KR20200057142A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200057142A
KR20200057142A KR1020180140837A KR20180140837A KR20200057142A KR 20200057142 A KR20200057142 A KR 20200057142A KR 1020180140837 A KR1020180140837 A KR 1020180140837A KR 20180140837 A KR20180140837 A KR 20180140837A KR 20200057142 A KR20200057142 A KR 20200057142A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
insulating layer
organic insulating
overlapping
organic
Prior art date
Application number
KR1020180140837A
Other languages
English (en)
Inventor
방기호
김은혜
전상현
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180140837A priority Critical patent/KR20200057142A/ko
Priority to US16/535,299 priority patent/US10886326B2/en
Priority to CN201911104803.0A priority patent/CN111192882A/zh
Publication of KR20200057142A publication Critical patent/KR20200057142A/ko
Priority to US17/118,840 priority patent/US11594590B2/en
Priority to US18/112,698 priority patent/US20230200164A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H01L27/3258—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/3213—
    • H01L27/3262—
    • H01L27/3297—
    • H01L51/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터와 연결된 화소 전극, 상기 화소 전극과 중첩하는 공통 전극, 그리고 상기 공통 전극과 상기 기판 사이에 위치하며, 상기 주변 영역의 적어도 일부와 중첩하는 유기 절연층을 포함하고, 상기 표시 영역과 중첩하는 상기 유기 절연층의 두께와, 상기 주변 영역과 중첩하는 상기 유기 절연층의 두께가 상이하며, 상기 유기 절연층은, 상기 주변 영역과 중첩하며 상기 유기 절연층을 관통하는 밸리를 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 개시는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 표시 패널을 포함하며, 표시 패널은 기판 위에 위치하는 발광 소자들(light emitting elements)과 이를 구동하기 위한 회로 소자들을 포함한다. 표시 패널은 발광 소자들이 수분이나 산소에 의해 손상되지 않도록 외부로부터 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지하기 위한 봉지 기판을 포함할 수 있다. 최근에는 표시 패널의 무게 및 파손을 줄이기 위해, 봉지 기판으로 발광 소자들을 밀봉하는 대신, 발광 소자들 위에 봉지층(encapsulation layer)을 형성하는 기술이 개발되고 있다.
한편 표시 패널의 대부분의 영역은 이미지를 방출하는 표시 영역일 수 있지만, 표시 패널의 특정 영역, 예컨대 가장자리 영역은 구동 회로, 신호선 등이 배치되는 주변 영역일 수 있다.
실시예들은 주변 영역에 위치하는 봉지층, 특히 봉지층이 포함하는 유기층이 평탄한 상부면을 가지도록 형성하여 봉지층 위에 위치하는 터치 배선을 안정적으로 형성하고자 한다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터와 연결된 화소 전극, 상기 화소 전극과 중첩하는 공통 전극, 그리고 상기 공통 전극과 상기 기판 사이에 위치하며, 상기 주변 영역의 적어도 일부와 중첩하는 유기 절연층을 포함하고, 상기 표시 영역과 중첩하는 상기 유기 절연층의 두께와, 상기 주변 영역과 중첩하는 상기 유기 절연층의 두께가 상이하며, 상기 유기 절연층은, 상기 주변 영역과 중첩하며 상기 유기 절연층을 관통하는 밸리를 포함한다.
상기 표시 영역과 중첩하는 상기 유기 절연층은 제1 높이를 가지고, 상기 주변 영역과 중첩하는 상기 유기 절연층은 제2 높이를 가지며, 상기 제1 높이는 상기 제2 높이 보다 클 수 있다.
상기 제1 높이는 상기 제2 높이의 약 2배일 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 공통 전극 위에 위치하며, 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역과 중첩하는 봉지층을 포함하고, 상기 봉지층은, 제1 무기층 및 제2 무기층, 그리고 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함할 수 있다.
상기 주변 영역과 중첩하는 상기 봉지층 상에는 터치 배선이 위치하고, 상기 표시 영역과 중첩하는 상기 봉지층 상에는 터치 전극이 위치할 수 있다.
상기 터치 배선이 위치하는 상기 봉지층의 일면과, 상기 터치 전극이 위치하는 상기 봉지층의 일면 사이에는 단차가 형성될 수 있다.
상기 유기층은 상기 밸리 내에 위치할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 주변 영역에 위치하는 댐을 더 포함하고, 상기 댐으로부터 상기 표시 영역의 가장자리까지의 거리는 상기 유기층의 가장자리로부터 상기 표시 영역의 가장자리까지의 거리 보다 클 수 있다.
상기 트랜지스터는, 상기 기판 위에 위치하는 반도체층, 상기 반도체층과 중첩하는 게이트 전극, 그리고 상기 반도체층과 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 표시 장치는 상기 드레인 전극 위에 위치하며 상기 화소 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 제1 연결 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 유기 절연층은, 상기 소스 전극과 상기 제1 연결 부재 사이, 그리고 상기 드레인 전극과 상기 제1 연결 부재 사이에 위치하는 제1 유기 절연층, 그리고 상기 제1 연결 부재와 상기 화소 전극 사이에 위치하는 제2 유기 절연층을 포함할 수 있다.
상기 제1 유기 절연층 및 상기 제2 유기 절연층 중 적어도 하나는, 상기 표시 영역과 중첩하는 일 영역과 상기 주변 영역과 중첩하는 타 영역에서의 두께가 상이할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터 위에 위치하는 유기 절연층, 상기 트랜지스터와 연결된 발광 소자, 상기 발광 소자 위에 위치하는 봉지층, 그리고 상기 봉지층 위에 위치하는 터치 배선 및 터치 전극을 포함하고, 상기 유기 절연층은 상기 주변 영역과 중첩하는 밸리를 포함하며, 상기 봉지층은 상기 밸리 내에 위치하고, 상기 표시 영역과 중첩하는 상기 유기 절연층과, 상기 주변 영역과 중첩하는 상기 유기 절연층은 단차를 가질 수 있다.
상기 트랜지스터는, 상기 기판 위에 위치하는 반도체층, 상기 반도체층과 중첩하는 게이트 전극, 그리고 상기 반도체층과 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 표시 장치는 상기 드레인 전극 위에 위치하며 상기 화소 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 제1 연결 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 유기 절연층은, 상기 소스 전극과 상기 제1 연결 부재 사이, 그리고 상기 드레인 전극과 상기 제1 연결 부재 사이에 위치하는 제1 유기 절연층, 그리고 상기 제1 연결 부재와 상기 화소 전극 사이에 위치하는 제2 유기 절연층을 포함할 수 있다.
상기 제1 유기 절연층 및 상기 제2 유기 절연층 중 적어도 하나는, 상기 주변 영역과 중첩하는 일 영역의 두께가 상기 표시 영역과 중첩하는 일 영역의 두께보다 작을 수 있다.
상기 봉지층은, 제1 무기층과 제2 무기층, 그리고 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 상기 밸리 내에 위치할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역과 중첩하는 상기 기판 위에 위치하는 반도체층, 상기 반도체층과 중첩하는 게이트 전극, 그리고 상기 반도체층과 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 드레인 전극 위에 위치하며 상기 드레인 전극과 연결된 제1 연결 부재, 상기 제1 연결 부재 위에 위치하며 상기 제1 연결 부재와 연결되는 화소 전극, 상기 화소 전극과 중첩하는 발광층 및 공통 전극, 그리고 상기 공통 전극과 상기 기판 사이에 위치하며, 상기 주변 영역의 적어도 일부와 중첩하는 유기 절연층을 포함하고, 상기 유기 절연층은 상기 주변 영역과 중첩하는 밸리를 포함하고, 상기 주변 영역에 위치하는 전원 배선은 상기 밸리와 중첩한다.
상기 표시 장치는 상기 제1 연결 부재와 동일한 층에 위치하며 상기 주변 영역에 위치하는 제2 연결 부재를 더 포함하고, 상기 제2 연결 부재는 상기 밸리와 중첩할 수 있다.
상기 유기 절연층은 상기 드레인 전극과 상기 제1 연결 부재 사이에 위치하는 제1 유기 절연층, 그리고 상기 제1 연결 부재와 상기 화소 전극 사이에 위치하는 제2 유기 절연층을 포함하고, 상기 제1 유기 절연층은 제1 밸리를 포함하고, 상기 제2 유기 절연층은 제2 밸리를 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 공통 전극 위에 위치하는 봉지층을 더 포함하며, 상기 봉지층은 제1 무기층 및 제2 무기층, 그리고 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 상기 제2 밸리 내에 위치할 수 있다.
실시예들에 따르면 주변 영역에 위치하는 봉지층의 유기층은 상부면이 평탄하게 형성될 수 있다. 이에 따라 봉지층 위에 위치하는 터치 배선 역시 안정적으로 형성될 수 있다. 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에서 A-A'선을 따라 자른 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1에서 A-A'선을 따라 자른 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 1에서 A-A'선을 따라 자른 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 1에서 A-A'선을 따라 자른 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 대한 등가 회로도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 개략적인 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
이하에서는 도 1 및 도 2를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1에서 A-A'선을 따라 자른 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 1을 참고하면, 표시 장치는 표시 패널(10), 표시 패널(10)에 접합되어 있는 연성 인쇄 회로막(20), 그리고 집적회로 칩(30) 등을 포함하는 구동 장치를 포함한다.
표시 패널(10)은 영상이 표시되는 화면에 해당하는 표시 영역(DA), 그리고 표시 영역(DA) 주변에 위치하는 주변 영역(PA)을 포함한다. 주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA)에 인가되는 각종 신호들을 생성 및/또는 전달하기 위한 회로들 및/또는 신호선들이 배치되어 있다. 도 1에서 일점쇄선 사각형 안쪽과 바깥쪽이 각각 표시 영역(DA)과 주변 영역(PA)에 해당한다.
표시 패널(10)의 표시 영역(DA)에는 화소(PX)들이 예컨대 행렬로 배치되어 있다. 표시 영역(DA)에는 스캔선들(게이트선들이라고도 함), 발광 제어선들, 데이터선들, 구동 전압선 같은 신호선들(도시되지 않음)이 또한 배치되어 있다. 각각의 화소(PX)에는 스캔선, 발광 제어선, 데이터선 및 구동 전압선이 연결되어 있다. 각각의 화소(PX)는 이들 신호선으로부터 스캔 신호(게이트 신호라고도 함), 발광 제어 신호, 데이터 신호 및 구동 전압을 인가 받을 수 있다. 각각의 화소(PX)는 유기 발광 다이오드일 수 있는 발광 소자를 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)은 사용자의 접촉 또는 비접촉 터치를 감지하기 위한 터치부를 포함할 수 있다.
모서리들이 둥근 사각형의 표시 영역(DA)이 도시되어 있지만, 표시 영역(DA)은 사각형 외의 다각형, 원형, 타원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
표시 패널(10)의 주변 영역(PA)에는 표시 패널(10)의 외부로부터 신호들을 전달받기 위한 패드들이 형성되어 있는 패드부(pad portion)(PP)가 위치한다. 패드부(PP)는 표시 패널(10)의 한 가장자리 부근을 따라 제1 방향(x)으로 길게 위치할 수 있다. 패드부(PP)에는 연성 인쇄 회로막(20)이 접합(bonding)되어 있고, 연성 인쇄 회로막(20)의 패드들은 패드부(PP)의 패드들에 전기적으로 연결될 수 있다.
표시 패널(10)의 주변 영역(PA)에는 표시 패널(10)를 구동하기 위한 각종 신호를 생성 및/또는 처리하는 구동 장치(driving unit)가 위치한다. 구동 장치는 데이터선들에 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동부(data driver), 스캔선들에 스캔 신호를 인가하는 스캔 구동부(scan driver), 발광 제어선들에 발광 제어 신호를 인가하는 발광 구동부(emission driver), 그리고 데이터 구동부, 스캔 구동부 및 발광 구동부를 제어하는 신호 제어부(signal controller)를 포함할 수 있다. 스캔 구동부 및 발광 구동부는 표시 패널(10)에 집적되어 있을 수 있고, 표시 영역(DA)의 좌우 양측 또는 일측에 위치할 수 있다. 데이터 구동부 및 신호 제어부는 집적회로 칩(구동 IC 칩이라고도 함)(30)으로 제공될 수 있고, 집적회로 칩(30)은 표시 패널(10)의 주변 영역(PA)에 실장될 수 있다. 집적회로 칩(30)은 표시 패널(10)에 접합될 수 있는 연성 인쇄 회로막 등에 실장되어 표시 패널(10)에 전기적으로 연결될 수도 있다.
표시 패널(10)은 표시 영역(DA)을 전체적으로 덮는 봉지층(EN)을 포함한다. 봉지층은 표시 영역(DA), 특히 발광 소자들을 밀봉하여 표시 패널(10) 내부로 수분이나 산소가 침투하는 것을 막는 역할을 한다. 봉지층(EN)의 가장자리는 표시 패널(10)의 가장자리와 표시 영역(DA) 사이에 위치할 수 있다.
주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA)을 둘러싸는 밸리(VA)가 위치할 수 있다. 밸리(VA)는 표시 패널(10)의 가장자리를 따라 위치할 수 있으며, 일 예로 표시 패널(10)의 네 가장자리를 따라 위치할 수 있다. 밸리(VA)의 가장자리는 실질적으로 표시 패널(10)의 가장자리와 평행할 수 있다.
밸리(VA)는 유기 절연층이 제거된 영역을 지칭한다. 투습에 취약한 유기 절연층이 제거됨으로써 일부 유기 절연층을 타고 침투한 습기 등이 표시 영역(DA)으로 흘러 들어가는 것을 방지할 수 있다.
표시 패널(10)은 벤딩 영역(bending region)(BR)을 포함할 수 있다. 벤딩 영역(BR)은 표시 영역(DA)과 패드부(PP) 사이의 주변 영역(PA)에 위치할 수 있다. 벤딩 영역(BR)은 제1 방향(x)으로 표시 패널(10)을 가로질러 위치할 수 있다. 표시 패널(10)은 벤딩 영역(BR)에서 제1 방향(x)과 평행한 벤딩축을 중심으로 소정의 곡률 반경으로 벤딩될 수 있다. 표시 패널(10)이 전면 발광형(top emission type)인 경우, 벤딩 영역(BR)보다 표시 영역(DA)으로부터 멀리 있는 패드부(PP) 및 연성 인쇄 회로막(20)이 표시 패널(10)의 뒤쪽에 위치하도록 벤딩될 수 있다. 표시 장치가 적용되는 전자 장치에서 표시 패널(10)은 이와 같이 벤딩된 상태일 수 있다. 벤딩 영역(BR)은 하나의 벤딩축을 중심으로 벤딩될 수 있고, 두 개 이상의 벤딩축을 중심으로 벤딩될 수도 있다. 도면에서 벤딩 영역(BR)이 주변 영역(PA)에 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 벤딩 영역(BR)은 표시 영역(DA)과 주변 영역(PA)에 걸쳐 있거나, 표시 영역(DA)에 위치할 수도 있다.
이제 도 2를 참고하여 표시 패널(10)의 단면 구조에 대해 상세하게 설명한다. 도 2는 표시 패널(10)의 좌측 가장자리 부근의 단면을 개략적으로 도시한다. 표시 패널(10)의 우측 가장자리 부근은 좌측 가장자리 부근과 대략 대칭인 단면 구조를 가질 수 있다.
우선 도 2에서 표시 영역(DA)에 대해 설명하고 이후 주변 영역(PA)에 대해 설명한다.
먼저 기판(110)은 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 포함하고, 표시 영역(DA) 위에는 여러 층들, 배선들, 소자들이 위치한다. 표시 패널(10)의 표시 영역(DA)에는 매우 많은 화소가 배치되어 있지만, 도면의 복잡화를 피하기 위해 하나의 화소만을 간략하게 도시하여 설명하기로 한다. 또한, 각각의 화소(PX)는 트랜지스터들과 축전기와 발광 소자를 포함하지만, 하나의 트랜지스터와 이에 연결되어 있는 하나의 발광 소자(LED)를 중심으로, 표시 패널(10)의 적층 구조에 대해 설명한다.
기판(110)은 연성(flexible) 기판이거나 경성(rigid) 기판일 수 있다. 기판(110)은 일 예로 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 같은 폴리머를 포함하거나 유리, 석영, 세라믹 등을 포함할 수 있다.
기판(110) 위에는 외부에서 유입되는 수분 또는 이물질 등의 침투를 방지하기 위한 배리어층(115)이 위치할 수 있다. 배리어층(115)은 규소 산화물(SiOx), 규소 질화물(SiNx) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
배리어층(115) 위에는 버퍼층(120)이 위치할 수 있다. 버퍼층(120)은 반도체층(130)을 형성하는 공정에서 기판(110)으로부터 반도체층(130)으로 확산될 수 있는 불순물을 차단하고 기판(110)이 받는 스트레스를 줄일 수 있다. 버퍼층(120)은 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
버퍼층(120) 위에는 반도체층(130)이 위치할 수 있다. 반도체층(130)은 게이트 전극(124a)과 중첩하는 채널 영역(133)과 그 양측에 위치하며 불순물이 도핑되어 있는 소스 영역(131) 및 드레인 영역(132)을 포함할 수 있다. 반도체층(130)은 다결정 규소, 비정질 규소, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
반도체층(130) 위에는 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함하는 제1 절연층(141)이 위치할 수 있다. 제1 절연층(141)은 제1 게이트 절연층으로 불릴 수 있다.
제1 절연층(141) 위에는 스캔선, 트랜지스터의 게이트 전극(124a)을 포함하는 제1 게이트 도전체가 위치할 수 있다. 제1 게이트 도전체는 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다.
제1 절연층(141) 및 제1 게이트 도전체 위에는 제2 절연층(142)이 위치할 수 있다. 제2 절연층(142)은 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 절연층(142)은 제2 게이트 절연층으로 불릴 수 있다.
제2 절연층(142) 위에 유지 전극(124b)을 포함하는 유지선과 같은 제2 게이트 도전체가 위치할 수 있다. 제2 게이트 도전체는 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다.
제2 게이트 도전체 위에는 제3 절연층(160)이 위치할 수 있다. 제3 절연층(160)은 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제3 절연층(160) 위에는 데이터선, 구동 전압선(driving voltage line), 전원 배선(power line)(178), 트랜지스터의 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 포함하는 제1 데이터 도전체가 위치할 수 있다.
소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 각각은 제3 절연층(160), 제2 절연층(142) 및 제1 절연층(141)이 가지는 접촉 구멍들을 통해 반도체층(130)의 소스 영역(131) 및 드레인 영역(132)에 연결될 수 있다.
제1 데이터 도전체는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 데이터 도전체는 티타늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti), 티타늄/구리/티타늄(Ti/Cu/Ti), 몰리브덴/알루미늄/티타늄(Mo/Al/Mo) 같은 다중층일 수 있다.
게이트 전극(124a), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체층(130)과 함께 트랜지스터를 이룬다. 도시된 트랜지스터는 게이트 전극(124a)이 반도체층(130)보다 위에 위치하지만, 트랜지스터의 구조는 이에 한정되는 것은 아니고 다양하게 변경 수 있다.
제3 절연층(160) 및 제1 데이터 도전체 위에는 제1 유기 절연층(181)이 위치할 수 있다. 제1 유기 절연층(181)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 예컨대 폴리이미드, 아크릴계 폴리머, 실록산계 폴리머 등을 포함할 수 있다.
제1 유기 절연층(181) 위에는 제1 연결 부재(177), 구동 제어 신호선(179), 제2 연결 부재(188) 등을 포함하는 제2 데이터 도전체가 위치할 수 있다.
제1 연결 부재(177)는 드레인 전극(175)과 후술할 화소 전극(191)을 연결할 수 있다. 제1 연결 부재(177)는 드레인 전극(175)과 화소 전극(191) 사이의 저항을 감소시킴으로써 고휘도를 가지며 고주파에서 구동 가능한 발광 소자를 제공할 수 있다.
제2 데이터 도전체 및 제1 유기 절연층(181) 위에 제2 유기 절연층(182)이 위치한다. 제2 유기 절연층(182)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 예컨대 폴리이미드, 아크릴계 폴리머 등을 포함할 수 있다.
제2 유기 절연층(182) 위에는 발광 소자(LED)의 화소 전극(191)이 위치할 수 있다. 화소 전극(191)은 제2 유기 절연층(182)이 가지는 접촉 구멍을 통해 제1 연결 부재(177)와 연결될 수 있으며, 제1 연결 부재(177)를 통해 드레인 전극(175)과 연결될 수 있다.
화소 전극(191)은 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 알루미늄네오듐(AlNd), 알루미늄니켈란타늄(AlNiLa) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 또는 화소 전극(191)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 같은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 화소 전극(191)은 ITO/은(Ag)/ITO, ITO/알루미늄(Al) 같은 다중층일 수 있다.
제2 유기 절연층(182) 위에는 화소 전극(191)과 중첩하는 개구부를 가지는 격벽(360)이 위치할 수 있다. 격벽(360)의 개구부는 각각의 화소 영역을 정의할 수 있다. 격벽(360)은 화소 정의층으로 불릴 수 있다. 격벽(360)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
격벽(360)의 개구부와 중첩하는 화소 전극(191) 위에는 발광층(370)이 위치하고, 발광층(370) 위에는 공통 전극(270)이 위치한다.
공통 전극(270)은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 등의 일함수가 낮은 금속으로 얇게 층을 형성함으로써 광 투과성을 가지도록 할 수 있다. 공통 전극(270)은 ITO, IZO 같은 투명 도전 물질을 포함할 수도 있다.
각 화소의 화소 전극(191), 발광층(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 다이오드 같은 발광 소자(LED)를 이룬다.
공통 전극(270) 위에는 봉지층(EN)이 위치할 수 있다. 봉지층(EN)은 발광 소자(LED)를 밀봉하여 외부로부터 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(EN)은 표시 영역(DA) 전체를 덮고 있으며, 봉지층(EN)의 가장자리(edge)는 주변 영역(PA)에 위치할 수 있다.
봉지층(EN)은 하나 이상의 무기층과 하나 이상의 유기층이 적층된 구조를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따라 봉지층(EN)은 제1 무기층(391), 유기층(392) 및 제2 무기층(393)을 포함할 수 있다. 봉지층(EN)에서 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)은 주로 수분 등의 침투를 방지하고, 유기층(392)은 주로 봉지층(EN)의 표면, 특히 봉지층(EN)의 상부면을 평탄화할 수 있다.
제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)은 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 유기층(392)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 페릴렌계 수지 등의 유기 물질을 포함할 수 있다.
본 명세서는 도시하지 않았으나 봉지층(EN) 위에는 외광 반사를 줄이기 위한 편광층이 위치할 수 있다. 봉지층(EN)과 편광층 사이에는 터치를 감지하기 위한 터치 전극(TP)이 위치할 수 있다.
터치 전극(TP)은 봉지층(EN)의 제2 무기층(393) 위에 위치할 수 있다. 터치 전극(TP)은 복수의 블록 형태를 가질 수 있으며, ITO 등과 같은 투명 도전성 물질을 포함하거나 메탈 메쉬 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 터치 전극(TP)은 별도의 터치 패널에 부착되는 것이 아니라 봉지층(EN) 상에 직접 배치될 수 있다. 별도로 터치 패널을 제조하여 부착하는 방식에 비해 터치 전극(TP)을 형성하는 공정이 간소화될 수 있고, 경량 박형의 표시 장치 제공이 가능하다.
이하에서는 주변 영역(PA)에 위치하는 구성요소에 대해 설명한다. 표시 영역(DA)에 위치하는 구성요소와 연계하여 설명할 수 있으며 중복된 설명은 일부 생략할 수 있다.
주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA)으로부터 연장된 기판(110), 배리어층(115), 버퍼층(120), 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)이 차례로 적층될 수 있다.
제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)의 가장자리는 중첩할 수 있다. 일 예로 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)의 가장자리는 실질적으로 정렬될 수 있다.
제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)의 가장자리는 기판(110)의 가장자리보다 내측에 위치할 수 있다. 다시 말해, 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)의 가장자리는 기판(110)의 가장자리보다 표시 영역(DA)에 가깝게 위치할 수 있다.
주변 영역(PA)에서 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)의 가장자리에는 크랙 댐(CD)이 위치할 수 있다. 크랙 댐(CD)은 예컨대 기판(110)의 가장자리에 대응하게 표시 패널(10)의 절단 시 배리어층(115), 버퍼층(120) 같은 무기 절연층에서 발생할 수 있는 크랙이 전파되는 것을 방지하는 역할을 한다. 크랙 댐(CD)은 유기 물질로 형성될 수 있으며, 예컨대 제1 유기 절연층(181), 제2 유기 절연층(182) 및 격벽(360) 중 적어도 어느 하나와 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다.
크랙 댐(CD)은 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160) 중 적어도 하나의 가장자리를 덮을 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고 크랙 댐(CD)은 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)과 중첩하지 않을 수도 있다.
주변 영역(PA)에 위치하는 제3 절연층(160) 위에는 전원 배선(178)이 위치할 수 있다. 전원 배선(178)은 표시 영역(DA)에 위치하는 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 전원 배선(178)은 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 포함하는 제1 데이터 도전체와 동일한 공정에서 형성될 수 있으며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
전원 배선(178)은 발광 소자(LED)에 인가될 수 있는 소정 레벨의 전원 전압(power voltage)을 전달할 수 있으며, 예컨대 공통 전압(ELVSS)을 전달할 수 있다. 전원 배선(178)은 일단과 타단이 패드부(PP)에 전기적으로 연결되어 있을 수 있고, 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
전원 배선(178) 및 제3 절연층(160) 위에 제1 유기 절연층(181)이 위치한다.
주변 영역(PA)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)은 제1 밸리(V1)를 포함할 수 있다. 제1 밸리(V1)는 제1 유기 절연층(181)이 제거된 영역을 지칭한다. 제1 밸리(V1)는 기판(110) 외측에서 제1 유기 절연층(181)을 통해 유입된 수분 등의 이동 경로를 차단하여 표시 영역(DA)으로 수분 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
제1 밸리(V1)는 제1 유기 절연층(181)을 관통한다. 제1 밸리(V1)는 제1 유기 절연층(181)의 두께와 실질적으로 동일한 높이를 가질 수 있다.
주변 영역(PA)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181) 위에 구동 제어 신호선(179) 및 제2 연결 부재(188)가 위치할 수 있다. 구동 제어 신호선(179) 및 제2 연결 부재(188)는 표시 영역(DA)에 위치하는 제1 연결 부재(177)와 동일한 층 상에 위치할 수 있다. 구동 제어 신호선(179) 및 제2 연결 부재(188)는 제1 연결 부재(177)와 동일한 공정에서 형성될 수 있으며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
구동 제어 신호선(179)은 주변 영역(PA)에서 구동 회로 영역에 위치할 수 있는 스캔 구동부 및/또는 발광 구동부에 수직 개시 신호, 클록 신호 등의 신호들과 특정 레벨의 저전압을 제공하는 신호들을 전달할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 연결 부재(188)는 제1 유기 절연층(181) 위에 위치하며 전원 배선(178)과 연결될 수 있다. 제2 연결 부재(188)와 전원 배선(178)의 연결을 위해 전원 배선(178)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)의 일부는 제거될 수 있다.
제1 유기 절연층(181), 구동 제어 신호선(179) 및 제2 연결 부재(188) 위에 제2 유기 절연층(182)이 위치할 수 있다.
주변 영역(PA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)의 두께는 표시 영역(DA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)의 두께와 다를 수 있다. 표시 영역(DA)과 중첩하는 제2 유기 절연층(182)은 제1 높이(h1)를 가지고, 주변 영역(PA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)은 제2 높이(h2)를 가질 수 있다. 이때 제1 높이(h1)는 제2 높이(h2) 보다 클 수 있으며 일 예로 제1 높이(h1)는 제2 높이(h2)의 약 2배일 수 있다. 주변 영역(PA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)의 일면(특히 상부면)과, 표시 영역(DA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)의 일면(특히 상부면)은 단차를 형성할 수 있다.
서로 다른 높이를 가지는 복수의 영역을 포함하는 제2 유기 절연층(182)은 단일 공정으로 형성될 수 있으며, 일 예로 하프톤 마스크를 사용하여 형성될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 유기 절연층(182)은 제2 밸리(V2)를 포함할 수 있다. 제2 밸리(V2)는 제2 유기 절연층(182)이 제거된 영역을 지칭한다. 제2 밸리(V2)는 기판(110) 외측으로부터 제2 유기 절연층(182) 또는 제1 유기 절연층(181)을 통해 이동하는 수분 또는 이물질의 이동 경로를 차단하여 표시 영역(DA)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
제2 밸리(V2)는 주변 영역(PA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)을 관통할 수 있다. 제2 밸리(V2)는 주변 영역(PA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)의 두께와 실질적으로 동일한 높이를 가질 수 있다. 제2 밸리(V2)는 제2 높이(h2)와 같은 높이를 가질 수 있다.
일 실시예에 따라 제1 밸리(V1)와 제2 밸리(V2)는 중첩할 수 있다. 제1 밸리(V1)의 가장자리와 제2 밸리(V2)의 가장자리는 정렬될 수 있으며 서로 중첩할 수 있다. 제1 밸리(V1)와 제2 밸리(V2)가 실질적으로 중첩하는 경우, 이들은 하나의 밸리로 볼 수도 있다.
제2 유기 절연층(182) 위에 화소 전극(191)과 동일한 층에 위치하는 제3 연결 부재(198)가 위치할 수 있다. 제3 연결 부재(198)는 화소 전극(191)과 동일한 공정에서 동일한 재료로 형성될 수 있다.
제3 연결 부재(198)는 제2 연결 부재(188)를 통해 전원 배선(178)과 연결되어 있다. 제3 연결 부재(198)는 표시 영역(DA)과 중첩하는 공통 전극(270)과 연결될 수 있다. 제3 연결 부재(198) 및 제2 연결 부재(188)를 통해 공통 전극(270)에 전원 배선(178)을 연결할 수 있다. 전원 배선(178)이 전원 전압으로 공통 전압(ELVSS)을 전달하는 경우 공통 전극(270)은 공통 전압(ELVSS)을 인가 받을 수 있다.
제2 유기 절연층(182) 위에 위치하는 제3 연결 부재(198)는 패터닝된 형태를 가질 수 있다. 이때 제3 연결 부재(198)와 구동 제어 신호선(179)은 Z 방향을 따라 실질적으로 중첩하지 않을 수 있다. 구동 제어 신호선(179) 역시 패터닝된 형태를 가질 수 있으며 제3 연결 부재(198)와 중첩하지 않는 영역에 위치할 수 있다. 제3 연결 부재(198)와 구동 제어 신호선(179)은 엇갈리게 배치될 수 있다. 제3 연결 부재(198)와 구동 제어 신호선(179)을 평면 상으로 살펴보면 서로 엇갈리는 영역에 위치하므로 전체적으로는 면형을 이룰 수 있다. 제3 연결 부재(1980 및 구동 제어 신호선(179)는 엇갈리게 배치됨에 따라 하부에서 발생되나 터치 배선(TL) 등에 불필요한 신호를 차폐할 수 있다.
제3 연결 부재(198)는 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2) 내에 위치할 수 있다. 제3 연결 부재(198)는 제1 유기 절연층(181) 및 제2 유기 절연층(182)을 관통하는 형상을 가질 수 있다. 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2)에 제3 연결 부재(198)와 같이 유기 물질이 아닌 물질이 채워지는 경우 유기 절연층을 따라 이동한 수분 또는 이물질이 표시 영역(DA)으로 침투하는 것을 차단할 수 있다.
주변 영역(PA)에는 댐(D1, D2)이 적어도 하나 이상 위치할 수 있다. 댐(D1, D2)은 제3 절연층(160) 위에 위치할 수 있다.
댐(D1, D2)은 봉지층(EN)의 유기층(392)을 형성하는 공정에서 사용되는 모노머와 같이 유동성을 가지는 유기 물질이 흘러 넘치는 것을 막는 역할을 할 수 있다. 이에 따라 봉지층(EN)의 유기층(392)의 가장자리는 대체로 댐(D1, D2)보다 안쪽에, 특히 제1 댐(D1) 안쪽에 위치할 수 있다. 유기층(392)의 가장자리는 댐(D1, D2)과 표시 영역(DA) 사이에 위치할 수 있다. 유기층(392)의 가장자리는 댐(D1, D2)의 가장자리보다 표시 영역(DA)에 인접하게 위치할 수 있다.
댐(D1, D2)은 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다. 댐(D1, D2)은 표시 영역(DA)에 위치하는 유기 절연층 또는 무기 절연층 또는 격벽을 이용하여 형성될 수 있다.
일 실시예에 따른 제1 댐(D1)은 하나의 층을 포함할 수 있다. 이때 제1 댐(D1)은 제2 유기 절연층(182)과 동일한 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않고 격벽(360)과 동일한 공정에서 동일한 재료로 형성될 수도 있다.
일 실시예에 따른 제2 댐(D2)은 복수의 층을 포함할 수 있다. 제2 댐(D2)은 제1 유기 절연층(181)과 동일한 공정에서 동일한 재료로 형성된 층, 제2 유기 절연층(182)과 동일한 공정에서 동일한 재료로 형성된 층, 그리고 격벽(360)과 동일한 공정에서 동일한 재료로 형성된 층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA)으로부터 연장된 봉지층(EN)이 위치할 수 있다. 봉지층(EN)이 포함하는 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)은 제3 절연층(160)이 위치하는 가장자리 부근까지 연장될 수 있다. 봉지층(EN)의 제1 무기층(391)과 제2 무기층(393)은 댐(D1, D2) 위로 연장되어 댐(D1, D2)을 덮을 수 있다. 이 경우, 제1 무기층(391)과 제2 무기층(393)의 접촉 면적이 증가하므로, 제1 무기층(391)과 제2 무기층(393) 간의 부착력이 증가할 수 있다.
유기층(392)의 가장자리는 제1 댐(D1)과 밸리(V1, V2) 사이에 위치할 수 있다. 유기층(392)은 밸리(V1, V2)를 채우면서 제1 댐(D1)을 넘어가지 않는 위치까지 형성될 수 있다. 유기층(392)은 밸리(V1, V2) 내에 위치할 수 있다.
유기층(392)은 모노머와 같은 유기 물질로 형성될 수 있다. 유기층(392)이 형성되는 공정에서 유기 물질은 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2) 내로 흘러 들어갈 수 있다. 제2 밸리(V2)의 높이는 제2 유기 절연층(182)의 두께에 의해 결정되는데, 일 실시예에 따르면 주변 영역(PA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)의 두께는 표시 영역(DA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)의 두께보다 얇게 형성되므로 제2 밸리(V2)의 높이 역시 작게 형성될 수 있다. 따라서 유기층(392)을 형성하는 공정에서 제공되는 유기 물질은 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2)를 충분히 채우면서 제1 댐(D1)과 밸리(V1, V2) 사이에 위치하는 가장자리를 가질 수 있다. 일 실시예에 따른 유기층(392)은 평탄한 상부면을 가질 수 있다.
한편 전술한 일 실시예와 달리 제2 밸리(V2)의 높이가 표시 영역(DA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)의 두께와 실질적으로 동일한 경우 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2)를 채우기 위해 상당한 양의 유기 물질이 필요할 수 있다. 이 경우 유기 물질은 제1 밸리 및 제2 밸리를 채우고 제1 댐(D1) 근처까지 흘러가지 못하거나 제1 밸리 및 제2 밸리를 완전히 채우지 못하는 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라 유기층(392)의 상부면이 움푹 파지는 등 유기층(392)은 평탄화되지 않은 상부면을 가질 수 있다. 유기층(392)의 상부면에는 터치 전극(TP)과 연결되는 터치 배선(TL)이 위치할 수 있는데, 터치 배선(TL)의 형성이 용이하지 않고 쇼트 불량이 발생할 가능성이 있다.
주변 영역(PA)에 위치하는 봉지층(EN) 상부면에는 표시 영역(DA)에 위치하는 터치 전극(TP)과 연결되는 복수의 터치 배선(TL)이 위치할 수 있다. 터치 배선(TL)은 터치 전극(TP)과 연결되어 터치 감지 신호를 전달한다. 터치 배선(TL)은 터치 전극(TP)과 동일한 공정에서 동일한 물질로 형성되거나 다른 공정에서 다른 물질로 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면 주변 영역(PA)에 위치하는 터치 배선(TL)과 표시 영역(DA)에 위치하는 터치 전극(TP)은 단차를 가질 수 있다. 다시 말해 터치 배선(TL)이 위치하는 봉지층(EN)의 일면과, 터치 전극(TP)이 위치하는 봉지층(EN)의 일면은 단차를 가질 수 있다.
한편 본 명세서는 도시하지 않았으나 기판(110) 하부에 위치하는 보호 필름(미도시)을 더 포함할 수 있다. 보호 필름은 점착제에 의해 표시 패널의 배면에 부착되거나 코팅 공정을 통해 점착제 없이 형성될 수 있다.
보호 필름은 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리이미드, 폴리에틸렌 설파이드(polyethylene sulfide) 같은 플라스틱을 포함할 수 있다.
이하에서는 도 3 내지 도 5 각각은 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 도 3은 도 1에서 A-A'선을 따라 자른 일 실시예의 개략적인 단면도이고, 도 4는 도 1에서 A-A'선을 따라 자른 일 실시예의 개략적인 단면도이고, 도 5는 도 1에서 A-A'선을 따라 자른 일 실시예의 개략적인 단면도이다. 도 3 내지 도 5에 도시된 표시 영역(DA)에 위치하는 구성요소는 도 2에서 설명한 바와 동일하므로 이하에서는 설명을 생략하기로 한다.
우선 도 3을 참조하면 주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA)으로부터 연장된 기판(110), 배리어층(115), 버퍼층(120), 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)이 차례로 적층될 수 있다.
제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)의 가장자리는 정렬될 수 있다. 일 예로 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)의 가장자리는 중첩할 수 있다.
주변 영역(PA)에서 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)의 가장자리에는 크랙 댐(CD)이 위치할 수 있다. 크랙 댐(CD)은 예컨대 기판(110)의 가장자리에 대응하게 표시 패널(10)의 절단 시 배리어층(115), 버퍼층(120) 같은 무기 절연층에서 발생할 수 있는 크랙이 전파되는 것을 방지하는 역할을 한다. 크랙 댐(CD)은 유기 물질 또는 무기 물질로 형성될 수 있으며, 예컨대 제1 유기 절연층(181), 제2 유기 절연층(182) 및 격벽(360) 중 적어도 어느 하나와 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다.
주변 영역(PA)에 위치하는 제3 절연층(160) 위에는 전원 배선(178)이 위치할 수 있다. 전원 배선(178)은 표시 영역(DA)에 위치하는 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 전원 배선(178)은 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 포함하는 제1 데이터 도전체와 동일한 공정에서 형성될 수 있으며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
전원 배선(178)은 화소의 발광 소자(LED)에 인가될 수 있는 소정 레벨의 전원 전압(power voltage)을 전달할 수 있으며, 예컨대 공통 전압(ELVSS)을 전달할 수 있다.
전원 배선(178) 및 제3 절연층(160) 위에 제1 유기 절연층(181)이 위치한다. 주변 영역(PA)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)의 두께와 표시 영역(DA)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)의 두께는 상이할 수 있다. 구체적으로 표시 영역(DA)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)은 제3 높이(h3)를 가지고, 주변 영역(PA)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)은 제4 높이(h4)를 가진다. 이때 제3 높이(h3)는 제4 높이(h4) 보다 클 수 있으며 일 예로 제3 높이(h3)는 제4 높이(h4)의 약 2배일 수 있다.
서로 다른 높이를 가지는 복수의 영역을 포함하는 제1 유기 절연층(181)은 단일 공정으로 형성될 수 있으며 일 예로 하프톤 마스크를 사용하여 형성될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
주변 영역(PA)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)은 제1 밸리(V1)를 포함할 수 있다. 제1 밸리(V1)는 제1 유기 절연층(181)이 제거된 영역을 지칭한다. 제1 밸리(V1)는 기판(110) 외측으로부터 제1 유기 절연층(181)으로 유입된 수분 등의 이동 경로를 차단하여 표시 영역(DA)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
제1 밸리(V1)는 주변 영역(PA)에 위치하는 제1 유기 절연층(181)의 두께와 실질적으로 동일한 높이를 가질 수 있다. 제1 밸리(V1)는 제4 높이(h4)와 실질적으로 동일한 높이를 가질 수 있다.
제1 유기 절연층(181) 위에 구동 제어 신호선(179) 및 제2 연결 부재(188)가 위치할 수 있다. 구동 제어 신호선(179) 및 제2 연결 부재(188)는 표시 영역(DA)에 위치하는 제1 연결 부재(177)와 동일한 층 상에 위치할 수 있다. 구동 제어 신호선(179) 및 제2 연결 부재(188)는 제1 연결 부재(177)와 동일한 공정에서 형성될 수 있으며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제2 연결 부재(188)는 제1 유기 절연층(181) 위에 위치하며 전원 배선(178)과 연결될 수 있다. 제2 연결 부재(188)와 전원 배선(178)의 연결을 위해 전원 배선(178)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)의 일부는 제거될 수 있다.
구동 제어 신호선(179) 및 제2 연결 부재(188) 위에 제2 유기 절연층(182)이 위치할 수 있다. 일 실시예에 따라 표시 영역(DA)과 중첩하는 제2 유기 절연층(182)의 두께와 주변 영역(PA)과 중첩하는 제2 유기 절연층(182)의 두께는 실질적으로 동일할 수 있다. 표시 영역(DA)과 중첩하는 제2 유기 절연층(182)의 두께를 제1 높이(h1)로 지칭하고, 주변 영역(PA)과 중첩하는 제2 유기 절연층(182)의 두께를 제2 높이(h2)로 지칭할 때, 제1 높이(h1)와 제2 높이(h2)는 실질적으로 동일할 수 있다. 실질적으로 동일하다는 것은 완전히 동일한 것만을 의미하는 것이 아니며, 공정 오차에 따라 일부 차이가 날 수도 있음을 의미한다.
제2 유기 절연층(182)은 제2 밸리(V2)를 포함할 수 있다. 제2 밸리(V2)는 제2 유기 절연층(182)이 제거된 영역을 지칭한다. 제2 밸리(V2)는 기판(110) 외측으로부터 제2 유기 절연층(182)을 통해 유입된 수분 등의 이동 경로를 차단하여 표시 영역(DA)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에 따라 제1 밸리(V1)와 제2 밸리(V2)는 중첩할 수 있다. 제1 밸리(V1)의 가장자리와 제2 밸리(V2)의 가장자리는 정렬될 수 있으며 서로 중첩할 수 있다.
제2 유기 절연층(182) 위에 화소 전극(191)과 동일한 층에 위치하는 제3 연결 부재(198)가 위치할 수 있다. 제3 연결 부재(198)는 제2 연결 부재(188)를 통해 전원 배선(178)과 연결되어 있으며, 제3 연결 부재(198)는 표시 영역(DA)과 중첩하는 공통 전극(270)과 연결될 수 있다. 제3 연결 부재(198) 및 제2 연결 부재(188)를 통해 공통 전극(270)에 전원 배선(178)을 연결할 수 있다. 전원 배선(178)이 전원 전압으로 공통 전압(ELVSS)을 전달하는 경우 공통 전극(270)은 공통 전압(ELVSS)을 인가 받을 수 있다.
제3 연결 부재(198)는 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2) 내에 위치할 수 있다. 제3 연결 부재(198)는 제1 유기 절연층(181) 및 제2 유기 절연층(182)을 관통하는 형상을 가질 수 있다. 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2)에 제3 연결 부재(198)와 같이 유기 물질이 아닌 물질이 채워지는 경우 표시 영역(DA)으로 수분 또는 이물질이 침투하는 것을 차단할 수 있다.
주변 영역(PA)에는 댐(D1, D2)이 적어도 하나 이상 위치할 수 있다. 댐(D1, D2)은 제3 절연층(160) 위에 위치할 수 있다.
댐(D1, D2)은 봉지층(EN)의 유기층(392)을 형성하는 공정에서 사용되는 모노머와 같은 유동성을 가지는 유기 물질이 흘러 넘치는 것을 막는 역할을 할 수 있다. 이에 따라 봉지층(EN)의 유기층(392)의 가장자리는 대체로 댐(D1, D2)보다 안쪽에, 특히 제1 댐(D1) 안쪽에 위치할 수 있다. 유기층(392)의 가장자리는 댐(D1, D2)과 표시 영역(DA) 사이에 위치할 수 있다.
주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA)으로부터 연장된 봉지층(EN)이 위치할 수 있다. 봉지층(EN)이 포함하는 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)은 제3 절연층(160)이 위치하는 가장자리 부근까지 연장될 수 있다.
봉지층(EN)이 포함하는 유기층(392)의 가장자리는 제1 댐(D1)과 밸리(V1, V2) 사이에 위치할 수 있다. 유기층(392)은 밸리(V1, V2)를 채우면서 제1 댐(D1)에 인접한 위치까지 형성될 수 있다.
유기층(392)은 모노머와 같은 유기 물질로 형성될 수 있다. 유기층(392)이 형성되는 공정에서 유기 물질은 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2) 내로 흘러 들어갈 수 있다. 이때 제1 밸리(V1)의 높이는 제1 유기 절연층(181)의 두께에 의해 결정되는데, 일 실시예에 따르면 주변 영역(PA)에 위치하는 제1 유기 절연층(181)의 두께는 표시 영역(DA)에 위치하는 제1 유기 절연층(181)의 두께 보다 얇게 형성되므로 제1 밸리(V1)의 높이 역시 상대적으로 작게 형성될 수 있다. 따라서 유기층(392)을 형성하는 공정에서 제공되는 유기 물질은 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2)를 충분히 채우면서 제1 댐(D1)과 밸리(V1, V2) 사이에 위치하는 가장자리를 가질 수 있다. 일 실시예에 따른 유기층(392) 및 유기층(392)을 포함하는 봉지층(EN)은 평탄한 상부면을 가질 수 있다.
주변 영역(PA)에 위치하는 봉지층(EN) 상부면에는 터치 전극(TP)과 연결되는 복수의 터치 배선(TL)이 위치할 수 있다. 터치 패선(TL)은 상당히 평탄한 상부면 상에 위치하므로 안정적으로 형성될 수 있다.
한편 전술한 일 실시예와 달리 제1 밸리(V1)의 높이가 표시 영역(DA)에 위치하는 제1 유기 절연층(181)의 두께와 실질적으로 동일한 경우 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2)를 채우기 위해 상당한 양의 유기 물질이 필요할 수 있다. 이 경우 유기 물질은 제1 댐(D1) 근처까지 흘러가지 못하거나 제1 밸리 및 제2 밸리를 완전히 채우지 못하는 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라 유기층(392)의 상부면이 움푹 파지는 등 유기층(392)은 평탄화되지 않은 상부면을 가질 수 있다. 유기층(392)의 상부면에는 터치 전극(TP)과 연결되는 터치 배선(TL)이 위치하는데, 터치 배선(TL)의 형성이 용이하지 않고 쇼트 불량이 발생할 가능성이 있다.
다음 도 4를 참조하면, 주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA)으로부터 연장된 기판(110), 배리어층(115), 버퍼층(120), 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)이 차례로 적층될 수 있다.
주변 영역(PA)에서 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)의 가장자리에는 크랙 댐(CD)이 위치할 수 있다. 크랙 댐(CD)은 예컨대 기판(110)의 가장자리에 대응하게 표시 패널(10)의 절단 시 배리어층(115), 버퍼층(120) 같은 무기 절연층에서 발생할 수 있는 크랙이 전파되는 것을 방지하는 역할을 한다.
주변 영역(PA)에 위치하는 제3 절연층(160) 위에는 전원 배선(178)이 위치할 수 있다. 전원 배선(178)은 표시 영역(DA)에 위치하는 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 전원 배선(178)은 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 포함하는 제1 데이터 도전체와 동일한 공정에서 형성될 수 있으며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
전원 배선(178)은 화소(PX)의 발광 소자(LED)에 인가될 수 있는 소정 레벨의 전원 전압(power voltage)을 전달할 수 있으며, 예컨대 공통 전압(ELVSS)을 전달할 수 있다.
전원 배선(178) 및 제3 절연층(160) 위에 제1 유기 절연층(181)이 위치한다. 주변 영역(PA)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)의 두께와 표시 영역(DA)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)의 두께는 상이할 수 있다. 구체적으로 표시 영역(DA)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)은 제3 높이(h3)를 가지고, 주변 영역(PA)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)은 제4 높이(h4)를 가진다. 이때 제3 높이(h3)는 제4 높이(h4) 보다 클 수 있으며 일 예로 제3 높이(h3)는 제4 높이(h4)의 약 2배일 수 있다.
서로 다른 높이를 가지는 복수의 영역을 포함하는 제1 유기 절연층(181)은 단일 공정으로 형성될 수 있으며 일 예로 하프톤 마스크를 사용하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
주변 영역(PA)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)은 제1 밸리(V1)를 포함할 수 있다. 제1 밸리(V1)는 제1 유기 절연층(181)이 제거된 영역을 지칭한다.
제1 밸리(V1)는 주변 영역(PA)에 위치하는 제1 유기 절연층(181)의 두께와 실질적으로 동일한 높이를 가질 수 있다. 제1 밸리(V1)는 제4 높이(h4)와 실질적으로 동일한 높이를 가질 수 있다.
제1 유기 절연층(181) 위에 구동 제어 신호선(179) 및 제2 연결 부재(188)가 위치할 수 있다. 구동 제어 신호선(179) 및 제2 연결 부재(188)는 표시 영역(DA)에 위치하는 제1 연결 부재(177)와 동일한 층 상에 위치할 수 있다. 구동 제어 신호선(179) 및 제2 연결 부재(188)는 제1 연결 부재(177)와 동일한 공정에서 형성될 수 있으며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제2 연결 부재(188)는 제1 유기 절연층(181) 위에 위치하며 전원 배선(178)과 연결될 수 있다. 제2 연결 부재(188)와 전원 배선(178)의 연결을 위해 전원 배선(178)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)의 일부는 제거될 수 있다.
제1 유기 절연층(181) 및 제2 연결 부재(188) 위에 제2 유기 절연층(182)이 위치할 수 있다.
표시 영역(DA)과 중첩하는 제2 유기 절연층(182)의 두께와 주변 영역(PA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)의 두께는 상이할 수 있다. 주변 영역(PA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)의 두께는 표시 영역(DA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)의 두께보다 작을 수 있다. 표시 영역(DA)과 중첩하는 제2 유기 절연층(182)은 제1 높이(h1)를 가지고, 주변 영역(PA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)은 제2 높이(h2)를 가질 수 있다. 이때 제1 높이(h1)는 제2 높이(h2) 보다 클 수 있으며 일 예로 제1 높이(h1)는 제2 높이(h2)의 약 2배일 수 있다.
서로 다른 높이를 가지는 복수의 영역을 포함하는 제2 유기 절연층(182)은 단일 공정으로 형성될 수 있으며, 일 예로 하프톤 마스크를 사용하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 유기 절연층(182)은 제2 밸리(V2)를 포함할 수 있다. 제2 밸리(V2)는 주변 영역(PA)과 중첩하는 제2 유기 절연층(182)의 두께와 실질적으로 동일한 높이를 가질 수 있으며, 일 예로 제2 높이(h2)를 가질 수 있다. 제2 밸리(V2)는 제2 유기 절연층(182)이 제거된 영역을 지칭한다.
일 실시예에 따라 제1 밸리(V1)와 제2 밸리(V2)는 중첩할 수 있다. 제1 밸리(V1)의 가장자리와 제2 밸리(V2)의 가장자리는 정렬될 수 있으며 서로 중첩할 수 있다.
제2 유기 절연층(182) 위에 화소 전극(191)과 동일한 층에 위치하는 제3 연결 부재(198)가 위치할 수 있다. 제3 연결 부재(198)는 화소 전극(191)과 동일한 공정에서 형성될 수 있으며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제3 연결 부재(198)는 제2 연결 부재(188)를 통해 전원 배선(178)과 연결되어 있으며, 제3 연결 부재(198)는 표시 영역(DA)과 중첩하는 공통 전극(270)과 연결될 수 있다. 제3 연결 부재(198) 및 제2 연결 부재(188)를 통해 공통 전극(270)에 전원 배선(178)을 연결할 수 있다. 전원 배선(178)이 전원 전압으로 공통 전압(ELVSS)을 전달하는 경우 공통 전극(270)은 공통 전압(ELVSS)을 인가 받을 수 있다.
제3 연결 부재(198)는 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2) 내에 위치할 수 있다. 제3 연결 부재(198)는 제1 유기 절연층(181) 및 제2 유기 절연층(182)을 관통하는 형상을 가질 수 있다. 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2)에 제3 연결 부재(198)와 같이 유기 물질이 아닌 물질이 채워지는 경우 표시 영역(DA)으로 수분 또는 이물질이 침투하는 것을 차단할 수 있다.
봉지층(EN)은 제1 무기층(391), 유기층(392), 제2 무기층(393)을 포함할 수 있다. 이때 유기층(392)의 가장자리는 제1 댐(D1)과 밸리(V1, V2) 사이에 위치할 수 있다. 유기층(392)은 밸리(V1, V2)를 채우면서 제1 댐(D1)에 인접한 위치까지 형성될 수 있다.
유기층(392)은 모노머와 같은 유기 물질로 형성될 수 있다. 유기층(392)이 형성되는 공정에서 유기 물질은 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2) 내로 흘러 들어갈 수 있다. 이때 제1 밸리(V1)의 높이는 제1 유기 절연층(181)의 두께에 의해 결정되고, 제2 밸리(V2)의 높이는 제2 유기 절연층(182)의 두께에 의해 결정된다. 일 실시예에 따르면 주변 영역(PA)에 위치하는 제1 유기 절연층(181)의 두께는 표시 영역(DA)에 위치하는 제1 유기 절연층(181)의 두께 보다 얇게 형성되므로 제1 밸리(V1)의 높이가 작게 형성될 수 있다. 이와 유사하게 주변 영역(PA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)의 두께는 표시 영역(DA)에 위치하는 제2 유기 절연층(182)의 두께보다 얇게 형성되므로 제2 밸리(V2)의 높이가 작게 형성될 수 있다. 따라서 유기층(392)을 형성하는 공정에서 제공되는 유기 물질은 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2)를 충분히 채우면서 제1 댐(D1)과 밸리(V1, V2) 사이에 위치하는 가장자리를 가질 수 있다. 일 실시예에 따른 유기층(392)은 평탄한 상부면을 가질 수 있다.
주변 영역(PA)에 위치하는 봉지층(EN) 상부면에는 표시 영역(DA)에 위치하는 터치 전극(TP)과 연결되는 복수의 터치 배선(TL)이 위치할 수 있다.
한편 전술한 일 실시예와 달리 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2)의 높이가 표시 영역(DA)에 위치하는 제1 유기 절연층(181) 및 제2 유기 절연층(182)의 두께와 실질적으로 동일한 경우, 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2)를 채우기 위해 상당한 양의 유기 물질이 필요할 수 있다. 이 경우 유기 물질은 제1 댐(D1) 근처까지 흘러가지 못하거나 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2)를 완전히 채우지 못하는 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라 유기층(392)의 상부면이 움푹 파지는 등 유기층(392)은 평탄화되지 않은 상부면을 가질 수 있다. 유기층(392)의 상부면에는 터치 전극(TP)과 연결되는 터치 배선(TL)이 위치하는데, 터치 배선(TL)의 형성이 용이하지 않고 쇼트 불량이 발생할 가능성이 있다.
다음 도 5를 참조하면, 주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA)으로부터 연장된 기판(110), 배리어층(115), 버퍼층(120), 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)이 차례로 적층될 수 있다.
주변 영역(PA)에서 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)의 가장자리에는 크랙 댐(CD)이 위치할 수 있다. 크랙 댐(CD)은 예컨대 기판(110)의 가장자리에 대응하게 표시 패널(10)의 절단 시 배리어층(115), 버퍼층(120) 같은 무기 절연층에서 발생할 수 있는 크랙이 전파되는 것을 방지하는 역할을 한다. 크랙 댐(CD)은 유기 물질로 형성될 수 있으며, 예컨대 제1 유기 절연층(181), 제2 유기 절연층(182) 및 격벽(360) 중 적어도 어느 하나와 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다.
주변 영역(PA)에 위치하는 제3 절연층(160) 위에는 전원 배선(178)이 위치할 수 있다. 전원 배선(178)은 표시 영역(DA)에 위치하는 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 전원 배선(178)은 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 포함하는 제1 데이터 도전체와 동일한 공정에서 형성될 수 있으며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
전원 배선(178)은 화소의 발광 소자(LED)에 인가될 수 있는 소정 레벨의 전원 전압(power voltage)을 전달할 수 있으며, 예컨대 공통 전압(ELVSS)을 전달할 수 있다.
전원 배선(178) 및 제3 절연층(160) 위에 제1 유기 절연층(181)이 위치한다.
주변 영역(PA)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)은 제1 밸리(V1)를 포함할 수 있다. 제1 밸리(V1)는 제1 유기 절연층(181)이 제거된 영역을 지칭한다. 제1 밸리(V1)는 제1 유기 절연층(181)을 통해 유입된 수분 등의 이동 경로를 차단하여 표시 영역(DA)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에 따른 전원 배선(178)은 표시 영역(DA)을 향해 연장될 수 있으며 일 예로 전원 배선(178)의 일부는 제1 밸리(V1)와 중첩할 수 있다. 제1 밸리(V1)는 전원 배선(178)의 일부를 노출할 수 있다.
제1 유기 절연층(181) 위에 구동 제어 신호선(179) 및 제2 연결 부재(188)가 위치할 수 있다. 구동 제어 신호선(179) 및 제2 연결 부재(188)는 표시 영역(DA)에 위치하는 제1 연결 부재(177)와 동일한 층 상에 위치할 수 있다. 구동 제어 신호선(179) 및 제2 연결 부재(188)는 제1 연결 부재(177)와 동일한 공정에서 형성될 수 있으며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제2 연결 부재(188)는 제1 유기 절연층(181) 위에 위치하며 전원 배선(178)과 연결될 수 있다. 제2 연결 부재(188)와 전원 배선(178)의 연결을 위해 전원 배선(178)과 중첩하는 제1 유기 절연층(181)의 일부는 제거될 수 있다. 다만 일 실시예에 따르면 제2 연결 부재(188)는 제1 밸리(V1)를 통해 전원 배선(178)과 연결될 수 있으므로 실시예에 따라 제1 유기 절연층(181)의 일부는 제거되지 않을 수도 있다.
제2 연결 부재(188)는 제1 밸리(V1) 내에 위치할 수 있다. 제2 연결 부재(188)는 표시 영역(DA)을 향해 연장될 수 있으며 제1 밸리(V1)를 채울 수 있다. 제2 연결 부재(188)는 제1 밸리(V1)를 통해 전원 배선(178)과 연결될 수 있다.
구동 신호 제어선(179) 및 제2 연결 부재(188) 위에 제2 유기 절연층(182)이 위치할 수 있다. 제2 유기 절연층(182)은 제2 밸리(V2)를 포함할 수 있다. 제2 밸리(V2)는 제2 유기 절연층(182)이 제거된 영역을 지칭한다.
일 실시예에 따라 제1 밸리(V1)와 제2 밸리(V2)는 중첩할 수 있다. 제1 밸리(V1)의 가장자리와 제2 밸리(V2)의 가장자리는 정렬될 수 있으며 서로 중첩할 수 있다.
제2 유기 절연층(182) 위에 화소 전극(191)과 동일한 층에 위치하는 제3 연결 부재(198)가 위치할 수 있다. 제3 연결 부재(198)는 화소 전극(191)과 동일한 공정에서 형성될 수 있으며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제3 연결 부재(198)는 제2 연결 부재(188)를 통해 전원 배선(178)과 연결되어 있으며, 제3 연결 부재(198)는 표시 영역(DA)과 중첩하는 공통 전극(270)과 연결될 수 있다. 제3 연결 부재(198) 및 제2 연결 부재(188)를 통해 공통 전극(270)에 전원 배선(178)을 연결할 수 있다. 전원 배선(178)이 전원 전압으로 공통 전압(ELVSS)을 전달하는 경우 공통 전극(270)은 공통 전압(ELVSS)을 인가 받을 수 있다.
제3 연결 부재(198)는 제2 밸리(V2) 내에 위치할 수 있다. 제3 연결 부재(198)는 제2 밸리(V2)와 중첩하도록 표시 영역(DA)을 향해 연장될 수 있다. 제3 연결 부재(198)는 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2) 내에서 제2 연결 부재(188)와 접촉할 수 있다. 제3 연결 부재(198)는 제2 밸리(V2)를 통해 제2 연결 부재(188)와 연결되고, 제2 연결 부재(188)는 제1 밸리(V1)를 통해 전원 배선(178)과 연결되어 공통 전압을 전달할 수 있다.
제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2)는 제2 연결 부재(188) 및 제3 연결 부재(198)와 같이 유기 물질이 아닌 물질로 대부분 채워질 수 있다. 이를 통해 표시 영역(DA)으로 수분 또는 이물질이 침투하는 것을 차단할 수 있다.
주변 영역(PA)에는 댐(D1, D2)이 적어도 하나 이상 위치할 수 있다. 댐(D1, D2)은 봉지층(EN)의 유기층(392)을 형성하는 공정에서 사용되는 모노머와 같은 유동성을 가지는 유기 물질이 흘러 넘치는 것을 막는 역할을 할 수 있다. 이에 따라 봉지층(EN)의 유기층(392)의 가장자리는 대체로 댐(D1, D2)보다 안쪽에, 특히 제1 댐(D1) 안쪽에 위치할 수 있다.
유기층(392)의 가장자리는 댐(D1, D2)과 표시 영역(DA) 사이에 위치할 수 있다. 유기층(392)의 가장자리는 제1 댐(D1)과 밸리(V1, V2) 사이에 위치할 수 있다. 유기층(392)은 밸리(V1, V2)를 채우면서 제1 댐(D1)에 인접한 위치까지 형성될 수 있다.
유기층(392)은 모노머와 같은 유기 물질로 형성될 수 있다. 유기층(392)이 형성되는 공정에서 유기 물질은 제2 밸리(V2) 내로 흘러 들어갈 수 있다. 이때 제1 밸리(V1)는 제2 연결 부재(188)에 의해 채워진 상태이며, 제2 밸리(V2) 역시 제3 연결 부재(198)에 의해 대부분 채워진 상태이다.
유기층(392)을 형성하는 공정에서 제공되는 유기 물질은 적은 양으로도 제1 밸리(V1) 및 제2 밸리(V2)를 충분히 채우면서 제1 댐(D1)과 밸리(V1, V2) 사이에 위치하는 가장자리를 가질 수 있다. 이와 같은 구조 상에 형성된 유기층(392)은 평탄한 상부면을 가질 수 있다.
주변 영역(PA)에 위치하는 봉지층(EN) 상부면에는 표시 영역(DA)에 위치하는 터치 전극(TP)과 연결되는 복수의 터치 배선(TL)이 위치할 수 있다.
이하에서는 도 6 내지 도 7을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역에 대해 설명한다. 도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 대한 회로도이고, 도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 개략적인 단면도이다.
먼저 도 6을 참고하면, 화소(PX)는 복수의 신호선(121, 171, 172)에 의해 구획된 일 영역을 지칭할 수 있으며, 이미지를 표시하는 최소 단위를 말한다. 표시 장치는 복수의 화소들을 이용해 이미지를 표시한다.
신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(171) 및 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 복수의 구동 전압선(172)을 포함한다. 데이터선(171), 구동 전압선(172)을 포함하여 데이터 도전체, 게이트선(121)을 게이트 도전체라고 지칭하기로 한다.
게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)과 구동 전압선(172)의 수직 방향 부분은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.
각 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching thin film transistor)(Qs), 구동 트랜지스터(driving thin film transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 발광 소자(light emitting diode)(LED)를 포함한다. 도면에 표시되지 않았으나, 하나의 화소(PX)는 발광 소자에 제공되는 전류를 보상하기 위해 부가적으로 트랜지스터 및 축전기를 더 포함할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)에 인가되는 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)에 인가되는 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다. 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turnoff)된 뒤에도 이를 유지한다.
발광 소자(LED)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode), 공통 전압(ELVSS)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 발광 소자(LED)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
이제 도 7을 참고하여, 도 6에서 설명한 유지 축전기와 구동 트랜지스터 등이 위치하는 영역에 대한 층간 구조에 대하여 다시 한번 설명한다. 도 2에서 전술한 구체적인 설명에 대해서는 생략하기로 한다.
기판(110) 위에는 외부에서 유입되는 수분 또는 이물질 등의 침투를 방지하기 위한 배리어층(115)이 위치할 수 있다. 배리어층(115) 위에는 버퍼층(120)이 위치할 수 있다. 버퍼층(120)은 반도체층(130)을 형성하는 공정에서 기판(110)으로부터 반도체층(130)으로 확산될 수 있는 불순물을 차단하고 기판(110)이 받는 스트레스를 줄일 수 있다. 배리어층(115) 및 버퍼층(120) 각각은 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
버퍼층(120) 위에는 반도체층(130)이 위치할 수 있다. 반도체층(130)은 게이트 전극(124a)과 중첩하는 채널 영역(133)과 그 양측에 위치하며 불순물이 도핑되어 있는 소스 영역(131) 및 드레인 영역(132)을 포함할 수 있다. 반도체층(130)은 다결정 규소, 비정질 규소, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
반도체층(130) 위에는 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함하는 제1 절연층(141)이 위치할 수 있다. 제1 절연층(141)은 제1 게이트 절연층으로 불릴 수 있다.
제1 절연층(141) 위에는 스캔선, 트랜지스터의 게이트 전극(124a)을 포함하는 제1 게이트 도전체가 위치할 수 있다.
제1 절연층(141) 및 제1 게이트 도전체 위에는 제2 절연층(142)이 위치할 수 있다. 제2 절연층(142)은 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 절연층(142)은 제2 게이트 절연층으로 불릴 수 있다.
제2 절연층(142) 위에 유지 전극(124b)을 포함하는 유지선과 같은 제2 게이트 도전체가 위치할 수 있다. 게이트 전극(124a)과 유지 전극(124b)은 도 6에서 설명한 유지 축전기를 형성할 수 있다.
제2 게이트 도전체 위에는 제3 절연층(160)이 위치할 수 있다. 제3 절연층(160)은 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제3 절연층(160) 위에는 데이터선, 제1 구동 전압선(172), 트랜지스터의 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 포함하는 제1 데이터 도전체가 위치할 수 있다.
소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 각각은 제3 절연층(160), 제2 절연층(142) 및 제1 절연층(141)이 가지는 접촉 구멍들을 통해 반도체층(130)의 소스 영역(131) 및 드레인 영역(132)에 연결될 수 있다.
게이트 전극(124a), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체층(130)과 함께 트랜지스터를 이룬다. 도시된 트랜지스터는 게이트 전극(124a)이 반도체층(130)보다 위에 위치하지만, 트랜지스터의 구조는 이에 한정되는 것은 아니고 다양하게 변경 수 있다.
제3 절연층(160) 및 제1 데이터 도전체 위에는 제1 유기 절연층(181)이 위치할 수 있다. 제1 유기 절연층(181)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 예컨대 폴리이미드, 아크릴계 폴리머, 실록산계 폴리머 등을 포함할 수 있다.
제1 유기 절연층(181) 위에는 제1 연결 부재(177a) 및 제2 구동 전압선(177b)을 포함하는 제2 데이터 도전체가 위치할 수 있다.
제1 연결 부재(177)는 드레인 전극(175)과 후술할 화소 전극(191)을 연결할 수 있다. 제2 구동 전압선(177b)은 제1 구동 전압선(172)과 연결될 수 있으며 구동 전압을 전달할 수 있다. 제2 구동 전압선(177b)은 제1 구동 전압선(172)과 연결되어 저항을 낮출 수 있으며 고휘도 고주파의 표시 패널을 제공할 수 있다.
제2 데이터 도전체 및 제1 유기 절연층(181) 위에 제2 유기 절연층(182)이 위치한다. 제2 유기 절연층(182)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 예컨대 폴리이미드, 아크릴계 폴리머 등을 포함할 수 있다.
제2 유기 절연층(182) 위에는 발광 소자(LED)의 화소 전극(191)이 위치할 수 있다. 화소 전극(191)은 제2 유기 절연층(182)이 가지는 접촉 구멍을 통해 제1 연결 부재(177a)와 연결될 수 있으며, 제1 연결 부재(177a)를 통해 드레인 전극(175)과 연결될 수 있다.
제2 유기 절연층(182) 위에는 화소 전극(191)과 중첩하는 개구부를 가지는 격벽(360)이 위치할 수 있다. 격벽(360)의 개구부는 각각의 화소 영역을 정의할 수 있다. 격벽(360)은 화소 정의층으로 불릴 수 있다. 격벽(360)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
격벽(360)의 개구부와 중첩하는 화소 전극(191) 위에는 발광층(370)이 위치하고, 발광층(370) 위에는 공통 전극(270)이 위치한다.
각 화소의 화소 전극(191), 발광층(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 다이오드 같은 발광 소자(LED)를 이룬다. 발광 소자(LED)가 빛을 방출하는 방향에 따라서 표시 장치는 전면 표시형, 배면 표시형 및 양면 표시형 중 어느 한 구조를 가질 수 있다.
이상 공통 전극 위에 위치하는 구성을 도시하지 않았으나 앞서 도 2에서 설명한 바와 같이 봉지층 및 터치 전극이 차례로 배치될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
DA: 표시 영역
PA: 주변 영역
110: 기판
191: 화소 전극
270: 공통 전극

Claims (20)


  1. 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판,
    상기 표시 영역에 위치하는 트랜지스터,
    상기 트랜지스터와 연결된 화소 전극,
    상기 화소 전극과 중첩하는 공통 전극, 그리고
    상기 공통 전극과 상기 기판 사이에 위치하며, 상기 주변 영역의 적어도 일부와 중첩하는 유기 절연층을 포함하고,
    상기 표시 영역과 중첩하는 상기 유기 절연층의 두께와, 상기 주변 영역과 중첩하는 상기 유기 절연층의 두께가 상이하며,
    상기 유기 절연층은, 상기 주변 영역과 중첩하며 상기 유기 절연층을 관통하는 밸리를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 표시 영역과 중첩하는 상기 유기 절연층은 제1 높이를 가지고,
    상기 주변 영역과 중첩하는 상기 유기 절연층은 제2 높이를 가지며,
    상기 제1 높이는 상기 제2 높이 보다 큰 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 높이는 상기 제2 높이의 약 2배인 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 표시 장치는 상기 공통 전극 위에 위치하며, 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역과 중첩하는 봉지층을 포함하고,
    상기 봉지층은,
    제1 무기층 및 제2 무기층, 그리고
    상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함하는 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 주변 영역과 중첩하는 상기 봉지층 상에는 터치 배선이 위치하고,
    상기 표시 영역과 중첩하는 상기 봉지층 상에는 터치 전극이 위치하는 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 터치 배선이 위치하는 상기 봉지층의 일면과, 상기 터치 전극이 위치하는 상기 봉지층의 일면 사이에는 단차가 형성된 표시 장치.
  7. 제4항에서,
    상기 유기층은 상기 밸리 내에 위치하는 표시 장치.
  8. 제4항에서,
    상기 표시 장치는 상기 주변 영역에 위치하는 댐을 더 포함하고,
    상기 댐으로부터 상기 표시 영역의 가장자리까지의 거리는
    상기 유기층의 가장자리로부터 상기 표시 영역의 가장자리까지의 거리 보다 큰 표시 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 트랜지스터는,
    상기 기판 위에 위치하는 반도체층,
    상기 반도체층과 중첩하는 게이트 전극, 그리고
    상기 반도체층과 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
    상기 표시 장치는 상기 드레인 전극 위에 위치하며 상기 화소 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 제1 연결 부재를 더 포함하는 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 유기 절연층은,
    상기 소스 전극과 상기 제1 연결 부재 사이, 그리고 상기 드레인 전극과 상기 제1 연결 부재 사이에 위치하는 제1 유기 절연층, 그리고
    상기 제1 연결 부재와 상기 화소 전극 사이에 위치하는 제2 유기 절연층을 포함하는 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 제1 유기 절연층 및 상기 제2 유기 절연층 중 적어도 하나는,
    상기 표시 영역과 중첩하는 일 영역과 상기 주변 영역과 중첩하는 타 영역에서의 두께가 상이한 표시 장치.
  12. 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판,
    상기 표시 영역에 위치하는 트랜지스터,
    상기 트랜지스터 위에 위치하는 유기 절연층,
    상기 트랜지스터와 연결된 발광 소자,
    상기 발광 소자 위에 위치하며 유기층을 포함하는 봉지층, 그리고
    상기 봉지층 위에 위치하는 터치 배선 및 터치 전극을 포함하고,
    상기 유기 절연층은 상기 주변 영역과 중첩하는 밸리를 포함하며, 상기 유기층은 상기 밸리 내에 위치하고,
    상기 표시 영역과 중첩하는 상기 유기 절연층과, 상기 주변 영역과 중첩하는 상기 유기 절연층은 단차를 가지는 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 트랜지스터는,
    상기 기판 위에 위치하는 반도체층,
    상기 반도체층과 중첩하는 게이트 전극, 그리고
    상기 반도체층과 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
    상기 표시 장치는 상기 드레인 전극 위에 위치하며 상기 화소 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 제1 연결 부재를 더 포함하는 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 유기 절연층은,
    상기 소스 전극과 상기 제1 연결 부재 사이, 그리고 상기 드레인 전극과 상기 제1 연결 부재 사이에 위치하는 제1 유기 절연층, 그리고
    상기 제1 연결 부재와 상기 화소 전극 사이에 위치하는 제2 유기 절연층을 포함하는 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 제1 유기 절연층 및 상기 제2 유기 절연층 중 적어도 하나는,
    상기 주변 영역과 중첩하는 일 영역의 두께가 상기 표시 영역과 중첩하는 일 영역의 두께보다 작은 표시 장치.
  16. 제12항에서,
    상기 봉지층은 제1 무기층과 제2 무기층을 포함하고,
    상기 유기층은 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 위치하는 표시 장치.
  17. 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판,
    상기 표시 영역과 중첩하는 상기 기판 위에 위치하는 반도체층,
    상기 반도체층과 중첩하는 게이트 전극, 그리고
    상기 반도체층과 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
    상기 드레인 전극 위에 위치하며 상기 드레인 전극과 연결된 제1 연결 부재,
    상기 제1 연결 부재 위에 위치하며 상기 제1 연결 부재와 연결되는 화소 전극,
    상기 화소 전극과 중첩하는 발광층 및 공통 전극, 그리고
    상기 공통 전극과 상기 기판 사이에 위치하며, 상기 주변 영역의 적어도 일부와 중첩하는 유기 절연층을 포함하고,
    상기 유기 절연층은 상기 주변 영역과 중첩하는 밸리를 포함하고,
    상기 주변 영역에 위치하는 전원 배선은 상기 밸리와 중첩하는 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 표시 장치는 상기 제1 연결 부재와 동일한 층에 위치하며 상기 주변 영역에 위치하는 제2 연결 부재를 더 포함하고,
    상기 제2 연결 부재는 상기 밸리와 중첩하는 표시 장치.
  19. 제18항에서,
    상기 유기 절연층은
    상기 드레인 전극과 상기 제1 연결 부재 사이에 위치하는 제1 유기 절연층, 그리고
    상기 제1 연결 부재와 상기 화소 전극 사이에 위치하는 제2 유기 절연층을 포함하고,
    상기 제1 유기 절연층은 제1 밸리를 포함하고, 상기 제2 유기 절연층은 제2 밸리를 포함하는 표시 장치.
  20. 제18항에서,
    상기 표시 장치는 상기 공통 전극 위에 위치하는 봉지층을 더 포함하며,
    상기 봉지층은
    제1 무기층 및 제2 무기층, 그리고
    상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함하고,
    상기 유기층은 상기 제2 밸리 내에 위치하는 표시 장치.
KR1020180140837A 2018-11-15 2018-11-15 표시 장치 KR20200057142A (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180140837A KR20200057142A (ko) 2018-11-15 2018-11-15 표시 장치
US16/535,299 US10886326B2 (en) 2018-11-15 2019-08-08 Display device
CN201911104803.0A CN111192882A (zh) 2018-11-15 2019-11-13 显示装置
US17/118,840 US11594590B2 (en) 2018-11-15 2020-12-11 Display device
US18/112,698 US20230200164A1 (en) 2018-11-15 2023-02-22 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180140837A KR20200057142A (ko) 2018-11-15 2018-11-15 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200057142A true KR20200057142A (ko) 2020-05-26

Family

ID=70710731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180140837A KR20200057142A (ko) 2018-11-15 2018-11-15 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (3) US10886326B2 (ko)
KR (1) KR20200057142A (ko)
CN (1) CN111192882A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11930655B2 (en) 2020-12-11 2024-03-12 Lg Display Co., Ltd. Display device including touch sensor and manufacturing method for the same

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109564986B (zh) 2018-11-02 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示设备和制造显示基板的方法
KR20200078874A (ko) * 2018-12-24 2020-07-02 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200080754A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US11327589B2 (en) * 2018-12-28 2022-05-10 Lg Display Co., Ltd. Display device with embedded touch screen
KR20210011217A (ko) * 2019-07-22 2021-02-01 엘지디스플레이 주식회사 터치표시장치
WO2021081791A1 (zh) * 2019-10-30 2021-05-06 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN111162097B (zh) * 2020-01-03 2022-03-29 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
KR20210157947A (ko) * 2020-06-22 2021-12-30 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20220056284A (ko) * 2020-10-27 2022-05-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
CN114171567B (zh) * 2021-12-07 2023-05-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及电子设备
KR20230144699A (ko) * 2022-04-07 2023-10-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6822264B2 (en) * 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100683695B1 (ko) * 2004-11-11 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치
JP4506810B2 (ja) * 2007-10-19 2010-07-21 ソニー株式会社 表示装置
KR101922177B1 (ko) * 2012-04-17 2019-02-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법
KR102475812B1 (ko) * 2012-07-20 2022-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
KR101993287B1 (ko) 2012-12-10 2019-06-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR20140137922A (ko) * 2013-05-24 2014-12-03 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR102077143B1 (ko) * 2013-05-30 2020-02-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9570528B2 (en) * 2013-05-30 2017-02-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus
KR102081289B1 (ko) * 2013-05-31 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102146070B1 (ko) * 2013-07-01 2020-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9385174B2 (en) * 2013-10-22 2016-07-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof
KR102225848B1 (ko) 2014-11-07 2021-03-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102387904B1 (ko) 2014-12-01 2022-04-18 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 그 제조 방법
KR102393371B1 (ko) * 2015-01-08 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6512833B2 (ja) * 2015-01-16 2019-05-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102433316B1 (ko) * 2015-08-06 2022-08-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102560703B1 (ko) * 2016-04-29 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20180002123A (ko) 2016-06-28 2018-01-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
JP2018022624A (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、表示装置の製造方法
US10446793B2 (en) * 2016-10-10 2019-10-15 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
JP6818514B2 (ja) * 2016-11-01 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置および表示装置の製造方法
KR20180068011A (ko) 2016-12-13 2018-06-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6815215B2 (ja) * 2017-02-03 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102306603B1 (ko) * 2017-03-06 2021-09-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2018147813A (ja) * 2017-03-08 2018-09-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法及び表示装置
JP2018181578A (ja) * 2017-04-12 2018-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6912080B2 (ja) * 2017-06-09 2021-07-28 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル
JP2019003819A (ja) * 2017-06-14 2019-01-10 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル
KR102354977B1 (ko) * 2017-07-03 2022-01-25 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102370356B1 (ko) * 2017-08-01 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102638296B1 (ko) * 2018-03-19 2024-02-20 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
CN108417608B (zh) * 2018-03-28 2021-03-09 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
KR102570978B1 (ko) * 2018-04-18 2023-08-25 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치
KR102551790B1 (ko) * 2018-06-29 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102626223B1 (ko) * 2018-10-26 2024-01-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11930655B2 (en) 2020-12-11 2024-03-12 Lg Display Co., Ltd. Display device including touch sensor and manufacturing method for the same
US11943951B2 (en) 2020-12-11 2024-03-26 Lg Display Co., Ltd. Display device including touch sensor

Also Published As

Publication number Publication date
US10886326B2 (en) 2021-01-05
CN111192882A (zh) 2020-05-22
US20200161398A1 (en) 2020-05-21
US20230200164A1 (en) 2023-06-22
US20210098525A1 (en) 2021-04-01
US11594590B2 (en) 2023-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20200057142A (ko) 표시 장치
US11588001B2 (en) Display device having an encapsulation layer and power line in non-display area
US11481054B2 (en) Display device
CN113126806B (zh) 触摸显示装置
KR102625708B1 (ko) 표시 장치
KR101865007B1 (ko) 플렉서블표시장치
US11742357B2 (en) Display device
US20200203442A1 (en) Display panel
KR20200094874A (ko) 표시 장치
TWI646681B (zh) 顯示裝置
US20220037441A1 (en) Display device
CN113035908A (zh) 有机发光显示装置
US20230301158A1 (en) Display panel and display device
US20230299065A1 (en) Display panel and display device
KR20190059079A (ko) 유기발광 표시장치
KR102610485B1 (ko) 전계발광 표시장치
KR20220026650A (ko) 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20230110400A (ko) 표시 장치
KR20240036755A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20240022346A (ko) 표시 장치
KR20230132653A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal