CN112038389A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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CN112038389A CN202010973170.3A CN202010973170A CN112038389A CN 112038389 A CN112038389 A CN 112038389A CN 202010973170 A CN202010973170 A CN 202010973170A CN 112038389 A CN112038389 A CN 112038389A
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Abstract

本文公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括：彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，孔区包括基底和封装层，基底上设置有开孔，基底靠近开孔一侧还设置有隔挡结构，封装层覆盖基底靠近开孔一侧。本文通过在基底靠近孔区一侧设置隔挡结构，隔挡结构可以形成封装层断裂区，在显示基板与刚性衬底剥离的过程中，封装层的断裂区能够被扯断，防止封装层继续被剥离，提升封装可靠性。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展，OLED技术越来越多的应用于柔性显示装置中，且柔性显示装置正由二维方向可变模式逐渐发展到三维方向可变模式。
三维方向可变模式的柔性OLED显示基板通常采用岛桥结构。岛桥结构是将发光单元设置在像素岛区，像素岛区之间连接线设置在连接桥区，施加外力拉伸时，形变主要发生在连接桥区，像素岛区的发光单元基本保持形状，可以保证像素岛区的发光单元不会受到破坏。为了增加柔性显示装置的可变形量，像素岛区的外围还设置有孔区，孔区具有多个微孔结构，微孔结构贯通柔性基底。
柔性OLED显示基板通常是在刚性基底上形成柔性层，再通过激光剥离(laserlift off，LLO)工艺将柔性层从刚性衬底上剥离。对于带有微孔结构的柔性OLED显示基板，在柔性OLED显示基板与刚性基底剥离时会造成微孔结构侧壁上的封装层破裂，进而降低封装可靠性，影响柔性OLED显示基板的使用寿命。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，可以防止显示基板与刚性基底剥离时开孔侧壁的封装层被剥离。
本公开实施例提供的显示基板，包括：彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，孔区包括基底和封装层，基底上设置有开孔，基底靠近开孔一侧还设置有隔挡结构，封装层覆盖基底靠近开孔一侧。
在一示例性实施例中，隔挡结构设置为隔挡槽，隔挡槽的开口朝向开孔，隔挡槽内的封装层的厚度小于隔挡槽外的封装层厚度，或者隔挡槽内的封装层不连续。
在一示例性实施例中，孔区还包括设置于基底上的复合绝缘层，封装层覆盖复合绝缘层，复合绝缘层包括朝向开孔的第一端面，基底包括叠设的第一阻挡层、缓冲层和第二阻挡层，第一阻挡层包括朝向开孔的第二端面，缓冲层包括朝向开孔的第三端面，第二阻挡层包括朝向开孔的第四端面；
在平行于基底的方向上，第二端面和第四端面与第一端面之间的距离小于第三端面与第一端面之间的距离，第三端面设置为隔挡槽的槽底，第一阻挡层和第二阻挡层相对的表面设置为隔挡槽的侧壁。
在一示例性实施例中，基底还包括第一柔性基底层和第二柔性基底层，第一柔性基底层设置于第一阻挡层远离缓冲层的一侧，第二柔性基底层设置于第二阻挡层远离缓冲层一侧，第一柔性基底层包括朝向开孔的第五端面，第二柔性基底层包括朝向开孔的第六端面；
在平行于基底的方向上，第五端面和第六端面与第一端面的距离大于第二端面和第四端面与第一端面的距离，小于第三端面与第一端面之间的距离。
在一示例性实施例中，第五端面与第六端面平齐，第二端面和第三端面平齐。
在一示例性实施例中，在垂直于基底的平面内，隔挡槽的深度为0.2微米到2微米，隔挡槽的宽度为0.2微米到2微米。
在一示例性实施例中，在垂直于基底的平面内，隔挡槽的宽度小于或等于隔挡槽外的封装层的厚度。
在一示例性实施例中，隔挡结构设置为隔挡檐，隔挡檐延伸至开孔内，隔挡檐设置为与刚性衬底之间形成凹槽结构，凹槽结构内的封装层厚度小于所述凹槽结构外的封装层的厚度，或者凹槽结构内的封装层不连续。
在一示例性实施例中，基底包括缓冲层和设置于缓冲层上的第一阻挡层，第一阻挡层延伸至开孔内并凸出缓冲层，形成屋檐结构，隔挡檐包括第一阻挡层凸出缓冲层的部分。
在一示例性实施例中，第一阻挡层凸出缓冲层的长度为0.2微米到2微米，缓冲层的厚度为0.2微米到2微米。
在一示例性实施例中，显示基板还包括有机发光层和阴极层，孔区的有机发光层和阴极层部分设置于隔挡檐上。
本公开实施例提供的显示基板的制备方法，包括：
在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，孔区的基底开设有开孔，基底靠近开孔的一侧还设置有隔挡结构；
形成封装层，封装层覆盖基底靠近开孔一侧的侧壁，隔挡结构用于在封装层上形成能够在基底与刚性衬底剥离时断裂的断裂区。
在一示例性实施例中，在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，包括：
形成第一柔性基底层；
在第一柔性基底层上依次沉积第一阻挡薄膜、缓冲薄膜和第二阻挡薄膜，通过构图工艺对第二阻挡薄膜进行构图，形成叠设的第一阻挡层、缓冲层和第二阻挡层以及第一开口，第一开口设置于孔区，并暴露出第一柔性基底层；
刻蚀缓冲层，相对于第一阻挡层和第二阻挡层朝向第一开口的表面，缓冲层朝向第一开口的表面向远离第一开口方向凹陷，形成槽口朝向第一开口的隔挡槽，在垂直于基底的平面内，隔挡槽的深度为0.2微米到2微米，隔挡槽的宽度为0.2微米到2微米。
在一示例性实施例中，在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，包括：
在刚性衬底上形成缓冲层；
在缓冲层上沉积第一阻挡薄膜，通过构图工艺对第一阻挡薄膜进行构图，形成第一阻挡层以及第一开孔，第一开孔位于孔区，第一开孔内的缓冲层和第一阻挡层被刻蚀掉，以暴露刚性衬底，第一开孔包括形成于第一阻挡层的第一孔径区和形成于缓冲层的第二孔径区，第一孔径区的孔径小于第二孔径区的孔径，第一阻挡层与第二孔径区对应位置形成隔挡檐，隔挡檐构成隔挡结构。
在一示例性实施例中，在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，包括：
在刚性衬底上形成缓冲层；
在缓冲层上沉积第一阻挡薄膜，通过构图工艺对第一阻挡薄膜进行构图，形成第一阻挡层和过孔，过孔位于孔区，过孔为环形孔，过孔内的第一阻挡层被刻蚀，以暴露出缓冲层，过孔的孔径为0.2微米到2微米之间；
刻蚀缓冲层，形成内扩孔，内扩孔形成在孔区并与过孔位置对应，内扩孔内的缓冲层被刻蚀掉，以暴露出刚性衬底，内扩孔的孔径大于过孔的孔径，过孔两侧的第一阻挡层与内扩孔对应的位置形成隔挡檐，隔挡檐构成隔挡结构。
本公开实施例提供的显示装置，包括上述实施例的显示基板。
本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过在基底靠近孔区一侧设置隔挡结构，隔挡结构可以形成封装层断裂区，在显示基板与刚性衬底剥离的过程中，封装层的断裂区能够被扯断，防止封装层被继续剥离，提升封装可靠性。
本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
图1为本公开示例性实施例显示基板的平面图；
图2为图1中a-a位置的剖面图；
图3为本公开示例性实施例形成第一开口后的结构示意图；
图4为本公开示例性实施例形成第二柔性基底层的结构示意图；
图5为本公开示例性实施例形成像素定义层和隔离坝后的结构示意图；
图6为本公开示例性实施例形成第二开口后的结构示意图；
图7为本公开示例性实施例形成第三开口后的结构示意图；
图8为本公开示例性实施例形成隔挡槽后的结构示意图；
图9为本公开实施例性形成有机发光层和阴极后的结构示意图；
图10为本公开示例性实施例形成封装层后的结构示意图；
图11为本公开示例性实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图12为本公开另一示例性实施例形成隔挡檐后的结构示意图；
图13为本公开另一示例性实施例形成第一阻挡层后的结构示意图；
图14为本公开另一示例性实施例形成第二阻挡层后的结构示意图；
图15为本公开另一示例性实施例形成第二阻挡层后的结构示意图；
图16为本公开另一示例性实施例形成像素定义层和隔离坝的结构示意图；
图17为本公开另一示例性实施例形成第二开孔后的结构示意图；
图18为本公开另一示例性实施例形成开孔后的结构示意图；
图19为本公开另一示例性实施例形成有机发光层和阴极后的结构示意图；
图20为本公开另一示例性实施例形成封装层后的结构示意图；
图21为本公开另一示例性实施例形成第四绝缘层后的结构示意图；
图22为本公开另一示例性实施例形成第一开窗后的结构示意图；
图23为本公开另一示例性实施例形成第二开窗后的结构示意图；
图24为本公开另一示例性实施例形成第三开窗后的结构示意图；
图25为本公开另一示例性实施例形成第四开窗后的结构示意图；
图26为本公开另一示例性实施例形成过孔后的结构示意图；
图27为本公开另一示例性实施例形成内扩孔后的结构示意图；
图28为本公开另一示例性实施例形成有机发光层和阴极后的结构示意图；
图29为本公开另一示例性实施例形成封装层后的结构示意图。
附图标记说明
1-显示基板； 10-基底； 11-第一绝缘层；
12-有源层； 13-第二绝缘层； 14-第一栅金属层；
141-栅极； 142-第一电容电极； 15-第三绝缘层；
16-第二栅金属层； 161-第二电容电极； 17-第四绝缘层；
18-源漏金属层； 181-源电极； 182-漏电极；
19-平坦层； 20-阳极； 21-像素定义层；
22-有机发光层； 23-阴极； 24-封装层；
101-第一柔性基底层； 102-第一阻挡层； 103-缓冲层；
104-第二阻挡层； 105-第二柔性基底层； 106-隔挡槽；
107-隔挡檐； 200-连接桥区； 210-连接线；
300-孔区； 301-开孔。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本公开实施例提供了一种显示基板，包括彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，孔区包括基底和封装层，基底上设置有开孔，基底靠近开孔一侧还设置有隔挡结构，封装层覆盖基底朝向开孔的一侧，基底朝向开孔的一侧设置有隔挡结构，隔挡结构用于在封装层上形成能够在基底与刚性衬底剥离时断裂的断裂区。
下面结合附图示例性说明本公开实施例技术方案。
图1为本公开示例性实施例显示基板的平面图。如图1所示，显示基板1的主体结构包括彼此隔开的多个像素岛区100、多个孔区300以及连接多个像素岛区100的连接桥区200。多个像素岛区100、多个孔区300和连接桥区200设置于基底上，基底为柔性基底。像素岛区100用于图像显示，连接桥区200用于走线和传递拉力，孔区300用于在拉伸时提供变形空间。像素岛区100包括一个或多个像素单元，像素单元可以包括3个(红绿蓝)或4个(红绿蓝白)出射不同颜色光线的发光单元，在平行于基底的平面，像素岛区可以是矩形或正方形。像素岛区100外围的孔区300由穿透基底的多个开孔301组成，开孔301为L形，或者多个L形相连的形状，如工字型、T型等形状，开孔301的宽度为10微米～500微米。连接桥区200位于像素岛区100和孔区300之间，或者位于相邻的孔区300之间，与相邻的像素岛区100连接，也就是说，连接桥区200环绕像素岛区100和孔区300。连接桥区200为L形，或者多个L形相连的形状，如┕┙形、T型等形状。连接桥区200的宽度为10微米到500微米。多个像素岛区100的发光单元通过连接桥区200的连接线210信号连通。
图2为图1中a-a位置的剖面图。像素岛区100包括驱动结构层、设置于驱动结构层上的发光结构层和覆盖发光结构层的封装层24。驱动结构层主要包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)组成的像素驱动电路。如图2所示，驱动结构层的主体结构包括设置于基底10上的第一绝缘层11、设置于第一绝缘层11上的有源层12、设置于有源层12上的第二绝缘层13、设置于第二绝缘层13上的第一栅金属层14、设置于第一栅金属层14上的第三绝缘层15、设置于第三绝缘层15上的第二栅金属层16、设置于第二栅金属层16上的第四绝缘层17以及设置于第四绝缘层17上的源漏金属层18。其中第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17可以为无机绝缘层。像素岛区100的驱动结构层上覆盖平坦层19，平坦层19上设置发光结构层。发光结构层包括阳极20、限定像素开口区域的像素定义层21、设置于像素定义层21上的有机发光层22和设置于有机发光层22上的阴极23。封装层24覆盖发光结构层。像素岛区100的基底10包括叠设的第一柔性基底层101、第一阻挡层102、缓冲层103和第二阻挡层104及第二柔性基底层105。
如图2所示，连接桥区200主体结构包括设置于基底10上复合绝缘层、连接线(未示出)、隔离坝25、有机发光层22和阴极23以及封装层24。连接桥区200的复合绝缘层包括叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17。隔离坝25和连接线(未示出)设置于复合绝缘层上，有机发光层22、阴极23和封装层24覆盖隔离坝25。隔离坝25的横截面呈上窄下宽的梯形。在一示例中，在垂直于基底10的平面内，隔离坝25的高度约为25微米到100微米，上底的宽度约为20微米到60微米，下底的宽度约为20微米到60微米。连接桥区200的基底10包括叠设的第一柔性基底层101、第一阻挡层102、缓冲层103和第二阻挡层104及第二柔性基底层105。
如图2所示，孔区300主要包括设置于基底10上的复合绝缘层、有机发光层22和阴极23以及封装层24。基底10上设置有开孔301，开孔301贯通复合绝缘层和基底。复合绝缘层包括朝向开孔301的第一端面，第一端面隔断有机发光层22和阴极23。封装层24覆盖阴极24、第一端面和基底10靠近开孔301的一侧。孔区300的复合绝缘层包括叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17。孔区300的基底10包括叠设的第一柔性基底层101、第一阻挡层102、缓冲层103和第二阻挡层104及第二柔性基底层105。相对于第一阻挡层102和第二阻挡层104朝向开孔301的表面，缓冲层103朝向开孔301一侧的表面向远离开孔301方向凹陷，形成槽口朝向开孔301的隔挡槽106，换句话说，第一阻挡层102包括朝向开孔301的第二端面，缓冲层103包括朝向开孔301的第三端面，第二阻挡层104包括朝向开孔301的第四端面；在平行于基底10的方向上，第二端面和第四端面与第一端面之间的距离小于第三端面与第一端面之间的距离。在一示例中，第二端面和第四端面平齐，另一示例中，第二端面、第四端面与第一端面平齐。第一阻挡层102和第二阻挡层104相对的侧面构成隔挡槽106的侧壁，第三端面构成隔挡槽106的槽底。隔挡槽106内的封装层24厚度小于隔挡槽106外的封装层24厚度，或者隔挡槽106内的封装层24不连续(存在断裂位置)，隔挡槽106内的封装层24构成断裂区，其中封装层的厚度为垂直于封装层所贴附壁面方向上的厚度，例如，在隔挡槽内，贴附于第一阻挡层和第二阻挡层上的封装层的厚度为封装层在垂直于第一阻挡层朝向第二阻挡层一侧表面的方向上的厚度，也是垂直于基底方向上的厚度，贴附于缓冲层的第三端面的封装层厚度为封装层在垂直于第三端面方向上的厚度，在隔挡槽外，贴附于复合绝缘层朝向开孔一侧的封装层厚度为封装层在垂直于复合绝缘层朝向开孔一侧表面方向上的厚度，即贴附于第一端面的封装层厚度为封装层在垂直于第一端面方向上的厚度，隔挡槽内的封装层厚度小于隔挡槽外的封装层厚度可以为隔挡槽内部分位置封装层的厚度小于隔挡槽外封装层的厚度。断裂区的封装层24由于较薄，甚至不连续，所以容易被扯断。
在本实施例中，无机封装薄膜在隔挡槽106内只有少量沉积或者部分位置无沉积，因此隔挡槽106内的封装层24较薄，甚至不连续，易断裂，也就说，在隔挡槽106内的封装层24形成断裂区，从而在基底10与刚性衬底分离过程中，可以有效防止位于隔挡槽106靠近第二柔性基底105一侧的封装层24被扯裂，从而增强封装层24的封装可靠性，而且不影响器件的拉伸性能。也就是说，隔挡槽106用于形成封装层24的断裂区，隔挡槽106构成隔挡结构。
在本实施例中，在垂直于基底10的平面内，隔挡槽106的深度L1约为0.2微米到2微米，隔挡槽106的宽度D1约为0.2微米到2微米。隔挡槽106较大的深度和较窄的宽度有利于限制无机封装材料进入隔挡槽106内，进而减少无机封装材料在隔挡槽106内沉积的量。
在本实施例中，第一柔性基底层101包括朝向开孔301的第五端面，第二柔性基底层105包括朝向开孔301的第六端面，在平行于基底10的方向上，第五端面和第六端面与第一端面之间的距离大于第二端面和第四端面与第一端面之间的距离，小于第三端面与第一端面之间的距离。第五端面和第六端面平齐。
下面通过显示基板的制备过程的示例说明本实施例显示基板的结构。本文所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指A和B通过同一次构图工艺同时形成。“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影落入A的正投影范围内，或者A的正投影覆盖B的正投影。
(1)在刚性衬底2上制备基底。
在刚性衬底2涂覆第一柔性基底薄膜，如图3所示，固化成膜形成第一柔性基底层101。在本实施例中，第一柔性基底层的材料可以为聚酰亚胺，第一柔性基底层的厚度为2微米到10微米，刚性衬底可以采用玻璃衬底。图3为本公开示例性实施例形成第一开口后的结构示意图。
随后，在第一柔性基底层101上沉积第一阻挡薄膜、缓冲薄膜和第二阻挡薄膜，采用构图工艺对第二阻挡薄膜进行构图，如图3所示，形成叠设的第一阻挡层102、缓冲层103和第二阻挡层104以及第一开口k1图案。第一阻挡层102、缓冲层103和第二阻挡层104覆盖像素岛区100和连接桥区200的第一柔性基底层101，第一开口k1设置于孔区300，并暴露出第一柔性基底层101。第一阻挡层102包括朝向第一开口k1的第二端面，第二阻挡层104包括朝向第二开口k1的第四端面，第二端面与第四端面平齐。通过本次构图工艺后，像素岛区100和连接桥区200包括第一柔性基底层101和叠设于第一柔性基底层101的第一阻挡层102、缓冲层103和第二阻挡层104，孔区300包括第一柔性基底层101和叠设于第一柔性基底层101的第一阻挡层102、缓冲层103和第二阻挡层104，以及第一开口k1，第一阻挡层102、缓冲层103和第二阻挡层104朝向第一开口k1一侧的表面平齐。在示例性实施例中，第一阻挡层102、缓冲层103和第二阻挡层104的材料可以为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(Al2O3)或氮氧化硅(SiOxNx)等无机材料，第一阻挡层和第二阻挡层的材料可以相同，但不同于缓冲层材料。第一阻挡层102、缓冲层103和第二阻挡层104可以用于提高基底的抗水氧能力。
随后，在形成前述图案的基底上，涂覆第二柔性基底薄膜，如图4所示，固化成膜后，形成第二柔性基底层105。第二柔性基底层105填充第一开口k1，并覆盖像素岛区100、连接桥区200和孔区300的第二阻挡层104。在示例性实施例中，第二柔性基底层105的材料可以为聚酰亚胺。第二柔性基底层的厚度为2微米到10微米。图4为本公开示例性实施例形成第二柔性基底层后的结构示意图。
(2)在基底上制备驱动结构层图案和连接线图案。驱动结构层图案位于像素岛区，连接线图案位于连接桥区。图5为本公开示例性实施例形成像素定义层和隔离坝后的结构示意图，在示例性实施方式中，驱动结构层的制备过程可以包括：
在基底10上依次沉积第一无机绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个基底10的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的有源层12图案，有源层12图案形成在像素岛区100。本次构图工艺后，连接桥区200和孔区300包括设置在基底10上的第一绝缘层11，连接桥区200和孔区300的有源层薄膜被刻蚀掉。
随后，依次沉积第二无机绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层12图案的第二绝缘层13，以及设置在第二绝缘层13上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案形成在像素岛区100，至少包括第一栅电极141和第一电容电极142。本次构图工艺后，连接桥区200和孔区300包括在基底10叠设的第一绝缘层11和第二绝缘层13，连接桥区200和孔区300的第一金属薄膜被刻蚀掉。
随后，依次沉积第三无机绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层15，以及设置在第三绝缘层15上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案形成在像素岛区100，至少包括第二电容电极161，第二电容电极161的位置与第一电容电极142的位置相对应，第二电容电极161在基底10上的正投影与第一电容电极142在基底10上的正投影至少部分重叠。本次构图工艺后，连接桥区200和孔区300包括在基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13和第三绝缘层15，连接桥区200和孔区300的第二金属薄膜被刻蚀掉。
随后，沉积第四无机绝缘薄膜，通过构图工艺对第四无机绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层17图案，第四绝缘层17上开设有两个第一过孔k2，两个第一过孔k2内的第四绝缘层17、第三绝缘层15和第二绝缘层13被刻蚀掉，暴露出有源层12的表面。本次构图工艺后，连接桥区200和孔区300包括在基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17。
随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层17上形成源漏金属层图案，源漏金属层图案包括位于像素岛区100的源电极181和漏电极182，以及位于连接桥区200的连接线(附图未示出)。源电极181和漏电极182通过第一过孔k2与有源层12连接。本次构图工艺后，孔区300的膜层结构未发生变化。
至此，在基底上制备完成像素岛区的驱动结构层和连接桥区的连接线。像素岛区的驱动结构层中，有源层、栅电极、源电极和漏电极组成薄膜晶体管，第一电容电极和第二电容电极组成第一存储电容。连接桥区和孔区包括设置在基底上的复合绝缘层，复合绝缘层包括叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层。连接桥区还包括设置在复合绝缘层上的连接线。
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称之为阻挡(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称之为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称之为层间绝缘(ILD)层。第一金属层、第二金属层和第三金属层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
(3)在形成前述图案的基底上涂覆有机材料的平坦薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，在像素岛区100形成平坦层19，且平坦层19上形成第二过孔k3图案。第二过孔k3形成在像素岛区100，第二过孔k3内的平坦层19被显影掉，暴露出薄膜晶体管的漏电极182的表面。通过本次工艺后，连接桥区200和孔区300的膜层结构没有变化。
(4)在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极20图案，阳极20形成在像素岛区100的平坦层19上，通过第二过孔k3与薄膜晶体管的漏电极182连接。本次构图工艺后，连接桥区200和孔区300的膜层结构没有变化。在示例性实施例中，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。
(5)在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素定义(PDL)层21图案和隔离坝25图案，像素定义层21形成在像素岛区100，隔离坝25形成连接桥区200。在垂直于基底平面的方向上，隔离坝25的横截面为上窄下宽的梯形。像素定义层21上开设有像素开口，像素开口内的像素定义层21被显影掉，暴露出阳极20的表面。在示例性实施例中，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。在一些实施例中，隔离坝25可以与平坦层19采用一次构图工艺形成，也就是说，隔离坝25与平坦层19同层设置。
(6)在形成前述图案的基底上，通过构图工艺对复合绝缘层进行构图，如图6所示，形成第二开口k4图案。第二开口k4形成在孔区300，第二开口k4与开孔的位置对应，第二开口k4内的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17被刻蚀掉，也就是说，复合绝缘层被刻蚀掉，暴露出第二柔性基底层105。复合绝缘层包括朝向第二开口k4的第一端面。在一示例中，第一端面与第二端面和第四端面平齐。通过本次构图工艺后，像素岛区100和连接桥200的膜层结构没有变化。形成第二开口k4后，用于形成第二开口k4的光刻胶掩膜不剥离。图6为本公开示例性实施例形成第二开口后的结构示意图。
(7)在形成前述图案的基底上，刻蚀第二柔性基底层105，如图7所示，形成第三开口k5图案。第三开口k5形成在孔区300，第三开口k5与第一开口和第二开口k4的位置对应，第三开口k5在刚性衬底2上正投影与第一开口在刚性衬底2上的正投影重合。通过本次构图工艺后，第三开口k5内的第二柔性基底层105和第一柔性基底层101被刻蚀掉，暴露出刚性衬底2。像素岛区100和连接桥区200的膜层结构没有变化。第三开口k5和第二开口k4构成孔区300的开孔301。形成第三开口k5后，形成第二开口k4的光刻胶掩膜不剥离。图7为本公开示例性实施例形成第三开口后的结构示意图。
(8)在形成前述图案的基底上，刻蚀缓冲层103，如图8所示，缓冲层103包括朝向开孔301的第三端面，在平行于基底10的方向上，第三端面与第一端面之间的距离大于第二端面和第四端面与第一端面之间的距离，第一阻挡层102、缓冲层103和第二阻挡层104之间形成隔挡槽106。在垂直于基底的平面内，隔挡槽106的深度约为0.2微米到2微米，隔挡槽106的宽度约为0.2微米到2微米。在一些实施例中，在刻蚀缓冲层103过程中，第一阻挡层102和第二阻挡层104可以被刻蚀，但缓冲层103的刻蚀速率大于第一阻挡层102和第二阻挡层104的刻蚀速率。例如，缓冲层103的材料可以选择氮化硅(SiNx)，第一阻挡层102和第二阻挡层104的材料可以选择氧化硅(SiOx)，通过干式刻蚀方法，选择合适的刻蚀气体组成，实现刻蚀气体对氮化硅(SiNx)的刻蚀速率大于对氧化硅(SiOx)的刻蚀速率。在一些实施例中，在缓冲层103刻蚀过程中，第一柔性基底层101和第二柔性基底层105也被刻蚀，但刻蚀速率小于缓冲层103，换句或说，第一柔性基底层101包括朝向开孔301的第五端面，第二柔性基底层105包括朝向开孔301的第六端面，第五端面和第六端面平齐。在平行于基底的方向上，第五端面和第六端面与第一端面之间的距离大于第二端面和第四端面与第一端面之间的距离，小于第三端面与第一端面之间的距离。图8为本公开示例性实施例形成隔挡槽后的结构示意图。
(9)在形成前述图案的基底上，依次蒸镀有机发光材料和阴极金属薄膜，如图9所示，形成有机发光层22和阴极23图案。在像素岛区100，有机发光层22与像素开口区域内的阳极20连接，阴极23设置在有机发光层22上。在连接桥区200，有机发光层22和阴极23覆盖隔离坝25。在孔区300，有机发光层22和阴极23被复合绝缘层朝向开孔301的侧面隔断，即被第一端面隔断。其中，有机发光层主要包括发光层(EML)。实际实施时，有机发光层可以包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，提高电子和空穴注入发光层的效率，阴极可以采用镁Mg、银Ag、铝Al、铜Cu、锂Li等金属材料的一种，或上述金属的合金。图9为本公开实施例性形成有机发光层和阴极后的结构示意图。
(9)在形成前述图案的基底上沉积无机封装薄膜，如图10所示，形成覆盖像素岛区100、连接桥区200和孔区300的封装层24。在像素岛区100，封装层24覆盖阴极23。在连接桥区200，封装层24设置在阴极23上。在孔区300，封装层24设置于阴极23上，并包裹复合绝缘层和基底10靠近开孔301一侧。由于隔挡槽较深并且开口比较小，所以隔挡槽106内无机封装材料层沉积的量很小，封装层较薄，甚至不连续，容易被扯断，进而形成于隔挡槽106内的封装层24构成断裂区。在示例性实施例中，封装层24采用化学气相沉积和原子层沉积方式制备，封装层24的材料包括氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiOx)或氮化硅(SixNy)，封装层的厚度约为0.5微米到2微米。图10为本公开示例性实施例形成封装层后的结构示意图。
(10)采用激光工艺，将基底10从刚性衬底2剥离形成显示基板1，如图2所示。这样，即完成显示基板的制备，所制备的显示基板1包括：
基底10，包括第一柔性基底层101、第一阻挡层102、缓冲层103、第二阻挡层104和第二柔性基底层105；
设置在基底10上的第一绝缘层11；
设置在第一绝缘层11上的有源层12；
设置于有源层12上的第二绝缘层13；
设置在第二绝缘层13上的第一栅金属层14，第一栅金属层14设置在像素岛区100，至少包括栅电极141和第一电容电极142；
覆盖第一栅金属层14的第三绝缘层15；
设置在第三绝缘层15上的第二栅金属层16，第二栅金属层16设置在像素岛区100，至少包括第二电容电极161，第二电容电极161和第一电容电极142位置对应；
覆盖第二栅金属层16的第四绝缘层17，第四绝缘层17上开设有第一过孔，第一过孔设置在像素岛区100，第一过孔暴露出有源层12，第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17形成连接桥区200和孔区300的复合绝缘层，复合绝缘层为无机绝缘层；
设置在第四绝缘层17上的源漏金属层18，源漏金属层18至少包括在像素岛区100的源电极181和漏电极182，以及在连接桥区200的连接线210，源电极181和漏电极182分别通过第一过孔与有源层12连接，源电极181和漏电极182之间形成导电沟道；
覆盖前述结构像素岛区的平坦层19，平坦层19上设置有暴露出漏电极182的第二过孔；
设置在平坦层19上的阳极20，阳极20通过第二过孔与漏电极182连接；
像素定义层21和隔离坝25，像素定义层21位于像素岛区100，像素定义层21设置在阳极20上，像素定义层21上设置有像素开口，像素开口暴露出阳极20，隔离坝25设置在连接桥区200；
覆盖前述结构的有机发光层22和阴极23，像素岛区100的有机发光层22设置在像素开口区域，阴极23设置在有机发光层22上；连接桥区200的有机发光层22和阴极23覆盖隔离坝25；孔区300的有机发光层22和阴极23在复合绝缘层朝向开孔一侧的侧壁被隔断上；
覆盖前述结构的封装层24，在像素岛区，封装层24覆盖阴极13；在连接桥区200，封装层24设置在阴极23上；在孔区300，封装层24设置于阴极23上，并包裹复合绝缘层和基底10靠近开孔301一侧；
其中，复合绝缘层包括朝向开孔301的第一端面，第一阻挡层102包括朝向开孔301的第二端面，缓冲层103包括朝向开孔301的第三端面，第二阻挡层104包括朝向开孔301的第四端面；
在平行于基底的方向上，第二端面和第四端面与第一端面之间的距离小于第三端面与第一端面之间的距离，第三端面设置为隔挡槽106的槽底，第一阻挡层102和第二阻挡层104相对的表面设置为隔挡槽106的侧壁。
在上述实施例中，隔离坝可以与平坦层同层设置，或者隔离坝可以包括叠设的第一支撑层和第二支撑层，第一支撑层与平坦层采用同一构图工艺形成，第二支撑层与像素定义层采用同一构图工艺形成，在本文中不再赘述。
如图10所示，由于隔挡槽106较深并且开口(隔挡槽的宽度)比较小，与封装层24的厚度相当，所以隔挡槽106内无机封装材料沉积的量很小，封装层较薄，甚至不连续，进而形成封装层24的断裂区A，虽然基底10朝向开孔301的侧壁与刚性衬底2的过渡位置B的封装层24较厚，在基底10与刚性衬底2剥离的过程中，存在剥离风险，但是剥离会在断裂区A隔断，防止封装层24继续被剥离，进而提升封层可靠性，提升显示基板2的寿命。
图11为本公开示例性实施例提供的另一种显示基板的结构示意图。本公开示例性实施例还提供了另一种显示基板，如图11所示，孔区300的基底10包括叠设的缓冲层103、第一阻挡层102、第一柔性基底层101和第二阻挡层104和第二柔性基底层105，孔区300的封装层24覆盖复合绝缘层和基底10。第一阻挡层102延伸至开孔301内，也就是说，第一阻挡层朝向开孔的第二端面向开孔方向探出复合绝缘层朝向开孔的第一端面，形成隔挡檐107，隔挡檐107与缓冲层103之间形成封装层24的断裂区，断裂区的封装层较薄，或者不连续，隔挡檐107构成隔挡结构。由于隔挡檐延伸至开孔301内，隔挡檐107背离缓冲层103一侧设置有被隔挡檐107隔断的有机发光层22和阴极23，换句话说，有机发光层22和阴极23不仅在第一端面被隔断，还在第二端面被隔断。
在一示例中，隔挡檐107的长度L2约为0.2微米到2微米，缓冲层103的厚度约为0.2微米到2微米，隔挡檐107的长度可以理解为第二端面探出第一端面的距离。这样在制备过程中，隔挡檐107与刚性衬底2之间的间隔约为0.2微米到2微米，形成较深较窄的凹槽结构，可以限制无机封装薄膜在隔挡檐107下沉积，进而形成封装层24的断裂区。
下面通过显示基板的制备过程示例性说明本实施例显示基板的技术方案。显示基板的制备过程可以采用如下两种制备过程。
在一示例中，制备过程一
(1)在刚性衬底2上制备基底10。
在刚性衬底2沉积缓冲薄膜和第一阻挡薄膜，通过构图工艺对第一阻挡薄膜进行构图，如图12所示，形成缓冲层103和第一阻挡层102以及第一开孔k6，第一开孔k6位于孔区300，第一开孔k6内的缓冲层103和第一阻挡层102被刻蚀掉，以暴露刚性衬底2。第一开孔k6包括位于第一阻挡层102的第一孔径区k61和位于缓冲层103的第二孔径区k62，第二孔径区k62的孔径大于第一孔径区k61的孔径，也就是说，第一孔径区k61在刚性衬底2上的正投影在第二孔径区k62在刚性衬底2上的正投影的范围内，换句话说，第一阻挡层102包括朝向第一开孔的第二端面，缓冲层103包括朝向开孔的第三端面。在平行于刚性载板的方向上，第二端面朝向第一开孔的方向探出第三端面。第一阻挡层102与第二孔径区k62对应的位置形成隔挡檐107。隔挡檐107的长度约为0.2微米到2微米，缓冲层103的厚度约为0.2微米到2微米。在本实施例中，在构图过程中，第一阻挡层102的刻蚀速率小于缓冲层103的刻蚀速率，第一阻挡层102可以为氧化硅(SiOx)，缓冲层可以为氮化硅(SiNx)，刻蚀方法采用干刻。本实施例中的缓冲层103也可以是有机材料，如聚酰亚胺，或者其他可剥离的材料，通过涂布的方式形成在刚性衬底上。图12为本公开另一示例性实施例形成隔挡檐后的结构示意图。
随后，在形成前述图案的基底上，涂覆第一柔性基底薄膜，固化成膜后形成第一柔性基底层101，如图13所示，第一柔性基底层101覆盖第一阻挡层102，并填充第一开孔k6。在示例性实施例中，第一柔性基底层的材料可以为聚酰亚胺。图13为本公开另一示例性实施例形成第一阻挡层后的结构示意图。
随后，在形成前述图案的基底上，沉积第二阻挡薄膜，通过构图工艺对第二阻挡薄膜进行构图，如图14所示，形成第二阻挡层104，第二阻挡层104上形成第二开孔k7，第二开孔k7与第一开孔位置对应。第二阻挡层104包括朝向第二开孔的第四端面。在平行于刚性载板2的方向上，第四端面位于第二端面和第三端面之间。图14为本公开另一示例性实施例形成第二阻挡层后的结构示意图。
随后，在形成前述图案的基底上，涂覆第二柔性基底薄膜，如图15所示，固化成膜后形成第二柔性基底层105，第二柔性基底层105填充第二开孔k7。在本实施例中，第二柔性基底层的材料可以为聚酰亚胺。图15为本公开另一示例性实施例形成第二阻挡层后的结构示意图。
(2)在基底上制备驱动结构层图案和连接线图案。相关制备过程可以参考前述实施例的制备过程，在此不再赘述。
(3)在形成前述图案的基底上形成平坦层。相关制备过程可以参考前述实施例的制备过程，在此不再赘述。
(4)在形成前述图案的基底上形成阳极图案。相关制备过程可以参考前述实施例的制备过程，在此不再赘述。
(5)在形成前述图案的基底上形成像素定义层和隔离坝，即图16所示结构。相关制备过程可以参考前述实施例的制备过程，在此不再赘述。图16为本公开另一示例性实施例形成像素定义层和隔离坝的结构示意图。
(6)在形成前述图案的基底上，通过构图工艺对第四绝缘层17进行构图，如图17所示，形成第三开孔k8图案，第三开孔k8形成在孔区300，并与第二开孔对应，第三开孔k8内的复合绝缘层(第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层14和第四绝缘层17)被刻蚀掉，暴露出第二柔性基底层105。复核绝缘层包括朝向第三开孔的第一端面，在平行于刚性载板2的方向上，第一端面与第四端面平齐，第二端面朝向第三开孔方向探出第一端面。通过本次构图工艺后，像素岛区100和连接桥200的膜层结构没有变化。形成第三开孔k8后，用于形成第三开孔k8的光刻胶掩膜不剥离。图17为本公开另一示例性实施例形成第二开孔后的结构示意图。
(7)在形成前述图案的基底上，刻蚀第一柔性基底层101、第二柔性基底层105，如图18所示，暴露出孔区300的第一开孔k6和第二开孔k7，形成开孔301。通过本次构图工艺后，像素岛区100和连接桥200的膜层结构没有变化。图18为本公开另一示例性实施例形成开孔后的结构示意图。
(8)在形成前述图案的基底上，依次蒸镀有机发光材料和阴极金属薄膜，形成有机发光层22和阴极23图案。如图19所示，在像素岛区100，有机发光层22与像素开口区域内的阳极20连接，阴极23设置在有机发光层22上。在连接桥区200，有机发光层22和阴极23覆盖隔离坝25。在孔区300，有机发光层22和阴极23被复合绝缘层朝向开孔301的侧面隔断。开孔301内的有机发光层22和阴极23被隔挡檐107隔断。在开孔301内的有机发光层22和阴极23可以部分遮挡隔挡檐107与刚性衬底2之间的开口。图19为本公开另一示例性实施例形成有机发光层和阴极后的结构示意图。
(9)在形成前述图案的基底上，沉积无机封装薄膜，如图20所示，形成覆盖像素岛区100、连接桥区200和孔区300的封装层24。在像素岛区100，封装层24覆盖阴极23。在连接桥区200，封装层24设置在阴极23上。在孔区300，封装层24设置于阴极23上，并包裹复合绝缘层和基底10。由于隔挡檐107与刚性衬底2之间形成较深并且开口比较小的凹槽结构，并且开孔301内的有机发光层22和阴极23遮挡部分开口，所以隔挡檐107下方的无机封装材料沉积的量很小，封装层较薄，甚至不连续，容易被扯断，进而形成封装层24的断裂区。图20为本公开另一示例性实施例形成封装层后的结构示意图。
(10)采用激光工艺，将基底10从刚性衬底2剥离形成如图11所示的显示基板1。
通过本实施例显示基板的制备过程可以看出，如图20所示，由于隔挡檐107与刚性衬底2之间形成较深并且开口较小的凹槽结构，在开孔301内沉积与刚性衬底2上的有机发光层22和阴极23又可以部分遮挡开口，所以隔挡檐107下方无机封装材料沉积的量很小，封装层较薄，甚至不连续，容易被扯断，形成封装层24的断裂区A，在基底10与刚性衬底2剥离的过程中，剥离会在断裂区A隔断，防止封装层24被剥离，进而提升封层可靠性，提升显示基板2的寿命。
在另一示例中，制备过程二
(1)在刚性衬底2上制备基底10。
如图21所示，在刚性基底2上涂覆缓冲层薄膜，固化成膜后，形成缓冲层103。在本实施例中，缓冲层的材料可以采用聚酰亚胺。缓冲层103层的厚度在1微米-15微米。图21为本公开另一示例性实施例形成第四绝缘层后的结构示意图。
随后，在缓冲层103上沉积第一阻挡薄膜，形成第一阻挡层102。
随后，在第一阻挡层102上涂覆第一柔性基底薄膜，固化成膜后形成第一柔性基底层101。
随后，在第一柔性基底层101上沉积第二阻挡薄膜，形成第二阻挡层104。
随后，在第二阻挡层104上涂覆第二柔性基底薄膜，固化成膜后形成第二柔性基底层105。
在示例性实施例中，第一柔性基底层和第二柔性基底层的厚度约为2微米到10微米。
(2)在基底上制备驱动结构层图案和连接线图案。相关制备过程可以参考前述实施例的制备过程，在此不再赘述。
(3)在形成前述图案的基底上形成平坦层。相关制备过程可以参考前述实施例的制备过程，在此不再赘述。
(4)在形成前述图案的基底上形成阳极图案。相关制备过程可以参考前述实施例的制备过程，在此不再赘述。
(5)在形成前述图案的基底上形成像素定义层和隔离坝。相关制备过程可以参考前述实施例的制备过程，在此不再赘述。
(6)在形成前述图案的基底上，通过构图工艺对第四绝层构图，如图22所示，形成第一开窗k9图案，第一开窗k9形成在孔区300，第一开窗k9内的复合绝缘层被刻蚀掉，暴露出第二柔性基底层105，复合绝缘层包括朝向第一开窗k9的第一端面。通过本次构图工艺后，像素岛区100和连接桥200的膜层结构没有变化。形成第一开窗k9后，用于形成第一开窗k9的光刻胶掩膜不剥离。图22为本公开另一示例性实施例形成第一开窗后的结构示意图。
(7)在形成前述图案的基底上，刻蚀第二柔性基底层105，如图23所示，形成第二开窗k10，第二开窗k10形成在孔区300内，并与第一开窗k9位置对应，第二开窗k10在刚性衬底2上的正投影与第一开窗k9在刚性衬底2上的正投影重合。第二开窗k10内的第二柔性基底层105被刻蚀掉，暴露出第二阻挡层104。通过本次构图工艺后，像素岛区100和连接桥200的膜层结构没有变化。形成第二开窗k10后，用于形成第一开窗k9的光刻胶掩膜不剥离。图23为本公开另一示例性实施例形成第二开窗后的结构示意图。
(8)在形成前述图案的基底上，刻蚀第二阻挡层104，如图24所示，形成第三开窗k11，第三开窗k11形成在孔区300内，并与第二开窗k10位置对应，第三开窗k11在刚性衬底2上的正投影与第二开窗k10在刚性衬底2上的正投影重合。第三开窗k11内的第二阻挡层104被刻蚀掉，暴露出第一柔性基层101，第二阻挡层104包括朝向第三开窗的第四端面，第一端面与第四端面平齐。通过本次构图工艺后，像素岛区100和连接桥200的膜层结构没有变化。形成第三开窗k11后，用于形成第一开窗k9的光刻胶掩膜不剥离。图24为本公开另一示例性实施例形成第三开窗后的结构示意图。
(9)在形成前述图案的基底上，刻蚀第一柔性基底层101，如图25所示，形成第四开窗k12，第四开窗k12形成在孔区300内，并与第三开窗k11位置对应，第四开窗k12内的第一柔性基底层101被刻蚀掉，暴露出第一阻挡层102。通过本次构图工艺后，像素岛区100和连接桥200的膜层结构没有变化。图25为本公开另一示例性实施例形成第四开窗后的结构示意图。
在本实施例中，步骤(7)到(9)可以一次刻蚀完成，也就是说，第二柔性基底层、第二阻挡层和第一柔性基底层在一次刻蚀工艺中被刻蚀。
(10)在形成前述图案的基底上，通过构图工艺对第一阻挡层102进行构图，如图26所示，形成过孔k13图案。过孔k13形成于孔区300的第一阻挡层102上，过孔13内的第一阻挡层102被刻蚀掉，暴露出缓冲层103。过孔k13为环形孔，沿着第四开窗k12的周向设置，过孔k13在刚性衬底2的正投影位于第四开窗k12在刚性衬底2的正投影的范围内。过孔k13外侧的第一阻挡层102包括朝向过孔的第二端面，在平行于刚性载板的方向上，第二端面沿着朝向过孔一侧探出第一端面。过孔k13的孔径为0.2微米到2微米之间。通过本次构图工艺后，像素岛区100和连接桥200的膜层结构没有变化，形成过孔k13的光刻胶掩膜不剥离。图26为本公开另一示例性实施例形成过孔后的结构示意图。
(11)在形成前述图案的基底上，刻蚀缓冲层103，如图27所示，缓冲层103上形成内扩孔k14，内扩孔k14形成在孔区300并与过孔k13位置对应，内扩孔k14内的缓冲层103被刻蚀掉，暴露出刚性衬底2，内扩孔k14的孔径大于过孔13的孔径，此处内扩孔k14的孔径可以理解为内扩孔k14的宽度，即图27水平方向宽度。过孔k13两侧的第一阻挡层102与内扩孔k14对应的位置形成隔挡檐107，也就是说内扩孔k14外侧的缓冲层102包括朝向内扩孔k14的第三端面。在平行于刚性载板2的方向上，第三端面位于第一端面和第二端面之间。在另一示例中，第三端面与第一端面平齐。隔挡檐107的长度约为0.2微米到2微米。通过本次构图工艺后，像素岛区100和连接桥200的膜层结构没有变化。图27为本公开另一示例性实施例形成内扩孔后的结构示意图。
(12)在形成前述图案的基底上，依次蒸镀有机发光材料和阴极金属薄膜，形成有机发光层22和阴极23图案。如图28所示，在像素岛区100，有机发光层22与像素开口区域内的阳极20连接，阴极23设置在有机发光层22上。在连接桥区200，有机发光层22和阴极23覆盖隔离坝25。在孔区300，有机发光层22和阴极23被复合绝缘层朝向第一开窗k9的侧面隔断，即被第一端面隔断，并在隔挡檐107位置被隔断，即被第二端面隔断。图28为本公开另一示例性实施例形成有机发光层和阴极后的结构示意图。
(9)在形成前述图案的基底上，沉积无机封装薄膜，如图29所示，形成覆盖像素岛区100、连接桥区200和孔区300的封装层24。在像素岛区100，封装层24覆盖阴极23。在连接桥区200，封装层24设置在阴极23上。在孔区300，封装层24设置于阴极23上，并包裹复合绝缘层和基底10。由于隔挡檐107的隔挡，随着无机封装薄膜不断沉积，过孔k13的孔径逐渐较小，进而内扩孔k14内沉积少量的无机封装薄膜，也就是说，内扩孔k14内的封装层厚度较薄，甚至不连续，易被扯断，形成封装层24的断裂区。在本实施例中，过孔k13的孔径约等于封装层24的厚度，可以进一步限制无机封装薄膜在内扩孔k14内沉积。图29为本公开另一示例性实施例形成封装层后的结构示意图。
(10)采用激光工艺，将基底10从刚性衬底2剥离形成如图11所示的显示基板1。
通过本实施例显示基板的制备过程可以看出，由于隔挡檐107的隔挡以及随着无机封装薄膜不断沉积，过孔k13的孔径逐渐较小，进而内扩孔k14内沉积少量的无机封装薄膜，也就是说，内扩孔k14内的封装层厚度较薄，甚至不连续，易被扯断，形成于隔挡檐107下方的封装层24形成断裂区A，在基底10与刚性衬底2剥离的过程中，剥离会在断裂区隔断，防止封装层24被剥离，进而提升封层可靠性，提升显示基板2的寿命。
本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，孔区的基底开设有开孔，基底靠近开孔的一侧还设置有隔挡结构；
形成封装层，封装层覆盖基底靠近开孔一侧的侧壁，隔挡结构用于在封装层上形成能够在基底与刚性衬底剥离时断裂的断裂区。
在一示例性实施例，在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，包括：
形成第一柔性基底层；
在第一柔性基底层上依次沉积第一阻挡薄膜、缓冲薄膜和第二阻挡薄膜，通过构图工艺对第二阻挡薄膜进行构图，形成叠设的第一阻挡层、缓冲层和第二阻挡层以及第一开口，第一开口设置于孔区，并暴露出第一柔性基底层；
刻蚀缓冲层，相对于第一阻挡层和第二阻挡层朝向第一开口的表面，缓冲层朝向第一开口的表面向远离第一开口方向凹陷，形成槽口朝向第一开口的隔挡槽，在垂直于基底的平面内，隔挡槽的深度为0.2微米到2微米，隔挡槽的宽度为0.2微米到2微米。
在一示例性实施例，在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，包括：
在刚性衬底上形成缓冲层；
在缓冲层上沉积第一阻挡薄膜，通过构图工艺对第一阻挡薄膜进行构图，形成第一阻挡层和过孔，过孔位于孔区，过孔为环形孔，过孔内的第一阻挡层被刻蚀，以暴露出缓冲层，过孔的孔径为0.2微米到2微米之间；
刻蚀缓冲层，形成内扩孔，内扩孔形成在孔区并与过孔位置对应，内扩孔内的缓冲层被刻蚀掉，以暴露出刚性衬底，内扩孔的孔径大于过孔的孔径，过孔两侧的第一阻挡层与内扩孔对应的位置形成隔挡檐，隔挡檐构成隔挡结构。
在一示例性实施例，在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个像素岛区的连接桥区，包括：
在刚性衬底上形成缓冲层；
在缓冲层上沉积第一阻挡薄膜，通过构图工艺对第一阻挡薄膜进行构图，形成第一阻挡层和过孔，过孔位于孔区，过孔为环形孔，过孔内的第一阻挡层被刻蚀，以暴露出缓冲层，过孔的孔径为0.2微米到2微米之间；
刻蚀缓冲层，形成内扩孔，内扩孔形成在孔区并与过孔位置对应，内扩孔内的缓冲层被刻蚀掉，以暴露出刚性衬底，内扩孔的孔径大于过孔的孔径，过孔两侧的第一阻挡层与内扩孔对应的位置形成隔挡檐，隔挡檐构成隔挡结构。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例的显示基板。
显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定为准。

Claims (13)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个所述像素岛区的连接桥区，所述孔区包括基底和封装层，所述基底上设置有开孔，所述基底靠近所述开孔一侧还设置有隔挡结构，所述封装层覆盖所述基底靠近所述开孔一侧。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于：所述隔挡结构设置为隔挡槽，所述隔挡槽的开口朝向所述开孔，所述隔挡槽内的封装层的厚度小于所述隔挡槽外的封装层厚度，或者所述隔挡槽内的封装层不连续。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于：所述孔区还包括设置于所述基底上的复合绝缘层，所述封装层覆盖所述复合绝缘层，所述复合绝缘层包括朝向所述开孔的第一端面，所述基底包括叠设的第一阻挡层、缓冲层和第二阻挡层，所述第一阻挡层包括朝向所述开孔的第二端面，所述缓冲层包括朝向所述开孔的第三端面，所述第二阻挡层包括朝向所述开孔的第四端面；
在平行于所述基底的方向上，所述第二端面和所述第四端面与所述第一端面之间的距离小于所述第三端面与所述第一端面之间的距离，所述第三端面设置为所述隔挡槽的槽底，所述第一阻挡层和第二阻挡层相对的表面设置为所述隔挡槽的侧壁。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述基底还包括第一柔性基底层和第二柔性基底层，所述第一柔性基底层设置于所述第一阻挡层远离所述缓冲层的一侧，所述第二柔性基底层设置于所述第二阻挡层远离所述缓冲层一侧，所述第一柔性基底层包括朝向所述开孔的第五端面，所述第二柔性基底层包括朝向所述开孔的第六端面；
在平行于所述基底的方向上，所述第五端面和所述第六端面与所述第一端面之间的距离大于所述第二端面和所述第四端面与所述第一端面之间的距离，小于所述第三端面与所述第一端面之间的距离。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第五端面与所述第六端面平齐，所述第二端面和所述第三端面平齐。
6.根据权利要求2-5任一项所述的显示基板，其特征在于：在垂直于所述基底的平面内，所述隔挡槽的深度为0.2微米到2微米，所述隔挡槽的宽度为0.2微米到2微米。
7.根据权利要求2-5任一项所述的显示基板，其特征在于：在垂直于所述基底的平面内，所述隔挡槽的宽度小于或等于所述隔挡槽外的所述封装层的厚度。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于：所述隔挡结构设置为隔挡檐，所述隔挡檐延伸至所述开孔内，所述隔挡檐设置为与刚性衬底之间形成凹槽结构，所述凹槽结构内的封装层厚度小于所述凹槽结构外的封装层的厚度，或者所述凹槽结构内的封装层不连续。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于：所述基底包括缓冲层和设置于所述缓冲层上的第一阻挡层，所述第一阻挡层延伸至所述开孔内并凸出所述缓冲层，形成屋檐结构，所述隔挡檐包括所述第一阻挡层凸出所述缓冲层的部分。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于：所述第一阻挡层凸出所述缓冲层的长度为0.2微米到2微米，所述缓冲层的厚度为0.2微米到2微米。
11.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于：所述显示基板还包括有机发光层和阴极层，所述孔区的有机发光层和阴极层部分设置于所述隔挡檐上。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-11任一项所述的显示基板。
13.一种显示基板的制备方法，其特征在于：包括：
在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个所述像素岛区的连接桥区，所述孔区的基底开设有开孔，所述基底靠近开孔的一侧还设置有隔挡结构；
形成封装层，所述封装层覆盖所述基底靠近所述开孔一侧。
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