CN111682037A - 光电探测器件、显示基板及显示装置 - Google Patents
光电探测器件、显示基板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111682037A CN111682037A CN202010424116.3A CN202010424116A CN111682037A CN 111682037 A CN111682037 A CN 111682037A CN 202010424116 A CN202010424116 A CN 202010424116A CN 111682037 A CN111682037 A CN 111682037A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- thin film
- film transistor
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 134
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种光电探测器件、显示基板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的光电探测器件结构复杂且不具有自我保护功能的问题。本发明的一种光电探测器件，包括：衬底、位于衬底上的叠层设置的光敏器件和第一薄膜晶体管；光敏器件包括：依次位于衬底上的底电极、第一半导体层、本征半导体层、第二半导体层和顶电极；第一半导体层和第二半导体层的掺杂类型相反；光敏器件的顶电极用作第一薄膜晶体管的栅极。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种光电探测器件、显示基板及显示装置。
背景技术
目前，将光电探测器件与显示器相融合，实现光学传感、人机交互、生物特征识别已成为研究热点之一。现有的集成薄膜晶体管与光敏器件的光电探测器件的结构一般复杂度较高，整体膜层厚度偏大，影响光信号的透过率及传递效率，从而容易造成光响应灵敏度降低，影响用户使用体验。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种光电探测器件、显示基板及显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种光电探测器件，包括：衬底、位于所述衬底上的叠层设置的光敏器件和第一薄膜晶体管；
所述光敏器件包括：依次位于所述衬底上的底电极、第一半导体层、本征半导体层、第二半导体层和顶电极；所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型相反；所述光敏器件的所述顶电极用作所述第一薄膜晶体管的栅极。
可选地，所述第一薄膜晶体管包括：依次位于所述顶电极上的栅极绝缘层、有源层、刻蚀缓冲层、保护层、源极和漏极；所述源极和所述漏极同层设置，且分别通过贯穿所述保护层和所述栅极绝缘层的第一过孔和第二过孔与所述有源层的两端连接；
所述光敏器件的所述第二半导体层的掺杂类型与所述第一薄膜晶体管的所述有源层的沟道导电类型相同。
可选地，所述光电探测器件还包括：底电极引出电极和顶电极引出电极；
所述底电极引出电极和顶电极引出电极通过贯穿所述保护层和所述栅极绝缘层的第三过孔和第四过孔分别与所述底电极和所述顶电极连接。
可选地，所述顶电极引出电极和所述底电极引出电极覆盖所述第一半导体层、所述本征半导体层和所述第二半导体层的侧面。
可选地，所述光电探测器件还包括：平坦化层、第一上电极和第二上电极；
所述平坦化覆盖所述顶电极引出电极、所述底电极引出电极、所述源极和所述漏极；
所述第一上电极通过贯穿所述平坦化层的第五过孔与所述漏极连接，所述第二上电极通过贯穿所述平坦化层的第六过孔和第七过孔分别与所述源极和所述底电极引出电极连接。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，包括基底及位于所述基底上如上述提供的光电探测器件；
所述基底用作所述光电探测器件的衬底。
可选地，所述显示基板还包括：位于所述基底上的第二薄膜晶体管；
所述第二薄膜晶体管在所述基底上的正投影与所述第一薄膜晶体管在所述基底上的正投影互不重叠。
可选地，所述显示基板还包括：位于所述第一上电极和所述第二上电极所在层上的屏障层及显示器件；
所述显示器件在所述基底上的正投影与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管在所述基底上的正投影互不重叠。
可选地，所述显示基板还包括：多条交叉设置的第一扫描线和第二扫描线；
所述光电探测器件位于所述第一扫描线和所述第二扫描线交叉限定形成的区域内；所述光电探测器件的所述第一上电极与所述第一扫描线连接；所述光电探测器件的所述顶电极引出电极与所述第二扫描线连接。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，包括如上述提供的显示基板。
附图说明
图1为现有技术中的一种光电探测器件的结构示意图；
图2为现有技术中的一种光电探测器件的电路结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种光电探测器件的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种光电探测器件的电路结构示意图；
图5a-图5g为本发明实施例提供的一种光电探测器件制备过程的示意图；
图6为本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
图1为现有技术中的一种光电探测器件的结构示意图，如图1所示，光敏器件10可以与第一薄膜晶体管20集成，二者相互不重叠，可以看出，各个器件的膜层结构较为复杂，且膜层厚度较厚，不利于产品的轻薄化。图2为现有技术中的一种光电探测器件的电路结构示意图，如图2所示，需要一路控制信号与第一薄膜晶体管20的栅极连接，通过控制第一薄膜晶体管20的开启与关闭来控制光敏器件10的光信号是否导出，还需要另一路信号与光敏器件10中的底电极和顶电极中的一者连接，为光敏器件10提供反向偏压，再通过第一薄膜晶体管20的漏极将光信号导出。这样集成的光电探测器件为三端器件，三个接线端通过引线与外部电路连接，需要较多的走线空间，从而增加了制备工艺难度。再者，在第一薄膜晶体管20开启的同时，需要保证光敏器件10不被施加正向偏压，否则会产生较大的正向电流，导致光敏器件10被烧毁，因此现有技术中的光电探测器件不具有自我保护功能，容易影响其光电性能。为了至少解决现有技术中存在的技术问题之一，本发明实施例提供了一种光电探测器件、显示基板及显示装置，下面结合附图和具体实施方式对本发明实施例提供的光电探测器件、显示基板及显示装置作进一步详细描述。
实施例一
图3为本发明实施例提供的一种光电探测器件的结构示意图，如图3所示，该光电探测器件包括：衬底101、位于衬底上的叠层设置的光敏器件10和第一薄膜晶体管20；光敏器件10包括：依次位于衬底101上的底电极102、第一半导体层103、本征半导体层104、第二半导体层105和顶电极106；第一半导体层103和第二半导体层105的掺杂类型相反；光敏器件10的顶电极106用作第一薄膜晶体管20的栅极107。
本发明实施例提供的光电探测器件中，光敏器件10可以与第一薄膜晶体管20为叠层设置，第一薄膜晶体管20位于光敏器件10的正上方，这样可以减少光电探测器件所占用的空间，从而避免光电探测器件应用于显示装置中时影响显示装置中像素单元的开口率，进而可以提高显示效果。并且，光敏器件10的感光面更靠近光信号产生的位置，非感光面可以由其他膜层进行遮挡，同时底电极可以采用透明电极制成，这样可以提高光信号的利用率，降低光信号的噪声，从而可以提高光响应灵敏度，进而可以提高用户使用体验。光敏器件10中的第一半导体层103和第二半导体层105中一者为P型半导体层，另一者为N型半导体层，具体设置方式可以由第一薄膜晶体管20的类型确定，其具体电路结构可以如图4所示，第一薄膜晶体管20的源极和漏极中的一者可以与光敏器件10中的底电极102和顶电极106中的一者连接，形成串联结构，由于光敏器件10的顶电极106可以用作第一薄膜晶体管20的栅极107，在电路图中直观表现为光敏器件10的顶电极106与第一薄膜晶体管20的栅极107共同连接一路控制信号，光敏器件10的底电极102与第一薄膜晶体管20的源极连接，第一薄膜晶体管10的漏极将光信号导出，这样，光电探测器件仅需要两个接线端通过引线与外部电路连接即可实现光信号的检测，从而可以减少光电探测器件内部的走线，进而可以节省走线占用的空间，降低光电探测器件的结构复杂程度。
在一些实施例中，第一薄膜晶体管20包括：依次位于顶电极106上的栅极绝缘层108、有源层109、刻蚀缓冲层110、保护层111、源极112和漏极113；源极112和漏极113同层设置，且分别通过贯穿保护层111和栅极绝缘层108的第一过孔和第二过孔与有源层109的两端连接；
光敏器件10的第二半导体层105的掺杂类型与第一薄膜晶体管20的有源层109的沟道导电类型相同。
需要说明的是，栅极绝缘层108可以将顶电极106与有源层109之间进行绝缘设置，避免有源层109短路而损坏第一薄膜晶体管20。刻蚀缓冲层110可以与顶电极106上的栅极绝缘层108的材料及厚度相等，起到保护第一薄膜晶体管20的有源层109的作用，避免在制备过程中有源层109被过度刻蚀。光敏器件10的叠层顺序与第一薄膜晶体管20的类型相关：若第一薄膜晶体管20为P沟道薄膜晶体管，则光敏器件10的P型半导体层与顶电极106紧邻，N型半导体层与透明的底电极102紧邻。当VG-VS(D)>Vth时，P沟道晶体管处于关闭状态，关态电流很小，虽然此时光敏器件10处于正向偏压状态，但光敏器件10流过的电流等于P沟道晶体管的关态电流，即光电探测器件处于关闭状态(或非工作状态)；当VG-VS(D)<Vth时，P沟道晶体管处于开启状态，同时光敏器件10处于反向偏压状态，此时光信号引起的光敏器件10电流变化可以通过第一薄膜晶体管20被外部处理电路收集和分析，即光电探测器件处于开启状态(或工作状态)，实现光电探测功能。若第一薄膜晶体管20为N沟道薄膜晶体管，则光敏器件10的N型半导体层与顶电极106紧邻，P型半导体层与透明的底电极102紧邻。当VG-VS(D)<Vth时,N沟道晶体管处于关闭状态，光电探测器件处于关闭状态(或非工作状态)；当VG-VS(D)>Vth时，N沟道晶体管处于开启状态，光电探测器件处于开启状态(或工作状态)，实现光电探测功能。其中，第一薄膜晶体管20为P沟道晶体管时，其开启电压Vth应为负值；第一薄膜晶体管20为N沟道晶体管时，其开启电压Vth应为正值。这样，第一薄膜晶体管20开启时，光敏器件10一定处于反向偏压状态，避免由于光敏器件10误加正向偏压使光敏器件10流过大的正向电流而导致性能下降或损坏，从而实现光电探测器件的自我保护功能，提高使用寿命。
在一些实施例中，光电探测器件还包括：底电极引出电极114和顶电极引出电极115；底电极引出电极114和顶电极引出电极115通过贯穿保护层111和栅极绝缘层108的第三过孔和第四过孔分别与底电极102和顶电极106连接。
需要说明的是，底电极引出电极114可以与光敏器件10的底电极102连接，顶电极引出电极115可以与光敏器件10的顶电极106连接，并与其他器件中的电极连接，或者与外界电路连接，从而将光敏器件10的顶电极106和底电极102的信号引出，以实现光电探测功能。
在一些实施例中，底电极引出电极114和顶电极引出电极115覆盖第一半导体层103、本征半导体层104和第二半导体层105的侧面。
需要说明的是，底电极引出电极114可以覆盖光敏器件10中各个膜层的一个侧面，顶电极引出电极115可以覆盖光敏器件10中各个膜层的另一个侧面，即底电极引出电极114和顶电极引出电极115可以覆盖光敏器件10的非感光面，因此可以避免光线由非感光面照射至光敏器件10，从而可以降低光敏器件10的噪声，进而提高光敏器件10的光响应灵敏度。
在一些实施例中，光电探测器件还包括：平坦化层116、第一上电极117和第二上电极118；平坦化层116覆盖、顶电极引出电极115、源极112和漏极113；第一上电极117通过贯穿平坦化层116的第五过孔与漏极113连接，第二上电极118通过贯穿平坦化层116的第六过孔和第七过孔分别与源极112和底电极引出电极114连接。
需要说明的是，平坦化层116可以覆盖底电极引出电极114、顶电极引出电极115、源极112和漏极113，对底电极引出电极114、顶电极引出电极115、源极112和漏极113所在的膜层进行平坦化处理，以便于与其上的其他膜层进行制备与贴合。第一上电极117可以与第一薄膜晶体管20的漏极113连接，第二上电极118可以与第一薄膜晶体管20的源极112和底电极102连接，第一上电极117和顶电极引出电极115可以作为光电探测器件的两个接线端与外部的电路连接，从而可以形成如图4所示的电路结构，以实现光电探测功能。
下面将结合附图对本发明实施例提供的光电探测器件的制备过程进行进一步详细说明。
步骤S1，如图5a所示，沉积透明电极层，并图形化，作为光敏器件的透明底电极。(1mask)
步骤S2，如图5b所示，依次沉积第一半导体层、本征半导体层、第二半导体层、第一金属层，并同步图形化，形成光敏器件及其顶电极。其中，光敏器件的其他膜层位于光敏器件的底电极正上方，且面积小于光敏器件的底电极的面积；第一半导体层和第二半导体层的掺杂类型相反，即其中一者为P型半导体层，另一者为N型半导体层。P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层的沉积顺序由第一薄膜晶体管的沟道类型确定。若第一薄膜晶体管为N沟道晶体管，则光敏器件的膜层沉积顺序依次为P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层，以保证第一薄膜晶体管开启时，光敏器件被施加反偏电压；若光电探测单元的第一薄膜晶体管为P沟道晶体管，则光敏器件的膜层沉积顺序依次为N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层。(2mask)
步骤3，如图5c所示，依次沉积栅极绝缘层、有源层(如IGZO等)和刻蚀缓冲层，同步图形化有源层和刻蚀缓冲层。栅极绝缘层同时也起到对光敏器件侧面的保护作用。有源层位于光敏器件的顶电极正上方，且面积小于光敏器件的顶电极；光敏器件的顶电极同时也作为第一薄膜晶体管的栅极。(3mask)
步骤S4，如图5d所示，沉积保护层，图形化保护层-栅极绝缘层叠层和保护层-刻蚀缓冲层叠层，形成过孔，包括：第一薄膜晶体管源极和漏极的过孔，光敏器件底电极的过孔，光敏器件顶电极(第一薄膜晶体管的栅极)过孔。(4mask)
步骤S5，如图5e所示，沉积第二金属层，并图形化。图形化的第二金属层可以形成薄膜晶体管的源极和漏极，底电极引出电极，顶电极引出电极及其走线。其中，光敏器件的顶电极(第一薄膜晶体管的栅极)的引出电极完全覆盖光敏器件的侧面。(5mask)
步骤S6，如图5f所示，制作平坦化层，并图形化，在第一薄膜晶体管源极和漏极上方、光敏器件的底电极引出电极上方形成过孔。(6mask)
步骤S7，如图5g所示，沉积第三金属层，并图形化，形成第一上电极和第二上电极。(7mask)
上述的光电探测器件的制备方法总共需要7次mask，较现有技术中光电探测器件的制备可以明显简化制备工艺流程，从而可以降低光电探测器件中各个膜层的复杂度，进而节约制备成本。
实施例二
基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括基底及位于基底上的如上述实施例提供的光电探测器件；基底可以用作上述的光电器件的衬底。
在一些实施例中，显示基板还包括：位于基底上的第二薄膜晶体管；第二薄膜晶体管在基底上的正投影与第一薄膜晶体管在基底上的正投影互不重叠。
需要说明的是，第二薄膜晶体管可以作为显示基板中显示器件的开光晶体管，第二薄膜晶体管在基底上的正投影与第一薄膜晶体管在基底上的正投影互不重叠，可以在制备过程中在制备第一薄膜晶体管的同时，采用相同工艺完成第二薄膜晶体管的制备，从而可以减少制备工艺步骤，以节约制备成本。进一步需要说明的是，在制备过程中，由于第二薄膜晶体管需要形成独立的栅极，因此，在制备第一薄膜晶体管的步骤中需要独立制备形成光敏器件的顶电极，这样，在上述的制备光电探测器件的步骤中会增加1次mask。
在一些实施例中，显示基板还包括：位于第一上电极和第二上电极所在层上的屏障层及显示器件；显示器件在基底上的正投影与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管在基底上的正投影互不重叠。
需要说明的是，显示基板中还包括屏障层和显示器件，屏障层可以利用现有技术中的材料与工艺形成，其功能与现有技术中的屏障层的功能相同，在此不再赘述。具体的，显示器件可以包括依次位于屏障层上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机光层、电子传输层和阴极等膜层，其中，显示器件的阳极可以与第二薄膜晶体管的漏极连接，从而可以通过向第二薄膜晶体管的栅极输入控制信号控制第二薄膜晶体管的开启与关闭，来控制显示器件是否工作，从而实现显示功能。
图6为本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图，如图6所示，显示基板还包括：多条交叉设置的第一扫描线601和第二扫描线602；光电探测器件位于第一扫描线和第二扫描线交叉限定形成的区域内；光电探测器件的第一上电极与第一扫描线连接；光电探测器件的顶电极引出电极与第二扫描线连接。
需要说明的是，显示基板可以通过控制第一扫描线和第二扫描线来对光信号的位置进行逐行、逐列或逐点的探测分析，从而实现触控传感、指纹识别等功能。
实施例三
基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施例提供的显示基板。显示装置可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、智能电视等终端设备，其实现原理与上述实施例提供的显示基板的实现原理类似，在此不再赘述。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种光电探测器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的叠层设置的光敏器件和第一薄膜晶体管；
所述光敏器件包括：依次位于所述衬底上的底电极、第一半导体层、本征半导体层、第二半导体层和顶电极；所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型相反；所述光敏器件的所述顶电极用作所述第一薄膜晶体管的栅极。
2.根据权利要求1所述的光电探测器件，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括：依次位于所述顶电极上的栅极绝缘层、有源层、刻蚀缓冲层、保护层、源极和漏极；所述源极和所述漏极同层设置，且分别通过贯穿所述保护层和所述栅极绝缘层的第一过孔和第二过孔与所述有源层的两端连接；
所述光敏器件的所述第二半导体层的掺杂类型与所述第一薄膜晶体管的所述有源层的沟道导电类型相同。
3.根据权利要求1所述的光电探测器件，其特征在于，所述光电探测器件还包括：底电极引出电极和顶电极引出电极；
所述底电极引出电极和所述顶电极引出电极通过贯穿所述保护层和所述栅极绝缘层的第三过孔和第四过孔分别与所述底电极和所述顶电极连接。
4.根据权利要求3所述的光电探测器件，其特征在于，所述顶电极引出电极和所述底电极引出电极覆盖所述第一半导体层、所述本征半导体层和所述第二半导体层的侧面。
5.根据权利要求3所述的光电探测器件，其特征在于，所述光电探测器件还包括：平坦化层、第一上电极和第二上电极；
所述平坦化覆盖所述顶电极引出电极、所述底电极引出电极、所述源极和所述漏极；
所述第一上电极通过贯穿所述平坦化层的第五过孔与所述漏极连接，所述第二上电极通过贯穿所述平坦化层的第六过孔和第七过孔分别与所述源极和所述底电极引出电极连接。
6.一种显示基板，其特征在于，包括基底及位于所述基底上如权利要求1-5任一项所述的光电探测器件；
所述基底用作所述光电探测器件的衬底。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述基底上的第二薄膜晶体管；
所述第二薄膜晶体管在所述基底上的正投影与所述第一薄膜晶体管在所述基底上的正投影互不重叠。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述第一上电极和所述第二上电极所在层上的屏障层及显示器件；
所述显示器件在所述基底上的正投影与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管在所述基底上的正投影互不重叠。
9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：多条交叉设置的第一扫描线和第二扫描线；
所述光电探测器件位于所述第一扫描线和所述第二扫描线交叉限定形成的区域内；所述光电探测器件的所述第一上电极与所述第一扫描线连接；所述光电探测器件的所述顶电极引出电极与所述第二扫描线连接。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6-9任一项所述的显示基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010424116.3A CN111682037B (zh) | 2020-05-19 | 2020-05-19 | 光电探测器件、显示基板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010424116.3A CN111682037B (zh) | 2020-05-19 | 2020-05-19 | 光电探测器件、显示基板及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111682037A true CN111682037A (zh) | 2020-09-18 |
| CN111682037B CN111682037B (zh) | 2023-12-05 |
Family
ID=72452667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010424116.3A Active CN111682037B (zh) | 2020-05-19 | 2020-05-19 | 光电探测器件、显示基板及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111682037B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014225527A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | キヤノン株式会社 | 検出装置、及び、検出システム |
| CN105975963A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| CN109994498A (zh) * | 2019-04-09 | 2019-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别传感器及其制备方法、以及显示装置 |
| US20200044004A1 (en) * | 2018-08-02 | 2020-02-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and display panel, display device |
-
2020
- 2020-05-19 CN CN202010424116.3A patent/CN111682037B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014225527A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | キヤノン株式会社 | 検出装置、及び、検出システム |
| CN105975963A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| US20200044004A1 (en) * | 2018-08-02 | 2020-02-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and display panel, display device |
| CN109994498A (zh) * | 2019-04-09 | 2019-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别传感器及其制备方法、以及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111682037B (zh) | 2023-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110286796B (zh) | 电子基板及其制作方法、显示面板 | |
| CN108877653B (zh) | 像素电路、显示装置及其制造方法 | |
| CN110164847B (zh) | 阵列基板、光检测方法及组件、显示装置 | |
| WO2018040512A1 (zh) | 自发光显示像素 | |
| WO2016165551A1 (zh) | Oled显示基板、触控显示面板及显示装置 | |
| US9634174B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus and electronic device | |
| US9614115B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| CN106229331A (zh) | 自发光显示像素 | |
| US11737342B2 (en) | Display substrate and manufacturing method thereof and display apparatus | |
| US11605239B2 (en) | Fingerprint recognition sensor and manufacturing method thereof, and display device | |
| CN111370458A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| KR20120062284A (ko) | 광센싱 회로, 상기 광센싱 회로의 제조 방법, 및 상기 광센싱 회로를 포함하는 광터치 패널 | |
| WO2021180214A1 (zh) | 光线探测基板及其制备方法、光线探测设备 | |
| CN111244196B (zh) | 光感薄膜晶体管、显示面板及显示装置 | |
| CN113490942A (zh) | 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 | |
| CN112616321A (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| WO2021244241A1 (zh) | 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 | |
| CN113711362B (zh) | 包括薄膜晶体管和有机光电二极管的图像传感器阵列器件 | |
| CN114122017A (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
| CN113013189A (zh) | 一种有源像素图像传感器及显示装置 | |
| CN110164946B (zh) | 显示基板及制造方法、显示装置 | |
| CN111682037B (zh) | 光电探测器件、显示基板及显示装置 | |
| CN210443558U (zh) | 一种光电传感器、显示面板及显示装置 | |
| CN114678440B (zh) | 光电薄膜晶体管、指纹识别电路及显示装置 | |
| CN115295567B (zh) | 一种阵列基板及电子设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |