KR20240036755A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

표시 장치는 표시 영역, 및 제1 영역 및 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 패드 영역을 포함하는 베이스 기판, 베이스 기판 상의 표시 영역에 배치되는 발광 소자, 발광 소자에 전기적으로 연결되는 구동 소자, 발광 소자를 커버하는 봉지층, 봉지층 상에 배치되는 터치 감지부, 베이스 기판 상의 제1 영역에 배치되고, 제1 도전층, 제1 도전층 상에 배치되는 제2 도전층, 제2 도전층 상에 배치되는 제3 도전층 및 제3 도전층 상에 배치되는 제4 도전층을 포함하는 연결 패드, 베이스 기판 상의 제2 영역에 배치되고, 연결 패드와 연결되며, 제1 배선층 및 제1 배선층 상에 배치되는 제2 배선층을 포함하는 연결 배선, 연결 패드의 제3 도전층의 측면을 커버하고, 제1 두께를 가지는 클래딩층 및 연결 배선의 제2 배선층을 커버하고, 클래딩층의 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가지는 배선 절연층을 포함한다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 복수의 화소들을 포함하고, 화소들은 구동 칩, 회로 필름 등으로부터 수신하는 신호들에 의해 구동되어 영상을 표시할 수 있다. 상기 표시 장치는 상기 구동 칩, 구동 필름 등과 연결되는 연결 패드들 및 연결 패드들 사이를 연결하거나 연결 패드들과 화소들을 연결하는 연결 배선들을 포함할 수 있다.
외부로부터 절연층을 통해 수분 등과 같은 불순물이 연결 패드들로 유입되는 경우에 연결 패드들이 손상되거나 연결 패드들에 연결된 구동 칩이 표시 패널로부터 분리될 수 있다. 또한, 연결 배선들 상에 전극 등을 형성하기 위하여 금속을 식각하는 과정에서 배선들이 손상될 수 있다.
본 발명의 목적은 신뢰성이 개선된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 신뢰성이 개선된 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역, 및 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 패드 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 발광 소자, 상기 발광 소자에 전기적으로 연결되는 구동 소자, 상기 발광 소자를 커버하는 봉지층, 상기 봉지층 상에 배치되는 터치 감지부, 상기 베이스 기판 상의 상기 제1 영역에 배치되고, 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상에 배치되는 제2 도전층, 상기 제2 도전층 상에 배치되는 제3 도전층 및 상기 제3 도전층 상에 배치되는 제4 도전층을 포함하는 연결 패드, 상기 베이스 기판 상의 상기 제2 영역에 배치되고, 상기 연결 패드와 연결되며, 제1 배선층 및 상기 제1 배선층 상에 배치되는 제2 배선층을 포함하는 연결 배선, 상기 연결 패드의 상기 제3 도전층의 측면을 커버하고, 제1 두께를 가지는 클래딩층 및 상기 연결 배선의 상기 제2 배선층을 커버하고, 상기 클래딩층의 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가지는 배선 절연층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 구동 소자는, 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴, 드레인 전극을 포함하는 제1 소스 금속 패턴 및 상기 드레인 전극과 상기 발광 소자를 연결하는 연결 전극을 포함하는 제2 소스 금속 패턴을 포함하고, 상기 터치 감지부는 감지 도전 패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 클래딩층 및 상기 배선 절연층은 상기 제2 소스 금속 패턴을 커버하는 비아 절연층과 일체로 형성되고, 상기 비아 절연층은 상기 제2 두께와 동일한 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층은 상기 게이트 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제2 도전층은 상기 제1 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하며, 상기 제3 도전층은 상기 제2 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제4 도전층은 상기 감지 도전 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 배선층은 상기 제2 도전층과 일체로 형성되고, 상기 제2 배선층은 상기 제3 도전층과 일체로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 감지부는, 제1 터치 절연층, 상기 제1 터치 절연층 상에 배치되는 제1 감지 도전 패턴, 상기 제1 감지 도전 패턴을 커버하는 제2 터치 절연층, 상기 제2 터치 절연층 상에 배치되는 제2 감지 도전 패턴을 포함하며, 상기 제4 도전층은 상기 제2 감지 도전 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 터치 절연층 또는 상기 제2 터치 절연층과 동일한 물질을 포함하고, 상기 클래딩층을 커버하는 패시베이션층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 구동 소자는, 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴, 드레인 전극을 포함하는 제1 소스 금속 패턴, 상기 드레인 전극과 상기 발광 소자를 연결하는 연결 전극 및 데이터 전압이 인가되는 수평 연결 패턴을 포함하는 제2 소스 금속 패턴 및 상기 수평 연결 패턴과 전기적으로 연결되는 수직 연결 패턴을 포함하는 제3 소스 금속 패턴을 포함하고, 상기 터치 감지부는 감지 도전 패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 클래딩층 및 상기 배선 절연층은 상기 제3 소스 금속 패턴을 커버하는 비아 절연층과 일체로 형성되고, 상기 비아 절연층은 상기 배선 절연층의 상기 제2 두께와 동일한 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층은 상기 게이트 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제2 도전층은 상기 제2 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하며, 상기 제3 도전층은 상기 제3 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제4 도전층은 상기 감지 도전 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 연결 배선은 상기 제1 배선층 아래에 배치되는 제3 배선층을 더 포함하고, 상기 제3 배선층은 상기 제1 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역, 및 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 패드 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 화소 어레이, 상기 베이스 기판 상의 상기 제1 영역에 배치되고, 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상에 배치되는 제2 도전층 및 상기 제2 도전층 상에 배치되는 제3 중간 도전층을 포함하는 연결 패드, 상기 베이스 기판 상의 상기 제2 영역에 배치되고, 상기 연결 패드와 연결되며, 제1 배선층 및 상기 제1 배선층 상에 배치되는 제2 배선층을 포함하는 연결 배선, 상기 연결 패드의 상기 제1 중간 도전층의 측면을 커버하고, 제1 두께를 가지는 클래딩층 및 상기 연결 배선의 상기 제2 배선층을 커버하고, 상기 클래딩층의 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가지는 배선 절연층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 어레이는 발광 소자 및 상기 발광 소자에 전기적으로 연결되는 구동 소자를 포함하고, 상기 구동 소자는, 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴, 드레인 전극을 포함하는 제1 소스 금속 패턴 및 상기 드레인 전극과 상기 발광 소자를 연결하는 제1 연결 전극을 포함하는 제2 소스 금속 패턴을 포함하며, 상기 제1 도전층은 상기 게이트 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제2 도전층은 상기 제1 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하며, 상기 제3 도전층은 상기 제2 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 클래딩층 및 상기 배선 절연층은 상기 제2 소스 금속 패턴을 커버하는 비아 절연층과 일체로 형성되고, 상기 비아 절연층은 상기 제2 두께와 동일한 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 배선층은 상기 제2 도전층과 일체로 형성되고, 상기 제2 배선층은 상기 제3 도전층과 일체로 형성될 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역, 및 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 패드 영역을 포함하는 베이스 기판 상의 상기 제1 영역에 제1 도전층을 형성하는 단계, 상기 베이스 기판 상의 상기 제1 영역에 상기 제1 도전층과 전기적으로 접촉하는 제2 도전층을 형성하고, 상기 베이스 기판 상의 상기 제2 영역에 상기 제1 중간 도전층과 연결되는 제1 배선층을 형성하는 단계, 상기 베이스 기판 상의 상기 제1 영역에 상기 제2 도전층과 전기적으로 접촉하는 제3 도전층을 형성하고, 상기 베이스 기판 상의 상기 제2 영역에 상기 제3 도전층과 연결되는 제2 배선층을 형성하는 단계, 상기 베이스 기판 상의 상기 제1 영역에 상기 제3 도전층의 측면을 커버하고, 제1 두께를 가지는 클래딩층을 형성하고, 상기 베이스 기판 상의 상기 제2 영역에 상기 제2 배선층을 커버하고, 상기 클래딩층의 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가지는 배선 절연층을 형성하는 단계 및 상기 베이스 기판 상의 상기 제1 영역에 상기 제3 도전층과 전기적으로 접촉하는 제4 도전층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는, 상기 베이스 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 발광 소자 및 상기 발광 소자에 전기적으로 연결되는 구동 소자를 포함하고, 상기 제1 도전층은 상기 구동 소자의 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴과 함께 형성되며, 상기 제2 도전층 및 상기 제1 배선층은 상기 구동 소자의 드레인 전극을 포함하는 제1 소스 금속 패턴과 함께 형성되고, 상기 제3 도전층 및 상기 제2 배선층은 상기 드레인 전극과 상기 발광 소자를 연결하는 연결 전극을 포함하는 제2 소스 금속 패턴과 함께 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는, 상기 발광 소자를 커버하는 봉지층 및 상기 봉지층 상에 배치되며 감지 도전 패턴을 포함하는 터치 감지부를 더 포함하고, 상기 제4 도전층은 상기 감지 도전 패턴과 함께 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 클래딩층 및 상기 배선 절연층은 상기 제2 소스 금속 패턴을 커버하는 비아 절연층과 일체로 형성되고, 상기 비아 절연층은 상기 배선 절연층의 상기 제2 두께와 동일한 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 클래딩층, 상기 배선 절연층 및 상기 비아 절연층은 하프톤 마스크를 이용하여 함께 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 패드 영역에 형성되는 클래딩층 및 배선 절연층을 포함하고, 상기 클래딩층은 연결 패드의 도전층의 적어도 일부를 커버하며, 상기 배선 절연층은 연결 배선의 배선층을 커버할 수 있다. 이에 따라, 식각 공정 등에 의한 연결 패드 및 연결 배선의 손상을 최소화하거나 방지할 수 있다. 또한, 상기 클래딩층 및 상기 배선 절연층은 일체로 형성되되, 상기 배선 절연층의 두께가 상기 클래딩층의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 연결 패드와 집적 회로를 연결하는 공정의 불량을 방지함과 동시에, 상기 연결 배선의 손상을 최소화하거나 방지할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 신뢰성이 개선될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상기 효과들로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 표시 장치의 ‘A’ 영역을 개략적으로 확대하여 나타낸 확대도들이다.
도 4는 도 1의 표시 장치의 ‘A’ 영역에 배치되는 연결 패드들 상에 구동 칩이 배치되는 실시예를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 1의 표시 장치의 표시 영역을 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 1의 표시 장치의 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 3의 표시 장치의 제1 영역 및 제2 영역을 나타내는 단면도이다.
도 8 내지 도 17은 도 1의 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 도면들이다.
도 20 및 도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 도면들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(DD)는 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 영상을 표시할 수 있다. 표시 영역(DA)은 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 직교하는 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면을 포함할 수 있다. 즉, 표시 장치(DD)는 표시 영역(DA)을 통해 상기 평면에 수직한 제3 방향(DR3)으로 영상을 표시할 수 있다. 표시 영역(DA)에는 복수의 화소들이 배치될 수 있다.
상기 복수의 화소들은 주변 영역(PA)에서 전달되는 신호에 기초하여 광을 방출할 수 있다. 상기 복수의 화소들 각각은 발광 소자 및 상기 발광 소자를 구동하기 위한 구동 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(DD)는 유기 발광 표시 장치일 수 있으며, 상기 발광 소자는 유기 발광 다이오드일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 표시 장치(DD)는 상기 유기 발광 다이오드를 보호하기 위한 봉지층 및 상기 봉지층 상에 배치되는 터치 감지부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 표시 영역(DA) 내에는 센싱 영역(SA)이 정의될 수 있다. 예를 들어, 센싱 영역(SA)은 표시 영역(DA)의 일 부분일 수 있다. 센싱 영역(SA)은 영상을 표시하며, 전자 모듈로 제공되는 외부 입력 및/또는 상기 전자 모듈로부터 제공되는 출력을 투과시킬 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 전자 모듈은 카메라 모듈, 거리를 측정하는 센서, 사용자의 신체의 일부를 인식하는 센서, 광을 출력하는 소형 램프 등일 수 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 센싱 영역(SA)은 표시 영역(DA) 내의 다른 영역보다 높은 투과율을 가질 수 있다. 도 1에서는 표시 영역(DA) 내에 하나의 센싱 영역(SA)이 정의되는 것을 예시적으로 도시하였으나, 센싱 영역(SA)의 개수가 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)의 주변에 위치할 수 있다. 예를 들어, 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA)에 전달되는 신호를 전달하기 위한 구성들이 배치될 수 있다.
주변 영역(PA)은 패드 영역(SBA)을 포함할 수 있다. 완제품에서, 패드 영역(SBA)은 벤딩되어 표시 장치(DD)의 후면에 위치할 수 있다. 다시 말하면, 패드 영역(SBA)은 완성된 표시 장치(DD)의 전면에서 시인되지 않을 수 있다. 패드 영역(SBA)에는 구동 칩(DC) 및 회로 필름(CF)이 배치될 수 있다. 구동 칩(DC) 및 회로 필름(CF)은 도전 필름에 의해 패드 영역(SBA)에 연결될 수 있다. 구동 칩(DC) 및 회로 필름(CF)은 상기 복수의 화소들에 전달되는 신호를 생성 및 전달할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 구동 칩(DC)은 집적 회로를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 구동 칩(DC)은 칩 온 플라스틱(chip-on-plastic, COP) 방식 또는 칩 온 글래스(chip-on-glass, COG) 방식으로 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 회로 필름(CF)은 가요성 인쇄 회로 기판(flexible printed circuit board, FPCB)일 수 있다. 회로 필름(CF)은 필름 온 플라스틱(film-on-plastic, FOP) 방식 또는 필름 온 글래스(film-on-glass, FOG) 방식으로 배치될 수 있다.
도 2 및 도 3은 도 1의 표시 장치의 ‘A’ 영역을 개략적으로 확대하여 나타낸 확대도들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 패드 영역(SBA)은 복수의 제1 영역들(SBA1) 및 제1 영역들(SBA2)을 둘러싸는 제2 영역(SBA2)을 포함할 수 있다. 제1 영역들(SBA1) 각각에는 복수의 연결 패드들(CP)이 배치될 수 있다. 제2 영역(SBA2)에는 복수의 연결 패드들(CP)과 연결되는 연결 배선들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 연결 배선들은 연결 패드들(CP) 사이를 연결하는 배선, 연결 패드들(CP)과 상기 복수의 화소들을 연결하는 배선, 연결 패드들(CP)과 회로 필름(CF)을 연결하는 배선 등을 포함할 수 있다.
복수의 연결 패드들(CP)은 제1 연결 패드들(CP1), 제2 연결 패드들(CP2) 및 제3 연결 패드들(CP3)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 연결 패드들(CP1)이 하나의 제1 영역(SBA1)에 배치되고, 제2 연결 패드들(CP2)이 하나의 제1 영역(SBA1)에 배치되며, 제3 연결 패드들(CP3)이 하나의 제1 영역(SBA1)에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 연결 패드들(CP1)은 구동 칩(DC)로부터 전달 받은 출력 신호를 출력하는 출력 패드일 수 있다. 제2 연결 패드들(CP2)은 구동 칩(DC)에 입력 신호를 전달하는 입력 패드일 수 있다. 제3 연결 패드들(PC)은 어레이 테스트 패드일 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제3 연결 패드들(CP3)은 생략될 수도 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 연결 패드들(CP1), 제2 연결 패드들(CP2) 및 제3 연결 패드들(CP3) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 열을 이루도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 연결 패드들(CP1)은 3열로 배치되고, 제2 연결 패드들(CP2) 및 제3 연결 패드를(CP2)은 1열로 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에 있어서, 제1 연결 패드들(CP1)은 한 개 또는 그 이상의 열로 배치될 수 있고, 제2 연결 패드들(CP2) 및 제3 연결 패드들(CP3)은 두 개 이상의 열로 배치될 수도 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 연결 패드들(CP1) 및 제2 연결 패드들(CP2) 각각은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 대하여 예각을 이루는 비스듬한 방향을 따라 연장될 수 있다. 제3 연결 패드들(CP3) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다. 예를 들어, 제1 연결 패드들(CP1) 및 제2 연결 패드들(CP2) 각각은 평행사변형의 평면 형상을 가질 수 있고, 제3 연결 패드들(CP3) 각각은 직사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 다만, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 연결 패드들(CP1), 제2 연결 패드들(CP2) 및 제3 연결 패드들(CP3) 각각은 다양한 평면 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 연결 패드들(CP) 각각은 복수의 도전층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 연결 패드들(CP) 각각은, 상기 구동 소자의 게이트 금속 패턴, 소스 금속 패턴 및 상기 터치 감지부의 감지 도전 패턴과 동일한 물질을 포함하는 도전층들의 조합일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 연결 패드들(CP1), 제2 연결 패드들(CP2) 및 제3 연결 패드들(CP3) 각각은 서로 동일한 적층 구조를 가질 수 있다.
도 3을 함께 참조하면, 연결 패드들(CP) 상에 구동 칩(DC)가 배치될 수 있다. 구동 칩(DC)은 상기 도전 필름에 의해 연결 패드들(CP)과 연결될 수 있다. 구동 칩(DC)은 제2 연결 패드들(CP2)에 의해 전달 받은 입력 신호에 기초하여 생성된 출력 신호를 제1 연결 패드들(CP1)을 통해 출력할 수 있다.
도 4는 도 1의 표시 장치의 ‘A’ 영역에 배치되는 연결 패드들 상에 구동부가 배치되는 실시예를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 복수의 연결 패드들(CP) 각각은 도전성 본딩 부재(BP)에 의해 구동 칩(DC)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 도전성 본딩 부재(BP)는 금속 범프일 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 도전성 본딩 부재(BP)는 도전 볼 등을 포함하는 이방성 도전 필름일 수도 있다.
도 5는 도 1의 표시 장치의 표시 영역을 나타내는 단면도이고, 도 6은 도 1의 표시 장치의 감지 전극을 나타내는 평면도이다.
도 5를 참조하면, 표시 영역(DA)에서, 베이스 기판(110) 상에 버퍼층(120)이 배치될 수 있다. 버퍼층(120) 상에는 액티브 패턴(AP)이 배치될 수 있다. 액티브 패턴(AP) 상에는 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 금속 패턴이 배치될 수 있다. 액티브 패턴(AP)과 게이트 전극(GE) 사이에는 제1 절연층(130)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(130)은 제1 게이트 절연층으로 지칭될 수 있다.
게이트 전극(GE) 상에는 게이트 배선 패턴(GP)이 배치될 수 있다. 게이트 배선 패턴(GP)은, 커패시터의 전극, 구동 신호를 전달하기 위한 신호 배선 등을 형성할 수 있다. 게이트 전극(GE)과 게이트 배선 패턴(GP) 사이에는 제2 절연층(140)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(140)은 제2 게이트 절연층으로 지칭될 수 있다. 게이트 배선 패턴(GP) 상에는 제3 절연층(150)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(150)은 층간 절연층으로 지칭될 수 있다.
제3 절연층(150) 상에는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 제1 소스 금속 패턴이 배치될 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 하부의 절연층들을 관통하여 액티브 패턴(AP)과 전기적으로 접촉할 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 상기 제1 소스 금속 패턴 상에 제4 절연층(160)이 배치될 수 있다. 제4 절연층(160)은 제1 비아 절연층으로 지칭될 수 있다.
제4 절연층(160) 상에는 연결 전극(CE)을 포함하는 제2 소스 금속 패턴이 배치될 수 있다. 연결 전극(CE)은 드레인 전극(DE)과 전기적으로 접촉할 수 있다. 상기 제2 소스 금속 패턴은, 유기 발광 다이오드에 제공되는 전류의 전압 강하를 보상하기 위한 메쉬 전원 라인을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 금속 패턴 상에는 제5 절연층(170)이 배치될 수 있다. 제5 절연층(170)은 제2 비아 절연층으로 지칭될 수 있다.
제5 절연층(170) 상에는 발광 소자(210)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(210)의 제1 전극(212)이 제5 절연층(170) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(212)은 연결 전극(CE)과 전기적으로 접촉할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 연결 전극(CE)이 생략되는 경우, 제1 전극(212)은 드레인 전극(DE)과 직접 전기적으로 접촉할 수도 있다.
제1 전극(212) 상에는 발광층(214)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 발광층(214)은 화소 정의막(180)의 개구부 내에 배치될 수 있다. 다만 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 발광층(214)은 화소 정의막(180)의 상면 위로 연장되거나, 표시 영역(DA) 상에서 복수의 화소에 걸쳐 연속적으로 연장될 수도 있다.
발광층(214) 상에는 제2 전극(216)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 전극(216)은 복수의 화소들에 걸쳐, 표시 영역(DA) 상에서 연속적으로 연장될 수 있다.
발광 소자(210) 상에는 봉지층(220)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 봉지층(220)은 제2 전극(216) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(220)은 적어도 하나의 무기 봉지층 및 적어도 하나의 유기 봉지층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 봉지층(220)은 제2 전극(216) 상에 배치되는 제1 무기 봉지층(222), 제1 무기 봉지층(222) 상에 배치되는 유기 봉지층(224) 및 유기 봉지층(224) 상에 배치되는 제2 무기 봉지층(226)을 포함할 수 있다.
봉지층(220) 상에는 상기 터치 감지부가 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 감지부는 정전 용량 방식으로 외부 입력을 감지함으로써, 외부 입력의 좌표 정보를 얻을 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 터치 감지부는 제1 터치 절연층(310), 제1 감지 도전 패턴, 제2 터치 절연층(330), 제2 감지 도전 패턴 및 보호층(350)을 포함할 수 있다.
상기 제1 감지 도전 패턴은, 제1 터치 절연층(310) 상에 배치되며, 브릿지 패턴(320)을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 도전 패턴 상에는 제2 터치 절연층(330)이 배치될 수 있으며, 제2 터치 절연층(330) 상에는 제2 감지 도전 패턴이 배치될 수 있다. 보호층(350)은 상기 제2 감지 도전 패턴을 커버할 수 있다.
도 6을 함께 참조하면, 상기 제2 감지 도전 패턴은, 제1 감지 전극 및 제2 감지 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극은 전기적으로 절연된다. 예를 들어, 상기 제1 감지 전극의 전극 패턴 어레이 및 상기 제2 감지 전극의 전극 패턴 어레이 각각은 서로 수직하는 방향을 따라 연장될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 감지 전극은, 서로 이격된 제1 전극 패턴(342a) 및 제2 전극 패턴(342b)을 포함할 수 있다. 제1 전극 패턴(342a) 및 제2 전극 패턴(342b)은, 제2 터치 절연층(330)에 형성된 비아홀을 통해, 브릿지 패턴(320)과 전기적으로 접촉할 수 있다. 따라서, 제1 전극 패턴(342a) 및 제2 전극 패턴(342b)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 감지 전극은, 복수의 전극 패턴들(343) 및 전극 패턴들(343)과 동일한 층에 배치되어 연속적으로 연결되는 연결부(344)를 포함할 수 있다.
다만, 본 발명의 실시예들이 반드시 도 5 및 도 6에 도시된 구조에 한정되는 것은 아니며, 알려진 다양한 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 다른 실시예에 있어서, 제1 터치 절연층(310)이 생략될 수도 있다. 또한, 상기 제1 감지 전극의 인접하는 전극 패턴들은 복수의 브릿지 패턴들에 의해 연결될 수 있다. 또한, 상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극은 서로 다른 층에 배치되어, 상기 제1 감지 전극은 브릿지 패턴 없이 연속적인 구조를 가질 수도 있다.
도 7은 도 3의 표시 장치의 제1 영역 및 제2 영역을 나타내는 단면도이다. 예를 들어, 도 7은 도 3의 I-I’ 라인을 따라 자른 단면 및 II-II’ 라인을 따라 자른 단면을 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 7을 참조하면, 제1 영역(SBA1)에서, 베이스 기판(110) 상에는 연결 패드들(CP)이 배치될 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해, 연결 패드들(CP) 중 하나의 제1 연결 패드(CP1)의 구조를 통해 제1 연결 패드들(CP1), 제2 연결 패드들(CP2) 및 제3 연결 패드들(CP3)의 구조를 설명한다. 상술한 바와 같이, 제1 연결 패드들(CP1), 제2 연결 패드들(CP2) 및 제3 연결 패드들(CP3) 각각은 서로 동일한 적층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 연결 패드(CP1)는 제1 도전층(CL1), 제2 도전층(CL2), 제3 도전층(CL3) 및 제4 도전층(CL4)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 도전층(CL1)은 표시 영역(DA)의 상기 게이트 금속 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제1 도전층(CL1)은 상기 게이트 금속 패턴과 함께 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전층(CL1)은 제1 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 제1 영역(SBA1)에서, 제2 절연층(140) 및 제3 절연층(150)은 제1 도전층(CL1)의 양 측부를 커버하며 배치될 수 있다. 제2 절연층(140) 및 제3 절연층(150)은 제1 도전층(CL1)의 중앙부를 노출시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 도전층(CL2)은 표시 영역(DA)의 상기 제1 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제2 도전층(CL2)은 상기 제1 소스 금속 패턴과 함께 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 도전층(CL2)은 제3 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 제2 도전층(CL2)은 제2 절연층(140) 및 제3 절연층(150)으로부터 노출된 제1 도전층(CL1)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제3 도전층(CL3)은 표시 영역(DA)의 상기 제2 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제3 도전층(CL3)은 상기 제2 소스 금속 패턴과 함께 형성될 수 있다. 제3 도전층(CL3)은 제2 도전층(CL2) 상에 배치되고, 제2 도전층(CL2)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제3 도전층(CL3)은, 하부층, 중간층 및 상부층을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 상기 하부층 및 상기 상부층은 이온화 경향이 상대적으로 작은 금속, 예를 들어 티타늄을 포함할 수 있고, 상기 중간층은 이온화 경향이 상대적으로 큰 금속, 예를 들어 알루미늄을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 영역(SBA1)에는 제3 도전층(CL3)의 적어도 일부를 커버하는 클래딩층(172)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 클래딩층(172)은 제3 도전층(CL3)의 측면을 커버할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 클래딩층(172)은 제5 절연층(170)과 일체로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 클래딩층(172) 상에는 패시베이션층이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 패시베이션층은 상기 터치 감지부의 제1 터치 절연층(310) 및/또는 제2 터치 절연층(330)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 상기 패시베이션층은 상기 터치 감지부의 제1 터치 절연층(310) 및/또는 제2 터치 절연층(330)과 함께 형성될 수 있다. 상기 패시베이션층은 제4 도전층(CL4) 아래로 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제4 도전층(CL4)은 상기 터치 감지부의 상기 감지 도전 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제4 도전층(CL4)은 상기 제2 감지 도전 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제4 도전층(CL4)은 상기 제2 감지 도전 패턴과 함께 형성될 수 있다. 제4 도전층(CL4)은 클래딩층(172) 및 상기 패시베이션층으로부터 노출된 제3 도전층(CL3)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
제2 영역(SBA2)에서, 베이스 기판(110) 상에는 연결 배선(WR)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 연결 배선(WR)은 제1 배선층(WL1) 및 제2 배선층(WL2)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 배선층(WL1)은 제2 도전층(CL2)과 일체로 형성될 수 있다. 다시 말하면, 제1 배선층(WL1)은 제2 도전층(CL2)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제1 배선층(WL1)은 표시 영역(DA)의 상기 제1 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 배선층(WL1)은 제3 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 제2 영역(SBA2)에서, 제4 절연층(160)은 제1 배선층(WL1)의 양 측부를 커버하며 배치될 수 있다. 제4 절연층(160)은 제1 배선층(WL1)의 중앙부를 노출시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 배선층(WL2)은 제3 도전층(CL3)과 일체로 형성될 수 있다. 다시 말하면, 제2 배선층(WL2)은 제3 도전층(CL3)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제2 배선층(WL2)은 표시 영역(DA)의 상기 제2 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 배선층(WL2)은 제4 절연층(160) 상에 배치될 수 있다. 제2 배선층(WL2)은 제4 절연층(160)으로부터 노출된 제1 배선층(WL1)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 영역(SBA2)에는 제2 배선층(WL2)을 커버하는 배선 절연층(174)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 배선 절연층(174)은 클래딩층(172) 및 제5 절연층(170)과 일체로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 클래딩층(172)의 제1 두께(T1)는 배선 절연층(174)의 제2 두께(T2)보다 작을 수 있다. 다시 말하면, 클래딩층(172) 및 배선 절연층(174)은 일체로 형성되되, 제2 영역(SBA2)에 배치되는 배선 절연층(174)의 제2 두께(T2)는 제1 영역(SBA1)에 배치되는 클래딩층(172)의 제1 두께(T1)보다 클 수 있다. 이 경우, 일 실시예에 있어서, 배선 절연층(174)의 제2 두께(T2) 및 제5 절연층(170)의 제3 두께(T3)는 서로 동일할 수 있다.
도 8 내지 도 17은 도 1의 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 8을 참조하면, 표시 영역(DA)에서, 베이스 기판(110) 상에 버퍼층(120)을 형성할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 베이스 기판(110)은 플렉서블한 물질 또는 리지드한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(110)은 폴리이미드와 같은 고분자 물질을 포함할 수 있고, 이 경우, 베이스 기판(110)은 플렉서블한 특성을 가질 수 있다. 또는, 예를 들어, 베이스 기판(110)은 유리와 같은 물질을 포함할 수 있고, 이 경우, 베이스 기판(110)은 리지드한 특성을 가질 수 있다.
버퍼층(120)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 버퍼층(120)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 버퍼층(120)은 금속 원자들이나 불순물들이 액티브 패턴(AP)으로 확산하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 버퍼층(120)은 액티브 패턴(AP)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 액티브 패턴(AP)으로 제공되는 열의 속도를 조절할 수 있다.
이후, 버퍼층(120) 상에 액티브 패턴(AP)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 액티브 패턴(AP)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 물질은 실리콘 반도체 또는 산화물 반도체일 수 있다.
이후, 액티브 패턴(AP) 상에 제1 절연층(130)을 형성할 수 있다. 이후, 제1 절연층(130) 상에, 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 금속 패턴을 형성할 수 있다. 게이트 전극(GE)은 액티브 패턴(AP)과 중첩할 수 있다. 이후, 상기 제1 게이트 금속 패턴을 커버하는 제2 절연층(140)을 형성할 수 있다. 이후, 상기 제2 절연층(140) 상에 게이트 배선 패턴(GP)을 형성할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(140)은 각각은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(140)은 각각으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 게이트 금속 패턴 및 게이트 배선 패턴(GP) 각각은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 상기 게이트 금속 패턴 및 게이트 배선 패턴(GP) 각각으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
이후, 게이트 배선 패턴(GP) 상에 제3 절연층(150)을 형성할 수 있다. 이후, 제3 절연층(150) 상에 상기 제1 소스 금속 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제1 소스 금속 패턴은 액티브 패턴(AP)과 전기적으로 접촉하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 각각 상기 제3 절연층(150), 상기 제2 절연층(140) 및 상기 제1 절연층(130)을 관통하여, 상기 액티브 패턴(AP)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제3 절연층(150)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제3 절연층(150)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 소스 금속 패턴은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 금속 패턴으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제2 소스 금속 패턴은 티타늄/알루미늄의 2층 구조 또는 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다.
도 9를 참조하면, 패드 영역(SBA)의 제1 영역(SBA1)에는, 제1 도전층(CL1) 및 제2 도전층(CL2)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 도전층(CL1)은 상기 게이트 금속 패턴과 함께 형성할 수 있다. 따라서, 제1 도전층(CL1)은 제1 절연층(130)과 제2 절연층(140) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 도전층(CL2)은 상기 제1 소스 금속 패턴과 함께 형성할 수 있다. 따라서, 제2 도전층(CL2)은 제3 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 제2 도전층(CL2)은 제2 절연층(140) 및 제3 절연층(150)으로부터 노출된 제1 도전층(CL1)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
패드 영역(SBA)의 제2 영역(SBA2)에는 제1 배선층(WL1)을 형성할 수 있다. 제1 배선층(WL1)은 제2 도전층(CL2)과 일체로 형성될 수 있다. 다시 말하면, 제1 배선층(WL1)은 상기 제1 소스 금속 패턴과 함께 형성될 수 있다. 따라서, 제1 배선층(WL1)은 제3 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 배선층(WL1)은 티타늄/알루미늄의 2층 구조 또는 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 제1 소스 금속 패턴을 커버하는 제4 절연층(160)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제4 절연층(160)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제4 절연층(160)으로 사용될 수 있는 사용될 수 있는 물질의 예로는, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
이후, 제4 절연층(160) 상에 상기 제2 소스 금속 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제2 소스 금속 패턴은 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 접촉하는 연결 전극(CE)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 연결 전극(CE)은 상기 제4 절연층(160)을 관통하여, 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 접촉할 수 있다. 상기 제2 소스 금속 패턴은, 유기 발광 다이오드에 제공되는 전류의 전압 강하를 보상하기 위한 메쉬 전원 라인을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 소스 금속 패턴은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 금속 패턴으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제2 소스 금속 패턴은 티타늄/알루미늄의 2층 구조 또는 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다.
도 11을 참조하면, 패드 영역(SBA)의 제1 영역(SBA1)에는, 제3 도전층(CL3)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제3 도전층(CL3)은 상기 제2 소스 금속 패턴과 함께 형성할 수 있다. 제3 도전층(CL3)은 제2 도전층(CL2) 상에 배치되고, 제2 도전층(CL2)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
패드 영역(SBA)의 제2 영역(SBA2)에는, 제4 절연층(160)이 형성될 수 있다. 제4 절연층(160)은 제1 배선층(WL1)의 양 측부를 커버하며 배치될 수 있다. 제4 절연층(160)은 제1 배선층(WL1)의 중앙부를 노출시킬 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 영역(SBA1)에는 제4 절연층(160)이 배치되지 않을 수 있다. 예를 들어, 표시 영역(DA) 및 제2 영역(SBA2)에서, 제4 절연층(160)을 패터닝하는 과정에서, 제1 영역(SBA1)의 제4 절연층(160)이 전체적으로 제거될 수 있다.
이후, 패드 영역(SBA)의 제2 영역(SBA2)에는, 제2 배선층(WL2)을 형성할 수 있다. 제2 배선층(WL2)은 제3 도전층(CL3)과 일체로 형성될 수 있다. 다시 말하면, 제2 배선층(WL2)은 상기 제2 소스 금속 패턴과 함께 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 배선층(WL2)은 제4 절연층(160) 상에 배치될 수 있다. 제2 배선층(WL2)은 제4 절연층(160)으로부터 노출된 제1 배선층(WL1)과 전기적으로 접촉할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 배선층(WL2)은 티타늄/알루미늄의 2층 구조 또는 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다.
도 12를 참조하면, 표시 영역(DA)에서, 제5 절연층(170)을 형성할 수 있다. 제5 절연층(170)은 연결 전극(CE)을 포함하는 상기 제2 소스 금속 패턴을 커버하도록 제4 절연층(160) 상에 배치될 수 있다.
도 13을 참조하면, 패드 영역(SBA)의 제1 영역(SBA1)에는 클래딩층(172)을 형성하고, 패드 영역(SBA)의 제2 영역(SBA2)에는 배선 절연층(174)을 형성할 수 있다. 클래딩층(172)은 제1 영역(SBA1)에서, 제3 도전층(CL3)의 적어도 일부를 커버하도록 제3 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 배선 절연층(174)은 제2 영역(SBA2)에서, 제2 배선층(WL2)을 커버하도록 제4 절연층(160) 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제5 절연층(170), 클래딩층(172) 및 배선 절연층(174)은 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트 조성물을 도포한 후, 하프톤 마스크 등을 이용하여 제5 절연층(170), 클래딩층(172) 및 배선 절연층(174)에 대응되는 영역 각각에 서로 다른 노광량으로 광을 조사함으로써, 제1 두께(T1)를 가지는 클래딩층(172), 제2 두께(T2)를 가지는 배선 절연층(174) 및 제3 두께(T3)를 가지는 제5 절연층(170)을 동일한 공정에서 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 배선 절연층(174)의 제2 두께(T2)는 클래딩층(172)의 제1 두께(T1)보다 클 수 있다. 이 경우, 일 실시예에 있어서, 배선 절연층(174)의 제2 두께(T2) 및 제5 절연층(170)의 제3 두께(T3)는 서로 동일할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제5 절연층(170), 클래딩층(172) 및 배선 절연층(174)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제5 절연층(170), 클래딩층(172) 및 배선 절연층(174)으로 사용될 수 있는 사용될 수 있는 물질의 예로는, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 제5 절연층(170), 클래딩층(172) 및 배선 절연층(174) 상에 하부 전극층(211)을 형성하고, 하부 전극층(211)을 패터닝하여, 표시 영역(DA)에 제1 전극(212)을 형성할 수 있다. 패드 영역(SBA)에서 하부 전극층(211)은 전체적으로 제거될 수 있다. 하부 전극층(211)은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 하부 전극층(211)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 들 수 있다.
실시예들에 의하면, 클래딩층(172)이 연결 패드(CP)의 제3 도전층(CL3)의 적어도 일부를 커버하고, 배선 절연층(174)이 연결 배선(WL)을 커버함으로써, 식각 공정 등에 의한 연결 패드(CP) 및 연결 배선(WL)의 손상을 최소화하거나 방지할 수 있다. 또한, 클래딩층(172) 및 배선 절연층(174)은 일체로 형성되되, 배선 절연층(174)의 두께가 클래딩층(172)의 두께보다 크게 형성될 수 있다. 이에 따라, 연결 패드(CP)와 구동 칩(DC)를 연결하는 공정의 불량을 방지함과 동시에, 연결 배선(WL)의 손상을 최소화하거나 방지할 수 있다. 따라서, 표시 장치 및 제조 공정의 신뢰성이 개선될 수 있다.
도 15를 참조하면, 표시 영역(DA)에서 제1 전극(212)을 노출하는 화소 정의막(180)을 형성할 수 있다. 화소 정의막(180)은 제1 전극(212)의 적어도 일부를 노출하는 개구부를 가질 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(180)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
이후, 제1 전극(212) 상에 발광층(214)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 발광층(214)은 화소 정의막(180)의 상기 개구부 내에 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 발광층(214)은 화소 정의막(180)의 상면 위로 연장되거나, 표시 영역(DA) 상에서 복수의 화소에 걸쳐 연속적으로 연장될 수도 있다.
일 실시예에 있어서, 발광층(214)은 복수의 층들이 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 발광층(214)이 청색 광을 생성하는 경우, 발광층(214)은 복수의 청색 유기 발광층들이 적층된 구조를 가질 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 발광층(214)은 각기 다른 색상의 광을 방출하는 복수의 층들이 적층된 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들어, 발광층(214)이 청색 광을 생성하는 경우, 발광층(214)은 복수의 청색 유기 발광층들 및 청색 외의 다른 색의 광을 방출하는 유기 발광층이 적층된 구조를 가질 수도 있다. 예를 들어, 발광층(214)은 세 개의 청색 유기 발광층들 및 한 개의 녹색 유기 발광층이 적층된 구조를 가질 수도 있다.
이후, 발광층(214) 상에 제2 전극(216)을 형성할 수 있다. 제2 전극(216)은, 표시 영역(DA) 상에서 복수의 화소에 걸쳐 연속적으로 연장될 수 있다.
이후, 제2 전극(216) 상에 봉지층(220)을 형성할 수 있다. 적어도 하나의 무기 봉지층 및 적어도 하나의 유기 봉지층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 전극(216) 상에 제1 무기 봉지층(222)을 형성하고, 제1 무기 봉지층(222) 상에 배치되는 유기 봉지층(224) 및 유기 봉지층(224) 상에 배치되는 제2 무기 봉지층(226)을 포함할 수 있다. 패드 영역(SBA)에서, 화소 정의막(180), 발광층(214), 제2 전극(216) 및 봉지층(220)은 형성되지 않거나, 형성된 후 제거될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 봉지층(220) 상에 터치 감지부를 형성할 수 있다.
예를 들어, 봉지층(220) 상에 제1 터치 절연층(310)을 형성할 수 있다. 제1 터치 절연층(310) 상에는, 제1 감지 도전 패턴이 형성될 수 있다. 상기 제1 감지 도전 패턴은 브릿지 패턴(320)을 포함할 수 있다. 상기 제1 감지 도전 패턴 상에는 제2 터치 절연층(330)을 형성할 수 있다. 제2 터치 절연층(330)에는 브릿지 패턴(320)을 노출하는 비아홀이 형성될 수 있다.
도 17을 참조하면, 패드 영역(SBA)의 제1 영역(SBA1)에서, 제3 도전층(CL3) 및 클래딩층(172) 상에 상기 패시베이션층 을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 패시베이션층은 제1 터치 절연층(310)과 동일한 물질을 포함하는 하부 패시베이션층 및 제2 터치 절연층(330)과 동일한 물질을 포함하는 상부 패시베이션층을 포함할 수 있다. 상기 패시베이션층은 제3 도전층(CL3)을 노출하는 비아홀을 가질 수 있다.
다음으로, 도 5 및 도 7에 도시된 것과 같이, 표시 영역(DA)에 상기 제2 감지 도전 패턴을 형성하고, 패드 영역(SBA)의 제1 영역(SBA1)에 제1 연결 패드(CP1)의 제4 도전층(CL4)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제4 도전층(CL4)은 상기 제2 감지 도전 패턴과 함께 형성될 수 있다. 도 제4 도전층(CL4)은 상기 패시베이션층을 관통하여 제3 도전층(CL3)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
제1 터치 절연층(310) 및 제2 터치 절연층(330) 각각은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제1 터치 절연층(310) 및 제2 터치 절연층(330) 각각으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 제1 감지 도전 패턴 및 상기 제2 감지 도전 패턴 각각은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 상기 상기 제1 감지 도전 패턴 및 상기 제2 감지 도전 패턴 각각으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
다음으로, 구동 칩(DC)를 패드 영역(SBA)에 결합시킬 수 있다. 일 실시예에 있어서, 구동 칩(DC)은 열압착, 초음파 웰딩 등에 의해 패드 영역(SBA)에 결합될 수 있으며, 도전성 본딩 부재(도 4 참조, BP)를 통해 연결 패드들(CP)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 도면들이다. 예를 들어, 도 18은 도 5의 단면도와 대응될 수 있고, 도 19는 도 7의 단면도와 대응될 수 있다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(DD-1)는 상기 터치 감지부가 생략된 것을 제외하고는, 도 1 내지 도 17을 참조하여 설명한 표시 장치(DD)와 실질적으로 동일할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 표시 장치(DD-1)는 상기 터치 감지부가 생략될 수 있다. 이 경우, 연결 패드들(CP1)은 제4 도전층(CL4)이 생략될 수 있다. 또한, 패드 영역(SBA)의 제1 영역(SBA1)에서 상기 패시베이션층이 생략될 수 있다.
도 20 및 도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 도면들이다. 예를 들어, 도 20은 도 5의 단면도와 대응될 수 있고, 도 21은 도 7의 단면도와 대응될 수 있다.
도 20 및 도 21을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(DD-2)는 수평 연결 패턴(HCP), 수직 연결 패턴(VCP), 제6 절연층(190), 및 제1 연결 패드(CP1)와 연결 배선(WL)의 구조를 제외하고는 도 1 내지 도 18을 참조하여 설명한 표시 장치(DD)와 실질적으로 동일할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 표시 장치(DD-2)의 제2 소스 금속 패턴은 수평 연결 패턴(HCP)을 더 포함할 수 있다. 다시 말하면, 수평 연결 패턴(HCP)은 연결 전극(CE)과 함께 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제5 절연층(170) 상에 수직 연결 패턴(VCP)을 포함하는 제3 소스 금속 패턴이 배치될 수 있다. 수직 연결 패턴(VCP)은 수평 연결 패턴(HCP)과 전기적으로 접촉할 수 있다. 상기 제3 소스 금속 패턴 상에는, 제6 절연층(190)이 배치될 수 있다. 제6 절연층(190)은 제3 비아 절연층으로 지칭될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제6 절연층(190)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제6 절연층(190)으로 사용될 수 있는 사용될 수 있는 물질의 예로는, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
수평 연결 패턴(HCP) 및 수직 연결 패턴(VCP)에는 데이터 전압이 인가될 수 있다. 다시 말하면, 수평 연결 패턴(HCP) 및 수직 연결 패턴(VCP)은 상기 데이터 전압을 데이터 배선으로 전달하는 우회 배선으로 기능할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(DD-2)에는 팬아웃 배선이 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 표시 장치(DD-2)의 데드 스페이스가 감소될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 도전층(CL2)은 표시 영역(DA)의 상기 제2 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제2 도전층(CL2)은 상기 제2 소스 금속 패턴과 함께 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제3 도전층(CL3)은 표시 영역(DA)의 상기 제3 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제3 도전층(CL3)은 상기 제3 소스 금속 패턴과 함께 형성될 수 있다. 제3 도전층(CL3)은 제2 도전층(CL2) 상에 배치되고, 제2 도전층(CL2)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 영역(SBA1)에는 제3 도전층(CL3)의 적어도 일부를 커버하는 클래딩층(192)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 클래딩층(192)은 제3 도전층(CL3)의 측면을 커버할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 연결 배선(WR)은 제1 배선층(WL1), 제2 배선층(WL2) 및 제3 배선층(WL3)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제3 배선층(WL3)은 상기 제1 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 배선층(WL3)은 제3 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 제2 영역(SBA2)에서 제4 절연층(160)은 제3 배선층(WL3)의 양 측부를 커버하며 배치될 수 있다. 제4 절연층(160)은 제3 배선층(WL3)의 중앙부를 노출시킬 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제3 배선층(WL3)은 생략될 수도 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 배선층(WL1)은 제2 도전층(CL2)과 일체로 형성될 수 있다. 다시 말하면, 제1 배선층(WL1)은 제2 도전층(CL2)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제1 배선층(WL1)은 표시 영역(DA)의 상기 제2 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 배선층(WL1)은 제4 절연층(160) 상에 배치될 수 있다. 제2 영역(SBA2)에서, 제4 절연층(160)은 제1 배선층(WL1)의 양 측부를 커버하며 배치될 수 있다. 제4 절연층(160)은 제1 배선층(WL1)의 중앙부를 노출시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 배선층(WL2)은 제3 도전층(CL3)과 일체로 형성될 수 있다. 다시 말하면, 제2 배선층(WL2)은 제3 도전층(CL3)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제2 배선층(WL2)은 표시 영역(DA)의 상기 제3 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 배선층(WL2)은 제5 절연층(170) 상에 배치될 수 있다. 제2 배선층(WL2)은 제5 절연층(170)으로부터 노출된 제1 배선층(WL1)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 영역(SBA2)에는 제2 배선층(WL2)을 커버하는 배선 절연층(194)이 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제6 절연층(190), 클래딩층(192) 및 배선 절연층(194)은 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트 조성물을 도포한 후, 하프톤 마스크 등을 이용하여 제6 절연층(190), 클래딩층(192) 및 배선 절연층(194)에 대응되는 영역 각각에 서로 다른 노광량으로 광을 조사함으로써, 제1 두께(T1)를 가지는 클래딩층(192), 제2 두께(T2)를 가지는 배선 절연층(194) 및 제3 두께(T3)를 가지는 제6 절연층(190)을 동일한 공정에서 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 배선 절연층(194)의 제2 두께(T2)는 클래딩층(192)의 제1 두께(T1)보다 클 수 있다. 이 경우, 일 실시예에 있어서, 배선 절연층(194)의 제2 두께(T2) 및 제6 절연층(190)의 제3 두께(T3)는 서로 동일할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제6 절연층(190), 클래딩층(192) 및 배선 절연층(194)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제6 절연층(190), 클래딩층(192) 및 배선 절연층(194)으로 사용될 수 있는 사용될 수 있는 물질의 예로는, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
실시예들에 의하면, 표시 장치는 패드 영역에 형성되는 클래딩층 및 배선 절연층을 포함하고, 상기 클래딩층은 연결 패드의 도전층의 적어도 일부를 커버하며, 상기 배선 절연층은 연결 배선의 배선층을 커버할 수 있다. 이에 따라, 식각 공정 등에 의한 연결 패드 및 연결 배선의 손상을 최소화하거나 방지할 수 있다. 또한, 상기 클래딩층 및 상기 배선 절연층은 일체로 형성되되, 배선 절연층의 두께가 클래딩층의 두께보다 크게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 연결 패드와 집적 회로를 연결하는 공정의 불량을 방지함과 동시에, 상기 연결 배선의 손상을 최소화하거나 방지할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 신뢰성이 개선될 수 있다.
본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
DD, DD-1, DD-2: 표시 장치 110: 베이스 기판
DA: 표시 영역 SBA: 패드 영역
SBA1: 제1 영역 SBA2: 제2 영역
CP: 연결 패드 WR: 연결 배선
CL1, CL2, CL3, CL4: 제1 내지 제4 도전층들
WL1, WL2, WL3: 제1 내지 제3 배선층들
172, 192: 클래딩층 174, 194: 배선 절연층
210: 발광 소자 220: 봉지층
310: 제1 터치 절연층 330: 제2 터치 절연층
HCP: 수평 연결 패턴 VCP: 수직 연결 패턴

Claims (20)

  1. 표시 영역, 및 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 패드 영역을 포함하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 발광 소자;
    상기 발광 소자에 전기적으로 연결되는 구동 소자;
    상기 발광 소자를 커버하는 봉지층;
    상기 봉지층 상에 배치되는 터치 감지부;
    상기 베이스 기판 상의 상기 제1 영역에 배치되고, 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상에 배치되는 제2 도전층, 상기 제2 도전층 상에 배치되는 제3 도전층 및 상기 제3 도전층 상에 배치되는 제4 도전층을 포함하는 연결 패드;
    상기 베이스 기판 상의 상기 제2 영역에 배치되고, 상기 연결 패드와 연결되며, 제1 배선층 및 상기 제1 배선층 상에 배치되는 제2 배선층을 포함하는 연결 배선;
    상기 연결 패드의 상기 제3 도전층의 측면을 커버하고, 제1 두께를 가지는 클래딩층; 및
    상기 연결 배선의 상기 제2 배선층을 커버하고, 상기 클래딩층의 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가지는 배선 절연층을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 구동 소자는,
    게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴;
    드레인 전극을 포함하는 제1 소스 금속 패턴; 및
    상기 드레인 전극과 상기 발광 소자를 연결하는 연결 전극을 포함하는 제2 소스 금속 패턴을 포함하고,
    상기 터치 감지부는 감지 도전 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 클래딩층 및 상기 배선 절연층은 상기 제2 소스 금속 패턴을 커버하는 비아 절연층과 일체로 형성되고,
    상기 비아 절연층은 상기 제2 두께와 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서, 상기 제1 도전층은 상기 게이트 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제2 도전층은 상기 제1 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하며, 상기 제3 도전층은 상기 제2 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제4 도전층은 상기 감지 도전 패턴과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 제1 배선층은 상기 제2 도전층과 일체로 형성되고,
    상기 제2 배선층은 상기 제3 도전층과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제2 항에 있어서, 상기 터치 감지부는,
    제1 터치 절연층;
    상기 제1 터치 절연층 상에 배치되는 제1 감지 도전 패턴;
    상기 제1 감지 도전 패턴을 커버하는 제2 터치 절연층; 및
    상기 제2 터치 절연층 상에 배치되는 제2 감지 도전 패턴을 포함하며,
    상기 제4 도전층은 상기 제2 감지 도전 패턴과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 터치 절연층 또는 상기 제2 터치 절연층과 동일한 물질을 포함하고, 상기 클래딩층을 커버하는 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 구동 소자는,
    게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴;
    드레인 전극을 포함하는 제1 소스 금속 패턴;
    상기 드레인 전극과 상기 발광 소자를 연결하는 연결 전극 및 데이터 전압이 인가되는 수평 연결 패턴을 포함하는 제2 소스 금속 패턴; 및
    상기 수평 연결 패턴과 전기적으로 연결되는 수직 연결 패턴을 포함하는 제3 소스 금속 패턴을 포함하고,
    상기 터치 감지부는 감지 도전 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 클래딩층 및 상기 배선 절연층은 상기 제3 소스 금속 패턴을 커버하는 비아 절연층과 일체로 형성되고,
    상기 비아 절연층은 상기 배선 절연층의 상기 제2 두께와 동일한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제8 항에 있어서, 상기 제1 도전층은 상기 게이트 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제2 도전층은 상기 제2 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하며, 상기 제3 도전층은 상기 제3 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제4 도전층은 상기 감지 도전 패턴과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 연결 배선은 상기 제1 배선층 아래에 배치되는 제3 배선층을 더 포함하고,
    상기 제3 배선층은 상기 제1 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 표시 영역, 및 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 패드 영역을 포함하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 화소 어레이;
    상기 베이스 기판 상의 상기 제1 영역에 배치되고, 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상에 배치되는 제2 도전층 및 상기 제2 도전층 상에 배치되는 제3 중간 도전층을 포함하는 연결 패드;
    상기 베이스 기판 상의 상기 제2 영역에 배치되고, 상기 연결 패드와 연결되며, 제1 배선층 및 상기 제1 배선층 상에 배치되는 제2 배선층을 포함하는 연결 배선;
    상기 연결 패드의 상기 제1 중간 도전층의 측면을 커버하고, 제1 두께를 가지는 클래딩층; 및
    상기 연결 배선의 상기 제2 배선층을 커버하고, 상기 클래딩층의 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가지는 배선 절연층을 포함하는 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 화소 어레이는 발광 소자 및 상기 발광 소자에 전기적으로 연결되는 구동 소자를 포함하고,
    상기 구동 소자는,
    게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴;
    드레인 전극을 포함하는 제1 소스 금속 패턴; 및
    상기 드레인 전극과 상기 발광 소자를 연결하는 제1 연결 전극을 포함하는 제2 소스 금속 패턴을 포함하며,
    상기 제1 도전층은 상기 게이트 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제2 도전층은 상기 제1 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하며, 상기 제3 도전층은 상기 제2 소스 금속 패턴과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서, 상기 클래딩층 및 상기 배선 절연층은 상기 제2 소스 금속 패턴을 커버하는 비아 절연층과 일체로 형성되고,
    상기 비아 절연층은 상기 제2 두께와 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제13 항에 있어서, 상기 제1 배선층은 상기 제2 도전층과 일체로 형성되고,
    상기 제2 배선층은 상기 제3 도전층과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 표시 영역, 및 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 패드 영역을 포함하는 베이스 기판 상의 상기 제1 영역에 제1 도전층을 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판 상의 상기 제1 영역에 상기 제1 도전층과 전기적으로 접촉하는 제2 도전층을 형성하고, 상기 베이스 기판 상의 상기 제2 영역에 상기 제1 중간 도전층과 연결되는 제1 배선층을 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판 상의 상기 제1 영역에 상기 제2 도전층과 전기적으로 접촉하는 제3 도전층을 형성하고, 상기 베이스 기판 상의 상기 제2 영역에 상기 제3 도전층과 연결되는 제2 배선층을 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판 상의 상기 제1 영역에 상기 제3 도전층의 측면을 커버하고, 제1 두께를 가지는 클래딩층을 형성하고, 상기 베이스 기판 상의 상기 제2 영역에 상기 제2 배선층을 커버하고, 상기 클래딩층의 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가지는 배선 절연층을 형성하는 단계; 및
    상기 베이스 기판 상의 상기 제1 영역에 상기 제3 도전층과 전기적으로 접촉하는 제4 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16 항에 있어서, 상기 표시 장치는, 상기 베이스 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 발광 소자 및 상기 발광 소자에 전기적으로 연결되는 구동 소자를 포함하고,
    상기 제1 도전층은 상기 구동 소자의 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴과 함께 형성되며,
    상기 제2 도전층 및 상기 제1 배선층은 상기 구동 소자의 드레인 전극을 포함하는 제1 소스 금속 패턴과 함께 형성되고,
    상기 제3 도전층 및 상기 제2 배선층은 상기 드레인 전극과 상기 발광 소자를 연결하는 연결 전극을 포함하는 제2 소스 금속 패턴과 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17 항에 있어서, 상기 표시 장치는, 상기 발광 소자를 커버하는 봉지층 및 상기 봉지층 상에 배치되며 감지 도전 패턴을 포함하는 터치 감지부를 더 포함하고,
    상기 제4 도전층은 상기 감지 도전 패턴과 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제17 항에 있어서, 상기 클래딩층 및 상기 배선 절연층은 상기 제2 소스 금속 패턴을 커버하는 비아 절연층과 일체로 형성되고,
    상기 비아 절연층은 상기 배선 절연층의 상기 제2 두께와 동일한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제19 항에 있어서, 상기 클래딩층, 상기 배선 절연층 및 상기 비아 절연층은 하프톤 마스크를 이용하여 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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