CN107221550B - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107221550B
CN107221550B CN201710156284.7A CN201710156284A CN107221550B CN 107221550 B CN107221550 B CN 107221550B CN 201710156284 A CN201710156284 A CN 201710156284A CN 107221550 B CN107221550 B CN 107221550B
Authority
CN
China
Prior art keywords
display
electrode
unit
layer
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710156284.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107221550A (zh
Inventor
朴京淳
金一坤
郑珉在
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN107221550A publication Critical patent/CN107221550A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107221550B publication Critical patent/CN107221550B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • H10K50/8445Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/18Tiled displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

公开了一种显示装置,该显示装置包括:多个单元部分,在第一方向和第二方向上重复地布置,其中,第二方向不同于第一方向;多个显示单元,分别布置在多个单元部分之上;以及多个封装层,分别封装多个显示单元,其中,多个单元部分中的每个包括岛状部和至少一个连接单元,其中,显示单元和封装层位于岛状部中,至少一个连接单元连接至岛状部,以及互相邻近的两个单元部分的岛状部互相间隔开,并且互相邻近的两个单元部分的连接单元互相连接。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年3月22日提交至韩国知识产权局的第10-2016-0034071号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
本发明构思的示例性实施方式涉及显示装置。
背景技术
当前存在具有诸如薄、质轻和低功耗的优良特性的多种平板显示装置。最近,正在开发可以折叠或可以卷曲的柔性显示装置。并且进一步地,正在开发可拉伸显示装置,可拉伸显示装置能够多样地改变其形状。
薄且柔性的显示装置可包括用于将外部水分或外部氧气保持在外的薄膜封装层。通常,薄膜封装层可具有其中无机膜和有机膜交替地互相堆叠的结构。然而,当显示装置的形状改变时,一般的薄膜封装层可能损坏。
发明内容
根据本发明构思的示例性实施方式,一种显示装置包括:多个单元部分,在第一方向和第二方向上重复地布置,其中,第二方向不同于第一方向;多个显示单元,分别布置在多个单元部分之上;以及多个封装层,分别封装多个显示单元,其中,多个单元部分中的每个包括岛状部和至少一个连接单元,其中,显示单元和封装层位于岛状部中,至少一个连接单元连接至所述岛状部,以及互相邻近的两个单元部分的岛状部互相间隔开,并且互相邻近的两个单元部分的连接单元互相连接。
封闭曲线可形成在互相邻近的四个单元部分之间,并且封闭曲线限定隔离区域。
隔离区域可接触互相邻近的四个单元部分的岛状部。
多个单元部分中的每个可包括四个连接单元,并且包括在一个单元部分中的四个连接单元可在不同的方向上延伸以分别连接至围绕该一个单元部分的四个其他单元部分。
岛状部与至少一个单元部分中的至少一个连接单元可包括相同的材料。
互相邻近的两个单元部分可以是对称的。
在单元部分中的每个中,岛状部可包括连接有至少一个连接单元的至少一个侧表面,并且该至少一个连接单元的延伸方向与连接有该至少一个连接单元的至少一个侧表面可形成锐角。
至少一个连接单元与至少一个侧表面的连接区域可包括弯曲表面。
多个封装层可包括锡氟磷酸盐玻璃、硫属化物玻璃、亚碲酸盐玻璃、硼酸盐玻璃和磷酸盐玻璃中的至少一个。
多个封装层中的每个可包括第一无机膜、第二无机膜和在第一无机膜与第二无机膜之间的有机膜,并且第一无机膜和第二无机膜中的至少一个可接触单元部分中的一个的岛状部的侧表面。
有机膜可包括包含碳和氢的硅氧化物。
多个显示单元中的每个可包括显示区域和在显示区域外部的非显示区域,并且围绕显示区域的至少一部分的坝部分可位于非显示区域中,以及第一无机膜和第二无机膜可覆盖坝部分并且在坝部分的外侧互相接触。
第二无机膜可在至少一个连接单元之上延伸。
在至少一个连接单元之上可部分地形成有屈曲部分。
多个显示单元中的每个可包括薄膜晶体管、显示元件和钝化层,其中,薄膜晶体管包括至少一个无机层,显示元件电连接至薄膜晶体管,钝化层在薄膜晶体管与显示元件之间,并且至少一个无机层和钝化层可在至少一个连接单元之上延伸。
在至少一个连接单元之上延伸的钝化层可包括暴露至少一个无机层的断开区域,并且第一无机膜和第二无机膜中的至少一个可通过断开区域接触至少一个无机层。
至少一个连接单元可包括一对第一连接单元和一对第二连接单元,其中,一对第一连接单元定位成互相相对并且在与第一方向平行的方向上延伸,一对第二连接单元定位成互相相对并且在与第二方向平行的方向上延伸,第一布线部分可位于一对第一连接单元之上,并且第二布线部分可位于一对第二连接单元之上,并且第一布线部分和第二布线部分可在单元部分中的一个的岛状部之上互相交叉。
第一布线部分和第二布线部分可包括相同的材料。
多个显示单元中的每个可包括显示元件和电连接至显示元件的薄膜晶体管,薄膜晶体管可包括有源层、栅电极、源电极和漏电极,并且源电极、漏电极、第一布线部分和第二布线部分可包括相同的材料。
第一布线部分可包括第一电压线、第二电压线和至少一个数据线,并且第二布线部分可包括至少一个扫描线。
多个显示单元中的每个可包括显示元件,其中,显示元件包括第一电极、第二电极和中间层,中间层包括位于第一电极与第二电极之间的有机发射层,第一电压线可使分别包括在多个显示单元中并且互相分离的第一电极互相电连接,第二电压线可使分别包括在多个显示单元中并且互相分离的第二电极互相电连接。
多个显示单元中的每个可包括显示元件和电连接至显示元件的薄膜晶体管,薄膜晶体管可包括有源层、栅电极、源电极和漏电极,并且显示元件可包括第一电极、第二电极和中间层,中间层包括位于第一电极与第二电极之间的有机发射层,第一电极可从源电极或漏电极延伸,并且多个显示单元中的每个还可包括滤色器,其中,滤色器布置在第一电极与单元部分中一个的岛状部之间,并且包括与所述第一电极重叠的区域。
根据本发明构思的示例性实施方式,一种柔性显示装置包括:衬底;多个显示单元,在衬底之上互相间隔开;以及多个封装层,各自封装多个显示单元中的一个,其中,衬底包括互相间隔开的多个岛状部、连接多个岛状部的多个连接单元和穿透多个连接单元之间的衬底的多个穿透部分,多个显示单元中的每个布置在多个岛状部中对应的岛状部之上,并且电连接多个显示单元的布线部分位于多个连接单元之上。
多个岛状部和多个连接单元可整体地形成。
多个封装层中的每个可包括第一无机膜、第二无机膜和在第一无机膜与第二无机膜之间的有机膜,并且第一无机膜和第二无机膜中的至少一个可接触多个岛状部中对应的岛状部的侧表面。
第二无机膜可在多个连接单元之上延伸。
在多个连接单元之上可至少部分地形成有屈曲部分。
多个显示单元中的每个可包括薄膜晶体管、显示元件和钝化层,其中,薄膜晶体管包括至少一个无机层,显示元件电连接至薄膜晶体管,钝化层在薄膜晶体管与显示元件之间,并且至少一个无机层和钝化层可在多个连接单元之上延伸。
在多个连接单元之上的钝化层可包括暴露至少一个无机层的断开区域,并且第一无机膜和第二无机膜中的至少一个可通过断开区域接触至少一个无机层。
断开区域可在多个连接单元的宽度方向上与多个连接单元交叉。
多个显示单元中的每个可包括显示区域和在显示区域外部的非显示区域,其中,围绕显示区域的至少一部分的坝部分可位于非显示区域中,以及第一无机膜和第二无机膜可覆盖坝部分并且在跨越坝部分处互相接触。
多个岛状部可沿着第一方向和与第一方向不同的第二方向重复地布置以形成网格图案,多个岛状部中的每个可连接有四个连接单元,并且连接至一个岛状部的四个连接单元可在不同的方向上延伸以分别连接至该一个岛状部附近的四个其他岛状部。
四个连接单元可包括一对第一连接单元和一对第二连接单元,其中,一对第一连接单元定位成互相相对并且与第一方向平行地延伸,一对第二连接单元定位成互相相对并且与第二方向平行地延伸,布线部分可包括第一布线部分和第二布线部分,其中,第一布线部分位于一对第一连接单元之上,第二布线部分位于一对第二连接单元之上,并且第一布线部分和第二布线部分可在多个岛状部之上互相交叉。
第一布线部分可包括围绕多个穿透部分的在与第二方向平行的方向上伸出并且弯曲的区域,并且第二布线部分可包括围绕多个穿透部分的在与第一方向平行的方向上伸出并且弯曲的区域。
多个显示单元中的每个可包括显示元件和电连接至显示元件的薄膜晶体管,薄膜晶体管可包括有源层、栅电极、源电极和漏电极,并且源电极、漏电极、第一布线部分和第二布线部分可包括相同的材料。
第一布线部分可包括第一电压线、第二电压线和至少一个数据线,并且第二布线部分可包括至少一个扫描线。
多个显示单元中的每个可包括显示元件,其中,显示元件可包括第一电极、第二电极和中间层,中间层包括位于第一电极与第二电极之间的有机发射层,第一电压线可使包括在多个显示单元中并且互相分离的第一电极互相电连接,第二电压线可使包括在多个显示单元中并且互相分离的第二电极互相电连接。
互相邻近的两个岛状部可通过一个连接单元连接,通过一个连接单元连接的两个岛状部与该一个连接单元的延伸方向可形成锐角。
多个岛状部中的每个可具有矩形形状,并且矩形形状的拐角部分可面对第一方向和第二方向。
柔性显示装置还可包括分别布置在衬底的顶部表面和底部表面上的第一保护膜和第二保护膜。
根据本发明构思的示例性实施方式,一种显示装置包括:排列成矩阵的多个单元部分,其中,单元部分中的至少一个包括:岛状部;多个连接单元,连接至岛状部的边;显示单元,布置在岛状部上;以及封装单元,与显示单元和岛状部重叠,其中,在形成为列的两个相邻的单元部分之间布置有开放空间,其中,连接两个相邻的单元部分的连接单元是开放空间的边。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施方式,本发明构思的以上和/或其它特征将变得更显而易见,在附图中:
图1是示意性地示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的平面图;
图2是根据本发明构思的示例性实施方式的图1的区域A的放大平面图;
图3是根据本发明构思的示例性实施方式的图1的单元部分的平面图;
图4是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线I-I'截取的剖视图;
图5是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线II-II'截取的剖视图;
图6是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线III-III'截取的剖视图;
图7是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线I-I'截取的剖视图;
图8是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线III-III'截取的剖视图;
图9是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线III-III'截取的剖视图;
图10是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线II-II'截取的剖视图;
图11是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线II-II'截取的剖视图;
图12是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线II-II'截取的剖视图;
图13是根据本发明构思的示例性实施方式的图1的区域A的放大平面图;
图14是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图13中的线VI-VI'截取的剖视图;
图15是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图13中的线VII-VII'截取的剖视图;
图16是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线I-I'截取的剖视图;
图17是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线I-I'截取的剖视图;
图18是根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的剖视图;
图19是根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的剖视图;以及
图20是根据本发明构思的示例性实施方式的图1的区域A的放大平面图。
具体实施方式
现将参照附图描述本发明构思的示例性实施方式。然而,本发明构思可以以诸多不同的形式实施,且不应被解释成限于文中阐述的实施方式。
除非在上下文中具有明确不同的含义,否则,以单数形式使用的表达包含以复数形式的表达。在附图中,为便于描述,部件的尺寸可能为了清楚而被夸大。
在附图中,相同的附图标记可在说明书全文中指代相同的元件,并且将不重复重叠的描述。
图1是示意性地示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置10的平面图,以及图2是根据本发明构思的示例性实施方式的图1的区域A的放大平面图。
参照图1,根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置10可包括衬底100和在衬底100之上的显示单元200。
衬底100可包括多种材料。例如,衬底100可由玻璃、金属或有机材料形成。
根据本发明构思的示例性实施方式,衬底100可由柔性材料形成。例如,衬底100可由可扭曲、可弯曲、可折叠或可卷曲的材料形成。形成衬底100的柔性材料可以是超薄的玻璃、金属或塑料。当衬底100包括塑料时,衬底100可包含聚酰亚胺(PI)。作为另一示例,衬底100可包含另一类型的塑料。
衬底100可包括互相间隔开的多个岛状部101、连接多个岛状部101的多个连接单元102、以及在多个连接单元102之间穿透衬底100的多个穿透部分V。如后文将参照图18描述的,可分别在衬底100的顶部和底部处设置第一保护膜410和第二保护膜420。
多个岛状部101可互相间隔开。例如,多个岛状部101可沿着第一方向X和与第一方向X不同的第二方向Y重复地排列以形成平面网格图案。例如,第一方向X和第二方向Y可以以直角相交。作为另一示例,第一方向X和第二方向Y可形成钝角或锐角。
多个显示单元200可分别布置在多个岛状部101之上。单个显示单元200可至少包括用于实现可见光的显示元件。后文将参照图4描述单个显示单元200。
多个连接单元102可将多个岛状部101互相连接。例如,多个岛状部101中的每个连接有四个连接单元102。连接至一个岛状部101的四个连接单元102可在不同的方向上延伸以分别连接至围绕该一个岛状部101的四个其他岛状部101。多个岛状部101和多个连接单元102可连续地形成并且可由相同的材料形成。也就是说,多个岛状部101和多个连接单元102可整体地形成。
穿透部分V形成为穿透衬底100。单个穿透部分V可在多个岛状部101之间提供隔离区域、可减少衬底100的重量并且可增加衬底100的柔性。另外,穿透部分V的形状在衬底100扭曲、弯曲或卷曲时改变,以减小在衬底100变形时产生的应力,从而防止衬底100的异常变形,并且增加衬底100的耐久性。因此,当使用显示装置10时提高了用户便利性,并且具体地,显示装置10可易于应用于可穿戴装置。
穿透部分V可通过经由蚀刻移除衬底100的一个区域而形成,或者衬底100可制造成包括穿透部分V。形成穿透部分V的方法可改变并且不受限制。
在下文中,将通过使用单元部分U来描述衬底100的结构,其中,单元部分U为形成衬底100的基本单元。
单元部分U可沿着第一方向X和第二方向Y重复地排列。也就是说,衬底100可形成为沿着第一方向X和第二方向Y重复地排列、互相组合的多个单元部分U。单元部分U可包括岛状部101和连接至岛状部101的至少一个连接单元102。一个岛状部101可连接有四个连接单元102。
两个相邻的单元部分U的岛状部101可互相间隔开,并且两个相邻的单元部分U的连接单元102可互相连接。这里,包括在单元部分U中的连接单元102可表示连接单元102位于单元部分U的区域内的局部区域或者连接两个相邻的岛状部101的整个连接单元102。
多个单元部分U之中的四个邻近的单元部分U在该四个邻近的单元部分U之间形成封闭曲线CL,并且封闭曲线CL可限定隔离区域(例如,空的空间)。隔离区域可以是穿透部分V。隔离区域是通过移除衬底100的一个区域而形成的区域,并且可增加衬底100的柔性以及可减小当衬底100变形时产生的应力。另外,连接单元102可具有比岛状部101小的宽度,并且相应地,隔离区域还可以接触四个邻近的单元部分U的岛状部101。
多个单元部分U之中的两个邻近的单元部分U可以是对称的。例如,如图1中所示,一个单元部分U可基于与第一方向X平行的对称轴与排列成沿着第二方向Y与该一个单元部分U邻近的另一单元部分U对称。另外,该一个单元部分U可基于与第二方向Y平行的对称轴与排列成沿着第一方向X与该一个单元部分U邻近的另一单元部分U对称。
另外,连接单元102的延伸方向与岛状部101的连接有该连接单元102的侧表面之间的角度θ可以是锐角。例如,当岛状部101具有矩形形状并且矩形形状的拐角部分布置成面对第一方向X和第二方向Y时,连接单元102可在与拐角部分邻近的区域中连接至岛状部101,并且可在与第二方向Y或第一方向X平行的方向上延伸。也就是说,连接至面对第一方向X的拐角部分的连接单元102面对第二方向Y或-第二方向-Y,并且连接至面对第二方向Y的拐角部分的连接单元102可面对第一方向X或-第一方向-X。因此,连接至一个连接单元102的两个邻近的岛状部101的侧表面中的每个与该一个连接单元102的延伸方向可形成锐角,并且因此,岛状部101可密集地排列并且连接单元102的长度可减小,从而增大隔离区域的面积。另外,如图2中所示,衬底100可具有伸长性质。
图2示出了当衬底100沿着第一方向X和第二方向Y拉伸时的形状。参照图2,当将外力施加于衬底100时,连接单元102的延伸方向与岛状部101连接有该连接单元102的侧表面之间的角度θ增大至角度θ',并且相应地,隔离区域的面积可增大。因此,岛状部101之间的间隔增大并且衬底100沿着第一方向X和第二方向Y拉伸,使得衬底100的形状在2维(2D)或3维(3D)上变化。
另外,由于连接单元102具有比岛状部101小的宽度,所以用于在外力施加于衬底100时使角度θ增大的形状改变主要出现在连接单元102中,并且当衬底100延展时,岛状部101的形状可不改变。因此,当衬底100拉伸时,布置在岛状部101之上的显示单元200被稳定地保持,并且因此,显示装置10可容易地应用于需要柔性的显示装置,例如,弯曲显示装置、柔性显示装置或可拉伸显示装置。
另外,在衬底100延展时产生的应力集中在连接单元102的连接至岛状部101的侧表面的连接区域上,并且因此,连接单元102的连接区域可包括弯曲的表面以防止连接单元102由于应力的集中而撕裂。
图3是根据本发明构思的示例性实施方式的图1的单元部分U的平面图,图4是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线I-I'截取的剖视图,图5是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线II-II'截取的剖视图,以及图6是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线III-III'截取的剖视图。
参照图3至图6,显示单元200和封装显示单元200的封装层300可位于单元部分U的岛状部101中,并且连接单元102可包括一对第一连接单元102a和一对第二连接单元102b,其中,一对第一连接单元102a定位成互相相对并且在与第一方向X平行的方向上延伸,一对第二连接单元102b定位成互相相对并且在与第二方向Y平行的方向上延伸。
显示单元200位于岛状部101上,并且可包括显示区域DA和在显示区域DA周围的非显示区域。用于发射红光、蓝光、绿光或白光的至少一个有机发光二极管(OLED)230可位于显示区域DA中,并且OLED230可电连接至薄膜晶体管TFT。也就是说,在当前实施方式中,OLED230用作显示元件。然而,本发明构思不限于此,并且显示单元200可包括任何类型的显示元件,例如,液晶装置。
显示单元200中的每个可包括用于发射红光、蓝光、绿光或白光的一个OLED 230,并且可形成子像素。作为另一示例,显示单元200中的每个可包括用于发射不同颜色的光的多个OLED 230。例如,一个显示单元200可包括用于发射红光的OLED 230、用于发射绿光的OLED 230和用于发射蓝光的OLED 230以形成一个像素。作为另一示例,显示单元200可包括多个像素。
另外,显示单元200中的OLED 230可以以多种排列(诸如RBG结构、像素排列(pentile)结构和蜂窝结构)中的任一个进行布置。这种排列可取决于包括在有机发射层中的材料的效率。
参照图4,岛状部101上方可形成有缓冲层202。例如,缓冲层202可包含诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛的无机材料或包含诸如聚酰亚胺、聚酯或压克力的有机材料。而且,缓冲层202可包括由上述材料形成的多种结构。
薄膜晶体管TFT可包括有源层203、栅电极205、源电极207和漏电极208。在下文中,假设薄膜晶体管TFT是其中有源层203、栅电极205、源电极207和漏电极208顺序地形成的顶栅类型。然而,本发明构思不限于此,并且薄膜晶体管TFT可以是任何类型的,例如,底栅类型。
有源层203可包括半导体材料,例如非晶硅或多晶硅。然而,本发明构思不限于此,并且有源层203可包含多种材料。根据本发明构思的示例性实施方式,有源层203可包含有机半导体材料。根据本发明构思的示例性实施方式,有源层203可包含氧化物半导体材料。例如,有源层203可包括12族、13族和14族金属元素中的材料的氧化物,例如,锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)和锗(Ge)及其组合。
在有源层203之上形成有栅绝缘层204。栅绝缘层204可以是由无机材料(例如,氧化硅和/或氮化硅)形成的膜的多层或单层。栅绝缘层204使有源层203和栅电极205绝缘。
栅电极205形成在栅绝缘层204上方。栅电极205可连接至用于将导通/截止信号施加至薄膜晶体管TFT的栅极线。栅电极205可由低电阻金属材料形成。栅电极205可以是由例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种材料形成的多层或单层。
栅电极205上方形成有层间绝缘层206。层间绝缘层206使源电极207和漏电极208与栅电极205绝缘。层间绝缘层206可以是由无机材料形成的膜的多层或单层。例如,无机材料可以是金属氧化物或金属氮化物。无机材料的示例可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锆(ZrO2)。
源电极207和漏电极208形成在层间绝缘层206上方。源电极207和漏电极208可各自为Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种材料的单层或多层。源电极207和漏电极208形成为接触有源层203的区域。
钝化层209可形成为覆盖薄膜晶体管TFT。钝化层209去除由薄膜晶体管TFT产生的台阶部分并且使薄膜晶体管TFT的上表面平坦,从而防止OLED 230由于参差而有缺陷。
钝化层209可以是由有机材料形成的膜的单层或多层。有机材料的示例包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有基于苯酚的基团的聚合物衍生物、基于压克力的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟化物的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物和它们的混合物。可替代地,钝化层209可以是无机绝缘膜和有机绝缘膜的复合堆叠结构。
OLED 230形成在钝化层209上方。OLED 230可包括第一电极231、面对第一电极231的第二电极232和布置在第一电极231与第二电极232之间的中间层233。
第一电极231可电连接至源电极207或漏电极208。第一电极231可具有多种形状中的任一种,例如,第一电极231可图案化成岛状。
第一电极231形成在钝化层209上方,并且可通过形成在钝化层209中的接触孔电连接至薄膜晶体管TFT。第一电极231可以是例如反射电极。例如,第一电极231可包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物形成的反射膜和形成在反射膜上的透射电极层。透射电极层可包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)和锌铝氧化物(AZO)中的至少一种。
面对第一电极231的第二电极232可具有多种形状中的任一种,并且例如,可图案化成岛状。第二电极232可以是透射电极。第二电极232可以是由具有低功函数的金属(例如,Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的化合物)形成的薄膜。另外,还可通过使用ITO、IZO、ZnO或In2O3在薄膜上形成辅助电极层或总线电极。因此,第二电极232可传输从包括在中间层233中的有机发射层发射的光。也就是说,从有机发射层发射的光可直接地或通过在作为反射电极的第一电极231处反射来朝向第二电极232发射。
然而,根据当前实施方式的显示单元200不限于顶部发射型,并且可以是底部发射型,在底部发射型中,从有机发射层发射的光向岛状部101发射。在这种情况中,第一电极231可以是透射电极,并且第二电极232可以是反射电极。可替代地,根据当前实施方式的显示单元200可以是双发射型,在双发射型中,光在前方向上和后方向上发射。
另外,像素限定层219通过使用绝缘材料形成在第一电极231上方。像素限定层219可通过使用聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂之中的至少一种有机绝缘材料经由旋涂方法形成。像素限定层219暴露第一电极231的某一区域,并且包括有机发射层的中间层233位于所暴露的区域中。也就是说,像素限定层219限定OLED 230的像素区域。
包括在中间层233中的有机发射层可由低分子有机材料或聚合物有机材料形成,并且,除包括有机发射层外,中间层233还可以可选地包括诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层。
封装显示单元200的封装层300可形成在第二电极232上方。封装层300可以是单层或多层,并且可阻挡外部氧气和水分。
例如,封装层300可由低温粘度转变(LVT)无机材料形成。这里,粘度转变温度是能够为粘度转变无机材料提供流动性的最低温度,并且可比包括在OLED 230中的材料的变性温度低。
LVT无机材料可以是例如具有小于或等于200℃的玻璃转变温度的低液线温度(LLT)材料。例如,LLT材料可包括锡氟磷酸盐玻璃、硫属化物玻璃、亚碲酸盐玻璃、硼酸盐玻璃和磷酸盐玻璃中的至少一种。
例如,锡氟磷酸盐玻璃可包括20至80wt%的锡(Sn)、2至20wt%的磷(P)、3至20wt%的氧(O)以及10至36wt%的氟(F),但是不限于此。上述玻璃材料还可包括钨(W)。当将钨添加至玻璃材料时,稳定且均匀的玻璃被制造出,并且因此,可提高封装层300的化学耐久性。
另外,LVT无机材料可包括锡氧化物,例如,SnO或SnO2。例如,当LVT无机材料包括SnO时,SnO的量可为20至100wt%。
包括锡氧化物的LVT无机材料还可包括磷氧化物(例如,P2O5)、磷酸硼(BPO4)、锡氟化物(例如,SnF2)、铌氧化物(例如,NbO)和钨氧化物(例如,WO3)中的至少一种。
例如,LVT无机材料可包括:SnO;SnO和P2O5;SnO和BPO4;SnO、SnF2和P2O5;SnO、SnF2、P2O5和NbO;或SnO、SnF2、P2O5和WO3,但不限于此。
另外,LVT无机材料可具有以下组成物中的一种,但不限于此。
1)SnO(100wt%);
2)SnO(80wt%)和P2O5(20wt%);
3)SnO(90wt%)和BPO4(10wt%);
4)SnO(20至50wt%)、SnF2(30至60wt%)和P2O5(10至30wt%)(这里,SnO、SnF2和P2O5的重量的和为100wt%);
5)SnO(20至50wt%)、SnF2(30至60wt%)、P2O5(10至30wt%)和NbO(1至5wt%)(这里,SnO、SnF2、P2O5和NbO的重量的和为100wt%);
6)SnO(20至50wt%)、SnF2(30至60wt%)、P2O5(10至30wt%)和WO3(1至5wt%)(这里,SnO、SnF2、P2O5和WO3的重量的和为100wt%)。
封装层300可由玻璃材料形成,并且因此,可在封装层300不由多个层形成时有效地防止外部水分和氧气的渗透。
如图5和6中所示,封装层300可仅形成在岛状部101上方。也就是说,封装层300可形成形成在岛状部101中的每个的上方以单独密封显示单元200。因此,在显示装置10延展时或当显示装置10的形状通过扭曲、弯曲或卷曲而改变时,防止封装层300由于裂缝等而损坏,并且因此,可提高显示装置10的可靠性以及可提高显示装置10的柔性。
另外,诸如第二电压线V2的布线部分可位于显示单元200的非显示区域中。布线部分可由与源电极207和漏电极208相同的材料形成,并且后文将参照图14和图15进行描述。另外,在图6中,第二电压线V2和第二电极232通过连接线216互相连接,但是本发明构思不限于此,并且第二电压线V2和第二电极232可直接互相接触。
图7是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线I-I'截取的剖视图,以及图8是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线III-III'截取的剖视图。
参照图7和图8以及图3,显示单元200和封装层310位于岛状部101上方。显示单元200可包括至少一个OLED 230和电连接至OLED 230的薄膜晶体管TFT。由于岛状部101和显示单元200与上文参照图1至图6所描述的岛状部101和显示单元200相同,所以不再提供其细节,并且将仅描述区别。
封装层310可形成在每个岛状部101上方以密封每个显示单元200。
封装层310可包括例如交替地彼此堆叠的第一无机膜312、有机膜316以及第二无机膜314。在图7和图8中,封装层310包括两个无机膜(例如,第一无机膜312和第二无机膜314)以及一个有机膜316,但是本发明构思不限于此。也就是说,封装层310还可包括交替堆叠的另外的多个有机膜和无机膜,并且无机膜和有机膜彼此堆叠的次数不受限制。
根据本发明构思的示例性实施方式,无机膜312和314可包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物和硅氮氧化物中的至少一种材料。
有机膜316可使由像素限定层219形成的台阶部分平坦,并且可减小在第一无机膜312和第二无机膜314中产生的应力。根据本发明构思的示例性实施方式,有机膜316可包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、基于压克力的树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺或聚乙烯。
根据本发明构思的示例性实施方式,有机膜316可通过使用含有碳和氢的硅氧化物(在下文中称为SiOCH)来形成。例如,有机膜316可由具有SiOxCyHz化学式的材料形成。
当有机膜316由SiOCH形成时,有机膜316可通过使用原料气体(例如,六甲基二硅醚)和反应气体(例如,氧气)经由等离子增强化学气相沉积(PECVD)在第一无机膜312上沉积前驱膜并且然后使前驱膜硬化来形成。因此,形成封装层310所花费的时间可由于有机膜316以及第一无机膜312和第二无机膜314可在同一腔中经由相同的方法形成而减少。
根据本发明构思的示例性实施方式,第一无机膜312和第二无机膜314中的至少一个可包括SiOCH。例如,第一无机膜312和第二无机膜314中的至少一个可由具有SiOxCyHz的化学式的材料形成。
另外,当第一无机膜312和第二无机膜314中的至少一个以及有机膜316由SiOCH形成时,形成第一无机膜312和第二无机膜314中的至少一个的SiOCH和形成有机膜316的SiOCH可具有不同的成分比例。例如,当氧含量比例增加并且碳含量比例降低时,由SiOCH形成的膜具有无机膜的性质,并且因此,包括在形成第一无机膜312和第二无机膜314中的至少一个的SiOCH中的氧含量可大于包括在形成有机膜316的SiOCH中的氧含量。另外,包括在形成第一无机膜312和第二无机膜314中的至少一个的SiOCH中的碳含量可小于包括在形成有机膜316的SiOCH中的碳含量。
SiOCH中的氧含量和碳含量可在制备SiOCH时调整。例如,通过使用原料气体(例如,六甲基二硅醚)和反应气体(例如,氧气)经由PECVD来形成SiOCH膜,并且在这种情况中,当作为反应气体的氧气的流量比增大时,在SiOCH膜中,氧含量可增加并且碳含量可降低。
因而,当第一无机膜312和第二无机膜314中的至少一个以及有机膜316由SiOCH形成时,第一无机膜312和第二无机膜314以及有机膜316可仅通过调整反应气体的流量来在同一腔中连续地形成,并且因此,可提高封装层310的制造效率和产量。
另外,第一无机膜312和第二无机膜314可具有比有机膜316大的面积。因此,第一无机膜312和第二无机膜314可在有机膜316外互相接触,并且相应地,可进一步有效防止外部氧气和水分的渗透。另外,如图8中所示,第一无机膜312和第二无机膜314中的至少一个可接触岛状部101的侧表面。因此,可进一步有效防止外部水分的渗透,并且可增大封装层310的粘合力。
图9是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线III-III'截取的剖视图。
参照图3和图9,显示单元200和封装层310位于岛状部101上方。由于岛状部101和显示单元200与上文参照图1至图6所描述的岛状部101和显示单元200相同,所以不再提供其细节,并且现将仅描述区别。
封装层310可形成在每个岛状部101上方以密封每个显示单元200。封装层310可包括例如交替地彼此堆叠的第一无机膜312、有机膜316以及第二无机膜314。在图9中,封装层310包括两个无机膜(例如,第一无机膜312和第二无机膜314)以及一个有机膜(例如,有机膜316),但是本发明构思不限于此。也就是说,封装层310还可包括交替地彼此堆叠的另外的无机膜和另外的有机膜,并且彼此堆叠的无机膜和有机膜数量不受限制。另外,如参照图4所描述的,封装层310可由LVT无机材料形成,或还可包括由LVT无机材料形成的层。
在显示单元200的非显示区域中可形成围绕显示区域DA的至少一部分的坝部分D。
坝部分D阻挡用于形成有机膜316的有机材料向岛状部101的边缘流动,从而防止形成有机膜316的边缘拖尾。因此,有机膜316可面对或接触坝部分D的内侧表面。作为另一示例,有机膜316可与坝部分D部分地重叠,但是不延伸超过坝部分D。
第一无机膜312和第二无机膜314可覆盖坝部分D,并且第一无机膜312和第二无机膜314的端部分可布置成比坝部分D更靠近岛状部101的边缘以接触层间绝缘层206。因此,可防止当第一无机膜312和第二无机膜314的边缘与非显示区域分离时引起的封装层310的封装特性的劣化或消除。
坝部分D可通过包括与栅绝缘层204至像素限定层219中的层中的至少一个(例如,层204、206、209、219中的一个)相同的材料而形成。
例如,坝部分D可包括由与钝化层209相同的材料形成的第一层和由与像素限定层219相同的材料形成并且布置在第一层上的第二层。然而,本发明构思不限于此,并且坝部分D可包括单层。另外,坝部分D的数量可为至少两个。当存在多个坝部分D时,坝部分D的高度可朝着岛状部101的外部区域增加。
图10是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线II-II'截取的剖视图。
参照图3和图10,显示单元200位于岛状部101上方,并且显示单元200可由封装层310密封。围绕显示区域DA的至少一部分的坝部分D可形成在显示单元200的非显示区域中。
封装层310可包括交替地彼此堆叠的第一无机膜312、有机膜316以及第二无机膜314。这里,有机膜316可面对或接触坝部分D的内侧表面或者可与坝部分D部分地重叠,但是不延伸超过坝部分D。第一无机膜312和第二无机膜314覆盖坝部分D,并且可在跨越坝部分D处互相接触。
另外,显示单元200的缓冲层202、栅绝缘层204、层间绝缘层206和钝化层209也可形成在连接单元102的上方,并且第二无机膜314可在连接单元102上方延伸。也就是说,位于连接单元102上方的钝化层209可由第二无机膜314覆盖。如上所述,由于钝化层209可由有机材料形成,所以,当由无机材料形成的第二无机膜314在连接单元102上方覆盖钝化层209时,钝化层209的表面不暴露于氧气或水分,并且因此,阻挡氧气或水分通过钝化层209渗透到显示单元200中。
图11是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线II-II'截取的剖视图。
参照图3和图11,显示单元200位于岛状部101上方,并且显示单元200可由封装层310密封。围绕显示区域DA的至少一部分的坝部分D可形成在显示单元200的非显示区域中。
封装层310可包括交替地彼此堆叠的第一无机膜312、有机膜316以及第二无机膜314。这里,有机膜316可面对或接触坝部分D的内侧表面,或者可与坝部分D部分地重叠,但是不延伸超过坝部分D。第一无机膜312和第二无机膜314覆盖坝部分D,并且在跨越坝部分D处的地方互相接触。
显示单元200的缓冲层202、栅绝缘层204、层间绝缘层206和钝化层209形成在连接单元102上方,并且钝化层209可由在连接单元102上方延伸的第二无机膜314覆盖。
另外,连接单元102上方可至少部分地形成有屈曲部分P。例如,屈曲部分P可通过图案化钝化层209而形成。作为另一示例,屈曲部分P可通过在连接单元102中形成台阶部分而形成。因而,形成屈曲部分P的方法可改变并且不受限制。
屈曲部分P可在与岛状部101和连接单元102的连接区域对应的位置处形成,也就是说,岛状部101和连接单元102相遇的位置。因此,当图1的显示装置10延展时,屈曲部分P减小集中在岛状部101与连接单元102的连接区域中的应力,并且防止在连接单元102上方延伸的第二无机膜314损坏,例如防止破裂。
图12是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线II-II'截取的剖视图。
参照图3和图12,显示单元200位于岛状部101上方,并且显示单元200可由封装层310密封。围绕显示区域DA的至少一部分的坝部分D可形成在显示单元200的非显示区域中。
显示单元200的缓冲层202、栅绝缘层204、层间绝缘层206和钝化层209可形成在连接单元102上方。另外,可在连接单元102上方在钝化层209中形成断开区域G。断开区域G可暴露其下方的无机层。无机层可以是栅绝缘层204和层间绝缘层206中的一个。断开区域G可形成为在连接单元102的宽度方向上与连接单元102相交。
另外,封装层310可包括交替地彼此堆叠的第一无机膜312、有机膜316以及第二无机膜314。这里,有机膜316可面对或接触坝部分D的内侧表面,或者可与坝部分D部分地重叠,但是不延伸超过坝部分D。第一无机膜312和第二无机膜314可覆盖坝部分D,并且可延伸超过坝部分D以接触显示单元200的无机层。
另外,第一无机膜312和第二无机膜314在坝部分D的外部区域(也就是说,超过坝部分D的区域)处互相接触,并且第一无机膜312和第二无机膜314中的至少一个可接触通过断开区域G暴露的无机层。因此,封装层310的第一无机膜312和第二无机膜314可在显示单元200的整个外部区域中接触另一无机层。
例如,如图12中所示,当第一无机膜312和第二无机膜314通过断开区域G接触层间绝缘层206时,第一无机膜312或第二无机膜314如图9中所示在岛状部101上方接触层间绝缘层206,并且因此,显示单元200由封装层310的第一无机膜312和第二无机膜314以及层间绝缘层206完全封装以具有隔离状态。因此,可有效防止外部水分和/或外部氧气的渗透。
图13是根据本发明构思的示例性实施方式的图1的区域A的放大平面图,图14是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图13中的线VI-VI'截取的剖视图,以及图15是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图13中的线VII-VII'截取的剖视图。
参照图13,显示装置10可包括多个岛状部101、连接多个岛状部101的多个连接单元102和分别布置在多个岛状部101上方的多个显示单元200。另外,多个显示单元200可各自由封装层密封。
显示单元200中的每个可通过包括图4中的用于发射红光、蓝光、绿光或白光的一个OLED 230而形成子像素。作为另一示例,显示单元200中的每个可包括用于发射不同颜色的光的多个OLED 230。例如,一个显示单元200可包括用于发射红光的OLED 230、用于发射绿光的OLED 230和用于发射蓝光的OLED 230以形成一个像素。作为另一示例,显示单元200可包括多个像素。
另外,显示单元200中的OLED 230可以以多种排列(诸如RBG结构、像素排列(pentile)结构和蜂窝结构)中的任一个进行布置。这种排列可取决于包括在有机发射层中的材料的效率。
另外,一个岛状部101连接有四个连接单元102。例如,岛状部101可包括一对第一连接单元102a和一对第二连接单元102b,其中,一对第一连接单元102a定位成互相相对并且在与第一方向X平行的方向上延伸,一对第二连接单元102b定位成互相相对并且在与第二方向Y平行的方向上延伸。
第一布线部分可位于一对第一连接单元102a上方并且第二布线部分可位于一对第二连接单元102b上方。例如,第一布线部分可包括第一电压线V1、第二电压线V2和至少一个数据线DL,并且第二布线部分可包括至少一个扫描线SL。
第一布线部分和第二布线部分可在岛状部101上方互相交叉。
第一布线部分可沿着第一方向X延伸并且可包括围绕穿透部分V的在与第二方向Y平行的方向上伸出并且弯曲的区域。也就是说,因为第一布线部分可在第一方向X上延伸并且以固定间隔重复地具有弯曲形状,所以可减少或防止由第一布线部分引起的显示单元200之间的亮度不均匀。另外,通过形成在同一方向上延伸的多个第一布线部分使得第一布线部分不互相重叠,可减少它们之间的干扰。
由于第二布线部分可沿着第二方向Y延伸并且可重复地具有在与第一方向X平行的方向上伸出并且弯曲的区域,所以可减少或防止由第二布线部分引起的显示单元200之间的亮度不均匀。另外,在同一方向上延伸的第二布线部分可不互相重叠以减少它们之间的干扰。
另外,第一布线部分和第二布线部分可包括相同的材料。例如,第一布线部分和第二布线部分可由与具有优良柔性和Ti/Al/Ti的堆叠结构的源电极207和漏电极208相同的材料形成。
图14示出了扫描线SL形成在第二连接单元102b上方的示例。缓冲层202、栅绝缘层204、层间绝缘层206和钝化层209可顺序地堆叠在第二连接单元102b上方,并且扫描线SL可形成在钝化层209上方。由于扫描线SL连接至薄膜晶体管的栅电极以将扫描信号施加至薄膜晶体管,所以薄膜晶体管的栅电极和扫描线SL可通过接触孔互相电连接。
图15示出了第一电压线V1、数据线DL和第二电压线V2形成在第一连接单元102a上方的示例。缓冲层202、栅绝缘层204、层间绝缘层206和钝化层209可顺序地堆叠在第一连接单元102a上方,并且第一电压线V1、数据线DL和第二电压线V2可形成在钝化层209上方。
数据线DL可连接至薄膜晶体管的漏电极以将数据信号施加至薄膜晶体管。第一电压线V1可包括在显示单元200中的每个中以将互相分离的图4中的第一电极231彼此电连接。
另外,根据本发明构思的示例性实施方式,由于显示单元200各自包括互相分离的图4中的第二电极232,所以,第二电压线V2可以以与第一电压线V1相同或类似的图案形成,以将图4的第二电极232彼此电连接,并且第二电压线V2可通过接触孔电连接至图4的第二电极232。
图16是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线I-I'截取的剖视图。
参照图16,显示单元200'位于岛状部101上方,并且显示单元200'可包括源电极2111、漏电极2112、有源层2130、OLED 2125、栅电极2140、光学保护层2105、滤色器2106和辅助电极2150。另外,在图16中,虽然为了便于描述而未在显示单元200'上方示出封装层,但是应理解的是,显示单元200'可由封装层密封。
岛状部101可由在上述实施方式中的一个或多个中描述的相同材料形成。在岛状部101上方可形成缓冲层2102。
源电极2111和漏电极2112可形成在缓冲层2102上方。另外,OLED2125的第一电极2120形成在缓冲层2102上方。也就是说,第一电极2120可通过延伸源电极2111和漏电极2112中的一个来形成。也就是说,第一电极2120可由与源电极2111和漏电极2112中的一个相同的材料形成,并且可以与源电极2111和漏电极2112中的一个整体地形成。因此,可提高显示单元200'的加工效率。
有源层2130形成在源电极2111和漏电极2112上方。有源层2130可形成为与源电极2111和漏电极2112之间的空间对应。
根据本发明构思的示例性实施方式,有源层2130可接触源电极2111和漏电极2112,并且具体地,可接触源电极2111和漏电极2112的区域中的面对的侧表面。例如,有源层2130可接触源电极2111的面对漏电极2112的侧表面,并且可接触漏电极2112的面对源电极2111的侧表面。根据本发明构思的示例性实施方式,有源层2130可接触源电极2111和漏电极2112的顶部表面的区域。因此,有源层2130与源电极2111和漏电极2112之间的接触区域增大,并且因此,可容易地实现短沟道结构。也就是说,沟道结构具有小尺寸。
有源层2130可由多种材料形成,并且例如可包含氧化物半导体材料。根据本发明构思的示例性实施方式,有源层2130可包含基于ZnO的氧化物。根据本发明构思的示例性实施方式,有源层2130可由包含In、Ga或Sn的氧化物半导体材料形成。
根据本发明构思的示例性实施方式,有源层2130可包括G-I-Z-O[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c],其中,a、b和c各自为满足a≥0、b≥0和c>0的条件的实数。
根据本发明构思的示例性实施方式,有源层2130可包括12族、13族和14族金属元素中的材料(例如,Zn、In、Ga、Sn、Cd、Ge和Hf)的氧化物及它们的组合。
栅电极2140形成为具有至少与有源层2130重叠的区域。也就是说,栅电极2140和有源层2130在一个区域中互相重叠。栅电极2140可由具有优良电导性的多种材料中的至少一种形成。根据本发明构思的示例性实施方式,栅电极2140可由低电阻金属材料形成,并且可包括例如Mo、Al、Cu或Ti。
第一绝缘膜2135形成在栅电极2140与有源层2130之间。栅电极2140和有源层2130通过第一绝缘膜2135彼此电绝缘。
第一绝缘膜2135形成为不覆盖第一电极2120的至少一个区域。根据本发明构思的示例性实施方式,第一绝缘膜2135可形成为覆盖第一电极2120的边缘的至少一个区域。
栅电极2140形成在第一绝缘膜2135上方。第一绝缘膜2135可由多种绝缘材料中的至少一种形成,例如,无机材料(诸如硅氧化物、硅氮化物或铝氧化物)或作为另一示例的、聚合物材料的有机材料。
第二绝缘膜2144形成在栅电极2140上方。第二绝缘膜2144形成为覆盖栅电极2140。第二绝缘膜2144形成在第一绝缘膜2135上方。第二绝缘膜2144形成为不覆盖第一电极2120的至少一个区域。
根据本发明构思的示例性实施方式,第二绝缘膜2144可形成为在与第一电极2120的顶部表面对应区域中覆盖第一绝缘膜2135。
根据本发明构思的示例性实施方式,第一绝缘膜2135的至少一部分可不由第二绝缘膜2144覆盖,并且可在与第一电极2120的顶部表面对应的区域中暴露。
辅助电极2150可形成在第二绝缘膜2144上方。辅助电极2150形成为接触源电极2111和漏电极2112中的至少一个。第一绝缘膜2135和第二绝缘膜2144形成为暴露源电极2111和漏电极2112中的至少一个的至少一个区域,并且辅助电极2150可形成为接触这样的所暴露的区域。
辅助电极2150可不与第一电极2120的未由至少第一绝缘膜2135和第二绝缘膜2144覆盖的区域对应。例如,在一些情况中,辅助电极2150可不位于第一电极2120上方。
辅助电极2150增强源电极2111和漏电极2112的电学特性。具体地,当源电极2111和漏电极2112由光传输材料形成时,源电极2111和漏电极2112的电阻可增大。这种增大的电阻可通过经由使用具有低电阻率的材料形成辅助电极2150而被补偿,从而增强源电极2111和漏电极2112的电学特性。
辅助电极2150可由多种导电材料中的至少一种形成,并且例如,可由具有优良的电导性的金属材料形成。根据本发明构思的示例性实施方式,辅助电极2150可包含Cu、Ag、Al、Mo或Au。另外,根据本发明构思的示例性实施方式,辅助电极2150可以与有源层2130间隔开,使得辅助电极2150的成分不能向有源层2130扩散,从而防止有源层2130损坏。
也就是说,辅助电极2150可形成在与栅电极2140不同的层(例如,在第二绝缘膜2144上方)中,以减少与栅电极2140的干扰并且精确地图案化栅电极2140和辅助电极2150。然而,根据本发明构思的示例性实施方式,辅助电极2150可形成在第一绝缘膜2135上方,例如在与栅电极2140相同的层上。
第三绝缘膜2145形成在第二绝缘膜2144上方。第三绝缘膜2145形成为覆盖辅助电极2150。第三绝缘膜2145可形成为不覆盖第一电极2120的至少一个区域。
根据本发明构思的示例性实施方式,第三绝缘膜2145可形成为在与第一电极2120的顶部表面对应的区域中覆盖第二绝缘膜2144。也就是说,在第一电极2120之上。根据本发明构思的示例性实施方式,第二绝缘膜2144的至少一部分可不由第三绝缘膜2145覆盖,并且可在与第一电极2120的顶部表面对应的区域中暴露。
中间层2123形成在第一电极2120的顶部表面上。中间层2123可包括用于产生可见光的有机发射层。由中间层2123产生的光可具有多种颜色,例如,红色、绿色和蓝色。根据本发明构思的示例性实施方式,中间层2123可产生白光。
第二电极2122形成在中间层2123上方。第二电极2122可由诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg和Ag的多种导电材料中的至少一种形成。
光学保护层2105形成为与有源层2130对应。光学保护层2105可形成为面对有源层2130的与有源层2130面对栅电极2140的表面相对的表面。因此,可防止有源层2130被光损坏。
根据本发明构思的示例性实施方式,上方涂层2103可形成在衬底上方以覆盖光学保护层2105。如图16中所示,衬底可例如是岛状部101。上方涂层2103可形成在缓冲层2102之下。
滤色器2106形成为与第一电极2120的至少一个区域对应。例如,滤色器2106可形成为与第一电极2120的与中间层2123重叠的区域对应。滤色器2106可布置在第一电极2120与衬底之间。
根据本发明构思的示例性实施方式,滤色器2106可形成在衬底上方,并且上方涂层2103可形成为覆盖滤色器2106。上方涂层2103可形成在缓冲层2102之下。
滤色器2106可形成为与第一电极2120对应,并且因此,可容易地实现用于产生多种颜色的显示装置。
当形成滤色器2106时,光学保护层2105可通过使用一种颜色(例如,红色)的滤色器材料而同时形成。也就是说,在光学保护层2105和滤色器2106形成在衬底上方后,上方涂层2103可形成为覆盖光学保护层2105和滤色器2106。
图17是根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图3中的线I-I'截取的剖视图。
参照图3和图17,显示单元200位于岛状部101上方,并且显示单元200可包括至少一个OLED 230和电连接至OLED 230的薄膜晶体管TFT。OLED 230可包括第一电极231、中间层233和第二电极232,并且钝化层209可位于OLED 230与薄膜晶体管TFT之间。另外,虽然为了便于描述在图17中未在显示单元200上方示出封装层,但是应理解的是,显示单元200可由封装层密封。
像素限定层219通过暴露第一电极231的某一区域来限定OLED 230的像素区域。光阻挡层BL可布置在除了由像素限定层219限定的像素区域外的区域中。
例如,当显示单元200是顶部发射型时,光阻挡层BL可形成在像素限定层219的顶部表面。然而,本发明构思不限于此,并且像素限定层219或钝化层209可包括用于阻挡光的材料。另外,当显示单元200是底部发射型时,光阻挡层BL可布置在岛状部101与薄膜晶体管TFT之间。
图18是根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置20的剖视图。
参照图18,显示装置20可包括:衬底100、多个显示单元200、多个封装层300以及第一保护膜410和第二保护膜420,其中,衬底100包括多个岛状部101和连接多个岛状部101的连接单元102,多个显示单元200分别布置在多个岛状部101上方,多个封装层300分别封装多个显示单元200,第一保护膜410和第二保护膜420分别布置在衬底100的底部表面和顶部表面上。另外,衬底100可包括图1中的多个穿透部分V,该多个穿透部分V穿透衬底100、位于连接单元102之间。
因为衬底100、显示单元200和封装层300与上文描述的衬底100、显示单元200和封装层300相同,所以不再提供其细节。
第一保护膜410和第二保护膜420可防止外部杂质渗透到显示装置20中。第一保护膜410和第二保护膜420由延展的片形成,并且因此,当显示装置20延展或变形时,第一保护膜410和第二保护膜420也可拉伸和变形。例如,第一保护膜410和第二保护膜420可以是双轴定向的聚丙烯膜或双轴定向的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。根据本发明构思的示例性实施方式,第一保护膜410和第二保护膜420可包括PDMS,但不限于此。
图19是根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置30的剖视图。
参照图19,显示装置30可包括:衬底100、多个显示单元200、多个封装层300、第一保护膜410和第二保护膜420以及功能层500,其中,多个显示单元200布置在衬底100上方,多个封装层300分别封装多个显示单元200,第一保护膜410和第二保护膜420分别布置在衬底100的底部表面和顶部表面上方,功能层500位于第二保护膜420上方。
衬底100包括多个岛状部101和连接多个岛状部101的连接单元102,并且可包括图1中的多个穿透部分V,该多个穿透部分V穿透连接单元102之间的衬底100。
多个显示单元200可分别布置在多个岛状部101上方,并且分别封装多个显示单元200的封装层300也可分别布置在多个岛状部101上方。
如上文参照图18所述的,第一保护膜410和第二保护膜420可防止外部杂质渗透到显示装置30中。
功能层500可包括偏振层或触摸屏层中的至少一个。另外,功能层500还可包括用于外部光反射的光学膜,以及保护层。功能层500是可延展的,并且例如可在显示装置30弯曲时延展。
图20是根据本发明构思的示例性实施方式的图1的区域A的放大平面图。
参照图20,衬底100可包括互相间隔开的多个岛状部101、连接多个岛状部101的多个连接单元102、以及穿透多个连接单元102之间的衬底100的多个穿透部分V。
多个显示单元200可分别布置在多个岛状部101上方。单个显示单元200可至少包括用于实现可见光的显示元件。显示元件可以是OLED。
多个显示单元200可由封装层独立地密封。
多个连接单元102可将多个岛状部101互相连接。例如,每个岛状部101连接有四个连接单元102。连接至一个岛状部101的四个连接单元102可在不同的方向上延伸并且可布置成与该一个岛状部101邻近,以分别连接至围绕该一个岛状部101的四个其他岛状部101。电连接至显示单元200的布线部分可位于多个岛状部101上方。
岛状部101和连接单元102可通过使用相同的材料连续地形成。也就是说,岛状部101和连接单元102可整体地形成。
另外,参照图11,连接单元102包括至少一个屈曲部分。因此,当衬底100拉伸时,屈曲部分的形状可改变,并且岛状部101之间的间隔可增大,并且因此,图1的显示装置10的形状可在2D或3D上改变。
穿透部分V形成为穿透衬底100。穿透部分V在岛状部101之间提供隔离区域、减少衬底100的重量,以及可增强衬底100的柔性。另外,当衬底100扭曲、弯曲或卷曲时,穿透部分V的形状也改变,从而减少在衬底100变形时产生的应力。因此,可防止衬底100的异常变形,并且可提高衬底100的耐用性。因此,可通过使用显示装置10提高用户便利性,并且可容易地将显示装置10应用于弯曲显示装置、柔性显示装置或可拉伸显示装置。
根据本文中所述的示例性实施方式中的一个或多个,可在显示装置的形状改变时防止封装层损坏,从而提高显示装置的可靠性。
虽然已经参照本发明构思的示例性实施方式具体示出并且描述了本发明构思,但是本领域普通技术人员将理解的是,在不背离如由所附权利要求限定的本发明构思的精神和范围的情况下,可在本发明构思中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (21)

1.一种显示装置,包括:
多个单元部分,在第一方向和第二方向上重复地布置,其中,所述第二方向不同于所述第一方向;
多个显示单元,分别布置在所述多个单元部分之上;以及
多个封装层,分别封装所述多个显示单元,
其中,所述多个单元部分中的每个包括岛状部和至少一个连接单元,其中,所述显示单元和所述封装层位于所述岛状部中,所述至少一个连接单元连接至所述岛状部,以及
互相邻近的两个单元部分的岛状部互相间隔开,并且互相邻近的所述两个单元部分的连接单元互相连接,
其中,在所述单元部分中的每个中,所述岛状部包括连接有所述至少一个连接单元的至少一个侧表面,所述至少一个连接单元的延伸方向与连接有所述至少一个连接单元的所述至少一个侧表面形成锐角;
其中,当将扩展力施加于所述显示装置的衬底时,所述至少一个连接单元的延伸方向与连接有所述至少一个连接单元的所述至少一个侧表面之间的角度增大,并且所述多个单元部分中的岛状部之间的间隔增大。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,封闭曲线形成在互相邻近的四个单元部分之间,以及
所述封闭曲线限定隔离区域。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中,所述隔离区域接触所述互相邻近的四个单元部分的岛状部。
4.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个单元部分中的每个包括四个连接单元,以及
包括在一个单元部分中的四个连接单元在不同的方向上延伸以分别连接至围绕所述一个单元部分的四个其他单元部分。
5.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述岛状部与至少一个所述单元部分中的所述至少一个连接单元包括相同的材料。
6.如权利要求1所述的显示装置,其中,互相邻近的两个单元部分是对称的。
7.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述至少一个连接单元与所述至少一个侧表面的连接区域包括弯曲表面。
8.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个封装层包括锡氟磷酸盐玻璃、硫属化物玻璃、亚碲酸盐玻璃、硼酸盐玻璃和磷酸盐玻璃中的至少一个。
9.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个封装层中的每个包括第一无机膜、第二无机膜和在所述第一无机膜与所述第二无机膜之间的有机膜,以及
所述第一无机膜和所述第二无机膜中的至少一个接触所述单元部分中的一个的所述岛状部的侧表面。
10.如权利要求9所述的显示装置,其中,所述有机膜包括包含碳和氢的硅氧化物。
11.如权利要求9所述的显示装置,其中,所述多个显示单元中的每个包括显示区域和在所述显示区域的外部的非显示区域,并且围绕所述显示区域的至少一部分的坝部分位于所述非显示区域中,以及
所述第一无机膜和所述第二无机膜覆盖所述坝部分并且在所述坝部分的外侧互相接触。
12.如权利要求9所述的显示装置,其中,所述第二无机膜在所述至少一个连接单元之上延伸。
13.如权利要求12所述的显示装置,其中,在所述至少一个连接单元之上部分地形成有屈曲部分。
14.如权利要求9所述的显示装置,其中,所述多个显示单元中的每个包括薄膜晶体管、显示元件和钝化层,其中,所述薄膜晶体管包括至少一个无机层,所述显示元件电连接至所述薄膜晶体管,所述钝化层在所述薄膜晶体管与所述显示元件之间,以及
所述至少一个无机层和所述钝化层在所述至少一个连接单元之上延伸。
15.如权利要求14所述的显示装置,其中,在所述至少一个连接单元之上延伸的所述钝化层包括暴露所述至少一个无机层的断开区域,以及
所述第一无机膜和所述第二无机膜中的至少一个通过所述断开区域接触所述至少一个无机层。
16.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述至少一个连接单元包括一对第一连接单元和一对第二连接单元,其中,所述一对第一连接单元定位成互相相对并且在与所述第一方向平行的方向上延伸,所述一对第二连接单元定位成互相相对并且在与所述第二方向平行的方向上延伸,
第一布线部分位于所述一对第一连接单元之上,并且第二布线部分位于所述一对第二连接单元之上,以及
所述第一布线部分和所述第二布线部分在所述单元部分中的一个的所述岛状部之上互相交叉。
17.如权利要求16所述的显示装置,其中,所述第一布线部分和所述第二布线部分包括相同的材料。
18.如权利要求17所述的显示装置,其中,所述多个显示单元中的每个包括显示元件和电连接至所述显示元件的薄膜晶体管,
所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极,以及
所述源电极、所述漏电极、所述第一布线部分和所述第二布线部分包括相同的材料。
19.如权利要求18所述的显示装置,其中,所述第一布线部分包括第一电压线、第二电压线和至少一个数据线,并且所述第二布线部分包括至少一个扫描线。
20.如权利要求19所述的显示装置,其中,所述多个显示单元中的每个包括显示元件,其中,所述显示元件包括第一电极、第二电极和中间层,所述中间层包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机发射层,
所述第一电压线使分别包括在所述多个显示单元中并且互相分离的第一电极互相电连接,以及
所述第二电压线使分别包括在所述多个显示单元中并且互相分离的第二电极互相电连接。
21.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个显示单元中的每个包括显示元件和电连接至所述显示元件的薄膜晶体管,
所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极,并且所述显示元件包括第一电极、第二电极和中间层,所述中间层包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机发射层,
所述第一电极从所述源电极或所述漏电极延伸,以及
所述多个显示单元中的每个还包括滤色器,其中,所述滤色器布置在所述第一电极与所述单元部分中的一个的所述岛状部之间,并且包括与所述第一电极重叠的区域。
CN201710156284.7A 2016-03-22 2017-03-16 显示装置 Active CN107221550B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0034071 2016-03-22
KR1020160034071A KR102567547B1 (ko) 2016-03-22 2016-03-22 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107221550A CN107221550A (zh) 2017-09-29
CN107221550B true CN107221550B (zh) 2023-06-06

Family

ID=58448304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710156284.7A Active CN107221550B (zh) 2016-03-22 2017-03-16 显示装置

Country Status (5)

Country Link
US (3) US10135011B2 (zh)
EP (1) EP3223327B1 (zh)
KR (2) KR102567547B1 (zh)
CN (1) CN107221550B (zh)
TW (1) TWI716556B (zh)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102567547B1 (ko) * 2016-03-22 2023-08-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JPWO2018061237A1 (ja) * 2016-09-30 2019-07-11 パイオニア株式会社 発光装置
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
KR20180072022A (ko) 2016-12-20 2018-06-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110036692B (zh) 2016-12-22 2022-07-08 株式会社半导体能源研究所 显示装置以及电子设备
CN106876607B (zh) * 2017-03-21 2019-07-26 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜封装结构、薄膜封装方法及显示装置
WO2018198262A1 (ja) * 2017-04-27 2018-11-01 シャープ株式会社 フレキシブル表示装置
CN107561723B (zh) * 2017-10-13 2020-05-05 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
KR102367826B1 (ko) * 2017-10-20 2022-02-24 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시 장치와 그의 제조방법
CN107871776B (zh) * 2017-10-31 2020-10-16 昆山国显光电有限公司 有机电致发光器件、显示器及移动通信设备
CN207705199U (zh) 2017-11-24 2018-08-07 昆山国显光电有限公司 显示器件
KR102495845B1 (ko) * 2017-12-26 2023-02-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102576997B1 (ko) * 2017-12-29 2023-09-12 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 제조 방법
CN110741489B (zh) * 2018-03-30 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示设备
CN111937489B (zh) * 2018-03-30 2023-07-04 夏普株式会社 显示装置
CN110751902B (zh) 2018-07-24 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其制备方法
CN109189265B (zh) * 2018-08-28 2021-10-08 上海天马微电子有限公司 一种可拉伸面板和柔性显示装置
KR102664207B1 (ko) * 2018-10-08 2024-05-07 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치 및 그 제조 방법
EP3864715A4 (en) * 2018-10-10 2022-07-27 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF MAKING DISPLAY SUBSTRATE
KR20200043563A (ko) * 2018-10-17 2020-04-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN111199995B (zh) * 2018-11-20 2023-05-26 乐金显示有限公司 可伸缩显示装置
CN109524441B (zh) 2018-11-22 2021-01-19 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板、显示面板
KR20200068414A (ko) * 2018-12-05 2020-06-15 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
CN111326067B (zh) * 2018-12-13 2022-01-28 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
CN109659345B (zh) * 2018-12-19 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled面板
KR20200082504A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 조명 장치
WO2020155140A1 (zh) 2019-02-02 2020-08-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示控制方法
CN109817098B (zh) * 2019-02-11 2021-03-16 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板的制备方法、显示装置
US11563195B2 (en) * 2019-04-10 2023-01-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Stretchable display panel having encapsulated islands with light emitting elements on stretchable base substrate, stretchable display apparatus, and methods of fabricating stretchable display panel having the same
KR20200128309A (ko) * 2019-05-03 2020-11-12 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20200145952A (ko) * 2019-06-21 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110265423B (zh) * 2019-06-21 2021-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板、柔性显示面板、柔性显示装置
CN110189640B (zh) 2019-07-02 2020-11-10 京东方科技集团股份有限公司 可拉伸显示基板及其制作方法、显示装置
CN110459571B (zh) 2019-08-19 2022-01-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、电致发光显示装置和阵列基板的制作方法
KR20210036706A (ko) * 2019-09-26 2021-04-05 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
CN110649181B (zh) * 2019-10-08 2022-04-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置以及显示基板的制备方法
CN110767088B (zh) * 2019-10-28 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110660931B (zh) * 2019-11-11 2022-11-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、和显示装置
WO2021102661A1 (zh) * 2019-11-26 2021-06-03 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种光阻剥离液的隔离结构、tft阵列及其制备方法
CN111584750B (zh) * 2020-05-26 2023-08-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
KR20220003774A (ko) * 2020-07-02 2022-01-11 엘지디스플레이 주식회사 스트레처블 표시장치
TWI759828B (zh) 2020-08-20 2022-04-01 友達光電股份有限公司 可伸縮電子裝置
CN111968518B (zh) * 2020-08-31 2022-03-08 上海天马微电子有限公司 可拉伸显示面板及其制作方法、可拉伸显示装置
US11551829B2 (en) 2020-09-03 2023-01-10 Industrial Technology Research Institute Electronic device
CN113790666A (zh) * 2020-11-10 2021-12-14 友达光电股份有限公司 应力感测组件和显示装置
TWI775530B (zh) 2021-07-13 2022-08-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103824871A (zh) * 2012-11-19 2014-05-28 三星显示有限公司 有机发光显示系统及其制造方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7109653B2 (en) 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
US8217381B2 (en) 2004-06-04 2012-07-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics
WO2006129223A1 (en) * 2005-05-31 2006-12-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flexible display device
KR100707210B1 (ko) 2006-02-03 2007-04-13 삼성전자주식회사 유기발광 디스플레이 및 그 제조방법
WO2008075277A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flexible substrate for display devices
KR20080073942A (ko) 2007-02-07 2008-08-12 엘지전자 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
WO2011008459A2 (en) * 2009-06-29 2011-01-20 Infinite Corridor Technology, Llc Structured material substrates for flexible, stretchable electronics
US10441185B2 (en) 2009-12-16 2019-10-15 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Flexible and stretchable electronic systems for epidermal electronics
CN102983141B (zh) * 2011-09-02 2015-07-01 乐金显示有限公司 具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法
JP2013254021A (ja) * 2012-06-05 2013-12-19 Sony Corp 表示装置および電子機器
US20140028686A1 (en) 2012-07-27 2014-01-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display system with thin film encapsulated inverted imod
KR101980234B1 (ko) * 2012-10-30 2019-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법
TWI492436B (zh) * 2012-11-16 2015-07-11 Au Optronics Corp 可撓式顯示面板
KR102094937B1 (ko) * 2013-01-24 2020-03-31 삼성디스플레이 주식회사 터치스크린패널 및 이를 구비한 영상표시장치
KR102133433B1 (ko) 2013-05-24 2020-07-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102062842B1 (ko) * 2013-06-03 2020-01-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101907593B1 (ko) * 2013-08-13 2018-10-15 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
KR102085961B1 (ko) * 2013-12-24 2020-03-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101784468B1 (ko) 2014-05-23 2017-10-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
EP3671883A1 (en) 2014-06-25 2020-06-24 LG Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR102454664B1 (ko) * 2014-06-25 2022-10-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104252276B (zh) * 2014-06-30 2018-04-27 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种触控显示装置及其制造方法
KR102253531B1 (ko) * 2014-07-25 2021-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102245771B1 (ko) * 2014-07-29 2021-04-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102255198B1 (ko) * 2014-08-12 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 스트레처블 기판 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
KR102357389B1 (ko) 2014-09-15 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 표시 장치
KR102250048B1 (ko) * 2014-09-16 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10347702B2 (en) * 2014-10-22 2019-07-09 Lg Display Co., Ltd. Flexible thin film transistor substrate and flexible organic light emitting display device
KR102282492B1 (ko) * 2015-03-10 2021-07-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI638209B (zh) * 2015-05-05 2018-10-11 友達光電股份有限公司 顯示面板
US9812667B2 (en) * 2015-11-04 2017-11-07 Microsoft Technology Licensing, Llc Patterning of OLED display stacks
KR102567547B1 (ko) 2016-03-22 2023-08-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101973163B1 (ko) * 2016-03-22 2019-04-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103824871A (zh) * 2012-11-19 2014-05-28 三星显示有限公司 有机发光显示系统及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11569464B2 (en) 2023-01-31
US20210083211A1 (en) 2021-03-18
KR102567547B1 (ko) 2023-08-17
TWI716556B (zh) 2021-01-21
TW201801369A (zh) 2018-01-01
US20190088894A1 (en) 2019-03-21
KR20230121982A (ko) 2023-08-22
KR20170110214A (ko) 2017-10-11
CN107221550A (zh) 2017-09-29
EP3223327A1 (en) 2017-09-27
US20170279057A1 (en) 2017-09-28
US10135011B2 (en) 2018-11-20
EP3223327B1 (en) 2022-08-10
US10826002B2 (en) 2020-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107221550B (zh) 显示装置
US11653542B2 (en) Display apparatus
US10976853B2 (en) Display device
CN203084683U (zh) 触摸面板和具有触摸面板的显示装置
CN105742321A (zh) 显示装置
US10505148B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN116896942A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant