CN111564482A - 显示基板及制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本文公开了一种显示基板及制备方法、显示装置。显示基板包括多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，连接桥区包括设置在基底上的复合绝缘层和设置在复合绝缘层上的隔断结构层，孔区包括设置在基底上的复合绝缘层，复合绝缘层包括多个无机绝缘层；连接桥区和孔区还包括无机封装层，连接桥区的无机封装层包裹隔断结构层，孔区的无机封装层与复合绝缘层连接。本文通过在连接桥区设置隔断结构层，无机封装层包裹隔断结构层，延长了像素岛区的封装距离，且无机封装层直接与孔区的复合绝缘层连接，防止了微孔结构侧壁膜层剥离对搭接区域内的膜层结构影响，保证了封装的可靠性和稳定性。

Description

显示基板及制备方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示基板及制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展，OLED技术越来越多的应用于柔性显示装置中，且柔性显示装置正由二维方向可变模式逐渐发展到三维方向可变模式。

目前，柔性OLED显示装置通常采用岛桥结构。岛桥结构是将发光单元设置在像素岛区，像素岛区之间连接线设置在连接桥区，施加外力拉伸时，形变主要发生在连接桥区，像素岛区的发光单元基本保持形状，可以保证像素岛区的发光单元不会受到破坏。为了增加柔性显示装置的可变形量，像素岛区的外围还设置有孔区，孔区具有多个微孔结构，微孔结构贯通柔性基底。

对于带有微孔结构的柔性OLED显示装置，微孔结构的侧壁的膜层结构在拉伸过程中易剥离，进而导致器件容易失效。

发明内容

本发明实施例提供了一种显示基板及制备方法、显示装置，以解决柔性OLED显示装置微孔结构的侧壁的膜层结构在拉伸过程中易剥离问题。

本发明实施例提供了一种显示基板，包括多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，连接桥区包括设置在基底上的复合绝缘层和设置在复合绝缘层上的隔断结构层，孔区包括设置在基底上的复合绝缘层，复合绝缘层包括多个无机绝缘层；连接桥区和孔区还包括无机封装层，连接桥区的无机封装层包裹隔断结构层，孔区的无机封装层与复合绝缘层连接。

在一示例性实施例中，隔断结构层包括设置在复合绝缘层上的支撑坝和设置于支撑坝上的隔断层，支撑坝具有朝向孔区一侧的第一侧壁和远离基底一侧的第一表面，隔断层设置在第一表面上，并具有朝向孔区一侧的第一端面，相对于第一侧壁，第一端面向着孔区一侧凸出，形成屋檐结构，隔断层凸出第一侧壁的部分朝向复合绝缘层的表面形成第二表面。

在一示例性实施例中，像素岛区包括驱动结构层、设置于驱动结构层上的平坦层和设置于平坦层上的发光结构层，发光结构层包括设置于平坦层上的阳极以及设置于阳极上并限定像素开口区域的像素定义层；

支撑坝与平坦层同层设置；或者，

支撑坝与像素定义层同层设置；或者，

支撑坝包括叠设的第一支撑层和第二支撑层，第一支撑层与平坦层同层设置，第二支撑层与像素定义层同层设置。

在一示例性实施例中，还包括有机发光层和阴极；像素岛区的有机发光层设置在像素开口区域，阴极设置在有机发光层上；连接桥区的有机发光层和阴极设置在隔断层上，且朝向孔区的端面形成第二端面，第二端面与第一端面平齐；孔区的有机发光层和阴极设置在复合绝缘层上，朝向支撑坝第一侧壁的端面形成第三端面，在第三端面与第一侧壁之间形成暴露出孔区的复合绝缘层的第三表面；第一端面在基底上的正投影与第三端面在基底上的正投影重叠。

在一示例性实施例中，还包括第一无机封装层，像素岛区的第一无机封装层覆盖阴极，连接桥区的第一无机封装层设置在阴极上，并贴合第一端面、第二端面、第二表面和第一侧壁；孔区的第一无机封装层设置于复合绝缘层上，并贴合第三表面和第三端面，孔区的第一无机封装层包括朝向第三端面的第四端面和背离基底并与第四端面连接的第四表面，第四端面在基底上的正投影与第一端面在基底上的正投影重叠，第四表面与基底之间的距离大于孔区的阴极背离基底表面与基底之间的距离。

在一示例性实施例中，还包括第二无机封装层，像素岛区的第二无机封装层覆盖第一无机封装层；连接桥区的第二无机封装层覆盖第一无机封装层；孔区的第二无机封装层覆盖孔区的第一无机封装层，并包括朝向第三端面的第五端面和背离基底并与第五端面连接的第五表面，第五端面在基底上的正投影与第一端面在基底上的正投影重叠，第五表面与第四表面对应。

在一示例性实施例中，还包括第三无机封装层和有机封装层，有机封装层设置于像素岛区，像素岛区的第三无机封装层覆盖有机封装层和第二无机封装层；连接桥区的第三无机封装层覆盖第二无机封装层；孔区的第三无机封装层设置于第二无机封装层上、包裹第四端面、第五端面和第五表面并搭接在孔区的阴极上。

在一示例性实施例中，支撑坝的高度为2微米-15微米，隔断层凸出于侧壁部分的长度为0.1微米-2微米。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例的显示基板。

本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：

在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区；

在连接桥区和孔区形成复合绝缘层；

在连接桥区形成隔断结构层；

形成无机封装层，连接桥区的无机封装层包裹隔断结构层，孔区的无机封装层与复合绝缘层连接。

在一示例性实施例中，显示基板包括设置于驱动结构层上的平坦层、设置于平坦层上的阳极和设置于阳极上的像素定义层，在连接桥区形成隔断结构层，包括：

在连接桥区的复合绝缘层上形成支撑坝，支撑坝具有朝向孔区一侧的第一侧壁和远离基底一侧的第一表面；

在支撑坝的第一表面上形成隔断层，支撑坝和隔断层形成隔断结构层，隔断层具有朝向孔区一侧的第一端面，相对于第一侧壁，第一端面向着孔区一侧凸出，形成屋檐结构，隔断层凸出第一侧壁的部分朝向复合绝缘层的表面形成第二表面；

其中，支撑坝与平坦层同层设置、或与像素定义层同层设置、或包括叠设的第一支撑层和第二支撑层，所述第一支撑层与所述平坦层同层设置，所述第二支撑层与所述像素定义层同层设置。

在一示例性实施例中，显示基板还包括有机发光层和阴极；像素岛区的有机发光层设置在像素开口区域，阴极设置在有机发光层上；连接桥区的有机发光层和阴极设置在隔断层上，且朝向孔区的端面形成第二端面，第二端面与第一端面平齐；孔区的有机发光层和阴极设置在复合绝缘层上，朝向支撑坝第一侧壁的端面形成第三端面，在第三端面与第一侧壁之间形成暴露出孔区的复合绝缘层的第三表面；第一端面在基底上的正投影与第三端面在基底上的正投影重叠；

形成无机封装层，包括：

形成第一无机封装层，像素岛区的第一无机封装层覆盖阴极；连接桥区的第一无机封装层设置在阴极上，并贴合第一端面、第二端面、第二表面和第一侧壁；孔区的第一无机封装层设置于复合绝缘层上，并贴合第三表面和第三端面，以及覆盖阴极；

在第一无机封装层上形成填充层，填充层填充屋檐结构，填充层背离支撑坝一侧表面与第一端面平齐；

刻蚀掉填充层之间的第一无机封装层，暴露孔区的阴极，孔区的第一无机封装层形成朝向第三端面的第四端面和背离基底并与第四端面连接的第四表面，第四端面在基底上的正投影与第一端面在基底上的正投影重叠，第四表面与基底之间的距离大于孔区的阴极背离基底表面与基底之间的距离。

在一示例性实施例中，形成无机封装层，还包括：

形成第二无机封装层，像素岛区的第二无机封装层覆盖第一无机封装层；连接桥区的第二无机封装层覆盖第一无机封装层；孔区的第二无机封装层覆盖孔区的第一无机封装层，且包括朝向第三端面的第五端面和背离基底并与第五端面连接的的第五表面，第五端面在基底上的正投影与第一端面在基底上的正投影重叠，第五表面与第四表面对应。

在一示例性实施例中，形成第二无机封装层，包括：

在暴露的阴极上形成抑制层，抑制层在基底上的正投影与暴露的阴极在基底上的正投影重合；

在第一无机封装层上沉积第二无机封装薄膜，去除抑制层，形成第二无机封装层。

在一示例性实施例中，所述像素岛区包括设置于第二无机封装层上的有机封装层，形成无机封装层，还包括：

形成有机封装层和第三无机封装层，有机封装层形成在像素岛区的第二无机封装层上，像素岛区的第三无机封装层覆盖第二无机封装层；连接桥区的第三无机封装层覆盖第二无机封装层；孔区的第三无机封装层设置于第二无机封装层上、包裹第四端面、第五端面和第五表面并搭接在阴极上。

本发明实施例所提供的显示基板及制备方法、显示装置，通过在连接桥区设置隔断结构层，无机封装层包裹隔断结构层延长了像素岛区的封装距离，且无机封装层与孔区复合绝缘层连接，无机封装层和复合绝缘层之间的膜层结构被包裹住，防止了微孔结构侧壁膜层剥离对连接区域内的膜层结构影响，保证了封装的可靠性和稳定性，降低了显示基板的失效风险。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

图1为本发明实施例一种显示基板的平面图；

图2为图1中a-a位置的剖面图；

图3为本发明实施例形成驱动结构层图案和连接线图案的结构示意图；

图4为本发明实施例形成第二过孔图案的结构示意图；

图5为本发明实施例形成阳极图案的结构示意图；

图6为本发明实施例形成像素定义层图案和支撑坝图案的结构示意图；

图7为本发明实施例形成隔断层图案的结构示意图；

图8为本发明实施例形成隔断结构层图案的结构示意图；

图9为本发明实施例形成有机发光层和阴极图案的结构示意图；

图10为本发明实施例形成封装层的结构示意图；

图11为本发明实施例形成微孔的结构示意图；

图12a为本发明实施例另一显示基板的结构示意图；

图12b为图12a虚线框内的放大图；

图13为本发明实施例形成第一无机封装层的结构示意图；

图14为本发明实施例填充层图案的结构示意图；

图15为本发明实施例刻蚀孔区第一无机封装层后的结构示意图；

图16为本发明实施例形成抑制层图案的结构示意图；

图17为本发明实施例形成第二无机封装层的结构示意图；

图18为本发明实施例形成第三无机封装层的结构示意图；

图19为本发明实施例刻蚀掉第三无机封装层的结构示意图；

图20为本发明实施例刻蚀掉孔区膜层结构的结构示意图。

附图标记说明

1-玻璃载板； 10-基底 11-第一绝缘层

12-有源层 13-第二绝缘层 14-第一栅金属层

141-栅极 142-第一电容电极 15-第三绝缘层

16-第二栅金属层 161-第二电容电极 17-第四绝缘层

18-源漏金属层 181-源电极 182-漏电极

19-平坦层 191-第二过孔 20-阳极

21-像素定义层 22-有机发光层 23-阴极

24-第一无机封装层 25-第二无机封装层 26-有机封装层

27-第三无机封装层 100-像素岛区 200-连接桥区

210-连接线 220-隔断结构层 221-支撑坝

221a-第一侧壁 222-隔断层 222a-第一端面

310-微孔 320-填充层 330-抑制层

222b-第二表面

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

对于带有微孔结构的柔性OLED显示装置，为了提升柔性OLED显示装置的可变形量，需要开设较多的微孔结构。过多的微孔结构缩小了像素岛区的封装距离，增加器件的失效风险。经本申请发明人研究发现，微孔结构侧壁的膜层结构中包括无机层、有机层和金属层，例如无机层可以包括无机封装层和无机绝缘层，有机层包括有机发光层，金属层包括阴极，有机发光层设置在无机绝缘层上，无机封装层设置于阴极上，无机封装层与阴极接触，有机发光层与无机绝缘层接触，由于无机层与有机层以及无机层与金属层之间的结合力较弱，在柔性OLED显示装置拉伸过程中无机层和有机层或无机层与金属层之间易剥离分层，形成水汽通道，进一步增加了失效风险。

本发明实施例提供了一种显示基板，包括多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，连接桥区包括设置在基底上的复合绝缘层和设置在复合绝缘层上的隔断结构层，孔区包括设置在基底上的复合绝缘层，复合绝缘层包括多个无机绝缘层；连接桥区和孔区还包括无机封装层，连接桥区的无机封装层包裹隔断结构层，孔区的无机封装层与复合绝缘层连接。

本发明实施例所提供的显示基板通过在连接桥区设置隔断结构层，无机封装层包裹隔断结构层延长了像素岛区的封装距离，且无机封装层与孔区复合绝缘层连接，无机封装层和复合绝缘层之间的膜层结构被包裹住，防止了微孔结构侧壁膜层剥离对连接区域内的膜层结构影响，保证了封装的可靠性和稳定性，降低了显示基板的失效风险。

图1为本发明实施例一种显示基板的平面图。如图1所示，显示基板的主体结构包括基底、设置于基底上的彼此隔开的多个像素岛区100、多个孔区300以及连接多个像素岛区100的连接桥区200。基底为柔性基底，用于使显示基板能够弯折或者拉伸，像素岛区100用于图像显示，孔区300用于在拉伸时提供变形空间，连接桥区200用于走线和传递拉力。每个像素岛区100包括一个或多个像素单元，每个像素单元可以包括3个(红绿蓝)或4个(红绿蓝白)出射不同颜色光线的发光单元，在平行于基底的平面，每个像素岛区100可以是矩形或正方形。每个像素岛区100外围的孔区300由穿透基底的多个微孔组成，微孔为L形，或者多个L形相连的形状，如工字型、T型等形状，微孔的宽度为10微米～500微米。连接桥区200位于像素岛区100和孔区300之间，或者位于相邻的孔区300之间，与相邻的像素岛区100连接，连接桥区200为L形，或者多个L形相连的形状，如┕┙形、T型等形状，连接桥区200的宽度为10μm～500μm，多个像素岛区100的发光单元通过连接桥区200的连接线210信号连通。

像素岛区100包括驱动结构层、设置于驱动结构层上的发光结构层和覆盖发光结构层的复合封装层。驱动结构层主要包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)组成的像素驱动电路。图2为图1中a-a向的剖面图。如图2所示，驱动结构层的主体结构包括设置于基底10上的第一绝缘层11、设置于第一绝缘层11上的有源层12、设置于有源层12上的第二绝缘层13、设置于第二绝缘层13上的第一栅金属层14、设置于第一栅金属层14上的第三绝缘层15、设置于第三绝缘层15上的第二栅金属层16、设置于第二栅金属层16上的第四绝缘层17以及设置于第四绝缘层17上的源漏金属层18。其中第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以为无机绝缘层。像素岛区100的驱动结构层上覆盖平坦层19，平坦层19上设置发光结构层。发光结构层包括阳极20、限定像素开口区域的像素定义层21、设置于像素定义层上的有机发光层22和设置于有机发光层22上的阴极23。复合封装层包括覆盖发光结构层的第一无机封装层24、设置于第一无机封装层24上的第二无机封装层25、设置于第二无机封装层25上的有机封装层26和覆盖有机封装层26的第三无机封装层27。

如图2所示，连接桥区200主要包括复合绝缘层、连接线、隔断结构层、被隔断结构层断开的有机发光层和阴极以及无机封装层。如图2所示，复合绝缘层设置于基底10上，复合绝缘层包括叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17。如图2所示，连接线210设置于复合绝缘层上，用于相邻像素岛区100的信号连通，相邻像素岛区100之间的信号连通是指一个像素岛区中的发光单元与相邻的另一个像素岛区中的发光单元之间的信号连通。例如，连接线可以连接相邻像素岛区中的栅线，也可以连接相邻像素岛区中的数据线。隔断结构层220设置于复合绝缘层上，隔断结构层220用于将连接桥区200的发光层22和阴极23隔断，进而阻断了从孔区进入像素岛区100的有机发光层22和阴极23水汽传导路径。隔断结构层220包括设置在复合绝缘层上的支撑坝221和设置于支撑坝221上的隔断层222，支撑坝221具有朝向孔区300一侧的第一侧壁和远离基底10一侧的第一表面，隔断层222设置在第一表面上，并具有朝向孔区300一侧的第一端面，相对于第一侧壁，第一端面向着孔区300一侧凸出，形成屋檐结构，隔断层222凸出第一侧壁的部分朝向复合绝缘层的表面形成第二表面。隔断层222凸出部分形成屋檐结构的屋檐，支撑坝221形成支撑屋檐的支撑结构。隔断层222上设置有机发光层22和阴极23，且机发光层22和阴极23朝向孔区300的端面形成第二端面，第二端面与第一端面平齐。无机封装层设置于阴极23上，包裹隔断结构层220，包括叠设的第一无机封装层24、第二无机封装层25和第三无机封装层27。第一无机封装层24设置在阴极23上，并贴合第一端面、第二端面、第二表面和第一侧壁，第二无机封装层25覆盖第一无机封装层24，第三无机封装层27覆盖第二无机封装层25。

如图2所述，孔区300包括贯穿基底10的微孔310、设置在基底10上的复合绝缘层、设置于复合绝缘层上的有机发光层22和阴极23以及无机封装层，无机封装层与复合绝缘层连接。复合绝缘层包括叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17。无机封装层包括叠设的第一无机封装层24、第二无机封装层25和第三无机封装层27。有机发光层22和阴极23设置在复合绝缘层上，朝向支撑坝221第一侧壁的端面形成第三端面，在第三端面与第一侧壁之间形成暴露出孔区300的复合绝缘层的第三表面；第一端面在基底上的正投影与第三端面在基底上的正投影重叠。无机封装层设置于复合绝缘层上，包括叠设的第一无机封装层24、第二无机封装层25和第三无机封装层27。第一无机封装层24设置于复合绝缘层上，并贴合第三表面和第三端面，覆盖阴极23，第二无机封装层25覆盖第一无机封装层24，第三无机封装层27覆盖第二无机封装层25，第一无机封装层24、第二无机封装层25和第三无机封装层27朝向微孔310的端面平齐。

在一示例性实施例中，支撑坝和平坦层同层设置，即支撑坝和平坦层采用同一构图工艺形成。

在一示例性实施例中，支撑坝和像素定义层同层设置，即支撑坝和像素定义层采用同一构图工艺形成。

在一示例性实施例中，支撑坝包括叠设第一支撑层和第二支撑层，第一支撑层与平坦层同层，第二支撑层与像素定义层同层设置。

在一示例性实施例中，支撑坝的高度为2微米-15微米，隔断层凸出于侧壁部分的长度为0.1微米-2微米。

下面通过显示基板的制备过程的示例说明本发明实施例显示基板的结构，在本示例中，隔断结构层的支撑坝与像素定义层同层设置。本文所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影落入A的正投影范围内，或者A的正投影覆盖B的正投影。

(1)在玻璃载板1上制备基底10。基底为柔性基底，柔性基底包括在玻璃载板上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一、第二无机材料层也称之为阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。

(2)在基底上制备驱动结构层图案和连接线图案。驱动结构层图案位于像素岛区，连接线图案位于连接桥区。图3为本发明实施例形成驱动结构层图案和连接线图案的结构示意图，在示例性实施方式中，驱动结构层的制备过程可以包括：

在基底10上依次沉积第一无机绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个基底10的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的有源层12图案，有源层图案形成在像素岛区100。本次构图工艺后连接桥区200和孔区300包括设置在基底10上的第一绝缘层11，连接桥区200和孔区300的有源层薄膜被刻蚀掉。

随后，依次沉积第二无机绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层12图案的第二绝缘层13，以及设置在第二绝缘层13上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案形成在像素岛区100，至少包括第一栅电极141和第一电容电极142。本次构图工艺后，连接桥区200和孔区300包括在基底10叠设的第一绝缘层11和第二绝缘层13，连接桥区200和孔区300的第一金属薄膜被刻蚀掉。

随后，依次沉积第三无机绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层15，以及设置在第三绝缘层15上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案形成在像素岛区100，至少包括第二电容电极161，第二电容电极161的位置与第一电容电极142的位置相对应，第二电容电极161在基底10上的正投影与第一电容电极142在基底上的正投影至少部分重叠。本次构图工艺后，连接桥区200和孔区300包括在基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13和第三绝缘层15，连接桥区200和孔区300的第二金属薄膜被刻蚀掉。

随后，沉积第四无机绝缘薄膜，通过构图工艺对第四无机绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层17图案，第四绝缘层17上开设有两个第一过孔，两个第一过孔内的第四绝缘层17、第三绝缘层15和第二绝缘层13被刻蚀掉，暴露出有源层12的表面。本次构图工艺后，连接桥区200和孔区300包括在基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17。

随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层17上形成源漏金属层图案，源漏金属层图案包括位于像素岛区100的源电极181和漏电极182，以及位于连接桥区200的连接线210。源电极181和漏电极182通过第一过孔与有源层12连接。本次构图工艺后，孔区300的膜层结构未发生变化。

至此，在基底上制备完成像素岛区的驱动结构层和连接桥区的连接线。像素岛区的驱动结构层中，有源层、栅电极、源电极和漏电极组成薄膜晶体管，第一电容电极和第二电容电极组成第一存储电容。连接桥区和孔区包括设置在基底上的复合绝缘层，复合绝缘层包括叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层。连接桥区还包括设置在复合绝缘层上的连接线。

在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称之为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称之为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称之为层间绝缘(ILD)层。第一金属层、第二金属层和第三金属层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。

(3)在形成前述图案的基底上涂覆有机材料的平坦薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，在像素岛区100形成平坦层19，且平坦层19上形成第二过孔191图案。如图4所示，第二过孔191形成在像素岛区100，第二过孔191内的平坦层19被显影掉，暴露出薄膜晶体管的漏电极182的表面。通过本次工艺后，连接桥区200和孔区300的膜层结构没有变化。图4为本发明实施例形成第二过孔图案的结构示意图。

(4)在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极20图案，如图5所示，阳极20形成在像素岛区100的平坦层19上，通过第二过孔与薄膜晶体管的漏电极182连接。本次构图工艺后，连接桥区200和孔区300的膜层结构没有变化。在示例性实施方式中，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。图5为本发明实施例形成阳极图案的结构示意图。

(5)在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素定义(PDL)层21图案和支撑坝221图案，如图6所示，像素定义层21形成在像素岛区100，支撑坝221形成在孔区300和孔区300外围的连接桥区200。在垂直于基底平面的方向上，支撑坝211的横截面为上窄下宽的梯形。像素定义层21上开设有像素开口，像素开口内的像素定义层21被显影掉，暴露出阳极20的表面。在示例性实施方式中，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。图6为本发明实施例形成像素定义层图案和支撑坝图案的结构示意图。

(6)在形成前述图案的基底上沉积隔断层薄膜，通过构图工艺，对隔断层薄膜进行构图，形成隔断层222图案。如图7所示，隔断层222形成在连接桥区200，隔断层222设置在支撑坝221上。隔断层222一部分搭接在支撑坝211的表面外侧并环绕支撑坝221，隔断层围成的区域部分设置在孔区300。通过本次构图工艺后，像素岛区100的膜层结构没有变化。在一示例性实施例中，隔断层的材料采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。图7为本发明实施例形成隔断层图案的结构示意图。

(7)在形成前述图案的基底上，通过刻蚀工艺刻蚀掉孔区300的支撑坝，形成隔断结构层图案。如图8所示，隔断结构层220形成在连接桥区200，隔断结构层220包括设置在复合绝缘层上的支撑坝221和设置于支撑坝221上的隔断层222，支撑坝221具有朝向孔区300一侧的第一侧壁221a和远离基底10一侧的第一表面，隔断层222设置在第一表面上，并具有朝向孔区300一侧的第一端面222a，相对于第一侧壁221a，第一端面222a向着孔区300一侧凸出，形成屋檐结构，隔断层222凸出第一侧壁的部分朝向复合绝缘层的表面形成第二表面222b。。通过本次工艺后，像素岛区100的膜层结构未发生变化。在一示例性实施例中，在垂直于基底的平面内，屋檐结构的屋檐长度d为0.1微米-2微米，屋檐结构的高度h为2微米-15微米。图8为本发明实施例形成隔断结构层图案的结构示意图。

(8)在形成前述图案的基底上依次蒸镀有机发光材料和阴极金属薄膜，形成有机发光层22和阴极23图案。如图9所示，在像素岛区100，有机发光层22与像素开口区域内的阳极20连接，阴极23设置在有机发光层22上。在连接桥区200，由于该区域设置有隔断结构层，隔断结构层使有机发光层22和阴极23在孔区300的隔断层端部位置发生断裂，进而使有机发光层22和阴极23在孔区300被断开，为此，有机发光层22和阴极23设置在隔断层222上，且朝向孔区300的端面形成第二端面，第二端面与第一端面222a平齐。在孔区300，有机发光层22和阴极23设置在复合绝缘层上，朝向支撑坝221的第一侧壁221a的端面形成第三端面，述第三端面与第一侧壁221a之间形成暴露出孔区300的复合绝缘层的第三表面；第一端面222a在基底上的正投影与第三端面在基底上的正投影重叠。其中，有机发光层主要包括发光层(EML)。实际实施时，有机发光层可以包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，提高电子和空穴注入发光层的效率，阴极可以采用镁Mg、银Ag、铝Al、铜Cu、锂Li等金属材料的一种，或上述金属的合金。图9为本发明实施例形成有机发光层和阴极图案的结构示意图。

(9)在形成前述图案的基底上形成封装层。如图10所示，封装层包括第一无机封装层24、第二无机封装层25、有机封装层26和第三无机封装层27。在像素岛区，第一无机封装层24和第二无机封装层25覆盖阴极13，有机封装层26设置在第二无机封装层25，第三无机封装层27覆盖有机封装层26。在连接桥区200，第一无机封装层24设置在阴极23上，并贴合第一端面、第二端面、第二表面和第一侧壁，第二无机封装层25覆盖第一无机封装层24，第三无机封装层27覆盖第二无机封装层25。在孔区300，第一无机封装层24设置于复合绝缘层上，并贴合第三表面和第三端面，覆盖阴极23，第二无机封装层25覆盖第一无机封装层24，第三无机封装层27覆盖第二无机封装层25。通过本次工艺后，像素岛区100形成复合封装层，复合封装层包括第一无机封装层24、第二无机封装层25、有机封装层26和第三无机封装层27，连接桥区200和孔区300形成无机封装层，无机封装层包括叠设的第一无机封装层24、第二无机封装层25和第三无机封装层27。在本实施例中，第一无机封装层、第二无机封装层和第三无机封装层采用化学气相沉积和原子层沉积方式制备，化学气相分子可以扩散到房檐结构内，对支撑坝和隔断层进行包覆。在示例性实施例中，第一无机封装层、第二无机封装层和第三无机封装层的材料包括氧化铝Al₂O₃、氧化硅SiO_x或氮化硅Si_xN_y。图10为本发明实施例形成封装层的结构示意图。

(10)通过刻蚀工艺或激光工艺，如图11所示，去除孔区300的第三无机封装层27之间部分的膜层结构和基底10，形成贯穿基底10的微孔310图案。通过本次工艺后，第一无机封装层24、第二无机封装层25和第三无机封装层27朝向微孔310的端面平齐。微孔310的侧壁包括复合绝缘层、有机发光层22、阴极23和无机封装层。在示例性实施例中，微孔的宽度为10微米～500微米。图11为本发明实施例形成微孔的结构示意图。

将基底从玻璃载板剥离形成显示基板，如图2所示。这样，即完成显示基板的制备，所制备的显示基板包括：

基底10；

设置在基底10上的第一绝缘层11；

设置在第一绝缘层11上的有源层12；

设置于有源层12上的第二绝缘层13；

设置在第二绝缘层13上的第一栅金属层14，第一栅金属层14设置在像素岛区100，至少包括栅电极141和第一电容电极142；

覆盖第一栅金属层14的第三绝缘层15；

设置在第三绝缘层15上的第二栅金属层16，第二栅金属层16设置在像素岛区100，至少包括第二电容电极161，第二电容电极161和第一电容电极142位置对应；

覆盖第二栅金属层16的第四绝缘层17，第四绝缘层17上开设有第一过孔，第一过孔设置在像素岛区100，第一过孔暴露出有源层12，第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17形成连接桥区200和孔区300的复合绝缘层，复合绝缘层为无机绝缘层；

设置在第四绝缘层17上的源漏金属层18，源漏金属层18至少包括在像素岛区100的源电极181和漏电极182，以及在连接桥区200的连接线210，源电极181和漏电极182分别通过第一过孔与有源层12连接，源电极181和漏电极182之间形成导电沟道；

覆盖前述结构像素岛区的平坦层19，平坦层19上设置有暴露出漏电极182的第二过孔；

设置在平坦层19上的阳极20，阳极20通过第二过孔与漏电极182连接；

像素定义层21和支撑坝221，像素定义层21位于像素岛区100，像素定义层21设置在阳极20上，像素定义层21上设置有像素开口，像素开口暴露出阳极20，支撑坝221设置在连接桥区200，支撑坝221具有朝向孔区300一侧的第一侧壁和远离基底10一侧的第一表面；

设置于支撑坝221上的隔断层222，支撑坝221和隔断层222形成隔断结构层220，隔断层222设置在第一表面上，并具有朝向孔区300一侧的第一端面，相对于第一侧壁，第一端面向着孔区300一侧凸出，形成屋檐结构，隔断层222凸出第一侧壁的部分朝向复合绝缘层的表面形成第二表面；

覆盖前述结构的有机发光层22和阴极23，像素岛区100的有机发光层22设置在像素开口区域，阴极23设置在有机发光层22上；连接桥区200的有机发光层22和阴极23设置在隔断层222上，且朝向孔区300的端面形成第二端面，第二端面与第一端面平齐；孔区300的有机发光层22和阴极23设置在复合绝缘层上，朝向支撑坝221的第一侧壁的端面形成第三端面，在第三端面与第一侧壁之间形成暴露出孔区300的复合绝缘层的第三表面；第一端面在基底10上的正投影与第三端面在基底10上的正投影重叠；

覆盖前述结构的第一无机封装层24，在像素岛区，第一无机封装层24覆盖阴极13；在连接桥区200，第一无机封装层24设置在阴极23上，并贴合第一端面、第二端面、第二表面和第一侧壁；在孔区300，第一无机封装层24设置于复合绝缘层上，并贴合第三表面和第三端面，覆盖阴极23；

覆盖前述结构的第二无机封装层25；

设置于第二无机封装层25上的有机封装层26，有机封装层26位于像素岛区100；

形成覆盖第二无机封装层25和有机封装层26的第三无机封装层27。

第一无机封装层24、第二无机封装层25、有机封装层26和第三无机封装层27形成像素岛区100的复合封装层，第一无机封装层24、第二无机封装层25和第三无机封装层27形成连接桥区200和孔区300的无机封装层。

在上述实施例中，支撑坝可以与平坦层同层设置，或者支撑坝可以包括叠设的第一支撑层和第二支撑层，第一支撑层与平坦层采用同一构图工艺形成，第二支撑层与像素定义层采用同一构图工艺形成，在本文中不再赘述。

通过上述制备过程可以看出，本发明实施例所提供的显示基板通过在连接桥区设置隔断结构层，隔断结构层具有屋檐结构，屋檐结构不仅延长了像素岛区的封装距离，而且孔区的复合绝缘层与屋檐结构的屋檐对应位置被暴露，无机封装层与暴露的复合绝缘层直接搭接，无机封装层和复合绝缘层之间的膜层结构被包裹住，防止了微孔结构侧壁膜层剥离对搭接区域内的膜层结构影响，保证了封装的可靠性和稳定性，降低了显示基板的失效风险。其中，像素岛区的封装距离为纯无机封装层的封装距离，在本实施例中，可以为无机封装层和无机绝缘层搭接区域与像素岛区的有机封装层之间的距离。虽然孔区中的微孔侧壁暴露出有机发光层和阴极，但由于所暴露的有机发光层和阴极仅限于微孔的边缘区，这部分有机发光层和阴极与连接桥区其它部分的有机发光层和阴极不相连，更没有与像素岛区的有机发光层和阴极相连，因此通过微孔侧壁暴露出有机发光层和阴极入侵的水汽路径被完全阻断，不会造成像素岛区的有机发光层和阴极的失效。

图12a为本发明实施例另一显示基板的结构示意图，图12b为图12a虚线框内的放大图。在一示例性实施例中，如图12a和12b所示，孔区300的第一无机封装层24包括朝向第三端面的第四端面和背离基底10并与第四端面连接的第四表面，第四端面在基底10上的正投影与隔断层222的第一端面在基底10上的正投影重叠，第四表面与基底10之间的距离大于孔区阴极23背离基底10表面与基底10之间的距离，孔区300的第二无机封装层25覆盖孔区300的第一无机封装层，并包括朝向第三端面的第五端面和背离基底并与第五端面连接的第五表面，第五端面在基底上的正投影与第一端面在基底上的正投影重叠，第五表面与第四表面对应，孔区的第三无机封装层设置于第二无机封装层上、包裹第五表面、第四端面和第五端面并搭接在阴极上。在本实施例中，第三无机封装层包裹第一无机封装层和第二无机封装层位于孔区的端面，可以防止水汽从第一无机封装层和第二无机封装层的端面搭接缝隙(第四表面位置)中进去像素岛区，增加封装的可靠性，并且在显示基板拉伸过程中，由于第一无机封装层和第二无机封装层位于孔区的端面位置为纯无机封装结构，在微孔侧壁的第三无机封装层与阴极或有机发光层与无机绝缘层之间剥离时，不会对第一无机封装层和第二无机封装层的位于孔区内的端面结构造成影响，进一步保证了封装可靠性。

下面通过显示基板的制备过程的示例说明本实施例显示基板的结构。显示基板的制备过程包括：

(1)在玻璃载板上制备基底。

(2)在基底上制备驱动结构层图案和连接线图案。

(3)在形成前述图案的基底上形成平坦层。

(4)在形成前述图案的基底上形成阳极图案。

(5)在形成前述图案的基底上形成像素定义(PDL)层图案和支撑坝图案。

(6)在形成前述图案的基底上形成隔断层图案。

(7)在形成前述图案的基底上形成隔断结构层图案。

(8)在形成前述图案的基底上形成有机发光层和阴极图案。

上述制备过程与前述实施例的制备过程相同，在此不再赘述。

(9)在形成前述图案的基底上，沉积第一无机封装薄膜，形成第一无机封装层。如图13所示，在像素岛区，第一无机封装层24覆盖阴极13。在连接桥区200，第一无机封装层24设置在阴极23上，并贴合第一端面、第二端面、第二表面和第一侧壁。在孔区300，第一无机封装层24设置于复合绝缘层上，并贴合第三表面和第三端面，覆盖阴极23。图13为本发明实施例形成第一无机封装层的结构示意图；

(10)在形成前述图案的基底上涂覆有机材料的填充薄膜，通过光刻工艺，形成填充层320图案。如图14所示，填充层320设置在孔区300，填充层320填充屋檐结构，填充层320背离支撑坝221一侧表面与隔断层222位于孔区300的端面平齐。图14为本发明实施例填充层图案的结构示意图。

(11)在形成前述图案的基底上，通过刻蚀工艺刻蚀掉填充层320之间的第一无机封装层24，如图15所示，暴露出孔区300的阴极23。在孔区300，第一无机封装层24形成朝向第三端面的第四端面和背离基底10并与第四端面连接的第四表面，第四端面在基底10上的正投影与第一端面在基底10上的正投影重叠，第四表面与基底之间的距离大于孔区的阴极背离基底10表面与基底10之间的距离。通过本次工艺后，去除填充层，像素岛区100和连接桥区200的膜层结构未发生变化。图15为本发明实施例刻蚀孔区第一无机封装层后的结构示意图。

(12)在形成前述图案的基底上，涂覆抑制薄膜，形成抑制层330图案。如图16所示，抑制层330位于孔区300，并覆盖孔区300暴露的阴极23，抑制层330在基底10上的正投影与孔区300暴露的阴极23在基底10上的正投影重合。抑制薄膜的涂覆方法包括喷墨打印法、丝网印刷法等。在一示例性实施例中，抑制薄膜的材料包括4,4’-联苯醚二酐(ODPA)，ODPA对氧化铝Al₂O₃的形成具有很好的抑制作用。图16为本发明实施例形成抑制层图案的结构示意图。

(13)在形成前述图案的基底上，沉积第二无机封装薄膜，形成第二无机封装层25。如图17所示，在像素岛区100，第二无机封装,25覆盖第一无机封装层24；在连接桥区200，,第二无机封装层25覆盖第一无机封装层24；在孔区300，,第二无机封装层25覆盖第一无机封装层24，且包括朝向第三端面的第五端面和背离基底10并与第五端面连接的的第五表面，第五端面在基底10上的正投影与第一端面在基底10上的正投影重叠，第五表面与第四表面对应。在一示例性实施例中，第二无机封装层的材料包括氧化铝Al₂O₃、氧化硅SiO_x或氮化硅Si_xN_y，可选的第二无机封装层的材料为氧化铝Al₂O₃，Al₂O₃具有较好的致密性和水汽阻隔能力，可以大大提高器件的封装性能。通过本实施例填充层和抑制层制备过程，很好的解决了Al₂O₃通过刻蚀难以图案化的问题。通过本次工艺后，抑制层被去除掉。图17为本发明实施例形成第二无机封装层的结构示意图。

(14)在形成前述图案的基底上，涂覆有机封装薄膜，在有机封装薄膜上沉积第三无机封装薄膜，形成有机封装层26和第三无机封装层27。如图18所示，有机封装层26形成在像素岛区100，像素岛区100的第三无机封装层27覆盖有机封装层26和第二无机封装层25；连接桥区200的第三无机封装层27覆盖第二无机封装层25；孔区300的第三无机封装层27设置于第二无机封装层25上、包裹第五表面、第四端面和第五端面并搭接在孔区300的阴极23上。在一示例性实施例中，第三无机封装层的材料包括氧化铝Al₂O₃、氧化硅SiO_x或氮化硅Si_xN_y。图18为本发明实施例形成第三无机封装层的结构示意图。

(15)通过刻蚀工艺去除孔区300的第三无机封装层，如图19-20所示，并通过激光工艺去除孔区300的第三无机封装层之间部分的膜层结构和基底，形成贯穿基底10的微孔310图案。图19为本发明实施例刻蚀掉第三无机封装层的结构示意图，图20为本发明实施例刻蚀掉孔区膜层结构的结构示意图。

通过实施例的制备过程可以看出，通过填充层和抑制层工艺过程，实现了第三无机封装层包裹第一无机封装层和第二无机封装层位于孔区的端面，以及第一无机封装层和第二无机封装层位于孔区的端面位置为纯无机封装结构，不仅防止了水汽从第一无机封装层和第二无机封装层的端面搭接缝隙中进去像素岛区，而且降低了微孔侧壁的第三无机封装层与阴极或有机发光层与无机绝绝缘层之间剥离时对第一无机封装层和第二无机封装层的位于孔区内的端面结构的影响，增加封装的可靠性。

本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：

在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区；

在连接桥区和孔区形成复合绝缘层，所述复合绝缘层包括多个无机绝缘层；

在连接桥区形成隔断结构层；

形成无机封装层，连接桥区的无机封装层包裹隔断结构层，孔区的无机封装层与复合绝缘层连接。

在一示例性实施例中，显示基板包括设置于基底上的驱动结构层、设置于驱动结构层上的平坦层、设置于平坦层上的阳极和设置于阳极上的像素定义层，在连接桥区形成隔断结构层，包括：

在连接桥区的复合绝缘层上形成支撑坝，支撑坝具有朝向孔区一侧的第一侧壁和远离基底一侧的第一表面；

在支撑坝的第一表面上形成隔断层，支撑坝和隔断层形成隔断结构层，隔断层具有朝向孔区一侧的第一端面，相对于第一侧壁，第一端面向着孔区一侧凸出，形成屋檐结构，隔断层凸出第一侧壁的部分朝向复合绝缘层的表面形成第二表面；

其中，支撑坝与平坦层同层设置、或与像素定义层同层设置、或包括叠设的第一支撑层和第二支撑层，所述第一支撑层与所述平坦层同层设置，所述第二支撑层与所述像素定义层同层设置。

在一示例性实施例中，显示基板还包括有机发光层和阴极；像素岛区的有机发光层设置在像素开口区域，阴极设置在有机发光层上；连接桥区的有机发光层和阴极设置在隔断层上，且朝向孔区的端面形成第二端面，第二端面与第一端面平齐；孔区的有机发光层和阴极设置在复合绝缘层上，朝向支撑坝第一侧壁的端面形成第三端面，在第三端面与第一侧壁之间形成暴露出孔区的复合绝缘层的第三表面；第一端面在基底上的正投影与第三端面在基底上的正投影重叠；

形成无机封装层，包括：

形成第一无机封装层，像素岛区的第一无机封装层覆盖阴极；连接桥区的第一无机封装层设置在阴极上，并贴合第一端面、第二端面、第二表面和第一侧壁；孔区的第一无机封装层设置于复合绝缘层上，并贴合第三表面和第三端面，以及覆盖阴极；

在第一无机封装层上形成填充层，填充层填充屋檐结构，填充层背离支撑坝一侧表面与第一端面平齐；

刻蚀掉填充层之间的第一无机封装层，暴露孔区的阴极，孔区的第一无机封装层形成朝向第三端面的第四端面和背离基底并与第四端面连接的第四表面，第四端面在基底上的正投影与第一端面在基底上的正投影重叠，第四表面与基底之间的距离大于孔区的阴极背离基底表面与基底之间的距离。

在一示例性实施例中，形成无机封装层，还包括：

形成第二无机封装层，像素岛区的第二无机封装层覆盖第一无机封装层；连接桥区的第二无机封装层覆盖第一无机封装层；孔区的第二无机封装层覆盖孔区的第一无机封装层，且包括朝向第三端面的第五端面和背离基底并与第五端面连接的的第五表面，第五端面在基底上的正投影与第一端面在基底上的正投影重叠，第五表面与第四表面对应。

在一示例性实施例中，形成第二无机封装层，包括：

在暴露的阴极上形成抑制层，抑制层在基底上的正投影与暴露的阴极在基底上的正投影重合；

在第一无机封装层上沉积第二无机封装薄膜，去除抑制层，形成第二无机封装层。

在一示例性实施例中，像素岛区包括设置于第二无机封装层上的有机封装层，无机封装层，还包括：

形成第三无机封装层，像素岛区的第三无机封装层覆盖第二无机封装层和有机封装层；连接桥区的第三无机封装层覆盖第二无机封装层；孔区的第三无机封装层设置于第二无机封装层上、包裹第四端面、第五端面和第五表面并搭接在阴极上。

本发明实施例提供了一种显示基板的制备方法，通过在连接桥区形成隔断结构层，隔断结构层具有屋檐结构，屋檐结构不仅延长了无机封装层的封装距离，而且屋檐结构内暴露的无机绝缘层和无机封装层直接搭接，提升了无机封装层与相邻膜层间的结合力，保证了封装的可靠性和稳定性，降低了显示基板的失效风险。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。

显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在本发明中的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“一侧”、“另一侧”、“一端”、“另一端”、“边”、“相对”、“四角”、“周边”、““口”字结构”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“直接连接”、“间接连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定为准。

Claims (12)

1.一种显示基板，其特征在于，包括多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，所述连接桥区包括设置在基底上的复合绝缘层和设置在所述复合绝缘层上的隔断结构层，所述孔区包括设置在基底上的复合绝缘层，所述复合绝缘层包括多个无机绝缘层；所述连接桥区和孔区还包括无机封装层，所述连接桥区的无机封装层包裹所述隔断结构层，所述孔区的无机封装层与所述复合绝缘层连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于：所述隔断结构层包括设置在所述复合绝缘层上的支撑坝和设置于所述支撑坝上的隔断层，所述支撑坝具有朝向所述孔区一侧的第一侧壁和远离所述基底一侧的第一表面，所述隔断层设置在所述第一表面上，并具有朝向所述孔区一侧的第一端面，相对于所述第一侧壁，所述第一端面向着所述孔区一侧凸出，形成屋檐结构，所述隔断层凸出所述第一侧壁的部分朝向复合绝缘层的表面形成第二表面。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于：所述像素岛区包括驱动结构层、设置于所述驱动结构层上的平坦层和设置于所述平坦层上的发光结构层，所述发光结构层包括设置于平坦层上的阳极以及设置于所述阳极上并限定像素开口区域的像素定义层；

所述支撑坝与所述平坦层同层设置；或者，

所述支撑坝与所述像素定义层同层设置；或者，

所述支撑坝包括叠设的第一支撑层和第二支撑层，所述第一支撑层与所述平坦层同层设置，所述第二支撑层与所述像素定义层同层设置。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于：还包括有机发光层和阴极；所述像素岛区的有机发光层设置在所述像素开口区域，所述阴极设置在所述有机发光层上；所述连接桥区的有机发光层和阴极设置在所述隔断层上，且朝向所述孔区的端面形成第二端面，所述第二端面与第一端面平齐；所述孔区的有机发光层和阴极设置在所述复合绝缘层上，朝向所述支撑坝的第一侧壁的端面形成第三端面，在所述第三端面与第一侧壁之间形成暴露出所述孔区的复合绝缘层的第三表面；所述第一端面在基底上的正投影与所述第三端面在基底上的正投影重叠。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于：还包括第一无机封装层，所述像素岛区的第一无机封装层覆盖阴极，所述连接桥区的第一无机封装层设置在阴极上，并贴合所述第一端面、第二端面、第二表面和第一侧壁；所述孔区的第一无机封装层设置于复合绝缘层上，并贴合第三表面和第三端面，所述孔区的第一无机封装层包括朝向所述第三端面的第四端面和背离基底并与第四端面连接的第四表面，所述第四端面在基底上的正投影与所述第一端面在基底上的正投影重叠，所述第四表面与所述基底之间的距离大于所述孔区的阴极背离基底表面与基底之间的距离。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于：还包括第二无机封装层，所述像素岛区的第二无机封装层覆盖第一无机封装层；所述连接桥区的第二无机封装层覆盖第一无机封装层；所述孔区的第二无机封装层覆盖所述第一无机封装层，并包括朝向所述第三端面的第五端面和背离基底并与第五端面连接的第五表面，所述第五端面在基底上的正投影与所述第一端面在基底上的正投影重叠，所述第五表面与所述第四表面对应。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于：还包括第三无机封装层和有机封装层，所述有机封装层设置于像素岛区，所述像素岛区的第三无机封装层覆盖有机封装层和第二无机封装层；所述连接桥区的第三无机封装层覆盖第二无机封装层；所述孔区的第三无机封装层设置于第二无机封装层上、包裹所述第四端面、第五端面和第五表面并搭接在孔区的阴极上。

8.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于：所述支撑坝的高度为2微米-15微米，所述隔断层凸出于所述侧壁部分的长度为0.1微米-2微米。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的显示基板。

10.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区；

在所述连接桥区和孔区形成复合绝缘层，所述复合绝缘层包括多个无机绝缘层；

在所述连接桥区形成隔断结构层；

形成无机封装层，所述连接桥区的无机封装层包裹所述隔断结构层，所述孔区的无机封装层与所述复合绝缘层连接。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于：所述显示基板包括设置于基底上的驱动结构层、设置于驱动结构层上的平坦层、设置于平坦层上的阳极和设置于阳极上的像素定义层，在所述连接桥区形成隔断结构层，包括：

在所述连接桥区的复合绝缘层上形成支撑坝，所述支撑坝具有朝向所述孔区一侧的第一侧壁和远离所述基底一侧的第一表面；

在所述支撑坝的第一表面上形成隔断层，所述支撑坝和隔断层形成隔断结构层，所述隔断层具有朝向所述孔区一侧的第一端面，相对于所述第一侧壁，所述第一端面向着所述孔区一侧凸出，形成屋檐结构，所述隔断层凸出所述第一侧壁的部分朝向复合绝缘层的表面形成第二表面；

其中，所述支撑坝与所述平坦层同层设置、或与所述像素定义层同层设置、或包括叠设的第一支撑层和第二支撑层，所述第一支撑层与所述平坦层同层设置，所述第二支撑层与所述像素定义层同层设置。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于：所述显示基板还包括有机发光层和阴极；所述像素岛区的有机发光层设置在所述像素开口区域，所述阴极设置在所述有机发光层上；所述连接桥区的有机发光层和阴极设置在所述隔断层上，且朝向所述孔区的端面形成第二端面，所述第二端面与第一端面平齐；所述孔区的有机发光层和阴极设置在所述复合绝缘层上，朝向所述支撑坝第一侧壁的端面形成第三端面，在所述第三端面与第一侧壁之间形成暴露出所述孔区的复合绝缘层的第三表面；所述第一端面在基底上的正投影与所述第三端面在基底上的正投影重叠；

形成无机封装层，包括：

形成第一无机封装层，所述像素岛区的第一无机封装层覆盖所述阴极；所述连接桥区的第一无机封装层设置在阴极上，并贴合所述第一端面、第二端面、第二表面和第一侧壁；所述孔区的第一无机封装层设置于复合绝缘层上，并贴合第三表面和第三端面，所述孔区的第一无机封装层形成朝向所述第三端面的第四端面和背离基底并与第四端面连接的第四表面，所述第四端面在基底上的正投影与所述第一端面在基底上的正投影重叠，所述第四表面与所述基底之间的距离大于所述孔区的阴极背离基底表面与基底之间的距离；

形成第二无机封装层，所述像素岛区的第二无机封装层覆盖第一无机封装层；所述连接桥区的第二无机封装层覆盖第一无机封装层；所述孔区的第二无机封装层覆盖所述孔区的第一无机封装层，且包括朝向所述第三端面的第五端面和背离基底并与第五端面连接的第五表面，所述第五端面在基底上的正投影与所述第一端面在基底上的正投影重叠，所述第五表面与所述第四表面对应；

形成有机封装层和第三无机封装层，所述有机封装层形成在像素岛区的第二无机封装层上，所述像素岛区的第三无机封装层覆盖第二无机封装层和有机封装层；所述连接桥区的第三无机封装层覆盖第二无机封装层；所述孔区的第三无机封装层设置于第二无机封装层上、包裹所述第四端面、第五端面和第五表面并搭接在阴极上。

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