CN113130822A - 显示基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示基板、显示面板及显示装置。所述显示基板包括显示区、绑定区及位于所述显示区与所述绑定区之间的引线区。所述显示基板包括衬底、位于所述衬底上的驱动电路层、发光器件层、阻挡结构及封装层。所述衬底位于所述显示区、所述引线区及所述绑定区。所述驱动电路层包括位于所述显示区的像素电路及至少部分位于所述引线区的信号引线。所述发光器件层位于所述显示区，且位于所述像素电路上。所述阻挡结构位于所述引线区，且位于所述信号引线上。各所述信号引线在所述衬底上的正投影的两侧边缘与所述阻挡结构在所述衬底上的正投影与均存在重叠。所述封装层包括交替排布的无机层和有机层，所述封装层覆盖所述阻挡结构。

Description

显示基板、显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板、显示面板及显示装置。

背景技术

OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板包括显示区、引线区及绑定区，引线区位于显示区与绑定区之间，引线区设有信号引线，信号引线将显示区的信号线与驱动芯片相连。

现有的OLED显示面板，水汽容易沿着引线区入侵至显示区，导致显示面板失效。

发明内容

本申请实施例的第一方面提供了一种显示基板。所述显示基板包括显示区、绑定区及位于所述显示区与所述绑定区之间的引线区；所述显示基板包括：

衬底，所述衬底位于所述显示区、所述引线区及所述绑定区；

位于所述衬底上的驱动电路层、发光器件层及阻挡结构；所述驱动电路层包括位于所述显示区的像素电路及至少部分位于所述引线区的信号引线；所述发光器件层位于所述显示区，且位于所述像素电路上；所述阻挡结构位于所述引线区，且位于所述信号引线上；各所述信号引线在所述衬底上的正投影的两侧边缘与所述阻挡结构在所述衬底上的正投影与均存在重叠；

封装层，所述封装层包括交替排布的无机层和有机层，所述封装层覆盖所述阻挡结构。

在一个实施例中，所述阻挡结构的延伸方向与所述信号引线的延伸方向相交。

在一个实施例中，所述阻挡结构包括两个或两个以上间隔设置的子阻挡结构，或者，所述阻挡结构连续不间断。

在一个实施例中，所述阻挡结构包括两个或两个以上间隔设置的子阻挡结构时，所述子阻挡结构的相对两端部分别向背离所述显示区的方向弯折；所述阻挡结构连续不间断时，所述阻挡结构的相对两端部分别向背离所述显示区的方向弯折。

在一个实施例中，所述引线区设有两个或两个以上所述阻挡结构；在所述绑定区指向所述显示区的方向上，两个或两个以上所述阻挡结构间隔排布。

在一个实施例中，所述阻挡结构的厚度范围为0.5μm～8μm；和/或，

由靠近所述衬底的一端至背离所述衬底的一端，所述阻挡结构的外围尺寸逐渐增大；和/或，

所述阻挡结构的侧壁设有凹陷。

在一个实施例中，所述阻挡结构的材料为无机材料、有机材料或金属材料。

在一个实施例中，所述像素电路包括薄膜晶体管，所述驱动电路层还包括位于所述薄膜晶体管上的平坦化层，所述发光器件层包括像素限定层；

所述阻挡结构与所述平坦化层在一次构图工艺中形成；或者，所述阻挡结构与所述像素限定层在一次构图工艺中形成。

在一个实施例中，所述阻挡结构设有弯折部，所述弯折部朝向所述显示区凸出，或所述弯折部朝向所述绑定区凸出。

在一个实施例中，所述显示基板还包括环绕所述显示区设置的环形挡墙，所述阻挡结构位于所述环形挡墙与所述绑定区之间；

所述环形挡墙与所述阻挡结构在一次构图工艺中形成。

本申请实施例的第二方面提供了一种显示面板，所述显示面板包上述的显示基板。

本申请实施例的第三方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。

本申请实施例所达到的主要技术效果是：

本申请实施例提供的显示基板、显示面板及显示装置，通过在引线区设置阻挡结构，且各信号引线在衬底上的正投影的两侧边缘与阻挡结构在衬底上的正投影均存在重叠，则通过引线区入侵的水汽在传输至阻挡结构时，被阻挡结构阻挡，水汽爬升阻挡结构并越过阻挡结构的难度较大，阻挡结构阻挡水汽向显示区的传输，可避免水汽传输至显示区而引起的显示基板失效的问题。可知，本申请实施例提供的显示基板可提升显示基板的器件信赖性，延长显示基板的使用寿命。

附图说明

图1是本申请一示例性实施例提供的显示基板的结构示意图；

图2是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的结构示意图；

图3是本申请再一示例性实施例提供的显示基板的结构示意图；

图4是本申请又一示例性实施例提供的显示基板的结构示意图；

图5是图1所示的显示基板沿AA剖开得到的剖视图；

图6是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第一中间结构的结构示意图；

图7是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第二中间结构的结构示意图；

图8是是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第三中间结构的结构示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

本申请实施例提供了一种显示基板、显示面板及显示装置。下面结合附图，对本申请实施例中的显示基板、显示面板及显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。

本申请实施例提供了一种显示基板。参见图1至图5，所述显示基板100包括显示区101、绑定区102及位于所述显示区101与所述绑定区102之间的引线区103。绑定区102用于绑定驱动芯片。

所述显示基板100包括衬底10、驱动电路层20、发光器件层30、阻挡结构40及封装层80。

所述衬底10位于所述显示区101、所述引线区103及所述绑定区102。并且，衬底10为一整面连续的膜层。所述驱动电路层20、所述发光器件层30及所述阻挡结构40位于所述衬底10上。所述驱动电路层20包括位于所述显示区101的像素电路及至少部分位于所述引线区103的信号引线50。所述发光器件层30位于所述显示区101，且位于所述像素电路上。发光器件层30包括多个子像素，像素电路用于驱动子像素，驱动电路层20可包括与各个子像素一一对应的像素电路。所述阻挡结构40位于所述引线区103，且位于所述信号引线50上。各所述信号引线50在所述衬底10上的正投影的两侧边缘与所述阻挡结构40在所述衬底10上的正投影与均存在重叠。

所述封装层80包括交替排布的无机层和有机层，所述封装层覆盖所述阻挡结构40。

由于引线区103设有信号引线，使得引线区域不平整，导致封装层与引线区103设有信号引线的区域之间的粘附性较差，该区域的封装效果不好，水汽容易沿着该区域的封装层与驱动电路层之间的间隙入侵，水汽入侵至显示区101的发光器件层后导致发光器件层失效。

本申请实施例提供的显示基板，通过在引线区103设置阻挡结构40，且各信号引线50在衬底10上的正投影的两侧边缘与阻挡结构40在衬底10上的正投影均存在重叠，则通过引线区入侵的水汽在传输至阻挡结构40时，被阻挡结构40阻挡，水汽爬升阻挡结构40并越过阻挡结构的难度较大，阻挡结构40阻挡水汽向显示区101的传输，可避免水汽传输至显示区101而引起的显示基板失效的问题。可知，本申请实施例提供的显示基板可提升显示基板的器件信赖性，延长显示基板的使用寿命。

在一个实施例中，衬底10可以是柔性衬底，也可以是刚性衬底。刚性衬底的材料可以是玻璃。柔性衬底的材料可以包括PI(聚酰亚胺)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)及PC(聚碳酸酯)中的一种或多种。

在一个实施例中，参见图5，显示基板还包括位于所述衬底10与驱动电路层20之间的缓冲层11。

在一个实施例中，驱动电路层20的像素电路包括薄膜晶体管60和电容70。薄膜晶体管60包括有源层61、栅电极62、第一电极63及第二电极64。第一电极63与第二电极64中的一个为源电极，另一个为漏电极。电容70包括上极板72及下极板71，上极板72位于下极板71上方且与下极板71相对设置。栅电极62与下极板71可同层设置，在一次构图工艺中形成。

驱动电路层20还包括栅极绝缘层21、电容绝缘层22、层间介质层23及平坦化层24。栅极绝缘层21位于有源层61与栅电极62及下极板71之间。电容绝缘层22位于上极板72与下极板71之间。层间介质层23位于上极板72上。第一电极63及第二电极64部分位于层间介质层23上，且通过穿透层间介质层23、电容绝缘层22及栅极绝缘层21的通孔与有源层61接触。平坦化层24位于第一电极63及第二电极64上。栅极绝缘层21、电容绝缘层22及层间介质层23均为一整面连续的膜层。

在一个实施例中，发光器件层30包括像素限定层32及发光单元31。发光单元包括第一电极层311、发光材料层312及第二电极层313。像素限定层32位于第一电极层311上，像素限定层32设有暴露部分第一电极层311的像素开口。发光材料层312位于第一电极层311上，且至少部分位于像素开口内。第二电极层313覆盖发光材料层312及露出的像素限定层32。在一些实施例中，第一电极层311为阳极层，第二电极层313为阴极层。第二电极层313可以是整面的电极。

在一个实施例中，阻挡结构40的延伸方向与信号引线50的延伸方向相交。如此设置，水汽传输至阻挡结构40后被阻挡结构40阻挡后，阻挡结构40引导水汽沿其延伸方向传输；由于阻挡结构40的延伸方向与信号引线50的延伸方向相交，则水汽更不易于进入到显示区101，有助于提升阻挡结构40阻挡水汽的效果。

进一步地，阻挡结构40的延伸方向与信号引线50的延伸方向大致垂直。其中，阻挡结构40的延伸方向与信号引线50的延伸方向大致垂直指的是，阻挡结构40的延伸方向与信号引线50的延伸方向垂直，或者二者之间的夹角接近90°。如此，可使得阻挡结构40的相对两端部与显示区101之间的距离均较大，更有助于阻止水汽传输至显示区101，提升阻挡结构40对水汽的阻挡效果。

在一个实施例中，由靠近所述衬底10的一端至背离所述衬底10的一端，所述阻挡结构40的外围尺寸逐渐增大。如此设置，增大了水汽沿阻挡结构40的侧壁向上爬升至阻挡结构40的顶壁的难度，水汽更不容易越过阻挡结构40，阻挡结构40对水汽的阻挡效果更好。

在另一个实施例中，由靠近所述衬底10的一端至背离所述衬底10的一端，所述阻挡结构40的外围尺寸逐渐减小。如此设置，阻挡结构40的制备比较简单，有助于简化制备工艺。

在一个实施例中，所述阻挡结构40的侧壁设有凹陷。如此设置，进一步增大了水汽沿阻挡结构40的侧壁向上爬升至阻挡结构40的顶壁的难度，水汽越过阻挡结构40的难度更大，阻挡结构40对水汽的阻挡效果更好。

在一个实施例中，参见图1至图3，所述阻挡结构40的延伸方向与所述信号引线50的延伸方向相交时，所述阻挡结构40包括两个或两个以上间隔设置的子阻挡结构41。图1至图3所示的阻挡结构40分别包括两个子阻挡结构41。在其他实施例中，阻挡结构可包括三个或更多个子阻挡结构。

进一步地，所述子阻挡结构41的相对两端部分别向背离所述显示区101的方向弯折。如此设置，水汽被子阻挡结构41阻挡后，子阻挡结构41引导水汽沿其延伸方向传输，水汽传输至子阻挡结构41的端部时，子阻挡结构41的端部引导水汽向背离显示区101的方向传输，水汽越过子阻挡结构41的端部继续向显示区101传输的难度加大，水汽更不易传输至显示区101。

在另一个实施例中，参见图4，所述阻挡结构40的延伸方向与所述信号引线50的延伸方向相交时，所述阻挡结构40连续不间断。如此，水汽被阻挡结构40阻挡后沿阻挡结构的延伸方向传输时，由于阻挡结构40连续不间断，则水汽沿阻挡结构的延伸方向的传输路径较长，水汽传输至阻挡结构40的端部并越过阻挡结构40的端部向显示区101继续传输的难度加大，有助于提升对水汽的阻挡效果。

进一步地，所述阻挡结构40的相对两端部分别向背离所述显示区101的方向弯折。如此设置，水汽被阻挡结构40阻挡后，阻挡结构40引导水汽沿其的延伸方向传输时，水汽传输至阻挡结构40的端部时，阻挡结构40的端部引导水汽向背离显示区101的方向传输，水汽越过子阻挡结构41的端部的难度加大，水汽更不易传输至显示区101。

在一个实施例中，参见图2及图3，所述阻挡结构40设有弯折部42，所述弯折部42朝向所述显示区101凸出，或所述弯折部42朝向所述绑定区102凸出。阻挡结构40可设有两个或两个以上弯折部42。通过设置弯折部42，水汽沿阻挡结构40的延伸方向的传输路径增大，水汽传输至阻挡结构40的端部并继续向显示区101传输的难度加大，有助于提升对水汽的阻挡效果。图2所示的弯折部42大致呈折线型，图3所示的弯折部42大致呈弧形。在其他实施例中，弯折部42也可以呈其他形状。

在一个实施例中，所述引线区103设有两个或两个以上所述阻挡结构40；在所述绑定区102指向所述显示区101的方向上，两个或两个以上所述阻挡结构40间隔排布。如此设置，水汽在向显示区101传输的过程中，即使水汽越过了部分阻挡结构40，其他的阻挡结构40可阻挡水汽继续向显示区101传输，可进一步提升显示基板的器件可靠性。

在一个实施例中，所述阻挡结构40的厚度范围为0.5μm～8μm。如此设置，既可避免阻挡结构40的厚度太小，导致水汽爬升越过阻挡结构40的难度较小，阻挡结构40对水汽的阻挡效果较差，也可避免阻挡结构40的厚度较大，导致封装层的膜层在阻挡结构40处的段差较大，易于出现断裂的问题。在一些实施例中，所述阻挡结构40的厚度例如为0.5μm、1.5μm、2.5μm、3.5μm、4.5μm、5.5μm、6.5μm、7.5μm、8μm等。

在一个实施例中，所述阻挡结构40的材料为无机材料、有机材料或金属材料。阻挡结构40为无机材料或金属材料时，阻挡结构40的吸水性较差，对水汽的阻挡效果更好。

在一个实施例中，所述阻挡结构40与所述平坦化层24在一次构图工艺中形成。如此，所述阻挡结构40与所述平坦化层24在同一工艺步骤中形成，有助于简化制备工艺。

在另一个实施例中，所述阻挡结构40与所述像素限定层32在一次构图工艺中形成。如此，所述阻挡结构40与所述像素限定层32在同一工艺步骤中形成，有助于简化制备工艺。

在再一个实施例中，所述阻挡结构40可包括第一阻挡层及位于第一阻挡层上方的第二阻挡层，第一阻挡层与平坦化层在一次构图工艺中形成，第二阻挡层与像素限定层在一次构图工艺中形成。如此，既可保证阻挡结构的高度较大，又不会增加制备工艺的复杂度。

在一个实施例中，所述封装层80位于显示区101、绑定区102及引线区103。所述封装层80包括交替排布的无机层及有机层，且最外层为无机层。有机层可仅位于显示区101。无机层位于显示区101、绑定区102及引线区103。无机层为一整面连续的膜层。

再次参见图5，封装层80包括第一无机层81、第二无机层83及位于第一无机层81与第二无机层83之间的有机层82。有机层82仅位于显示区101。

在一个实施例中，再次参见图1至图5，所述显示基板还包括外围区104，外围区104位于显示区101的外侧，与引线区103围绕显示区101。衬底10、栅极绝缘层21、电容绝缘层22、层间介质层23及封装层的无机层等一整面连续的膜层分别也位于外围区104。

所述显示基板100还包括环绕所述显示区101设置的环形挡墙90，所述阻挡结构40位于所述环形挡墙90与所述绑定区102之间。环形挡墙90部分位于引线区103，部分位于外围区104。环形挡墙90也可对水汽进行阻挡，进一步提升显示基板100的器件信赖性。

进一步地，所述环形挡墙90与所述阻挡结构40在一次构图工艺中形成。如此设置，有助于简化制备工艺。

进一步地，所述显示基板包括多个间隔设置的环形挡墙90。如此，即使水汽越过了外侧的环形挡墙90，其他环形挡墙90可阻挡水汽继续向显示区101传输，进一步提升显示基板的器件可靠性。

本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法。下面对显示基板的制备过程进行介绍。本申请实施例所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后可称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。

本申请实施例提供的显示基板的制备方法包括如下步骤110至步骤130。通过本申请实施例提供的制备方法可制备得到如图1至图5所示的显示基板。显示基板包括显示区101、引线区103、绑定区102及外围区104。下面将对各步骤进行详细介绍。

在步骤110中，提供衬底。

参见图5，所述衬底10位于所述显示区101、所述引线区103、所述绑定区102及外围区104。

在一个实施例中，在步骤110之后，所述制备方法还包括：在衬底上形成缓冲层11。缓冲层11位于所述显示区101、所述引线区103、所述绑定区102及外围区104。

在步骤120中，形成位于所述衬底上的驱动电路层、发光器件层及阻挡结构。

其中，所述驱动电路层20、所述发光器件层30及所述阻挡结构40位于所述衬底10上。所述驱动电路层20包括位于所述显示区101的像素电路及至少部分位于所述引线区103的信号引线50。所述发光器件层30位于所述显示区101，且位于所述像素电路上。所述阻挡结构40位于所述引线区103，且位于所述信号引线50上。各所述信号引线50在所述衬底10上的正投影的两侧边缘与所述阻挡结构40在所述衬底10上的正投影与均存在重叠。

所述封装层80包括交替排布的无机层和有机层，所述封装层的无机层覆盖所述阻挡结构。

在一个实施例中，驱动电路层20的像素电路包括薄膜晶体管60和电容70。薄膜晶体管60包括有源层61、栅电极62、第一电极63及第二电极64。第一电极63与第二电极64中的一个为源电极，另一个为漏电极。电容70包括上极板72及下极板71。下极板71与栅电极62可在一次构图工艺中形成。驱动电路层20还包括栅极绝缘层21、电容绝缘层22、层间介质层23及平坦化层24。

在一个实施例中，发光器件层30包括像素限定层32及发光单元31。发光单元包括第一电极层311、发光材料层312及第二电极层313。像素限定层32位于第一电极层311上，像素限定层32设有暴露部分第一电极层311的像素开口。发光材料层312位于第一电极层311上，且至少部分位于像素开口内。第二电极层313覆盖发光材料层312及露出的像素限定层32。

在一个实施例中，所述显示基板100还包括环绕所述显示区101设置的环形挡墙90。

在一个实施例中，所述阻挡结构40的材料为无机材料、有机材料或金属材料。

在一个实施例中，所述阻挡结构40的材料为有机材料，所述阻挡结构40与所述平坦化层24在一次构图工艺中形成，所述环形挡墙90与所述阻挡结构40在一次构图工艺中形成。在该实施例中，步骤120可包括如下过程：

首先，在衬底上形成薄膜晶体管和电容。

通过该步骤可得到如图6所示的第一中间结构。

随后，在第一中间结构上沉积平坦化薄膜，通过构图工艺对平坦化薄膜进行构图，形成位于显示区的平坦化层、位于引线区的阻挡结构以及环形挡墙。

随后，在平坦化层上形成位于显示区的发光器件层。

在另一个实施例中，所述阻挡结构40的材料为有机材料，所述阻挡结构40与所述像素限定层32在一次构图工艺中形成，所述环形挡墙90与所述阻挡结构40在一次构图工艺中形成。在该实施例中，步骤120可包括如下过程：

首先，在衬底上形成薄膜晶体管和电容。

通过该步骤可得到如图6所示的第一中间结构。

随后，在第一中间结构上沉积平坦化薄膜，通过构图工艺对平坦化薄膜进行构图，形成位于显示区的平坦化层。

随后，在平坦化层上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成位于显示区的第一电极层。

随后，在第一电极层上沉积像素限定薄膜，通过构图工艺对像素限定薄膜进行构图，形成位于显示区101的像素限定层32、位于引线区103的阻挡结构40以及环形挡墙90。

通过该步骤可得到如图7所示的第二中间结构。

随后，依次形成发光材料层312以及第二电极层313。

通过该步骤可得到如图8所示的第三中间结构。

在一个实施例中，阻挡结构40的延伸方向与信号引线50的延伸方向相交。

进一步地，阻挡结构40的延伸方向与信号引线50的延伸方向大致垂直。

在一个实施例中，由靠近所述衬底10的一端至背离所述衬底10的一端，所述阻挡结构40的外围尺寸逐渐增大。

在一个实施例中，所述阻挡结构40的侧壁设有凹陷。

在一个实施例中，参见图1至图3，所述阻挡结构40的延伸方向与所述信号引线50的延伸方向相交时，所述阻挡结构40包括两个或两个以上间隔设置的子阻挡结构41。

进一步地，所述子阻挡结构41的相对两端部分别向背离所述显示区的方向弯折。

在另一个实施例中，参见图4，所述阻挡结构40的延伸方向与所述信号引线50的延伸方向相交时，所述阻挡结构40连续不间断。

进一步地，所述阻挡结构40的相对两端部分别向背离所述显示区101的方向弯折。

在一个实施例中，参见图2及图3，所述阻挡结构40设有弯折部42，所述弯折部42朝向所述显示区101凸出，或所述弯折部42朝向所述绑定区102凸出。

在一个实施例中，所述引线区103设有两个或两个以上所述阻挡结构40；在所述绑定区102指向所述显示区101的方向上，两个或两个以上所述阻挡结构40间隔排布。

在一个实施例中，所述阻挡结构40的厚度范围为0.5μm～8μm。

在步骤130中，形成封装层。

通过该步骤可得到如图5所示的显示基板。

本申请实施例提供的显示基板与制备方法属于同一发明构思，相关细节及有益效果的描述可互相参见，不再进行赘述。

本申请实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述任一实施例所述的显示基板。

显示面板还可包括盖板，盖板位于显示基板背离衬底的一侧。盖板可以是玻璃盖板。

本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。

所述显示装置还可包括外壳，显示面板嵌设在外壳中。

本申请实施例提供的显示装置例如可以为手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、车载设备等任何具有显示功能的设备。

对于方法实施例而言，由于其基本对应于产品的实施例，所以相关细节及有益效果的描述参见产品实施例的部分说明即可，不再进行赘述。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (12)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括显示区、绑定区及位于所述显示区与所述绑定区之间的引线区；所述显示基板包括：

衬底，所述衬底位于所述显示区、所述引线区及所述绑定区；

位于所述衬底上的驱动电路层、发光器件层及阻挡结构；所述驱动电路层包括位于所述显示区的像素电路及至少部分位于所述引线区的信号引线；所述发光器件层位于所述显示区，且位于所述像素电路上；所述阻挡结构位于所述引线区，且位于所述信号引线上；各所述信号引线在所述衬底上的正投影的两侧边缘与所述阻挡结构在所述衬底上的正投影与均存在重叠；

封装层，所述封装层包括交替排布的无机层和有机层，所述封装层覆盖所述阻挡结构。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡结构的延伸方向与所述信号引线的延伸方向相交。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡结构包括两个或两个以上间隔设置的子阻挡结构，或者，所述阻挡结构连续不间断。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡结构包括两个或两个以上间隔设置的子阻挡结构时，所述子阻挡结构的相对两端部分别向背离所述显示区的方向弯折；所述阻挡结构连续不间断时，所述阻挡结构的相对两端部分别向背离所述显示区的方向弯折。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述引线区设有两个或两个以上所述阻挡结构；在所述绑定区指向所述显示区的方向上，两个或两个以上所述阻挡结构间隔排布。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡结构的厚度范围为0.5μm～8μm；和/或，

由靠近所述衬底的一端至背离所述衬底的一端，所述阻挡结构的外围尺寸逐渐增大；和/或，

所述阻挡结构的侧壁设有凹陷。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡结构的材料为无机材料、有机材料或金属材料。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述像素电路包括薄膜晶体管，所述驱动电路层还包括位于所述薄膜晶体管上的平坦化层，所述发光器件层包括像素限定层；

所述阻挡结构与所述平坦化层在一次构图工艺中形成；或者，所述阻挡结构与所述像素限定层在一次构图工艺中形成。

9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡结构设有弯折部，所述弯折部朝向所述显示区凸出，或所述弯折部朝向所述绑定区凸出。

10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括环绕所述显示区设置的环形挡墙，所述阻挡结构位于所述环形挡墙与所述绑定区之间；

所述环形挡墙与所述阻挡结构在一次构图工艺中形成。

11.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至10任一项所述的显示基板。

12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求11所述的显示面板。

Images