CN105742321A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置。在一个方面，所述显示装置包括基底以及形成在基底上的多个像素，基底包括分隔区域。分隔区域形成在相邻的像素之间，多个通孔分别由分隔区域的多个围绕的内表面限定，其中，每个内表面穿过基底。所述显示装置还包括形成在基底上方并且覆盖分隔区域的内表面的包封层。

Description

显示装置
本申请要求于2014年12月26日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0191126号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
所描述的技术总地涉及一种显示装置和一种制造显示装置的方法。
背景技术
显示装置的使用因其外形薄和重量轻而正被多样化。现有的显示器正被便携且薄的平板显示器取代。通常，其薄外形和相关联的制造难度引起对于装置的耐久性的关注。弯曲和折叠处于高需求，但是制造兼具柔性和耐久性两者的显示装置是有挑战性的。由于这个原因，在这些约束下增强用户体验受到了限制。
发明内容
一个发明方面涉及一种增强用户便利性的显示装置及其制造方法。
另一个方面在于一种显示装置，该显示装置包括：基底；多个像素单元，形成在基底上；分隔区域，限定在基底上并且形成在多个像素单元之中的两个相邻的像素单元之间；贯通部，形成在分隔区域中并且包括穿过基底的内表面；包封层，形成在基底上并且覆盖贯通部的内表面，其中，有机层和无机层交替地形成在包封层中以密封所述多个像素单元。
贯通部的内表面可以具有斜坡。
贯通部的内表面可以具有台阶高度。
所述多个像素单元中的每个可以包括：像素电极，形成在基底上；包括发射层的中间层，形成在像素电极上；对向电极，形成为与像素电极相对并且覆盖中间层。
贯通部的内表面可以具有在从对向电极至基底的方向上变窄的宽度。
分隔区域可以包括第一分隔区域和第二分隔区域，第一分隔区域可以包括处于所述多个像素单元之中的在第一方向上彼此相邻的两个像素单元之间的区域。第二分隔区域可以包括处于所述多个像素单元之中的在与第一方向相交的第二方向上彼此相邻的两个像素单元之间的区域。贯通部可以包括第一贯通部和第二贯通部。第一贯通部可以形成在第一分隔区域中，第二贯通部可以形成在第二分隔区域中。
第一贯通部可以具有沿着第二方向长长地延伸的形状，第二贯通部可以具有沿着第一方向长长地延伸的形状。
显示装置还可以包括电连接到所述多个像素单元的一条或多条布线，其中，所述一条或多条布线形成为不与贯通部叠置。
所述一条或多条布线可以在一个方向上延伸，并且形成为沿着贯通部的在与所述一个方向交叉的另一方向上形成的外围在与所述一个方向交叉的所述另一方向上弯曲并突出。
所述一条或多条布线可以包括多条布线，所述多条布线之中的在一个方向上彼此相邻的两条布线可以关于贯通部对称。
基底可以具有柔性。
另一个方面在于一种制造显示装置的方法，该方法包括下述步骤：提供包括像素区域和分隔区域的基底，其中，多个像素单元形成在像素区域中，分隔区域形成在所述多个像素单元之中的两个相邻的像素单元之间；在基底上形成所述多个像素单元；在基底的分隔区域中形成包括穿过基底的内表面的贯通部；在基底上形成覆盖贯通部的内表面的包封层，其中，有机层和无机层交替地形成在包封层中以密封所述多个像素单元。
贯通部的形成步骤可以包括将贯通部的内表面形成为具有斜坡或台阶高度。
所述多个像素单元的形成步骤可以包括：在基底上形成像素电极；在像素电极上形成包括发射层的中间层；形成覆盖中间层并且与像素电极相对的对向电极。
贯通部的形成步骤可以包括形成贯通部的内表面使宽度在从对向电极至基底的方向上变窄。
所述方法还可以包括在基底上形成半导体层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管。薄膜晶体管的形成步骤可以包括：在半导体层和栅电极之间形成栅极绝缘层；在栅电极与源电极和漏电极之间形成层间绝缘层；在栅极绝缘层和层间绝缘层中形成使得半导体层能够电连接到源电极和漏电极的接触孔。贯通部的形成步骤可以包括：形成第一通孔；形成第二通孔；形成第三通孔；形成第四通孔。接触孔的形成和第一通孔的形成可以同时执行。
所述方法还可以包括在薄膜晶体管上形成第一绝缘层，使薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个暴露的孔形成在第一绝缘层中，其中，第一绝缘层的形成和第二通孔的形成可以同时执行。
所述方法还可以包括将在第一绝缘层上形成包括暴露像素电极的中心部分的开口第二绝缘层，其中，第二绝缘层的形成和第三通孔的形成可以同时执行。
第四通孔的形成步骤可以包括去除基底的与第一通孔对应的部分以形成第四通孔。
基底的提供步骤可以包括利用具有柔性的材料形成基底。
另一个方面在于一种显示装置，该显示装置包括：基底，包括分隔区域；多个像素，形成在基底上方，其中，分隔区域形成在相邻的像素之间，其中，多个通孔分别由分隔区域的多个围绕的内表面限定，其中，每个内表面穿过基底；包封层，形成在基底上方并且覆盖分隔区域的内表面。
在上述显示装置中，内表面的至少一个具有斜坡。
在上述显示装置中，内表面的至少一个具有台阶高度。
在上述显示装置中，每个像素包括：像素电极，形成在基底上方；包括发射层的中间层，形成在像素电极上方；对向电极，形成为与像素电极相对并且至少部分地覆盖中间层。
在上述显示装置中，内表面的至少一个在与对向电极相邻处的宽度比在与基底相邻处的宽度大。
在上述显示装置中，其中，分隔区域包括第一分隔区域和第二分隔区域，其中，第一分隔区域包括形成在像素之中的在第一方向上彼此相邻的第一像素之间的区域，其中，第二分隔区域包括形成在像素之中的在与第一方向交叉的第二方向上彼此相邻的第二像素之间的区域，其中，通孔包括分别形成在第一分隔区域和第二分隔区域中的第一通孔和第二通孔。
在上述显示装置中，第一通孔在第二方向上延伸，其中，第二通孔在第一方向上延伸。
上述显示装置中还包括电连接到像素的一条或多条布线，其中，布线在与第一方向和第二方向交叉的方向上不与通孔叠置。
在上述显示装置中，布线在第一方向和第二方向中的一个方向上延伸，其中，布线在另一方向上突出以在通孔的外围周围弯曲。
在上述显示装置中，布线包括多条布线，其中，布线中的在第一方向和第二方向中的一个方向上彼此相邻的两条布线相对于通孔基本上对称。
在上述显示装置中，基底是柔性的。
另一个方面在于一种制造显示装置的方法，该方法包括下述步骤：提供包括像素区域和分隔区域的基底；在像素区域中形成多个像素单元，其中，分隔区域位于相邻的像素之间；形成分别由分隔区域的多个围绕的内表面限定的多个通孔，其中，每个内表面穿过基底；在基底上形成包封层以覆盖通孔的内表面。
在上述方法中，贯通部的形成步骤包括形成至少一个内表面以具有斜坡或台阶形状。
在上述方法中，像素的形成步骤包括：在基底上方形成像素电极；在像素电极上形成包括发射层的中间层；形成至少部分地覆盖中间层并且与像素电极相对的对向电极。
在上述方法中，通孔的形成步骤可以包括形成在与对向电极相邻处的宽度比在与基底相邻处的宽度大的至少一个内表面。
上述方法还包括在基底上方形成包括半导体层与栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管(TFT)，其中，TFT的形成步骤包括：在半导体层和栅电极之间形成栅极绝缘层；在栅电极和源电极之间以及栅电极和漏电极之间形成层间绝缘层；在栅极绝缘层和层间绝缘层中形成半导体层电连接到源电极和漏电极所通过的接触孔，其中，通孔的形成步骤包括连续地形成第一通孔至第四通孔，其中，接触孔的形成和第一通孔的形成是并行执行的。
上述方法还包括在TFT上方形成第一绝缘层，其中，第一绝缘层包括暴露TFT的源电极和漏电极中的一个的孔，其中，第一绝缘层的形成和第二通孔的形成是并行执行的。
上述方法还包括在第一绝缘层上方形成包括暴露像素电极的中心部分的开口的第二绝缘层，其中，第二绝缘层的形成和第三通孔的形成是并行执行的。
在上述方法中，第四通孔的形成步骤包括去除基底的与第一通孔对应的部分。
在上述方法中，通孔中的至少一个形成在四个相邻的像素之间。
附图说明
图1是示意性地示出根据示例性实施例的显示装置的平面图。
图2是示意性地示出图1的放大部分A的平面图。
图3是沿着图2的线III-III截取的剖视图。
图4A至图4C是沿着图2的线VI-VI截取的剖视图。
图5是示意性地示出图1的放大部分A的平面图。
图6是示意性地示出图1的放大部分A的平面图。
图7是示意性地示出图6的放大部分K的平面图。
图8至图12是示意性地示出根据示例性实施例的制造显示装置的工艺的剖视图。
具体实施方式
现在，将对示例性实施例进行详细参照，示例性实施例的示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本示例性实施例可以具有不同的形式，并且不应解释为局限于在此阐述的说明。因此，以下通过参照附图仅描述示例性实施例，以解释本说明的各方面。
实施例可以进行可具有各种实施例的各种变型，附图中示出的特定实施例将在详细的说明中详细描述。根据下文中阐述的参照附图对实施例的以下描述，所描述技术的效果和特征将变得明显。然而，所描述技术可以以不同的形式来体现，并且不应被解释为局限于在此阐述的实施例。
在下文中，将参照附图详细描述所描述技术的实施例。此外，在本说明书和附图中，同样的附图标号始终表示同样的元件，因此省略了多余的描述。
在以下实施例中，术语“第一”和“第二”用于将一个元件与另一个元件区分开，这些元件不应受这些术语的限制。在以下实施例中，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。
在以下实施例中，还应当理解，当在此使用术语“包含”“具有”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。此外，当诸如层或区域的元件被称作“在”另一元件“上”时，除了一个元件直接形成在另一元件上的情形之外，这还包括一个元件形成在其他元件之间的情形。
在附图中，为了便于图示，夸大或缩小了层和区域的尺寸。例如，为了清楚起见，附图中的每个元件的尺寸和厚度是任意示出的，因此，所描述技术的实施例不限于此。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而是可以在更广义的意义上来进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示互不垂直的不同方向。
当某个实施例可以以不同的方式执行时，具体的工艺顺序可以不同于所描述的顺序来执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。在本公开中，术语“基本上”包括以下含义：完全、几乎完全或者根据本领域技术人员在某些应用下在任何显著程度上。此外，“形成在……上”还可以是指“形成在……上方”。术语“连接”可以包括电连接。
图1是示意性地示出根据示例性实施例的显示装置1的平面图。图2是示意性地示出图1的放大部分A的平面图。
参照图1和图2，显示装置1包括基底100。显示区域DA和非显示区域NDA限定在基底100上。一个或更多个像素单元(也称为“像素”)PU和贯通部或通孔400形成在显示区域DA中。
基底100可以由各种材料形成。基底100可以由玻璃、金属、有机材料或其他材料形成。例如，基底100由柔性材料形成。即，基底100可以由弯曲的、曲线的和折叠的或卷取的材料形成。形成基底100的柔性材料可以是薄玻璃、金属或塑料。当基底100包括塑料时，柔性基底100可以由具有良好的耐热性和耐久性并且能够实现弯曲的诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺的塑料材料形成。
基底100可以分为显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是布置有多个像素单元或多个像素PU的区域，并且可以显示图像。显示区域DA可以包括布置有像素单元PU的像素区域和相邻像素区域之间的分隔区域。每个像素单元PU可以包括显示器件(未示出)以实现可见光。
非显示区域NDA可以形成为与显示区域DA相邻。在图1中，非显示区域NDA示出为围绕显示区域DA。在一些实施例中，非显示区域NDA形成为与显示区域DA的一侧相邻。在一些其他实施例中，非显示区域NDA形成为与显示区域DA的两侧或三侧相邻。此外，根据情况，可以仅显示区域DA形成在基底100上。即，尽管未示出，但是在一些实施例中，非显示区域NDA未形成在基底100上，仅显示区域DA形成在基底100上。
一个或多个像素单元PU和贯通部400可以形成在显示区域DA中。在这种情况下，分隔区域BA可以形成在一个像素单元PU和与其相邻的另一个像素单元PU之间。贯通部400可以形成在分隔区域BA中。根据情况，贯通部400可以形成为与像素单元PU分开。
每个像素单元PU包括可以为有机发光二极管(OLED)或液晶器件的显示器件。下面将详细描述该情况。
贯通部400形成在基底100上。即，每个贯通部400形成为包括穿过基底100的内表面。例如，贯通部400通过诸如蚀刻的工艺来去除基底100的一个区域而形成。作为另一个示例，在制造基底100时，基底100形成为包括贯通部400。在基底100上形成贯通部400的工艺可以改变，制造贯通部400的方法不受限制。每个贯通部400可以具有在分隔区域BA中从一个像素单元PU延伸到与其相邻的另一个像素单元PU的形状。
每个贯通部400包括第一贯通部410和第二贯通部420。分隔区域BA包括第一分隔区域BA1和第二分隔区域BA2。第一贯通部410形成在第一分隔区域BA1中，第二贯通部420形成在第二分隔区域BA2中。在下文中，将详细描述贯通部400。
分隔区域BA包括第一分隔区域BA1和第二分隔区域BA2。可以理解，第一分隔区域BA1是在第一方向(例如，图2的X轴方向)上彼此相邻的两个像素单元PU之间的区域。可以理解，第二分隔区域BA2是在第二方向(例如，图2的Y轴方向)上彼此相邻的两个像素单元PU之间的区域。根据情况，第一方向可以基本上垂直于第二方向或与第二方向交叉。
每个贯通部400的第一贯通部410可以形成在第一分隔区域BA1中。第一贯通部410可以具有沿着与第一方向(X轴方向)交叉的方向(例如，第二方向(Y轴方向))延伸的形状。
在一些实施例中，第一贯通部410形成为穿过第一分隔区域BA1，例如，形成为对应于从第一分隔区域BA1延伸的区域与从第二分隔区域BA2延伸的区域叠置的区域。
此外，除了在第二方向上延伸到在第一方向上彼此相邻的两个像素单元PU之间的第一分隔区域BA1之外，第一贯通部410还可以在第二方向上延伸到与在第一方向上彼此相邻的两个像素单元PU的每个在第二方向上相邻的两个相邻像素单元PU之间的第一分隔区域BA1。
因此，第一贯通部410可以对应于在第一方向上彼此相邻的两个像素单元PU的每个的一侧，并且可以对应于在第二方向上与两个像素单元PU的每个相邻的两个像素单元PU的每个的一侧。例如，四个像素单元PU形成在一个第一贯通部410的周围。
例如，如图2中所示，在第一贯通部410上方，两个像素单元PU分别形成在左侧和右侧并使第一贯通部410置于二者之间以彼此对应。在第一贯通部410下方，两个像素单元PU可以分别形成在左侧和右侧并使第一贯通部410置于二者之间以彼此对应。
每个贯通部400的第二贯通部420可以形成在第二分隔区域BA2中。第二贯通部420可以沿着与第二方向交叉的方向(例如，第一方向)延伸。
在一些实施例中，第二贯通部420形成为穿过第二分隔区域BA2，例如，形成为对应于从第二分隔区域BA2延伸的区域与从第一分隔区域BA1延伸的区域叠置的区域。
此外，除了在第一方向上延伸到在第二方向上彼此相邻的两个像素单元PU之间的第二分隔区域BA2之外，第二贯通部420还可以在第一方向上延伸到与在第二方向上彼此相邻的两个像素单元PU的每个在第一方向上相邻的两个相邻像素单元PU之间的第二分隔区域BA2。
因此，第二贯通部420可以对应于在第二方向上彼此相邻的两个像素单元PU的每个的一侧，并且可以对应于与在第二方向上彼此相邻的两个像素单元PU的每个在第一方向上相邻的两个像素单元PU的每个的一侧。例如，相对于一个第二贯通部420形成四个像素单元PU。
如图2中所示，在第二贯通部420的左侧，两个像素单元PU分别形成在相对于第二贯通部420的上侧和下侧。在第二贯通部420的右侧，两个像素单元PU可以分别形成在相对于第二贯通部420的上侧和下侧。
第一贯通部410和第二贯通部420可以彼此分开。参照图2，在显示装置1中，贯通部400形成在基底100上，每个贯通部400包括多个第一贯通部410和多个第二贯通部420。
此外，第二贯通部420可以形成在第一贯通部410之中的两个相邻的第一贯通部410之间。第一贯通部410可以形成在两个相邻的第二贯通部420之间。
图3是沿着图2的线III-III截取的剖视图。在图3中，将详细描述显示装置1的显示区域DA。如上所述，形成在显示区域DA中的多个显示器件可以是OLED或液晶器件。在本实施例中，将描述包括OLED的显示器件。
参照图3，薄膜晶体管TFT和电容器CAP形成在基底100上，电连接到薄膜晶体管TFT的OLED形成在基底100上。薄膜晶体管TFT包括半导体层120、栅电极140、源电极160和漏电极162，并且可以由非晶硅、多晶硅或有机半导体材料形成。在下文中，将详细描述薄膜晶体管TFT的一般构造。
由氧化硅或氮化硅形成的缓冲层110可以形成在基底100上，以使基底100的表面平坦化或者防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层120中，半导体层120可以形成在缓冲层110上。
栅电极140形成在半导体层120上。在这种情况下，源电极160和漏电极162根据施加到栅电极140的信号而彼此电连接。考虑到与相邻层的粘结性、堆叠层的表面平坦度以及可加工性，栅电极140可以由用铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)形成的单层或多层形成。
在这种情况下，由氧化硅和/或氮化硅形成的栅极绝缘层130可以形成在半导体层120和栅电极140之间，用于确保半导体层120和栅电极140之间的介电性质。
层间绝缘层150可以形成在栅电极140上，并且可以由具有氧化硅或氮化硅的单层或多层形成。
源电极160和漏电极162形成在层间绝缘层150上。源电极160和漏电极162通过形成在层间绝缘层150和栅极绝缘层130中的相应的接触孔而电连接到半导体层120。考虑到导电性，源电极160和漏电极162可以由用铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)形成的单层或多层形成。
尽管未示出，但是可以形成覆盖薄膜晶体管TFT的保护层(未示出)，用于保护具有该结构的薄膜晶体管TFT。保护层可以由例如无机材料(诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)形成。
第一绝缘层170可以形成在基底100上。在这种情况下，第一绝缘层170可以是使保护层平坦化的层。当OLED形成在薄膜晶体管TFT上时，第一绝缘层170使得薄膜晶体管TFT的顶部平坦化，并且保护薄膜晶体管TFT和各种器件。第一绝缘层170可以由例如丙烯酸类有机材料或苯丙环丁烯(BCB)形成。在这种情况下，如图10中所示，缓冲层110、栅极绝缘层130、层间绝缘层150和第一绝缘层170可以形成在基底100上方。
第二绝缘层180可以形成在薄膜晶体管TFT上。在这种情况下，第二绝缘层180可以是像素单元限定层。第二绝缘层180可以形成在第一绝缘层170上，并且可以具有开口。第二绝缘层180在基底100上限定像素区域。
第二绝缘层180可以由例如有机绝缘层形成。有机绝缘层可以由丙烯酸类聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))、聚苯乙烯(PS)、包含苯酚基的聚合物衍生物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其混合物形成。
OLED200可以形成在第二绝缘层180上。OLED200可以包括像素电极210、包括发射层(EML)的中间层220以及对向电极230。
像素电极210可以形成为(半)透明电极或反射电极。当像素电极210形成为(半)透明电极时，像素电极210可以由例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化锌铝(AZO)形成。当像素电极210形成为反射电极时，像素电极210还可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物形成的反射层，以及由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO形成的层。然而，本实施例不限于此。例如，像素电极210可以由各种材料形成，像素电极210的结构可以以各种方式修改为包括单层或多层。
中间层220可以形成在由第二绝缘层180限定的像素区域中。中间层220包括根据电信号发光的EML，并且除了包括EML之外，还可以包括形成在EML和像素电极210之间的空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)以及形成在EML和对向电极230之间的电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。HIL、HTL、ETL和EIL可以以单一结构或复合结构堆叠。中间层220不限于此，并且可以具有各种结构。
覆盖包括EML的中间层220并且与像素电极210相对的对向电极230可以形成在基底100上方。对向电极230可以形成为透明(或半透明)电极或反射电极。
当对向电极230形成为(半)透明电极时，对向电极230可以包括由功函数小的金属(即，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的混合物)形成的层以及由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的(半)透明导电层。当对向电极230形成为反射电极时，对向电极230可以包括由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的混合物形成的层。对向电极230的构造和材料不限于此，可以以各种方式修改。
参照图3，包封层300形成在基底100上以覆盖OLED200。尽管图3中未示出，但是包封层300可以具有一个或多个的无机层(未示出)和有机层(未示出)堆叠的多层结构。包封层300以多层结构形成的原因是，因为当包封层300形成为仅有机层或无机层时，氧气或水分通过形成在层中的精细路径渗透到内部，并且损坏显示单元。像素单元从外部被切断并且被包封层300密封。
有机层中包括的有机材料包括例如丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂和/或苝类树脂。
无机层中包括的无机材料包括例如氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和/或氮氧化硅(SiON)。
图4A至图4C是沿着图2的线VI-VI截取的剖视图。在图4A至图4C中，将详细描述贯通部400的结构的示例性实施例。
参照图4A至图4C，贯通部400形成在分隔区域BA中。在图4A至图4C中，示出形成在第一分隔区域BA1中的第一贯通部410的横截表面，但是形成在第二分隔区域BA2中的第二贯通部420也可以具有与第一贯通部410的结构相同的结构。
参照图4A，贯通部400形成为穿过基底100，并且包括穿过基底100的内表面400a。内表面400a表示形成为穿过基底100和形成在基底100上的一个或多个材料层的横截表面。在一些实施例中，贯通部400的内表面400a形成为近似地垂直于基底100或基本垂直于基底100的表面。
有机层和无机层交替地形成的包封层300可以形成在OLED上，并且可以形成为覆盖贯通部400的内表面400a。当包封层300未形成为覆盖内表面400a时，水分或杂质可以流入因内表面400a而暴露横截表面的一个或多个材料层中，并且损坏各种器件或OLED。因此，当密封包封层300以覆盖内表面400a时，显示装置的可靠性得以增强。
参照图4B，内表面400a形成为具有斜坡。即，内表面400a可以具有倾斜的表面。内表面400a可以具有在从对向电极230至基底100的方向上宽度变窄的形状。即，内表面400a可以具有基底100侧开口的V形。内表面400a的斜坡可以形成为相对于基底100成锐角。
具有斜坡的内表面400a表示形成为穿过形成在基底100上的一个或多个材料层的横截表面具有斜坡。为了形成这样的人工斜面，使材料层图案化的工艺可以使用半色调掩模或缝隙掩模。然而，在内表面400a中形成具有斜面的通孔的方法不受限制。因此，在形成包封层300时，包封层300非常容易覆盖通孔的内表面400a。
参照图4C，贯通部400形成为穿过基底100，并且包括穿过基底100的内表面400a。内表面400a表示形成为穿过基底100和形成在基底100上的一个或多个材料层190的横截表面。一个或多个材料层190包括例如缓冲层110、栅极绝缘层130、层间绝缘层150、第一绝缘层170和第二绝缘层180。因此，材料层190可以包括与贯通部400的内表面400a对应的多个端表面110a、130a、150a、170a和180a。
在一些实施例中，内表面400a以阶梯形状形成。这表示，材料层190的端表面110a、130a、150a、170a和180a中的每个形成为具有台阶高度。可以形成内表面400a，为了使在从对向电极230至基底100的方向上宽度变窄。即，在图4C中，端表面110a、130a和150a可以形成为朝向贯通部400突出，并且端表面170a和180a可以堆叠在其上，以具有台阶高度。基底100的端表面100a可以形成为具有与端表面110a、130a和150a的平面相同的平面，或者可以形成为比端表面110a、130a和150a突出得远。
在图4C中，缓冲层110的端表面110a、栅极绝缘层130的端表面130a和层间绝缘层150的端表面150a形成在基本同一平面上。这是因为，缓冲层110、栅极绝缘层130和层间绝缘层150在形成接触孔的工艺中被基本上同时或并行地图案化，其中，接触孔使得半导体层120、源电极160和漏电极162能够彼此电连接。然而，本实施例不限于此。根据情况，端表面110a、130a和150a中的每个可以形成为具有台阶高度。
包封层300可以形成在整个基底100上以密封OLED并且覆盖端表面110a、130a、150a、170a和180a。因通孔的内部结构，使得在形成包封层300时，包封层300非常容易覆盖通孔的内表面400a。因此，包封层300被密封以覆盖内表面400a，从而增强了显示装置的可靠性。
图5是示意性地示出图1的放大部分A的平面图。
参照图5，显示装置1包括基底100以及一条或多条布线SL1至SL3、V1至V3和D1至D3。
显示区域DA和非显示区域NDA限定在基底100上。一个或多个像素单元PU和贯通部400形成在显示区域DA中。
基底100分为显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA和非显示区域NDA的位置的详情与上述示例性实施例的位置相同，因此，不提供它们的详细描述。
像素单元PU和贯通部400形成在显示区域DA中。每个像素单元PU可以包括显示元件(未示出)以发射可见光。这与上述示例性实施例相同，可以应用上文参照图3描述的结构。
贯通部400形成在基底100上。贯通部400和分隔区域BA如上述示例性实施例中所描述的，因此，不提供它们的详细描述。
一条或多条布线SL1至SL3、V1至V3和D1至D3是电连接到像素单元PU的布线，并且形成为与贯通部400分开而不与贯通部400叠置。
一条或多条布线SL1至SL3、V1至V3和D1至D3可以包括一条或多条第一布线SL1至SL3。
第一布线SL1至SL3电连接到像素单元PU。在一些实施例中，第一布线SL1电连接到在第一方向(图5的X轴方向)上布置在一行中的多个像素单元PU。第一布线SL1形成为具有弯曲。即，第一布线SL1可以包括在第一方向上延伸的区域以及沿着第一贯通部410的外围在第二方向(图5的Y轴方向)上弯曲的区域。在第二方向上弯曲的区域可以表示在第二方向上突出的区域。因此，第一布线SL1与第一贯通部410和第二贯通部420分开。
在一些实施例中，第一布线SL1电连接到形成在第一布线SL1下方(即，形成为在第一方向上彼此相邻)并且在第一方向上布置在一行中的多个像素单元PU。
第一布线SL2形成为具有弯曲。即，第一布线SL2可以包括在第一方向上延伸的区域以及沿着第一贯通部410的外围在第二方向上弯曲的区域。在第二方向上弯曲的区域可以表示在第二方向上突出的区域。因此，第一布线SL2与第一贯通部410和第二贯通部420分开。
在一些实施例中，第一布线SL2与第一布线SL1基本对称。在一些实施例中，第一布线SL2和第一布线SL1基本上关于第二贯通部420对称。
第一布线SL3具有与第一布线SL1的形式相同的形式。第一布线SL3可以电连接到在第一方向(图5的X轴方向)上布置在一行中的多个像素单元PU。第一布线SL3形成为具有弯曲。即，第一布线SL3可以包括在第一方向上延伸的区域以及沿着第一贯通部410的外围在第二方向上弯曲的区域。在第二方向上弯曲的区域可以表示在第二方向上突出的区域。因此，第一布线SL3与第一贯通部410和第二贯通部420分开。
尽管未示出，但是具有与第一布线SL2的形式相同的形式的第一布线(未示出)可以形成在第一布线SL3的下面。此外，第一布线SL1至SL3的布置可以重复。
第一布线SL1至SL3将各种信号传输到像素单元PU。在一些实施例中，第一布线SL1至SL3将扫描信号传输到像素单元PU。作为另一个示例，第一布线SL1至SL3电连接到图7中示出的薄膜晶体管的栅电极105。
布线SL1至SL3、V1至V3和D1至D3可以包括一条或多条第二布线V1至V3。第二布线V1至V3电连接到像素单元PU。在一些实施例中，第二布线V1电连接到在第二方向(图5的Y轴方向)上布置在一行中的多个像素单元PU。
第二布线V1形成为具有弯曲。即，第二布线V1可以包括在第二方向上延伸的区域和沿着第二贯通部420的外围在第一方向(图5的X轴方向)上弯曲的区域。在第一方向上弯曲的区域可以表示在第一方向上突出的区域。因此，第二布线V1与第一贯通部410和第二贯通部420分开。
在一些实施例中，第二布线V2可以电连接到形成为在第二布线V1的侧向(例如，右侧)(即，在第二方向(图5的Y轴方向))上彼此相邻并且在第二方向上布置在一行中的多个像素单元PU。
第二布线V2形成为具有弯曲。即，第二布线V2可以包括在第二方向上延伸的区域以及沿着第一贯通部410的外围在第一方向上弯曲的区域。在第一方向(图5的X轴方向)上弯曲的区域可以表示在第一方向上突出的区域。因此，第二布线V2与第一贯通部410和第二贯通部420分开。
在一些实施例中，第二布线V2可以与第二布线V1对称，详细地，第二布线V2与第二布线V1可以关于第一贯通部410对称。
第二布线V3具有与第二布线V1的形式相同的形式。第二布线V3可以电连接到在第二方向上布置在一行中的多个像素单元PU。第二布线V3形成为具有弯曲。即，第二布线V3可以包括在第二方向上延伸的区域以及沿着第二贯通部420的外围在第一方向上弯曲的区域。在第一方向上弯曲的区域可以表示在第一方向上突出的区域。因此，第二布线V3与第一贯通部410和第二贯通部420分开。
尽管未示出，但是具有与第二布线V2的形式相同的形式的第二布线(未示出)可以形成在第二布线V3的右侧。此外，第二布线V1至V3的布置可以重复。
第二布线V1至V3可以将各种信号传输到像素单元PU。在一些实施例中，第二布线V1至V3可以将用于供电的信号传输到像素单元PU。作为另一个示例，第二布线V1至V3可以电连接到图6或图7中示出的第一电极131或第二电极132。
一条或多条布线SL1至SL3、V1至V3和D1至D3可以包括一条或多条第三布线D1至D3。
一条或多条第三布线D1至D3电连接到像素单元PU。在一些实施例中，第三布线D1可以电连接到在第二方向(图5的Y轴方向)上布置在一行中的多个像素单元PU。
第三布线D1形成为具有弯曲。即，第三布线D1可以包括在第二方向上延伸的区域，以及沿着第二贯通部420的外围在第一方向(图5的X轴方向)上弯曲的区域。在第一方向上弯曲的区域可以表示在第一方向上突出的区域。因此，第三布线D1与第一贯通部410和第二贯通部420分开。
在一些实施例中，第三布线D1可以与第二布线V1至V3分开。此外，与第三布线D1的在第一方向上弯曲的区域对应的第二贯通部420可以不同于与第二布线V1至V3的在第一方向上弯曲的区域对应的第二贯通部420。例如，第二贯通部420彼此相邻。
在一些实施例中，第三布线D2可以电连接到形成为在第三布线D1的侧向(例如，右侧)(即，在第二方向(图5的Y轴方向))上彼此相邻并且在第二方向上布置在一行中的多个像素单元PU。
第三布线D2形成为具有弯曲。即，第三布线D2可以包括在第二方向上延伸的区域以及沿着第二贯通部420的外围在第一方向上弯曲的区域。在第一方向上弯曲的区域可以表示在第一方向上突出的区域。因此，第三布线D2与第一贯通部410和第二贯通部420分开。
在一些实施例中，第三布线D2与第三布线D1基本对称。例如，第三布线D2与第三布线D1关于第一贯通部410基本对称。
在一些实施例中，第三布线D2与第二布线V1至V3分开。此外，与第三布线D2的在第一方向上弯曲的区域对应的第二贯通部420可以不同于与第二布线V1至V3的在第一方向上弯曲的区域对应的第二贯通部420。例如，第二贯通部420彼此相邻。
第三布线D3具有与第三布线D1的形式基本相同的形式。第三布线D3可以电连接到在第二方向上布置在一行中的多个像素单元PU。第三布线D3形成为具有弯曲。即，第三布线D3可以包括在第二方向上延伸的区域以及沿着第二贯通部420的外围在第一方向上弯曲的区域。在第一方向上弯曲的区域可以表示在第一方向上突出的区域。因此，第三布线D3与第一贯通部410和第二贯通部420分开。
在一些实施例中，第三布线D3与第二布线V1至V3分开。此外，与第三布线D3的在第一方向上弯曲的区域对应的第二贯通部420可以不同于与第二布线V1至V3的在第一方向上弯曲的区域对应的第二贯通部420。例如，第二贯通部420彼此相邻。
尽管未示出，但是具有基本上与第三布线D2的形式相同的形式的第三布线(未示出)可以形成在第三布线D3的右侧。此外，第三布线D1至D3的布置可以重复。
第三布线D1至D3可以将各种信号传输到像素单元PU。在一些实施例中，第三布线D1至D3将数据信号传输到像素单元PU。作为另一个示例，第三布线D1至D3电连接到图7中示出的源电极107或漏电极108。
尽管未示出，但是图3至图5的一个可以选择性地应用于显示装置1。
在一些实施例中，贯通部400形成在基底100上。因此，基底100的柔性得以增强，因此基底100的重量减轻。此外，当显示装置1是弯曲显示装置、柔性显示装置或可伸展显示装置时，柔性得以增强，并且减少了异常变形。
在一些实施例中，由于贯通部400包括在一个方向上延伸的第一贯通部410以及在与所述一个方向交叉的方向上延伸的第二贯通部420，所以基底100的柔性即使当基底100在各种方向上被弯折、弯曲或卷取时也得以确保，防止了基底100的异常变形，并且增强了耐久性。因此，当使用显示装置1时，用户的便利性增强，显示装置1容易地应用于例如可穿戴装置。
此外，在一些实施例中，第一贯通部410可以以长长延伸的形式来形成，以对应于在一个方向上彼此相邻的两个像素单元PU以及与这两个像素单元PU相邻的两个不同的像素单元PU。因此，变形特性的改变在像素单元PU之间的边界线上缓和或减小，从而增强了显示装置1的耐久性。此外，第一贯通部410容易地应用于需要柔性的显示装置，例如弯曲显示装置、柔性显示装置或可伸展显示装置。
此外，在一些实施例中，第二贯通部420可以在与第一贯通部410交叉的方向上形成，并且可以以长长延伸的形式来形成，以对应于两个像素单元PU以及与这两个像素单元PU相邻的两个不同的像素单元PU。因此，变形特性的改变在像素单元PU之间的边界线上缓和或减小，从而增强了显示装置1的耐久性。此外，第二贯通部420容易地应用于需要柔性的显示装置，例如，弯曲显示装置、柔性显示装置或可伸展显示装置。
此外，显示装置1可以包括电连接到像素单元PU的一条或多条布线SL1至SL3、V1至V3以及D1至D3。在一些实施例中，一条或多条布线SL1至SL3、V1至V3以及D1至D3形成为与贯通部400分开，而不与贯通部400叠置。因此，基底100的柔性和耐久性因贯通部400而得以增强。此外，可以防止布线SL1至SL3、V1至V3以及D1至D3由于未与贯通部400叠置而被剥离、被诸如外部氧气的气体污染以及被水分退化。
类似种类或相同种类的布线(即，布线SL1至SL3)可以在一个方向上延伸和具有弯曲的形状，并且可以以特定周期重复，因此，减小或防止了由布线SL1至SL3引起的每个像素单元PU的不均匀性。
此外，布线V1至V3可以在一个方向上延伸和具有弯曲的形状，并且可以以特定周期重复，因此，减小或防止了由布线V1至V3引起的每个像素单元PU的不均匀性。
此外，布线D1至D3可以在一个方向上延伸和具有弯曲的形状，并且可以以特定周期重复，因此，减小或防止了由布线D1至D3引起的每个像素单元PU的不均匀性。
具体地，在同一方向上延伸并且与在同一方向上布置的多个像素单元PU电连接的布线V1至V3和布线D1至D3形成为彼此不叠置，从而使得其间的干扰最小。此外，布线V1至V3和布线D1至D3的弯曲区域对应于不同的第二贯通部420，因此，防止像素单元PU的电特性因布线V1至V3和布线D1至D3的弯曲部分的干扰而减小。
图6是示意性地示出图1的放大部分A的平面图。图7是示意性地示出图6的放大部分K的平面图。
参照图6和图7，显示装置1包括基底100以及布线SL1至SL3、V1至V3和D1至D3。
显示区域DA和非显示区域NDA限定在基底100上。一个或多个像素单元PU1至PU3和贯通部400形成在显示区域DA中。像素单元PU1至PU3的每个可以包括多个子像素SP1至SP3。
基底100分为显示区域DA和非显示区域NDA。贯通部400形成在基底100上。基底100和贯通部400如上述示例性实施例中所描述的，因此，不提供它们的详细描述。
像素单元PU1至PU3的每个可以包括一个或多个子像素SP1至SP3。
在图6中，示出三个子像素SP1至SP3，但是所描述技术不限于此。一个像素单元PU1可以包括两个或四个或更多个子像素。在一些实施例中，一个像素单元PU1中包括的子像素SP1至SP3发射不同颜色的可见光。例如，子像素SP1至SP3分别实现红色可见光、绿色可见光和蓝色可见光。
一个像素单元PU1中包括的子像素SP1至SP3可以顺序地布置在一个方向上(例如，在针对图6的X轴方向上)。此外，与一个像素单元PU1相邻的另一个像素单元PU2可以包括可顺序地布置在与所述一个方向交叉的方向(例如，针对图6的Y轴方向)上的多个子像素SP1至SP3。
此外，与像素单元PU2相邻的另一个像素单元PU3可以包括可顺序地布置在与所述一个方向交叉的方向上(例如，在针对图6的X轴方向上)的多个子像素SP1至SP3。在一些实施例中，像素单元PU1至PU3中包括的子像素SP1至SP3全部布置在一个方向(X轴方向)上，或者布置在与所述一个方向交叉的方向(Y轴方向)上。
布线SL1至SL3、V1至V3、D1至D3可以包括第一布线SL1至SL3、第二布线V1至V3以及第三布线D1至D3。第一布线SL1至SL3、第二布线V1至V3以及第三布线D1至D3电连接到像素单元PU1至PU3。第一布线SL1至SL3、第二布线V1至V3以及第三布线D1至D3的布置与上述示例性实施例的布置基本上相同，因此，不提供其详细描述。
将参照图7进行以下描述。图7是示出图6的放大部分K的图。
参照图7，第一布线SL1电连接到像素单元PU1的子像素SP1至SP3。第一布线SL1可以具有各种形式。在一些实施例中，第一布线SL1包括多条连接线SL1c、公共线SL1b和本体线SL1a，其中，多条连接线SL1c分别连接到子像素SP1至SP3并且形成为彼此分开，公共线SL1b共同连接到多条连接线SL1c，本体线SL1a连接到公共线SL1b并且形成为对应于子像素SP1至SP3中的一个(例如，子像素SP1)的侧面。
第二布线V1电连接到子像素SP1至SP3。第二布线V1可以具有各种形式。在一些实施例中，第二布线V1包括多条连接线V1c、公共线V1b和本体线V1a，其中，多条连接线V1c分别连接到子像素SP1至SP3并且形成为彼此分开，公共线V1b共同连接到连接线V1c，本体线V1a连接到公共线V1b并且形成为对应于子像素SP1至SP3中的一个(例如，子像素SP1)的侧面。
第三布线D1电连接到像素单元PU1的子像素SP1至SP3。第三布线D1可以具有各种形式。在一些实施例中，第三布线D1包括多条连接线D1c、公共线D1b和本体线D1a，其中，多条连接线V1c分别连接到子像素SP1至SP3并且形成为彼此分开，公共线D1b共同连接到多条连接线D1c，本体线D1a连接到公共线D1b并且形成为对应于子像素SP1至SP3中的一个(例如，子像素SP3)的侧面。
在显示装置1中，贯通部400可以形成在基底100上。因此，基底100的柔性增强，因而减轻了基底100的重量。
此外，像素单元PU1至PU3之间的分隔区域BA形成在基底100上，因此，当基底100变形时，即，当基底100被弯折、弯曲或卷取时，基底100在像素单元PU1至PU3附近容易变形，并且容易减小或防止由变形引起的应力。即，当显示装置1应用为弯曲显示装置、柔性显示装置或可伸展显示装置时，柔性得以增强，并且减少了异常变形。
在一些实施例中，由于贯通部400包括一个方向上延伸的第一贯通部410和与所述一个方向交叉的方向上延伸的第二贯通部420，所以基底100的柔性即使当基底100在各种方向上被弯折、弯曲或卷取时也得以确保，防止了基底100的异常变形，并且增强了耐久性。因此，当使用显示装置1时，用户的便利性增强，显示装置1可以容易地应用于可穿戴装置。
此外，在一些实施例中，第二贯通部420形成在第一贯通部410之中的两个相邻第一贯通部410之间，因此由于第一贯通部410在一个方向上延伸而可以防止在基底100的第一贯通部410的长度方向上发生裂缝。
此外，第一贯通部410形成在第二贯通部420之中的两个相邻第二贯通部420之间，因此由于第二贯通部420在一个方向上延伸而防止在基底100的第二贯通部420的长度方向上发生裂缝。
此外，像素单元PU1至PU3的每个包括布置在一个方向上的子像素SP1至SP3。布置像素单元PU1的子像素SP1至SP3所沿的方向与布置同像素单元PU1相邻的多个子像素SP1至SP3所沿的方向交叉。因此，子像素SP1至SP3可以布置为对应于第一贯通部410和第二贯通部420的布置方向。因此，即使当第一贯通部410的布置方向与第二贯通部420的布置方向不同时，也使像素单元PU1至PU3的视觉影响的不均匀性最小化，从而增强了显示装置1的图像质量特性。
此外，显示装置1可以包括布线SL1至SL3、V1至V3以及D1至D3，布线SL1至SL3、V1至V3以及D1至D3形成为与贯通部400分开，而不与贯通部400叠置。因此，基底100的柔性和耐久性因贯通部400而增强。此外，防止了布线SL1至SL3、V1至V3以及D1至D3由于未与贯通部400叠置而被剥离、被诸如外部氧气的气体污染、并且被水分退化。
类似种类或相同种类的布线(即，布线SL1至SL3)可以在一个方向上延伸和具有弯曲的形状，并且可以以特定周期重复，因此，减小或防止了由布线SL1至SL3引起的每个像素单元PU的不均匀性。此外，减小或防止了布线V1至V3和布线D1至D3的不均匀性。
例如，在同一方向上延伸的布线V1至V3和布线D1至D3形成为彼此不叠置，从而使得其间的干扰最小。此外，布线V1至V3和布线D1至D3的弯曲区域对应于不同的第二贯通部420，因此，防止显示装置1的电特性因布线V1至V3和布线D1至D3的弯曲部分的干扰而减小。
此外，像素单元PU1至PU3的每个包括布置在特定方向上的子像素SP1至SP3。布线SL1至SL3、V1至V3以及D1至D3分别连接到子像素SP1至SP3，并且被弯曲以与贯通部400分开。为此，布线SL1至SL3、V1至V3以及D1至D3中的每条包括分别连接到多个子像素SP1至SP3的多条连接线、公共线和本体线，因此，布线SL1至SL3、V1至V3以及D1至D3可以电连接到子像素SP1至SP3，而不与贯通部400叠置。
到目前为止，主要描述了显示装置1，但是所描述的技术不限于此。例如，制造显示装置的方法在所描述技术的范围内。
图8至图12是示意性地示出根据示例性实施例的制造显示装置的工艺的剖视图。
参照图8，执行提供基底100的操作，其中，基底100包括形成有像素单元PU的像素区域PA和形成在两个相邻像素单元PU之间的分隔区域BA。基底100可以由各种材料形成。详细地，基底100可以由玻璃、金属、有机材料或其他材料形成。在一些实施例中，基底100由具有柔性的柔性材料形成。
可以执行在基底100上形成缓冲层110、栅极绝缘层130和层间绝缘层150的操作。此外，可以执行在基底100上形成构成薄膜晶体管TFT的半导体层120和栅电极140的操作。可以在栅电极140上堆叠层间绝缘层150，然后，可以形成接触孔CNT以使源电极160和漏电极162电连接到半导体层120。
在形成接触孔H1的操作中，可以在分隔区域BA中基本上同时或并行地形成第一通孔401。因此，可以执行在分隔区域BA中形成第一通孔401的操作而无需添加单独的掩模，因此降低了制造成本。
可以通过第一通孔401暴露缓冲层110的端表面110a、栅极绝缘层130的端表面130a以及层间绝缘层150的端表面150a。端表面110a、130a和150a可以是第一通孔401的第一端表面160a。第一端表面160a可以形成为具有同一平面。这是因为第一通孔401是在形成接触孔H1的操作中形成的。在一些实施例中，第一端表面160a以台阶形式形成，以具有不同的平面。
参照图9，在栅电极140上形成通过接触孔H1电连接到半导体层120的源电极160和漏电极162。可以在源电极160和漏电极162上堆叠第一绝缘层170。为了将像素电极210电连接到从源电极160和漏电极162中选择的一个，可以执行在第一绝缘层170中形成通路孔H2的操作。
在形成通路孔H2的操作中，可以在分隔区域BA中基本上同时或并行地形成第二贯通部420。因此，可以执行在分隔区域BA中形成将第二贯通部420的操作而无需添加单独的掩模，因此降低了制造成本。
可以通过第二贯通部420暴露第二端表面170a。这是因为第二贯通部420是在形成通路孔H2的操作中形成的。在这种情况下，第二贯通部420的宽度可以形成为大于第一通孔401的宽度。
参照图10，针对每个像素执行在第一绝缘层170上图案化并形成像素电极210的操作。像素电极210可以通过形成在第一绝缘层170中的通路孔H2电连接到薄膜晶体管TFT的源电极160和漏电极162的一个。
在形成像素电极210之后，可以执行形成第二绝缘层180以暴露像素电极210的中心部分并且覆盖像素电极210的边缘的操作。第二绝缘层180可以理解为像素限定层。
在形成使第二绝缘层180暴露像素电极210的中心部分的开口H3的操作中，可以在分隔区域BA中基本上同时或并行地形成第三通孔403。因此，可以执行在分隔区域BA中形成第三通孔403的操作而无需添加单独的掩模，因此降低了制造成本。
可以通过第三通孔403暴露第三端表面180a。这是因为第三通孔403是在形成开口H3的操作中形成的。在这种情况下，第三通孔403的宽度可以形成为大于第二通孔402的宽度。
即，第一通孔401可以形成为具有最小的宽度，第二贯通部420可以形成在第一通孔401上，第三通孔403可以形成为具有最大的宽度。因此，第一端表面160a、第二端表面170a和第三端表面180a可以形成为具有台阶高度的阶梯结构。第一端表面160a可以形成为比第二端表面170a突出得远，第二端表面170a可以形成为比第三端表面180a突出得远。在图9中，示出第一端表面160a、第二端表面170a和第三端表面180a形成为具有台阶高度的结构，但是所描述的技术不限于此。通孔的端表面可以具有图4A至图4C的结构的一者。
参照图11，在通过第二绝缘层180暴露的像素电极210上形成包括发射层的中间层220。随后，可以执行在第二绝缘层180上形成与像素电极210相对的对向电极230以覆盖中间层220的操作。对向电极230可以形成在基底100上方。因此，尽管未示出，但是对向电极230可以形成在第一端表面160a、第二端表面170a和第三端表面180a上。
随后，可以在基底100上形成尺寸基本上等于或小于第一通孔401的尺寸的第四通孔404。第四通孔404可以形成为穿过基底100。第四通孔404可以通过激光切割工艺形成，例如，可以使用飞秒激光(femtolaser)通过精细图案工艺去除基底100的一部分。
参照图12，去除基底100的与第一通孔401对应的部分，因此形成第四通孔404。因此，第一通孔401至第四通孔404可以形成为在形成在分隔区域BA中的贯通部400中彼此叠置。此外，第四端表面100a可以被第四通孔404暴露。第一端表面160a至第四端表面100a可以理解为贯通部400的内表面400a。
贯通部400的内表面400a可以以阶梯形状形成以具有如图12中所示的台阶高度，并且可以形成为具有斜坡。此外，为了使宽度在从对向电极230至基底100的方向上变窄，可以形成贯通部400的内表面400a。即，贯通部400的内表面400a可以具有下端开口的近似V形。
在图12中，示出了对向电极230形成在第二绝缘层180上但不形成在第一端表面160a至第四端表面100a上，但是根据情况，对向电极230可以形成为在整个基底100上而不被图案化。因此，对向电极230可以形成在贯通部400的内表面400a上。
可以执行在对向电极230上形成包封层300的操作。尽管在图12中未示出，但是包封层300能够以有机层和无机层交替地堆叠的多层结构而形成。
包封层300形成为密封OLED并且覆盖内表面400a。当包封层300未形成为覆盖贯通部400的内表面400a时，水分或杂质可以流入因内表面400a而暴露横截表面的一个或多个材料层中，并且损坏各种器件。因此，当密封包封层300以覆盖内表面400a时，显示装置的可靠性增强。
如上所述，根据所公开的实施例的至少一者，实现增强用户便利性的显示装置及其制造方法。
应当理解，这里描述的示例性实施例应当仅以描述性意义来考虑，而不是出于限制的目的。每个示例性实施例内的特征或方面的描述通常应当视为可用于其他示例性实施例中的其他类似特征或方面。
虽然参照附图描述了发明技术，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离如权利要求书所限定的精神和范围的情况下，可以在此做出细节和形式方面的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括分隔区域；
多个像素，形成在所述基底上方，其中，所述分隔区域形成在相邻的像素之间，其中，多个通孔分别由所述分隔区域的多个围绕的内表面限定，其中，每个所述内表面穿过所述基底；以及
包封层，形成在所述基底上方并且覆盖所述分隔区域的所述内表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述内表面的至少一个具有斜坡。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述内表面的至少一个具有台阶形状。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，每个像素包括：
像素电极，形成在所述基底上方；
包括发射层的中间层，形成在所述像素电极上方；以及
对向电极，形成为与所述像素电极相对并且至少部分地覆盖所述中间层。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述内表面的至少一个在与所述对向电极相邻处的宽度比在与所述基底相邻处的宽度大。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述分隔区域包括第一分隔区域和第二分隔区域，
其中，所述第一分隔区域包括形成在所述多个像素之中的在第一方向上彼此相邻的第一像素之间的区域，
其中，所述第二分隔区域包括形成在所述多个像素之中的在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此相邻的第二像素之间的区域，
其中，所述通孔包括形成在所述第一分隔区域中的第一通孔和形成在所述第二分隔区域中的第二通孔。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第一通孔在所述第二方向上延伸，并且
其中，所述第二通孔在所述第一方向上延伸。
8.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括电连接到所述像素的一条或多条布线，其中，所述布线在与所述第一方向和所述第二方向交叉的方向上不与所述通孔叠置。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述布线在所述第一方向和所述第二方向中的一个方向上延伸，其中，所述布线在另一方向上突出以在所述通孔的外围周围弯曲。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述布线包括多条布线，并且
其中，所述布线的在所述第一方向和所述第二方向中的一个方向上彼此相邻的两条布线相对于所述通孔基本上对称。
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