KR102552267B1 - 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 밀봉력이 향상된 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 위하여, 기판, 상기 기판 상에 배치되는 디스플레이부, 상기 디스플레이부와 이격되어 상기 디스플레이부 외곽에 배치되며, 다층구조로 적층된 댐부, 상기 디스플레이부와 상기 댐부 사이의 이격 영역에 위치한 홈부 및 상기 디스플레이부를 덮으며 상기 홈부의 내측면을 따라 연장된 제1 무기막 및 상기 제1 무기막 상에 배치되며 단부가 상기 홈부에 매립된 유기막을 포함하는, 봉지층을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법{Organic light-emitting display apparatus and manufacturing the same}
본 발명은 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 밀봉력이 향상된 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
디스플레이 장치들 중, 유기발광 디스플레이 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다.
일반적으로 유기발광 디스플레이 장치는 기판 상에 박막트랜지스터 및 유기발광소자들을 형성하고, 유기발광소자들이 스스로 빛을 발광하여 작동한다. 이러한 유기발광 디스플레이 장치는 휴대폰 등과 같은 소형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 하고, 텔레비전 등과 같은 대형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 한다.
이러한 유기발광소자는 외부의 수분 및 산소 등에 취약한 특성을 가지며 유기발광소자를 덮는 봉지층을 형성함으로써 외부의 수분 및 산소로부터 유기발광소자를 보호한다.
그러나 이러한 종래의 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에는, 유기발광소자를 덮는 봉지층의 두께가 충분하지 않아 외부에서 유입되는 파티클 형태의 불순물에 의해 봉지층에 균열이 발생하고 이를 통해 외부의 수분 및 산소가 디스플레이부로 침투하여 유기발광 디스플레이 장치의 불량율을 증가시키고 수명을 약화시키는 등의 문제점이 존재하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 밀봉력이 향상된 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판, 상기 기판 상에 배치되는 디스플레이부, 상기 디스플레이부와 이격되어 상기 디스플레이부 외곽에 배치되며, 다층구조로 적층된 댐부, 상기 디스플레이부와 상기 댐부 사이의 이격 영역에 위치한 홈부 및 상기 디스플레이부를 덮으며 상기 홈부의 내측면을 따라 연장된 제1 무기막 및 상기 제1 무기막 상에 배치되며 단부가 상기 홈부에 매립된 유기막을 포함하는, 봉지층을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치가 제공된다.
본 실시예에서, 상기 제1 무기막의 단부는 상기 댐부의 상기 디스플레이부 방향의 측면, 상기 디스플레이부 방향의 반대 측면 및 상면을 덮도록 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 유기막 상에 배치되는 제2 무기막을 더 포함하며, 상기 제2 무기막의 단부는 상기 댐부의 상기 디스플레이부 방향의 반대 측면 및 상면을 덮도록 배치된 제1 무기막 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 유기막은 상면이 대략 평탄하게 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 댐부의 상면에 인입부를 가질 수 있다.
본 실시예에서, 상기 유기막은 상기 댐부의 상기 디스플레이부 방향의 반대 측면을 제외하고 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 디스플레이부 일측에 배치되고, 디스플레이부에 전원을 공급하는 금속층 및 상기 금속층 하부에 배치된 절연막을 더 포함하고, 상기 이격 영역은 상기 금속층 또는 상기 절연막을 노출시킬 수 있다.
본 실시예에서, 상기 디스플레이부는, 상기 기판 상에 배치되는 박막트랜지스터, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소전극, 상기 화소전극의 중앙부가 노출되도록 상기 화소전극의 가장자리를 덮는 화소정의막, 상기 화소전극 상에 배치되는 발광층을 포함하는 중간층 및 상기 화소전극에 대향하는 대향전극을 구비하며, 상기 댐부는 다층구조로 적층되는 상기 기판 방향의 제1 층과, 상기 제1 층 상에 상기 화소정의막과 동일한 물질을 포함하는 제2 층을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 기판의 상면으로부터 상기 댐부의 상면까지의 높이는 상기 기판의 상면으로부터 상기 화소정의막의 하면까지의 높이보다 높게 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 유기막은, 상기 화소정의막 상에 위치한 제1 두께, 상기 이격 영역 상에 위치한 제2 두께 및 상기 화소정의막이 배치되지 않는 상기 디스플레이부의 가장자리 상에 위치한 제3 두께를 가지며, 상기 제3 두께는 상기 제1 두께보다 두껍고 상기 제2 두께보다는 얇게 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 박막트랜지스터를 덮으며 상기 박막트랜지스터의 상면을 평탄하게 하는 절연막을 더 구비하며, 상기 화소정의막은 상기 절연막 상에 배치되고, 상기 유기막은, 상기 화소정의막 상에 위치한 제1 두께, 상기 이격 영역 상에 위치한 제2 두께 및 상기 디스플레이부의 가장자리의 상기 절연막 상에 위치한 제3 두께를 가지며, 상기 제3 두께는 상기 제1 두께보다 두껍고 상기 제2 두께보다는 얇게 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계;
디스플레이부와 이격되도록 디스플레이부 외곽에 형성되며, 다층구조로 적층된 댐부를 형성하는 단계 및 디스플레이부를 덮으며, 디스플레이부와 댐부 사이의 이격 영역에 형성된 홈부의 내측면을 따라 연장되는 제1 무기막을 형성하는 단계 및 제1 무기막 상에 단부가 홈부에 매립되는 유기막을 형성하는 단계를 포함하는, 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법이 제공된다.
본 실시예에서, 제1 무기막의 단부는 댐부의 디스플레이부 방향의 측면, 디스플레이부 방향의 반대 측면 및 상면을 덮도록 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 봉지층을 형성하는 단계는, 유기막 상에 제2 무기막을 형성하는 단계를 더 포함하며, 제2 무기막의 단부는 댐부의 디스플레이부 방향의 반대 측면 및 상면을 덮도록 형성된 제1 무기막 상에 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 유기막은 상면이 대략 평탄하게 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 디스플레이부 일측에 디스플레이부에 전원을 공급하는 금속층을 형성하는 단계 및 금속층 하부에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 이격 영역은 금속층 또는 절연막을 노출시킬 수 있다.
본 실시예에서, 상기 디스플레이부를 형성하는 단계는, 기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계, 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계, 화소전극의 중앙부가 노출되도록 화소전극의 가장자리를 덮는 화소정의막을 형성하는 단계, 화소전극 상에 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계; 및 화소전극에 대향하는 대향전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 댐부를 형성하는 단계는, 다층구조로 형성되는 기판 방향의 제1 층을 형성하는 단계 및 제1 층 상에 화소정의막과 동시에 형성되며, 동일한 물질을 포함하는 제2 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 기판의 상면으로부터 댐부의 상면까지의 높이는 기판의 상면으로부터 화소정의막의 하면까지의 높이보다 높게 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 유기막은 화소정의막 상에 제1 두께를 갖도록 형성되고, 이격 영역 상에 제2 두께를 갖도록 형성되며, 화소정의막이 배치되지 않는 디스플레이부의 가장자리 상에 제3 두께를 갖도록 형성되며, 제3 두께는 제1 두께보다 두껍고 제2 두께보다는 얇게 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 디스플레이부를 형성하는 단계와 상기 댐부를 형성하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 밀봉력이 향상된 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ부분을 확대해 봉지층을 제외한 구조를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 1의 유기발광 디스플레이 장치의 Ⅱ부분을 확대해 봉지층을 포함한 구조를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 도 4의 Ⅴ부분을 확대해 봉지층을 제외한 구조를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 도 4의 유기발광 디스플레이 장치의 Ⅴ부분을 확대해 봉지층을 포함한 구조를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
한편, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 "바로 위에" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되는 디스플레이부(200), 디스플레이부(200) 상에 배치되는 봉지층(300), 디스플레이부(200) 외곽에 배치되는 댐부(400) 및 디스플레이부(200)와 댐부(400) 사이의 이격 영역에 위치한 홈부(500)를 구비할 수 있다.
기판(100)은 글라스재, 금속재 등 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다. 또는 기판(100)은 플렉서블 특성을 가질 수 있으며 이러한 경우 기판(100)은 금속재, 또는PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재 등, 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다. 이러한 기판(100)은 복수개의 유기발광소자(OLED)들을 포함하는 디스플레이부(200)가 배치되는 디스플레이 영역(DA)과, 이 디스플레이 영역을 감싸는 주변 영역(PA)을 가질 수 있다.디스플레이부(200)는 기판(100) 상에 배치되며 복수개의 유기발광소자(OLED)들을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 있어서 디스플레이부(200)는 복수개의 박막트랜지스터(TFT)들과 이에 연결된 화소전극(210, 도 2 참조)들을 포함하는 유기발광 디스플레이부(200)를 예를 들어 설명하나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 디스플레이부(200)는 유기발광 디스플레이일 수도 있고, 액정 디스플레이일 수도 있다. 디스플레이부(200)의 상세한 구조에 대하여는 도 2 및 도 3의 설명에서 상세하게 설명한다.
봉지층(300)은 디스플레이부(200) 상에 디스플레이부(200)를 덮도록 배치될 수 있다. 즉 봉지층(300)은 유기발광소자(OLED)를 밀봉하도록 디스플레이부(200)의 상면과 측면을 덮고, 봉지층(300)의 가장자리의 적어도 일부는 기판(100)에 접하도록 배치될 수 있다. 이러한 봉지층(300)은 유무기 복합의 다층구조로 형성되어 밀봉력을 향상시킬 수 있다.
댐부(400)는 디스플레이부(200)와 일정 간격 이격되어 디스플레이부(200) 외곽에 배치될 수 있다. 이러한 댐부(400)와 디스플레이부(200) 사이에는 이격 영역(SA)이 형성될 수 있으며, 이격 영역(SA)에 홈부(500)가 위치할 수 있다. 홈부(500) 내에는 봉지층(300)의 적어도 일부가 매립될 수 있다.
도 2는 도 1의 Ⅱ부분을 확대해 봉지층(300)을 제외한 구조를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 3은 도 1의 유기발광 디스플레이 장치의 Ⅱ부분을 확대해 봉지층(300)을 포함한 구조를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2에서는 도 1의 유기발광 디스플레이 장치의 봉지층(300)을 제외한 디스플레이부(200) 및 댐부(400) 구조를 도시하고 있다. 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이부(200)가 배치되는 영역이 기판(100)의 디스플레이 영역(DA)으로 정의될 수 있다. 디스플레이부(200)의 일반적인 구조에 대하여 이하 도 2를 참조하여 설명한다.
디스플레이부(200)는 박막트랜지스터(TFT) 및 커패시터(CAP)를 포함할 수 있고, 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결되는 유기발광소자(OLED)가 위치할 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(120), 게이트전극(140), 소스전극(160) 및 드레인전극(162)을 포함한다. 이하 박막트랜지스터(TFT)의 일반적인 구성을 자세히 설명한다.
먼저 기판(100)의 상면에는 버퍼층(110)이 배치되는데, 버퍼층(110)은 기판(100)의 면을 평탄화하기 위해 또는 기판(100) 상에 형성되는 디스플레이부(200)에 포함된 박막트랜지스터(TFT)나 유기발광소자(OLED) 등으로 불순물이 유입되는 것을 방지하기 위해 형성된다. 이러한 버퍼층(110)은 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드 등의 물질로 단층으로 형성되거나 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이러한 버퍼층(110) 상에 반도체층(120)이 위치하도록 할 수 있다.
반도체층(120)의 상부에는 게이트전극(140)이 배치되는데, 이 게이트전극(140)에 인가되는 신호에 따라 소스전극(160) 및 드레인전극(162)이 전기적으로 소통된다. 게이트전극(140)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
이때 반도체층(120)과 게이트전극(140)과의 절연성을 확보하기 위하여, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘나이트라이드 등으로 형성되는 게이트절연막(130)이 반도체층(120)과 게이트전극(140) 사이에 개재될 수 있다.
게이트전극(140)의 상부에는 층간절연막(150)이 배치될 수 있는데, 이는 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드 등의 물질로 단층으로 형성되거나 또는 다층으로 형성될 수 있다.
층간절연막(150)의 상부에는 소스전극(160) 및 드레인전극(162)이 배치된다. 소스전극(160) 및 드레인전극(162)은 층간절연막(150)과 게이트절연막(130)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(120)에 각각 전기적으로 연결된다. 소스전극(160) 및 드레인전극(162)은 도전성 등을 고려하여 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
한편 도면에는 도시되지 않았으나, 이러한 구조의 박막트랜지스터(TFT)의 보호를 위해 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 보호막(미도시)이 배치될 수 있다. 보호막은 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다.
한편, 기판(100)의 상에 평탄화막(170)이 배치될 수 있다. 이 경우 평탄화막(170)은 보호막일 수도 있다. 이러한 평탄화막(170)은 박막트랜지스터(TFT) 상부에 유기발광소자(OLED)가 배치되는 경우 박막트랜지스터(TFT) 의 상면을 대체로 평탄화하게 하고, 박막트랜지스터(TFT) 및 각종 소자들을 보호하는 역할을 한다. 이러한 평탄화막(170) 은 유기 절연막으로 형성될 수 있으며, 예컨대 아크릴계 유기물 또는 BCB(Benzocyclobutene) 등으로 형성될 수 있다. 이때 도 2에 도시된 것과 같이, 버퍼층(110), 게이트절연막(130), 층간절연막(150) 및 평탄화막(170)은 기판(100)의 전면(全面)에 형성될 수 있다.
한편, 박막트랜지스터(TFT) 상부에는 화소정의막(180)이 배치될 수 있다. 화소정의막(180)은 상술한 평탄화막(170) 상에 위치할 수 있으며, 개구를 가질 수 있다. 이러한 화소정의막(180)은 기판(100) 상에 화소영역을 정의하는 역할을 한다.
이러한 화소정의막(180)은 예컨대 유기 절연막으로 구비될 수 있다. 그러한 유기 절연막으로는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)와 같은 아크릴계 고분자, 폴리스티렌(PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 혼합물 등을 포함할 수 있다.
한편, 화소정의막(180) 상에는 유기발광소자(OLED)가 배치될 수 있다. 유기발광소자(OLED)는 화소전극(210), 발광층(EML: Emission Layer)을 포함하는 중간층(220) 및 대향전극(230)을 포함할 수 있다.
화소전극(210)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. (반)투명 전극으로 형성될 때에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성될 수 있다. 반사형 전극으로 형성될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
화소정의막(180)에 의해 정의된 화소영역에는 중간층(220)이 각각 배치될 수 있다. 이러한 중간층(220)은 전기적 신호에 의해 빛을 발광하는 발광층(EML: Emission Layer)을 포함하며, 발광층(EML)을 이외에도 발광층(EML)과 화소전극(210) 사이에 배치되는 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer) 및 발광층(EML)과 대향전극(230) 사이에 배치되는 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있다. 물론 중간층(220)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다.
이러한 중간층(220)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 형성될 수 있다.
중간층(220)이 저분자 유기물일 경우, 발광층(EML)을 중심으로 홀 수송층(hole transport layer: HTL), 홀 주입층(hole injection layer: HIL), 전자 수송층(electron transport layer: ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL) 등이 적층될 수 있다. 이외에도 필요에 따라 다양한 층들이 적층 될 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료로 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N'-디(나프탈렌-1-일)-N(N'-Di(naphthalene-1-yl)-N), N'-디페닐-벤지딘(N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯하여 다양하게 적용 가능하다.
중간층(220)이 고분자 유기물일 경우, 중간층(220) 외에 홀 수송층(HTL)이 포함될 수 있다. 홀 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜 (PEDOT: poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI: polyaniline) 등을 사용할 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등의 고분자 유기물을 사용할 수 있다. 또한, 경우에 따라 중간층(220)과 화소전극(210) 및 대향전극(230) 사이에는 무기 재료가 더 구비될 수도 있다.
이때 홀 수송층(HTL), 홀 주입층(HIL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)은 기판(100) 전면(全面)에 일체(一體)로 형성될 수 있고, 발광층(EML)만 잉크젯 프린팅 공정으로 화소별로 형성될 수 있다. 이 경우에도 홀 수송층(HTL), 홀 주입층(HIL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)등이 화소영역 내에도 위치할 수 있다.
발광층(EML)을 포함하는 중간층(220)을 덮으며 화소전극(210)에 대향하는 대향전극(230)이 기판(100) 전면(全面)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다.
대향전극(230)이 (반)투명 전극으로 형성될 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 대향전극(230)이 반사형 전극으로 형성될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 대향전극(230)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
디스플레이부(200) 끝 단에는 금속층(165)이 배치될 수 있다. 도면에서는 금속층(165)은 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(160) 및 드레인전극(162)과 동일층에 배치되어 있으나, 경우에 따라 게이트전극(140)과 동일층에 배치될 수도 있다. 금속층(165)은 디스플레이부(200)에 전극 전원을 공급하는 역할을 할 수 있다. 이러한 금속층(165)은 댐부(400)까지 연장되도록 형성될 수 있으며, 도 2에 도시된 것과 같이 금속층(165)의 일 단부는 댐부(400)에 의해 덮이도록 형성될 수 있다. 이때 이격 영역(SA)에는 금속층(165)이 노출될 수 있다. 다른 실시예로, 금속층(165)이 댐부(400)까지 연장되지 않고, 금속층(165)의 일 단부가 이격 영역(SA)에 노출될 수 있다. 이 경우 이격 영역(SA)에는 금속층(165) 및 금속층(165) 하부에 배치된 층간절연막(150)의 적어도 일부가 노출될 수 있다.
한편 계속해서 도 2를 참조하면, 본 실시예는 디스플레이부(200)와 소정 정도 이격되어 디스플레이부(200) 외곽에 배치되는 댐부(400)를 구비할 수 있다. 댐부(400)는 디스플레이부(200)와 같은 다층 구조로 적층될 수 있다. 즉 댐부(400)는 유기 절연물질을 포함하는 기판(100) 방향의 제1 층(181)과, 제1 층(181) 상에 화소정의막(180)과 동일한 물질을 포함하는 제2 층(182)을 포함할 수 있다. 댐부(400)의 제1 층(181)은 디스플레이부(200)가 포함하는 층들 전부 또는 일부를 포함할 수 있다. 이러한 댐부(400)는 봉지층(300)의 유기막(320)이 기판(100)의 가장자리로 비이상적으로 퍼지는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
자세하게는 댐부(400)의 제1 층(181)은 유기 절연물질로 구비될 수 있으며, 경우에 따라 다층 구조로 형성될 수 있다. 제1 층(181)과 기판(100) 사이에는 디스플레이 영역(DA)의 전면(全面)에 배치되는 버퍼층(110)을 비롯한 게이트절연막(130), 층간절연막(150)이 개재될 수 있다. 이와 같이 형성된 제1 층(181) 상에는 화소정의막과 동일 물질을 포함하는 제2 층(182)이 배치될 수 있다.
따라서 기판(100)의 상면으로부터 제2 층(182)의 상면까지인 댐부(400)의 높이(h1)는 기판(100)의 상면으로부터 평탄화막(170)의 상면까지의 높이(h2) 보다 높게 형성될 수 있다. 다시 말해 기판(100)의 상면으로부터 제2 층(182)의 상면까지인 댐부(400)의 높이(h1)는 기판(100)의 상면으로부터 화소정의막의 하면까지의 높이(h2) 보다 높게 형성될 수 있다.
기판(100) 상에는 디스플레이부(200)와 댐부(400) 사이에 이격 영역(SA)이 형성될 수 있으며, 이러한 이격 영역(SA)은 도 2에 도시된 것과 같이 금속층(165)을 노출시킬 수 있다. 다만 도면에 도시되어 있지는 않으나 경우에 따라서 이격 영역(SA)이 기판(100)을 노출시킬 수도 있고, 금속층(165) 하부에 배치된 층간절연막(150) 또는 게이트절연막(130)을 노출시킬 수도있다. 이격 영역(SA)에는 디스플레이부(200)와 댐부(400) 사이 공간을 형성하는 홈부(500)가 구비될 수 있다. 홈부(500)는 디스플레이부(200)의 끝 단 측면(200a)과, 이격 영역(SA) 상에 버퍼층 또는 기판(100)의 일부가 노출되는 홈부(500)의 바닥면(165a)과, 댐부(400)의 디스플레이부(200) 방향의 측면(400a)을 포함하는 내측면(500a)을 구비할 수 있다.
한편 도 3을 참조하면, 봉지층(300)을 포함한 유기발광 디스플레이 장치를 도시하고 있다. 즉 도 2의 디스플레이부(200) 상에 봉지층(300)이 배치될 수 있다. 봉지층(300)은 디스플레이부(200)를 덮으며 제1 무기막(310), 유기막(320), 제2 무기막(330)이 순차적으로 배치될 수 있다.
제1 무기막(310)은 대향전극(230) 상에 기판(100) 전면(全面)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 제1 무기막(310)은 대향전극(230)을 포함한 디스플레이부(200) 전면을 덮으며, 홈부(500)의 내측면(500a)을 따라 연장될 수 있다. 이러한 제1 무기막(310)은 댐부(400)의 디스플레이부(200) 방향의 측면(400a)과 디스플레이부(200) 방향의 반대 측면(400b) 및 상면(400c)을 덮도록 배치될 수 있다.
이러한 제1 무기막(310) 및 제2 무기막(330)은 무기 절연물로 형성될 수 있으며, 예컨대 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON) 등으로 형성될 수 있다.
한편 제1 무기막(310) 상에는 유기막(320)이 배치될 수 있다. 유기막(320)은 액상 유기 재료로 형성될 수 있으며, 예컨대 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 등으로 형성할 수 있다. 이러한 유기 재료는 증착, 프린팅 및 코팅을 통해 패널에 적용되어 경화공정을 거치는, 경화 전 액체 상태의 유기 재료가 뮤기막보다 넓게 퍼진 상태에서 경화되면 투습에 의해 패널 수축(shrinkage)이 발생한다. 따라서 본 실시예에서는 이를 위해 액상 유기 재료의 퍼짐을 방지하는 댐부(400)를 구비하여 유기 재료의 비이상적인 퍼짐을 제어할 수 있다.
유기막(320)의 단부는 홈부(500)에 매립될 수 있다. 이러한 유기막(320)은 기판(100) 상에 형성된 구조물들의 굴곡을 메우며 상면이 대략 평탄하게 형성될 수 있다. 따라서 유기막(320)은 기판(100) 상에 형성된 구조물들의 형태에 따라 각 부분마다 두께가 상이하게 형성될 수 있다. 유기막(320)은 화소정의막(180) 상에 위치한 제1 두께(t1), 이격 영역(SA) 상에 위치한 제2 두께(t2) 및 화소정의막(180)이 배치되지 않는 디스플레이부(200)의 가장자리 상에 위치한 제3 두께(t3)를 가질 수 있다. 이 경우 제3 두께(t3)는 제1 두께(t1)보다 두껍고 제2 두께(t2)보다는 얇게 형성될 수 있다. 이때 제3 두께(t3)는 디스플레이부(200)의 가장자리의 절연막인 평탄화막(170) 상에 위치한 부분을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
유기막(320) 상에는 제2 무기막(330)이 배치될 수 있다. 제2 무기막(330)은 유기막(320)을 덮으며, 제2 무기막(330)의 단부는 댐부(400)의 상면 및 디스플레이부(200) 방향의 반대 측면을 덮도록 배치된 제1 무기막(310) 상에 배치될 수 있다. 제2 무기막(330)의 끝 단은 기판(100)에 접할 수 있으며, 이러한 봉지층(300)의 제1 무기막(310), 유기막(320), 제2 무기막(330)의 다층 구조에 의해 밀봉력을 향상시킬 수 있다.
일반적으로 유기발광 디스플레이 장치를 제조함에 있어서 마스크를 이용하여 디스플레이부(200)를 형성한다. 마스크로 디스플레이부(200)의 각 층을 증착할 시, 디스플레이부(200)의 가장 돌출되어 형성되는 화소정의막(180) 부분에서 마스크 처짐 등에 의한 접촉으로 긁힘 현상이 발생하고, 이는 마스크 표면에서 파티클을 형성한다. 이러한 파티클은 하나의 마스크로 여러 층을 성막하는 제조 과정에서 다른 패널로 전달된다. 이러한 과정이 반복되면 파티클은 마스크 표면을 불균일하게 만들고 디스플레이부(200)의 긁힘 현상은 점차 심화된다. 또한 파티클이 일정 크기 이상 커지는 경우, 파티클에 의해 봉지층(300)이 디스플레이부(200)를 제대로 밀봉할 수 없어 외부의 투습에 의한 불량이 발생하게 된다. 특히 디스플레이부(200)의 가장자리로 갈수록 유기 절연물질의 퍼짐성에 의해 봉지층(300)의 유기막(320)의 두께가 점점 얇아지게 되므로 디스플레이부(200) 가장자리의 평탄화막(170) 상에 부착된 파티클은 특히 작은 사이즈로도 불량을 일으킬 수 있는 확률이 높아진다.
따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치에서는 디스플레이부(200) 외곽의 댐부(400)의 높이를 평탄화층(170)의 높이보다 높게 형성함으로써, 디스플레이부(200)의 가장자리 및 기판(100)의 주변 영역(PA) 상에 배치되는 유기막(320)의 두께를 두껍게 형성할 수 있다. 이를 통해 제조공정 중 디스플레이부(200) 가장자리에 부착되는 파티클은 유기막(320)의 제2 두께(t2) 또는 제3 두께(t3) 안에 매립되어 봉지층(300)의 밀봉력 불량을 최소화시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도 5는 도 4의 Ⅴ부분을 확대해 봉지층(300)을 제외한 구조를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 6은 도 4의 유기발광 디스플레이 장치의 Ⅴ부분을 확대해 봉지층(300)을 포함한 구조를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되는 디스플레이부(200), 디스플레이부(200) 상에 배치되는 봉지층(300), 디스플레이부(200) 외곽에 배치되며 상면에 인입부(410)를 갖는 댐부(400) 및 디스플레이부(200)와 댐부(400) 사이의 이격 영역(SA)에 위치한 홈부(500)를 구비할 수 있다. 본 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 댐부(400)의 구조를 제외하고는 전술한 도 1 내지 도 3의 실시예에 동일한 바, 중복되는 내용은 이하 생략하고 전술한 내용을 원용하기로 한다.
댐부(400)는 디스플레이부(200)와 소정 정도 이격되어 디스플레이부(200) 외곽에 배치될 수 있다. 댐부(400)는 디스플레이부(200)와 같은 구조로 적층될 수 있다. 즉 댐부(400)는 유기 절연물질을 포함하는 기판(100) 방향의 제1 층(181)과, 제1 층(181) 상에 화소정의막(180)과 동일한 물질을 포함하는 제2 층(182)을 포함할 수 있다. 댐부(400)의 제1 층(181)은 디스플레이부(200)가 포함하는 층들 전부 또는 일부를 포함할 수 있다. 이러한 댐부(400)는 봉지층(300)의 유기막(320)이 기판(100)의 가장자리로 비이상적으로 퍼지는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
자세하게는 댐부(400)의 제1 층(181)은 유기 절연물질로 구비될 수 있으며, 경우에 따라 다층 구조로 형성될 수 있다. 제1 층(181)과 기판(100) 사이에는 디스플레이 영역(DA)의 전면(全面)에 배치되는 버퍼층(110)을 비롯하여 그 밖에 게이트절연막(130), 층간절연막(150)이 개재될 수 있다. 이와 같이 형성된 제1 층(181) 상에는 화소정의막과 동일 물질을 포함하는 제2 층(182)이 배치될 수 있다.
따라서 기판(100)의 상면으로부터 제2 층(182)의 상면까지인 댐부(400)의 높이(h1)는 기판(100)의 상면으로부터 평탄화막(170)의 상면까지의 높이(h2) 보다 높게 형성될 수 있다. 다시 말해 기판(100)의 상면으로부터 제2 층(182)의 상면까지인 댐부(400)의 높이(h1)는 기판(100)의 상면으로부터 화소정의막(180)의 하면까지의 높이(h2) 보다 높게 형성될 수 있다. 도면에는 도시되어 있지 않으나 경우에 따라서 제2 층(182) 상에는 스페이서 등이 더 배치될 수도 있다.
또한 댐부(400)의 상면(182c)에는 인입부(410)가 위치할 수 있다. 댐부(400)의 상면에 인입부(410)가 위치함으로써 유기막(320)이 댐부(400)를 넘어 댐부(400) 외곽까지 비이상적으로 퍼지는 것을 방지할 수 있다.
기판(100) 상에는 디스플레이부(200)와 댐부(400) 사이에 이격 영역(SA)이 형성될 수 있으며, 이러한 이격 영역(SA)은 버퍼층을 노출시킬 수 있다. 다만 경우에 따라서 이격 영역(SA)이 기판(100)을 노출시킬 수도 있다. 이격 영역(SA)에는 디스플레이부(200)와 댐부(400) 사이 공간을 형성하는 홈부(500)가 구비될 수 있다. 홈부(500)는 디스플레이부(200)의 끝 단 측면(200a), 이격 영역(SA) 상에 버퍼층 또는 기판(100)의 일부가 노출되는 홈부(500)의 바닥면(165a) 및 댐부(400)의 디스플레이부(200) 방향의 측면(400a)을 포함하는 내측면(500a)을 구비할 수 있다.
한편, 디스플레이부(200) 상에는 봉지층(300)이 배치될 수 있다. 봉지층(300)은 디스플레이부(200)를 덮으며 제1 무기막(310), 유기막(320), 제2 무기막(330)이 순차적으로 배치될 수 있다.
제1 무기막(310)은 대향전극(230) 상에 기판(100) 전면(全面)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 제1 무기막(310)은 대향전극(230)을 포함한 디스플레이부(200) 전면을 덮으며, 홈부(500)의 내측면(500a)을 따라 연장될 수 있다. 이러한 제1 무기막(310)은 댐부(400)의 디스플레이부(200) 방향의 측면(400a)과 디스플레이부(200) 방향의 반대 측면(400b) 및 상면(400c)을 덮도록 배치될 수 있다. 또한 제1 무기막(310)은 댐부(400)의 상면에 위치한 인입부(410)에도 배치될 수 있다.
이러한 제1 무기막(310) 및 제2 무기막(330)은 무기 절연물로 형성될 수 있으며, 예컨대 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON) 등으로 형성될 수 있다.
한편 제1 무기막(310) 상에는 유기막(320)이 배치될 수 있다. 유기막(320)은 액상 유기 재료로 형성될 수 있으며, 예컨대 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 등으로 형성할 수 있다. 이러한 유기 재료는 증착, 프린팅 및 코팅을 통해 패널에 적용되어 경화공정을 거치는, 경화 전 액체 상태의 유기 재료가 뮤기막보다 넓게 퍼진 상태에서 경화되면 투습에 의해 패널 수축(shrinkage)이 발생한다. 따라서 본 실시예에서는 이를 위해 액상 유기 재료의 퍼짐을 방지하는 댐부(400)를 구비하여 유기 재료의 비이상적인 퍼짐을 제어할 수 있다.
유기막(320)의 단부는 홈부(500)에 매립될 수 있다. 이러한 유기막(320)은 기판(100) 상에 형성된 구조물들의 굴곡을 메우며 상면이 대략 평탄하게 형성될 수 있다. 따라서 유기막(320)은 기판(100) 상에 형성된 구조물 들의 형태에 따라 각 부분마다 두께가 상이하게 형성될 수 있다. 유기막(320)은 화소정의막 상에 위치한 제1 두께(t1), 이격 영역(SA) 상에 위치한 제2 두께(t2) 및 화소정의막이 배치되지 않는 디스플레이부(200)의 가장자리 상에 위치한 제3 두께(t3)를 가질 수 있다. 이 경우 제3 두께는 제1 두께보다 두껍고 제2 두께보다는 얇게 형성될 수 있다. 이때 제3 두께는 디스플레이부(200)의 가장자리의 절연막 상에 위치한 부분을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
유기막(320)의 단부는 댐부(400)의 높이까지 형성될 수 있는데, 경우에 따라서는 유기막(320)의 일부가 인입부(410) 내에 배치될 수 있다. 이는 유기막(320) 형성 시 댐을 타고 넘어온 유기 재료가 인입부(410) 내에 위치한 것으로 이해될 수 있다.
유기막(320) 상에는 제2 무기막(330)이 배치될 수 있다. 제2 무기막(330)은 유기막(320)을 덮으며, 제2 무기막(330)의 단부는 댐부(400)의 상면 및 디스플레이부(200) 방향의 반대 측면을 덮도록 배치된 제1 무기막(310) 상에 배치될 수 있다. 제2 무기막(330)의 끝 단은 기판(100)에 접할 수 있으며, 이러한 봉지층(300)의 제1 무기막(310), 유기막(320), 제2 무기막(330)의 다층 구조에 의해 밀봉력을 향상시킬 수 있다.
지금까지는 유기발광 디스플레이 장치에 대해서만 주로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이러한 유기발광 디스플레이 장치를 제조하기 위한 제조방법 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
먼저 기판(100) 상에 디스플레이부(200)를 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 디스플레이부(200)는 박막트랜지스터(TFT), 커패시터(CAP) 및 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결되는 유기발광소자(OLED)를 포함할 수 있다. 디스플레이부(200)를 형성하는 단계는, 기판(100) 상에 박막트랜지스터를 형성한 후, 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 거친다. 그 후 화소전극의 중앙부가 노출되도록 화소전극의 가장자리를 덮는 화소정의막을 형성한 후, 화소정의막에 의해 노출된 화소전극 상에 발광층을 포함하는 중간층을 형성한다. 중간층 상에는 기판(100) 전면에 걸쳐 화소전극에 대향하는 대향전극을 형성할 수 있다. 이러한 박막트랜지스터(TFT) 및 유기발광소자(OLED)를 포함하는 디스플레이부(200)의 세부 제조과정 및 구성에 대하여는 전술한 도 2의 설명과 중복되는바 이를 원용한다.
한편 디스플레이부(200)와 이격되도록 디스플레이부(200) 외곽에, 다층구조로 적층된 댐부(400)를 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 댐부(400)를 디스플레이부(200)를 형성하는 과정에서 동시에 형성할 수 있다. 즉, 댐부(400)는 디스플레이부(200)에 포함된 층 들로 형성될 수 있다. 댐부(400)는 다층구조로 형성되는 기판(100) 방향의 제1 층(181)을 형성하는 단계를 거친 후, 제1 층(181) 상에 화소정의막과 동일한 물질을 포함하는 제2 층(182)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다.
제1 층(181)을 형성하는 단계는, 기판(100) 상에 형성된 버퍼층(110)층 상에 제1 절연막(132), 제2 절연막(152) 및 제3 절연막(172)이 순차적으로 적층되도록 형성할 수 있다. 제1 절연막(132), 제2 절연막(152) 및 제3 절연막(172)은 각각 디스플레이부(200)의 게이트절연막(130), 층간절연막(150) 및 평탄화막(170)과 동일한 물질을 포함하도록 형성할 수 있다.
이와 같이 형성된 댐부(400)의 높이(h1)는 평탄화막의 높이(h2) 보다 높게 형성될 수 있다. 즉 기판(100)의 상면으로부터 댐부(400)의 상면까지의 높이는 기판(100)의 상면으로부터 화소정의막의 하면까지의 높이(h2)보다 높게 형성될 수 있다. 도면에는 도시되어 있지 않으나 제2 층(182) 상에는 스페이서 등이 더 배치될 수도 있다.
한편 기판(100) 상에는 디스플레이부(200)와 댐부(400) 사이에 이격 영역(SA)이 형성될 수 있다. 이러한 이격 영역(SA)은 도 2에 도시된 것과 같이 금속층(165)을 노출시킬 수 있다. 다만 도면에 도시되어 있지는 않으나 경우에 따라서 이격 영역(SA)이 기판(100)을 노출시킬 수도 있고, 금속층(165) 하부에 배치된 층간절연막(150) 또는 게이트절연막(130)을 노출시킬 수도있다. 이격 영역(SA)에는 디스플레이부(200)와 댐부(400) 사이 공간을 형성하는 홈부(500)가 형성될 수 있다. 홈부(500)는 디스플레이부(200)의 끝 단 측면(200a), 이격 영역(SA) 상에 버퍼층 또는 기판(100)의 일부가 노출되는 홈부(500)의 바닥면(165a) 및 댐부(400)의 디스플레이부(200) 방향의 측면(400a)을 포함하는 내측면(500a)을 구비할 수 있다.
그 후 디스플레이부(200)를 덮으며, 디스플레이부(200)와 댐부(400) 사이에 형성된 홈부(500)에 매립되는 봉지층(300)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 봉지층(300)을 형성하는 단계는 제1 무기막(310)을 형성하는 단계, 제1 무기막(310) 상에 유기막(320)을 형성하는 단계 및 유기막(320) 상에 제2 무기막(330)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
제1 무기막(310)은 디스플레이부(200)를 덮도록 대향전극 상에 기판(100) 전면에 걸쳐 형성될 수 있으며, 디스플레이부(200)와 댐부(400) 사이의 이격 영역(SA)에 형성된 홈부(500)의 내측면을 따라 연장되도록 형성될 수 있다. 제1 무기막(310)의 단부는 댐부(400)의 디스플레이부(200) 방향의 측면, 디스플레이부(200) 방향의 반대 측면 및 상면을 덮도록 형성될 수 있다.
그 후 제1 무기막(310) 상에 유기막(320)을 형성하는데, 유기막(320)의 단부는 홈부(500)에 매립되도록 형성될 수 있다. 이러한 유기막(320)은 기판(100) 상에 형성된 구조물들의 굴곡을 메우며 상면이 대략 평탄하게 형성될 수 있다. 따라서 유기막(320)은 기판(100) 상에 형성된 구조물 들의 형태에 따라 각 부분마다 두께가 상이하게 형성될 수 있다. 유기막(320)은 화소정의막 상에 위치한 제1 두께(t1), 이격 영역(SA) 상에 위치한 제2 두께(t2) 및 화소정의막이 배치되지 않는 디스플레이부(200)의 가장자리 상에 위치한 제3 두께(t3)를 가질 수 있다. 이 경우 제3 두께는 제1 두께보다 두껍고 제2 두께보다는 얇게 형성될 수 있다. 이때 제3 두께는 디스플레이부(200)의 가장자리의 절연막 상에 위치한 부분을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
유기막(320) 상에는 제2 무기막(330)이 형성될 수 있다. 제2 무기막(330)은 유기막(320)을 덮으며, 제2 무기막(330)의 단부는 댐부(400)의 상면 및 디스플레이부(200) 방향의 반대 측면을 덮도록 배치된 제1 무기막(310) 상에 형성될 수 있다. 제2 무기막(330)의 끝 단은 기판(100)에 접할 수 있으며, 이러한 봉지층(300)의 제1 무기막(310), 유기막(320), 제2 무기막(330)의 다층 구조에 의해 밀봉력을 향상시킬 수 있다.
일반적으로 유기발광 디스플레이 장치를 제조함에 있어서 마스크를 이용하여 디스플레이부(200)를 형성한다. 마스크로 디스플레이부(200)의 각 층을 증착할 시, 디스플레이부(200)의 가장 돌출되어 형성되는 화소정의막(180) 부분에서 마스크 처짐 등에 의한 접촉으로 긁힘 현상이 발생하고, 이는 마스크 표면에서 파티클을 형성한다. 이러한 파티클은 하나의 마스크로 여러 층을 성막하는 제조 과정에서 다른 패널로 전달된다. 이러한 과정이 반복되면 파티클은 마스크 표면을 불균일하게 만들고 디스플레이부(200)의 긁힘 현상은 점차 심화된다. 또한 파티클이 일정 크기 이상 커지는 경우, 파티클에 의해 봉지층(300)이 디스플레이부(200)를 제대로 밀봉할 수 없어 외부의 투습에 의한 불량이 발생하게 된다. 특히 디스플레이부(200)의 가장자리로 갈수록 유기 절연물질의 퍼짐성에 의해 봉지층(300)의 유기막(320)의 두께가 점점 얇아지게 되므로 디스플레이부(200) 가장자리의 평탄화막(170) 상에 부착된 파티클은 특히 작은 사이즈로도 불량을 일으킬 수 있는 확률이 높아진다.
따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치에서는 디스플레이부(200) 외곽의 댐부(400)의 높이를 평탄화막(170)의 높이보다 높게 형성함으로써, 디스플레이부(200)의 가장자리 및 기판(100)의 주변 영역(PA) 상에 배치되는 유기막(320)의 두께를 두껍게 형성할 수 있다. 이를 통해 제조공정 중 디스플레이부(200) 가장자리에 부착되는 파티클은 유기막(320)의 제2 두께(t2) 또는 제3 두께(t3) 안에 매립되어 봉지층(300)의 밀봉력 불량을 최소화시킬 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
100: 기판
110a: 바닥면
110: 버퍼층
170: 평탄화막
172: 제3 절연막
180: 화소정의막
181: 제1 층
182c: 상면
182: 제2 층
200a: 끝 단 측면
200: 디스플레이부
210: 화소전극
220: 중간층
230: 대향전극
300: 봉지층
310: 제1 무기막
320: 유기막
330: 제2 무기막
400: 댐부
410: 인입부
500a: 내측면
500: 홈부

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 표시 영역 외측의 주변 영역을 갖는 기판; 및
    상기 표시 영역에 배치되는 상기 기판 상의 디스플레이부;를 포함하고,
    상기 디스플레이부는,
    박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터 상의 절연층;
    상기 절연층 상에 위치하며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극;
    상기 화소 전극의 가장자리를 덮고 상기 화소 전극의 일부를 노출시키는 화소정의막;
    상기 화소 전극 상에 발광층을 포함하는 중간층;
    상기 중간층 상의 대향 전극;
    상기 대향 전극 상에 배치되는 제1 무기층, 제2 무기층, 및 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 개재되는 유기층을 포함하는 봉지층; 및
    상기 주변 영역에 배치되는 제1 층 및 제1 층 상에 제2 층을 포함하는, 댐;을 포함하고,
    상기 제1 층은 상기 절연층과 동일한 물질로 이루어지고, 상기 절연층과 동일한 층에 위치하며,
    상기 제2 층은 상기 화소정의막과 동일한 물질로 이루어지며, 상기 화소정의막과 동일한 층에 위치하며,
    상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층은 상기 댐의 제2 층 상에 위치하며,
    상기 유기층은 상기제1 무기층 또는 상기 제2 무기층보다 두꺼운 두께를 갖고,
    상기 디스플레이부와 상기 댐 사이의 이격 영역에 대응하여, 상기 유기층의 상면은 평탄화하게 구비되고,
    상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층은 상기 댐의 제2 층 상에서 직접 접촉하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 디스플레이부에 전원을 공급하는 상기 디스플레이부의 측면에 배치된 금속층을 더 포함하고,
    상기 금속층은 상기 댐의 제1 층까지 연장되는, 유기발광 디스플레이 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 금속층의 가장자리는 상기 댐의 상기 제1 층에 의해 커버되는, 유기발광 디스플레이 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 금속층 아래에 배치되는 절연층; 및
    상기 디스플레이부와 상기 댐 사이의 이격 영역에 위치한 홈;을 더 포함하고,
    상기 이격 영역은 상기 금속층 또는 상기 절연층을 노출시키는, 유기발광 디스플레이 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 무기층의 가장자리는 상기 기판의 가장자리까지 연장되어 상기 댐을 덮는, 유기발광 디스플레이 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 유기층의 상부면은 상기 이격 영역에서 평탄하게 구비되는, 유기발광 디스플레이 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층은 상기 제2 층 상에서 직접 접촉하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  9. 삭제
  10. 표시 영역 및 상기 표시 영역 외부의 주변 영역을 갖는 기판; 및
    상기 표시 영역에서 상기 기판 상의 디스플레이부;를 포함하고,
    상기 디스플레이부는,
    박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터 상의 절연층;
    상기 절연층 상에 위치하며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극;
    상기 화소 전극의 가장자리를 덮고 상기 화소 전극의 일부를 노출시키는 화소정의막;
    상기 화소 전극 상에 발광층을 포함하는 중간층;
    상기 중간층의 대향 전극;
    상기 대향 전극 상에 위치하며, 제1 무기층, 제2 무기층, 및 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 유기층을 포함하는 봉지층; 및
    상기 주변 영역 상에 위치하며, 제1 층 및 제1 층 상에 제2 층을 갖는 댐;을 포함하고,
    상기 제1 층은 상기 절연층과 동일한 물질로 이루어지고, 상기 절연층과 동일한 층에 위치하며,
    상기 제2 층은 상기 화소정의막과 동일한 물질로 이루어지며, 상기 화소정의막과 동일한 층에 위치하며, 상기 기판을 향해 인입된 인입부를 포함하고,
    상기 제1 무기층의 일부는 상기 댐의 상기 표시 영역을 향하는 내측면을 덮고,
    상기 유기층의 적어도 일부는 상기 제1 무기층과 직접 접촉하고,
    상기 디스플레이부와 상기 댐 사이의 이격 영역에 대응하여, 상기 유기층의 상면은 평탄화하게 구비되고,
    상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층은 상기 댐의 제2 층 상에서 직접 접촉하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기판으로부터 상기 유기층의 상면까지의 제1 거리는 상기 기판으로부터 상기 댐의 상기 제1 층의 상면까지의 제2 거리보다 더 큰, 유기발광 디스플레이 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 디스플레이부에 전원을 공급하는 상기 디스플레이부의 측면에 형성된 금속층을 더 포함하고,
    상기 금속층은 상기 댐의 제1 층까지 연장되는, 유기발광 디스플레이 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 댐은 상기 금속층의 일단을 덮고 상기 절연층은 상기 금속층의 타단을 덮는, 유기발광 디스플레이 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 금속층 아래에 배치되는 절연층; 및
    상기 디스플레이부와 상기 댐 사이의 상기 이격 영역에 위치한 홈;을 더 포함하고,
    상기 이격 영역은 상기 금속층 또는 상기 절연층을 노출시키는, 유기발광 디스플레이 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 유기층은 상기 이격 영역의 상기 홈에 채워지는, 유기발광 디스플레이 장치.
  16. 표시 영역 및 상기 표시 영역 외부의 주변 영역을 갖는 기판; 및
    상기 표시 영역에서 상기 기판 상의 디스플레이부;를 포함하고,
    상기 디스플레이부는,
    박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터 상의 절연층;
    상기 절연층 상에 위치하며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극;
    상기 화소 전극의 가장자리를 덮고 상기 화소 전극의 일부를 노출시키는 화소정의막;
    상기 화소 전극 상에 발광층을 포함하는 중간층;
    상기 중간층 상의 대향 전극;
    상기 대향 전극 상에 위치하며, 제1 무기층, 제2 무기층, 및 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 유기층을 포함하는 봉지층; 및
    상기 주변 영역의 댐으로서, 제1 층 및 상기 제1 층 상에 제2 층을 갖는 댐;을 포함하고,
    상기 제1 층은 상기 절연층과 동일한 물질로 이루어지고, 상기 절연층과 동일한 층에 위치하며,
    상기 제2 층은 상기 화소정의막과 동일한 물질로 이루어지며, 상기 화소정의막과 동일한 층에 위치하며,
    상기 제1 무기층의 일부는 상호 반대측에 위치한 상기 댐의 제1 측면과 제2 측면 중 상기 표시 영역에 가까운 제1 측면을 덮고,
    상기 유기층의 적어도 일부는 상기 제1 무기층과 직접 접촉하고,
    상기 디스플레이부와 상기 댐 사이의 이격 영역에 대응하여, 상기 유기층의 상면은 평탄화하게 구비되고,
    상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층은 상기 댐의 제2 층 상에서 직접 접촉하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 기판으로부터 상기 유기층의 상면까지의 제1 거리는 상기 기판으로부터 상기 댐의 상기 제1 층의 상면까지의 제2 거리보다 더 큰, 유기발광 디스플레이 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 디스플레이부에 전원을 공급하기 위해 상기 디스플레이부의 측면에 배치된 금속층을 더 포함하고,
    상기 금속층은 상기 댐의 제1 층까지 연장되는, 유기발광 디스플레이 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 댐은 상기 금속층의 일단을 덮고 상기 절연층은 상기 금속층의 타단을 덮는, 유기발광 디스플레이 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 금속층 아래에 배치되는 절연층; 및
    상기 디스플레이부와 상기 댐 사이의 상기 이격 영역에 위치한 홈;을 더 포함하고,
    상기 이격 영역은 상기 금속층 또는 상기 절연층을 노출시키는, 유기발광 디스플레이 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102378360B1 (ko) * 2015-05-12 2022-03-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102329978B1 (ko) * 2015-10-28 2021-11-22 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치
US9716248B2 (en) * 2015-12-18 2017-07-25 Apple Inc. Organic light-emitting diode displays with reduced border area
KR102485707B1 (ko) 2016-01-29 2023-01-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180034781A (ko) * 2016-09-27 2018-04-05 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
KR102648401B1 (ko) * 2016-09-30 2024-03-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10743425B2 (en) * 2016-10-31 2020-08-11 Lg Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
KR102491590B1 (ko) * 2017-10-16 2023-01-20 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 제조방법
KR102383745B1 (ko) 2016-11-11 2022-04-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102567001B1 (ko) * 2016-11-15 2023-08-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180060851A (ko) 2016-11-29 2018-06-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102397900B1 (ko) * 2016-12-08 2022-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106848093B (zh) * 2017-01-18 2018-08-14 深圳市华星光电技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构
CN107068715B (zh) * 2017-03-28 2019-12-20 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、有机发光显示装置以及有机发光显示面板的制备方法
CN108735777B (zh) * 2017-04-21 2020-11-06 群创光电股份有限公司 显示装置
KR102343573B1 (ko) * 2017-05-26 2021-12-28 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
US20190312228A1 (en) * 2017-07-14 2019-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing method of electro-optical device and electro-optical device
CN107331694B (zh) * 2017-09-04 2020-03-17 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
KR102508330B1 (ko) * 2017-11-22 2023-03-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치 및 유기 발광 표시 장치
CN207705199U (zh) * 2017-11-24 2018-08-07 昆山国显光电有限公司 显示器件
KR102456123B1 (ko) * 2017-12-04 2022-10-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN109904336B (zh) * 2017-12-07 2020-06-30 京东方科技集团股份有限公司 电子装置基板及制造方法/显示装置
CN109935615B (zh) * 2017-12-15 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制备方法、显示面板
KR102397980B1 (ko) * 2017-12-21 2022-05-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102542873B1 (ko) * 2017-12-26 2023-06-14 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
WO2019138579A1 (ja) * 2018-01-15 2019-07-18 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
KR102405146B1 (ko) 2018-02-08 2022-06-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI673556B (zh) * 2018-03-08 2019-10-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
WO2019186835A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 シャープ株式会社 表示装置
CN108538898A (zh) * 2018-04-28 2018-09-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
KR102624153B1 (ko) 2018-06-29 2024-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
CN109004104A (zh) * 2018-07-27 2018-12-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
WO2020053923A1 (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 シャープ株式会社 表示装置
KR102465374B1 (ko) 2018-09-12 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
EP3874547A4 (en) * 2018-11-01 2022-06-29 BOE Technology Group Co., Ltd. Display panel, manufacturing method thereof, and display apparatus
CN111128010B (zh) 2018-11-01 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法及显示装置
CN109564986B (zh) * 2018-11-02 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示设备和制造显示基板的方法
CN109920818B (zh) 2018-11-14 2021-09-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN109546006B (zh) * 2018-12-17 2020-09-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板及其制作方法
US10950809B2 (en) * 2018-12-21 2021-03-16 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible display panel having a photoresist supporting element
CN109585690B (zh) * 2018-12-29 2021-03-16 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
KR102642351B1 (ko) 2018-12-31 2024-02-28 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
CN109713017B (zh) 2019-01-14 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
JP7299248B2 (ja) * 2019-03-11 2023-06-27 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 表示基板、表示装置、及び表示基板の製造方法
US11495772B2 (en) * 2019-06-14 2022-11-08 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and method for manufacturing same, and display device
CN110137238A (zh) * 2019-06-21 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN110265579A (zh) * 2019-06-27 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
US11114515B2 (en) * 2019-07-23 2021-09-07 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light-emitting diode display panel and manufacturing method thereof
CN110534548A (zh) * 2019-08-06 2019-12-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN112885870A (zh) * 2019-11-29 2021-06-01 华为技术有限公司 显示面板、柔性显示屏和电子设备及显示面板的制备方法
CN111326674B (zh) * 2019-12-18 2022-04-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
KR20210087609A (ko) * 2020-01-02 2021-07-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111312922B (zh) * 2020-02-21 2022-10-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制造方法、显示面板及显示装置
CN111584741B (zh) * 2020-05-08 2022-12-23 Tcl华星光电技术有限公司 显示基板、显示装置及其封装方法
CN111584583B (zh) * 2020-05-15 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN112563309A (zh) * 2020-08-17 2021-03-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板
CN112133734B (zh) * 2020-09-29 2022-08-30 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
WO2023077517A1 (zh) * 2021-11-02 2023-05-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置
CN115224223A (zh) * 2022-08-02 2022-10-21 维信诺科技股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN116406183B (zh) * 2023-05-23 2023-09-12 北京京东方技术开发有限公司 显示面板及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130240848A1 (en) 2012-03-19 2013-09-19 Hannstar Display Corp. Oled package and packaging method thereof

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7109653B2 (en) 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
US20030203210A1 (en) 2002-04-30 2003-10-30 Vitex Systems, Inc. Barrier coatings and methods of making same
JP4252297B2 (ja) * 2002-12-12 2009-04-08 株式会社日立製作所 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置
KR100777746B1 (ko) 2006-12-07 2007-11-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP4458379B2 (ja) * 2007-12-14 2010-04-28 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置
JP5424738B2 (ja) * 2009-06-23 2014-02-26 キヤノン株式会社 表示装置
KR101182234B1 (ko) 2010-05-28 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101255537B1 (ko) 2010-11-26 2013-04-16 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
KR101936619B1 (ko) * 2012-10-31 2019-01-09 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR101420332B1 (ko) * 2012-11-14 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101473309B1 (ko) * 2012-11-29 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR102103421B1 (ko) 2013-02-07 2020-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102034253B1 (ko) * 2013-04-12 2019-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150071538A (ko) * 2013-12-18 2015-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
EP3671883A1 (en) 2014-06-25 2020-06-24 LG Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR102317393B1 (ko) * 2014-10-17 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102404577B1 (ko) * 2015-03-27 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130240848A1 (en) 2012-03-19 2013-09-19 Hannstar Display Corp. Oled package and packaging method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US9923167B2 (en) 2018-03-20
US10199602B2 (en) 2019-02-05
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KR20220062476A (ko) 2022-05-17
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US20160260928A1 (en) 2016-09-08

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