CN111755471A - 可弯折柔性显示装置及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种可弯折柔性显示装置及其制作方法，该可弯折柔性显示装置包括：柔性基板；缓冲层，设置于柔性基板上；薄膜场效应晶体管器件层，设置于缓冲层上，薄膜场效应晶体管器件层上设有多个贯通相对两表面的开孔；平坦层，设置于薄膜场效应晶体管器件层及多个开孔内；有机发光二极管器件层，设置于平坦层上；以及封装层，设置于有机发光二极管器件层上。本发明的一种方式是通过在薄膜场效应晶体管器件层上开设有多个贯通相对两表面的开孔，使得在形成平坦层时，既形成于薄膜场效应晶体管器件层上，也形成于多个开孔内，使平坦层对薄膜场效应晶体管器件层形成立体保护结构，防止局部弯折过大。
Description
技术领域
本发明涉及一种柔性显示装置，特别是涉及一种可弯折柔性显示装置及其制作方法。
背景技术
现有技术的柔性显示装置通常是采用聚酰亚胺树脂(Polyimide,PI)作为柔性基板，在其上沉积多晶硅(poly)、金属(metal)等材料形成器件结构，然后再在器件结构上形成封装层，最终形成柔性显示装置,请参考图9所示。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
现有技术的柔性显示装置在弯折时，经多次弯折后，金属(metal)易断折；同时，多晶硅(poly)相对较脆，在可弯折柔性显示装置弯折角度过大时，还容易导致多晶硅(poly)断折。因此，急需一种可弯折柔性显示装置，以解决现有技术的柔性显示装置在材料柔韧性等方面存在的不足的问题。
发明内容
为解决现有技术的可弯折柔性显示装置在材料柔韧性等方面存在的不足的问题，本发明实施例提供了一种可弯折柔性显示装置及其制作方法。具体的技术方案如下：
第一方面，一种可弯折柔性显示装置，其中可弯折柔性显示装置包括：
柔性基板；
缓冲层，设置于柔性基板上；
薄膜场效应晶体管器件层，设置于缓冲层上，薄膜场效应晶体管器件层上设有多个贯通相对两表面的开孔；
平坦层，设置于薄膜场效应晶体管器件层及多个开孔内；
有机发光二极管器件层，设置于平坦层上；以及
封装层，设置于有机发光二极管器件层上。
在第一方面的第一种可能实现方式中，缓冲层还包括：氮化硅层，设置于柔性基板上；以及氧化硅层，设置于氮化硅层上，器件层设置于氧化硅层上。
在第一方面的第二种可能实现方式中，薄膜场效应晶体管器件层还包括：多晶硅层，设置于缓冲层上；栅极绝缘层，设置于多晶硅层上；第一金属层，设置于栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置于第一金属层上；以及第二金属层，设置于层间绝缘层上，平坦层设置于第二金属层上；其中，多个开孔贯通多晶硅层、栅极绝缘层、第一金属层、层间绝缘层及第二金属层。
第二方面，一种可弯折柔性显示装置的制作方法，其中可弯折柔性显示装置的制作方法包括以下步骤：
形成柔性基板；
于柔性基板上形成缓冲层；
于缓冲层上形成薄膜场效应晶体管器件层；
于薄膜场效应晶体管器件层上形成多个贯通相对两表面的开孔；
于薄膜场效应晶体管器件层上及开孔内形成平坦层；
于平坦层上形成有机发光二极管器件层；以及
于有机发光二极管器件层上形成封装层。
在第二方面的第一种可能实现方式中，形成缓冲层的步骤还包括：于柔性基板上形成氮化硅层；以及于氮化硅层上形成氧化硅层。
在第二方面的第二种可能实现方式中，形成薄膜场效应晶体管器件层的步骤还包括：于缓冲层上形成多晶硅层，并在多晶硅层上刻蚀出需要的器件图形；于多晶硅层上形成栅极绝缘层；于栅极绝缘层上形成第一金属层；于第一金属层上形成层间绝缘层；以及于层间绝缘层上形成第二金属层。
在第二方面的第三种可能实现方式中，是通过激光照射薄膜场效应晶体管器件层的上表面，使其穿过薄膜场效应晶体管器件层的下表面，形成多个贯通相对两表面的开孔。
第三方面，一种可弯折柔性显示装置，其中可弯折柔性显示装置包括：
柔性基板；
缓冲层，设置于柔性基板上；
薄膜场效应晶体管器件层，设置于缓冲层上；
平坦层，设置于薄膜场效应晶体管器件层上；
有机发光二极管器件层，设置于平坦层上；
多个开孔，由上至下依次贯通有机发光二极管器件层、平坦层及薄膜场效应晶体管器件层；以及
封装层，设置于有机发光二极管器件层上及多个开孔内。
在第三方面的第一种可能实现方式中，缓冲层还包括：氮化硅层，设置于柔性基板上；以及氧化硅层，设置于氮化硅层上，器件层设置于氧化硅层上。
在第三方面的第二种可能实现方式中，薄膜场效应晶体管器件层还包括：多晶硅层，设置于缓冲层上；栅极绝缘层，设置于多晶硅层上；第一金属层，设置于栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置于第一金属层上；以及第二金属层，设置于层间绝缘层上，平坦层设置于第二金属层上；其中，多个开孔贯通多晶硅层、栅极绝缘层、第一金属层、层间绝缘层及第二金属层。
第四方面，一种可弯折柔性显示装置的制作方法，其中可弯折柔性显示装置的制作方法包括以下步骤：
形成柔性基板；
于柔性基板上形成缓冲层；
于缓冲层上形成薄膜场效应晶体管器件层；
于薄膜场效应晶体管器件层上形成平坦层；
于平坦层上形成有机发光二极管器件层；
形成由上至下依次贯通有机发光二极管器件层、平坦层及薄膜场效应晶体管器件层的多个开孔；以及
于有机发光二极管器件层上及开孔内形成封装层。
在第四方面的第一种可能实现方式中，形成缓冲层的步骤还包括：于柔性基板上形成氮化硅层；以及于氮化硅层上形成氧化硅层。
在第四方面的第二种可能实现方式中，形成薄膜场效应晶体管器件层的步骤还包括：于缓冲层上形成多晶硅层，并在多晶硅层上刻蚀出需要的器件图形；于多晶硅层上形成栅极绝缘层；于栅极绝缘层上形成第一金属层；于第一金属层上形成层间绝缘层；以及于层间绝缘层上形成第二金属层。
在第四方面的第三种可能实现方式中，是通过激光照射有机发光二极管器件层的上表面，使其依次穿过有机发光二极管器件层、平坦层及薄膜场效应晶体管器件层，形成多个上至下依次贯通的开孔。
本发明与现有技术相比具有的优点有：
本发明的一种方式是通过在薄膜场效应晶体管(TFT)器件层上开设有多个贯通相对两表面的开孔，使得在形成平坦层(PLN)时，既形成于薄膜场效应晶体管(TFT)器件层上，也形成于多个开孔内，使平坦层(PLN)对薄膜场效应晶体管(TFT)器件层形成立体保护结构；在薄膜场效应晶体管(TFT)器件层弯折时，平坦层(PLN)可以为薄膜场效应晶体管(TFT)器件层提供水平方向的刚性支撑，防止局部弯折过大。
本发明的另一种方式是通过在有机发光二极管(OLED)器件层、平坦层(PLN)及薄膜场效应晶体管(TFT)器件层上形成多个上至下依次贯通的开孔，使得在形成封装层时，既形成于有机发光二极管(OLED)器件层上，也形成于多个开孔内，使封装层对有机发光二极管(OLED)器件层、平坦层(PLN)及薄膜场效应晶体管(TFT)器件层形成立体保护结构；在可弯折柔性显示装置弯折时，封装层可以为有机发光二极管(OLED)器件层、平坦层(PLN)及薄膜场效应晶体管(TFT)器件层提供水平方向的刚性支撑，防止局部弯折过大。
本发明的二种方式只需在现行工艺的基础上增加一开孔工艺流程，无需做大的变动，与现行工艺匹配度高，即可实现对可弯折柔性显示装置的弯折保护，并且可行性高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例的可弯折柔性显示装置的一种结构示意图。
图2是本发明一实施例的可弯折柔性显示装置的另一种结构示意图。
图3是本发明二实施例的可弯折柔性显示装置的制作方法的步骤流程示意图。
图4是本发明二、四实施例的形成缓冲(buffer)层的步骤流程示意图。
图5是本发明二、四实施例的薄膜场效应晶体管(TFT)器件层的步骤流程示意图。
图6是本发明三实施例的可弯折柔性显示装置的一种结构示意图。
图7是本发明三实施例的可弯折柔性显示装置的另一种结构示意图。
图8是本发明四实施例的可弯折柔性显示装置的制作方法的步骤流程示意图。
图9是现有技术的可弯折柔性显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明的一实施例中，请参考图1，其示出了本发明一实施例的可弯折柔性显示装置1的一种结构示意图。可弯折柔性显示装置1包括柔性基板2、缓冲(buffer)层3、薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4、平坦层(PLN)5、有机发光二极管(OLED)器件层6和封装层7，其中：
请再次参考图1，柔性基板2设置于可弯折柔性显示装置1的下方，其主要是为缓冲(buffer)层3、薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4、平坦层(PLN)5、有机发光二极管(OLED)器件层6和封装层7提供支撑。本实施例公开的柔性基板2的材质为聚酰亚胺树脂(Polyimide，PI)，但并不以此为限。柔性基板2的厚度优选为50-250nm，但并不以此为限。
缓冲(buffer)层3设置于柔性基板2上，缓冲(buffer)层3用于使薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4与柔性基板2的结合更稳固。缓冲(buffer)层3的厚度优选为200-400nm，但并不以此为限。
为了对上述图1所示的可弯折柔性显示装置1做进一步描述，请参考图2，其示出了本发明一实施例的可弯折柔性显示装置1的另一种结构示意图，本实施例公开的缓冲(buffer)层3还包括氮化硅(SiN)层31和氧化硅(SiO)层32，氮化硅(SiN)层31设置于柔性基板2上，氧化硅(SiO)层32设置于氮化硅(SiN)层31上，器件层4设置于氧化硅(SiO)层32上，然缓冲(buffer)层3的材质及结构并不局限于此，本领域技术人员也可以根据实际的器件层4的选择其他合适的材质及结构的缓冲(buffer)层3。
请再次参考图1，薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4设置于缓冲(buffer)层3上，薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4上设有多个贯通相对两表面的开孔46，多个开孔46优选位于器件层4的非子像素区域，以防止影响器件层4的发光效果，至于多个开孔46的大小及间距的设计在本发明中可以没有特殊要求，可参照产品(可弯折柔性显示装置1)设计时所需的弯折角度进行设计。薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4的厚度优选为为5-15μm，但并不以此为限。
在薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4折弯时，由于薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4的开孔46位置与未开孔位置折弯应力不同，可以使未开孔位置折弯应力会全部释放于开孔46内。
在一优选实施例中，请再次参考图2，薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4还包括多晶硅(Poly)层41、栅极绝缘层42、第一金属层43、层间绝缘(ILD)层44和第二金属层45，多晶硅(Poly)层41设置于缓冲(buffer)层3上，多晶硅(Poly)层41通过缓冲(buffer)层3与柔性基板2形成稳固结合，并且多晶硅(Poly)层41上刻蚀有需要的器件图形，在本发明中对于该器件图形可以没有特殊要求，参照本领域技术人员的常规选择即可。
栅极绝缘(GI)层42设置于多晶硅(Poly)层41上，以使多晶硅(Poly)层41与第一金属层43绝缘；第一金属层43设置于栅极绝缘(GI)层42上；层间绝缘(IDL)层44设置于第一金属层43上，以使第一金属层43与第二金属层45绝缘；第二金属层45设置于层间绝缘(ILD)层44上，多个开孔46贯通多晶硅(Poly)层41、栅极绝缘(GI)层42、第一金属层43、层间绝缘(ILD)层44及第二金属层45，然薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4的结构并不局限于此，本领域技术人员也可以根据本发明的教导选择其他的结构的薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4。
请再次参考图1、2，平坦层(PLN)5设置于薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4上及多个开孔46内，通过将平坦层(PLN)5设置(沉积)于开孔46内，其下端与缓冲(buffer)层3接触、上端设置于薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4上，使平坦层(PLN)5对薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4形成立体保护结构。平坦层(PLN)5的厚度优选为1-3μm，但并不以此为限。
在薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4弯折时，平坦层(PLN)5可以为薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4提供水平方向的刚性支撑，防止局部弯折过大。同时，通过平坦层(PLN)46的较好的膜层覆盖能力，使薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4形成较好的平坦性，以方便进行后续制程的制作。
请再次参考图1、2，有机发光二极管(OLED)器件层6设置于平坦层(PLN)5上，有机发光二极管(OLED)器件层6的厚度优选为250-300μm，但并不以此为限。在本发明中对于有机发光二极管(OLED)器件层6的结构的选择及设置方式可以没有特殊要求，参照本领域技术人员的常规选择即可。
请再次参考图1、2，封装层7设置于有机发光二极管(OLED)器件层6上，封装层7优选的覆盖并完全包裹有机发光二极管(OLED)器件层6，以达到更佳的封装效果，但并不以此为限。封装层7的厚度优选为5-15μm，但并不以此为限。在本发明中对于封装层6的选择可以没有特殊要求，参照本领域技术人员的常规选择即可。
本发明的二实施例中，请参考图3，其示出了本发明二实施例的可弯折柔性显示装置1的制作方法8的步骤流程示意图。可弯折柔性显示装置1的制作方法8包括以下步骤801-807，其中：
步骤801：形成柔性基板2。
具体的，通过涂布法，将聚酰亚胺树脂(Polyimide，PI)涂布在玻璃基板上，形成柔性基板2，在制作完成可弯折柔性显示装置1的后续步骤后，再通过激光照射，分离玻璃基板与柔性基板2，然柔性基板2的形成方式并不局限于此，本领域技术人员也可以根据本发明的教导选择其他合适的形成方式。
步骤802：于柔性基板2上形成缓冲(buffer)层3。
在一优选实施例中，为了对上述图3所示的可弯折柔性显示装置1的制作方法8做进一步描述，请参考图4，其示出了本发明二实施例的形成缓冲(buffer)层3的步骤流程示意图。形成缓冲(buffer)层3的步骤9还包括步骤901-902，其中：
步骤901：于柔性基板2上形成氮化硅(SiN)层31。
具体的，通过沉积法，将氮化硅(SiN)沉积于柔性基板2上，形成氮化硅(SiN)层31，但并不以此为限。
步骤902：于氮化硅(SiN)层31上形成氧化硅(SiO)层32。
具体的，通过沉积法，将氧化硅(SiO)沉积于氮化硅(SiN)层31上，形成氧化硅(SiO)层32，但并不以此为限。
步骤803：于缓冲(buffer)层3上形成薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4。
在一优选实施例中，为了对上述图3所示的可弯折柔性显示装置1的制作方法8做进一步描述，请参考图5，其示出了本发明二实施例的形成薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4的步骤流程示意图。形成薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4的步骤10还包括步骤101-步骤105，其中：
步骤101：于缓冲(buffer)层3上形成多晶硅(Poly)层41，并在多晶硅(Poly)层41上刻蚀出需要的器件图形。
具体的，通过沉积法，将多晶硅(Poly)沉积于氧化硅(SiO)层32上，形成多晶硅(Poly)层41，使用光罩将其刻蚀出需要的器件图形，但并不以此为限。
步骤102：于多晶硅(Poly)层41上形成栅极绝缘(GI)层42。
具体的，通过沉积法，于氧化硅(SiO)层32上依次沉积SiO、SiN，形成栅极绝缘(GI)层42，但并不以此为限。
步骤103：于栅极绝缘(GI)层42上形成第一金属层43。
具体的，通过沉积法，将金属(Metal)沉积于栅极绝缘(GI)层42上，形成第一金属层43，但并不以此为限。
步骤104：于第一金属层43上形成层间绝缘(ILD)层44。
具体的，在第一金属层43上制作层间绝缘(ILD)层44，以使第一金属层43与第二金属层45绝缘。
步骤105：于层间绝缘(ILD)层44上形成第二金属层45。
具体的，通过沉积法，将金属(Metal)沉积于层间绝缘(ILD)层44上，形成第二金属层45，但并不以此为限。
步骤804：于薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4上形成多个贯通相对两表面的开孔46。
具体的，通过激光照射薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4的上表面，使其穿过薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4的下表面，形成多个贯通相对两表面的开孔46。在本发明中开孔46的大小及相邻二个开孔46的间距参照产品设计时所需的弯折角度进行设计，但并不以此为限。
步骤805：于薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4上及开孔46内形成平坦层(PLN)5。
具体的，通过沉积法，将平坦层(PLN)46的材料沉积于开孔46内及薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4上，形成薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4。
步骤806：于平坦层(PLN)5上形成有机发光二极管(OLED)器件层6。
具体的，通过蒸镀法，将有机发光二极管(OLED)器件的材料依次蒸镀于平坦层(PLN)46上，有机发光二极管(OLED)器件层6，但并不以此为限。
步骤807：于有机发光二极管(OLED)器件层6上形成封装层7。
具体的，通过沉积法，在有机发光二极管(OLED)器件层6上制作封装层7，优选的使其覆盖并完全包裹有机发光二极管(OLED)器件层6，以达到更佳的封装效果，但并不以此为限。
本发明的上述可弯折柔性显示装置1的制作方法8是在现行工艺的基础上增加一开孔工艺流程，使得在形成平坦层(PLN)5时，既形成于薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4上，也形成于多个开孔46内，使平坦层(PLN)5对薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4形成立体保护结构。
在薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4弯折时，平坦层(PLN)5可以为薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4提供水平方向的刚性支撑，防止局部弯折过大；并且由于本发明的可弯折柔性显示装置1的制作方法8只是在现行工艺的基础上增加一开孔工艺流程，无需做大的变动，与现行工艺匹配度高，可行性高。
本发明的三实施例中，请参考图6，其示出了本发明一实施例的可弯折柔性显示装置1的一种结构示意图。可弯折柔性显示装置1包括柔性基板2、缓冲(buffer)层3、薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4、平坦层(PLN)5、有机发光二极管(OLED)器件层6和封装层7，其中：
请再次参考图6，柔性基板2设置于可弯折柔性显示装置1的下方，其主要是为缓冲(buffer)层3、薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4、平坦层(PLN)5、有机发光二极管(OLED)器件层6和封装层7提供支撑。本实施例公开的柔性基板2的材质为聚酰亚胺树脂(Polyimide，PI)，但并不以此为限。
请再次参考图6，缓冲(buffer)层3设置于柔性基板2上，缓冲(buffer)层3用于使薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4与柔性基板2的结合更稳固。为了对上述图6所示的可弯折柔性显示装置1做进一步描述，请参考图7，其示出了本发明三实施例的可弯折柔性显示装置1的另一种结构示意图，本实施例公开的缓冲(buffer)层3还包括氮化硅(SiN)层31和氧化硅(SiO)层32，氮化硅(SiN)层31设置于柔性基板2上，氧化硅(SiO)层32设置于氮化硅(SiN)层31上，器件层4设置于氧化硅(SiO)层32上，然缓冲(buffer)层3的材质及结构并不局限于此，本领域技术人员也可以根据实际的器件层4的选择其他合适的材质及结构的缓冲(buffer)层3。
请再次参考图6，薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4设置于缓冲(buffer)层3上，请再次参考图7，本实施例公开的薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4还包括多晶硅(Poly)层41、栅极绝缘层42、第一金属层43、层间绝缘(ILD)层44和第二金属层45，多晶硅(Poly)层41设置于缓冲(buffer)层3上，多晶硅(Poly)层41通过缓冲(buffer)层3与柔性基板2形成稳固结合，并且多晶硅(Poly)层41上刻蚀有需要的器件图形，在本发明中对于该器件图形可以没有特殊要求，参照本领域技术人员的常规选择即可。
栅极绝缘(GI)层42设置于多晶硅(Poly)层41上，以使多晶硅(Poly)层41与第一金属层43绝缘；第一金属层43设置于栅极绝缘(GI)层42上；层间绝缘(IDL)层44设置于第一金属层43上，以使第一金属层43与第二金属层45绝缘；第二金属层45设置于层间绝缘(ILD)层44上，多个开孔46贯通多晶硅层、栅极绝缘层、第一金属层、层间绝缘层及第二金属层，然薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4的结构并不局限于此，本领域技术人员也可以根据本发明的教导选择其他的结构的器件层4。
平坦层(PLN)5设置于薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4上，通过平坦层(PLN)46的较好的膜层覆盖能力，使薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4形成较好的平坦性，以方便进行后续的封装。
有机发光二极管(OLED)器件层6设置于平坦层(PLN)5上，在本发明中对于有机发光二极管(OLED)器件层6的结构的选择及设置方式可以没有特殊要求，参照本领域技术人员的常规选择即可。
请再次参考图6、7，多个开孔46由上至下依次贯通有机发光二极管(OLED)器件层6、平坦层(PLN)5及薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4，多个开孔46优选位于可弯折柔性显示装置1的非子像素区域，以防止可弯折柔性显示装置1的发光效果，至于多个开孔46的大小及间距的设计在本发明中可以没有特殊要求，可参照产品(可弯折柔性显示装置1)设计时所需的弯折角度进行设计。
在可弯折柔性显示装置1折弯时，由于有机发光二极管(OLED)器件层6、平坦层(PLN)5及薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4的开孔46位置与未开孔位置折弯应力不同，可以使未开孔位置折弯应力会全部释放于开孔46内。
请再次参考图6、7，封装层7设置于有机发光二极管(OLED)器件层6上及多个开孔46内，本申请通过将封装层7设置(沉积)于开孔46内，其下端与缓冲(buffer)层3接触、上端设置于有机发光二极管(OLED)器件层6上，使封装层7对有机发光二极管(OLED)器件层6、平坦层(PLN)5及薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4形成立体保护结构。
在可弯折柔性显示装置1弯折时，封装层7可以为有机发光二极管(OLED)器件层6、平坦层(PLN)5及薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4提供水平方向的刚性支撑，防止局部弯折过大。封装层7优选的覆盖并完全包裹有机发光二极管(OLED)器件层6，以达到更佳的封装效果，但并不以此为限。在本发明中对于封装层6的选择可以没有特殊要求，参照本领域技术人员的常规选择即可。
本发明的四实施例中，请参考图8，其示出了本发明四实施例的可弯折柔性显示装置1的制作方法8的步骤流程示意图。可弯折柔性显示装置1的制作方法8包括以下步骤801-807，其中：
步骤801：形成柔性基板2。
具体的，通过涂布法，将聚酰亚胺树脂(Polyimide，PI)涂布在玻璃基板上，形成柔性基板2，在制作完成可弯折柔性显示装置1的后续步骤后，再通过激光照射，分离玻璃基板与柔性基板2，然柔性基板2的形成方式并不局限于此，本领域技术人员也可以根据本发明的教导选择其他合适的形成方式。
步骤802：于柔性基板2上形成缓冲(buffer)层3。
在一优选实施例中，了对上述图8所示的可弯折柔性显示装置1的制作方法8做进一步描述，请参考图4，其示出了本发明四实施例的形成缓冲(buffer)层3的步骤流程示意图。形成缓冲(buffer)层3的步骤9还包括步骤901-902，其中：
步骤901：于柔性基板2上形成氮化硅(SiN)层31。
具体的，通过沉积法，将氮化硅(SiN)沉积于柔性基板2上，形成氮化硅(SiN)层31，但并不以此为限。
步骤902：于氮化硅(SiN)层31上形成氧化硅(SiO)层32。
具体的，通过沉积法，将氧化硅(SiO)沉积于氮化硅(SiN)层31上，形成氧化硅(SiO)层32，但并不以此为限。
步骤803：于缓冲(buffer)层3上形成薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4。
在一优选实施例中，为了对上述图8所示的可弯折柔性显示装置1的制作方法8做进一步描述，请参考图5，其示出了本发明四实施例的形成薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4的步骤流程示意图。形成薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4的步骤10还包括步骤101-步骤105，其中：
步骤101：于缓冲(buffer)层3上形成多晶硅(Poly)层41，并在多晶硅(Poly)层41上刻蚀出需要的器件图形。
具体的，通过沉积法，将多晶硅(Poly)沉积于氧化硅(SiO)层32上，形成多晶硅(Poly)层41，使用光罩将其刻蚀出需要的器件图形，但并不以此为限。
步骤102：于多晶硅(Poly)层41上形成栅极绝缘(GI)层42。
具体的，通过沉积法，于氧化硅(SiO)层32上依次沉积SiO、SiN，形成栅极绝缘(GI)层42，但并不以此为限。
步骤103：于栅极绝缘(GI)层42上形成第一金属层43。
具体的，通过沉积法，将金属(Metal)沉积于栅极绝缘(GI)层42上，形成第一金属层43，但并不以此为限。
步骤104：于第一金属层43上形成层间绝缘(ILD)层44。
具体的，在第一金属层43上制作层间绝缘(ILD)层44，以使第一金属层43与第二金属层45绝缘。
步骤105：于层间绝缘(ILD)层44上形成第二金属层45。
具体的，通过沉积法，将金属(Metal)沉积于层间绝缘(ILD)层44上，形成第二金属层45，但并不以此为限。
步骤804：于薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4上形成平坦层(PLN)5。
具体的，通过沉积法，将平坦层(PLN)46的材料沉积于薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4上，形成薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4。
步骤805：于平坦层(PLN)5上形成有机发光二极管(OLED)器件层6。
具体的，通过蒸镀法，将有机发光二极管(OLED)器件的材料依次蒸镀于平坦层(PLN)46上，有机发光二极管(OLED)器件层6，但并不以此为限。
步骤806：形成由上至下依次贯通有机发光二极管(OLED)器件层6、平坦层(PLN)5及薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4的多个开孔46。
具体的，是通过激光照射有机发光二极管(OLED)器件层6的上表面，使其依次穿过有机发光二极管(OLED)器件层6、平坦层(PLN)5及薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4的下表面，形成多个上至下依次贯通的开孔46。在本发明中开孔46的大小及相邻二个开孔46的间距参照产品设计时所需的弯折角度进行设计，但并不以此为限。
步骤807：于有机发光二极管(OLED)器件层6上及开孔46内形成封装层7。
具体的，通过沉积法，将封装层7的材料(例如SiO)沉积于有机发光二极管(OLED)器件层6上及开孔46内，形成封装层7，优选的使其覆盖并完全包裹有机发光二极管(OLED)器件层6，以达到更佳的封装效果，但并不以此为限。
本发明的上述可弯折柔性显示装置1的制作方法8是在现行工艺的基础上增加一开孔工艺流程，使得在形成封装层7时，既形成于有机发光二极管(OLED)器件层6上，也形成于多个开孔46内，使封装层7对薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4形成立体保护结构。
在可弯折柔性显示装置1弯折时，封装层7可以为有机发光二极管(OLED)器件层6、平坦层(PLN)5及薄膜场效应晶体管(TFT)器件层4提供水平方向的刚性支撑，防止局部弯折过大；并且由于本发明的可弯折柔性显示装置1的制作方法8只是在现行工艺的基础上增加一开孔工艺流程，无需做大的变动，与现行工艺匹配度高，可行性高。
上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施方式，但如前所述，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施方式的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
Claims (14)
1.一种可弯折柔性显示装置，其特征在于，所述可弯折柔性显示装置包括：
柔性基板；
缓冲层，设置于所述柔性基板上；
薄膜场效应晶体管器件层，设置于所述缓冲层上，所述薄膜场效应晶体管器件层上设有多个贯通相对两表面的开孔；
平坦层，设置于所述薄膜场效应晶体管器件层及所述多个开孔内；
有机发光二极管器件层，设置于所述平坦层上；以及
封装层，设置于所述有机发光二极管器件层上。
2.根据权利要求1所述的可弯折柔性显示装置，其特征在于，所述缓冲层还包括：
氮化硅层，设置于所述柔性基板上；以及
氧化硅层，设置于所述氮化硅层上，所述器件层设置于所述氧化硅层上。
3.根据权利要求1所述的可弯折柔性显示装置，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管器件层还包括：
多晶硅层，设置于所述缓冲层上；
栅极绝缘层，设置于所述多晶硅层上；
第一金属层，设置于所述栅极绝缘层上；
层间绝缘层，设置于所述第一金属层上；以及
第二金属层，设置于所述层间绝缘层上，所述平坦层设置于所述第二金属层上；
其中，所述多个开孔贯通所述多晶硅层、所述栅极绝缘层、所述第一金属层、所述层间绝缘层及所述第二金属层。
4.一种可弯折柔性显示装置的制作方法，其特征在于，所述可弯折柔性显示装置的制作方法包括以下步骤：
形成柔性基板；
于所述柔性基板上形成缓冲层；
于所述缓冲层上形成薄膜场效应晶体管器件层；
于所述薄膜场效应晶体管器件层上形成多个贯通相对两表面的开孔；
于所述薄膜场效应晶体管器件层上及所述开孔内形成平坦层；
于所述平坦层上形成有机发光二极管器件层；以及
于所述有机发光二极管器件层上形成封装层。
5.根据权利要求4所述的可弯折柔性显示装置的制作方法，其特征在于，所述形成缓冲层的步骤还包括：
于所述柔性基板上形成氮化硅层；以及
于所述氮化硅层上形成所述氧化硅层。
6.根据权利要求4所述的可弯折柔性显示装置的制作方法，其特征在于，所述形成薄膜场效应晶体管器件层的步骤还包括：
于所述缓冲层上形成所述多晶硅层，并在所述多晶硅层上刻蚀出需要的器件图形；
于所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；
于所述栅极绝缘层上形成第一金属层；
于所述第一金属层上形成层间绝缘层；以及
于所述层间绝缘层上形成第二金属层。
7.根据权利要求4所述的可弯折柔性显示装置的制作方法，其特征在于，是通过激光照射所述薄膜场效应晶体管器件层的上表面，使其穿过所述薄膜场效应晶体管器件层的下表面，形成所述多个贯通相对两表面的开孔。
8.一种可弯折柔性显示装置，其特征在于，所述可弯折柔性显示装置包括：
柔性基板；
缓冲层，设置于所述柔性基板上；
薄膜场效应晶体管器件层，设置于所述缓冲层上；
平坦层，设置于所述薄膜场效应晶体管器件层上；
有机发光二极管器件层，设置于所述平坦层上；
多个开孔，由上至下依次贯通所述有机发光二极管器件层、所述平坦层及所述薄膜场效应晶体管器件层；以及
封装层，设置于所述有机发光二极管器件层上及所述多个开孔内。
9.根据权利要求8所述的可弯折柔性显示装置，其特征在于，所述缓冲层还包括：
氮化硅层，设置于所述柔性基板上；以及
氧化硅层，设置于所述氮化硅层上，所述器件层设置于所述氧化硅层上。
10.根据权利要求8所述的可弯折柔性显示装置，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管器件层还包括：
多晶硅层，设置于所述缓冲层上；
栅极绝缘层，设置于所述多晶硅层上；
第一金属层，设置于所述栅极绝缘层上；
层间绝缘层，设置于所述第一金属层上；以及
第二金属层，设置于所述层间绝缘层上，所述平坦层设置于所述第二金属层上；
其中，所述多个开孔贯通所述多晶硅层、所述栅极绝缘层、所述第一金属层、所述层间绝缘层及所述第二金属层。
11.一种可弯折柔性显示装置的制作方法，其特征在于，所述可弯折柔性显示装置的制作方法包括以下步骤：
形成柔性基板；
于所述柔性基板上形成缓冲层；
于所述缓冲层上形成薄膜场效应晶体管器件层；
于所述薄膜场效应晶体管器件层上形成平坦层；
于所述平坦层上形成有机发光二极管器件层；
形成由上至下依次贯通所述有机发光二极管器件层、所述平坦层及所述薄膜场效应晶体管器件层的多个开孔；以及
于所述有机发光二极管器件层上及所述开孔内形成封装层。
12.根据权利要求11所述的可弯折柔性显示装置的制作方法，其特征在于，所述形成缓冲层的步骤还包括：
于所述柔性基板上形成氮化硅层；以及
于所述氮化硅层上形成所述氧化硅层。
13.根据权利要求11所述的可弯折柔性显示装置的制作方法，其特征在于，所述形成薄膜场效应晶体管器件层的步骤还包括：
于所述缓冲层上形成所述多晶硅层，并在所述多晶硅层上刻蚀出需要的器件图形；
于所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；
于所述栅极绝缘层上形成第一金属层；
于所述第一金属层上形成层间绝缘层；以及
于所述层间绝缘层上形成第二金属层。
14.根据权利要求11所述的可弯折柔性显示装置的制作方法，其特征在于，是通过激光照射所述有机发光二极管器件层的上表面，使其依次穿过所述有机发光二极管器件层、所述平坦层及所述薄膜场效应晶体管器件层，形成所述多个上至下依次贯通的开孔。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |