CN116896942A - 显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 41
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 246
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 60
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 18
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- -1 regions Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
Abstract
本发明涉及显示装置。该显示装置包括:基板,包括显示区域和在显示区域外面的外围区域,其中,显示区域包括第一连接器、第一贯穿部分和多个第一岛;多个单元显示部分,分别设置在多个第一岛上;第一公共电压线和第二公共电压线,设置在外围区域的一侧;驱动电路部分,设置在第一公共电压线与第二公共电压线之间;以及多个屏蔽部分,布置在驱动电路部分上并且彼此分开。
Description
本申请要求于2022年3月30日递交的韩国专利申请第10-2022-0039873号的优先权和从其获得的所有权益,其内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示装置。
背景技术
随着可视地表达各种电信号信息的显示领域的快速发展,已经引入了具有诸如纤薄外形、轻重量和低功耗等的优异特性的各种平板显示装置。随着显示相关技术的发展,已经研究并且开发了可折叠或可卷起柔性显示装置。此外,已经积极地对可以被改变成各种形状的可拉伸显示装置进行了研究。
发明内容
一个或多个实施例包括一种具有可变形形状的显示装置。
附加方面将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地将从该描述中显而易见,或者可以通过实践本公开的呈现的实施例而获知。
根据一个或多个实施例,一种显示装置,包括:基板,包括显示区域和在显示区域外面的外围区域,其中,显示区域包括第一连接器、第一贯穿部分和多个第一岛;多个单元显示部分,以一对一的方式设置在多个第一岛上;第一公共电压线和第二公共电压线,设置在外围区域的一侧;驱动电路部分,设置在第一公共电压线与第二公共电压线之间;以及多个屏蔽部分,布置在驱动电路部分上并且彼此分开。
第一公共电压线可以连接到多个单元显示部分,并且第二公共电压线可以连接到多个屏蔽部分。
外围区域可以包括第二连接器、第二贯穿部分和多个第二岛,并且多个第二岛的形状可以与多个第一岛的形状相同。
第二公共电压线可以在一个方向上延伸,并且沿着多个第二岛和第二连接器的形状弯折。
驱动电路部分可以包括多个单元驱动电路部分,并且多个单元驱动电路部分可以分别设置在多个第二岛上。
多个屏蔽部分可以分别与多个单元驱动电路部分重叠。
发光元件可以设置在多个单元显示部分中的每一个单元显示部分中,发光元件可以包括像素电极、发射层和对电极,并且多个屏蔽部分各自可以包括与像素电极的材料相同的材料,并且被提供在与其中提供像素电极的层相同的层中。
平坦化层可以布置在驱动电路部分与多个屏蔽部分之间;第二公共电压线可以布置在平坦化层下面;并且多个屏蔽部分可以通过平坦化层中的接触孔连接到第二公共电压线。
外围区域可以包括第二连接器、第二贯穿部分和多个第二岛,并且多个屏蔽部分可以分别设置在多个第二岛上,并且通过在多个第二岛上的接触孔连接到第二公共电压线。
第一平坦化层和第二平坦化层可以被堆叠在驱动电路部分与多个屏蔽部分之间,第二公共电压线可以布置在第一平坦化层与第二平坦化层之间,并且多个屏蔽部分可以通过第二平坦化层中的接触孔连接到第二公共电压线。
外围区域可以包括第二连接器、第二贯穿部分和多个第二岛,其中,第一平坦化层和第二平坦化层可以被堆叠在多个第二岛和第二连接器上,其中,第二公共电压线可以在多个第二岛上布置在第一平坦化层与第二平坦化层之间,并且其中,第二公共电压线可以在第二连接器上布置在第一平坦化层之下。
第一平坦化层和第二平坦化层可以被堆叠在驱动电路部分与多个屏蔽部分之间,第二公共电压线可以包括下层和上层,下层可以在第一平坦化层之下,上层可以在第一平坦化层与第二平坦化层之间,并且下层可以通过接触孔连接到上层。
驱动电路部分可以包括各自包括单元驱动电路部分的第一驱动电路组和第二驱动电路组,第二公共电压线可以包括第2-1公共电压线和第2-2公共电压线,并且第2-2公共电压线可以设置在第一驱动电路组与第二驱动电路组之间。
外围区域可以包括第二连接器、第二贯穿部分和多个第二岛,并且多个第二岛的形状可以不同于多个第一岛的形状。
驱动电路部分可以包括多个单元驱动电路部分,并且多个屏蔽部分中的一个屏蔽部分可以覆盖设置在多个第二岛中的一个第二岛上的一个单元驱动电路部分的整体。
根据一个或多个实施例,一种显示装置,包括:基板,包括显示区域和外围区域,其中,显示区域包括第一连接器和多个第一岛,并且外围区域包括第二连接器和多个第二岛;多个单元显示部分,以一对一的方式设置在多个第一岛上;在外围区域中的驱动电路部分,被配置为将信号传输到多个单元显示部分,并且包括设置在多个第二岛上的多个单元驱动电路部分;多个屏蔽部分,分别与多个单元驱动电路部分重叠;第一公共电压线,在外围区域中,设置在驱动电路部分与显示区域之间;以及第二公共电压线,在外围区域中,设置在驱动电路部分与基板的边缘之间,其中,多个屏蔽部分连接到第二公共电压线。
第一公共电压线可以连接到多个单元显示部分。
第二公共电压线可以在一个方向上延伸,并且沿着多个第二岛和第二连接器的形状弯折。
发光元件可以设置在多个单元显示部分中的每一个单元显示部分中,发光元件可以包括像素电极、发射层和对电极,并且多个屏蔽部分各自可以包括与像素电极的材料相同的材料,并且被提供在与其中提供像素电极的层相同的层中。
驱动电路部分可以包括包含第一单元驱动电路部分的第一驱动电路组和包含第二单元驱动电路部分的第二驱动电路组,其中,第二公共电压线可以包括第2-1公共电压线和第2-2公共电压线,并且其中,第2-2公共电压线可以设置在第一驱动电路组与第二驱动电路组之间。
附图说明
从结合附图的以下描述中,本公开的某些实施例的以上和其他方面、特征以及优点将更加明显,在附图中:
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图;
图2是图1的区域A的放大示意性平面图;
图3A是根据实施例的、当显示装置的基板变形时的形状的视图;
图3B是根据实施例的、当显示装置的基板变形时的形状的视图;
图4是图2的单元部分的示意性平面图;
图5是沿着图4的线I-I’截取的单元部分的示例的示意性截面图;
图6是根据实施例的图1的区域B的示意性平面图;
图7是沿着图6的线II-II’截取的区域B的示例的示意性截面图;
图8是沿着图6的线II-II’截取的区域B的另一示例的示意性截面图;
图9是沿着图6的线II-II’截取的区域B的又一示例的示意性截面图;
图10是沿着图6的线II-II’截取的区域B的再一示例的示意性截面图;
图11是根据另一实施例的图1的区域B的示意性平面图;并且
图12是根据又一实施例的图1的区域B的示意性平面图。
具体实施方式
现在,将详细地参考实施例,在附图中图示了实施例的示例,在附图中,相同的附图标记始终指代相同的元件。在这点上,当前实施例可以具有不同的形式,并且不应被解释为限于在本文中阐述的描述。相应地,下面仅通过参考各图来描述实施例以解释本描述的各方面。如本文中所使用的,术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何和所有组合。在整个公开中,表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变型。
由于本公开允许各种改变和众多实施例,因此某些实施例将在附图中被图示并且在书面描述中被描述。本公开的效果和特征以及用于实现它们的方法将参考下面参考附图详细地描述的实施例来阐明。然而,本公开不限于以下实施例,并且可以以各种形式实现。
在下文中,将参考附图描述实施例,在附图中,相同的附图标记始终指代相同的元件并且省略其重复描述。
虽然诸如“第一”和“第二”的术语可以用于描述各种部件,但是这类部件不必限于上面的术语。上面的术语用于区分一个部件与另一部件。
如本文中所使用的,单数形式“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式,除非上下文另有明确指示。
将理解,如本文中所使用的,术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征或部件的存在,但是不排除一个或多个其他特征或部件的添加。
将进一步理解,当层、区域或部件被称为在另一层、区域或部件“上”时,它可以直接或间接在另一层、区域或部件上。也就是说,例如,可以存在居间的层、区域或部件。
为了便于说明,可能夸大或缩小附图中元件的尺寸。作为示例,为了便于描述,附图中示出的每个元件的尺寸和厚度是任意表示的,并且因此,本公开不必限于此。
在可以不同地实现某个实施例的情况下,可以以与描述的顺序不同的顺序执行特定工艺顺序。作为示例,连续描述的两个工艺可以被基本上同时执行或者以相反的顺序执行。
将理解,当层、区域或部件被称为“连接”到另一层、区域或部件时,它可以“直接连接”到另一层、区域或部件,或者可以“间接连接”到另一层、区域或部件而其他层、区域或部件插入在其间。例如,将理解,当层、区域或部件被称为“电连接”到另一层、区域或部件时,它可以“直接电连接”到另一层、区域或部件,或者可以“间接电连接”到另一层、区域或部件而其他层、区域或部件插入在其间。
在下文中,将参考附图描述实施例,在附图中,相同的附图标记始终指代相同的元件并且省略其重复描述。
图1是根据实施例的显示装置10的示意性平面图。
参考图1,显示装置10包括显示区域DA和在显示区域DA周围的外围区域PA,其中,显示区域DA和外围区域PA可以被限定在基板100中。
基板100可以包括各种材料。具体地,基板100可以包括玻璃、金属或有机材料等。
在实施例中,基板100可以包括柔性材料。作为示例,基板100可以包括可弯折、可折叠或可卷曲材料。基板100的柔性材料可以是超薄玻璃、金属或塑料。在基板100包括塑料的情况下,基板100可以包括聚酰亚胺(PI)。作为另一示例,基板100可以包括不同种类的塑料材料。
多个像素P可以设置在显示区域DA中以显示图像。每个像素P可以包括各自发射红光、绿光、蓝光或白光的多个发光元件。发光元件可以是有机发光元件或无机发光元件。然而,可以使用其他发光元件。用于实现多个发光元件的多个像素电路可以设置在显示区域DA中。像素电路可以包括薄膜晶体管TFT(参见图5)和存储电容器等。
显示区域DA可以被配置为通过使用从像素P发射的光来显示预设图像。像素P可以被以n×m矩阵的阵列构造提供。在本说明书中,如上所述,像素P表示发射红光、绿光、蓝光或白光的子像素。
外围区域PA设置在显示区域DA外面。驱动电路部分30、第一公共电压线13、第二公共电压线15和端子部分50可以设置在外围区域PA中,其中,驱动电路部分30将信号提供到显示区域DA,并且第一公共电压线13和第二公共电压线15分别设置在驱动电路部分30的两个相对侧。
驱动电路部分30可以被设置为与显示区域DA的左侧和/或右侧相对应。驱动电路部分30可以被配置为提供用于驱动设置在显示区域DA中的像素P的扫描信号。由驱动电路部分30生成的扫描信号可以通过扫描线SL被提供到像素P。在显示区域DA的左侧的驱动电路部分30可以通过同步时钟信号与在显示区域DA的右侧的驱动电路部分30同步。尽管在附图中示出了驱动电路部分30分别设置在显示区域DA的左侧和右侧,但是驱动电路部分30可以仅设置在显示区域DA的左侧或右侧。驱动电路部分30可以连接到端子部分50。
第一公共电压线13和第二公共电压线15可以分别设置在驱动电路部分30的两个相对侧。也就是说,驱动电路部分30可以设置在第一公共电压线13与第二公共电压线15之间。第一公共电压线13和第二公共电压线15可以彼此连接以接收同一恒定电压。作为示例,第一公共电压线13和第二公共电压线15可以各自从主公共电压线11分叉。第一公共电压线13可以与显示区域DA邻近,并且可以将公共电压提供到设置在显示区域DA中的像素P。公共电压可以被提供到实现像素P的发光元件的阴极。第二公共电压线15可以设置在驱动电路部分30外面(也就是说,在基板100的边缘中),并且可以保护驱动电路部分30免受静电放电的影响。
第一公共电压线13可以围绕显示区域DA的至少一部分。第一公共电压线13可以被设置为与显示区域DA的包括左侧、右侧和上侧的三侧相对应。尽管在附图中示出了第二公共电压线15的端部是开放的,但是第二公共电压线15在左侧和右侧的端部可以彼此连接。然而,可以进行各种修改。另外,尽管在附图中示出了第一公共电压线13和第二公共电压线15以直线设置,但是在另一实施例中,第一公共电压线13和第二公共电压线15可以以弯曲形状设置。第一公共电压线13和第二公共电压线15可以各自连接到端子部分50。
端子部分50可以设置在显示区域DA的一侧(例如,在显示区域DA下面),并且可以包括多个端子。端子部分50可以通过不被绝缘层覆盖而暴露并且电连接到柔性印刷电路板或驱动集成电路(IC)等。控制器可以被配置为将从外面传输的多个图像信号改变成多个图像数据信号,并且通过端子部分50将图像数据信号传输到显示区域DA。端子部分50可以被配置为通过数据线DL将数据信号传输到显示区域DA。
另外,控制器可以被配置为接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号,生成用于控制驱动电路部分30的驱动的控制信号,并且通过端子部分50将控制信号传输到驱动电路部分30。另外,控制器可以被配置为将公共电压传输到第一公共电压线13和第二公共电压线15。
图2是图1的区域A的放大示意性平面图。
参考图2,根据实施例的显示装置10的基板100可以包括彼此分开的多个岛101、将多个岛101彼此连接的多个连接器102以及穿过基板100的多个贯穿部分V。多个贯穿部分V可以被限定在多个连接器102之间或者在多个岛101与多个连接器102之间。
多个岛101可以彼此分开。作为示例,多个岛101可以在第一方向X和不同于第一方向X的第二方向Y上重复地设置,以构成平面格子图案。作为示例,第一方向X和第二方向Y可以彼此正交。作为另一示例,第一方向X和第二方向Y可以形成钝角或锐角。
多个单元显示部分200可以分别设置在多个岛101上。单元显示部分200可以包括可以实现可见光线的至少一个显示元件。
多个连接器102可以将多个岛101彼此连接。具体地,四个连接器102可以连接到多个岛101中的每一个,并且连接到一个岛101的四个连接器102可以在不同方向上延伸以与岛101邻近。相应地,四个连接器102可以分别连接到围绕岛101的其他岛101。多个岛101和多个连接器102中的至少一些可以包括彼此相同的材料,并且连续地形成。多个岛101和多个连接器102可以形成为一体。贯穿部分V可以设置在岛101与连接器102之间。
贯穿部分V可以穿过基板100。贯穿部分V可以在多个岛101之间提供分离区域,减轻基板100的重量,并且提高基板100的柔性。另外,当基板100产生翘曲、弯折和卷曲等时,贯穿部分V的形状改变并且减小在基板100变形的同时产生的应力。相应地,可以防止基板100的异常变形,并且可以提高基板100的耐用性。由此,在显示装置10的使用期间,可以提高用户便利性,并且特别地,显示装置10可以容易地应用于可穿戴装置。
贯穿部分V可以通过使用诸如蚀刻的方法来去除基板100的部分而形成。作为另一示例,在制造基板100的同时,基板100可以形成为具有贯穿部分V。在基板100中形成贯穿部分V的工艺的示例可以是各种工艺,并且制造贯穿部分V的方法不限于此。
在下文中,设定了是形成基板100的基本单元的单元部分U,并且在此基础上,更详细地描述基板100的结构。
单元部分U可以在第一方向X和第二方向Y上重复地设置。也就是说,可以理解,在第一方向X和第二方向Y上重复地设置的多个单元部分U彼此耦接以构成基板100。单元部分U可以包括岛101和连接到岛101的至少一个连接器102。在实施例中,四个连接器102可以连接到一个岛101。
两个邻近的单元部分U的岛101可以彼此分开,并且两个邻近的单元部分U的连接器102可以彼此连接。这里,包括在单元部分U中的连接器102可以表示单元部分U的区域中的连接器102的部分区域,或者表示两个邻近的岛101之间的、连接两个岛101的连接器102的整体。
是空的空间的贯穿部分V也可以设置在多个单元部分U之间。贯穿部分V是通过去除基板100的部分而形成的区域,可以提高基板100的柔性,并且减小在基板100变形的同时产生的应力。
在多个单元部分U当中,两个邻近的单元部分U可以彼此对称。具体地,如图2中所示,一个单元部分U可以关于平行于第二方向Y并且位于两个单元部分U之间的对称轴与在第一方向X上邻近设置的另一单元部分U对称。
图3A示出当基板100变形时的一种形状。
参考图3A,当张力或收缩力被施加到基板100时,连接器102可以弯折,并且连接器102的一部分可以在第三方向(Z方向或-Z方向)上移动。在这种情况下,邻近的岛101之间的距离可以增大或减小,并且显示装置10的形状可以改变。如上所述,因为连接器102在第三方向上弯折,所以可以确保显示装置10的高拉伸性。可以独立地执行显示装置10在第一方向X和第二方向Y上的拉伸。
图3B示出当基板100变形时的一种形状。
参考图3B,当外力被施加到基板100时,由连接器102连接到的岛101的侧表面和连接器102形成的所有角度增大(θ<θ’),并且因此,贯穿部分V的面积可以增大。相应地,岛101之间的间隔可以增大,并且基板100可以在第一方向X和第二方向Y上拉伸并且基板100的形状可以二维地或三维地改变。
因为连接器102具有比岛101的宽度小的宽度,所以当外力被施加到基板100时,角度增大的形状变化主要出现在连接器102中,并且在基板100被拉伸的同时,岛101的形状可以不改变。相应地,因为即使基板100拉伸,设置在岛101上的单元显示部分200也可以被稳定地保持,所以显示装置10容易地应用于需要柔性的显示装置,例如,可弯折显示装置、柔性显示装置或可拉伸的显示装置。
因为在基板100拉伸的同时,应力集中在连接器102的连接到岛101的侧表面的连接部分上,所以连接器102的连接部分可以包括曲面,以防止由于应力的集中而导致连接器102的撕裂等。
图4是图2的单元部分的示意性平面图,并且图5是沿着图4的线I-I’截取的单元部分的示例的示意性截面图。如本文中所使用的,“平面图”是在第三方向(例如,Z方向)上的视图。
参考图4和图5,单元显示部分200和封装单元显示部分200的封装层300可以位于单元部分U的岛101上。连接器102可以包括一对第1-1连接器102a和一对第1-2连接器102b,其中,该一对第1-1连接器102a分别位于岛101的两个相对侧并且各自在平行于第一方向X的方向上延伸,并且该一对第1-2连接器102b位于岛101的两个相对侧并且各自在平行于第二方向Y的方向上延伸。
单元显示部分200可以位于岛101上。作为示例,发射红光、蓝光、绿光或白光的至少一个有机发光二极管OLED可以位于单元显示部分200上。有机发光二极管OLED可以电连接到薄膜晶体管TFT。在本实施例中,有机发光二极管OLED被描述为显示元件。然而,实施例不限于此,并且单元显示部分200可以包括诸如无机发光元件、量子点发光元件和液晶元件等的各种显示元件。
单元显示部分200可以各自包括发射不同颜色的光的多个有机发光二极管OLED。作为示例,如附图中所示,一个单元显示部分200可以包括发射红光R的有机发光二极管OLED、发射绿光G的有机发光二极管OLED和发射蓝光B的有机发光二极管OLED,以构成一个像素。
然而,实施例不限于此。作为另一示例,单元显示部分200可以各自包括发射红光、蓝光、绿光或白光的一个有机发光二极管OLED,并且每个单元显示部分200可以形成子像素。作为另一示例,单元显示部分200可以包括多个像素。
另外,根据包括在有机发射层中的材料的效率,单元显示部分200内部的有机发光二极管OLED的构造可以形成诸如RGB构造、五片瓦结构和蜂窝状结构等的各种构造。
可以在单元显示部分200周围形成间隔件S。间隔件S是用于防止掩模截断的构件,并且间隔件S距基板100的上表面的高度可以大于有机发光二极管OLED的高度。尽管在图4中示出了间隔件S被提供在是单元显示部分200的外周界的外部区域中,但是实施例不限于此。例如,间隔件S可以设置在单元显示部分200内部。作为示例,间隔件S可以被提供在形成在单元显示部分200中的像素限定层211上。
参考图5,根据实施例的显示装置10包括基板100、包括平坦化层209的单元显示部分200和封装单元显示部分200中的每一个的封装层300。单元显示部分200可以设置在基板100的岛101上,并且布线WL可以设置在将岛101彼此连接的第1-2连接器102b上。
首先,根据堆叠顺序描述设置在岛101上的单元显示部分200和封装层300。
缓冲层201可以形成在岛101上,其中,缓冲层201形成为防止杂质穿透薄膜晶体管TFT的半导体层Act。缓冲层201可以包括诸如硅氮化物、氮氧化硅和硅氧化物的无机绝缘材料,并且包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
像素电路PC可以布置在缓冲层201上。像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。在本实施例中,尽管示出了其中栅电极GE布置在半导体层Act之上而栅绝缘层203在栅电极GE与半导体层Act之间的顶栅型薄膜晶体管,但是在另一实施例中,薄膜晶体管TFT可以是底栅型薄膜晶体管。
半导体层Act可以包括多晶硅。可替代地,半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料,并且具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
半导体层Act与栅电极GE之间的栅绝缘层203可以包括包含硅氧化物、硅氮化物、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪等的无机绝缘材料。栅绝缘层203可以包括包含上述材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以各自包括具有高导电性的材料。源电极SE和漏电极DE可以各自包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料,并且包括包含上述材料的单层或多层。在实施例中,源电极SE和漏电极DE可以各自包括Ti/Al/Ti的多层。
存储电容器Cst可以包括在平面图中彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2,第一层间绝缘层205在下电极CE1与上电极CE2之间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。关于这一点,在图5中示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE充当存储电容器Cst的下电极CE1。在另一实施例中,存储电容器Cst可以在平面图中不与薄膜晶体管TFT重叠。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以各自包括包含硅氧化物、硅氮化物、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪等的无机绝缘材料。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以各自包括包含上述材料的单层或多层。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以被平坦化层209覆盖。
平坦化层209可以包括有机绝缘材料,该有机绝缘材料包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其混合物。在实施例中,平坦化层209可以包括PI。
在另一实施例中,平坦化层209可以包括包含硅氧化物、硅氮化物、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪等的无机绝缘材料。
在实施例中,平坦化层209可以具有其中第一绝缘层209a和第二绝缘层209b被堆叠的结构。在这种情况下,第一绝缘层209a和第二绝缘层209b两者都可以是有机绝缘材料或无机绝缘材料。可替代地,第一绝缘层209a和第二绝缘层209b中的一个可以是有机绝缘材料,并且另一个可以是无机绝缘材料。然而,可以进行各种修改。
因为平坦化层209具有其中第一绝缘层209a和第二绝缘层209b被堆叠的结构,所以诸如连接电极CM和第二布线WL2的导电层可以布置在第一绝缘层209a与第二绝缘层209b之间,并且因此,可以实现高集成度。
连接电极CM可以布置在第一绝缘层209a上,并且通过在第一绝缘层209a中限定的接触孔连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE。连接电极CM可以连接到布置在第二绝缘层209b上的有机发光二极管OLED,并且可以充当将有机发光二极管OLED连接到薄膜晶体管TFT的介质。
像素电极221可以布置在平坦化层209上。像素电极221可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在另一实施例中,像素电极221可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其混合物的反射层。在另一实施例中,像素电极221可以进一步包括在反射层上/下的层,该层包括ITO、IZO、ZnO或In2O3。像素电极221可以通过在第二绝缘层209b中限定的接触孔连接到连接电极CM。
像素限定层211可以形成在像素电极221上。像素限定层211可以包括暴露像素电极221的上表面的开口,并且覆盖像素电极221的边缘。相应地,像素限定层211可以限定像素的发射区域。像素限定层211可以包括有机绝缘材料。可替代地,像素限定层211可以包括诸如硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或硅氧化物(SiOx)的无机绝缘材料。可替代地,像素限定层211可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
有机发光二极管OLED的中间层222可以包括低分子量材料或聚合物材料。在中间层222包括低分子量材料的情况下,中间层222可以具有其中空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等以单一或复合构造被堆叠的结构。中间层222可以包括诸如酞菁铜(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的各种有机材料。这些层可以通过真空沉积形成。
在中间层222包括聚合物材料的情况下,中间层222可以具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下,HTL可以包括聚(3,4-乙撑二氧基噻吩)(PEDOT),并且EML可以包括诸如聚苯乙炔(PPV)类材料和聚芴类材料的聚合物材料。中间层222可以通过丝网印刷、喷墨印刷或激光诱导热成像(LITI)等形成。
然而,中间层222不一定限于此,并且可以具有其他结构。中间层222可以包括作为遍及多个像素电极221的一体的层,或者包括被图案化以与多个像素电极221中的每一个相对应的层。
对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。作为示例,对电极223可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其合金的(半)透明层。可替代地,对电极223可以进一步包括在(半)透明层上的层,该层包括ITO、IZO、ZnO或In2O3。对电极223不仅可以形成在显示区域DA中,还可以形成在第一非显示区域NDA1中。中间层222和对电极223可以通过热沉积形成。
用于保护对电极223的封盖层(未示出)可以进一步布置在对电极223上。封盖层可以包括氟化锂(LiF)、无机材料和/或有机材料。
封装单元显示部分200的封装层300形成在对电极223上。封装层300可以阻挡外部氧气和湿气,并且包括单层或多层。封装层300可以包括有机封装层和无机封装层中的至少一种。
尽管在图4中示出了封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320,但是实施例不限于此。在另一实施例中,可以改变有机封装层的数量、无机封装层的数量和堆叠顺序。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、硅氧化物、硅氮化物和氮氧化硅等当中的至少一种无机绝缘材料,并且通过化学气相沉积(CVD)形成。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、PI和聚乙烯。
如图5中所示,因为第一无机封装层310沿着在其之下的结构形成,所以第一无机封装层310的上表面是不平坦的。有机封装层320可以覆盖第一无机封装层310,并且与第一无机封装层310不同,有机封装层320的上表面可以是大致平坦的。具体地,有机封装层320的与是显示元件的有机发光二极管OLED相对应的部分的上表面可以是大致平坦的。另外,有机封装层320可以减轻对第一无机封装层310和第二无机封装层330产生的应力。
有机封装层320可以包括PMMA、聚碳酸酯(PC)、PS、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、PI、聚乙烯、聚乙烯磺酸脂、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷等中的至少一种。
在本实施例中,有机封装层320可以包括分别与单元显示部分200相对应的单元有机封装层320u。也就是说,单元有机封装层320u可以布置在基板100的岛101上,并且可以不设置在连接器102上。相应地,第一无机封装层310和第二无机封装层330在单元有机封装层320u外面彼此接触,并且因此,可以单独封装每个单元显示部分200。
因为封装层300包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330,所以即使当在封装层300内部产生裂纹时,裂纹也不会通过上述多层结构在第一无机封装层310与有机封装层320之间或在有机封装层320与第二无机封装层330之间连接。利用这种构造,可以防止或减少外部湿气或氧气通过其穿过单元显示部分200的路径的形成。另外,因为第二无机封装层330在单元有机封装层320u外面的边缘处接触第一无机封装层310,所以单元有机封装层320u可以不被暴露于外面。
因为第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过CVD遍及基板100的整个表面形成,所以第一无机封装层310和第二无机封装层330可以形成为覆盖贯穿部分V的侧表面。
当形成单元有机封装层320u时,预设量的液体有机材料被涂覆以与单元显示部分200相对应,并且然后被硬化。在这种情况下,由于液体有机材料的特性,在单元显示部分200的边缘方向上产生流动。为了防止这种情况,挡坝结构(未示出)和/或锯齿状凹进结构(未示出)可以进一步被提供到单元显示部分200的边缘。
被配置为将各种信号和/或电压供应到单元显示部分200的布线WL可以设置在基板100的连接器102b上。布线WL可以包括第一布线WL1和第二布线WL2。第一布线WL1可以包括与薄膜晶体管TFT的源电极SE或漏电极DE的材料相同的材料。可替代地,布置在有机材料层202上的第一布线WL1可以包括与薄膜晶体管TFT的栅电极GE的材料相同的材料。第二布线WL2可以与第一布线WL1布置在不同的层。第二布线WL2可以布置在第一绝缘层209a上。第二布线WL2可以包括与连接电极CM的材料相同的材料。第二布线WL2可以在平面图中与第一布线WL1的至少一部分重叠。第一布线WL1和第二布线WL2可以在连接器102b的中心部分上被提供成多个并且彼此分开。
第二布线WL2可以被第二绝缘层209b覆盖。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以被堆叠在第二绝缘层209b上。因为第一无机封装层310和第二无机封装层330是在形成贯穿部分V之后,通过使用开口掩模来形成的,所以第一无机封装层310和第二无机封装层330可以围绕贯穿部分V的侧表面。尽管未在附图中示出,但是像素限定层211可以进一步布置在第二绝缘层209b与第一无机封装层310之间。
图6是根据实施例的图1的区域B的示意性平面图。
参考图6,单元显示部分200设置在显示区域DA中。单元驱动电路部分30u以及与单元驱动电路部分30u重叠的屏蔽部分SHP可以设置在外围区域PA中。
在根据实施例的显示装置10中,基板100的在外围区域PA中的形状可以与基板100的在显示区域DA中的形状相同。
设置在显示区域DA中的岛101、连接器102和贯穿部分V可以分别被称为第一岛、第一连接器和第一贯穿部分,并且设置在外围区域PA中的岛101、连接器102和贯穿部分V可以分别被称为第二岛、第二连接器和第二贯穿部分。在这种情况下,第一岛的形状、第一连接器的形状和第一贯穿部分的形状可以分别与第二岛的形状、第二连接器的形状和第二贯穿部分的形状相同。
也就是说,在外围区域PA中,基板100可以包括将多个岛101连接到其他多个岛101的连接器102。连接器102可以包括一对第1-1连接器102a和一对第1-2连接器102b,其中,该一对第1-1连接器102a位于岛101的两个相对侧并且各自在平行于第一方向X的方向上延伸,并且该一对第1-2连接器102b位于岛101的两个相对侧并且各自在平行于第二方向Y的方向上延伸。
驱动电路部分30(参见图1)设置在外围区域PA的一个区域中,并且驱动电路部分30可以包括多个单元驱动电路部分30u。多个单元驱动电路部分30u可以各自设置在一个岛101上。
单元驱动电路部分30u可以位于设置在外围区域PA中的岛101的一部分上,并且可以包括至少一个薄膜晶体管TFTd(参见图7)。单元驱动电路部分30u可以被配置为生成扫描信号和发射控制信号等,并且将其传输到显示区域DA。
在平面图中与单元驱动电路部分30u重叠的屏蔽部分SHP可以布置在单元驱动电路部分30u上。屏蔽部分SHP可以针对每个单元驱动电路部分30u布置。相应地,屏蔽部分SHP可以被提供成多个,并且多个屏蔽部分SHP可以彼此分开以与驱动电路部分30相对应。屏蔽部分SHP可以包括导电材料并且保护驱动电路部分30,使得驱动电路部分30不被静电放电损坏。屏蔽部分SHP可以连接到第二公共电压线15,并且可以接收是低电位恒定电压的公共电压。
第一公共电压线13和第二公共电压线15可以分别设置在驱动电路部分30的两个相对侧。第一公共电压线13可以与显示区域DA邻近,并且第二公共电压线15可以与显示装置10的边缘邻近。
第一公共电压线13可以被配置为将低电位恒定电压提供到显示区域DA中的发光元件。第一公共电压线13可以主要在Y方向上延伸,并且沿着基板100的岛101和连接器102的形状蜿蜒而行。也就是说,第一公共电压线13的主要部分可以在Y方向上跨多个岛和连接器102延伸。第一公共电压线13的一部分可以在X方向上分叉,并且延伸到显示区域DA。在实施例中,第一公共电压线13可以连接到多个单元显示部分200。
第二公共电压线15可以被配置为将低电位恒定电压提供到屏蔽部分SHP。第二公共电压线15可以主要在Y方向上延伸,并且沿着基板100的岛101和连接器102的形状蜿蜒而行。也就是说,第二公共电压线15的主要部分可以在Y方向上跨多个岛和连接器102延伸。第二公共电压线15的一部分可以在X方向上分叉,并且延伸到驱动电路部分30。
图7是沿着图6的线II-II’截取的区域B的示例的示意性截面图。在图7中,与图5的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,并且因此,省略其重复描述。
参考图7,单元驱动电路部分30u可以被包括在设置在外围区域PA中的岛101中。单元驱动电路部分30u可以包括至少一个薄膜晶体管TFTd。另外,单元驱动电路部分30u可以包括存储电容器(未示出)。
薄膜晶体管TFTd可以包括半导体层Act’、栅电极GE’、源电极SE’和漏电极DE’。在本实施例中,尽管示出了其中栅电极GE’布置在半导体层Act’上而栅绝缘层203在栅电极GE’与半导体层Act’之间的顶栅型薄膜晶体管,但是在另一实施例中,薄膜晶体管TFTd可以是底栅型薄膜晶体管。
半导体层Act’可以包括多晶硅。可替代地,半导体层Act’可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。栅电极GE’可以包括低电阻金属材料。栅电极GE’可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料,并且具有包括上述材料的单层结构或多层结构。栅电极GE’在平面图中与半导体层Act’重叠,并且栅绝缘层203布置在栅电极GE’与半导体层Act’之间。
源电极SE’和漏电极DE’可以布置在第二层间绝缘层207上。源电极SE’和漏电极DE’可以各自包括具有高导电性的材料。源电极SE’和漏电极DE’可以各自包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料,并且包括包含上述材料的单层或多层。在实施例中,源电极SE’和漏电极DE’可以各自包括Ti/Al/Ti的多层。
在本实施例中,第二公共电压线15可以布置在第二层间绝缘层207上。在实施例中,第二公共电压线15可以包括与源电极SE’和漏电极DE’的材料相同的材料,并且设置在与源电极SE’和漏电极DE’相同的层。第二公共电压线15可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料,并且具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
单元驱动电路部分30u和第二公共电压线15可以被平坦化层209覆盖,并且平坦化层209可以包括被堆叠的第一绝缘层209a和第二绝缘层209b。
在平面图中与单元驱动电路部分30u重叠的屏蔽部分SHP可以布置在平坦化层209上。屏蔽部分SHP可以布置在与像素电极221(参见图5)相同的层,并且可以包括与像素电极221的材料相同的材料。屏蔽部分SHP可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在另一实施例中,屏蔽部分SHP可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其混合物。
屏蔽部分SHP可以通过在平坦化层209中限定的接触孔CNT连接到第二公共电压线15。接触孔CNT可以穿过第二绝缘层209b和第一绝缘层209a。在实施例中,接触孔CNT可以设置在岛101上。然而,实施例不限于此。在另一实施例中,接触孔CNT可以形成在第1-2连接器102b上。
因为屏蔽部分SHP电连接到第二公共电压线15,所以屏蔽部分SHP可以接收恒定电压。相应地,屏蔽部分SHP可以保护单元驱动电路部分30u免受外部信号或静电放电的影响。
诸如像素限定层211的绝缘层可以布置在屏蔽部分SHP上,并且第一无机封装层310和第二无机封装层330可以被堆叠在像素限定层211上。在实施例中,可以省略布置在屏蔽部分SHP上的像素限定层211。
第二公共电压线15和信号布线SWL’可以设置在基板100的第1-2连接器102b上。第二公共电压线15可以被配置为提供低电位恒定电压,并且信号布线SWL’可以被配置为将扫描信号和发射控制信号等提供到显示区域DA。
第二公共电压线15和信号布线SWL’可以布置在有机材料层202上。第二公共电压线15可以连续地设置在第1-2连接器102b和岛101上。信号布线SWL’可以连续地设置在第1-2连接器102b和岛101上。可替代地,信号布线SWL’可以通过接触孔连接到岛101上的布线(未示出),其中,该布线布置在与栅电极GE’相同的层。信号布线SWL’可以被提供成多个。
第二公共电压线15和信号布线SWL’可以被平坦化层209覆盖。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以被堆叠在平坦化层209上。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以围绕贯穿部分V的侧表面。尽管未在附图中示出,但是像素限定层211可以进一步设置在平坦化层209与对电极223之间。
尽管在图7中示出了第二公共电压线15布置在第二层间绝缘层207上,但是实施例不限于此。
图8至图10是沿着图6的线II-II’截取的区域B的示例的示意性截面图。在图8和图9中,与图7的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,并且因此,省略其重复描述。
参考图8,第二公共电压线15可以布置在第一绝缘层209a上。第二公共电压线15可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料,并且具有包括上述材料的单层结构或多层结构。屏蔽部分SHP可以通过在第二绝缘层209b中限定的接触孔CNT’连接到第二公共电压线15。
在图8中,第二公共电压线15可以在岛101和第1-2连接器102b两者上布置在第一绝缘层209a上。然而,实施例不限于此。
如图9中所示,第二公共电压线15可以在岛101上布置在第一绝缘层209a上,并且在第1-2连接器102b上布置在是第一绝缘层209a之下的层的有机材料层202上。可替代地,与附图不同,第二公共电压线15可以在岛101上布置在第一绝缘层209a之下,并且在第1-2连接器102b上布置在第一绝缘层209a上。在这种情况下,第二公共电压线15不连续地设置在岛101和第1-2连接器102b上,但是设置在岛101上的第二公共电压线15可以通过接触孔连接到连续地设置在第1-2连接器102b上的第二公共电压线15。
参考图10,第二公共电压线15可以包括布置在不同的层的下层15a和上层15b。第一绝缘层209a可以布置在下层15a与上层15b之间。上层15b可以通过在第一绝缘层209a中限定的接触孔连接到下层15a。
下层15a和上层15b可以各自包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料,并且具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
图11是根据另一实施例的图1的区域B的示意性平面图。在图11中,与图6的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,并且因此,省略其重复描述。
参考图11,第二公共电压线15可以被提供成多条。作为示例,第二公共电压线15可以包括第2-1公共电压线151和第2-2公共电压线152。第2-1公共电压线151和第2-2公共电压线152可以从主公共电压线11分叉并且在Y方向上延伸。第2-1公共电压线151和第2-2公共电压线152可以主要在Y方向上延伸,但是沿着岛101和连接器102的形状蜿蜒而行。
在平面图中与单元驱动电路部分30u重叠的屏蔽部分SHP可以布置在单元驱动电路部分30u上。屏蔽部分SHP可以针对每个单元驱动电路部分30u布置。相应地,屏蔽部分SHP可以被提供成多个,并且多个屏蔽部分SHP可以彼此分开以与驱动电路部分30相对应。屏蔽部分SHP可以包括导电材料并且保护驱动电路部分30,使得驱动电路部分30不被静电放电损坏。屏蔽部分SHP可以连接到第二公共电压线15,并且可以接收是低电位恒定电压的公共电压。
多条第二公共电压线15中的一条可以布置在单元驱动电路部分30u之间。作为示例,单元驱动电路部分30u可以布置在第2-2公共电压线152的两个相对侧。单元驱动电路部分30u可以被划分成多个组。作为示例,单元驱动电路部分30u可以被划分成第一驱动电路组30G1和第二驱动电路组30G2。包括在每个组中的单元驱动电路部分30u可以在Y方向上设置成行。在这种情况下,第2-1公共电压线151可以被配置为将电压施加到对属于第一驱动电路组30G1的单元驱动电路部分30u进行屏蔽的屏蔽部分SHP,并且第2-2公共电压线152可以被配置为将电压施加到对属于第二驱动电路组30G2的单元驱动电路部分30u进行屏蔽的屏蔽部分SHP。第一驱动电路组30G1和第二驱动电路组30G2中的一个可以被配置为提供扫描信号,并且另一个可以被配置为提供发射控制信号。
尽管附图中已经示出了单元驱动电路部分30u被划分成两个组的情况,但是实施例不限于此。单元驱动电路部分30u可以被划分成三个组或更多个组。在这种情况下,多条第二公共电压线15中的一条可以设置在单元驱动电路部分30u的各组之间。
图12是根据又一实施例的图1的区域B的示意性平面图。在图12中,与图6的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,并且因此,省略其重复描述。
参考图12,单元显示部分200设置在显示区域DA中,并且单元驱动电路部分30u以及与单元驱动电路部分30u重叠的屏蔽部分SHP可以设置在外围区域PA中。
在根据实施例的显示装置中,基板100的在外围区域PA中的形状可以不同于基板100的在显示区域DA中的形状。
在显示区域DA中,基板100可以包括第一连接器102、第一贯穿部分V和多个第一岛101。第一连接器102可以连接多个第一岛101,并且第一贯穿部分V可以设置在多个第一岛101之间。第一连接器102可以包括一对第1-1连接器102a和一对第1-2连接器102b,其中,该一对第1-1连接器102a位于第一岛101的两个相对侧并且各自在平行于第一方向X的方向上延伸,并且该一对第1-2连接器102b位于第一岛101的两个相对侧并且各自在平行于第二方向Y的方向上延伸。
在外围区域PA中,基板100可以包括第二连接器104、第二贯穿部分V’和多个第二岛103。多个第二岛103可以在-X方向上从显示区域DA延伸,并且在Y方向上彼此分开。
第二连接器104可以将彼此邻近的第二岛103连接。第二连接器104可以被弯折并且可以延伸以具有弯曲的形状。作为示例,第二连接器104可以具有其中将“S”连接的形状。因为第二连接器104具有弯曲的形状,所以在外力被施加到外围区域PA的情况下,第二连接器104可以被容易地拉伸或收缩并且外围区域PA可以被拉伸。
第二贯穿部分V’可以设置在第二岛103之间、在第二连接器104之间以及在第二岛103与第二连接器104之间。
如上所述,第二岛103、第二连接器104和第二贯穿部分V’可以分别具有与第一岛101的形状、第一连接器102的形状和第一贯穿部分V的形状不同的形状。
在本实施例中,多个单元驱动电路部分30u可以设置在一个第二岛103上。多个单元驱动电路部分30u可以在X方向上设置成行。单元驱动电路部分30u可以被配置为生成扫描信号和发射控制信号等,并且将其传输到显示区域DA。
多个屏蔽部分SHP可以设置在外围区域PA中。多个屏蔽部分SHP可以与第二岛103相对应并且彼此分开。在本实施例中,一个屏蔽部分SHP可以在平面图中与多个单元驱动电路部分30u重叠。屏蔽部分SHP可以包括导电材料并且保护驱动电路部分30,使得驱动电路部分30不被静电放电损坏。屏蔽部分SHP可以连接到第二公共电压线15,并且可以接收是低电位恒定电压的公共电压。
第一公共电压线13和第二公共电压线15可以分别设置在驱动电路部分30的两个相对侧。第一公共电压线13可以与显示区域DA邻近,并且第二公共电压线15可以与显示装置的边缘邻近。
第一公共电压线13可以被配置为将低电位恒定电压提供到显示区域DA中的发光元件。第一公共电压线13可以主要在Y方向上延伸,并且沿着基板100的岛101和连接器102的形状蜿蜒而行。也就是说,第一公共电压线13的主要部分可以在Y方向上跨多个岛和连接器102延伸。第一公共电压线13的一部分可以在X方向上分叉,并且延伸到显示区域DA。在实施例中,第一公共电压线13可以连接到多个单元显示部分200。
第二公共电压线15可以被配置为将低电位恒定电压提供到屏蔽部分SHP。第二公共电压线15可以主要在Y方向上延伸,并且沿着基板100的岛101和连接器102的形状蜿蜒而行。也就是说,第二公共电压线15的主要部分可以在Y方向上跨多个岛和连接器102延伸。第二公共电压线15的一部分可以在X方向上分叉,并且延伸到驱动电路部分30。
第二公共电压线15可以被提供成多条。作为示例,第二公共电压线15可以包括第2-1公共电压线151和第2-2公共电压线152。第2-2公共电压线152可以布置在单元驱动电路部分30u之间。第2-2公共电压线152可以在Y方向上蜿蜒而行,并且与在X方向上延伸的屏蔽部分SHP重叠。
在本实施例中,因为第二公共电压线15被配置为将恒定电压提供到在平面图中与多个单元驱动电路部分30u重叠的屏蔽部分SHP,所以可以防止单元驱动电路部分30u被静电放电损坏。
根据实施例,可以实现具有变形的形状的、带有高可靠性的显示装置。然而,本公开的范围不受该效果的限制。
应理解,在本文中描述的实施例应仅在描述性意义上考虑,而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解,在不脱离由权利要求书所限定的精神和范围的情况下,可以在形式和细节上对其进行各种改变。
Claims (20)
1.一种显示装置,包括:
基板,包括显示区域和在所述显示区域外面的外围区域,其中,所述显示区域包括第一连接器、第一贯穿部分和多个第一岛;
多个单元显示部分,以一对一的方式设置在所述多个第一岛上;
第一公共电压线和第二公共电压线,设置在所述外围区域的一侧;
驱动电路部分,设置在所述第一公共电压线与所述第二公共电压线之间;以及
多个屏蔽部分,布置在所述驱动电路部分上并且彼此分开。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一公共电压线连接到所述多个单元显示部分,并且
所述第二公共电压线连接到所述多个屏蔽部分。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述外围区域包括第二连接器、第二贯穿部分和多个第二岛,并且所述多个第二岛的形状与所述多个第一岛的形状相同。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第二公共电压线在一个方向上延伸,并且沿着所述多个第二岛和所述第二连接器的形状弯折。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述驱动电路部分包括多个单元驱动电路部分,并且所述多个单元驱动电路部分分别设置在所述多个第二岛上。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述多个屏蔽部分分别与所述多个单元驱动电路部分重叠。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示装置,其中,发光元件设置在所述多个单元显示部分中的每一个单元显示部分中,
所述发光元件包括像素电极、发射层和对电极,并且
所述多个屏蔽部分各自包括与所述像素电极的材料相同的材料,并且被提供在与其中提供所述像素电极的层相同的层中。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,平坦化层布置在所述驱动电路部分与所述多个屏蔽部分之间,
所述第二公共电压线布置在所述平坦化层下面,并且
所述多个屏蔽部分通过所述平坦化层中的接触孔连接到所述第二公共电压线。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述外围区域包括第二连接器、第二贯穿部分和多个第二岛,并且
所述多个屏蔽部分分别设置在所述多个第二岛上,并且通过在所述多个第二岛上的所述接触孔连接到所述第二公共电压线。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,第一平坦化层和第二平坦化层被堆叠在所述驱动电路部分与所述多个屏蔽部分之间,
所述第二公共电压线布置在所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间,并且
所述多个屏蔽部分通过所述第二平坦化层中的接触孔连接到所述第二公共电压线。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述外围区域包括第二连接器、第二贯穿部分和多个第二岛,
其中,第一平坦化层和第二平坦化层被堆叠在所述多个第二岛和所述第二连接器上,
其中,所述第二公共电压线在所述多个第二岛上布置在所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间,并且
其中,所述第二公共电压线在所述第二连接器上布置在所述第一平坦化层之下。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,第一平坦化层和第二平坦化层被堆叠在所述驱动电路部分与所述多个屏蔽部分之间,
其中,所述第二公共电压线包括下层和上层,所述下层在所述第一平坦化层之下,并且所述上层在所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间,并且
其中,所述下层通过接触孔连接到所述上层。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述驱动电路部分包括各自包括单元驱动电路部分的第一驱动电路组和第二驱动电路组,
其中,所述第二公共电压线包括第2-1公共电压线和第2-2公共电压线,并且
其中,所述第2-2公共电压线设置在所述第一驱动电路组与所述第二驱动电路组之间。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述外围区域包括第二连接器、第二贯穿部分和多个第二岛,并且所述多个第二岛的形状不同于所述多个第一岛的形状。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述驱动电路部分包括多个单元驱动电路部分,并且
所述多个屏蔽部分中的一个屏蔽部分覆盖设置在所述多个第二岛中的一个第二岛上的一个单元驱动电路部分的整体。
16.一种显示装置,包括:
基板,包括显示区域和外围区域,其中,所述显示区域包括第一连接器和多个第一岛,并且所述外围区域包括第二连接器和多个第二岛;
多个单元显示部分,以一对一的方式设置在所述多个第一岛上;
在所述外围区域中的驱动电路部分,被配置为将信号传输到所述多个单元显示部分,并且包括设置在所述多个第二岛上的多个单元驱动电路部分;
多个屏蔽部分,分别与所述多个单元驱动电路部分重叠;
第一公共电压线,在所述外围区域中,设置在所述驱动电路部分与所述显示区域之间;以及
第二公共电压线,在所述外围区域中,设置在所述驱动电路部分与所述基板的边缘之间,
其中,所述多个屏蔽部分连接到所述第二公共电压线。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第一公共电压线连接到所述多个单元显示部分。
18.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第二公共电压线在一个方向上延伸,并且沿着所述多个第二岛和所述第二连接器的形状弯折。
19.根据权利要求16至18中任一项所述的显示装置,其中,发光元件设置在所述多个单元显示部分中的每一个单元显示部分中,
所述发光元件包括像素电极、发射层和对电极,并且
所述多个屏蔽部分各自包括与所述像素电极的材料相同的材料,并且被提供在与其中提供所述像素电极的层相同的层中。
20.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述驱动电路部分包括包含第一单元驱动电路部分的第一驱动电路组和包含第二单元驱动电路部分的第二驱动电路组,
其中,所述第二公共电压线包括第2-1公共电压线和第2-2公共电压线,并且
其中,所述第2-2公共电压线设置在所述第一驱动电路组与所述第二驱动电路组之间。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220039873A KR20230142023A (ko) | 2022-03-30 | 2022-03-30 | 디스플레이 장치 |
KR10-2022-0039873 | 2022-03-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116896942A true CN116896942A (zh) | 2023-10-17 |
Family
ID=88192972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310277524.4A Pending CN116896942A (zh) | 2022-03-30 | 2023-03-21 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230320152A1 (zh) |
KR (1) | KR20230142023A (zh) |
CN (1) | CN116896942A (zh) |
-
2022
- 2022-03-30 KR KR1020220039873A patent/KR20230142023A/ko unknown
-
2023
- 2023-03-14 US US18/121,480 patent/US20230320152A1/en active Pending
- 2023-03-21 CN CN202310277524.4A patent/CN116896942A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230320152A1 (en) | 2023-10-05 |
KR20230142023A (ko) | 2023-10-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |