CN111627969A - 显示基板、制作方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

显示基板、制作方法、显示面板和显示装置 Download PDF

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CN111627969A CN202010501643.XA CN202010501643A CN111627969A CN 111627969 A CN111627969 A CN 111627969A CN 202010501643 A CN202010501643 A CN 202010501643A CN 111627969 A CN111627969 A CN 111627969A
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Abstract

本发明提供一种显示基板、制作方法、显示面板和显示装置。显示基板括衬底基板、设置于所述衬底基板上的像素单元和感光单元;所述显示基板还包括封装薄膜和挡光层;所述显示基板包括指纹像素区,所述指纹像素区包括点灯区和围绕所述点灯区设置的成像区;所述感光单元包括感光元件;所述挡光层包括多个相互独立的挡光部;所述挡光部设置于所述成像区,所述感光元件设置于所述成像区和所述点灯区;所述感光元件对应于像素间隔区域设置;挡光部在衬底基板上的正投影在相邻的发光元件之间的区域在衬底基板上的正投影内。本发明能有效避免环境光对指纹识别成像的影响。

Description

显示基板、制作方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板、制作方法、显示面板和显示装置。
背景技术
现有的指纹识别器件可以由1个光敏二极管和一个光电检测开关晶体管组成。在进行指纹扫描时,由于指纹谷脊间的差异,光源照射到手指上的会产生不同的反射,从而使得到达光敏二极管器件处的光强出现变化,产生不同的光电流差异,在光电检测开关晶体管的控制下,依次读取出各个光敏二极管的电流差异,即可实现对指纹谷脊的检测。在现有技术中,不能在OLED(有机发光二极管)像素电路结构中增加指纹识别结构,不能形成指纹显示一体化结构,并且不能有效避免环境光对指纹识别成像的影响。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种显示基板、制作方法、显示面板和显示装置,解决现有技术中不能在OLED(有机发光二极管)像素电路结构中增加指纹识别结构,不能形成指纹显示一体化结构,并且不能有效避免环境光对指纹识别成像的影响的问题。
为了达到上述目的,本发明提供了一种显示基板,包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的像素单元和感光单元;所述显示基板还包括依次设置于所述像素单元和所述感光单元远离所述衬底基板的一面的封装薄膜和挡光层;所述像素单元包括发光元件,所述发光元件设置于像素区域;
所述显示基板包括指纹像素区,所述指纹像素区包括点灯区和围绕所述点灯区设置的成像区;
所述感光单元包括感光元件,所述感光元件用于对接收到的光线进行光电转换;所述挡光层包括多个相互独立的挡光部,所述挡光部用于遮挡光线;
所述挡光部设置于所述成像区,所述感光元件设置于所述成像区和所述点灯区;所述感光元件对应于像素间隔区域设置,所述像素间隔区域为相邻的像素区域之间的区域;
所述挡光部在所述衬底基板上的正投影在相邻的发光元件之间的区域在所述衬底基板上的正投影内。
可选的,本发明实施例所述的显示基板还包括滤光膜层;所述滤光膜层设置于所述感光元件和所述封装薄膜之间,所述滤光膜层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述感光元件在所述衬底基板上的正投影。
可选的,所述滤光膜层用于滤除波长在600nm以上的光线。
可选的,所述感光元件包括依次层叠设置于所述衬底基板上的第一电极、N型半导体层、本征层、P型半导体层和第二电极层;
所述第一电极用作所述感光元件的阴极,所述第二电极层用作所述感光元件的阳极。
可选的,所述感光单元还包括光电检测开关晶体管,所述光电检测开关晶体管与所述第一电极电连接,所述第二电极层与电压端子电连接。
可选的,所述像素单元还包括像素驱动电路;所述像素驱动电路设置于所述衬底基板上,所述发光元件包括依次设置于所述像素驱动电路远离所述衬底基板的一面的第三电极、发光层和第四电极层;
所述第三电极与所述电压端子同层设置。
可选的,所述点灯区为圆形区域,所述点灯区的直径大于或等于0.5mm而小于或等于3.5mm。
可选的,所述成像区为圆环状区域;所述成像区的内径大于或等于0.5mm而小于或等于3.5mm,所述成像区的外径大于或等于8mm而小于或等于18mm。
本发明还提供了一种显示基板的制作方法,用于制作显示基板;所述显示基板包括指纹像素区,所述指纹像素区包括点灯区和围绕所述点灯区设置的成像区;所述显示基板的制作方法包括:
在衬底基板上形成像素单元和感光单元;所述像素单元包括的发光元件设置于像素区域;所述感光单元包括感光元件,所述感光元件用于对接收到的光线进行光电转换;所述感光元件设置于所述成像区和所述点灯区;所述感光元件对应于像素间隔区域设置,所述像素间隔区域为相邻的像素区域之间的区域;
在所述像素单元和感光单元远离所述衬底基板的一面依次形成封装薄膜和挡光层;所述挡光层包括多个相互独立的挡光部,所述挡光部用于遮挡光线;所述挡光部在所述衬底基板上的正投影在相邻的发光元件之间的区域在所述衬底基板上的正投影内。
可选的,本发明所述的显示基板的制作方法还包括:
在所述感光元件与所述封装薄膜之间形成滤光膜层,所述滤光膜层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述感光元件在所述衬底基板上的正投影;
所述滤光膜层能够滤除波长在600nm以上的光线。
本发明还提供了一种显示面板,包括上述的显示基板。
本发明还提供了一种显示装置,包括上述的显示面板。
本发明实施例所述的显示基板、制作方法、显示面板和显示装置基于点光源成像原理,实现显示与指纹识别一体化结构,将指纹识别结构集成到显示基板内部,使得指纹识别显示模组结构简单,成本更低,并能够有效避免环境光对指纹识别成像的影响。
附图说明
图1A是本发明实施例所述的显示基板的结构示意图;
图1B是图1A所示的显示基板上增加盖板的示意图;
图2是相关的显示基板的示意图;
图3是非成像区域和指纹成像区域的示意图;
图4是两个点光源互补成像的示意图;
图5是相关的指纹识别部的电路图;
图6是本发明所述的显示基板的一具体实施例的结构示意图;
图7是显示基板上的指纹成像区域的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为三极管、薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中,为区分晶体管除控制极之外的两极,将其中一极称为第一极,另一极称为第二极。
在实际操作时,当所述晶体管为三极管时,所述控制极可以为基极,所述第一极可以为集电极,所述第二极可以发射极;或者,所述控制极可以为基极,所述第一极可以为发射极,所述第二极可以集电极。
在实际操作时,当所述晶体管为薄膜晶体管或场效应管时,所述控制极可以为栅极,所述第一极可以为漏极,所述第二极可以为源极;或者,所述控制极可以为栅极,所述第一极可以为源极,所述第二极可以为漏极。
本发明实施例所述的显示基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的像素单元和感光单元;所述显示基板还包括依次设置于所述像素单元和所述感光单元远离所述衬底基板的一面的封装薄膜和挡光层;所述像素单元包括发光元件,所述发光元件设置于像素区域;
所述显示基板包括指纹像素区,所述指纹像素区包括点灯区和围绕所述点灯区设置的成像区;
所述感光单元包括感光元件,所述感光元件用于对接收到的光线进行光电转换;所述挡光层包括多个相互独立的挡光部,所述挡光部用于遮挡光线;
所述挡光部设置于所述成像区,所述感光元件设置于所述成像区和所述点灯区;所述感光元件对应于像素间隔区域设置,所述像素间隔区域为相邻的像素区域之间的区域;
所述挡光部在所述衬底基板上的正投影在相邻的发光元件之间的区域在所述衬底基板上的正投影内。
本发明实施例所述的显示基板基于点光源成像原理,实现显示与指纹识别一体化结构,将指纹识别结构集成到显示基板内部,使得指纹识别显示模组结构简单,成本更低。
本发明实施例在封装薄膜远离感光单元的一面设置挡光层,所述挡光层设置于成像区,在所述点灯区不设置有所述挡光层,以不影响点灯区中的像素单元(也即点光源)发光;并本发明实施例在衬底基板和封装薄膜之间设置感光元件,以通过光电感应而进行指纹识别,并所述感光元件设置于成像区和点灯区,所述感光元件对应于所述像素间隔区域设置,所述挡光部在所述衬底基板上的正投影在相邻的发光元件之间的区域在所述衬底基板上的正投影内。
在本发明实施例中,所述感光元件可以为光敏二极管,但不以此为限。
本发明实施例在成像区制作感光元件,以接收点灯区中的点光源发出的光被手指反射光,并进行光电转换,以实现指纹识别,并通过设置挡光层以有效遮挡环境光。
在本发明实施例中,垂直角度可以为与所述衬底基板的表面垂直的角度,但不以此为限。
本发明实施例将指纹像素区区分为两个区域,一个是成像区,一个是点灯区,其中,在点灯区,垂直方向上的封装薄膜不做任何变更,以保证70度以上的光线(所述70度以上的光线指的是该光线与垂直方向之间的角度大于70度)能够发出到达COVER LENS(盖板)表面,根据点光源成像的全反射原理形成指纹成像所需的大角度激励光线(该大角度激励光线与垂直方向之间的角度大于或等于42度而小于或等于70度)。在所述成像区正对的封装薄膜上设置挡光层,所述挡光层由挡光材料制成,所述挡光层可以遮挡所有光线;例如,所述挡光材料可以为挡光黑矩阵材料。在所述成像区,挡光部与光敏二极管形成正对设计。所述挡光部的尺寸需要保证到达光敏二极管的光线与垂直方向的角度大于或等于42度而小于或等于70度,42度以内的光不会到达光敏二极管,这样可以保证环境光不会到达光敏二极管,原因在于环境光中42度以内的入射光全部被挡光层遮挡了,而42度以上的环境光会在盖板表面形成全反射,反射到空气中,从而将42度以上的光进行遮挡。然而,在实际制作时,由于光敏二极管尺寸的原因以及信号量的原因,在光敏二极管的尺寸较大时,无法满足光敏二极管接收的光的角度大于而小于42度而小于或等于70度,光敏二极管可能会接收到42度以内的光。基于此,在优选情况下,本发明实施例所述的显示基板还包括滤光膜层,以与挡光层一起降低环境光对指纹识别的影响。
在本发明实施例中,42度以内的环境光指的是:该环境光与垂直方向之间的角度小于42度;42度以上的环境光指的是:该境光与垂直方向之间的角度大于或等于42度。
在本发明实施例中,所述封装薄膜的厚度可以大于或等于10um而小于或等于20um,所述挡光层可以包括多个相互独立的挡光部(所述挡光部可以为圆形或正方形,但不以此为限),所述挡光部对应于感光元件设置,所述挡光部的宽度可以大于或等于6um而小于或等于12um,在保证信号光基本不变的情况下,可以遮挡10%左右的环境光。
优选的,本发明实施例所述的显示基板还包括滤光膜层;
所述滤光膜层设置于所述感光元件与所述封装薄膜之间,所述滤光膜层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述感光元件在所述衬底基板上的正投影。
在具体实施时,所述滤光膜层用于滤除波长在600nm以上的光线。
在本发明实施例中,所述滤光膜层可以由color resin(彩色树脂)制成,但不以此为限。
在具体实施时,能够透光手指的环境光的波长在600um以上,因此将所述滤光膜层的透光光谱设置小于600nm。
在本发明实施例中,所述感光元件可以包括依次层叠设置于所述衬底基板上的第一电极、N型半导体层、本征层、P型半导体层和第二电极层;
所述第一电极用作所述感光元件的阴极,所述第二电极层用作所述感光元件的阳极。
当所述感光元件包括依次层叠设置于所述衬底基板上的第一电极、N型半导体层、本征层、P型半导体层和第二电极层时,所述感光元件可以为光敏二极管,但不以此为限。
可选的,所述感光单元还可以包括光电检测开关晶体管,所述光电检测开关晶体管与所述第一电极电连接,所述第二电极层与电压端子电连接。
在具体实施时,所述像素单元可以包括像素驱动电路和发光元件;所述像素驱动电路设置于所述衬底基板上,所述发光元件可以包括依次设置于所述像素驱动电路远离所述衬底基板的一面的第三电极、发光层和第四电极层;
所述第三电极与所述电压端子可以同层设置,但不以此为限。在本发明实施例中,所述像素驱动电路用于驱动所述发光元件发光,所述像素驱动电路可以包括多个晶体管。
如图1A所示,标号为A1的为点灯区,标号为A21的为第一成像区,标号为A22的为第二成像区;
本发明实施例所述的显示基板包括衬底基板10、设置于所述衬底基板10上的TFT(薄膜晶体管)阵列层11、设置于所述TFT阵列层11远离所述衬底基板10的一面的感光元件,设置于所述感光元件远离所述TFT阵列层11一面的绝缘层I1、第三电极层12、依次设置于所述第三电极层12远离所述感光元件一面的像素界定层13、发光层14、第四电极层15、封装薄膜16以及挡光层;所述挡光层包括多个相互独立的挡光部;
所述像素界定层13用于限定出像素区域和像素间隔区域,所述发光层14设置于所述像素区域;
在图1A中,标号为171的为挡光层包括的第一挡光部,标号为172的为挡光层包括的第二挡光部,标号为173的为挡光层包括的第三挡光部,标号为174的为挡光层包括的第四挡光部,标号为175的为挡光层包括的第五挡光部;
所述第一挡光部171和所述第二挡光部172设置于所述第一成像区A21,
所述第三挡光部173、所述第四挡光部174和所述第五挡光部175设置于第二成像区A22;
在图1A中,标号为P1的为第一感光元件,标号为P2的为第二感光元件,标号为P3的为第三感光元件,标号为P4的为第四感光元件,标号为P5的为第五感光元件,标号为P6的为第六感光元件,标号为P7的为第七感光元件,标号为P8的为第八感光元件;
P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7和P8对应于所述像素间隔区域设置;
P1和P2设置于第一成像区A21、P3、P4和P5设置于点灯区A1,P6、P7和P8设置于第二成像区A22。
在本发明实施例中,所述第四电极层可以为阴极层,用作发光元件的阴极。
在图1A所示的实施例中,所述第三电极层12可以包括相互独立的第三电极,所述第三电极用作发光元件的阳极,所述第三电极、所述发光层14和所述第四电极层15组成发光元件,所述像素单元可以包括所述发光元件和像素驱动电路,所述发光元件可以设置于像素区域,所述第一挡光部171在所述衬底基板10上的正投影、所述第二挡光部172在所述衬底基板10上的正投影、所述第三挡光部173在所述衬底基板10上的正投影、所述第二挡光部174在所述衬底基板10上的正投影和所述第五挡光部175在所述衬底基板10上的正投影可以设置于相邻的发光元件之间的区域在所述衬底基板上的正投影内,以使得各挡光部不会影响显示。
在图1A所示的实施例中,所述点灯区A1可以为圆形区域,所述点灯区的直径可以为5mm,但不以此为限。
在图1B中,标号为20的为盖板。
如图2所示,在相关技术中,标号为31的指纹识别部(所述指纹识别部可以包括多个感光元件),标号为32的为OLED背板,标号为33的为OLED模组,标号为F1的为指纹,标号为34的为点光源(所述点光源可以为OLED),则在图3中,标号为A31的为非成像区域,标号为A32的为指纹成像区域,在所述非成像区域A31,指纹识别部31不能接收到点光源发出的光被指纹F1反射的光线,在所述指纹成像区域A32,指纹识别部32能够接收到点光源发出的光被指纹F1反射的光线。由图4可以看到,如果想到得到完整的指纹图像,在点灯区需要采用至少两个点光源来实现互补成像,实现图像的互补进而实现指纹成像。
下面以感光元件为光敏二极管为例说明本发明实施例所述的显示基板。
如图5所示,所述指纹识别部可以包括多行多列感光单元,每个感光单元包括一个光敏二极管和一个光电检测开关晶体管,在指纹扫描时,由于指纹谷脊间的差异,光源照射到手指会产生不同的反射,从而到达光敏二极管处的光强出现变化,产生不同的光电流差异,在所述光电检测开关晶体管的控制下,依次读出各个光敏二极管检测出的光电流差异,即可实现对指纹谷脊的检测。
在图5中,标号为G1的为第一开关控制线,标号为G2的为第二开关控制线,标号为G3的为第三开关控制线,标号为G4的为第四开关控制线,标号为S1的为第一读取线,标号为S2的为第二读取线,标号为S3的为第三读取线,标号为D11的为第一行第一列光敏二极管,标号为T11的为第一行第一列光电检测开关晶体管,标号为D12的为第一行第二列光敏二极管,标号为T12的为第一行第二列光电检测开关晶体管,标号为D13的为第一行第三列光敏二极管,标号为T13的为第一行第三列光电检测开关晶体管;
标号为D21的为第二行第一列光敏二极管,标号为T21的为第二行第一列光电检测开关晶体管,标号为D22的为第二行第二列光敏二极管,标号为T22的为第二行第二列光电检测开关晶体管,标号为D23的为第二行第三列光敏二极管,标号为T23的为第二行第三列光电检测开关晶体管;
标号为D31的为第三行第一列光敏二极管,标号为T31的为第三行第一列光电检测开关晶体管,标号为D32的为第三行第二列光敏二极管,标号为T32的为第三行第二列光电检测开关晶体管,标号为D33的为第三行第三列光敏二极管,标号为T33的为第三行第三列光电检测开关晶体管;
标号为D41的为第四行第一列光敏二极管,标号为T41的为第四行第一列光电检测开关晶体管,标号为D42的为第四行第二列光敏二极管,标号为T42的为第四行第二列光电检测开关晶体管,标号为D43的为第四行第三列光敏二极管,标号为T43的为第四行第三列光电检测开关晶体管;
在图5中,标号为G0的为地端。
在图5所示的实施例中,光敏二极管的阳极与地端G0电连接,光敏二极管的阴极与相应的光电检测开关晶体管的漏极电连接,所述光电检测开关晶体管的源极与相应的读取线电连接,所述光电检测开关晶体管的栅极与相应的控制线电连接。
在图5中,各光电检测开关晶体管可以为薄膜晶体管,但不以此为限。
在具体实施时,所述光敏二极管的阳极也可以与其他的电压端子连接,该电压端子提供的电压需要使得光敏二极管处于反向偏置的状态,以能够进行光电转换。
在本发明实施例中,本发明实施例可以包括设置于所述衬底基板上的TFT(薄膜晶体管)阵列层,所述光敏二极管可以包括依次层叠设置于TFT阵列层远离所述衬底基板的一面的第一电极、N型半导体层、本征层、P型半导体层和第二电极层;
所述第二电极层与电压端子电连接,所述第一电极与所述光电检测开关晶体管电连接;
所述第一电极用作所述光敏二极管的阴极,所述第二电极层用作所述光敏二极管的阳极。
在具体实施时,所述光敏二极管可以包括层叠设置的第一电极、N型半导体层、本征层、P型半导体层和第二电极层,所述第一电极用作光敏二极管的阴极,所述第二电极层用作光敏二极管的阳极。
可选的,所述TFT阵列层包括依次设置于所述衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间介质层和第一源漏金属层;
所述显示基板还包括依次设置于所述第一源漏金属层远离所述层间介质层一面的第一绝缘层和第二源漏金属层,所述第二源漏金属层包括所述第一电极。
在本发明实施例中,所述第一绝缘层可以包括依次设置于所述第一源漏金属层远离所述层间介质层一面的第一钝化层、有机平坦层和第二钝化层,但不以此为限。
在具体实施时,所述第一电极可以包含于所述第二源漏金属层。
在具体实施时,所述第三电极、所述发光层与所述第四电极层组成发光元件;
在所述点灯区设置有至少两个所述阳极。
在具体实施时,所述发光元件可以为OLED(有机发光二极管),但不以此为限。
在优选情况下,在所述点灯区设置有至少两个发光元件,以能够得到完整的指纹图像。
在本发明实施例中,所述点灯区可以为圆形区域,所述点灯区的直径可以大于或等于0.5mm而小于或等于3.5mm。
可选的,所述成像区可以为圆环状区域;所述成像区的内径大于或等于0.5mm而小于或等于3.5mm,所述成像区的外径大于或等于8mm而小于或等于18mm。
在具体实施时,所述发光单元可以包括发光元件和像素驱动电路,所述TFT阵列层还可以包括像素驱动电路中的晶体管,也即,可以同时形成光电检测开关晶体管和像素驱动电路中的晶体管,但不以此为限。在实际操作时,也可以分别形成光电检测开关晶体管和像素驱动电路中的晶体管。
如图6所示,本发明所述的显示基板的一具体实施例可以包括衬底基板10、依次设置于所述衬底基板10上的缓冲层B1、TFT阵列层、第一钝化层61、有机平坦层62、第二钝化层63、第二源漏金属层64、光敏二极管、第二绝缘层65、平坦层66、第三电极层、滤光膜层67、像素界定层13、发光层14、第四电极层611、封装薄膜16和挡光层;
所述挡光层包括挡光部M1;所述像素界定层13用于限定出像素区域和像素间隔区域;
所述光敏二极管对应于所述像素间隔区域设置;所述挡光部M1在所述衬底基板10上的正投影与第三电极120在所述衬底基板10上的正投影不重叠;所述滤光膜层67设置于所述第三电极层与所述像素界定层13之间,所述滤光膜层67在所述衬底基板10上的正投影覆盖所述光敏二极管在所述衬底基板10上的正投影;
所述TFT阵列层包括依次设置于所述缓冲层B1上的有源层81、第一栅绝缘层82、第一栅金属层83、第二栅绝缘层84、第二栅金属层85、层间介质层86和第一源漏金属层87;
所述TFT阵列层包括光电检测开关晶体管和像素驱动电路中的晶体管;
所述光敏二极管包括包括依次层叠设置于所述TFT阵列层远离所述衬底基板10的一面的第一电极70、N型半导体层71、本征层72、P型半导体层73和第二电极层74;
所述第一电极70包含于第二源漏金属层64,所述第三电极层包括电压端子P0;所述第三电极层还包括第三电极120,所述第三电极120用作OLED的阳极;所述第三电极120设置于像素区域;
所述电压端子P0与所述第二电极层74电连接,所述第一电极70与所述光电检测开关晶体管的漏极电连接;
所述第一电极70用作所述光敏二极管的阴极,所述第二电极层74用作所述光敏二极管的阳极;
所述第一电极70通过贯穿所述第一钝化层61、所述有机平坦层62和所述第二钝化层63的过孔与光电检测开关晶体管的漏极电连接。
在图6所示的具体实施例中,所述电压端子可以与直流电压线电连接,以使得光敏二极管处于反向偏置状态,以能进行光电转换。
在本发明实施例中,所述电压端子P0可以为地端,但不以此为限。
本发明如图6所示的显示基板的具体实施例在形成像素电路中的晶体管的同时,形成光电检测开关晶体管,并在封装薄膜远离所述第四电极层的一面设置挡光层,所述挡光层设置于成像区,在所述点灯区不设置有所述挡光层,以不影响点灯区中的像素电路(也即点光源)发光;并本发明如图6所示的显示基板的具体实施例在TFT阵列层与第三电极层之间设置光敏二极管,以通过光电感应而进行指纹识别,并所述光敏二极管设置于成像区和点灯区,所述光敏二极管对应于所述像素间隔区域设置,所述挡光层在所述衬底基板上的正投影在相邻的发光元件之间的区域在所述衬底基板上的正投影内;
并且,在本发明如图6所示的显示基板的具体实施例中,设置了滤光膜层67,所述滤光膜层67能够滤除波长在600nm以上的光线,以降低环境光对指纹识别的影响。
在具体实施时,能够透光手指的环境光的波长在600um以上,因此将所述滤光膜层的透光光谱设置小于600nm,以降低环境光对指纹识别的影响。
本发明实施例基于点光源成像原理,将此原理应用于与显示结合的指纹成像中,由于光敏二极管成像残影现象的存在,使得传统的利用多次点光源点亮方式成像的方式时间浪费过多,并不适用于清晰的指纹成像。本发明实施例将光敏二极管的阳极按照pattern(图案)化方式来进行,根据点灯次数以及位置来进行相应的设计,具备高效去除lag(残影),引线数目少的优点。
本发明实施例在OLED(有机发光二极管)像素电路结构中增加指纹识别结构,所述指纹识别结构包括光敏二极管和光电检测开关晶体管,其中,光电检测开关晶体管与OLED像素电路结构中的TFT(薄膜晶体管)同层设计,光敏二极管设置于TFT阵列层之上,光敏二极管设置于像素界定层之下,所述光敏二极管与像素界定层正对,OLED的阳极设置于光敏二极管之上,以形成指纹显示一体化结构。
如图7所示,显示基板P70的一实施例包括指纹像素区,所述指纹像素区包括点灯区A91与成像区A92;在图7中,黑点93所示的是挡光部。
本发明实施例所述的显示基板的制作方法,用于制作显示基板;所述显示基板包括指纹像素区,所述指纹像素区包括点灯区和围绕所述点灯区设置的成像区;所述显示基板的制作方法包括:
在衬底基板上形成像素单元和感光单元;所述像素单元包括的发光元件设置于像素区域;所述感光单元包括感光元件,用于对接收到的光线进行光电转换;所述感光元件设置于所述成像区和所述点灯区;所述感光元件对应于像素间隔区域设置,所述像素间隔区域为相邻的像素区域之间的区域;
在所述像素单元和感光单元远离所述衬底基板的一面依次形成封装薄膜和挡光层;所述挡光层包括多个相互独立的挡光部,所述挡光部用于遮挡光线;所述挡光部在所述衬底基板上的正投影在相邻的发光元件之间的区域在所述衬底基板上的正投影内。
本发明实施例在封装薄膜远离所述感光单元的一面设置挡光层,所述挡光层设置于成像区,在所述点灯区不设置有所述挡光层,以不影响点灯区中的像素电路(也即点光源)发光;并本发明实施例衬底基板和封装薄膜之间设置感光元件,以通过光电感应而进行指纹识别,并所述感光元件设置于成像区和点灯区,所述光敏二极管对应于所述像素间隔区域设置,所述挡光部在所述衬底基板上的正投影在相邻的发光元件之间的区域在所述衬底基板上的正投影内。
优选的,本发明实施例所述的显示基板的制作方法还包括:
在所述感光元件与所述封装薄膜之间形成滤光膜层,所述滤光膜层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述感光元件在所述衬底基板上的正投影;
所述滤光膜层能够滤除波长在600nm以上的光线。
本发明实施例所述的显示面板包括上述的显示基板。
本发明实施例所述的显示装置包括上述的显示面板。
本发明实施例所提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种显示基板,其特征在于,包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的像素单元和感光单元;所述显示基板还包括依次设置于所述像素单元和所述感光单元远离所述衬底基板的一面的封装薄膜和挡光层;所述像素单元包括发光元件,所述发光元件设置于像素区域;
所述显示基板包括指纹像素区,所述指纹像素区包括点灯区和围绕所述点灯区设置的成像区;
所述感光单元包括感光元件,所述感光元件用于对接收到的光线进行光电转换;所述挡光层包括多个相互独立的挡光部,所述挡光部用于遮挡光线;
所述挡光部设置于所述成像区,所述感光元件设置于所述成像区和所述点灯区;所述感光元件对应于像素间隔区域设置,所述像素间隔区域为相邻的像素区域之间的区域;
所述挡光部在所述衬底基板上的正投影在相邻的发光元件之间的区域在所述衬底基板上的正投影内。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括滤光膜层;所述滤光膜层设置于所述感光元件和所述封装薄膜之间,所述滤光膜层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述感光元件在所述衬底基板上的正投影。
3.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述滤光膜层用于滤除波长在600nm以上的光线。
4.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述感光元件包括依次层叠设置于所述衬底基板上的第一电极、N型半导体层、本征层、P型半导体层和第二电极层;
所述第一电极用作所述感光元件的阴极,所述第二电极层用作所述感光元件的阳极。
5.如权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述感光单元还包括光电检测开关晶体管,所述光电检测开关晶体管与所述第一电极电连接,所述第二电极层与电压端子电连接。
6.如权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述像素单元还包括像素驱动电路;所述像素驱动电路设置于所述衬底基板上,所述发光元件包括依次设置于所述像素驱动电路远离所述衬底基板的一面的第三电极、发光层和第四电极层;
所述第三电极与所述电压端子同层设置。
7.如权利要求1至6中任一权利要求所述的显示基板,其特征在于,所述点灯区为圆形区域,所述点灯区的直径大于或等于0.5mm而小于或等于3.5mm。
8.如权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述成像区为圆环状区域;所述成像区的内径大于或等于0.5mm而小于或等于3.5mm,所述成像区的外径大于或等于8mm而小于或等于18mm。
9.一种显示基板的制作方法,用于制作显示基板;其特征在于,所述显示基板包括指纹像素区,所述指纹像素区包括点灯区和围绕所述点灯区设置的成像区;所述显示基板的制作方法包括:
在衬底基板上形成像素单元和感光单元;所述像素单元包括的发光元件设置于像素区域;所述感光单元包括感光元件,所述感光元件用于对接收到的光线进行光电转换;所述感光元件设置于所述成像区和所述点灯区;所述感光元件对应于像素间隔区域设置,所述像素间隔区域为相邻的像素区域之间的区域;
在所述像素单元和感光单元远离所述衬底基板的一面依次形成封装薄膜和挡光层;所述挡光层包括多个相互独立的挡光部,所述挡光部用于遮挡光线;所述挡光部在所述衬底基板上的正投影在相邻的发光元件之间的区域在所述衬底基板上的正投影内。
10.如权利要求9所述的显示基板的制作方法,其特征在于,还包括:
在所述感光元件与所述封装薄膜之间形成滤光膜层,所述滤光膜层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述感光元件在所述衬底基板上的正投影;
所述滤光膜层能够滤除波长在600nm以上的光线。
11.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至8中任一权利要求所述的显示基板。
12.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求11所述的显示面板。
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