CN111799308A - 显示装置 - Google Patents

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CN111799308A CN202010264845.7A CN202010264845A CN111799308A CN 111799308 A CN111799308 A CN 111799308A CN 202010264845 A CN202010264845 A CN 202010264845A CN 111799308 A CN111799308 A CN 111799308A
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organic
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辛昊植
朴埈亨
辛在敏
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Abstract

显示装置包括：基板；多个单元显示部分，每个单元显示部分包括位于基板上并且包括至少一个无机层的薄膜晶体管、电连接到薄膜晶体管的显示元件以及位于薄膜晶体管与显示元件之间的平坦化层；和对多个单元显示部分中的每个单元显示部分进行密封的封装层，平坦化层包括在显示元件的一侧在深度方向上凹陷的凹处。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年4月9日提交至韩国知识产权局的第10-2019-0041496号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的公开通过引用整体合并于此。
技术领域
一个或多个实施例的方面涉及一种显示装置。
背景技术
根据可视化地表达各种电信号信息的显示领域的快速发展，正在引入具有诸如小的厚度、轻的重量和低功耗等非凡特性的各种平面显示装置。近来，随着与显示相关的技术的发展，正在研究和开发可弯曲或卷曲的柔性显示装置。此外，正在积极进行可以被改变成各种形状的可伸缩显示装置的研究和开发。
同时，具有柔性和小的厚度的显示装置可以包括薄膜型封装层以阻止外部水分或氧气的渗透。通常，薄膜封装层可以具有在其中无机层和有机层被交替堆叠的结构。然而，根据现有技术的形成在显示装置的整个区域中的薄膜封装层可能降低显示装置的柔性，并且当显示装置的形状被改变时，薄膜封装层可能被损坏。
发明内容
根据一个或多个实施例的方面，提供了一种显示装置，该显示装置的形状可以被改变。
附加方面将部分地在下面的描述中阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过所提出的实施例的实践来习得。
根据一个或多个实施例，显示装置包括：基板；多个单元显示部分，每个单元显示部分包括位于基板上的薄膜晶体管、电连接到薄膜晶体管的显示元件以及位于薄膜晶体管与显示元件之间的平坦化层；和对多个单元显示部分中的每个单元显示部分进行密封的封装层，其中平坦化层包括在显示元件的一侧在深度方向上凹陷的凹处。
在实施例中，凹处可以至少部分地围绕显示元件。
在实施例中，多个单元显示部分中的每个单元显示部分可以包括多个显示元件，并且凹处可以围绕多个显示元件。
在实施例中，封装层可以包括有机封装层、布置在有机封装层下方的第一无机封装层以及布置在有机封装层上方的第二无机封装层，有机封装层包括分别与多个单元显示部分对应的单元有机封装层，并且第一无机封装层和第二无机封装层可以在单元有机封装层的周界处彼此接触。
在实施例中，基板包括彼此隔开的多个岛、连接多个岛的多个连接部分以及在多个连接部分之间贯穿基板的多个贯穿部分，并且多个单元显示部分可以被分别布置在多个岛上。
在实施例中，第一无机封装层和第二无机封装层可以在多个连接部分上接触。
在实施例中，第一无机封装层和第二无机封装层可以至少部分地被布置在多个贯穿部分的侧表面上。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：在多个连接部分上的布线，其中电信号通过布线被传输到单元显示部分；以及被布置在多个连接部分与布线之间并且包括有机材料的台阶补偿层。
在实施例中，显示元件可以包括像素电极、中间层和对电极，其中像素电极可以被布置在平坦化层上，并且覆盖像素电极的边缘的像素限定层可以被布置在平坦化层上。
在实施例中，像素限定层可以暴露凹处。
在实施例中，平坦化层可以包括有机平坦化层以及布置在有机平坦化层上的无机平坦化层，并且凹处可以被提供在无机平坦化层中。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：被布置在薄膜晶体管与平坦化层之间并且覆盖薄膜晶体管的源电极或漏电极的无机保护层。
在实施例中，薄膜晶体管可以包括至少一个无机层，并且台阶补偿层可以被布置在至少一个无机层的侧表面上，台阶补偿层包括有机材料。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：被布置在薄膜晶体管与平坦化层之间的下平坦化层；以及被布置在下平坦化层上的连接金属。
根据一个或多个实施例，显示装置包括：基板，包括彼此隔开的多个岛、连接多个岛的多个连接部分以及在多个连接部分之间贯穿基板的多个贯穿部分；分别被布置在多个岛上的多个单元显示部分；以及对多个单元显示部分中的每个单元显示部分进行密封的封装层，其中多个单元显示部分中的每个单元显示部分包括薄膜晶体管、电连接到薄膜晶体管的有机发光二极管以及位于薄膜晶体管与有机发光二极管之间的平坦化层，并且平坦化层包括在有机发光二极管的一侧在深度方向上凹陷的凹处。
在实施例中，包括在多个单元显示部分中的每个单元显示部分中的有机发光二极管被提供为多个，并且凹处可以被布置在多个有机发光二极管之间。
在实施例中，封装层可以包括有机封装层、布置在有机封装层下方的第一无机封装层以及布置在有机封装层上方的第二无机封装层，其中有机封装层可以包括分别与多个单元显示部分对应的单元有机封装层，并且第一无机封装层和第二无机封装层可以在单元有机封装层的周界处彼此接触。
在实施例中，第一无机封装层和第二无机封装层可以在多个连接部分上彼此接触。
在实施例中，第一无机封装层和第二无机封装层可以至少部分地被布置在多个贯穿部分的侧表面上。
在实施例中，有机发光二极管可以包括像素电极、包括有机发射层的中间层以及对电极，其中像素电极可以被布置在平坦化层上，并且覆盖像素电极的边缘的像素限定层可以被布置在平坦化层的上表面上，并且与凹处不重叠。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：在多个连接部分上的布线，其中电信号通过布线被传输到多个单元显示部分；以及被布置在多个连接部分与布线之间并且包括有机材料的台阶补偿层。
从下面的具体实施方式详细描述、权利要求和附图中，将理解除了本文中描述的方面、特征和效果之外的方面、特征和效果。
附图说明
从以下结合附图对一些实施例的描述，这些和/或其它方面将变得显而易见并且更易于理解，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的示意性俯视平面图；
图2是示出图1中所示的区域“A”的示例的放大的示意性俯视平面图；
图3是图1中所示的单元显示部分的示意性俯视平面图；
图4是示出沿图3中所示的线I-I’截取的截面的示例的示意性截面图；
图5是示出沿图3中所示的线II-II’截取的截面的示例的示意性截面图；
图6是示出根据另一实施例的显示装置的示意性截面图；
图7是示出根据另一实施例的显示装置的示意性截面图；并且
图8是示出根据另一实施例的显示装置的示意性截面图。
具体实施方式
现在将进一步详细参考一些实施例，这些实施例的示例被图示在附图中，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。就此而言，本实施例可以具有不同的形式并且不应被理解为限于本文中阐述的描述。因此，下面通过参考附图描述的实施例仅用于解释本描述的方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括所关联列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。诸如“…中的至少一个”的表述，在位于元件的列表之后时，修饰整个元件的列表并且不修饰列表中的个别元件。
应当理解，尽管在本文中可以使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制，并且术语用于将一个部件与另一部件区别开。
如本文中使用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
应当进一步理解，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指定存在所陈述的特征或部件，但不排除一个或多个其他特征或部件的存在或附加。
应当理解，当层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，该层、区域或部件可直接或间接形成在另一层、区域或部件上。也就是说，例如，可以存在一个或多个中间层、区域或部件。
为便于解释，可以夸大附图中的部件的尺寸。换言之，由于附图中的部件的尺寸和厚度为了便于解释可以被任意地图示，因此下面的实施例不限于此。
当实施例可以被不同地实现时，特定工艺可以以与所描述的顺序不同的顺序被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时被执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
在本文中阐述的实施例中，当层、区域或部件连接到另一层、区域或部件时，该层、区域或部件可以彼此直接连接，并且该层、区域或部件也可以利用该层、区域或部件和另一层、区域或部件之间的其他层、区域或部件间接地彼此连接。例如，在本说明书中，当层、区域或部件电连接到另一层、区域或部件时，该层、区域或部件和另一层、区域或部件可以彼此直接电连接，或者该层、区域或部件和另一层、区域或部件也可以利用该层、区域或部件和另一层、区域或部件之间的其他层、区域或部件间接地彼此电连接。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思的示例实施例所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的含义相同含义。应当进一步理解，诸如那些在常用字典中限定的术语应该被解释为具有与它们在相关技术的语境中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此限定。
本文中，将参考附图进一步详细地描述实施例。在整个描述中，相同或对应的部件将给出相同的附图标记，并且可以省略相同或对应的部件的多余的描述。
图1是根据实施例的显示装置的示意性俯视平面图；并且图2是示出图1中所示的区域“A”的示例的放大的示意性俯视平面图。
参考图1，根据实施例的显示装置10可以包括基板100以及在基板100上的单元显示部分200。
基板100可以包括各种材料中的任一种。基板100可以包括玻璃、金属、有机材料和其他材料中的任一种。
在实施例中，基板100可以包括柔性材料。例如，基板100可以包括可弯曲、可折叠或可卷曲的材料。例如，包括在基板100中的柔性材料可以是薄玻璃、金属或塑料。当基板100包括塑料时，基板100可以包括聚酰亚胺(PI)。作为另一实施例，基板100可以包括另一类型的塑料材料。
基板100可以包括彼此隔开的多个岛101、连接多个岛101的多个连接部分102以及在多个连接部分102之间贯穿基板100的多个贯穿部分V。
多个岛101可以被布置成彼此隔开。例如，多个岛101可以在第一方向X和与第一方向X不同的第二方向Y上重复地布置，并且形成平面网格图案。例如，第一方向X和第二方向Y可以彼此正交。作为另一示例，第一方向X和第二方向Y可以形成钝角或锐角。
多个单元显示部分200可以分别被布置在多个岛101上。单元显示部分200可以包括至少一个显示元件以实现可见光线。
连接部分102可以连接多个岛101。在实施例中，四个连接部分102可以连接到多个岛101中的每个岛，并且连接到一个岛101的四个连接部分102可以分别在不同的方向上延伸并且被布置成与该一个岛101邻近，以分别连接到围绕该一个岛101的四个其他岛101。多个岛101和多个连接部分102可以包括连续地包括相同材料的至少一部分。多个岛101和多个连接部分102可以一体地形成。
贯穿部分V被形成为贯穿基板100。贯穿部分V可以在多个岛101之间提供分离区域，减轻基板100的重量，并且增强基板100的柔性。另外，根据当基板100弯曲或卷曲时贯穿部分V的形状的改变，可以减少在基板100的形状的改变期间出现应力的产生，并且因此，可以防止或基本防止基板100的形状的异常改变，并且可以增强基板100的耐久性。因此，例如，可以改善在显示装置10的使用期间的用户便利，并且显示装置10可以应用于可穿戴设备。
可以通过经由诸如刻蚀的方法移除基板100的一部分来形成贯穿部分V，并且作为另一示例，也可以在制造基板100的同时形成贯穿部分V。在基板100中形成贯穿部分V的工艺可以通过各种示例中的任一个来执行，并且在基板100中形成贯穿部分V的方法不受限制。
本文中，定义了作为用于构造基板100的基本单元的单元部分U，并且将基于单元部分U进一步详细描述基板100的结构。
单元部分U可以在第一方向X和第二方向Y上被重复地布置。换句话说，可以理解，在第一方向X和第二方向Y上重复地布置的多个单元部分U彼此组合并且形成基板100。单元部分U可以包括岛101以及连接到岛101的至少一个连接部分102。四个连接部分102可以连接到一个岛101。
两个邻近的单元部分U的岛101可以彼此远离，并且两个邻近的单元部分U的连接部分102可以彼此连接。这里，包括在单元部分U中的连接部分102可以指的是位于单元部分U的区域中的连接部分102的局部区域或在两个邻近的岛101之间连接该两个邻近的岛101的整个连接部分102。
在多个单元部分U当中，四个邻近的单元部分U形成在它们之间的闭合曲线CL，并且闭合曲线CL可以限定作为空的空间的贯穿部分V。通过从基板100移除区域而形成的贯穿部分V可以增强基板100的柔性并且减小当基板100变形时产生的应力。连接部分102的宽度可以小于岛101的宽度，并且因此，贯穿部分V也可以与四个单元部分U中的岛101接触。
在实施例中，在多个单元部分U当中，两个邻近的单元部分U可以彼此对称。如图1所示，一个单元部分U可以与在第二方向Y上邻近该一个单元部分U布置的另一单元部分U关于平行于第一方向X的对称轴对称，并且该一个单元部分U可以与在第一方向X上邻近该一个单元部分U布置的另一单元部分U关于平行于第二方向Y的对称轴对称。
另外，形成在连接部分102延伸的方向与连接部分102连接到的岛101的侧表面之间的角(θ)可以是锐角。例如，当岛101具有四边形形状并且四边形形状的四边形拐角部分被布置成面向第一方向X或第二方向Y时，连接部分102可以在与拐角部分邻近的区域中连接到岛101，并且在与第二方向Y或第一方向X平行的方向上延伸。换句话说，连接到面向第一方向的拐角部分的连接部分102可以面向第二方向Y或与第二方向相反的方向(-Y)，并且连接到面向第二方向Y的拐角部分的连接部分102可以面向第一方向X或与第一方向相反的方向(-X)。因此，连接到一个连接部分102的两个邻近的岛101的侧表面和该一个连接部分102延伸的方向可以分别形成锐角。因此，可以密集地布置岛101并且可以最小化或减小连接部分102的长度，从而最大化或增大贯穿部分V的面积。另外，如图2中所示，可以向基板100提供伸长特性。
图2示出了当基板100在第一方向X和第二方向Y上延伸时的形状。参考图2，当外力被施加到基板100时，由连接到连接部分102的岛101的侧表面和连接部分102形成的每个角增大(θ＜θ′)，并且因此，贯穿部分V的面积可以增大。因此，随着岛101之间的间隔增大，基板100可以在第一方向X和第二方向Y上伸长并且二维地或三维地变形。
由于连接部分102具有比岛101的宽度小的宽度，因此当外力被施加到基板100时，用于增大角度的形状的改变主要出现在连接部分102中，并且当基板100伸长时，可以不改变岛101的形状。因此，即使当基板100延伸时，也可以稳定地保持布置在岛101上的单元显示部分200，并且因此，例如，显示装置10可以应用于需要柔性的显示装置，诸如弯曲显示装置、柔性显示装置和可伸缩显示装置等中的任一种。
在基板100的伸长期间，应力集中于连接到岛101的侧表面的连接部分102的连接部上。因此，连接部分102的连接部可以包括弯曲表面，以防止或基本防止由于应力的集中而导致连接部分102被撕裂等。
图3是图1中所示的单元显示部分的示意性俯视平面图；图4是示出沿图3中所示的线I-I’截取的截面的示例的示意性截面图；并且图5是示出沿图3中所示的线II-II’截取的截面的示例的示意性截面图。
参考图3至图5，单元显示部分200以及用于对单元显示部分200进行密封的封装层300可以位于单元部分U的岛101中，并且连接部分102可以包括一对第一连接部分102a和一对第二连接部分102b，一对第一连接部分102a位于相对于岛101的两个相对侧并且分别在与第一方向X平行的方向上延伸，一对第二连接部分102b位于相对于岛101的两个相对侧并且分别在与第二方向Y平行的方向上延伸。
单元显示部分200位于岛101上，并且在实施例中，至少一个发射红光、蓝光、绿光或白光的有机发光二极管OLED可以位于单元显示部分200中，并且有机发光二极管OLED可以电连接到薄膜晶体管TFT。在本实施例中，有机发光二极管OLED被描述为显示元件。然而，实施例不限于此，并且单元显示部分200可以包括诸如无机电致发光(EL)器件、量子点发光器件和液晶器件的各种类型的显示元件中的任一种。
单元显示部分200可以分别包括分别发射不同光的多个有机发光二极管OLED。例如，如图3至图5中所示，一个单元显示部分200可以通过包括发射红(R)光的有机发光二极管OLED、发射绿(G)光的有机发光二极管OLED以及发射蓝(B)光的有机发光二极管OLED来形成一个像素。
然而，实施例不限于此。作为另一示例，单元显示部分200中的每个单元显示部分200可以包括发射红光、蓝光、绿光或白光的一个有机发光二极管OLED，从而形成子像素。作为另一示例，单元显示部分200各自可以包括多个像素。
另外，单元显示部分200中的有机发光二极管OLED可以根据包括在有机发射层中的材料的效率被各种布置，例如，以RGB方式、五格型(Pentile)结构和蜂窝结构中的任一种被布置。
间隔件S可以形成在单元显示部分200周围。间隔件S是用于防止或基本防止掩模被压印的构件，并且在基板100的上表面处的间隔件S的高度可以大于有机发光二极管OLED的高度。在图3中，间隔件S被提供在单元显示部分200的周界中的外拐角部分处，但实施例不限于此。例如，间隔件S可以被布置在单元显示部分200中。例如，间隔件S可以被提供在形成在单元显示部分200中的像素限定层211上。
参考图4，根据实施例的显示装置10包括基板100、各自包括平坦化层209的单元显示部分200以及对单元显示部分200中的每个单元显示部分200进行密封的封装层300。单元显示部分200可以被布置在基板100的岛101上，并且布线可以被布置在连接岛101的连接部分102上。
首先，根据布置在岛101中的单元显示部分200和封装层300的堆叠顺序来描述单元显示部分200和封装层300。
用于防止或基本防止异物渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中的缓冲层201可以形成在岛101上。缓冲层201可以包括诸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的无机绝缘层，并且可以包括包含无机绝缘层的单层或多层。
像素电路可以被布置在缓冲层201上。像素电路包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。在本实施例中，图示了在其中栅电极GE位于半导体层Act上而栅绝缘层203在栅电极GE与半导体层Act之间的顶栅型薄膜晶体管。然而，根据另一实施例，薄膜晶体管TFT可以是底栅型。
在实施例中，半导体层Act可以包括多晶硅。在另一实施例中，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体、有机半导体等。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。在实施例中，栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等中的任一种的导电材料，并且可以包括包含以上描述的材料的多层或单层。
在半导体层Act与栅电极GE之间的栅绝缘层203可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪中的任一种的无机绝缘材料。栅绝缘层203可以包括包含以上描述的材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以包括高导电材料。在实施例中，源电极SE和漏电极DE可以各自包括包含Mo、Al、Cu和Ti等中的任一种的材料，并且可以包括包含以上描述的材料的多层或单层。例如，源电极SE和漏电极DE可以包括Ti/Al/Ti的多层。
存储电容器Cst包括下电极CE1以及与下电极CE1重叠的上电极CE2，而第一层间绝缘层205在下电极CE1与上电极CE2之间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。就此而言，图4示出了在其中薄膜晶体管TFT的栅电极GE为存储电容器Cst的下电极CE1的情况。在另一实施例中，存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT不重叠。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪中的任一种的无机绝缘材料。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以各自包括包含以上描述的材料的单层或多层。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路可以被平坦化层209覆盖。
平坦化层209可以包括诸如通用商用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)中的任一种)、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的共混物的有机绝缘材料。在实施例中，平坦化层209可以包括聚酰亚胺。
在另一实施例中，平坦化层209可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪的无机绝缘材料。作为另一实施例，平坦化层209可以包括有机绝缘层和无机绝缘层被堆叠在其中的结构。平坦化层209可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料。
在本实施例中，平坦化层209可以包括在其中上表面近似平坦的平面，并且包括在局部区域中在深度方向上凹陷的凹处R。凹处R可以被提供在不布置像素电极221的区域中。也就是说，像素电极221可以被布置在平坦化层209的平坦的上表面上，并且凹处R可以形成于在其中不形成像素电极221的区域中。凹处R可以被引入以防止或基本防止用于形成稍后将描述的封装层300的单元有机封装层320u的材料向下淌到贯穿部分V。
为了形成平坦化层209，在涂布液体有机材料以覆盖薄膜晶体管TFT之后，可以执行掩模工艺和显影工艺，使得用于暴露薄膜晶体管TFT的漏电极DE的通孔VH被形成。如上所述，通过固化液体有机材料形成平坦化层209，并且可以近似平坦地形成平坦化层209的上表面。
接下来，在形成光刻胶以使得在其中要形成凹处R的区域被暴露之后，可以通过刻蚀工艺形成凹处R。在实施例中，刻蚀工艺可以是干刻蚀工艺。
然而，实施例不限于此。凹处R可以与平坦化层209的通孔VH并发地(例如，同时地)形成。例如，当形成平坦化层209时，可以在使用半色调掩模的工艺中并发地(例如，同时地)形成通孔VH和凹处R。
在实施例中，凹处R的深度d可以为近似1μm或更大。在实施例中，凹处R的深度d可以是平坦化层209的厚度t的大约20％、30％或50％。在一些实施例中，平坦化层209的厚度t可以为大约4μm，并且凹处R的深度d可以为从大约1μm至大约2μm。在此情况下，凹处R的深度d可以指示从平坦化层209的平坦的上表面到凹处R的下表面的距离，并且平坦化层209的厚度t可以指示在其上布置有薄膜晶体管TFT的源电极SE或漏电极DE的层(例如，第二层间绝缘层207)的上表面到平坦化层209的上表面之间的最长距离。
由于凹处R围绕有机发光二极管OLED，因此当多个有机发光二极管OLED被提供在单元显示部分200中时，凹处R也可以被提供在有机发光二极管OLED之间，如图5中所示。
像素电极221可以形成在平坦化层209的平坦的上表面上。像素电极221可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在另一实施例中，像素电极221可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的组合的反射膜。在另一实施例中，像素电极221可以进一步包括在以上描述的反射膜上方/下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的膜。
像素限定层211可以形成在像素电极221上。像素限定层211可以包括暴露像素电极221的上表面并且覆盖像素电极221的边缘的开口。因此，像素限定层211可以限定像素的发射区域。像素限定层211可以包括有机绝缘材料。在实施例中，像素限定层211可以包括诸如SiNx、SiON或SiOx的无机绝缘材料。在另一实施例中，像素限定层211可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
在实施例中，像素限定层211的厚度可以小于平坦化层209的厚度。因此，像素限定层211可以填充平坦化层209的凹处R，并且与凹处R的形状对应的凹陷部分可以形成在像素限定层211的上表面上。
有机发光二极管OLED的中间层222可以包括低分子量材料或聚合物材料。当中间层222包括低分子量材料时，中间层222可以具有空穴注入层(HIL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等的单层结构或多层堆叠结构，并且低分子量材料可以包括诸如铜酞菁(CuPc)、N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的各种有机材料中的任一种。在实施例中，可以通过真空沉积方法形成这样的层。
在实施例中，包括聚合物材料的中间层222可以具有包括HTL和EML的结构。在此情况下，HTL可以包括聚(3,4-亚乙二氧基噻吩(PEDOT))，并且EML可以包括诸如聚苯乙炔材料和聚芴的高分子量材料。中间层222可以通过使用丝网印刷方法、喷墨印刷方法和激光诱导热成像(LITI)方法等中的任一种来形成。
然而，中间层222不限于此，并且可以具有各种结构中的任一种。另外，中间层222可以包括在多个像素电极221上方一体地形成的层，并且也可以包括被图案化成与多个像素电极221中的每个像素电极221对应的层。
对电极223可以包括具有小的功函数的导电材料。例如，对电极223可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金的(半)透明层。在实施例中，对电极223可以进一步包括在包括以上描述的材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极223可以不仅形成在显示区域中，而且形成在非显示区域中。在实施例中，可以通过热沉积方法形成中间层222和对电极223。形成在基板100的顶表面上的对电极223也可以被部分地布置在贯穿部分V的侧表面上。
用于保护对电极223的封盖层(未示出)可以被进一步布置在对电极223上。封盖层可以包括氟化锂(LiF)、无机材料和/或有机材料。
对单元显示部分200进行密封的封装层300形成在对电极223上。封装层300可以阻挡外部氧气或水分，并且包括单层或多层。封装层300可以包括有机封装层和无机封装层中的至少一个。
在图4和图5中，在实施例中，封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及位于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320，但实施例不限于此。在另一实施例中，有机封装层的数量、无机封装层的数量以及堆叠顺序可以被不同地改变。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的至少一种无机绝缘材料，并且通过化学气相沉积(CVD)方法等来形成。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等中的任一种。
当第一无机封装层310沿着位于第一无机封装层310下方的结构形成时，如图4和图5中所示，在实施例中，第一无机封装层310的上表面是不平坦的。有机封装层320覆盖第一无机封装层310，并且与第一无机封装层310不同，有机封装层320可以具有近似平坦的上表面。更具体地，有机封装层320的上表面在与作为显示元件的有机发光二极管OLED对应的部分中可以是近似平坦的。另外，有机封装层320可以减轻发生在第一无机封装层310和第二无机封装层330上的应力。
有机封装层320可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅烷等中的任一种。
在本实施例中，有机封装层320可以被提供为单元有机封装层320u，以分别与单元显示部分200对应。也就是说，单元有机封装层320u可以被布置在基板100的岛101上，而不被布置在连接部分102上。因此，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在单元有机封装层320u的周界处彼此接触，以单独地封装单元显示部分200中的每个单元显示部分200。
如上所述，封装层300包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330，并且通过使用该多层结构，即使当封装层300中出现裂纹时，也可以防止或基本防止在第一无机封装层310与有机封装层320之间或在有机封装层320与第二无机封装层330之间的裂缝之间的连接。因此，可以防止或最小化外部水分或氧气可以通过其渗透到单元显示部分200中的路径的形成。另外，第二无机封装层330可以在位于单元有机封装层320u外部的边缘处与第一无机封装层310接触，从而防止或基本防止单元有机封装层320u暴露于外部。
在实施例中，可以通过使用CVD方法相对于基板100的整个表面形成第一无机封装层310和第二无机封装层330，并且第一无机封装层310和第二无机封装层330可以被形成为覆盖贯穿部分V的侧表面。
当形成单元有机封装层320u时，对应于单元显示部分200涂覆一定量的液体有机材料，并且对所涂布的液体有机材料执行固化工艺。此时，由于液体有机材料的特性，朝向单元显示部分200的边缘产生了流动。
在本实施例中，由于在深度方向上凹陷的凹处R形成在平坦化层209的上表面中，因此可以防止或基本防止用于形成单元有机封装层320u的液体有机材料向下淌到单元显示部分200的边缘。
为了防止或基本防止液体有机材料向下淌到单元显示部分200的边缘并且溢出贯穿部分V，突出的坝结构可以被提供在单元显示部分200的边缘处。然而，当坝结构被提供时，坝结构可能在贯穿部分V的形成期间被损坏。
在本公开的实施例中，凹处R可以形成在平坦化层209的上表面中以围绕单元显示部分200中的作为显示元件的有机发光二极管OLED，以防止或基本防止单元有机封装层320u的边缘尾部的形成。
在实施例中，像素限定层211、对电极223和第一无机封装层310可以填充凹处R。在此情况下，像素限定层211、对电极223和第一无机封装层310可以具有小的厚度，并且与凹处R的形状对应的凹陷部分也可以形成在像素限定层211、对电极223和第一无机封装层310的上表面中。由于凹陷部分，可以防止或基本防止单元有机封装层320u向下淌到岛101的边缘。
台阶补偿层202可以被布置在基板100的连接部分102b上。基板100的连接部分102b可以具有比岛101的宽度小的宽度，并且因此可能易受当显示装置10的形状被改变时出现的应力的影响。因此，作为无机绝缘层的缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的至少一个可以不被布置在基板100的连接部分102b上。
例如，可以通过诸如刻蚀工艺的工艺从连接部分102b中移除缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207，并且可以形成包括有机材料的台阶补偿层202。
用于将电压或信号传输到单元显示部分200的布线W被布置在台阶补偿层202上。因此，台阶补偿层202可以防止或基本防止当布线W连接到岛101时的高度差，并且吸收可能施加到布线W的应力。
台阶补偿层202可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅烷(HMDSO)和酚醛树脂中的任一种的有机绝缘材料。台阶补偿层202可以包括包含以上描述的有机绝缘材料的单层或多层结构。
在实施例中，布置在台阶补偿层202上的布线W可以包括与布置在岛101上的薄膜晶体管TFT的源电极SE或漏电极DE的材料相同的材料。在实施例中，布置在台阶补偿层202上的布线W可以包括与薄膜晶体管TFT的栅电极GE的材料相同的材料。布线W可以包括用于将电压或信号传输到像素电路的布线。
布线W可以被平坦化层209覆盖。对电极223、第一无机封装层310和第二无机封装层330可以堆叠在平坦化层209上。可以通过使用开口掩模在形成贯穿部分V之后形成的对电极223、第一无机封装层310和第二无机封装层330可以围绕贯穿部分V的侧表面。在实施例中，尽管未示出，但是像素限定层211可以被进一步布置在平坦化层209与对电极223之间，并且封盖层可以被进一步布置在对电极223与第一无机封装层310之间。
图6是示出根据另一实施例的显示装置的示意性截面图。图6可以与图3中所示的线I-I’对应。在图6中，与图3和图4的附图标记相同的附图标记指代相同的部件，并且可以省略其重复描述。
参考图6，根据实施例的显示装置10包括基板100、包括平坦化层209的单元显示部分200以及对单元显示部分200中的每个单元显示部分200进行密封的封装层300。
如图1至图3中所示，基板100可以包括彼此隔开的多个岛101、连接多个岛101的多个连接部分102以及在多个连接部分102之间贯穿基板100的多个贯穿部分V。
单元显示部分200被分别布置在多个岛101上。也就是说，单元显示部分200可以指示布置在一个岛101上的一组显示元件。在实施例中，单元显示部分200可以仅包括一个显示元件。在另一实施例中，单元显示部分200可以包括表现红色、绿色和蓝色的多个显示元件。
单元显示部分200包括平坦化层209，并且显示元件(例如有机发光二极管OLED)可以被布置在平坦化层209上。平坦化层209可以在作为显示元件的有机发光二极管OLED布置在其中的区域中提供平坦的上表面，并且可以包括在显示元件的一侧或显示元件的周围在深度方向上凹陷的凹处R。
在实施例中，凹处R的深度d可以为近似1μm或更大。在实施例中，凹处R的深度d可以是平坦化层209的厚度t的大约20％、30％或50％。在一些实施例中，平坦化层209的厚度t可以为大约4μm，并且凹处R的深度d可以为从大约1μm至大约2μm。在此情况下，凹处R的深度d指示从平坦化层209的平坦的上表面到凹处R的下表面的距离，并且平坦化层209的厚度t可以指示在其上布置有薄膜晶体管TFT的源电极SE或漏电极DE的层(例如，第二层间绝缘层207)的上表面到平坦化层209的上表面之间的最长距离。
在本实施例中，像素限定层211可以不被布置在凹处R上。也就是说，像素限定层211可以被形成为暴露凹处R。由于像素限定层211不填充凹处R的内部部分，因此在第一无机封装层310中形成的凹陷部分的深度可以大于在其中像素限定层211被布置在凹处R中的情况下的凹陷部分的深度。
随着凹陷部分的深度增大，可以更有效地防止有机封装层320向下淌到岛101的边缘。
也就是说，在本实施例中，由于平坦化层209包括凹处R，因此包括在封装层300中的单元有机封装层320u不朝向贯穿部分V流动并且被布置成与单元显示部分200对应，并且第一无机封装层310和第二无机封装层330在单元有机封装层320u的周界处彼此接触。因此，封装层300对单元显示部分200中的每个单元显示部分200进行密封。
图7是示出根据另一实施例的显示装置的示意性截面图。图7可以与图3中所示的线I-I’对应。在图7中，与图3和图4的附图标记相同的附图标记指代相同的部件，并且可以省略其重复描述。
参考图7，根据实施例的显示装置10包括基板100、包括平坦化层209的单元显示部分200以及对单元显示部分200中的每个单元显示部分200进行密封的封装层300。
如图1至图3中所示，基板100可以包括彼此隔开的多个岛101、连接多个岛101的多个连接部分102以及在多个连接部分102之间贯穿基板100的多个贯穿部分V。
单元显示部分200被分别布置在多个岛101上。也就是说，单元显示部分200可以是布置在一个岛101上的一组显示元件。在实施例中，单元显示部分200可以仅包括一个显示元件。在另一实施例中，单元显示部分200可以包括表现红色、绿色和蓝色的多个显示元件。
单元显示部分200包括平坦化层209，并且显示元件(例如有机发光二极管OLED)可以被布置在平坦化层209上。平坦化层209可以在作为显示元件的有机发光二极管OLED布置在其中的区域中提供平坦的上表面，并且可以包括在显示元件的一侧或显示元件的周围在深度方向上凹陷的凹处R。
在实施例中，凹处R的深度d可以为近似1μm或更大。在实施例中，凹处R的深度d可以是平坦化层209的厚度t的大约20％、30％或50％。在一些实施例中，平坦化层209的厚度t可以为大约4μm，并且凹处R的深度d可以为从大约1μm至大约2μm。在此情况下，凹处R的深度d指示从平坦化层209的平坦的上表面到凹处R的下表面的距离，并且平坦化层209的厚度t可以指示在其上布置有薄膜晶体管TFT的源电极SE或漏电极DE的层(例如，第二层间绝缘层207)的上表面到平坦化层209的上表面之间的最长距离。
在本实施例中，平坦化层209可以包括有机平坦化层209a以及布置在有机平坦化层209a上的无机平坦化层209b。
有机平坦化层209a可以包括暴露薄膜晶体管TFT的漏电极DE的通孔VH，并且可以具有平坦的(例如，完全平坦的)上表面。有机平坦化层209a可以包括诸如通用商用聚合物(诸如PMMA和PS中的任一种)、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的共混物的有机绝缘材料。例如，有机平坦化层209a可以包括聚酰亚胺。
凹处R可以被提供在无机平坦化层209b中。凹处R可以被布置在作为显示元件的有机发光二极管OLED的一侧或周围。布置在有机平坦化层209a上的无机平坦化层209b可以在有机发光二极管OLED布置在其中的区域中具有平坦的上表面。
在实施例中，凹处R的深度d可以为近似1μm或更大。在实施例中，凹处R的深度d可以是平坦化层209的总厚度t的大约20％、30％或50％。在一些实施例中，平坦化层209的总厚度t可以为大约4μm，并且凹处R的深度d可以为从大约1μm至大约2μm。在此情况下，凹处R的深度d指示从平坦化层209的平坦的上表面到凹处R的下表面的距离，并且平坦化层209的总厚度t可以指示在其上布置有薄膜晶体管TFT的源电极SE或漏电极DE的层(例如，第二层间绝缘层207)的上表面到平坦化层209的上表面之间的最长距离。
无机平坦化层209b可以包括诸如SiNx、SiOx或SiON的无机绝缘材料。
在图7中，凹处R被示出为不贯穿无机平坦化层209b，但实施例不限于此。在实施例中，凹处R可以贯穿无机平坦化层209b，使得有机平坦化层209a的上表面被暴露。在实施例中，凹处R可以被形成为无机平坦化层209b被贯穿并且有机平坦化层209a的一部分可以在深度方向上被移除。换句话说，凹处R可以在平坦化层209的整个部分的深度方向上具有各种凹陷形状中的任一种。
在本实施例中，由于平坦化层209包括凹处R，因此包括在封装层300中的单元有机封装层320u不朝向贯穿部分V流动并且被布置成与单元显示部分200对应，并且第一无机封装层310和第二无机封装层330在单元有机封装层320u的周界处彼此接触。因此，封装层300对单元显示部分200中的每个单元显示部分200进行密封。
图8是示出根据另一实施例的显示装置的示意性截面图。图8可以与图3中所示的线I-I’对应。在图8中，与图3和图4的附图标记相同的附图标记指代相同的部件，并且可以省略其重复描述。
参考图8，根据实施例的显示装置10包括基板100、包括平坦化层209的单元显示部分200以及对单元显示部分200中的每个单元显示部分200进行密封的封装层300。
如图1至图3中所示，基板100可以包括彼此隔开的多个岛101、连接多个岛101的多个连接部分102以及在多个连接部分102之间贯穿基板100的多个贯穿部分V。
单元显示部分200被分别布置在多个岛101上。也就是说，单元显示部分200可以是布置在一个岛101上的一组显示元件。在实施例中，单元显示部分200可以仅包括一个显示元件。在另一实施例中，单元显示部分200可以包括表现红色、绿色和蓝色的多个显示元件。
单元显示部分200包括平坦化层209，并且显示元件(例如有机发光二极管OLED)可以被布置在平坦化层209上。平坦化层209可以在作为显示元件的有机发光二极管OLED布置在其中的区域中提供平坦的上表面，并且可以包括在显示元件的一侧或显示元件的周围在深度方向上凹陷的凹处R。
在本实施例中，无机保护层PVX和下平坦化层208可以被额外布置在薄膜晶体管TFT和平坦化层209之间。另外，台阶补偿层202可以被布置在基板100的岛101的一部分中。
在实施例中，无机保护层PVX可以包括包含SiNx和SiOx的单层或多层。无机保护层PVX可以覆盖并保护薄膜晶体管TFT的源电极SE和一些布线。在实施例中，与源电极SE在同一工艺中一起形成的布线(未示出)可以在基板100的局部区域中被暴露。布线的暴露部分可能被在像素电极221的图案化中使用的刻蚀剂损坏。然而，由于在本实施例中无机保护层PVX覆盖布线中的至少一些，因此可以防止或基本防止布线在像素电极221的图案化工艺中被损坏。
下平坦化层208可以被布置在无机保护层PVX与平坦化层209之间。下平坦化层208可以包括诸如通用商用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)中的任一种)、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟化聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物以及它们的共混物的有机绝缘材料。
用于连接像素电极221和薄膜晶体管TFT的连接金属CM可以被布置在下平坦化层208上。在实施例中，在下平坦化层208上，布线(未示出)可以与连接金属CM布置在同一层上。在实施例中，连接金属CM可以包括包含Mo、Al、Cu和Ti中的任一种的导电材料，并且可以包括包含以上描述的材料的多层或单层。如以上描述的，由于提供了下平坦化层208，因此布线也可以被布置在下平坦化层208上，并且因此，可以增强单元显示部分200中的部件的密度。
台阶补偿层202可以被布置在基板100的岛101的一部分中。在实施例中，台阶补偿层202可以被布置成覆盖缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的侧表面。
在移除布置在连接部分102b上的缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的工艺中，布置在岛101上的缓冲层201、栅绝缘层203，第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的一些被移除，并且台阶补偿层202被填充在从其移除缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的一些的部分中。接下来，平坦化层209、像素限定层211和贯穿部分V可以被形成。
因此，台阶补偿层202的一部分可以被布置在岛101上。
在实施例中，形成在平坦化层209中的凹处R的深度d可以为近似1μm或更大。在实施例中，凹处R的深度d可以是无机保护层PVX、下平坦化层208和平坦化层209的总厚度t的大约20％、30％或50％。在一些实施例中，总厚度t可以为大约4μm，并且凹处R的深度d可以为从大约1μm至大约2μm。在此情况下，凹处R的深度d指示从平坦化层209的平坦的上表面到凹处R的下表面的距离，并且总厚度t可以指示在其上布置有薄膜晶体管TFT的源电极SE或漏电极DE的层(例如，第二层间绝缘层207)的上表面到平坦化层209的上表面之间的最长距离。
在实施例中，无机保护层PVX可以不被布置在连接部分102b中。换句话说，台阶补偿层202、下平坦化层208和平坦化层209可以被布置在连接部分102b中，并且额外布线W’可以被布置在下平坦化层208与平坦化层209之间。
在本实施例中，由于平坦化层209包括凹处R，因此包括在封装层300中的单元有机封装层320u不朝向贯穿部分V流动并且被布置成与单元显示部分200对应，并且第一无机封装层310和第二无机封装层330在单元有机封装层320u的周界处彼此接触。因此，封装层300对单元显示部分200中的每个单元显示部分200进行密封。
根据实施例，在其形状可以被改变的显示装置10中可以实现具有高可靠性的封装层。然而，实施例的范围不限于以上描述的效果。
应当理解，本文中描述的实施例应被视为是描述性的并且不用于限制目的。每个实施例中的特征或方面的描述应典型地被认为是可用于其它实施例中其它相似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在一个或多个实施例中进行形式上和细节上的各种修改，而不背离如由所附权利要求阐述的精神和范围。

Claims (11)

1.一种显示装置，包括：
基板；
多个单元显示部分，每个单元显示部分包括位于所述基板上的薄膜晶体管、电连接到所述薄膜晶体管的显示元件以及位于所述薄膜晶体管与所述显示元件之间的平坦化层；和
封装层，对所述多个单元显示部分中的每个单元显示部分进行密封，
其中所述平坦化层包括在所述显示元件的一侧在深度方向上凹陷的凹处。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述凹处至少部分地围绕所述显示元件。
3.根据权利要求1所述的显示装置，
其中所述多个单元显示部分中的每个单元显示部分包括多个显示元件，并且
所述凹处围绕所述多个显示元件。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述封装层包括有机封装层、布置在所述有机封装层下方的第一无机封装层以及布置在所述有机封装层上方的第二无机封装层，
所述有机封装层包括分别与所述多个单元显示部分对应的单元有机封装层，并且
所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述单元有机封装层的周界处彼此接触。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述基板包括彼此隔开的多个岛、连接所述多个岛的多个连接部分以及在所述多个连接部分之间贯穿所述基板的多个贯穿部分，并且
所述多个单元显示部分被分别布置在所述多个岛上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层至少部分地被布置在所述多个贯穿部分的侧表面上。
7.根据权利要求5所述的显示装置，进一步包括：
布线，在所述多个连接部分上，其中电信号通过所述布线被传输到所述单元显示部分；以及
台阶补偿层，被布置在所述多个连接部分与所述布线之间，并且包括有机材料。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示元件包括像素电极、中间层和对电极，
所述像素电极被布置在所述平坦化层上，并且
覆盖所述像素电极的边缘的像素限定层被布置在所述平坦化层上，其中所述像素限定层暴露所述凹处。
9.根据权利要求1所述的显示装置，
其中所述平坦化层包括有机平坦化层以及布置在所述有机平坦化层上的无机平坦化层，并且
所述凹处被提供在所述无机平坦化层中。
10.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
无机保护层，被布置在所述薄膜晶体管与所述平坦化层之间，并且覆盖所述薄膜晶体管的源电极或漏电极。
11.一种显示装置，包括：
基板，包括彼此隔开的多个岛、连接所述多个岛的多个连接部分以及在所述多个连接部分之间贯穿所述基板的多个贯穿部分；
多个单元显示部分，分别被布置在所述多个岛上；以及
封装层，对所述多个单元显示部分中的每个单元显示部分进行密封，
其中所述多个单元显示部分中的每个单元显示部分包括薄膜晶体管、电连接到所述薄膜晶体管的有机发光二极管以及位于所述薄膜晶体管与所述有机发光二极管之间的平坦化层，并且
所述平坦化层包括在所述有机发光二极管的一侧在深度方向上凹陷的凹处。
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