CN111192882A - 显示装置 - Google Patents

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CN111192882A
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金恩惠
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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底，包括显示区域和外围区域；晶体管，位于显示区域中；像素电极，连接到晶体管；共电极，与像素电极叠置；以及有机绝缘层，位于共电极与基底之间，并且与外围区域的至少一部分叠置，其中，有机绝缘层的与显示区域叠置的部分的厚度和有机绝缘层的与外围区域叠置的部分的厚度彼此不同，并且有机绝缘层包括穿透有机绝缘层并且与外围区域叠置的谷。

Description

显示装置
于2018年11月15日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0140837号且名称为“显示装置”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
实施例涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置包括显示面板，并且显示面板包括位于基底上的发光元件和用于驱动发光元件的电路元件。显示面板可以包括封装基底，以有助于防止外部湿气或氧的渗透，从而防止发光元件由于湿气或氧而被损坏。
该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对发明的背景的理解，因此，它可能包含不形成在本国已为本领域普通技术人员所知的现有技术的信息。
发明内容
实施例涉及一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和外围区域；晶体管，位于显示区域中；像素电极，连接到晶体管；共电极，与像素电极叠置；以及有机绝缘层，位于共电极与基底之间，并且与外围区域的至少一部分叠置，其中，有机绝缘层的与显示区域叠置的部分的厚度和有机绝缘层的与外围区域叠置的部分的厚度彼此不同，并且有机绝缘层包括穿透有机绝缘层并且与外围区域叠置的谷。
与显示区域叠置的有机绝缘层可以具有第一高度，与外围区域叠置的有机绝缘层可以具有第二高度，并且第一高度可以比第二高度高。
第一高度可以为第二高度的大约两倍。
显示装置还可以包括位于共电极上并与显示区域和外围区域叠置的封装层，并且封装层可以包括第一无机层和第二无机层以及位于第一无机层和第二无机层之间的有机层。
触摸线可以位于与外围区域叠置的封装层上，并且触摸电极可以位于与显示区域叠置的封装层上。
封装层的其上设置有触摸线的一侧和封装层的其上设置有触摸电极的一侧可以具有台阶差。
有机层可以设置在谷中。
显示装置还可以包括设置在外围区域中的坝，其中，从坝到显示区域的边缘的距离可以大于从有机层的边缘到显示区域的所述边缘的距离。
晶体管还可以包括：半导体层，位于基底上；栅电极，与半导体层叠置；以及源电极和漏电极，连接到半导体层，显示装置还可以包括第一连接构件，第一连接构件位于漏电极上并连接像素电极和漏电极。
有机绝缘层可以包括：第一有机绝缘层，位于源电极和第一连接构件之间以及位于漏电极和第一连接构件之间；以及第二有机绝缘层，位于第一连接构件与像素电极之间。
第一有机绝缘层和第二有机绝缘层中的至少一个的与显示区域叠置的一个区域和与外围区域叠置的另一区域可以具有厚度差。
实施例还涉及一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和外围区域；晶体管，位于显示区域中；有机绝缘层，位于晶体管上；发光二极管，连接到晶体管；封装层，位于发光二极管上并包括有机层；以及触摸线和触摸电极，位于封装层上，其中，有机绝缘层包括与外围区域叠置的谷，有机层设置在谷中，并且与显示区域叠置的有机绝缘层和与外围区域叠置的有机绝缘层具有台阶差。
晶体管还可以包括：半导体层，位于基底上；栅电极，与半导体层叠置；以及源电极和漏电极，连接到半导体层，其中，显示装置还可以包括第一连接构件，第一连接构件位于漏电极上并连接像素电极和漏电极。
有机绝缘层可以包括：第一有机绝缘层，位于源电极和第一连接构件之间以及位于漏电极和第一连接构件之间；以及第二有机绝缘层，位于第一连接构件与像素电极之间。
第一有机绝缘层和第二有机绝缘层中的至少一个的与外围区域叠置的一个区域可以比与显示区域叠置的另一区域薄。
封装层还可以包括第一无机层和第二无机层，其中，有机层可以位于第一无机层与第二无机层之间。
实施例还涉及一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和外围区域；半导体层，位于与显示区域叠置的基底上；栅电极，与半导体层叠置；源电极和漏电极，连接到半导体层；第一连接构件，位于漏电极上并连接到漏电极；像素电极，位于第一连接构件上并连接到第一连接构件；发射层和共电极，与像素电极叠置；有机绝缘层，位于共电极与基底之间并与外围区域的至少一部分叠置，其中，有机绝缘层包括与外围区域叠置的谷；以及电源布线，设置在外围区域中并与谷叠置。
显示装置还可以包括与第一连接构件位于同一层上并且设置在外围区域中的第二连接构件，第二连接构件可以与谷叠置。
有机绝缘层可以包括：第一有机绝缘层，位于漏电极与第一连接构件之间；以及第二有机绝缘层，位于第一连接构件与像素电极之间，第一有机绝缘层可以包括第一谷，第二有机绝缘层可以包括第二谷。
显示装置还可以包括位于共电极上的封装层，其中，封装层可以包括第一无机层和第二无机层以及位于第一无机层和第二无机层之间的有机层，有机层设置在第二谷中。
附图说明
通过参照附图详细描述示例实施例，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：
图1示出了根据示例实施例的显示装置的示意性俯视图；
图2示出了图1的沿线A-A'截取的示意性剖视图；
图3示出了图1的沿线A-A'截取的示意性剖视图；
图4示出了图1的沿线A-A'截取的示意性剖视图；
图5示出了图1的沿线A-A'截取的示意性剖视图；
图6示出了根据示例实施例的显示装置的像素的等效电路图；以及
图7示出了根据示例实施例的显示装置的像素的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例性实施例；然而，它们可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达示例实施方式。在附图中，为了清楚说明，可以夸大层和区域的尺寸。同样的附图标记始终表示同样的元件。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。词语“在……上”或“在……上方”意味着定位在对象部分上或下方，并且不必意味着基于重力方向定位在对象部分的上侧上。
另外，除非明确描述为相反，否则词语“包含”及诸如其变型将被理解为暗示包括所陈述的元件(元素)但不排除任何其他元件(元素)。
另外，在本说明书中，短语“在平面上”意味着从顶部观看目标部分，短语“在剖面上”意味着从侧面观看通过竖直切割目标部分而形成的剖面。
在下文中，将参照图1和图2描述根据示例实施例的显示装置。图1是根据示例实施例的显示装置的示意性俯视图。图2是图1的沿线A-A'截取的示意性剖视图。
参照图1，根据本示例实施例的显示装置可以包括驱动单元，该驱动单元包括显示面板10、结合到显示面板10的柔性印刷电路膜20以及IC芯片30。
显示面板10包括与(例如，在由x轴方向和与x轴方向交叉的y轴方向定义的平面内)显示图像的屏幕对应的显示区域DA以及设置在显示区域DA的外围处的外围区域PA。在图1中，四边形单点划线
Figure BDA0002270962970000041
的内侧对应于显示区域DA，单点划线的外侧对应于外围区域PA。
在显示区域DA中，像素PX可以以例如矩阵的形式布置。诸如扫描线(栅极线)、发光控制线、数据线、驱动电压线等的信号线可以设置在显示区域DA中。每个像素PX可以连接到扫描线、发光控制线、数据线和驱动电压线。每个像素PX可以从信号线接收扫描信号(栅极信号)、发光控制信号、数据信号和驱动电压。每个像素PX可以包括发光元件，该发光元件可以是有机发光二极管。
显示区域DA可以包括用于感测用户的接触触摸或非接触触摸的触摸部分。
在图1中，显示区域DA被示出为圆角四边形作为示例。显示区域DA可以具有各种形状，诸如多边形、圆形、椭圆形等。
电路和/或信号线可以设置在外围区域PA中，以产生和/或传输施加到显示区域DA的各种信号。在本示例实施例中，垫(pad，或称为“焊盘”)部分PP设置在显示面板10的外围区域PA中，并且垫形成在垫部分PP中以接收显示面板10的外部信号。垫部分PP可以沿显示面板10的一个边缘的外围在第一方向(x轴方向)上延伸。柔性印刷电路膜20可以结合到垫部分PP，并且柔性印刷电路膜20的垫可以电连接到垫部分PP的垫。
产生和/或处理用于驱动显示面板10的各种信号的驱动单元可以设置在外围区域PA中。驱动单元可以包括：数据驱动器，将数据信号施加到数据线；发射驱动器(发光驱动器)，将发射控制信号(发光控制信号)施加到发射控制线(发光控制线)；以及信号控制器，控制数据驱动器、扫描驱动器和发射驱动器。扫描驱动器和发射驱动器可以与显示面板10集成，或者可以设置在显示区域DA的左侧和右侧处或者显示区域DA的一侧处。数据驱动器和信号控制器可以被设置为IC芯片(驱动IC芯片)30，并且IC芯片30可以安装在显示面板10的外围区域PA中。IC芯片30可以安装在柔性印刷电路膜20中，IC芯片30可以结合到显示面板10并因此电连接到显示面板10。
显示面板10可以包括完全覆盖显示区域DA的封装层EN。封装层EN可以通过密封显示区域DA来防止湿气或氧渗透到显示面板10中，例如防止湿气或氧渗透到发光元件中。封装层EN的边缘可以位于显示面板10的边缘与显示区域DA之间。
围绕显示区域DA的谷VA可以设置在外围区域PA中。谷VA表示去除了有机绝缘层(例如，下面结合第一谷V1详细描述的第一有机绝缘层181)的区域。有机绝缘层可能易受湿气渗透。因此，在去除有机绝缘层的谷VA中，可以防止沿有机绝缘层的一部分渗透的湿气进入到显示区域DA中。
谷VA可以沿显示面板10的边缘设置，例如可以沿显示面板10的四个边缘设置。谷VA的边缘可以大致平行于显示面板10的边缘。
显示面板10可以包括弯曲区域BR。弯曲区域BR可以在显示区域DA与垫部分PP之间设置在外围区域PA中。弯曲区域BR可以设置为在第一方向(x轴方向)上越过显示面板10。显示面板10可以在弯曲区域BR中相对于与第一方向(x轴方向)平行的弯曲轴以预定曲率半径弯曲。当显示面板10是顶部发射型时，设置为比弯曲区域BR更远离显示区域DA的垫部分PP和柔性印刷电路膜20可以弯曲以设置在显示面板10的后面。在应用显示装置的电子装置中，显示面板10可以处于这种弯曲状态。弯曲区域BR可以相对于一个弯曲轴弯曲，或者可以相对于两个或更多个弯曲轴弯曲。在附图中，弯曲区域BR设置在外围区域PA中，但是弯曲区域BR可以穿过显示区域DA和外围区域PA设置，或者可以设置在显示区域DA中。
在下文中，将参照图2详细描述根据示例实施例的显示面板10的剖面结构。图2示意性地示出了示例实施例的在显示面板10的左边缘的外围处的剖面。显示面板10的右边缘的外围和显示面板10的左边缘的外围可以基本上彼此对称。
参照图2，将描述显示区域DA，然后将描述外围区域PA。
基底110包括显示区域DA和外围区域PA，并且多个层、布线和元件位于显示区域DA中。尽管可以在显示面板10的显示区域DA中设置多个像素PX，但是在附图中将示出仅一个像素PX以避免复杂性。另外，每个像素PX可以包括例如电容器、发光元件和多个晶体管，但是为了清楚解释，将具体参照一个晶体管和连接到晶体管的一个发光元件(发光二极管)LED来描述显示面板10的堆叠结构。
基底110可以是柔性基底或刚性基底。基底110可以包括聚合物(例如聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等)或者玻璃、石英、陶瓷等。
阻挡层115可以位于基底110上，并且可以有助于防止外部湿气或杂质的渗透。阻挡层115可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等。
缓冲层120可以位于阻挡层115上。缓冲层120可以有助于阻挡杂质，并且可以减小施加到基底110的应力，该杂质会在用于形成半导体层130的工艺期间从基底110扩散到半导体层130中。缓冲层120可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅等。
半导体层130可以位于缓冲层120上。半导体层130可以包括源区131、漏区132和与栅电极124a叠置的沟道区133。设置在沟道区133的相对侧处的源区131和漏区132可以均掺杂有杂质。半导体层130可以包括多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。
包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅等)或有机绝缘材料的第一绝缘层141可以位于半导体层130上。第一绝缘层141可以包括用作第一栅极绝缘层的部分。
可以包括扫描线和晶体管的栅电极124a的第一栅极导体可以位于第一绝缘层141上。第一栅极导体可以包括金属(诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等)或者它们的金属合金。
第二绝缘层142可以位于第一绝缘层141和第一栅极导体上。第二绝缘层142可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅等)或有机绝缘材料。第二绝缘层142包括用作第二栅极绝缘层的部分。
诸如包括存储电极124b的存储线的第二栅极导体可以位于第二绝缘层142上。第二栅极导体可以包括金属(诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等)或者它们的金属合金。
第三绝缘层160可以位于第二栅极导体上。第三绝缘层160可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅等)或有机绝缘材料。
可以包括数据线、驱动电压线、电源布线178、晶体管的源电极173和晶体管的漏电极175的第一数据导体可以位于第三绝缘层160上。
源电极173和漏电极175可以通过形成在第三绝缘层160、第二绝缘层142和第一绝缘层141中的接触孔分别连接到半导体层130的源区131和漏区132。
第一数据导体可以包括金属(诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)等)或者它们的金属合金。第一数据导体可以是多层，诸如钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)、钛/铜/钛(Ti/Cu/Ti)或钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)。
栅电极124a、源电极173和漏电极175与半导体层130一起形成晶体管。在附图中所示的晶体管中，栅电极124a设置在半导体层130上方，但是晶体管的结构可以被不同地修改。
上述第一有机绝缘层181可以位于第三绝缘层160和第一数据导体上(即，位于电源布线178、源电极173和漏电极175上)。第一有机绝缘层181可以包括有机绝缘材料(例如聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物、硅氧烷类聚合物等)，并且还可以包括无机绝缘材料。
如下面详细描述的，第一有机绝缘层181的位于外围区域PA中的一部分可以包括其中去除了第一有机绝缘层181中的一些的第一谷V1。
可以包括第一连接构件177、驱动控制信号线179和第二连接构件188的第二数据导体可以位于第一有机绝缘层181上。
第一连接构件177可以连接漏电极175和像素电极191，这将在下面进行描述。第一连接构件177减小漏电极175与像素电极191之间的电阻，使得可以提供可以以高频率驱动同时具有高亮度的发光元件。
第二有机绝缘层182可以位于第二数据导体和第一有机绝缘层181上。第二有机绝缘层182可以包括有机绝缘材料，并且可以包括例如聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物等。
发光二极管LED的像素电极191可以位于第二有机绝缘层182上。像素电极191可以通过形成在第二有机绝缘层182中的接触孔连接到第一连接构件177，并且可以通过第一连接构件177连接到漏电极175。
像素电极191可以包括金属(诸如银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、铝-钕(AlNd)、铝-镍-镧(AlNiLa)等)或者它们的金属合金。可选地，像素电极191可以包括透明导电材料，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。像素电极191可以是多层，诸如ITO/Ag/ITO、ITO/Al等。
具有与像素电极191叠置的开口的阻挡肋360可以位于第二有机绝缘层182上。阻挡肋360的开口可以限定每个像素区域。阻挡肋360可以用作像素限定层。阻挡肋360可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
发射层370可以设置在像素电极191上，以与由阻挡肋360限定的开口叠置。
共电极270可以位于发射层370上。共电极270可以由具有低逸出功的薄金属(诸如钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)等)形成，使得共电极270具有透光的性质。共电极270可以包括透明导电材料，诸如ITO、IZO等。
每个像素PX的像素电极191、发射层370和共电极270形成诸如有机发光二极管的发光二极管LED。
封装层EN可以位于共电极270上，并且可以封装发光二极管LED以有助于防止外部湿气或氧的渗透。封装层EN可以覆盖显示区域DA的整个区域，并且封装层EN的边缘可以设置在外围区域PA中。
封装层EN可以包括其中堆叠有一个或更多个无机层以及一个或更多个有机层的结构。在一些示例实施例中，封装层EN可以包括第一无机层391、有机层392和第二无机层393。在封装层EN中，第一无机层391和第二无机层393可以有助于防止湿气等的渗透，并且有机层392可以使封装层EN的表面(例如，封装层EN的顶表面)平坦化。
第一无机层391和第二无机层393可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅等。有机层392可以包括有机材料，诸如丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、氨基甲酸乙酯树脂、纤维素树脂和苝树脂。
尽管未在本说明书中示出，但是偏振层可以位于封装层EN上以减少外部光的反射。
用于感测触摸的触摸电极TP可以位于封装层EN的第二无机层393上。触摸电极TP可以位于封装层EN与偏振层之间。触摸电极TP可以形成为多个块的形状，并且可以包括透明导电材料(诸如ITO等)，或者可以包括金属网格。
根据示例实施例的触摸电极TP可以直接位于封装层EN上，而不是附着到额外设置的触摸面板。与额外制造触摸面板并将触摸电极附着到触摸面板的情况相比，可以简化用于形成触摸电极TP的工艺，并且可以提供轻质且薄的显示装置。
在下文中，将描述设置在外围区域PA中的构成元件。可以结合设置在显示区域DA中的组件对设置在外围区域PA中的构成元件进行解释，并且可以部分省略重复的解释。
从显示区域DA分别延伸的基底110、阻挡层115、缓冲层120、第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层160可以顺序堆叠在外围区域PA中。
第一绝缘层141的边缘、第二绝缘层142的边缘和第三绝缘层160的边缘可以彼此叠置。例如，第一绝缘层141的边缘、第二绝缘层142的边缘和第三绝缘层160的边缘可以基本上对齐。
第一绝缘层141的边缘、第二绝缘层142的边缘和第三绝缘层160的边缘可以设置在基底110的边缘内侧。因此，第一绝缘层141的边缘、第二绝缘层142的边缘和第三绝缘层160的边缘可以设置为比基底110的边缘更靠近显示区域DA。
在外围区域PA中，裂纹坝CD可以设置在第一绝缘层141的边缘、第二绝缘层142的边缘和第三绝缘层160的边缘处。裂纹坝CD可以有助于防止裂纹的扩散，当显示面板10对应于基底110的边缘被切割时，可能在诸如阻挡层115、缓冲层120等的无机绝缘层中发生裂纹。裂纹坝CD可以由有机材料形成，例如，可以与第一有机绝缘层181、第二有机绝缘层182和阻挡肋360中的至少一个在同一工艺中由相同的材料形成。
裂纹坝CD可以覆盖第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层160的至少一个边缘。在另一实施方式中，裂纹坝CD可以不与第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层160叠置。
电源布线178可以位于第三绝缘层160的设置在外围区域PA中的一部分上。电源布线178可以与设置在显示区域DA中的源电极173和漏电极175位于同一层上。电源布线178可以与包括源电极173和漏电极175的第一数据导体在同一工艺中由相同的材料形成。
电源布线178可以传输可以施加到发光二极管LED的具有预定电平的电源电压，并且可以传输例如共电压ELVSS(见图6)。电源布线178可以通过其第一端部和第二端部电连接到垫部分PP，并且可以围绕显示区域DA。
第一有机绝缘层181可以位于电源布线178和第三绝缘层160上。
与外围区域PA叠置的第一有机绝缘层181可以包括上述第一谷V1。第一谷V1表示从其去除第一有机绝缘层181的区域。第一谷V1可以阻挡从基底110外部通过第一有机绝缘层181引入的湿气等的移动路径，以有助于防止湿气渗透到显示区域DA中。
第一谷V1可以穿透(例如，完全穿透)第一有机绝缘层181。第一谷V1可以具有与第一有机绝缘层181的厚度基本相同的高度。
驱动控制信号线179和第二连接构件188可以位于第一有机绝缘层181的与外围区域PA叠置的一部分上。驱动控制信号线179和第二连接构件188可以与设置在显示区域DA中的第一连接构件177位于同一层上。驱动控制信号线179和第二连接构件188可以与第一连接构件177通过同一工艺形成，并且可以与第一连接构件177包括相同的材料。
驱动控制信号线179可以向扫描驱动器和/或发光驱动器传输诸如垂直起始信号、时钟信号等的信号以及提供特定电平的低电压的信号，扫描驱动器和/或发光驱动器可以设置在外围区域PA中的驱动电路区域中。
第二连接构件188可以位于第一有机绝缘层181上，并且可以连接到电源布线178。可以去除第一有机绝缘层181的与电源布线178叠置的一部分，以用于第二连接构件188与电源布线178之间的连接。
第二有机绝缘层182可以位于第一有机绝缘层181、驱动控制信号线179和第二连接构件188上。
设置在外围区域PA中的第二有机绝缘层182的厚度可以与设置在显示区域DA中的第二有机绝缘层182的厚度不同。与显示区域DA叠置的第二有机绝缘层182可以具有第一高度h1，设置在外围区域PA中的第二有机绝缘层182可以具有第二高度h2。在本示例实施例中，第一高度h1可以高于第二高度h2，例如，第一高度h1可以是第二高度h2的大约两倍。设置在外围区域PA中的第二有机绝缘层182的一侧(例如，顶表面)和设置在显示区域DA中的第二有机绝缘层182的一侧(例如，顶表面)可以具有台阶差。
具有多个区域(每个区域具有不同的高度)的第二有机绝缘层182可以通过单个工艺形成，例如，可以通过使用半色调掩模形成。
第二有机绝缘层182可以包括第二谷V2。第二谷V2表示从其去除第二有机绝缘层182的区域。第二谷V2可以阻挡从外部移动通过第二有机绝缘层182或第一有机绝缘层181的湿气或外来颗粒的移动路径，从而防止外部湿气或外来颗粒渗透到显示区域DA中。
第二谷V2可以穿透(例如，完全穿透)设置在外围区域PA中的第二有机绝缘层182。第二谷V2的高度可以与设置在外围区域PA中的第二有机绝缘层182的厚度基本相同。第二谷V2的高度可以与第二高度h2相同。
在一些示例实施例中，第一谷V1和第二谷V2可以彼此叠置。第一谷V1的边缘和第二谷V2的边缘可以对齐，同时彼此叠置。当第一谷V1和第二谷V2彼此基本上叠置时，它们可以被视为单个谷。
与像素电极191位于同一层上的第三连接构件198可以位于第二有机绝缘层182上。第三连接构件198可以与像素电极191通过同一工艺由相同的材料形成。
第三连接构件198可以通过第二连接构件188连接到电源布线178。第三连接构件198可以连接到与显示区域DA叠置的共电极270。电源布线178可以通过第三连接构件198和第二连接构件188连接到共电极270。当电源布线178传输共电压ELVSS作为电源电压时，共电极270可以接收共电压ELVSS。
第二有机绝缘层182上的第三连接构件198可以具有图案化形状。在本示例实施例中，第三连接构件198和驱动控制信号线179可以不沿z轴方向彼此基本上叠置。驱动控制信号线179也可以具有图案化形状，并且可以设置在不与第三连接构件198叠置的区域中。第三连接构件198和驱动控制信号线179可以设置为彼此未对齐或偏置。在平面图中，第三连接构件198和驱动控制信号线179可以设置在未对齐区域中，并且因此完全形成平面形状。由于第三连接构件198和驱动控制信号线179未对齐，因此可以屏蔽触摸线TL的从下部产生但不必要的信号。
第三连接构件198可以设置在第一谷V1和第二谷V2中。第三连接构件198可以具有穿透第一有机绝缘层181和第二有机绝缘层182的形状。当第一谷V1和第二谷V2被除有机材料之外的材料(如第三连接构件198)填充时，可以防止沿有机绝缘层移动的湿气或外来颗粒渗透到显示区域DA中。
坝D1和D2中的至少一个可以设置在外围区域PA中。坝D1和D2可以位于第三绝缘层160上。
坝D1和D2可以防止具有流动性的有机材料(如在用于形成封装层EN的有机层392的工艺中使用的单体)溢出。因此，封装层EN的有机层392的边缘可以基本上比坝D1和D2更靠近内侧，例如，可以设置在第一坝D1内侧。有机层392的边缘可以位于坝D1和D2与显示区域DA之间。有机层392的边缘可以设置为比坝D1和D2的边缘更靠近显示区域DA。
坝D1和D2可以包括至少一个层。可以通过使用设置在显示区域DA中的有机绝缘层、无机绝缘层或阻挡肋来形成坝D1和D2。
根据示例实施例的第一坝D1可以包括一个层。在本示例实施例中，第一坝D1可以与第二有机绝缘层182通过同一工艺由相同的材料形成。第一坝D1可以与阻挡肋360通过同一工艺由相同的材料形成。
根据示例实施例的第二坝D2可以包括多个层。第二坝D2可以包括与第一有机绝缘层181通过同一工艺由相同的材料形成的层、与第二有机绝缘层182通过同一工艺由相同的材料形成的层以及与阻挡肋360通过同一工艺由相同的材料形成的层中的至少一个。
从显示区域DA延伸的封装层EN可以设置在外围区域PA中。包括在封装层EN中的第一无机层391和第二无机层393可以延伸到外围区域PA的其中设置有第三绝缘层160的边缘附近。封装层EN的第一无机层391和第二无机层393可以在坝D1和D2之上延伸，从而覆盖坝D1和D2。在本示例实施例中，第一无机层391和第二无机层393的接触面积增加，因此，可以增大第一无机层391与第二无机层393之间的结合力。
有机层392的边缘可以位于第一坝D1与谷V1和V2之间。有机层392可以形成在不超过第一坝D1的位置处，同时填充谷V1和V2。有机层392可以设置在谷V1和V2中。
有机层392可以由诸如单体的有机材料或其反应产物形成。有机材料可以在用于形成有机层392的工艺期间流入到第一谷V1和第二谷V2中。第二谷V2的高度可以由第二有机绝缘层182的厚度来确定，根据示例实施例，设置在外围区域PA中的第二有机绝缘层182的厚度可以比设置在显示区域DA中的第二有机绝缘层182的厚度薄，因此可以降低第二谷V2的高度。因此，在用于形成有机层392的工艺期间提供的有机材料可以具有位于第一坝D1与谷V1和V2之间的边缘，同时充分地填充第一谷V1和第二谷V2。根据本示例实施例，有机层392可以具有平坦的顶表面。
与上述示例实施例相比，如果外围区域PA中的第二谷V2的高度与显示区域DA中的第二有机绝缘层182的厚度基本相同，则可能需要大量的有机材料来填充第一谷V1和第二谷V2。在第二谷V2的高度与第一高度h1相等的情况下，有机材料在填充第一谷V1和第二谷V2之后不会流到第一坝D1的外围，或者不会完全填充第一谷V1和第二谷V2。因此，有机层392的顶表面会凹进，使得有机层392不会具有平坦的顶表面。连接到触摸电极TP的触摸线TL可以位于有机层392的顶表面上，如果有机层392的顶表面未被平坦化，则不会容易形成触摸线TL，并且可能发生短路故障。
连接到设置在显示区域DA中的触摸电极TP的多条触摸线TL可以位于封装层EN的顶表面上。触摸线TL连接到触摸电极TP并传输触摸感测信号。触摸线TL可以与触摸电极TP通过同一工艺由相同的材料形成，或者可以与触摸电极TP通过不同的工艺由不同的材料形成。
根据本示例实施例，设置在外围区域PA中的触摸线TL和设置在显示区域DA中的触摸电极TP可以具有台阶差。因此，封装层EN的其中设置有触摸线TL的一侧和封装层EN的其中设置有触摸电极TP的一侧可以具有台阶差。
还可以包括设置在基底110下方的保护膜(未示出)。可以通过使用粘合剂将保护膜附着到显示面板10的后侧，或者可以通过涂覆工艺来形成保护膜而不使用粘合剂。保护膜可以包括塑料，诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚乙烯硫化物等。
在下文中，将分别参照图3至图5描述根据各种示例实施例的显示装置。图3是图1的沿线A-A'截取的示例实施例的剖视图，图4是图1的沿线A-A'截取的示例实施例的剖视图，图5是图1的沿线A-A'截取的示例实施例的剖视图。图3至图5中示出的设置在显示区域DA中的构成元件与参照图2描述的构成元件相同，因此将省略描述。
首先，参照图3，从显示区域DA延伸的基底110、阻挡层115、缓冲层120、第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层160可以在外围区域PA中顺序地堆叠。
第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层160可以在它们的边缘处对齐。例如，第一绝缘层141的边缘、第二绝缘层142的边缘和第三绝缘层160的边缘可以彼此叠置。
在外围区域PA中，裂纹坝CD可以设置在第一绝缘层141的边缘、第二绝缘层142的边缘和第三绝缘层160的边缘处。裂纹坝CD可以防止裂纹的扩散，当显示面板10对应于基底110的边缘被切割时，可能在诸如阻挡层115、缓冲层120等的无机绝缘层中发生裂纹。裂纹坝CD可以由有机材料或无机材料形成，例如，可以与第一有机绝缘层181、第二有机绝缘层182和阻挡肋360中的至少一个在同一工艺中由相同的材料形成。
电源布线178可以位于第三绝缘层160的设置在外围区域PA中的一部分上。电源布线178可以与设置在显示区域DA中的源电极173和漏电极175位于同一层上。电源布线178可以与包括源电极173和漏电极175的第一数据导体在同一工艺中由相同的材料形成。
电源布线178可以传输可以施加到发光二极管LED的具有预定电平的电源电压，并且可以传输例如共电压ELVSS。
第一有机绝缘层181位于电源布线178和第三绝缘层160上。与外围区域PA叠置的第一有机绝缘层181的厚度和与显示区域DA叠置的第一有机绝缘层181的厚度可以彼此不同。例如，与显示区域DA叠置的第一有机绝缘层181可以具有第三高度h3，与外围区域PA叠置的第一有机绝缘层181可以具有第四高度h4，第三高度h3可以高于第四高度h4。例如，第三高度h3可以是第四高度h4的大约两倍。
具有多个区域(每个区域具有不同的高度)的第一有机绝缘层181可以通过单个工艺形成，例如，可以通过使用半色调掩模形成。
与外围区域PA叠置的第一有机绝缘层181可以包括其中去除了第一有机绝缘层181的第一谷V1。第一谷V1可以阻挡从基底110外部通过第一有机绝缘层181引入的湿气等的移动路径，以有助于防止湿气渗透到显示区域DA中。
第一谷V1的高度可以与设置在外围区域PA中的第一有机绝缘层181的厚度基本相同。第一谷V1的高度可以与第四高度h4基本相同。
驱动控制信号线179和第二连接构件188可以位于第一有机绝缘层181上。驱动控制信号线179和第二连接构件188可以与设置在显示区域DA中的第一连接构件177位于同一层上。驱动控制信号线179和第二连接构件188可以与第一连接构件177通过同一工艺形成，并且可以与第一连接构件177包括相同的材料。
第二连接构件188可以位于第一有机绝缘层181上，并且可以连接到电源布线178。可以去除第一有机绝缘层181的与电源布线178叠置的一部分，以用于第二连接构件188与电源布线178之间的连接。
第二有机绝缘层182可以位于驱动控制信号线179和第二连接构件188上。在各种示例实施例中，与显示区域DA叠置的第二有机绝缘层182的厚度和与外围区域PA叠置的第二有机绝缘层182的厚度可以彼此基本相等。当与显示区域DA叠置的第二有机绝缘层182的厚度为第一高度h1，与外围区域PA叠置的第二有机绝缘层182的厚度为第二高度h2时，第一高度h1和第二高度h2可以彼此基本相等。实质上的相等不仅表明完全相等，而且表明可能存在取决于例如工艺误差的细微差别。
第二有机绝缘层182可以包括其中去除了第二有机绝缘层182的第二谷V2。第二谷V2可以阻挡从基底110外部通过第二有机绝缘层182引入的湿气等的移动路径，以有助于防止外部湿气渗透到显示区域DA中。
在各种示例实施例中，第一谷V1和第二谷V2可以彼此叠置。第一谷V1的边缘和第二谷V2的边缘可以对齐，同时彼此叠置。
与像素电极191位于同一层上的第三连接构件198可以位于第二有机绝缘层182上。第三连接构件198可以通过第二连接构件188连接到电源布线178，并且第三连接构件198可以连接到与显示区域DA叠置的共电极270。电源布线178可以通过第三连接构件198和第二连接构件188连接到共电极270。当电源布线178传输共电压ELVSS作为电源电压时，共电极270可以接收共电压ELVSS。
第三连接构件198可以设置在第一谷V1和第二谷V2中。第三连接构件198可以具有穿透第一有机绝缘层181和第二有机绝缘层182的形状。当第一谷V1和第二谷V2被除有机材料之外的材料(如第三连接构件198)填充时，可以防止湿气或外来颗粒渗透到显示区域DA中。
坝D1和D2中的至少一个可以设置在外围区域PA中。坝D1和D2可以位于第三绝缘层160上。
坝D1和D2可以防止具有流动性的有机材料(如在用于形成封装层EN的有机层392的工艺中使用的单体)溢出。封装层EN的有机层392的边缘可以基本上比坝D1和D2靠近内侧，例如，可以设置在第一坝D1内侧。有机层392的边缘可以位于坝D1和D2与显示区域DA之间。
从显示区域DA延伸的封装层EN可以设置在外围区域PA中。包括在封装层EN中的第一无机层391和第二无机层393可以延伸到外围区域PA的其中设置有第三绝缘层160的边缘附近。
包括在封装层EN中的有机层392的边缘可以位于第一坝D1与谷V1和V2之间。有机层392可以形成在靠近第一坝D1的位置处，同时填充谷V1和V2。
有机层392可以使用诸如单体的有机材料形成。有机材料可以在用于形成有机层392的工艺期间流入到第一谷V1和第二谷V2中。第一谷V1的高度由第一有机绝缘层181的厚度来确定，并且根据示例实施例，设置在外围区域PA中的第一有机绝缘层181的厚度比设置在显示区域DA中的第一有机绝缘层181的厚度薄，因此可以降低第一谷V1的高度。因此，在用于形成有机层392的工艺期间提供的有机材料可以具有位于第一坝D1与谷V1和V2之间的边缘，同时充分地填充第一谷V1和第二谷V2。根据本示例实施例，有机层392和包括有机层392的封装层EN可以具有平坦的顶表面。
连接到触摸电极TP的多条触摸线TL可以位于封装层EN的顶表面上。由于触摸线TL形成在非常平坦的顶表面上，因此它们可以稳定地形成。
如果第一谷V1的高度与设置在显示区域DA中的第一有机绝缘层181的厚度基本相同，则可能需要大量的有机材料来填充第一谷V1和第二谷V2。在第一谷V1的高度与第三高度h3相等的情况下，有机材料可能不足以流到第一坝D1的外围，或者不会完全填充第一谷V1和第二谷V2。因此，有机层392的顶表面会凹进，使得有机层392不会具有平坦的顶表面。连接到触摸电极TP的触摸线TL可以位于有机层392的顶表面上，如果有机层392的顶表面未被平坦化，则不会容易形成触摸线TL，并且可能发生短路故障。
接下来，参照图4，从显示区域DA分别延伸的基底110、阻挡层115、缓冲层120、第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层160可以在外围区域PA中顺序地堆叠。
在外围区域PA中，裂纹坝CD可以设置在第一绝缘层141的边缘、第二绝缘层142的边缘和第三绝缘层160的边缘处。裂纹坝CD可以防止裂纹的扩散，当显示面板10对应于基底110的边缘被切割时，可能在诸如阻挡层115、缓冲层120等的无机绝缘层中发生裂纹。
电源布线178可以位于第三绝缘层160的设置在外围区域PA中的一部分上。电源布线178可以与设置在显示区域DA中的源电极173和漏电极175位于同一层上。电源布线178可以与包括源电极173和漏电极175的第一数据导体在同一工艺中由相同的材料形成。
电源布线178可以传输可以施加到发光二极管LED的具有预定电平的电源电压，并且可以传输例如共电压ELVSS。
第一有机绝缘层181可以位于电源布线178和第三绝缘层160上。设置在外围区域PA中的第一有机绝缘层181的厚度可以与设置在显示区域DA中的第一有机绝缘层181的厚度不同。例如，与显示区域DA叠置的第一有机绝缘层181可以具有第三高度h3，与外围区域PA叠置的第一有机绝缘层181可以具有第四高度h4。在本示例实施例中，第三高度h3可以高于第四高度h4，例如，第三高度h3可以是第四高度h4的大约两倍。
具有多个区域(每个区域具有不同的高度)的第一有机绝缘层181可以通过单个工艺形成，例如，可以通过使用半色调掩模形成。
与外围区域PA叠置的第一有机绝缘层181可以包括其中去除了第一有机绝缘层181的第一谷V1。
第一谷V1的高度可以与设置在外围区域PA中的第一有机绝缘层181的厚度基本相同。第一谷V1的高度可以与第四高度h4基本相同。
驱动控制信号线179和第二连接构件188可以位于第一有机绝缘层181上。驱动控制信号线179和第二连接构件188可以与设置在显示区域DA中的第一连接构件177位于同一层上。驱动控制信号线179和第二连接构件188可以与第一连接构件177通过同一工艺形成，并且可以与第一连接构件177包括相同的材料。
第二连接构件188可以位于第一有机绝缘层181上，并且可以连接到电源布线178。可以去除第一有机绝缘层181的与电源布线178叠置的一部分，以用于第二连接构件188与电源布线178之间的连接。
第二有机绝缘层182可以位于驱动控制信号线179和第二连接构件188上。
与显示区域DA叠置的第二有机绝缘层182的厚度和与外围区域PA叠置的第二有机绝缘层182的厚度可以彼此不同。设置在外围区域PA中的第二有机绝缘层182的厚度可以小于设置在显示区域DA中的第二有机绝缘层182的厚度。与显示区域DA叠置的第二有机绝缘层182可以具有第一高度h1，设置在外围区域PA中的第二有机绝缘层182可以具有第二高度h2。在本示例实施例中，第一高度h1可以高于第二高度h2，例如，第一高度h1可以是第二高度h2的大约两倍。
具有多个区域(每个区域具有不同的高度)的第二有机绝缘层182可以通过单个工艺形成，例如，可以通过使用半色调掩模形成。
第二有机绝缘层182可以包括第二谷V2。第二谷V2的高度可以与设置在外围区域PA中的第二有机绝缘层182的厚度基本相同，例如，第二谷V2可以具有第二高度h2。第二谷V2表示从其去除第二有机绝缘层182的区域。
在各种示例实施例中，第一谷V1和第二谷V2可以彼此叠置。第一谷V1的边缘和第二谷V2的边缘可以对齐，同时彼此叠置。
与像素电极191位于同一层上的第三连接构件198可以位于第二有机绝缘层182上。第三连接构件198可以与像素电极191通过同一工艺由相同的材料形成。
第三连接构件198可以通过第二连接构件188连接到电源布线178，并且第三连接构件198可以连接到与显示区域DA叠置的共电极270。电源布线178可以通过第三连接构件198和第二连接构件188连接到共电极270。当电源布线178传输共电压ELVSS作为电源电压时，共电极270可以接收共电压ELVSS。
第三连接构件198可以设置在第一谷V1和第二谷V2中。第三连接构件198可以具有穿透第一有机绝缘层181和第二有机绝缘层182的形状。当第一谷V1和第二谷V2被除有机材料之外的材料(如第三连接构件198)填充时，可以防止湿气或外来颗粒渗透到显示区域DA中。
封装层EN可以包括第一无机层391、有机层392和第二无机层393。在本示例实施例中，有机层392的边缘可以位于第一坝D1与谷V1和V2之间。有机层392可以形成在与第一坝D1相邻的位置处，同时填充谷V1和V2。
有机层392可以使用诸如单体的有机材料形成。有机材料可以在用于形成有机层392的工艺期间流入到第一谷V1和第二谷V2中。第一谷V1的高度可以由第一有机绝缘层181的厚度来确定，第二谷V2的高度可以由第二有机绝缘层182的厚度来确定。根据本示例实施例，设置在外围区域PA中的第一有机绝缘层181的厚度比设置在显示区域DA中的第一有机绝缘层181的厚度薄，因此可以降低第一谷V1的高度。类似地，设置在外围区域PA中的第二有机绝缘层182的厚度比设置在显示区域DA中的第二有机绝缘层182的厚度薄，因此可以降低第二谷V2的高度。因此，在用于形成有机层392的工艺期间提供的有机材料可以具有位于第一坝D1与谷V1和V2之间的边缘，同时充分地填充第一谷V1和第二谷V2。根据本示例实施例，有机层392可以具有平坦的顶表面。
连接到触摸电极TP的多条触摸线TL可以位于封装层EN的顶表面上。
当第一谷V1和第二谷V2的高度与设置在显示区域DA中的第一有机绝缘层181和第二有机绝缘层182的厚度基本相同时，可能需要大量的有机材料来填充第一谷V1和第二谷V2。在第一谷V1和第二谷V2的高度与第三高度h3和第一高度h1相等的情况下，有机材料可能不足以流到第一坝D1的外围，或者不会完全填充第一谷V1和第二谷V2。因此，有机层392的顶表面会凹进，使得有机层392不会具有平坦的顶表面。连接到触摸电极TP的触摸线TL可以位于有机层392的顶表面上，如果有机层392的顶表面未被平坦化，则不会容易形成触摸线TL，并且可能发生短路故障。
接下来，参照图5，从显示区域DA分别延伸的基底110、阻挡层115、缓冲层120、第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层160可以在外围区域PA中顺序堆叠。
在外围区域PA中，裂纹坝CD可以设置在第一绝缘层141的边缘、第二绝缘层142的边缘和第三绝缘层160的边缘处。裂纹坝CD可以防止裂纹的扩散，当显示面板10对应于基底110的边缘被切割时，可能在诸如阻挡层115、缓冲层120等的无机绝缘层中发生裂纹。裂纹坝CD可以由有机材料形成，例如，可以与第一有机绝缘层181、第二有机绝缘层182和阻挡肋360中的至少一个通过同一工艺由相同的材料形成。
电源布线178可以位于第三绝缘层160的设置在外围区域PA中的一部分上。电源布线178可以与设置在显示区域DA中的源电极173和漏电极175位于同一层上。电源布线178可以与包括源电极173和漏电极175的第一数据导体在同一工艺中由相同的材料形成。
电源布线178可以传输可以施加到发光二极管LED的具有预定电平的电源电压，并且可以传输例如共电压ELVSS。
第一有机绝缘层181可以位于电源布线178和第三绝缘层160上。
与外围区域PA叠置的第一有机绝缘层181可以包括其中去除了第一有机绝缘层181的第一谷V1。第一谷V1可以阻挡通过第一有机绝缘层181引入的湿气的移动，以有助于防止湿气渗透到显示区域DA中。
根据本示例实施例的电源布线178可以朝向显示区域DA延伸，例如，电源布线178可以与第一谷V1部分地叠置。第一谷V1可以使电源布线178部分地暴露。
驱动控制信号线179和第二连接构件188可以位于第一有机绝缘层181上。驱动控制信号线179和第二连接构件188可以与设置在显示区域DA中的第一连接构件177位于同一层上。驱动控制信号线179和第二连接构件188可以与第一连接构件177通过同一工艺形成，并且可以与第一连接构件177包括相同的材料。
第二连接构件188可以位于第一有机绝缘层181上，并且可以连接到电源布线178。可以去除第一有机绝缘层181的与电源布线178叠置的一部分，以用于第二连接构件188与电源布线178之间的连接。在实施方式中，第二连接构件188可以通过第一谷V1连接到电源布线178，在示例实施例中，可以不去除第一有机绝缘层181的这一部分。
第二连接构件188可以设置在第一谷V1中。第二连接构件188可以朝向显示区域DA延伸，同时填充第一谷V1。第二连接构件188可以通过第一谷V1连接到电源布线178。
第二有机绝缘层182可以位于驱动控制信号线179和第二连接构件188上。第二有机绝缘层182可以包括其中去除了第二有机绝缘层182的第二谷V2。
在各种示例实施例中，第一谷V1和第二谷V2可以彼此叠置。第一谷V1和第二谷V2可以在它们的边缘处对齐，同时彼此叠置。
与像素电极191位于同一层上的第三连接构件198可以位于第二有机绝缘层182上。第三连接构件198可以与像素电极191通过同一工艺由相同的材料形成。
第三连接构件198可以通过第二连接构件188连接到电源布线178，第三连接构件198可以连接到与显示区域DA叠置的共电极270。电源布线178可以通过第三连接构件198和第二连接构件188连接到共电极270。当电源布线178传输共电压ELVSS作为电源电压时，共电极270可以接收共电压ELVSS。
第三连接构件198可以设置在第一谷V1和第二谷V2中。第三连接构件198可以具有穿透第一有机绝缘层181和第二有机绝缘层182的形状。第三连接构件198可以在第一谷V1和第二谷V2中接触第二连接构件188。第三连接构件198通过第二谷V2连接到第二连接构件188，第二连接构件188通过第一谷V1连接到电源布线178，因此可以传输共电压ELVSS。
第一谷V1和第二谷V2可以主要被除有机材料之外的材料(如第二连接构件188和第三连接构件198)填充。因此，可以防止湿气或外来颗粒通过第一谷V1和第二谷V2渗透到显示区域DA中。
坝D1和D2中的至少一个可以设置在外围区域PA中。坝D1和D2可以防止具有流动性的有机材料(如在用于形成封装层EN的有机层392的工艺中使用的单体)溢出。因此，封装层EN的有机层392的边缘可以基本上比坝D1和D2更靠近内侧，例如，可以设置在第一坝D1内侧。
有机层392的边缘可以位于坝D1和D2与显示区域DA之间。有机层392的边缘可以位于第一坝D1与谷V1和V2之间。有机层392可以延伸到与第一坝D1相邻的位置，同时填充谷V1和V2。
有机层392可以使用诸如单体的有机材料形成。有机材料可以在用于形成有机层392的工艺期间流入到第一谷V1和第二谷V2中。在本示例实施例中，第一谷V1处于被第二连接构件188填充的状态，第二谷V2处于被第三连接构件198填充的状态。因此，在用于形成有机层392的工艺期间提供的有机材料可以具有位于第一坝D1与谷V1和V2之间的边缘，同时即使用少量有机材料也充分填充第一谷V1和第二谷V2。形成在这种结构上的有机层392可以具有平坦化的顶表面。
连接到触摸电极TP的多条触摸线TL可以位于封装层EN的顶表面上。
在下文中，将参照图6和图7描述根据本示例实施例的显示装置的显示区域。图6是根据本示例实施例的显示装置的一个像素的电路图，图7是根据示例实施例的显示装置的像素的示意性剖视图。
首先，参照图6，像素PX可以是由多条信号线121、171和172划分的区域。像素PX可以是用于显示图像的最小单元。显示装置通过使用多个像素PX来显示图像。
信号线121、171和172可以包括传输栅极信号(或扫描信号)的多条栅极线121、传输数据信号的多条数据线171以及传输驱动电压ELVDD的多条驱动电压线(第一驱动电压线)172。在本示例实施例中，数据线171和驱动电压线172包括在数据导体中，栅极线121将被称为栅极导体。
栅极线121可以基本上在行方向上并大致彼此平行地延伸，并且数据线171和驱动电压线172的竖直方向部分可以基本上在列方向上并大致彼此平行地延伸。
每个像素PX可以包括开关薄膜晶体管Qs、驱动薄膜晶体管Qd、存储电容器Cst和发光二极管LED。每个像素PX还可以包括用于补偿供应到发光二极管LED的电流的晶体管和电容器。
在本示例实施例中，开关薄膜晶体管Qs响应于施加到栅极线121的扫描信号将施加到数据线171的数据信号传输到驱动薄膜晶体管Qd。驱动薄膜晶体管Qd流过有输出电流ILD，该输出电流ILD的大小根据施加在控制端子和输出端子之间的电压而变化。存储电容器Cst充有与施加到驱动薄膜晶体管Qd的控制端子的数据信号对应的电荷量，并且即使在开关薄膜晶体管Qs截止之后也保持该电荷量。
在本示例实施例中，发光二极管LED包括连接到驱动薄膜晶体管Qd的输出端子的阳极和连接到传输共电压ELVSS的电源布线178(见图2至图5)的阴极。发光二极管LED通过根据驱动薄膜晶体管Qd的输出电流ILD改变强度来显示图像。
接下来，参照图7，将描述设置有存储电容器、驱动薄膜晶体管(在下中被称为“晶体管”)等的区域的层间结构。在下面的描述中可以省略参照图2提供的相似特征的重复描述。
阻挡层115可以位于基底110上，以有助于防止外部引入的湿气或外来颗粒的渗透。缓冲层120可以位于阻挡层115上。缓冲层120可以阻挡杂质，并且可以减小施加到基底110的应力，该杂质会在用于形成半导体层130的工艺期间从基底110扩散到半导体层130。阻挡层115和缓冲层120中的每个可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅等。
半导体层130可以位于缓冲层120上。半导体层130可以包括源区131、漏区132和与栅电极124a叠置的沟道区133。在本示例实施例中，源区131和漏区132分别设置在沟道区133的相对侧处并掺杂有杂质。半导体层130可以包括多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。
包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅等)或有机绝缘材料的第一绝缘层141可以位于半导体层130上。第一绝缘层141也可以被称为第一栅极绝缘层。
包括扫描线和晶体管的栅电极124a的第一栅极导体可以位于第一绝缘层141上。
第二绝缘层142可以位于第一绝缘层141和第一栅极导体上。第二绝缘层142可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅等)或有机绝缘材料。第二绝缘层142也可以被称为第二栅极绝缘层。
诸如包括存储电极124b的存储线的第二栅极导体可以位于第二绝缘层142上。栅电极124a和存储电极124b可以形成参照图6描述的存储电容器Cst。
第三绝缘层160可以位于第二栅极导体上。第三绝缘层160可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅等)或有机绝缘材料。
包括数据线171、第一驱动电压线172以及晶体管的源电极173和漏电极175的第一数据导体可以位于第三绝缘层160上。
源电极173和漏电极175中的每个可以通过分别形成在第三绝缘层160、第二绝缘层142和第一绝缘层141中的接触孔连接到半导体层130的源区131和漏区132。
在本示例实施例中，栅电极124a、源电极173和漏电极175与半导体层130一起形成晶体管。在附图中所示的晶体管中，栅电极124a设置在半导体层130上方，但是晶体管的结构可以被不同地修改。
第一有机绝缘层181可以位于第三绝缘层160和第一数据导体上。第一有机绝缘层181可以包括有机绝缘材料，例如可以包括聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物、硅氧烷类聚合物等。
包括第一连接构件177和第二驱动电压线177b的第二数据导体可以位于第一有机绝缘层181上。
第一连接构件177可以连接漏电极175和像素电极191。第二驱动电压线177b可以连接到第一驱动电压线172并且可以传输驱动电压。第二驱动电压线177b可以通过连接到第一驱动电压线172来减小电阻，并且可以提供高亮度和高频率的显示面板。
在本示例实施例中，第二有机绝缘层182位于第二数据导体和第一有机绝缘层181上。第二有机绝缘层182可以包括有机绝缘材料，并且可以包括例如聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物等。
发光二极管LED的像素电极191可以位于第二有机绝缘层182上。像素电极191可以通过形成在第二有机绝缘层182中的接触孔连接到第一连接构件177，并且可以通过第一连接构件177连接到漏电极175。
具有与像素电极191叠置的开口的阻挡肋360可以位于第二有机绝缘层182上。阻挡肋360的开口可以限定每个像素区域。阻挡肋360可以被称为像素限定层。阻挡肋360可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
在本示例实施例中，发射层370位于与阻挡肋360的开口叠置的像素电极191上，并且共电极270位于发射层370上。
在本示例实施例中，每个像素PX的像素电极191、发射层370和共电极270形成诸如有机发光二极管的发光二极管LED。根据发光二极管LED的发光方向，显示装置可以具有前显示型、后显示型和一个面板双显示型中的任何一种的结构。
在共电极270上方，如先前参照图2描述的，可以顺序地设置封装层EN和触摸电极TP。
通过总结和回顾，代替通过使用封装基底密封发光元件，可以在发光元件上形成封装层，这可以减轻显示面板的重量，并且降低损坏显示面板的可能性。显示面板的大部分可以是显示图像的显示区域，但是显示面板的特定区域(例如，显示面板的边缘区域)可以是设置有驱动电路、信号线等的外围区域。
实施例可以提供一种显示面板，其中设置在外围区域中的封装层的有机层可以具有平坦的顶表面。因此，可以稳定地形成在封装层上形成的触摸线。因此，可以提供具有改善的可靠性的显示装置。实施例可以提供一种显示装置，其中设置在外围区域中的封装层(例如，包括在封装层中的有机层)的顶表面可以被制成平坦的，这可以有助于能够在封装层上形成触摸线。
<符号的描述>
DA：显示区域
PA：外围区域
110：基底
191：像素电极
270：共电极
这里已经公开了示例实施例，尽管采用了特定的术语，但是它们仅以一般性的和描述性的含义来使用并将被解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，自提交本申请之时起，对于本领域普通技术人员将明显的是，除非另外具体指出，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者可以与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和外围区域；
晶体管，位于所述显示区域中；
像素电极，连接到所述晶体管；
共电极，与所述像素电极叠置；以及
有机绝缘层，位于所述共电极与所述基底之间，并且与所述外围区域的至少一部分叠置，
其中，所述有机绝缘层的与所述显示区域叠置的部分的厚度和所述有机绝缘层的与所述外围区域叠置的部分的厚度彼此不同，并且
所述有机绝缘层包括穿透所述有机绝缘层并且与所述外围区域叠置的谷。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，与所述显示区域叠置的所述有机绝缘层具有第一高度，与所述外围区域叠置的所述有机绝缘层具有第二高度，并且所述第一高度比所述第二高度高。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一高度为所述第二高度的两倍。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括位于所述共电极上并与所述显示区域和所述外围区域叠置的封装层，并且
所述封装层包括：
第一无机层和第二无机层；以及
有机层，位于所述第一无机层与所述第二无机层之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，触摸线位于与所述外围区域叠置的所述封装层上，并且
触摸电极位于与所述显示区域叠置的所述封装层上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述封装层的其上设置有所述触摸线的一侧和所述封装层的其上设置有所述触摸电极的一侧具有台阶差。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述有机层设置在所述谷中。
8.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述外围区域中的坝，
其中，从所述坝到所述显示区域的边缘的距离大于从所述有机层的边缘到所述显示区域的所述边缘的距离。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述晶体管还包括：
半导体层，位于所述基底上；
栅电极，与所述半导体层叠置；以及
源电极和漏电极，连接到所述半导体层，
其中，所述显示装置还包括第一连接构件，所述第一连接构件位于所述漏电极上并连接所述像素电极和所述漏电极。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层包括：
第一有机绝缘层，位于所述源电极与所述第一连接构件之间以及位于所述漏电极与所述第一连接构件之间；以及
第二有机绝缘层，位于所述第一连接构件与所述像素电极之间，
其中，所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层中的至少一个的与所述显示区域叠置的一个区域和与所述外围区域叠置的另一区域具有厚度差。
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