)은 제1전극(191) 위에 위치하는 부분의 일부가 제거되어 제1전극(191)과 중첩하는 개구부(355)를 가질 수 있다. 제6 절연층(350)은 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제6 절연층(350)은 투명하거나 불투명할 수도 있고, 블랙 카본과 같은 색소를 포함할 수도 있다.
제1전극(191) 위에는 발광층(370)이 위치한다. 발광층(370)은 제6 절연층(350)의 개구부(355) 안에 위치하는 부분을 포함할 수 있다. 발광층(370)은 유기 발광 물질, 무기 발광 물질, 양자점 물질 등의 다양한 발광 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 평면 뷰에서, 개구부(355)의 영역은 각 화소(PX)가 발광하는 영역인 발광 영역에 대응할 수 있다.
발광층(370) 위에는 제2전극(270)이 위치할 수 있다. 제2전극(270)은 복수의 화소(PX)에 걸쳐 연속하여 형성되어 있거나 복수의 단위 영역(UA)에 걸쳐 연속하여 형성되어 있을 수 있고, 공통 전극이라고도 한다. 제2전극(270)은 도전성 투명 물질을 포함할 수 있다.
각 화소(PX)의 제1전극(191), 발광층(370) 및 제2전극(270)은 함께 발광 소자인 발광 다이오드(ED)를 이루며, 제1전극(191) 및 제2전극(270) 중 하나가 캐소드(cathode)가 되고 나머지 하나가 애노드(anode)가 된다. 발광 다이오드(ED)는 자발광 소자(self-illuminating element)이다.
제2전극(270) 위에는 밀봉층(380)이 위치할 수 있다. 밀봉층(380)은 외부로부터의 불순물의 침투를 방지하여 발광 다이오드(ED)를 보호할 수 있다. 밀봉층(380)은 적어도 하나의 무기 절연 물질 및/또는 적어도 하나의 유기 절연 물질을 포함할 수 있고, 밀봉층(380)은 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 다층 구조를 가지는 밀봉층(380)은 적어도 하나의 유기 절연 물질층 및 적어도 하나의 무기 절연 물질층을 포함할 수 있고, 서로 인접한 유기 절연 물질층과 무기 절연 물질층은 직접 접촉할 수 있다.
도 6에 도시한 화소(PX)의 구조는 한 예로서, 화소(PX)가 구조가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 화소(PX)는 설명한 바와 다른 개수 및/또는 연결 관계를 가지는 트랜지스터들을 포함할 수도 있다.
다음, 도 5 내지 도 7과 함께 도 8 내지 도 12를 참조하여 메인부(100)와 연결부(102a, 102b) 사이의 경계 및 연결부(102a, 102b)의 단면 구조의 예에 대해 설명한다. 여기서의 설명은 단위 영역(UAa)을 예로 들어 설명하나 단위 영역(UAb)에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 8 및 도 10을 참조하면, 연결부(102a)에 위치하는 배선들(WR1, WR2)은 하나의 도전층에 위치할 수 있으며, 예를 들어 앞에서 설명한 제3 도전층에 위치할 수 있다.
연결부(102a)는 메인부(100)에 비해 더 많이 변형되고 더 좋은 변형 능력을 가져야 하므로, 표시 장치의 변형시 크랙이 발생할 위험이 높은 층은 연결부(102a)에서 제거되어 있을 수 있다. 예를 들어, 메인부(100)에서는 존재하는 버퍼층(120), 제1 절연층(141), 제2 절연층(142), 제3 절연층(160), 그리고 제1 보호막(180a) 중 적어도 하나는 연결부(102a)에서 제거되어 존재하지 않을 수 있다. 도 8 내지 도 11은 연결부(102a)에서 버퍼층(120), 제1 절연층(141), 제2 절연층(142), 제3 절연층(160) 및 제1 보호막(180a) 모두가 제거되어 있는 예를 도시한다. 특히, 버퍼층(120), 제1 절연층(141), 제2 절연층(142), 제3 절연층(160), 그리고 제1 보호막(180a)이 무기 절연 물질을 포함하는 경우 이들 층은 제2 연결부(102a)에서 제거하여 제2 연결부(102a)의 변형시 크랙이 발생할 위험을 줄일 수 있다.
배선들(WR1, WR2)을 보호하고 유연성을 높이기 위해 연결부(102a)에는 제7 절연층(140)이 위치할 수 있다. 제7 절연층(140)은 제3 절연층(160) 이후에 형성되는 층으로서 배선들(WR1, WR2) 아래에 위치할 수 있다. 제7 절연층(140)은 연결부(102a)의 기판(110) 위를 덮어 버퍼층(120), 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)이 제거된 연결부(102a)를 보호할 수 있다. 제7 절연층(140)은 연결부(102a)에만 위치하고 메인부(100)의 대부분에는 존재하지 않을 수 있다. 또한, 평면 뷰에서 제7 절연층(140)은 메인부(100)의 트랜지스터들, 특히 액티브 패턴(130)과 중첩하지 않는다.
따라서, 연결부(102a)의 변형시 만일 제7 절연층(140)에 크랙이 발생하여도 그러한 크랙에 의한 불순물의 침투가 메인부(100)까지 진행되지 않을 수 있다.
제7 절연층(140)은 메인부(100)의 가장자리 부근에서 버퍼층(120), 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160) 중 적어도 하나의 가장자리 측면과 접촉하며 덮고, 제3 절연층(160)의 윗면의 일부를 덮을 수 있다.
제7 절연층(140)은 폴리이미드계 폴리머, 폴리아크릴계 폴리머, 실록산계 폴리머, 테프론과 같은 불소계 탄소 화합물, 벤조시클로부텐 화합물 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
연결부(102a)에서 제7 절연층(140) 위에 제3 도전층인 배선들(WR1, WR2), 제2 보호막(180b), 제2전극(270), 그리고 밀봉층(380)이 차례대로 적층되어 있을 수 있다. 도시한 바와 달리, 연결부(102a)에서 제2전극(270)이 제거되어 존재하지 않을 수도 있다. 또한, 연결부(102a)에서 밀봉층(380)이 제거되어 존재하지 않을 수도 있다. 또한, 연결부(102a)에서 제6 절연층(350)이 제2 보호막(180b)과 제2전극(270) 사이에 위치할 수도 있다.
배선들(WR1, WR2)과 위, 아래로 접촉하는 절연층은 모두 유기 절연 물질을 포함하는 절연층일 수 있다. 즉, 배선들(WR1, WR2)의 바로 아래에는 유기 절연 물질을 포함하는 제7 절연층(140)이 위치하고 배선들(WR1, WR2)의 바로 위에는 유기 절연 물질을 포함하는 제2 보호막(180b)이 위치할 수 있다. 따라서, 배선들(WR1, WR2)의 바로 위 또는 아래에 무기 절연층이 위치하는 경우에 비해, 배선들(WR1, WR2)에 인접한 절연층에 크랙이 발생할 확률이 낮으며, 배선들(WR1, WR2)에 습기 등의 불순물이 침투하는 등의 영향도 막을 수 있다.
배선(WR1)은 앞에서 설명한 구동 전압선(172), 전압 전달선(173), 그리고 게이트선들(151, 152, 153)을 포함할 수 있다. 게이트선들은 앞에서 설명한 게이트선(154)도 포함할 수 있다. 배선(WR1)은 구동 전압선(172) 및/또는 전압 전달선(173)은 포함하지 않을 수도 있다. 배선(WR1)이 포함하는 게이트선들(151, 152, 153)의 개수는 메인부(100)에 위치하는 화소(PX)가 포함하는 트랜지스터들의 개수에 따라 달라질 수 있다.
배선(WR2)은 구동 전압선(172), 전압 전달선(173), 그리고 적어도 하나의 데이터선(171)을 포함할 수 있다. 도 5는 하나의 메인부(100)에 세 개의 화소(R, G, B)가 위치하는 예를 도시하고 있으므로 배선(WR2)은 예를 들어 세 개의 데이터선(171)들을 포함할 수 있다. 배선(WR2)이 포함하는 데이터선(171)의 개수는 메인부(100)에 위치하는 화소(PX)의 개수에 따라 달라질 수 있다.
도 9 및 도 11을 참조하면, 앞에서 설명한 바와 같이 제1 절연층(141), 제2 절연층(142), 제3 절연층(160), 그리고 제1 보호막(180a)은 메인부(100)에 주로 위치하고 연결부(102a)에서는 제거되어 존재하지 않을 수 있다. 이에 따라, 연결부(102a)에서 제1 절연층(141), 제2 절연층(142), 제3 절연층(160), 그리고 제1 보호막(180a)에서 크랙이 발생할 가능성이 없고, 그러한 크랙이 메인부(100)로 전달될 가능성도 없다. 따라서 표시 장치의 손상 없이 연결부(102a)의 변형 능력을 높일 수 있다.
제1 절연층(141), 제2 절연층(142), 제3 절연층(160), 그리고 제1 보호막(180a)이 제거되어 드러나는 측면 중 가장 외곽에 위치하는 측면은 메인부(100)와 연결부(102a)의 경계와 대략 일치할 수 있고, 이와 달리 메인부(100)와 연결부(102a)의 경계에 가까운 쪽의 연결부(102a) 내부에 위치할 수도 있다.
도 5, 도 9 및 도 11을 참조하면, 제2 보호막(180b)은 앞에서 설명한 바와 같이 연결부(102a)에도 위치하고 있으나, 메인부(100)와 연결부(102a) 사이의 경계 부근에서 제2 보호막(180b)의 일부가 제거되어 구멍인 홈(185b)을 형성할 수 있다. 홈(185b)은 제1 보호막(180a) 위에 위치하며 제1 보호막(180a)을 드러낼 수 있다. 홈(185b)에서 제2 보호막(180b)은 존재하지 않을 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니고 홈(185b)에서 제2 보호막(180b)의 얇은 막이 남아 있을 수도 있다.
평면 뷰에서 홈(185b)은 메인부(100)에 위치하나 메인부(100)와 연결부(102a) 사이의 경계 근처에 위치하며 메인부(100)의 가장자리를 따라 연장되어 있다. 홈(185b)은 메인부(100)의 가장자리를 따라 연속적으로 형성되어 폐루프 형태를 이룰 수 있다. 홈(185b)은 메인부(100)에 위치하는 전기 소자 및 발광 소자를 둘러쌀 수 있다. 이러한 홈(185b)에 의해 메인부(100)에 위치하는 제2 보호막(180b)과 제2 연결부(102a)에 위치하는 제2 보호막(180b)이 물리적으로 분리될 수 있다. 따라서, 연결부(102a)의 변형시 만일 제2 보호막(180b)에 크랙이 발생하여도 그러한 크랙에 의한 불순물의 침투가 메인부(100)까지 진행되지 않을 수 있다.
홈(185b)에서 제2전극(270)은 제1 보호막(180a)의 윗면과 접촉할 수 있다. 제3 도전층(170S)과 제2전극(270)이 서로 전기적으로 연결되지 않도록 제1 보호막(180a)이 제3 도전층(170S)과 제2전극(270) 사이에 위치할 수 있다.
도 5 및 도 9를 참조하면, 배선(WR1)은 연결부(102a)에서 앞에서 설명한 제3 도전층(170S)에 위치할 수 있다. 배선(WR1) 중 적어도 일부는 메인부(100)에서 제3 도전층(170S)과 다른 도전층에 위치할 수 있고, 이러한 배선(WR1)은 예를 들어 앞에서 설명한 게이트선들(151, 152, 153)일 수 있다. 게이트선들(151, 152, 153)은 메인부(100)에서 제1 도전층(150S)에 위치할 수 있다. 게이트선들(151, 152, 153)의 제3 도전층(170S)과 제1 도전층(150S)은 메인부(100)의 가장자리 부근에서 제2 절연층(142)과 제3 절연층(160)의 접촉 구멍(165)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
도 5 및 도 11을 참조하면, 배선(WR2)은 연결부(102a)에서 앞에서 설명한 제3 도전층(170S)에 위치할 수 있다. 배선(WR2) 중 적어도 일부는 메인부(100)에서도 제3 도전층(170S)에 위치할 수 있고, 이러한 배선(WR2)은 예를 들어 앞에서 설명한 데이터선(171), 구동 전압선(172), 전압 전달선(173) 등일 수 있다. 즉, 배선(WR2) 중 데이터선(171), 구동 전압선(172), 또는 전압 전달선(173)은 메인부(100)와 연결부(102a) 사이의 경계 부근에서 제7 절연층(140)의 가장자리 부분이 제3 절연층(160)과 만나는 경계를 덮으며 메인부(100)와 연결부(102a)에서 연속적으로 형성되어 있을 수 있다. 배선(WR2) 중 데이터선(171), 구동 전압선(172), 또는 전압 전달선(173)은 메인부(100)에서는 제3 절연층(160)의 윗면과 접촉하고, 연결부(102a)에서는 제7 절연층(140)의 윗면과 접촉할 수 있다.
배선(WR1)이 포함하는 구동 전압선(172) 및 전압 전달선(173)도 도 11에 도시한 바와 같은 단면 구조를 가질 수 있다. 즉, 배선(WR1)이 포함하는 구동 전압선(172) 및 전압 전달선(173)은 연결부(102a) 및 메인부(100) 모두에서 제3 도전층(170S)에 위치하며 제7 절연층(140)의 윗면 및 제3 절연층(160)의 윗면과 접촉할 수 있다.
제2전극(270)은, 연결부(102a, 102b)에서 제2 보호막(180b)의 접촉 구멍을 통해 전압 전달선(173)과 전기적으로 연결되거나, 메인부(100)에서 제2전극(270)과 전압 전달선(173) 사이의 절연층의 접촉 구멍을 통해 전압 전달선(173)과 전기적으로 연결되어 제2전압을 전달받을 수 있다.
도 12는 기판(110)이 다층 구조를 가지는 예를 도시한다. 예를 들어, 기판(110)은 폴리이미드(PI) 등의 복수의 유기 절연 물질층(110a, 110b)과 이웃한 두 유기 절연 물질층(110a, 110b) 사이에 위치하는 적어도 하나의 배리어층(111)을 포함할 수 있다. 배리어층(111)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiON) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 유기 절연 물질층(110a, 110b)과 배리어층(111)은 단면 뷰에서 제3방향(DR3)으로 교대로 적층되어 있을 수 있다. 기판(110)이 배리어층(111)을 포함하는 경우, 배리어층(111)은 메인부(100)에 주로 위치하고 연결부(102a)에서는 제거되어 있을 수 있다. 이와 같이 배리어층(111)은 연결부(102a)에서는 제거됨으로써 연결부(102a)에서의 크랙 등의 불량 발생을 줄일 수 있다.
도 12는 앞에서 설명한 바와 같이 제2전극(270)과 밀봉층(380)이 제2 연결부(102a)에서는 제거될 수 있는 예를 도시한다. 즉, 제2전극(270)은 절단면(273)을 기준으로 오른쪽 부분은 제거되어 연결부(102a)에서는 위치하지 않을 수 있고, 밀봉층(380)은 절단면(383)을 기준으로 오른쪽 부분은 제거되어 연결부(102a)에서는 위치하지 않을 수 있다.
앞에서 설명한 도면들과 함께 도 13 내지 도 17을 참조하여 앞에서 설명한 실시예들에 따른 표시 장치의 브릿지(BR)에 의한 효과에 대해 설명한다.
도 13은 표시 장치가 제1방향(DR1)에 나란한 방향의 양쪽으로 잡아당기고 제2방향(DR2)에 나란한 방향의 양쪽으로 잡아당기는 이축 연신되었을 때의 형태를 도시한다.
도 13을 참조하면, 앞에서 설명한 도 2에 도시한 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역(DA)의 적어도 일부가 연신되면(늘어나면), 인접한 메인부(100)들 사이의 간격(예를 들어, 갭(GAP))이 커지고, 브릿지(BR)가 구부러지는 등 변형될 수 있다. 즉, 표시 장치의 표시 영역(DA)이 연신되면, 갭(GAP)의 폭(W4)은 원래 상태에서의 폭(W3)보다 커지고, 브릿지들(BR11, BR12, BR21, BR22) 각각의 두 연결부(102a, 102b) 사이의 간격도 벌어질 수 있다.
표시 영역(DA)이 연신될 때 메인부(100)는 브릿지(BR)의 변형에 따라 평면 상에서 회전(rotate)할 수 있다. 예를 들어, 단위 영역(UAa)은 원래 위치에서 시계 방향으로 회전하고, 단위 영역(UAb)은 원래 위치에서 반시계 방향으로 회전할 수 있다.
이와 반대로, 표시 영역(DA)의 적어도 일부가 수축되면(줄어들면), 인접한 메인부(100)들 사이의 간격(예를 들어, 갭(GAP))이 작아지고, 브릿지(BR)가 구부러지는 등 변형될 수 있다.
브릿지(BR)는 복수의 굴곡부(앞에서 설명한 가운데 굴곡부(102C), 한 쌍의 바깥쪽 굴곡부들(102E))을 포함하여 직선 형태보다 더 유연하게 구부러질 수 있다. 이때, 도 13에 도시한 바와 같이, 메인부(100)의 형상은 브릿지(BR)에 비해 거의 변형되지 않을 수 있다. 따라서 표시 영역(DA)이 연신 또는 수축되어도 메인부(100)에 위치하는 전기 소자 및 발광 소자에 손상이 생기는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치를 연신 또는 수축하는 것과 같은 변형 능력을 높일 수 있다.
표시 영역(DA)의 적어도 일부가 연신되거나 수축되는 경우는, 예를 들어 표시 장치가 구부러지거나 말리거나 접히는 경우일 수 있다. 표시 영역(DA)의 연신 또는 수축 방향은 일 방향의 양쪽으로 변형되는 일축 연신/수축이거나 두 개 이상의 방향 각각에 대해 양쪽으로 변형되는 이축 이상의 연신/수축일 수 있다(예를 들어 도 13에 도시한 바와 같음). 예를 들어 표시 영역(DA)의 연신 또는 수축 방향은 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2) 중 적어도 한 방향일 수 있고, 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2)에 나란하지 않은 방향, 예를 들어 대각선 방향일 수도 있다.
도 14 및 도 15는, 도 13에 도시한 바와 같이 표시 장치의 표시 영역(DA)을 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2)으로 잡아당겨 각각 5% 연신하였을 때(이축 연신), 브릿지(BR)의 변형률(strain)을 다양한 곡률 반경(R1)과 곡률 반경(R2)에 대해 계조로 나타내고, 브릿지(BR)의 최대 변형률(maximum strain)과 표시 영역(DA)의 최대 연신율(maximum elongation)을 수치로 나타낸다. 특히, 도 14 및 도 15는 번호의 순서대로, 곡률 반경(R1)은 증가하고 곡률 반경(R2)은 감소할 때 브릿지(BR)의 변형률과 표시 영역(DA)의 최대 연신율의 변화를 나타낸다. 도 14 및 도 15에 기재된 최대 변형률이 작을수록 브릿지(BR)가 받는 스트레스가 작으며, 최대 연신율이 클수록 표시 영역(DA)이 손상 없이 늘어날 수 있는 능력이 크다고 볼 수 있다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 곡률 반경(R1)이 커지고 곡률 반경(R2)이 작아질수록 대체로 브릿지(BR)의 최대 변형률이 작아지고 표시 영역(DA)의 최대 연신율이 증가함을 알 수 있다. 다만, 곡률 반경(R1)과 곡률 반경(R2)의 차이가 상당히 크고(대략 50 마이크로미터보다 큰 경우) 곡률 반경(R1)이 90 마이크로미터 이상인 경우부터는 브릿지(BR)의 최대 변형률이 상대적으로 커지고 이에 따라 최대 연신율이 작아지는 경향이 있을 수 있다. 즉, 바람직한 연신 능력을 확보하기 위해 한 실시예에 따른 표시 장치의 브릿지(BR)의 곡률 반경(R1)은 90 마이크로미터 미만일 수 있다.
도 16은 비교예 및 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역을 한 방향, 예를 들어 제1방향(DR1)으로 잡아당겨 5% 연신하였을 때, 브릿지(BRc, BR)의 변형률을 계조로 나타내고, 측면에서의 변형 모습을 도시한다. 비교예(Ref)의 표시 장치의 브릿지(BRc)는 본 실시예의 브릿지(BR)와 달리 굴곡부를 가지지 않고 직선의 띠 형태이다. 실시예에 따른 표시 장치의 브릿지(BR)의 변형률에 비해 비교예(Ref)의 표시 장치의 브릿지(BRc)의 변형률이 훨씬 큰 것을 확인할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 표시 장치의 브릿지(BR)는 표시 장치의 변형시 형태 변화가 없으나, 비교예(Ref)의 표시 장치의 브릿지(BRc)는 표시 장치의 변형시 벤딩되어 형태 변화가 많이 있어 브릿지(BRc)가 손상될 가능성이 높다.
도 17은 도 14, 도 15 및 도 16의 결과를 비교한 막대 그래프로서, 비교예(Ref) 및 실시예들에 따른 표시 장치의 표시 영역을 직교하는 두 방향으로 잡아당겨 연신(등방 연신)하였을 때와 한 방향으로만 잡아당겨 연신(비등방 연신)하였을 때, 도 16에 도시한 브릿지(BRc)의 최대 변형률과 실시예에 따른 브릿지(BR)의 최대 변형률을 비교하여 보여준다.
브릿지(BRc)가 굴곡부를 가지지 않고 직선 형태인 비교예(Ref)의 경우에 비해, 실시예에 따른 표시 장치의 브릿지(BR)의 최대 변형률이 비등방 연신 및 등방 연신 모두의 경우에서 낮음을 알 수 있고, 이에 따라 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역(DA)의 연신 능력, 나아가 수축 능력 등의 변형 능력이 향상될 수 있다. 또한, 앞에서 설명한 바와 같이 곡률 반경(R1)이 곡률 반경(R2)보다 크며 두 곡률 반경(R1, R2)의 차이가 50 마이크로미터보다 작은 실시예인 3번(#3)과 4번(#4) 실시예의 경우 브릿지(BR)의 최대 변형률이 가장 낮아 표시 영역(DA)의 연신 능력이 향상될 수 있다.
이와 같이, 실시예들에 따르면 브릿지(BR)의 형태에 의해 브릿지(BR)가 받는 최대 변형률이 낮아져 크랙이 발생할 가능성이 낮아지며 이에 따라 표시 영역(DA) 전체적으로 연신 능력이 향상되어 고연신 표시 장치가 제공될 수 있다.
다음, 앞에서 설명한 도면들과 함께 도 18 내지 도 28을 참조하여 한 실시예에 따른 표시 장치의 메인부(100)에서의 화소들의 배치의 예에 대해 설명한다.
도 18을 참조하면, 하나의 메인부(100)에 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)가 하나씩 위치할 수 있다. 청색 화소(B)의 발광 영역은 적색 화소(R)의 발광 영역 및 녹색 화소(G)의 발광 영역보다 클 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 실시예는 앞에서 설명한 도 5에 도시한 실시예와 동일할 수 있다.
도 19 내지 도 21은 도 18에 도시한 화소 배치를 적용한 다양한 실시예이다.
도 19를 참조하면, 각 메인부(100)에 위치하는 화소들(R, G, B)의 배치는 일정할 수 있다.
도 20을 참조하면, 도 19에 도시한 바와 달리 제1방향(DR1)으로 인접한 두 메인부(100)에 위치하는 화소들(R, G, B)의 배치는 서로 거울 대칭(또는 인접한 두 메인부(100)의 사이의 제2방향(DR2)의 중심선을 기준으로 한 선대칭)을 이룰 수 있다.
도 21을 참조하면, 도 19에 도시한 바와 달리 제2방향(DR2)으로 인접한 두 메인부(100)에 위치하는 화소들(R, G, B)의 배치는 서로 거울 대칭(또는 인접한 두 메인부(100)의 사이의 제1방향(DR1)의 중심선을 기준으로 한 선대칭)을 이룰 수 있다.
도 22를 참조하면, 하나의 메인부(100)에 하나의 적색 화소(R), 하나의 청색 화소(B), 그리고 두 개의 녹색 화소들(G)이 위치할 수 있다. 한 열의 녹색 화소들(G)은 제2방향(DR2)으로 배열되어 있고, 적색 화소(R)와 청색 화소(B)는 제1방향(DR1)으로 교대로 배열되어 있을 수 있다.
도 23 내지 도 25는 도 22에 도시한 화소 배치를 적용한 다양한 실시예이다.
도 23을 참조하면, 각 메인부(100)에 위치하는 화소들(R, G, B)의 배치는 일정할 수 있다.
도 24를 참조하면, 도 23에 도시한 바와 달리 제1방향(DR1)으로 인접한 두 메인부(100)에 위치하는 화소들(R, G, B)의 배치는 서로 거울 대칭(또는 인접한 두 메인부(100)의 사이의 제2방향(DR2)의 중심선을 기준으로 한 선대칭)을 이룰 수 있다.
도 25를 참조하면, 도 23에 도시한 바와 달리 제2방향(DR2)으로 인접한 두 메인부(100)에 위치하는 화소들(R, G, B)의 배치는 서로 점대칭을 이룰 수 있다. 즉, 제2방향(DR2)으로 인접한 두 메인부(100)에 위치하는 화소들(R, G, B) 중 청색 화소(B)와 적색 화소(R)의 좌우 위치가 서로 다를 수 있다.
도 26을 참조하면, 하나의 메인부(100)에 하나의 적색 화소(R), 하나의 녹색 화소(G), 그리고 제1 청색 화소(B1) 및 제2 청색 화소(B2)가 위치할 수 있다. 제1 청색 화소(B1)와 제2 청색 화소(B2)는 파장이 서로 다른 청색 계열의 빛을 내보낼 수 있다.
도 27을 참조하면, 하나의 메인부(100)에 도 27의 (a)와 같이 하나의 적색 화소(R) 및 하나의 녹색 화소(G)의 두 화소들이 위치하거나, 도 27의 (b)와 같이 하나의 청색 화소(B) 및 하나의 녹색 화소(G)의 두 화소들이 위치할 수 있다. 도 27의 (a)에 도시한 메인부(100)와 도 27의 (b)에 도시한 메인부(100)는 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2)에 나란하지 않은 대각선 방향으로 교대로 배열되어 있을 수 있다.
도 28을 참조하면, 하나의 메인부(100)에 도 28의 (a)와 같이 하나의 적색 화소(R) 및 하나의 청색 화소(B)의 두 화소들이 위치하거나, 도 28의 (b)와 같이 하나의 녹색 화소(G) 및 하나의 청색 화소(B)의 두 화소들이 위치할 수 있다. 도 28의 (a)에 도시한 메인부(100)와 도 28의 (b)에 도시한 메인부(100)는 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2)에 나란하지 않은 대각선 방향으로 교대로 배열되어 있을 수 있다.
도시하지 않았으나, 도 26 내지 도 28에 도시한 화소 배치도 앞에서 설명한 도 19, 도 20, 도 21, 도 23, 도 24 및 도 25와 같은 배치 형태로 복수의 메인부(100)에 적용될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 메인부(100)에 위치하는 화소들(PX)은 적색, 녹색, 청색 이외의 색의 빛을 내보낼 수도 있으며, 한 메인부(100)에 위치하는 화소들(PX)의 개수도 다양하게 변경될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (20)

  1. 서로 이격되어 있는 복수의 메인부들,
    상기 복수의 메인부들 중 인접한 메인부들 사이를 연결하는 복수의 브릿지들을 포함하고,
    상기 메인부는 적어도 하나의 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하고,
    상기 브릿지는 상기 트랜지스터 또는 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되어 있는 배선을 포함하고,
    상기 브릿지는 적어도 두 개의 서로 다른 방향으로 굴곡된 굴곡부들을 포함하고,
    상기 브릿지는, 제1 굴곡부, 상기 제1 굴곡부의 양단에 연결되어 있는 한 쌍의 제2 굴곡부들을 포함하고,
    상기 제1 굴곡부의 굴곡된 방향과 상기 한 쌍의 제2 굴곡부의 굴곡된 방향은 서로 다르고,
    상기 한 쌍의 제2 굴곡부들의 내측변의 곡률 반경은 서로 동일하고,
    상기 제2 굴곡부의 내측변의 곡률 반경은 상기 제1 굴곡부의 내측변의 곡률 반경보다 크고,
    상기 제1 굴곡부의 내측변의 곡률 반경과 상기 제2 굴곡부의 내측변의 곡률 반경의 차이가 50 마이크로미터 보다 작은
    표시 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에서,
    상기 제2 굴곡부의 내측변의 곡률 반경은 90 마이크로미터 미만인 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 배선은 데이터선, 제1전압을 전달하는 구동 전압선, 상기 제1전압과 다른 제2전압을 전달하는 전압 전달선, 게이트선 중 적어도 하나인 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 브릿지는, 기판, 상기 기판 위에 위치하는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 위에 위치하는 제2 절연층을 포함하고,
    상기 배선은 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층 사이에 위치하고,
    상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층은 유기 절연 물질을 포함하는
    표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 제1 절연층은 상기 메인부에 위치하는 상기 트랜지스터와 중첩하지 않는 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 메인부는 상기 기판 위에 위치하는 적어도 하나의 절연층을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 절연층은 상기 브릿지에서는 존재하지 않고,
    상기 제1 절연층은 상기 브릿지와 상기 메인부의 경계 부근에서 상기 적어도 하나의 절연층의 측면과 접촉하는
    표시 장치.
  9. 제7항에서,
    상기 메인부는,
    상기 기판,
    상기 기판 위에 위치하는 액티브 패턴,
    상기 액티브 패턴 위에 위치하는 제3 절연층,
    상기 제3 절연층 위에 위치하는 제1 도전층,
    상기 제1 도전층 위에 위치하는 제4 절연층,
    상기 제4 절연층 위에 위치하는 제2 도전층,
    상기 제2 도전층 위에 위치하는 상기 제2 절연층,
    상기 제2 절연층 위에 위치하는 제1전극,
    상기 제1전극 위에 위치하는 발광층, 그리고
    상기 발광층 위에 위치하는 제2전극
    을 포함하고,
    상기 배선은, 상기 브릿지에서 상기 제1 절연층 위에서 상기 제1 절연층과 접촉하는 부분, 그리고 상기 메인부에서 상기 제4 절연층 위에서 상기 제4 절연층과 접촉하는 부분을 포함하는
    표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 제2 절연층은 상기 메인부의 가장자리 부근에서 상기 트랜지스터 및 상기 발광 소자를 둘러싸는 홈을 포함하는 표시 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 브릿지는, 상기 메인부에 연결되어 있는 제1부분, 그리고 상기 제1부분에 연결되어 있는 제2부분을 포함하고,
    상기 제1부분은 시계 방향 및 반시계 방향 중 한 방향으로 굴곡되어 있고,
    상기 제2부분은 상기 제1부분과 다른 방향으로 굴곡되어 있는
    표시 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 복수의 메인부는 서로 이웃한 제1 메인부 및 제2 메인부를 포함하고,
    상기 복수의 브릿지 중 상기 제1 메인부와 상기 제2 메인부 사이를 연결하는 제1 브릿지는, 상기 제1 메인부에 직접 연결되어 있는 제1부분, 그리고 상기 제2 메인부에 직접 연결되어 있는 제2부분을 포함하고,
    상기 제1부분은 시계 방향 및 반시계 방향 중 한 방향으로 굴곡되어 있고,
    상기 제2부분은 상기 제1부분과 다른 방향으로 굴곡되어 있는
    표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 복수의 브릿지들은 상기 제1 메인부에 연결되어 있는 네 개의 브릿지들을 포함하고,
    상기 네 개의 브릿지들 중 인접한 브릿지들은 서로 90도 회전 대칭된 형태를 가지는
    표시 장치.
  14. 제1항에서,
    상기 메인부는 다각형, 원형, 타원형 중 하나의 형태를 가지는 표시 장치.
  15. 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하는 메인부,
    상기 메인부에 연결되어 있는 복수의 연결부들
    을 포함하고,
    상기 복수의 연결부들 각각은,
    상기 메인부에 연결되어 있으며 제1 곡률 반경으로 굴곡된 내측변을 가지는 제1부분, 그리고
    상기 제1부분에 연결되어 있고, 상기 제1 곡률 반경과 다른 제2 곡률 반경으로 굴곡된 내측변을 가지며, 상기 제1부분과 다른 방향으로 굴곡된 제2부분을 포함하고,
    상기 메인부와 상기 복수의 연결부들은 하나의 기판을 포함하고,
    상기 복수의 연결부들은, 상기 기판 위에 위치하는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 위에 위치하는 제2 절연층, 그리고 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층 사이에 위치하며 상기 트랜지스터 또는 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되어 있는 배선을 포함하고,
    상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층은 유기 절연 물질을 포함하고,
    상기 제1 절연층은 상기 메인부에 위치하는 상기 트랜지스터와 중첩하지 않는
    표시 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 제1 곡률 반경은 상기 제2 곡률 반경보다 큰 표시 장치.
  17. 삭제
  18. 제15항에서,
    상기 메인부는 상기 기판과 상기 발광 소자 사이에 위치하는 적어도 하나의 절연층을 포함하고,
    상기 복수의 연결부들은 상기 적어도 하나의 절연층을 포함하지 않는
    표시 장치.
  19. 제15항에서,
    상기 제1부분은 상기 메인부를 향하는 방향으로 굴곡되어 있고,
    상기 제2부분은 상기 메인부로부터 멀어지는 방향으로 굴곡되어 있는
    표시 장치.
  20. 제15항에서,
    상기 제1부분이 상기 메인부와 연결된 모서리의 곡률 반경은 상기 제1 곡률 반경보다 작은 표시 장치.
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