CN112563308B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
显示基板及其制备方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112563308B CN112563308B CN202011231523.9A CN202011231523A CN112563308B CN 112563308 B CN112563308 B CN 112563308B CN 202011231523 A CN202011231523 A CN 202011231523A CN 112563308 B CN112563308 B CN 112563308B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- type semiconductor
- electrode
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 165
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 115
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 473
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 55
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 22
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Geometry (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开一种显示基板及其制备方法、显示装置，显示基板包括：基底，基底上设置有多个间隔的像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的开孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，像素岛区内设有薄膜晶体管层和发光器件层，其特征在于，像素岛区内还设有光敏器件层，光敏器件层包括沿着垂直于基底方向依次层叠设置的第一电极、PIN半导体层和第二电极，第一电极与薄膜晶体管层的源极或漏极相连接。本发明提供的显示基板内集成有用于指纹识别的光敏器件层，实现全曲屏技术与屏内指纹识别技术相融合，具有全屏感应、不占用额外空间、成本低等优点。
Description
技术领域
本发明一般涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
全面屏手机逐渐成为市场主流，而指纹识别成为手机这类移动终端必不可少的一部分。现有的指纹识别技术的实现方式主要有电容式、光学式和超声成像式，均需要单独集成指纹识别模组，而指纹识别模组需要设定在特定的位置，不能满足大面积或全屏指纹识别的需求；或者无法集成到显示屏内部，需占用额外的空间，不利于显示装置轻薄化的发展。以上技术需要单独设置指纹识别模组，无法集成到屏内。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。
第一方面，本发明的实施例提供一种显示基板，包括：基底，所述基底上设置有多个间隔的像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的开孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，所述像素岛区内设有薄膜晶体管层和发光器件层，其特征在于，所述像素岛区内还设有光敏器件层，所述光敏器件层包括沿着垂直于所述基底方向依次层叠设置的第一电极、PIN半导体层和第二电极，所述第一电极与所述薄膜晶体管层的源极或漏极相连接。
可选的，在所述像素岛区内且在所述基底的一侧设置有钝化层，所述薄膜晶体管层位于所述钝化层和所述基底之间，所述光敏器件层位于所述钝化层背向所述基底的一侧；
所述像素岛区内还设有金属连接层，所述金属连接层位于所述钝化层背向所述基底的一侧，所述金属连接层与所述薄膜晶体管层的源漏金属层相连接，所述第一电极与所述金属连接层材质相同且同步形成。
可选的，自靠近所述基底到远离所述基底的方向上，所述PIN半导体层包括依次层叠设置的N型半导体层、I型半导体层和P型半导体层；
所述钝化层背向所述基底的一侧依次层叠设有第一绝缘层、第一平坦层、第二绝缘层和第二平坦层；
所述第一绝缘层具有露出所述N型半导体层的第一开口，所述I 型半导体层通过所述第一开口与所述N型半导体层相连，所述第一电极位于所述第一绝缘层背向所述基底的一侧且与所述N型半导体层相连接；
所述第一平坦层露出所述I型半导体层、所述P型半导体层和所述第一电极，所述金属连接层位于所述第一平坦层背向所述基底的一侧；
所述第二绝缘层覆盖所述第一电极，并露出所述金属连接层和所述P型半导体层；
所述第二平坦层覆盖所述第一电极，所述第二平坦层具有露出所述金属连接层的第二开口和露出所述P型半导体层的第三开口，所述第二电极通过所述第三开口与所述P型半导体层相连接。
可选的，所述I型半导体层在所述基底上的正投影与所述N型半导体层在所述基底的正投影重叠，所述I型半导体层在所述基底上的正投影与所述P型半导体层在所述基底上的正投影重叠，且所述I型半导体层在所述基底上的正投影和所述P型半导体层在所述基底上的正投影均小于等于所述N型半导体层在所述基底的正投影。
可选的，所述发光器件层设置于所述第二平坦层背向所述基底的一侧，所述发光器件层的阳极通过所述第二开口与所述金属连接层相连接。
第二方面，本发明的实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：
提供基底，所述基底上设置有多个间隔的像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的开孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区；
在所述像素岛区内形成薄膜晶体管层；
在所述像素岛区内形成光敏器件层，所述光敏器件层包括沿垂直于所述基底方向依次层叠设置的第一电极、PIN半导体层和第二电极；
在所述像素岛区内形成发光器件层；其中，
所述光敏器件层的第一电极与所述薄膜晶体管层的漏极相连接。
可选的，所述在所述像素岛内形成光敏器件层，包括：
在所述薄膜晶体管层背向所述基底的一侧形成钝化层；
在所述钝化层背向所述基底的一侧形成N型半导体层；
在所述N型半导体层背向所述基底的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层具有露出所述N型半导体层的第一开口；
在所述N型半导体层背向所述基底的一侧依次层叠形成I型半导体层和P型半导体层，所述I型半导体层通过所述第一开口与所述N 型半导体层相连；
在所述第一绝缘层背向所述基底的一侧形成第一平坦层，所述第一平坦层对应于所述N型半导体层的部分形成缺口以露出所述N型半导体层正对的第一绝缘层；
在所述第一平坦层背向所述基底的一侧形成金属连接层，同时在所述第一绝缘层背向所述基底的一侧形成与所述N型半导体层相连的第一电极，所述第一电极设置于所述缺口内，所述金属连接层与所述薄膜晶体管层的源漏金属层相连；
在所述第一电极背向所述基底的一侧依次形成第二绝缘层和第二平坦层，所述第二绝缘层和第二平坦层具有露出所述金属连接层的第二开口和露出所述P型半导体层的第三开口；
在所述第二平坦层背向所述基底的一侧形成第二电极，所述第二电极通过所述第三开口与所述P型半导体层相连。
可选的，所述在所述像素岛区内形成薄膜晶体管层，包括：
在所述基底的一侧形成有源层；
在所述有源层背向所述基底的一侧形成第一栅绝缘层；
在所述第一栅绝缘层背向所述基底的一侧形成栅极；
在所述栅极背向所述基底的一侧依次形成第二栅绝缘层和层间绝缘层；
在所述层间绝缘层背向所述基底的一侧形成包括源极和漏极的源漏金属层，所述源极和所述漏极间隔设置且分别与所述有源层相连接。
可选的，所述在所述像素岛区内形成发光器件层包括：
在所述第二平坦层背向所述基底的一侧形成阳极，所述阳极通过所述第二开口与所述金属连接层相连；
在所述阳极背向所述基底的一侧形成像素定义层，所述像素定义层限定出像素开口区域；
在所述阳极背向所述基底的一侧形成有机发光层，所述有机发光层位于所述像素开口区域；
在所述像素定义层背向所述基底的一侧形成阴极。
第三方面，本发明的实施例提供一种显示装置，包括上述显示基板。
本发明上述技术方案的有益效果如下：
本发明实施例提供的显示基板内集成有用于指纹识别的光敏器件层，实现全曲屏技术与屏内指纹识别技术相融合，具有全屏感应、不占用额外空间、成本低等优点。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图；
图2至图13为本发明实施例提供的显示基板的制作流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
图1为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图。如图1所示，显示基板可以包括：基底，基底上设置有多个间隔的像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的开孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，多个像素岛区可以在基底上呈阵列分布，像素岛区内设有薄膜晶体管 (Thin Film Transistor，TFT)层和发光器件层，发光器件层可以包括阳极、有机发光层和阴极；在连接桥区上设置有连接线，连接线可以实现相邻像素岛区之间的信号连通，例如连接线可以连接相邻像素岛区的栅线，也可以连接相邻像素岛区的数据线。
像素岛区内还设有光敏器件层，光敏器件层包括沿着垂直于基底方向依次层叠设置的第一电极、PIN半导体层和第二电极，第一电极与薄膜晶体管层的漏极相连接。
本发明的实施例中，基底具有主显示区和连接主显示区边角的拉伸显示区，主显示区和拉伸显示区内均设有像素岛区、开孔区和连接桥区，拉伸显示区存在形变，其分辨率较主显示区低。
该实施例提供的显示基板的基底可以为柔性基底，例如可以采用聚酰亚胺薄膜，显示基板呈四边曲结构，例如手机显示屏具有主显示区以及与四个边角相连的拉伸显示区。显示基板发出的光经指纹反射后，先入射至光敏器件层的第二电极，再依次入射至PIN半导体层、第一电极上，在第一电极和第二电极所施加的电压的作用下，PIN半导体层将可见光信号转换为电信号，并通过第一电极将电信号传输至薄膜晶体管层的漏极，如此在全面屏内集成指纹识别技术，具有全屏感应、不占用额外空间、成本低等优点。当然，光敏器件层的第一电极可以与薄膜晶体管的漏极相连，也可以与薄膜晶体管层的源极相连接。
下述实施例中以光敏器件层设置在主显示区的像素岛区内为例，下面通过具体实施例详细说明本发明的技术方案。
请参考图1，显示基板可以包括：基底101，设置在基底101上的多个间隔的像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的开孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，基底101具有主显示区和连接主显示区边角的拉伸显示区；像素岛区内设置有TFT层和发光器件层。在一种可选的实施方式中，TFT层可以包括依次设置的有源层102、第一栅绝缘层103、第一栅极104、第二栅绝缘层105、层间绝缘层106和源漏金属层107，该结构适用于双层SD层的结构，本发明实施例即采用该种结构，其中源漏金属层107包含同层且间隔的源极和漏极，该显示基板具有贯通层间绝缘层106、第二栅绝缘层105和第一栅绝缘层103 的两个第一过孔，源极和漏极分别通过第一过孔与有源层102相连接；在另一种可选的实施方式中，TFT层可以包括依次层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层和源漏金属层，该结构适用于单层SD 层的结构。
像素岛区内还设有光敏器件层，光敏器件层包括沿着垂直于基底 101方向依次层叠设置的第一电极108、PIN半导体层109和第二电极 110，第一电极108与TFT层的漏极相连接，第二电极110的材质优选为氧化铟锡，TFT层的漏极与发光器件层的阳极相连接。如此显示基板发出的光经指纹反射后，先入射至光敏器件层的第二电极110，再依次入射至PIN半导体层109、第一电极108上，在第一电极108 和第二电极110所施加的电压的作用下，PIN半导体层将可见光信号转换为电信号，并通过第一电极108将电信号传输至薄膜晶体管层的漏极，在全面屏内实现指纹识别器件的集成。
本发明实施例中，在基底101和有源层102之间还可以设置有阻挡缓冲层129，阻挡缓冲层129覆盖像素岛区和连接桥区，有效提高阻隔水氧的能力。
本发明实施例中，在像素岛区内且在基底101的一侧设置有钝化层111，TFT层位于钝化层111和基底101之间，光敏器件层位于钝化层111背向基底101的一侧；像素岛区内还设有金属连接层112，金属连接层112位于钝化层背向基底101的一侧，金属连接层112与TFT层的源漏金属层107相连接，第一电极108与金属连接层112材质相同且同步形成。
源漏金属层107为第一层源漏极，金属连接层112为第二层源漏极，第一电极108和金属连接层112同材料、同步形成，减少一层金属层，可减少显示基板的厚度，使得显示基板符合轻薄化的发展趋势。
本发明实施例中，自靠近基底101到远离基底101的方向上，PIN 半导体层109包括依次层叠设置的N型半导体层1091、I型半导体层 1092和P型半导体层1093；
钝化层111背向基底101的一侧依次层叠设有第一绝缘层113、第一平坦层114、第二绝缘层115和第二平坦层116；
第一绝缘层113具有露出N型半导体层1091的第一开口117，I 型半导体层1092通过第一开口117与N型半导体层1091相连，第一电极108位于第一绝缘层113背向基底101的一侧且与N型半导体层 1091相连接；
第一平坦层114露出I型半导体层1092、P型半导体层1093和第一电极108，金属连接层112位于第一平坦层114背向基底101的一侧；
第二绝缘层115露出金属连接层112和P型半导体层1093，并覆盖第一电极108；
第二平坦层116覆盖第一电极108，第二平坦层116具有露出金属连接层112的第二开口118和露出P型半导体层1093的第三开口 119，第二电极110通过第三开口119与P型半导体层1093相连接。
该显示基板具有贯通第一绝缘层和第一平坦层的两个第二过孔 128，且第二过孔128凹入钝化层111内以露出源漏金属层106，金属连接层116通过第二过孔128与源漏金属层106电连接。
本发明实施例中，I型半导体层1092在基底101上的正投影与N 型半导体层1091在基底101的正投影重叠，I型半导体层1092在基底 101上的正投影与P型半导体层1093在基底101上的正投影重叠，且 I型半导体层1092在基底101上的正投影和P型半导体层1093在基底101上的正投影均小于等于N型半导体层1091在基底101的正投影。
本发明中光敏器件层采用堆叠式结构，N型半导体层1091采用低温多晶硅掺杂，P型半导体层采用非晶硅掺杂的方式制作，占用面积较小，便于制作较高像素密度(PixelsPer Inch，PPI)的显示器件。
本发明实施例中，发光器件层设置于第二平坦层116背向基底101 的一侧，发光器件层包括阳极120、有机发光层121和阴极122，阳极 120位于第二平坦层116上，阳极通过第二平坦层116上的第二开口与金属连接层112连接，从而实现阳极120与TFT层的漏极相连；在阳极120背向基底101的一侧设有像素定义层123、在像素定义层123 背向基底101的一侧设有支撑层124，像素定义层123限定出像素开口区域以露出阳极120，有机发光层121形成在像素开口区域上以与阳极120电连接，支撑层124为设置在像素定义层123上的多个支撑垫，有机发光层121在支撑层124处断开。
本发明实施例中，在像素岛区上靠近开孔区的区域开设有第一隔断槽125，也即在像素岛区的第二绝缘层115和第一平坦层114靠近开孔区的区域设有第一隔断槽125，第一隔断槽125的垂直于基底101 的截面形状为凸字形，从而使得像素岛区上靠近开孔区的第二绝缘层 115上形成的有机发光层121和阴极122在第一隔断槽125处被隔断，从而水汽无法从开孔区沿有机发光层121和阴极122入侵器件使其损坏。
其中，位于像素岛区的第一平坦层114和第二绝缘层115在靠近开孔区的一侧逐层内缩形成梯度，使得位于像素岛区的第二绝缘层115 靠近开孔区的一侧搭设于第一平坦层114上，实现对第一平坦层114 的包覆，达到阻挡水汽的目的；第一隔断槽125的内表面还设有阳极材料层126，阳极材料层126将第一隔断槽125的内表面完全包覆，可以有效阻挡水汽，延长封装距离，提高封装的可靠性。
本发明实施例中，在连接桥区的连接线上还依次设置有第一平坦层114和第二绝缘层115，在连接桥区上靠近像素岛区的区域开设有第二隔断槽127，也即在连接桥区的第一平坦层114和第二绝缘层115 靠近像素岛区的区域设有第二隔断槽127，第二隔断槽27的垂直于基底102的截面形状为凸字形，从而使得第二绝缘层115上形成的有机发光层121和和阴极122在第二隔断槽127处被隔断，从而实现对水汽的隔断；第二隔断槽127的内表面还设有阳极材料层126，阳极材料层126将第二隔断槽127的内表面完全包覆，可以有效阻挡水汽，延长封装距离，提高封装的可靠性。
请参考图2至图13，本发明实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：
提供基底，基底具有主显示区和位于主显示区四周的拉伸显示区，基底上设置有多个间隔的像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的开孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区；
在像素岛区内形成薄膜晶体管层；
在像素岛区内形成光敏器件层，光敏器件层包括沿垂直于基底方向依次层叠设置的第一电极、PIN半导体层和第二电极；
在像素岛区内形成发光器件层；其中，在主显示区内，光敏器件层的第一电极与薄膜晶体管层的漏极相连接。
本发明实施例中，请参照图2，在像素岛区内形成薄膜晶体管层，包括：
在基底101的一侧形成有源层102；
在有源层102背向基底的一侧形成第一栅绝缘层103；
在第一栅绝缘层103背向基底101的一侧形成第一栅极104；
在第一栅极104背向基底的一侧依次形成第二栅绝缘层105和层间绝缘层106；
在层间绝缘层106背向基底的一侧形成包括源极和漏极的源漏金属107层，源极和漏极间隔设置且分别与有源层102相连接。
本发明实施例中，在基底101和有源层102之间还可以设有阻挡缓冲层129，用于提升阻隔水氧的效果。
在本发明实施例中，请参照图3至图12，在像素岛内形成光敏器件层，包括：
在薄膜晶体管层背向基底的一侧形成钝化层111；
在钝化层111背向基底的一侧形成N型半导体层1091；
在N型半导体层1091背向基底的一侧形成第一绝缘层113，第一绝缘层113具有露出N型半导体层1091的第一开口117；
在N型半导体层1091背向基底的一侧依次层叠形成I型半导体层 1092和P型半导体层1093，I型半导体层通过第一开口117与N型半导体层1091相连；
在第一绝缘层113背向基底的一侧形成第一平坦层114，第一平坦层114对应于N型半导体层1091的部分形成缺口以露出N型半导体层1091正对的第一绝缘层；
在第一平坦层114背向基底的一侧形成金属连接层112，同时在第一绝缘层113背向基底的一侧形成与N型半导体层1091相连的第一电极108，第一电极108设置于缺口内，金属连接层112与薄膜晶体管层的源漏金属层107相连；
在第一电极108背向基底的一侧依次形成第二绝缘层115和第二平坦层116，第二绝缘层115和第二平坦层116具有露出金属连接层 112的第二开口118和露出P型半导体层1093的第三开口119；
在第二平坦层116背向基底的一侧形成第二电极110，第二电极 110通过第三开口119与P型半导体层相连。
本发明实施例中，请参照图13，在像素岛区内形成发光器件层包括：
在第二平坦层116背向基底的一侧形成阳极120，阳极120通过第二开口118与金属连接层112相连；
在阳极120背向基底的一侧形成像素定义层123，像素定义层123 限定出像素开口区域；
在阳极120背向基底的一侧形成有机发光层121，有机发光层121 位于像素开口区域；
在像素定义层123背向基底的一侧形成阴极122。
其中，在像素定义层123背向基底101的一侧形成支撑层124，支撑层124为设置在像素定义层123上的多个支撑垫，有机发光层121 在支撑层124处断开。
若在拉伸显示区内也设置光敏器件层，即显示基板的拉伸显示区的像素岛区的结构同主显示区的像素岛区的结构。
本发明实施例中，在显示基板内集成光敏器件层的过程中，同时在像素岛区上靠近开孔的区域开设第一隔断槽，在连接桥区上开设第二隔断槽，第一隔断槽用于隔断像素岛区的有机发光层和阴极，第二隔断槽用于隔断像素岛区的有机发光层和阴极。
具体来说，在在形成光敏器件层的过程中，形成覆盖像素岛区和连接桥区的第一平坦层114和第二绝缘层115之后，对第二绝缘层115 图像化处理得到开孔，在开孔处对第一平坦层114进行刻蚀，在像素岛区形成靠近开孔区的第一隔断槽125，以及在开孔区形成第二隔断槽127；
该实施例中，像素岛区的第一平坦层114和第二绝缘层115在靠近开孔区的一侧逐层内缩形成梯度，使得位于像素岛区的第二绝缘层 115靠近开孔区的一侧搭设于第一平坦层114上，实现对第一平坦层 114的包覆，达到阻挡水汽的目的；
另外，在形成发光器件层的过程中，形成阳极120的同时在第一隔断槽125的内表面和第二隔断槽127的内表面形成阳极材料层126，在形成阳极之后继续形成有机发光层121和阴极122，有机发光层121 和阴极122在第一隔断槽125、第二隔断槽127以及开孔区被隔断，从而阻断水汽入侵路径，避免器件被水汽损坏。
本发明实施例中形成各层结构的工艺可以包括构图工艺和光刻工艺等，其中，构图工艺可以包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，而光刻工艺可以包括涂覆膜层、掩模曝光、显影等处理，采用的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。
本发明的实施例还提供一种显示装置，显示装置包括上述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
该实施例提供的显示装置的显示屏内集成有可以用于指纹识别的光敏器件层，实现全面屏技术与指纹识别技术的融合，从而实现全屏指纹识别、无需占用额外空间设置指纹传感器，且有效降低成本。
以上描述仅为本发明的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本发明中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本发明中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (9)
1.一种显示基板，包括：基底，所述基底上设置有多个间隔的像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的开孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，所述像素岛区内设有薄膜晶体管层和发光器件层，其特征在于，所述像素岛区内还设有光敏器件层，所述光敏器件层包括沿着垂直于所述基底方向依次层叠设置的第一电极、PIN半导体层和第二电极，所述第一电极与所述薄膜晶体管层的源极或漏极相连接；
在所述像素岛区内且在所述基底的一侧设置有钝化层，所述薄膜晶体管层位于所述钝化层和所述基底之间，所述光敏器件层位于所述钝化层背向所述基底的一侧；
所述像素岛区内还设有金属连接层，所述金属连接层位于所述钝化层背向所述基底的一侧，所述金属连接层与所述薄膜晶体管层的源漏金属层相连接，所述第一电极与所述金属连接层材质相同且同步形成。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，自靠近所述基底到远离所述基底的方向上，所述PIN半导体层包括依次层叠设置的N型半导体层、I型半导体层和P型半导体层；
所述钝化层背向所述基底的一侧依次层叠设有第一绝缘层、第一平坦层、第二绝缘层和第二平坦层；
所述第一绝缘层具有露出所述N型半导体层的第一开口，所述I型半导体层通过所述第一开口与所述N型半导体层相连，所述第一电极位于所述第一绝缘层背向所述基底的一侧且与所述N型半导体层相连接；
所述第一平坦层露出所述I型半导体层、所述P型半导体层和所述第一电极，所述金属连接层位于所述第一平坦层背向所述基底的一侧；
所述第二绝缘层覆盖所述第一电极，并露出所述金属连接层和所述P型半导体层；
所述第二平坦层覆盖所述第一电极，所述第二平坦层具有露出所述金属连接层的第二开口和露出所述P型半导体层的第三开口，所述第二电极通过所述第三开口与所述P型半导体层相连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述I型半导体层在所述基底上的正投影与所述N型半导体层在所述基底的正投影重叠，所述I型半导体层在所述基底上的正投影与所述P型半导体层在所述基底上的正投影重叠，且所述I型半导体层在所述基底上的正投影和所述P型半导体层在所述基底上的正投影均小于等于所述N型半导体层在所述基底的正投影。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述发光器件层设置于所述第二平坦层背向所述基底的一侧，所述发光器件层的阳极通过所述第二开口与所述金属连接层相连接。
5.一种权利要求1-4任一所述显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上设置有多个间隔的像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的开孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区；
在所述像素岛区内形成薄膜晶体管层；
在所述像素岛区内形成光敏器件层，所述光敏器件层包括沿垂直于所述基底方向依次层叠设置的第一电极、PIN半导体层和第二电极；
在所述像素岛区内形成发光器件层；其中，
所述光敏器件层的第一电极与所述薄膜晶体管层的源极或漏极相连接。
6.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述像素岛内形成光敏器件层，包括：
在所述薄膜晶体管层背向所述基底的一侧形成钝化层；
在所述钝化层背向所述基底的一侧形成N型半导体层；
在所述N型半导体层背向所述基底的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层具有露出所述N型半导体层的第一开口；
在所述N型半导体层背向所述基底的一侧依次层叠形成I型半导体层和P型半导体层，所述I型半导体层通过所述第一开口与所述N型半导体层相连；
在所述第一绝缘层背向所述基底的一侧形成第一平坦层，所述第一平坦层对应于所述N型半导体层的部分形成缺口以露出所述N型半导体层正对的第一绝缘层；
在所述第一平坦层背向所述基底的一侧形成金属连接层，同时在所述第一绝缘层背向所述基底的一侧形成与所述N型半导体层相连的第一电极，所述第一电极设置于所述缺口内，所述金属连接层与所述薄膜晶体管层的源漏金属层相连；
在所述第一电极背向所述基底的一侧依次形成第二绝缘层和第二平坦层，所述第二绝缘层和第二平坦层具有露出所述金属连接层的第二开口和露出所述P型半导体层的第三开口；
在所述第二平坦层背向所述基底的一侧形成第二电极，所述第二电极通过所述第三开口与所述P型半导体层相连。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述像素岛区内形成薄膜晶体管层，包括：
在所述基底的一侧形成有源层；
在所述有源层背向所述基底的一侧形成第一栅绝缘层；
在所述第一栅绝缘层背向所述基底的一侧形成栅极；
在所述栅极背向所述基底的一侧依次形成第二栅绝缘层和层间绝缘层；
在所述层间绝缘层背向所述基底的一侧形成包括源极和漏极的源漏金属层，所述源极和所述漏极间隔设置且分别与所述有源层相连接。
8.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述像素岛区内形成发光器件层包括：
在所述第二平坦层背向所述基底的一侧形成阳极，所述阳极通过所述第二开口与所述金属连接层相连；
在所述阳极背向所述基底的一侧形成像素定义层，所述像素定义层限定出像素开口区域；
在所述阳极背向所述基底的一侧形成有机发光层，所述有机发光层位于所述像素开口区域；
在所述像素定义层背向所述基底的一侧形成阴极。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的显示基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011231523.9A CN112563308B (zh) | 2020-11-06 | 2020-11-06 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011231523.9A CN112563308B (zh) | 2020-11-06 | 2020-11-06 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112563308A CN112563308A (zh) | 2021-03-26 |
| CN112563308B true CN112563308B (zh) | 2024-03-01 |
Family
ID=75041545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011231523.9A Active CN112563308B (zh) | 2020-11-06 | 2020-11-06 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112563308B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113270467B (zh) * | 2021-05-27 | 2023-10-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| CN113780179B (zh) * | 2021-09-13 | 2023-08-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示模组及显示终端 |
| CN115241239A (zh) * | 2022-06-21 | 2022-10-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| WO2024103316A1 (zh) * | 2022-11-16 | 2024-05-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及终端设备 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104716091A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板的制备方法、阵列基板和有机发光显示器件 |
| CN109935730A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110767090A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN111312921A (zh) * | 2020-02-20 | 2020-06-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板以及其制造方法、显示装置 |
| CN111564482A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-08-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及制备方法、显示装置 |
| CN111627969A (zh) * | 2020-06-04 | 2020-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、制作方法、显示面板和显示装置 |
| CN111653595A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板 |
-
2020
- 2020-11-06 CN CN202011231523.9A patent/CN112563308B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104716091A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板的制备方法、阵列基板和有机发光显示器件 |
| CN109935730A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110767090A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN111312921A (zh) * | 2020-02-20 | 2020-06-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板以及其制造方法、显示装置 |
| CN111564482A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-08-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及制备方法、显示装置 |
| CN111627969A (zh) * | 2020-06-04 | 2020-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、制作方法、显示面板和显示装置 |
| CN111653595A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112563308A (zh) | 2021-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112563308B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| US11502138B2 (en) | Electronic substrate, manufacturing method thereof, and display panel | |
| US11342390B2 (en) | Display panel, display device and a method for manufacturing a display panel | |
| US10580839B2 (en) | Self-luminous display pixel | |
| US10962850B1 (en) | Array substrate, display panel, and display device | |
| CN110808272B (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| US10726237B2 (en) | Fingerprint identification sensor, method for manufacturing the same and fingerprint identification apparatus | |
| US20090278121A1 (en) | System for displaying images and fabrication method thereof | |
| US11508765B2 (en) | Active pixel sensing circuit structure and active pixel sensor, display panel and display device | |
| US11385732B2 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof, touch display panel and touch display device | |
| US11133488B2 (en) | Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate having enclosure ring in buffer area | |
| US11775018B2 (en) | Device integrating an image sensor and a display screen | |
| CN112183398A (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| US20230012412A1 (en) | Display substrate and method of manufacturing the same, and display device | |
| CN112054017B (zh) | 一种显示面板、制备方法及显示装置 | |
| CN113711362B (zh) | 包括薄膜晶体管和有机光电二极管的图像传感器阵列器件 | |
| CN112420617A (zh) | 显示面板的制备方法及显示面板 | |
| CN115835691A (zh) | 基板、显示面板和包括该显示面板的显示装置 | |
| CN115064574A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN115152029A (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN112420618A (zh) | 显示面板及显示面板的制备方法 | |
| CN213845278U (zh) | 一种屏内指纹显示屏 | |
| US20230011597A1 (en) | Display panel and display device | |
| CN114824128B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| WO2022155857A1 (zh) | 显示面板和显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |