CN107919293B - 显示设备和有机材料检测方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示设备和一种有机材料检测方法。所述显示设备包括：基底，具有显示图像的显示区和位于显示区外部的外围区；薄膜包封层，位于显示区处，薄膜包封层包括堆叠的第一无机包封层、有机包封层和第二无机包封层；坝状件，位于外围区处；以及有机材料检测部，位于坝状件外部，有机材料检测部包括至少一个检测器。第一无机包封层和第二无机包封层从显示区延伸到外围区，第一无机包封层具有与有机材料检测部的至少一部分对应的开口。

Description

显示设备和有机材料检测方法
本申请要求于2016年10月10日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0130829号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示设备和一种有机材料检测方法。
背景技术
显示设备显示图像。显示设备的示例包括液晶显示器(LCD)、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、等离子体显示器和阴极射线显示器。
这样的显示设备包括显示区和外围区，显示区显示图像，外围区上布置有用于向显示区传输信号的布线等。近年来，为了保持显示设备的高品质并且实现薄且轻的显示设备，已经积极地研究了通过使用有机层包封显示区和外围区的技术。
发明内容
一个或更多个实施例包括一种具有能够防止或者减少外部湿气或氧的渗透的合适的(例如，最佳的)薄膜包封层的显示设备。
附加的方面将在下面的描述中部分地进行阐述，且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过呈现的实施例的实践而了解。
根据一个或更多个实施例，一种显示设备包括：基底，具有显示图像的显示区和位于显示区外部的外围区；薄膜包封层，位于显示区处，薄膜包封层包括堆叠的第一无机包封层、有机包封层和第二无机包封层；坝状件，位于外围区处；以及有机材料检测部，位于坝状件外部，有机材料检测部包括至少一个检测器。第一无机包封层和第二无机包封层从显示区延伸到外围区，第一无机包封层具有与有机材料检测部的至少一部分对应的开口。
第二无机包封层可以填充开口或者可以位于开口处。
至少一个检测器离基底的上表面的高度可以比坝状件离基底的上表面的高度小。
有机材料检测部可以包括多个检测器，开口可以与多个检测器中的一个对应。
显示设备还可以包括位于显示区处的薄膜晶体管(TFT)，TFT包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，至少一个检测器可以与栅电极位于同一层上，并且可以包括与栅电极相同的材料。
显示设备还可以包括位于显示区处的第一薄膜晶体管(TFT)和位于显示区处的第二TFT，第一TFT包括第一半导体层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，第二TFT包括第二半导体层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极。第一栅电极和第二栅电极可以位于不同的层上。至少一个检测器可以包括第一层和第二层，第一层与第一栅电极位于同一层上并且包括与第一栅电极相同的材料，第二层与第二栅电极位于同一层上并且包括与第二栅电极相同的材料。
绝缘层可以位于第一层与第二层之间。
显示设备还可以包括位于显示区处的薄膜晶体管(TFT)和存储电容器，TFT包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，存储电容器与TFT叠置。存储电容器可以包括顺序地堆叠的第一电极、电介质层和第二电极，第一电极与栅电极位于同一层上。至少一个检测器可以与第二电极位于同一层上，并且可以包括与第二电极相同的材料。
显示设备还可以包括位于显示区处的薄膜晶体管(TFT)，TFT包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极。至少一个检测器可以与源电极或漏电极位于同一层上，并且可以包括与源电极或漏电极相同的材料。
显示设备还可以包括位于外围区处的布线。坝状件可以覆盖布线的至少一部分。
坝状件可以包括第一坝状件和与第一坝状件分开的第二坝状件，第一坝状件和第二坝状件中的至少一个坝状件可以包括多个层。
如显示设备的平面图中所见，至少一个检测器的至少一部分可以沿显示区的边缘，至少一个检测器可以具有靠近显示区的沟槽图案。
至少一个检测器可以具有在第一方向上延伸的直线形状，并且沟槽图案可以与第一方向成特定的角度。
至少一个检测器可以是弯曲的。
有机材料检测部可以包括第一检测器和第二检测器。第一检测器和第二检测器可以彼此分隔开并且可沿显示区的边缘。第一检测器可以具有靠近显示区的沟槽图案，第二检测器可以不具有沟槽图案。
开口可以与第一检测器对应。
根据一个或更多个实施例，一种有机材料检测方法在显示设备处执行，该显示设备具有显示图像的显示区和位于显示区外部的外围区，并且包括位于显示区处的薄膜包封层，薄膜包封层包括第一无机包封层、有机包封层和第二无机包封层的堆叠。有机材料检测方法包括：形成有机包封层；以及在形成有机包封层的同时检测可以溢出的有机材料，其中，通过位于外围区处的有机材料检测部来执行该检测。第一无机包封层和第二无机包封层从显示区延伸到外围区，第一无机包封层具有与有机材料检测部的至少一部分对应的开口。
有机材料检测部可以包括至少一个检测器，有机材料的检测可以包括通过测量至少一个检测器的台阶差来检查有机材料的溢出程度。
有机材料检测部可以包括至少一个检测器。如显示设备的平面图中所见，至少一个检测器的至少一部分可以沿显示区的边缘，至少一个检测器可以具有靠近显示区的沟槽图案。有机材料的检测可以包括通过在视觉上识别有机材料检测部的平面形状来检查有机材料溢出到的区域。
显示设备还可以包括位于外围区中的坝状件，坝状件可以位于显示区与有机材料检测部之间。
附图说明
通过下面结合附图的一些实施例的描述，这些和/或其它特征将变得明显并且更容易理解，在附图中：
图1是根据实施例的显示设备的平面图；
图2A是沿图1的线I-I'截取的剖视图；
图2B是根据另一实施例的显示设备的剖视图；
图3A是根据另一实施例的有机材料检测部的平面图；
图3B是根据另一实施例的有机材料检测部的平面图；
图3C是根据另一实施例的有机材料检测部的平面图；
图4是根据另一实施例的显示设备的剖视图；
图5是根据另一实施例的显示设备的剖视图；
图6是根据另一实施例的显示设备的剖视图；
图7是根据另一实施例的显示设备的剖视图；
图8是根据另一实施例的显示设备的剖视图；
图9是根据另一实施例的显示设备的剖视图；以及
图10是根据实施例的有机材料检测方法的流程图。
具体实施方式
因为发明允许各种合适的改变和许多实施例，所以将在附图中示出并在书面描述中详细地描述具体实施例。在下文中，将参照示出发明的实施例的附图更充分地描述本发明的效果和特征以及实现它们的方法。然而，本发明可以以许多不同的形式实施并且不应解释为受限于这里阐述的实施例。
下面将参照附图更详细地描述发明的一个或更多个实施例。那些相同或者相对应的组件被赋予相同的附图标记而与图号无关，可以省略冗余的说明。
将理解的是，虽然在此可以使用“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了易于描述，在此可以使用诸如“顶部”、“底部”、“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”和“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”、“之下”或“下面”的元件然后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或在其他方位处)，并应相应地解释在此使用的空间相对描述语。
此外，还将理解的是，当一个元件、组件、区域、层和/或部分被称作“在”两个元件、组件、区域、层和/或部分“之间”时，它可以是所述两个元件、组件、区域、层和/或部分之间的唯一元件、组件、区域、层和/或部分，或者也可以存在一个或更多个中间元件、组件、区域、层和/或部分。
在此使用的术语是为了描述具体实施例的目的而不意图限制本发明。如在此使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个”和“一种”也意图包括复数形式。还将理解的是，当本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”及其变形时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何和全部组合。当诸如“……中的至少一个(种)”、“……中的一个(种)”和“从……中选择”的表述位于一列元件之后时，修饰整列元件而不是修饰该列的单个元件。此外，当描述本发明的实施例时，“可以”的使用是指“本发明的一个或更多个实施例”。此外，术语“示例性”意图表示示例或例证。
将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”另一元件或层、“结合到”另一元件或层、“与”另一元件或层“连接”、“与”另一元件或层“结合”或者“与”另一元件或层“相邻”时，该元件或层可以“直接在”所述另一元件或层“上”、“直接连接到”所述另一元件或层、“直接结合到”所述另一元件或层、“与”所述另一元件或层“直接连接”、“与”所述另一元件或层“直接结合”或者“与”所述另一元件或层“直接相邻”，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。此外，根据如本领域的技术人员将理解的使用这样的术语的上下文，“连接”等也可以表示“电连接”等。当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层、“直接结合到”另一元件或层、“与”另一元件或层“直接连接”、“与”另一元件或层“直接结合”或者“与”另一元件或层“紧邻”时，不存在中间元件或层。
如在此使用的，术语“基本上”、“大约”和相似的术语被用作近似的术语而不是程度的术语，并且意图解释本领域的普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。
如在此使用的，术语“使用”可以被视为分别与“利用”同义。
关于本发明的一个或多个实施例描述的特征可与本发明的其他实施例的特征结合使用。例如，即使第三实施例可以不在此具体描述，也可以将第一实施例中描述的特征与在第二实施例中描述的特征结合以形成第三实施例。
在附图中，为了便于解释，可以夸大层或区域的厚度或者使层或区域的厚度最小化。换言之，因为为了便于解释而任意示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以本发明不限于此。
显示设备显示图像。显示设备的示例可以包括液晶显示器(LCD)，电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、等离子体显示器和阴极射线显示器。
虽然有机发光显示装置现在将被示出并且描述为根据本发明的实施例的显示设备，但是本发明不限于此，可以使用各种类型的显示设备。
图1是根据实施例的显示设备的一部分的平面图。参照图1，根据本实施例的显示设备包括基底100。基底100包括显示区DA和位于显示区DA周围的外围区PA。
在基底100的显示区DA中，可以布置多个像素以显示图像。在显示区DA中，可以布置显示器件(例如，有机发光器件(OLED))、薄膜晶体管(TFT)和电容器，像素通过显示器件、TFT和电容器的电组合来显示图像。可以根据供应到像素的栅极信号、数据信号、驱动电压ELVDD和共电压ELVSS来产生穿过显示器件的驱动电流，显示器件发射具有与驱动电流对应的亮度的光。
外围区PA布置在显示区DA外部。在外围区PA中，可以布置向显示区DA供应各种信号和/或电力的线，除了所述线之外，还可以布置用于控制施加到显示区DA的电信号的TFT(未示出)。在外围区PA中，也可以布置用于停止当制造显示设备时使用的有机层的流动的坝状件和/或沟道等。
图2A是沿图1的线I-I'截取的图1的显示设备的剖视图。参照图2A，根据实施例的显示设备包括基底100和薄膜包封层400，基底100包括显示区DA和外围区PA，薄膜包封层400包封显示区DA和外围区PA。
基底100可以包括各种合适的材料。例如，基底100可以由包含氧化硅(例如，SiO2)作为主要组分的透明玻璃材料形成。然而，用于形成基底100的材料不限于此，基底100可以由透明塑料材料形成。塑料材料可以是从作为绝缘材料的聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)中选择的有机材料。
缓冲层101可以设置在基底100上且可以减少或者防止外来物质、湿气或周围空气从基底100下方渗透，并且可以提供位于基底100上的平坦表面。缓冲层101可以包括无机材料(诸如氧化物或氮化物)、有机材料或有机和无机复合物，并且可以形成为无机材料和/或有机材料的单层或多层。
第一TFT T1包括半导体层A1、第一栅电极G1、源电极S1和漏电极D1，第二TFT T2包括半导体层A2、第二栅电极G2、源电极S2和漏电极D2。
现在将示出并且描述第一TFT T1和第二TFT T2是顶栅型的情况。然而，本实施例不限于此，可以使用诸如底栅型TFT的各种合适类型的TFT。
虽然在下文中示出了两个TFT T1和T2，但是本发明不限于此。在本发明的实施例中，针对单个像素，显示设备可以使用至少两个TFT T1和T2。在一些实施例中，可以进行各种合适的修改，例如针对单个像素，可以使用六个或七个TFT。
半导体层A1和A2可以包括非晶硅或多晶硅。根据另一实施例，半导体层A1和A2可以包括从由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种的氧化物。半导体层A1和A2可以包括沟道区以及均具有比沟道区高的载流子浓度的源区和漏区。
第一栅电极G1设置在半导体层A1上，并且第一栅极绝缘层103位于第一栅电极G1与半导体层A1之间。第一栅电极G1可以包括例如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或(Ti)，并且可以包括单层或多层。例如，第一栅电极G1可以包括Mo的单层。
第一栅极绝缘层103使半导体层A1与第一栅电极G1绝缘，并且可以包括氧化硅(例如，SiO2)、氮化硅(例如，SiNx)、氮氧化硅(例如、SiON)、氧化铝(例如，Al2O3)、氧化钛(例如，TiO2)、氧化钽(例如，Ta2O5)、氧化铪(例如，HfO2)和/或氧化锌(例如，ZnO2)等。
第二栅电极G2设置在半导体层A2上，并且第一栅极绝缘层103和第二栅极绝缘层105位于第二栅电极G2与半导体层A2之间。第二栅电极G2可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以是包括前述材料的多层或单层。例如，第二栅电极G2可以包括Mo的单层或Mo/Al/Mo的多层结构。
第二栅极绝缘层105可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。例如，第二栅极绝缘层105可以包括氧化硅(例如，SiO2)、氮化硅(例如，SiNx)、氮氧化硅(例如、SiON)、氧化铝(例如，Al2O3)、氧化钛(例如，TiO2)、氧化钽(例如，Ta2O5)、氧化铪(例如，HfO2)和/或氧化锌(例如，ZnO2)等。
源电极S1和S2以及漏电极D1和D2设置在层间绝缘层107上。源电极S1和S2以及漏电极D1和D2中的每个可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以是包括前述材料的多层或单层。例如，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2中的每个可以是Ti/Al/Ti的多层。
层间绝缘层107可以包括氧化硅(例如，SiO2)、氮化硅(例如，SiNx)、氮氧化硅(例如、SiON)、氧化铝(例如，Al2O3)、氧化钛(例如，TiO2)、氧化钽(例如，Ta2O5)、氧化铪(例如，HfO2)和/或氧化锌(例如，ZnO2)等。
如上所述，第一TFT T1的第一栅电极G1和第二TFT T2的第二栅电极G2可以设置在不同的层上。因此，可以不同地控制第一TFT T1和第二TFT T2的驱动范围。
存储电容器Cst的第一电极CE1可以与第一栅电极G1形成在同一层上，并且可以包括与第一栅电极G1相同或基本相同的材料。存储电容器Cst的第二电极CE2与第一电极CE1叠置，并且第二栅极绝缘层105位于第二电极CE2与第一电极CE1之间。第二电极CE2可以与第二栅电极G2形成在同一层上，并且可以包括与第二栅电极G2相同或基本相同的材料。
在图2A中，存储电容器Cst不与第一TFT T1和第二TFT T2叠置。然而，本发明不限于此。例如，存储电容器Cst可以与第一TFT T1叠置。在一些实施例中，存储电容器Cst的第一电极CE1可以与第一栅电极G1一体地形成。换言之，第一TFT T1的第一栅电极G1可以用作存储电容器Cst的第一电极CE1。
平坦化层109可以设置在源电极S1和S2以及漏电极D1和D2上，有机发光器件(OLED)300可以设置在平坦化层109上。平坦化层109可以包括包含有机材料的单层或通过堆叠包括有机材料的单层形成的多层。有机材料可以包括商业聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、丙烯酰醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和/或它们的混合等。平坦化层109可以是无机绝缘层和有机绝缘层的复合堆叠。
在基底100的显示区DA内，OLED 300可以设置在平坦化层109上。OLED 300包括像素电极310、对电极330和位于像素电极310与对电极330之间的中间层320，中间层320包括发射层。像素电极310经由形成在平坦化层109中的开口与第一TFT T1的源电极S1和漏电极D1中的一个接触，并且电连接到第一TFT T1。
像素电极310可以是反射电极。例如，像素电极310可以包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物形成的反射层，以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(例如，In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的至少一种。
像素限定层112可以设置在平坦化层109上。像素限定层112通过包括与子像素对应的各个开口(即，经由其暴露至少像素电极310的中心部分的开口)来限定像素。像素限定层112通过增大像素电极310的边缘与设置在像素电极310之上的对电极330之间的距离来防止或者基本防止在像素电极310的边缘上发生电弧。像素限定层112可以由例如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料形成。
OLED 300的中间层320可以包括低分子量或高分子量材料。当中间层320包括低分子量材料时，中间层320可以具有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)以单一结构或复合结构堆叠的结构，并且可以包括包含酞菁铜(CuPc)、N,N'-双(1-萘基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的各种合适的有机材料。这些层可以通过真空沉积形成。
当中间层320包括高分子量材料时，中间层320可以通常包括HTL和EML。在这种情况下，HTL可以包括聚(乙撑二氧噻吩)(PEDOT)，EML可以包括诸如聚对苯撑乙烯(PPV)类材料或聚芴类材料的高分子量材料。中间层320可以通过丝网印刷、喷墨印刷和/或激光诱导热成像(LITI)等形成。
中间层320不限于上述的结构，并且可以具有任何各种其它合适的结构。中间层320可以包括覆盖多个像素电极310的单层，或者可以包括分别与多个像素电极310对应的图案化的层。
对电极330设置在显示区DA上。如图2A中所示，对电极330可以覆盖显示区DA。换言之，针对多个OLED 300可以包括单个对电极330，并且单个对电极330可以与多个像素电极310对应。
对电极330(或共电极330)可以是透明电极。对电极330可以是透明或半透明电极，并且可以是包括(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(例如，LiF/Ca)、氟化锂/铝(例如，LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或它们的组合的具有小功函数的金属薄膜。包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(例如，In2O3)的透明导电氧化物(TCO)层还可以设置在金属薄膜上。
因为像素电极310是反射电极而对电极330是透明电极，所以显示设备可以是可以使由中间层320发射的光朝向对电极330发射的顶发射型。然而，本实施例不限于此，显示设备可以是使由有机发射层发射的光朝向基底100发射的底发射型。在这种情况下，像素电极310可以是透明或半透明电极，对电极330可以是反射电极。根据本实施例的显示设备可以是在两个方向上(即，朝向显示设备的顶表面和底表面)发光的双发射型。
薄膜包封层400可以覆盖显示区DA和外围区PA，以防止或者减少外部湿气和氧的渗透。薄膜包封层400可以包括至少一个有机包封层和至少一个无机包封层。虽然薄膜包封层400在2A图中包括两个无机包封层410和430以及单个有机包封层420，但是无机包封层410和430以及有机包封层420堆叠的顺序和无机包封层410和430以及有机包封层420堆叠的次数不限于图2A的实施例。
第一无机包封层410可以覆盖对电极330，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。其它合适的层(例如，盖层)可以设置在第一无机包封层410与对电极330之间。因为第一无机包封层410形成在位于第一无机包封层410下方的结构上，所以第一无机包封层410的上表面可以不是平坦的。有机包封层420覆盖第一无机包封层410。有机包封层420可以具有基本平坦的上表面。详细地，有机包封层420的与显示区DA对应的部分可以具有基本平坦的上表面。有机包封层420可以包括来自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷之中的至少一种材料。第二无机包封层430可以覆盖有机包封层420，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
如此，因为薄膜包封层400包括第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430，所以即使当薄膜包封层400由于该多层结构而破裂时，该裂纹可以不连接在第一无机包封层410与有机包封层420之间或有机包封层420与第二无机包封层430之间。因此，可以防止、最小化或者减少外部湿气和/或氧等渗透到显示区DA和外围区PA中所经由的路径的形成。位于显示区DA外部的第二无机包封层430的边缘可以与第一无机包封层410接触，从而有机包封层420可以不暴露到外部。
布线210、坝单元120(例如，坝状件120)和有机材料检测部220设置在基底100的外围区PA上。布线210可以是用于向显示区DA供应电力的布线，可以与源电极S1和S2以及漏电极D1和D2形成在同一层上，并且可以包括与源电极S1和S2以及漏电极D1和D2相同或基本相同的材料。在一些实施例中，布线210可以连接到OLED 300的对电极330并且向对电极330传输共电压ELVSS。在图2A中，布线210经由连接线116连接到对电极330。在这种情况下，连接线116可以由与像素电极310相同或基本相同的材料形成，并且在形成像素电极310的同时形成。然而，本发明不限于此，可以对布线210进行各种合适的修改。例如，布线210可以与对电极330直接接触。
坝单元120可以覆盖布线210的至少一部分。在一些实施例中，坝单元120可以覆盖布线210的远离显示区DA的边缘，并且可以不覆盖布线210的与显示区DA相邻的边缘。然而，本发明不限于此。可以对坝单元120进行各种合适的修改，例如，坝单元120可以覆盖整个布线210。
当形成用于包封显示区DA和外围区PA的薄膜包封层400的有机包封层420时，坝单元120可以阻挡有机材料朝向基底100的边缘流动，从而防止有机包封层420的边缘末端的形成。
坝单元120可以由多个层形成。第一层121可以由与平坦化层109相同或基本相同的材料形成，位于第一层121上的第二层123可以由与像素限定层112相同或基本相同的材料形成。如上所述，平坦化层109和像素限定层112可以包括有机材料。有机材料与金属具有比与用于形成层间绝缘层107的无机材料高的结合强度。因此，因为坝单元120与由金属形成的布线210的边缘叠置并且接触，所以坝单元120可以以高的结合强度稳固地形成。虽然坝单元120在图2A中包括多个层，但是坝单元120可以包括单层。在这种情况下，坝单元120可以由与平坦化层109或像素限定层112相同或基本相同的材料形成。
有机材料检测部220设置在坝单元120外部，并且包括例如检测单元221、223、225和227的至少一个检测单元(例如，至少一个检测器，例如，检测器221、223、225和227)。当形成有机包封层420时，有机材料检测部220可以检测有机材料在未被坝单元120阻挡的情况下溢出的程度。此外，当切割基底100的边缘时，有机材料检测部220可以防止或者减少裂纹的扩展。位于有机材料检测部220之上的第一无机包封层410和第二无机包封层430中的每个可以在有机材料检测部220的厚度方向(z方向)上弯曲。从而延长外部湿气和/或氧的渗透路径，因此可以防止、最小化或者减少外部湿气和/或氧渗透到显示区DA中。
检测单元221、223、225和227从基底100的上表面突出。当导电层形成在显示区DA中时，检测单元221、223、225和227也可以与导电层形成在同一层上。例如，检测单元221、223、225和227可以通过使与第一栅电极G1形成在同一层上的第一层221a以及与第二栅电极G2形成在同一层上的第二层221b彼此叠置来形成。第二栅极绝缘层105可以设置在第一层221a与第二层221b之间，层间绝缘层107可以设置在第一层221a之上。第二栅极绝缘层105和层间绝缘层107沿第一层221a和第二层221b的形状形成(例如，形成在第一层221a和第二层221b上或者形成在第一层221a和第二层221b之上)，因此从基底100的上表面突出。有机材料检测部220离基底100的上表面的高度可以比坝单元120离基底100的上表面的高度小。
为了便于通过有机材料检测部220检测有机材料，可以在有机材料检测部220周围形成台阶差。换言之，该台阶差可以促进有机材料流动到有机材料检测部220中。为此，设置在有机材料检测部220上的第一无机包封层410包括开口410h。换言之，开口410h面对有机材料检测部220的至少一部分，因此在形成有机包封层420时溢出的有机材料可以容易地流动到开口410h中。
开口410h可以面对检测单元221、223、225和227之中的第一检测单元221(例如，第一检测器221)，因为第一检测单元221比其它检测单元223、225和227较靠近显示区DA，所以当考虑溢出的有机材料的流动方向时，第一检测单元221中可以比其它检测单元223、225和227聚集较多量的有机材料。然而，本发明不限于此。可以对开口410h做出各种合适的修改，例如，开口410h可以形成为面对其它检测单元223、225和227或者面对检测单元221、223、225和227中的至少两个。当形成有机包封层420时溢出的有机材料可以设置在开口410h中。当有机材料不溢出时，第二无机包封层430可以设置在开口410h中。
图2B是根据另一实施例的显示设备的剖视图。图2A和图2B中的相同的附图标记表示相同的元件，并且可以省略其重复描述。
参照图2B，连接到布线210的连接线116可以延伸为位于坝单元120的第一层121之上。因此，连接线116具有与布线210接触的宽区域，并且因此可以减小布线210与连接线116之间的接触电阻。当坝单元120的第一层121由与平坦化层109相同或基本相同的材料形成时，连接线116可以理解为经由延伸穿过平坦化层109的通孔190h(见图9)连接到布线210。
因为连接线116延伸为位于坝单元120的第一层121之上，所以坝单元120可以具有顺序地堆叠有第一层121、连接线116和第二层123的结构。
图3A-图3C是根据实施例的有机材料检测部220的平面图。参照图3A，在有机材料检测部220中，检测单元221、223、225和227中的至少一些沿显示区DA的边缘布置。可以设置多个检测单元221、223、225和227。在这种情况下，检测单元221、223、225和227可以彼此分隔开，并且均可以具有直线形状。当包括多个检测单元221、223、225和227时，不仅可以改善有机材料的检测，而且可以改善对周围空气的渗透或裂纹扩展的防止。
检测单元221、223、225和227中的至少一个可以包括位于与显示区DA相邻的区域中的沟槽图案221h。当有机材料流动到沟槽图案221h中时，沟槽图案221h可以使得容易在视觉上识别是否存在有机材料的流入。换言之，当形成有机包封层420时溢出的有机材料流入到沟槽图案221h中，在这种情况下，可以检查沟槽图案221h以容易地在视觉上识别有机材料是否已经流动到沟槽图案221h中。
检测单元221可以是在第一方向上沿显示区DA的边缘延伸的直线，沟槽图案221h可以相对于第一方向以特定的角(例如，以45度的角)形成。然而，检测单元221和沟槽图案221h的形状不限于此。
如图3B中所示，沟槽图案221h可以相对于检测单元221的延伸方向以90度的角形成。此外，如图3C中所示，检测单元221、223、225和227可以是弯曲的。换言之，可以对检测单元221和沟槽图案221h的形状进行各种合适的修改。
如此，检查有机材料被有机材料检测部220检测的程度，从而可以最佳地控制用于形成有机包封层420的有机材料的量。此外，根据检测的有机材料的量，可以在坝单元120的上部分或有机包封层420的表面上进行界面处理。
上面参照图3A-图3C描述的有机材料检测部220的平面形状可以应用于后面将描述的实施例。
图4是根据另一实施例的显示设备的剖视图。图2A和图4中的相同的附图标记表示相同的元件，并且可以省略其重复描述。
参照图4，根据本实施例的显示设备包括布置在坝单元120外部的有机材料检测部220，第一无机包封层410包括面对有机材料检测部220的至少一部分的开口410h。在图4中，有机材料检测部220不通过彼此叠置多个导电层形成，但是包括至少一个检测单元(即，检测单元221a、223a、225a和227a)，至少一个检测单元与第一栅电极G1形成在同一层上并且由与第一栅电极G1相同或基本相同的材料形成。同样在图4中，设置在检测单元221a、223a、225a和227a上的第二栅极绝缘层105和层间绝缘层107从基底100的上表面以检测单元221a、223a、225a和227a中的每个的厚度突出。
因此，有机材料检测部220可以执行有机材料检测功能、裂纹扩展防止功能和周围空气渗透防止功能。
图5是根据另一实施例的显示设备的剖视图。图2A和图5中的相同的附图标记表示相同的元件，并且可以省略其重复描述。
参照图5，根据本实施例的显示设备包括布置在坝单元120外部的有机材料检测部220，第一无机包封层410包括面对有机材料检测部220的至少一部分的开口410h。在图5中，有机材料检测部220不通过彼此叠置多个导电层形成，但是包括至少一个检测单元(即，检测单元221b、223b、225b和227b)，至少一个检测单元与第二栅电极G2形成在同一层上并且由与第二栅电极G2相同或基本相同的材料形成。同样在图5中，设置在检测单元221b、223b、225b和227b上的层间绝缘层107从基底100的上表面以检测单元221b、223b、225b和227b中的每个的厚度突出。
因此，有机材料检测部220可以执行有机材料检测功能、裂纹扩展防止功能和周围空气渗透防止功能。
图6是根据另一实施例的显示设备的剖视图。图2A和图6中的相同的附图标记表示相同的元件，并且可以省略其重复描述。
参照图6，根据本实施例的显示设备包括布置在坝单元120外部的有机材料检测部220，第一无机包封层410包括面对有机材料检测部220的至少一部分的开口410h(见图2A)。在图6中，有机材料检测部220包括至少一个检测单元，即，检测单元221c、223c、225c和227c，检测单元221c、223c、225c和227c可以与源电极S1和S2或漏电极D1和D2形成在同一层上，并且由与源电极S1和S2或漏电极D1和D2相同或者基本相同的材料形成。在这种情况下，检测单元221c、223c、225c和227c可以与布线210设置在同一水平上，并且可以与布线210分隔开。
图7是根据另一实施例的显示设备的剖视图。图2A和图7中的相同的附图标记表示相同的元件，并且可以省略其重复描述。
参照图7，根据本实施例的显示设备包括布置在坝单元120外部的有机材料检测部220，第一无机包封层410包括面对有机材料检测部220的至少一部分的开口410h。在图7中，有机材料检测部220可以包括至少一个检测单元，即，检测单元221、223、225和227。检测单元221、223、225和227可以包括第一层221a、第二层221b和第三层221c，第一层221a与第一栅电极G1设置在同一层上，第二层221b与第二栅电极G2设置在同一层上，第三层221c与源电极S1和S2或漏电极D1和D2设置在同一层上。第一层221a、第二层221b和第三层221c可以彼此叠置。因此，有机材料检测部220可以从基底100的上表面突出。可以对检测单元221、223、225和227进行各种合适的修改，例如，每个检测单元可以仅包括第一层221a、第二层221b和第三层221c中的两层。
根据该结构，有机材料检测部220可以执行有机材料检测功能、裂纹扩展防止功能和周围空气渗透防止功能。
图8是根据另一实施例的显示设备的剖视图。图2A和图8中的相同的附图标记表示相同的元件，并且可以省略其重复描述。
参照图8，根据本实施例的显示设备包括布置在坝单元120外部的有机材料检测部220，第一无机包封层410包括面对有机材料检测部220的至少一部分的开口410h。
根据本实施例，坝单元120包括彼此分隔开的第一坝状件120a和第二坝状件120b(例如，第二坝状件120b与第一坝状件120a分隔开)。显示区DA还可以包括设置在像素限定层112上的间隔件114。间隔件114从像素限定层112朝向薄膜包封层400突出，并且可以防止或者基本防止在显示设备的制造期间由于掩模损坏而产生缺陷。间隔件114可以由例如聚酰亚胺或HMDSO的有机材料形成。
第一坝状件120a和第二坝状件120b可以布置在位于外围区PA中的布线210上，第一坝状件120a和第二坝状件120b中的一个可以覆盖布线210的边缘。第一坝状件120a和第二坝状件120b中的至少一个可以包括多个层。在图8中，第一坝状件120a是第一层121a和第二层123a的堆叠，第一层121a由与平坦化层109相同或基本相同的材料形成，第二层123a由与像素限定层112相同或基本相同的材料形成，第二坝状件120b是第一层121b、第二层123b和第三层125b的堆叠，第一层121b由与平坦化层109相同或基本相同的材料形成，第二层123b由与像素限定层112相同或基本相同的材料形成，第三层125b由与间隔件114相同或基本相同的材料形成。然而，本发明不限于此。第一坝状件120a和第二坝状件120b中的一个可以包括单层，或者第一坝状件120a和第二坝状件120b中的每个可以具有双层结构或三层结构。以这种方式，可以对第一坝状件120a和第二坝状件120b的结构进行各种合适的修改。坝单元120还可以包括与第一坝状件120a和第二坝状件120b分隔开的附加的坝状件。
因为坝单元120包括多个坝状件，所以可以更有效地防止当形成有机包封层420时有机材料的溢出。同样在这种情况下，有机材料检测部220可以检测有机材料，因此，可以改变坝单元120的结构，或者可以确保有机材料的量的最佳条件。
图9是根据另一实施例的显示设备的剖视图。图8和图9中的相同的附图标记表示相同的元件，并且可以省略其重复描述。
参照图9，连接到布线210的连接线116可以延伸为位于第二坝状件120b的第一层121b之上。因此，连接线116具有与布线210接触的宽区域，因此可以减小布线210与连接线116之间的接触电阻。当第二坝状件120b的第一层121b由与平坦化层109相同或基本相同的材料形成时，连接线116可以理解为经由延伸穿过平坦化层109的通孔190h连接到布线210。
因为连接线116延伸为位于第二坝状件120b的第一层121b之上，所以第二坝状件120b可以具有顺序地堆叠有第一层121b、连接线116、第二层123b和第三层125b的结构。
在图9中，第一坝状件120a可以设置在位于平坦化层109的通孔190h内的连接线116上。在这种情况下，第一坝状件120a的第一层121a可以由与像素限定层112相同或基本相同的材料形成，并且与像素限定层112同步(例如，同时)形成，第一坝状件120a的第二层123a可以由与间隔件114相同或基本相同的材料形成，并且与间隔件114同时形成。
根据该结构，可以减小连接线116与布线210之间的接触电阻，此外坝单元120可以包括多个坝状件。因为坝单元120包括多个坝状件，所以可以更有效地防止当形成有机包封层420时有机材料的溢出。同样在这种情况下，有机材料检测部220可以检测有机材料，因此，可以改变坝单元120的结构，或者可以确保有机材料的量的最佳条件。
图10是根据实施例的有机材料检测方法的流程图。参照图10，有机材料检测方法包括有机包封层形成操作S1和通过有机材料检测部220执行的有机材料检测操作S2。
当形成图2A的薄膜包封层400时，执行有机包封层形成操作S1。在操作S1中，图2A的有机包封层420可以覆盖显示区DA和外围区PA的至少一部分。有机包封层420的与显示区DA对应的部分可以具有基本平坦的上表面(例如，平坦的上表面)。有机包封层420可以包括来自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷之中的至少一种材料。可以经由涂覆或沉积在显示区DA和外围区PA中形成有机包封层420。例如，可以经由闪蒸、喷墨印刷或狭缝式模具涂覆(slotdie coating)来形成有机包封层420。
当正在形成有机包封层420时，用于形成有机包封层420的有机材料会行进越过坝单元120并且到达有机材料检测部220。为了检测该有机材料，图2A的有机材料检测部220执行有机材料检测操作S2。
在有机材料检测操作S2中，可以经由有机材料检测部220来检查有机材料。
根据实施例，可以通过测量有机材料检测部220的台阶差并检查有机材料的溢出程度来执行有机材料检测操作S2。因为有机材料检测部220包括均从基底100的上表面突出的检测单元221、223、225和227，所以可以通过将形成有机包封层420之前的检测单元221、223、225和227的高度与形成有机包封层420之后的检测单元221、223、225和227的高度进行比较来检查有机材料的溢出程度。
为了便于通过有机材料检测部220检测有机材料，可以在有机材料检测部220周围形成台阶差。换言之，该台阶差可以促进有机材料流动到有机材料检测部220中。为此，设置在有机材料检测部220上的第一无机包封层410包括开口410h。换言之，开口410h面对有机材料检测部220的至少一部分，因此，当有机包封层420正在形成时溢出的有机材料可以容易地流动到开口410h中。
开口410h可以面对检测单元221、223、225和227之中的第一检测单元221(例如，第一检测器221)，因为第一检测单元221比其它检测单元223、225和227较靠近于显示区DA，所以当考虑溢出的有机材料的流动方向时，在第一检测单元221中可以聚集比其它检测单元223、225和227较多量的有机材料。然而，本发明不限于此。可以对开口410h进行各种合适的修改，例如，开口410h可以形成为面对其它检测单元223、225和227，或者面对检测单元221、223、225和227中的至少两个。
根据实施例，可以通过经由摄影等来捕捉有机材料检测部220的平面形状的图像并且检查有机材料的溢出程度来执行有机材料检测操作S2。有机材料检测部220可以包括检测单元221、223、225和227，检测单元221、223、225和227可以包括如图3A-图3C中所示的沟槽图案221h。在这种情况下，当形成有机包封层420时溢出的有机材料可以流动到沟槽图案221h中，在这种情况下，可以检查槽槽图案221h以容易地在视觉上识别有机材料是否已经流动到沟槽图案221h中。
根据如上述所述的实施例，在布置在外围区中的坝单元外部设置有机材料检测部，以便于包括在薄膜包封层中的有机包封层的溢出的视觉识别。因此，可以使用于形成有机包封层的有机材料的量和有机包封层的表面处理条件最优化。
当然，本发明的范围不限于此。
虽然已经参照发明构思的示例性实施例具体地示出并且描述了发明构思，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求及其等同物所限定的精神和范围的情况下，在此可以做出形式和细节上的各种合适的改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，具有显示图像的显示区和位于所述显示区外部的外围区；
薄膜包封层，位于所述显示区处，所述薄膜包封层包括堆叠的第一无机包封层、有机包封层和第二无机包封层；
坝状件，位于所述外围区处；以及
有机材料检测部，位于所述坝状件外部，所述有机材料检测部包括至少一个检测器，
其中，所述第一无机包封层和所述第二无机包封层从所述显示区延伸到所述外围区，
其中，所述第一无机包封层具有与所述有机材料检测部的至少一部分对应的开口，并且
其中，所述开口用于当所述有机包封层的有机材料溢出时被所述有机材料填充。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二无机包封层填充所述开口或者位于所述开口处。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少一个检测器离所述基底的上表面的高度比所述坝状件离所述基底的所述上表面的高度小。
4.根据权利要求1所述的显示设备，
其中，所述有机材料检测部包括多个检测器，
其中，所述开口与所述多个检测器中的一个检测器对应。
5.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
薄膜晶体管，位于所述显示区处，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，
其中，所述至少一个检测器与所述栅电极位于同一层上，并且包括与所述栅电极相同的材料。
6.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
第一薄膜晶体管，位于所述显示区处，所述第一薄膜晶体管包括第一半导体层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；以及
第二薄膜晶体管，位于所述显示区处，所述第二薄膜晶体管包括第二半导体层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极，
其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极位于不同的层上，
其中，所述至少一个检测器包括第一层和第二层，所述第一层与所述第一栅电极位于同一层上并且包括与所述第一栅电极相同的材料，所述第二层与所述第二栅电极位于同一层上并且包括与所述第二栅电极相同的材料。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，绝缘层位于所述第一层与所述第二层之间。
8.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
薄膜晶体管，位于所述显示区处，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极；以及
存储电容器，与所述薄膜晶体管叠置，
其中，所述存储电容器包括顺序地堆叠的第一电极、电介质层和第二电极，所述第一电极与所述栅电极位于同一层上，
其中，所述至少一个检测器与所述第二电极位于同一层上，并且包括与所述第二电极相同的材料。
9.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
薄膜晶体管，位于显示区处，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，
其中，所述至少一个检测器与所述源电极或所述漏电极位于同一层上，并且包括与所述源电极或所述漏电极相同的材料。
10.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述外围区处的布线，
其中，所述坝状件覆盖所述布线的至少一部分。
11.根据权利要求1所述的显示设备，
其中，所述坝状件包括第一坝状件和与所述第一坝状件分开的第二坝状件，
其中，所述第一坝状件和所述第二坝状件中的至少一个坝状件包括多个层。
12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在平面图中，所述至少一个检测器的至少一部分沿所述显示区的边缘，所述至少一个检测器具有靠近所述显示区的沟槽图案。
13.根据权利要求12所述的显示设备，
其中，所述至少一个检测器包括在第一方向上延伸的直线形状，
其中，所述沟槽图案与所述第一方向成45度或90度的角度。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述至少一个检测器是弯曲的。
15.根据权利要求1所述的显示设备，
其中，所述有机材料检测部包括第一检测器和第二检测器，
其中，所述第一检测器和所述第二检测器彼此分隔开并且沿所述显示区的边缘，
其中，所述第一检测器具有靠近所述显示区的沟槽图案，
其中，所述第二检测器不具有沟槽图案。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述开口与所述第一检测器对应。
17.一种在显示设备处执行的有机材料检测方法，所述显示设备具有显示图像的显示区和位于所述显示区外的外围区，并且包括位于所述显示区处的薄膜包封层，所述薄膜包封层包括第一无机包封层、有机包封层和第二无机包封层的堆叠，所述有机材料检测方法包括：
形成所述有机包封层；以及
在形成所述有机包封层的同时检测溢出的有机材料，其中，通过位于外围区处的有机材料检测部来执行所述检测，
其中，所述第一无机包封层和所述第二无机包封层从所述显示区延伸到所述外围区，
其中，所述第一无机包封层具有与所述有机材料检测部的至少一部分对应的开口。
18.根据权利要求17所述的有机材料检测方法，
其中，所述有机材料检测部包括至少一个检测器，
其中，所述有机材料的检测包括通过测量所述至少一个检测器的台阶差来检查所述有机材料的溢出程度。
19.根据权利要求17所述的有机材料检测方法，
其中，所述有机材料检测部包括至少一个检测器，
其中，在平面图中，所述至少一个检测器的至少一部分沿所述显示区的边缘，所述至少一个检测器具有靠近所述显示区的沟槽图案，
其中，所述有机材料的检测包括通过在视觉上识别所述有机材料检测部的平面形状来检查所述有机材料溢出到的区域。
20.根据权利要求17所述的有机材料检测方法，
其中，所述显示设备还包括位于所述外围区中的坝状件，
其中，所述坝状件位于所述显示区与所述有机材料检测部之间。
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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180011924A (ko) * 2016-07-25 2018-02-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102576557B1 (ko) * 2016-09-21 2023-09-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
KR20180060851A (ko) * 2016-11-29 2018-06-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180061866A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 봉지 유닛 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102056678B1 (ko) * 2017-11-23 2019-12-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109904336B (zh) * 2017-12-07 2020-06-30 京东方科技集团股份有限公司 电子装置基板及制造方法/显示装置
KR102603869B1 (ko) * 2018-02-08 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN108321181B (zh) * 2018-03-09 2020-11-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN110165068B (zh) * 2018-05-11 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 有机膜结构及制备方法、封装结构及制备方法和发光基板
WO2019224963A1 (ja) * 2018-05-23 2019-11-28 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
CN108511503B (zh) * 2018-05-28 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN108832017B (zh) * 2018-06-07 2020-06-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示模组、电子装置
KR102625708B1 (ko) * 2018-08-27 2024-01-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109119445B (zh) 2018-08-27 2021-09-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
KR102658427B1 (ko) 2018-09-11 2024-04-17 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109243305B (zh) * 2018-09-17 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法
KR20200047941A (ko) 2018-10-26 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20200057142A (ko) 2018-11-15 2020-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109473465B (zh) * 2018-11-19 2021-02-05 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN109545831B (zh) * 2018-11-28 2020-11-20 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109686856B (zh) * 2018-12-07 2020-04-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件及其制作方法
KR20200074347A (ko) * 2018-12-14 2020-06-25 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102168042B1 (ko) 2018-12-27 2020-10-20 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109728200B (zh) * 2019-01-03 2022-02-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示基板的制备方法、显示装置
WO2020202274A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 シャープ株式会社 表示装置、及び表示装置の製造方法
WO2020202247A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 シャープ株式会社 表示装置
CN109935601B (zh) * 2019-04-04 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法
KR20200123906A (ko) * 2019-04-22 2020-11-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN110120462B (zh) * 2019-05-07 2020-09-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示模组及电子装置
CN110120465B (zh) * 2019-05-28 2022-07-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板和具有其的显示装置
CN110164945B (zh) * 2019-06-03 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置
CN110634887A (zh) * 2019-08-30 2019-12-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法以及显示面板
KR20210037035A (ko) 2019-09-26 2021-04-06 삼성디스플레이 주식회사 표시기판, 이를 포함하는 표시장치 및 표시기판의 제조방법
CN110993814B (zh) * 2019-11-15 2021-09-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
KR20210086273A (ko) 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20210088042A (ko) * 2020-01-03 2021-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111243975B (zh) * 2020-01-21 2022-08-23 云谷（固安）科技有限公司 显示面板检测方法及显示面板检测装置
KR20210146489A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112133727A (zh) * 2020-08-31 2020-12-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示装置
CN112086577A (zh) * 2020-09-08 2020-12-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
CN112038382B (zh) * 2020-09-10 2022-11-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
KR20220051095A (ko) * 2020-10-16 2022-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220056924A (ko) * 2020-10-28 2022-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220063790A (ko) * 2020-11-09 2022-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US20220399412A1 (en) * 2020-12-23 2022-12-15 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display Substrate and Preparation Method Thereof, and Display Apparatus
CN112885879B (zh) * 2021-01-20 2022-12-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN112952021B (zh) * 2021-02-09 2022-08-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
KR20220125903A (ko) * 2021-03-05 2022-09-15 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN113782494B (zh) * 2021-09-15 2023-06-20 福建华佳彩有限公司 一种薄膜封装Test key的制作方法和检测方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5177996A (en) * 1991-11-21 1993-01-12 W. L. Gore & Associates, Inc. Liquid leak detection cable
US6822264B2 (en) * 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100554161B1 (ko) 2002-11-29 2006-02-22 한국전자통신연구원 테트라옥사스파이로 모노머 또는 디옥산 모노머의 중합생성물로 이루어지는 엔캡슐레이션 박막 재료 및 이를이용한 엔캡슐레이션 방법
US8350466B2 (en) * 2004-09-17 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN100463193C (zh) * 2006-11-03 2009-02-18 北京京东方光电科技有限公司 一种tft阵列结构及其制造方法
CA2715363C (en) * 2009-09-22 2018-01-02 Great Lakes Copper Inc. Fluid transfer device having leak indication and method of making same
KR20120030290A (ko) 2010-09-20 2012-03-28 에스엔유 프리시젼 주식회사 롤투롤 방식의 연속증착을 이용한 봉지박막 형성방법
KR101825125B1 (ko) 2011-06-10 2018-02-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102081288B1 (ko) * 2013-08-08 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20150025994A (ko) 2013-08-30 2015-03-11 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2015056335A (ja) 2013-09-13 2015-03-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法
KR102218573B1 (ko) 2013-09-30 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR101562922B1 (ko) 2013-10-07 2015-10-23 한국과학기술원 봉지막 제조방법 및 이로부터 제조된 봉지막을 포함하는 전자소자
JP2015163941A (ja) * 2014-01-29 2015-09-10 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器
KR102279921B1 (ko) 2014-02-12 2021-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102454664B1 (ko) 2014-06-25 2022-10-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102404577B1 (ko) 2015-03-27 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6636807B2 (ja) * 2016-01-15 2020-01-29 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
CN105895827B (zh) 2016-06-28 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示器件及其封装方法、显示装置

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