CN103187017A - 用于显示设备的老化系统及利用该老化系统的老化方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于显示设备的老化系统及一种使用该老化系统的老化方法。该老化方法包括：将包括用于评估元件测量值的测试器焊盘单元和用于老化的老化焊盘单元的面板安装在老化系统上；提取面板的元件测量值，将元件测量值与预先存储在老化系统中的用于驱动面板的现有的元件特性值进行比较，并检测重合的元件值；使用从检测的元件值产生的输出数据来老化面板。可通过老化系统自身建立老化条件，并且该老化系统可以在不需要因元件的工艺差异而检验显示设备的元件的特性的情况下通过执行对元件的额外的测量并基于测量结果建立老化条件来执行老化工艺。因此，可防止由于对元件的特性评估所需的时间的损失以及人力浪费等。
Description
本申请要求于2011年12月30日提交到韩国知识产权局的第10-2011-0147421号韩国专利申请的权益，该申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的一个或多个实施例涉及一种老化系统，更具体地说，涉及一种可评估显示设备的元件的特性并可执行老化工艺的用于显示设备的老化系统以及一种使用该老化系统的老化方法。
背景技术
通常，有机发光显示设备具有优异的特性，例如宽视角、良好的对比度以及短的响应时间。因此，由于有机发光显示设备能够应用于诸如数码相机、摄像机、摄录机、便携式信息终端、智能电话、超薄膝上型电脑、平板个人电脑(PC)或柔性显示设备的移动装置或者诸如超薄TV的电子/电气产品的显示设备，所以有机发光显示设备已经备受关注。
有机发光显示设备通常具有包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的发射层的堆叠结构，并且当分别从阳极和阴极注入的空穴和电子在发射层中复合并因此发光时显示彩色图像。即，当通过注入的空穴和电子结合产生的激子从激发态跃迁至基态时发光。
随着发光时间增长，有机发光显示设备的特性劣化；结果，有机发光显示设备的寿命会缩短，并且其发光效率会降低。因此，执行老化工艺以使有机发光显示设备稳定。然而，在老化工艺过程中不能预测有机发光显示设备的元件的特性改变。因此，在执行老化工艺之前，评估有机发光显示设备的元件的特性，并且在建立驱动条件之后执行老化工艺。结果，由于特性评估而导致的损失很大。
发明内容
本发明的一个或多个实施例提供了一种用于显示设备的老化系统和一种使用该老化系统的老化方法，所述老化系统可以通过执行具有高可靠性的老化工艺来延长显示设备的寿命并可以改善显示设备的亮度不均匀性和亮度比。
根据本发明的一方面，提供了一种用于显示设备的老化系统，所述老化系统包括：面板安装单元，提供将要安装面板的空间并包括多个探针；探针站单元，电连接到面板并提取面板的元件测量值；存储器单元，在存储单元中预先存储有用于驱动面板的现有的元件特性值；控制单元，将提取的元件测量值与现有的元件特性值进行比较并控制产生的输出数据；以及老化控制单元，通过使用从控制单元传输的输出数据将老化信号传输到面板。
面板可包括用于评估元件测量值的测试器焊盘单元和用于老化的老化焊盘单元，面板安装单元可包括电连接到测试器焊盘单元的用于测试器焊盘单元的探针以及用于老化的探针块，在探针块上设置有电连接到老化焊盘单元的老化探针。
可通过用于测试器焊盘单元的探针从探针站单元传输电信号，来从测试器焊盘单元提取面板的元件测量值。
可通过用于老化的探针块从老化控制单元传输电信号，来对老化焊盘单元执行老化。
面板可包括有机发光显示设备，测试器焊盘单元可包括与作为形成在面板的显示单元中的图案的半导体有源层、源极、漏极和栅极中的每个对应的图案单元，用于测试器焊盘单元的探针可以形成在面板安装单元的与测试器焊盘单元对应的位置处，从而用于测试器焊盘单元的探针选择性地连接到在测试器焊盘单元中图案化的源极、漏极和栅极。
用于测试器焊盘单元的探针可设置在面板安装单元的至少一个边缘处。
形成在测试器焊盘单元中的图案单元可与形成在面板的显示单元中的图案同时形成。
形成在测试器焊盘单元中的图案单元可以不连接到形成在面板的显示单元中的图案，而是可以独立地图案化。
老化焊盘单元可在面板的至少一个边缘处图案化并可以电连接到形成在面板的显示单元中的图案，用于老化的探针可设置在面板安装单元的对应于老化焊盘单元的位置处。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于显示设备的老化方法，所述老化方法包括下述步骤：将包括用于评估元件测量值的测试器焊盘单元和用于老化的老化焊盘单元的面板安装在老化系统上；提取面板的元件测量值，将元件测量值与预先存储在老化系统中的用于驱动面板的现有的元件特性值进行比较，并检测重合的元件值；使用从检测的元件值产生的输出数据来老化面板。
安装面板的步骤可包括：将面板安装在设置于老化系统上的面板安装单元上；将电连接到设置在老化系统上的探针站单元并提取面板的元件测量值的用于测试器焊盘单元的探针与在面板中图案化的测试器焊盘单元结合。
面板可包括有机发光显示设备，测试器焊盘单元可包括与作为形成在面板的显示单元中的图案的半导体有源层、源极、漏极和栅极中的每个对应的图案单元，用于测试器焊盘单元的探针可电连接到在测试器焊盘单元中图案化的源极、漏极和栅极。
多个测试器焊盘单元可设置在面板的至少一个边缘处，可以不连接到形成在面板的显示单元中的图案，而是可以独立地图案化，并且用于测试器焊盘单元的探针可电连接到对应于测试器焊盘单元的位置。
检测面板的重合元件值的步骤可包括下述步骤：测量在面板中图案化的测试器焊盘单元的元件的特性；提取测试器焊盘单元的元件的特性；将元件的测量值与预先存储在老化系统中的现有的元件特性值进行比较；以及产生用于老化面板的输出数据。
多个测试器焊盘单元可设置在面板的至少一个边缘处，可从多个测试器焊盘单元提取测量数据的平均值，并可将该平均值用作在执行老化工艺时的代表值。
输出数据可包括驱动波形和与设置对应于驱动波形的老化电压相关的信息。
面板的老化可包括：将电连接到设置在老化系统上的探针站单元的用于测试器焊盘单元的探针与在面板中图案化的测试器焊盘单元结合；并使用产生的输出数据来老化面板。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它特征和优点将变得更加明显，在附图中：
图1示出了根据现有技术的有机发光显示设备的结构；
图2是沿图1的线II-II截取的剖视图；
图3是图1的等效电路图；
图4是示出执行图1的老化工艺所需的焊盘单元的平面图；
图5是示出图4的测试器焊盘单元的结构的放大图；
图6是根据本发明实施例的用于显示设备的老化系统的平面图；
图7是示出图6的面板安装单元的平面图；
图8A是图6的测试器焊盘单元的探针的主视图；
图8B是图8A的侧视图；
图9是顺序地示出根据本发明实施例的用于有机发光显示设备的老化工艺的流程图。
具体实施方式
由于本发明允许各种变化和多个实施例，所以将在附图中示出并在书面描述中详细描述特定的实施例。然而，这并不意图将本发明限制到特定的实施模式，并且应该理解的是，不脱离本发明的精神和技术范围的所有改变、等同物和替代物均包括在本发明之中。在本发明的描述中，在认为对现有技术的特定详细解释可能会不必要地使本发明的本质不清楚时，省略这些特定详细解释。
虽然可使用“第一”、“第二”等此类术语来描述不同的组件，但这些组件不必局限于以上术语。上述术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开。
在本说明书中使用的术语仅用于描述特定的实施例，并且不意图限制本发明。除非在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数形式使用的表述包括复数形式的表述。在本说明书中，应该理解的是，诸如“包括”或“具有”等的术语意图表示存在说明书中描述的特征、数量、步骤、动作、组件、部件或它们的组合，而不意图排除可以存在或可以添加一个或多个其它特征、数量、步骤、动作、组件、部件或它们的组合的可能性。
在下面将参照附图更详细地描述根据本发明实施例的用于显示设备的老化系统。用相同的标号来表示相同或相对应的那些组件而与图号无关，并且省略重复的解释。
图1示出了根据现有技术的有机发光显示设备100的结构，图2是沿图1的线II-II截取的剖视图，图3是图1的等效电路图。
参照图1至图3，有机发光显示设备100包括设置在第一基底110(见图2)上的栅极布线部分260、数据布线部分270和功率布线部分250。
有机发光显示设备100还包括第一薄膜晶体管210、第二薄膜晶体管230和电容器220。第二薄膜晶体管230连接到有机发光装置240。有机发光装置240包括像素电极241、共电极243以及设置在像素电极241和共电极243之间的包括有机发射层的中间层242。
第一基底110可以是由例如亚克力、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酯等聚合物或玻璃形成的绝缘基底。
缓冲层111可形成在第一基底110上。缓冲层111可由有机材料或无机材料形成，或者通过交替地堆叠有机材料和无机材料形成。缓冲层111用于阻挡氧和湿气，以防止湿气或者从第一基底110产生的杂质的扩散，并且调节在半导体有源层晶化时的热传递速度，从而可以很好地执行半导体有源层的晶化。
第一薄膜晶体管210的第一半导体有源层211和第二薄膜晶体管230的第二半导体有源层231形成在缓冲层111上。为了通过使用多晶硅既形成第一半导体层有源层211又形成第二半导体有源层231，首先形成非晶硅，将非晶硅晶化，变成多晶硅，然后将多晶硅图案化。
可使用使非晶硅晶化的各种方法，例如快速热退火(RTA)、固相晶化(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导晶化(MIC)、金属诱导横向晶化(MILC)、超晶粒硅(SGS)、顺序横向固化(SLS)等。
第一半导体有源层211和第二半导体有源层231包括源区、漏区和沟道区，源区和漏区通过用N型杂质离子或P型杂质离子掺杂第一半导体有源层211和第二半导体有源层231来形成，沟道区设置在源区和漏区之间并且未用掺杂杂质。
在第一半导体有源层211和第二半导体有源层231上气相沉积栅极绝缘层112。栅极绝缘层112被形成为由SiO2形成的单层，或者由SiO2和SiNx形成的双层。
第一薄膜晶体管210的第一栅极212和第二薄膜晶体管230的第二栅极232形成在栅极绝缘层112的预定区域上。第一栅极212和第二栅极232可由单种金属或多种金属形成并且可被形成为例如Mo、MoW、Cr、Al、Al合金、Mg、Cu、Ti、Ag、Ni、W或Au的单层或由它们的混合物形成的多层。
第一栅极212电连接到栅极布线部分260，第二栅极232电连接到电容器220的第一电极221。
层间绝缘层113形成在第一栅极212、第二栅极232和电容器220的第一电极221上。层间绝缘层113可被形成为由SiO2形成的单层，或者由SiO2和SiNx形成的双层。
第一源极213和第一漏极214中的每个通过接触孔电连接到第一半导体有源层211，第二源极233和第二漏极234中的每个通过接触孔电连接到第二半导体有源层221。
第一源极213、第一漏极214、第二源极233和第二漏极234可由诸如Au、Pd、Pt、Ni、Rh、Ru、Ir、Os、Al或Mo的单种金属或诸如Al∶Nd合金、MoW合金等的由两种或多种金属形成的合金形成。本发明的各方面不限于此，可使用各种材料来形成第一源极213、第一漏极214、第二源极233和第二漏极234。
第一源极213电连接到第一数据布线部分270并将数据信号供应到第一半导体有源层211，第一漏极214电连接到电容器220的第一电极221并将数据信号供应到电容器220。
第二源极233电连接到电容器220的第二电极222，第二漏极234电连接到有机发光装置240的像素电极241。
绝缘层114形成在第一源极213、第二源极233、第一漏极214、第二漏极234、电容器220的第一电极221和电容器220的第二电极222上。
通过堆叠至少一个钝化层或平坦化层来形成绝缘层114。绝缘层114可以是无机绝缘层或有机绝缘层。绝缘层114可被形成为无机绝缘层和有机绝缘层的复合堆叠件。
无机绝缘层的示例可包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfOO2、ZrO2、BST、PZT等。有机绝缘层的示例可包括诸如PMMA或PS的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、二酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的共混物。
在绝缘层114上，像素电极241通过通孔连接到第二漏极234。
有机发光装置240包括：像素电极241，分开地形成在每个像素中；共电极243，面对像素电极241；包括有机发射层的中间层242，设置在像素电极241和共电极243之间。
像素电极241可由各种导电材料形成。例如，像素电极241可被形成为透明电极或反射电极。当像素电极241被用作透明电极时，像素电极241可包括ITO、IZO、ZnO或In2O3。当像素电极241被用作反射电极时，像素电极241可以如下形成，即，利用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及它们的化合物形成反射层，然后在反射层上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3。
像素限定层(PDL)115形成在像素电极241上方。PDL 115可由亚克力或包括二酰亚胺类聚合物的材料形成。
像素电极241通过形成在PDL 115中的预定开口暴露。中间层242形成在暴露的像素电极241上。中间层242包括有机发射层，如果电压通过像素电极241和共电极243施加到有机发射层，则有机发射层发射可见光。
中间层242可由低分子量有机材料或聚合物有机材料形成。
当中间层242由低分子量有机材料形成时，中间层242可形成为由空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)组成的单体结构(single structure)或它们的复合结构。
当中间层242由低分子量有机材料形成时，可用的有机材料可以是铜酞菁(CuPc)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。可利用使用掩模的真空沉积等来形成这些低分子量有机材料。
这里，HIL、HTL、ETL和EIL可以是共用层，并且可以被共用地应用于红色像素、绿色像素和蓝色像素。在这方面，共用层可以像在共电极243中那样形成为覆盖全部的像素。
当中间层242由聚合物有机材料形成时，中间层242可具有由HTL和EML组成的结构。在这方面，PEDOT可被用作HTL，聚苯撑乙烯(PPV)类聚合物有机材料或聚芴类聚合物有机材料可被用作EML，可利用丝网印刷、喷墨印刷等来形成这些聚合物有机材料。
共电极243形成在中间层242上。共电极243被形成为覆盖全部像素。共电极243可被形成为透明电极或反射电极。
当共电极243被用作透明电极时，可在透明电极上形成由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg和它们的化合物形成的层以及由用于形成透明电极的材料(例如ITO、IZO、ZnO或In2O3)形成的辅助电极或总线电极线。当共电极243被用作反射电极时，通过在中间层242的整个表面上气相沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg和它们的化合物来形成反射电极。
像素电极241和共电极243分别具有极性，例如阳极和阴极。像素电极241和共电极243的极性可以彼此相反。
像素电极241和共电极243可通过中间层242彼此绝缘，可以通过将具有不同极性的电压施加到中间层242来使光从中间层242发射。
在顶发射型有机发光显示设备的情况下，像素电极241可被形成为反射电极，共电极243可被形成为透明电极。相反，在底发射型有机发光显示设备的情况下，像素电极241可被形成为透明电极，共电极243可被形成为反射电极。
具有上述结构的有机发光显示设备100执行老化工艺，以使有机发光显示设备100稳定。
图4是示出将通过使用图1的有机发光显示设备100执行老化工艺所需的焊盘单元图案化的状态的平面图，图5是示出图4的测试器焊盘单元430的结构的放大图。
参照图4和图5，用于评估元件(例如，薄膜晶体管)的特性的测试器焊盘单元430沿有机发光显示设备100的边缘图案化。
测试器焊盘单元430包括沿有机发光显示设备100的下边缘图案化的至少一个第一测试器焊盘单元431以及沿有机发光显示设备100的上边缘图案化的至少一个第二测试器焊盘单元432。第一测试器焊盘单元431中的至少两个沿有机发光显示设备100的纵向方向彼此隔开预定的距离，第二测试器焊盘单元432中的至少两个沿有机发光显示设备100的纵向方向彼此隔开预定的距离。
第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘单元432在由显示单元的边缘限定的非显示单元中图案化，其中，有机发光显示设备100的第一薄膜晶体管210、第二薄膜晶体管230和电容器220在显示单元中图案化。
第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘单元432均包括半导体有源层图案部分433、栅极图案部分434、源极图案部分435和漏极图案部分436。
作为用于评估有机发光显示设备100的薄膜晶体管的特性的图案的第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘单元432具有与形成在有机发光显示设备100的显示单元内的图案层(即，第一薄膜晶体管210的第一半导体有源层211、第一栅极212、第一源极213和第一漏极214以及第二薄膜晶体管230的第二半导体有源层231、第二栅极232、第二源极233和第二漏极234)对应的形状。
在这方面，第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘单元432未连接到形成在有机发光显示设备100的显示单元内的图案层，而是在有机发光显示设备100的边缘处单独地图案化。
在制造工艺方面，当在有机发光显示设备100的显示单元中图案化第一薄膜晶体管210的第一半导体有源层211、第一栅极212、第一源极213和第一漏极214以及第二薄膜晶体管230的第二半导体有源层231、第二栅极232、第二源极233和第二漏极234时，可以同时地形成半导体有源层图案部分433、栅极图案部分434、源极图案部分435和漏极图案部分436。
第一老化焊盘单元块410形成在有机发光显示设备100的下边缘上，第二老化焊盘单元块420形成在有机发光显示设备100的上边缘上。沿有机发光显示设备100的长度方向，第一老化焊盘单元块410与第一测试器焊盘单元431交替地图案化，第二老化焊盘单元块420与第二测试器焊盘单元432交替地图案化。
多个第一老化焊盘411设置在第一老化焊盘单元块410上，多个第二老化焊盘421设置在第二老化焊盘单元块420上。多个第一老化焊盘411和多个第二老化焊盘421与用于老化的探针接触，探针供应老化所需的数据和驱动功率。
第一老化焊盘单元块410和第二老化焊盘单元块420电连接到在有机发光显示设备100的显示单元中图案化的图案层。
图6是根据本发明实施例的用于显示设备的老化系统600的平面图。
参照图6，老化系统600包括面板安装单元610、探针站单元620、老化控制单元630、存储器单元640和控制单元650。
面板安装单元610提供在其中安装有机发光显示设备(图4中的100)的空间。即，参照图7，用于在评估测试器焊盘单元(图4中的430)的特性时使用的测试器焊盘单元的探针611沿面板安装单元610的边缘设置。
用于测试器焊盘单元的探针611包括设置在面板安装单元610的下边缘处的用于第一测试器焊盘单元的探针612以及设置在面板安装单元610的上边缘处的用于第二测试器焊盘单元的探针613。
在这方面，用于第一测试器焊盘单元的探针612中的至少两个沿面板安装单元610的长度方向彼此隔开预定的距离，用于第二测试器焊盘单元的探针613中的至少两个沿面板安装单元610的长度方向彼此隔开预定的距离。当有机发光显示设备100与面板安装单元610结合时，用于第一测试器焊盘单元的探针612和用于第二测试器焊盘单元的探针613形成在对应于第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘单元432的位置处。
如图8A和图8B中所示，用于测试器焊盘单元的探针611均包括探针块618和设置在探针块618上的多个针619。探针块618可以上升或下降。在评估薄膜晶体管的特性时，多个针619可与测试器焊盘单元430接触。
用于第一老化的探针块614设置在面板安装单元610的下边缘处，用于第二老化的探针块615设置在面板安装单元610的上边缘处。沿面板安装单元610的长度方向，用于第一老化的探针块614与用于第一测试器焊盘单元的探针612交替地形成，用于第二老化的探针块615与用于第二测试器焊盘单元的探针613交替地形成。
多个第一老化探针616设置在用于第一老化的探针块614上，多个第二老化探针617设置在用于第二老化的探针块615上。多个第一老化探针616和多个第二老化探针617可以选择性地与有机发光显示设备100的第一老化焊盘411和第二老化焊盘421接触。
返回参照图6，当电连接到探针站单元620的用于测试器焊盘单元的探针611连接到测试器焊盘单元430时，可以提取测试器焊盘单元430的薄膜晶体管的IV曲线值。
当第一老化探针616和第二老化探针617连接到第一老化焊盘411和第二老化焊盘421时，老化控制单元630控制老化信号。
存储器单元640预先存储用于驱动像素电路的薄膜晶体管的IV曲线值。
控制单元650控制老化系统600将利用探针站单元620提取的薄膜晶体管的IV曲线值与先前存储在存储器单元640中的薄膜晶体管的IV曲线值进行比较，检测重合的IV曲线值，通过使用检测的IV曲线值来产生老化工艺所需的包括驱动电压的输出数据和包括关于驱动时间的信息的驱动波形，以及执行老化工艺。
将参照图9来描述将利用具有上述结构的老化系统600执行的老化工艺。
参照图9，准备进行老化。
当准备进行老化时，第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘单元432与第一老化焊盘单元块410和第二老化焊盘单元块420交替地沿有机发光显示设备100的上边缘和下边缘图案化。
作为用于评估有机发光显示设备100的薄膜晶体管的特性所用的图案的第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘单元432被形成为与显示单元中的薄膜晶体管的图案相同的图案，并且未在有机发光显示设备100的上边缘和下边缘中的至少一个边缘处连接到显示单元中的电路图案，而是在有机发光显示设备100的上边缘和下边缘中的至少一个边缘处独立地图案化(S10)。
然后，将有机发光显示设备100与老化系统600结合。老化系统600包括面板安装单元610，有机发光显示设备100安装在面板安装单元610上。
当将有机发光显示设备100与老化系统600结合时，为了评估在有机发光显示设备100的显示单元中图案化的薄膜晶体管的特性，用于第一测试器焊盘单元的探针612和用于第二测试器焊盘单元的探针613与第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘单元432结合(S20)。
然后，利用探针站单元620测量关于有机发光显示设备100的第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘单元432的薄膜晶体管的特性。
在这方面，为了提高薄膜晶体管的测量数据的精确度，第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘单元432在有机发光显示设备100的上边缘和下边缘处图案化。因此，从第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘单元432提取薄膜晶体管的测量数据的平均值，并可以使用提取的IV曲线平均值作为执行老化工艺时的代表值(S30)。
然后，可从第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘单元432提取薄膜晶体管的IV曲线值。这样，利用测量薄膜晶体管的特性的结果来提取IV曲线值。该IV曲线值对应于有机发光显示设备100的薄膜晶体管的实质特性(S40)。
然后，比较并复核IV曲线值。即，将从第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘单元432提取的薄膜晶体管的IV曲线值与预先存储在老化系统600的存储器单元640中的薄膜晶体管的IV曲线值互相比较。即，比较并复核用于执行老化工艺的有机发光显示设备100的电学特性。
这样，将从第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘432提取的薄膜晶体管的特性IV曲线值与预先存储在老化系统600的存储器单元640中的IV曲线值互相进行比较，由此提取重合的IV曲线值。
在这方面，如上所述，由于第一测试器焊盘单元431和第二测试器焊盘单元432在有机发光显示设备100的上边缘和下边缘处图案化以提高测量的数据的精确度，所以提取出测量的数据的平均值，并使用IV曲线平均值作为执行老化工艺时的代表值(S50)。
通过使用如上描述所提取的IV曲线值，产生老化系统600的输出数据。产生的数据包括老化所需的相关信息。
绘制二极管驱动电压条件。即，基于被比较的提取的IV曲线和复核后的数据，绘制将要施加到有机发光显示设备100的二极管的电源电压的条件(S60)。
另外，绘制包括关于用于驱动有机发光显示设备100的驱动时间的信息的驱动波形及其电压条件(S70)。
可以额外绘制有机发光显示设备100的老化所需的其它数据，以及包括二极管驱动电压条件的输出数据、包括关于驱动时间的信息的驱动波形及其电压条件。
然后，结合用于发光评估的探针。
为此，将用于第一老化的探针块614和用于第二老化的探针块615与在有机发光显示设备100中图案化的第一老化焊盘单元块410和第二老化焊盘单元块420结合(S80)。
然后，通过使用老化控制单元630控制由控制单元650控制的输出数据(即，二极管驱动电压条件)、包括关于驱动时间的信息的驱动波形及其电压条件来执行有机发光显示设备100的老化工艺。在这方面，执行老化工艺，直至有机材料和薄膜晶体管稳定(S90)。
如果通过上述过程执行了老化工艺，则将有机发光显示设备100与老化系统600的面板安装单元610分离，从而完成老化工艺(S100)。
在常压下或在真空条件下执行利用老化系统600的老化工艺和薄膜晶体管的特性评估。
如上所述，在根据本发明的显示设备的老化系统和使用该老化系统的老化方法中，可由该老化系统自身建立老化条件，并且该老化系统可以在不需要因元件的工艺差异而检验显示设备的元件的特性和通过执行对元件的额外的测量以及基于测量结果建立老化条件的情况下来执行老化工艺。因此，可防止由于对元件的特性评估所需的时间的损失以及人力浪费等。
虽然已经参照本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员应当理解，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节的各种改变。
Claims (17)
1.一种用于显示设备的老化系统，所述老化系统包括：
面板安装单元，提供将要安装面板的空间并包括多个探针；
探针站单元，电连接到面板并提取面板的元件测量值；
存储器单元，在存储器单元中预先存储有用于驱动面板的现有的元件特性值；
控制单元，将提取的元件测量值与现有的元件特性值进行比较并控制产生的输出数据；以及
老化控制单元，通过使用从控制单元传输的输出数据将老化信号传输到面板。
2.如权利要求1所述的老化系统，其中，面板包括在评估元件测量值中使用的测试器焊盘单元和在老化中使用的老化焊盘单元，面板安装单元包括电连接到测试器焊盘单元的用于测试器焊盘单元的探针以及用于老化的探针块，在探针块上设置有电连接到老化焊盘单元的老化探针。
3.如权利要求2所述的老化系统，其中，通过用于测试器焊盘单元的探针从探针站单元传输电信号来从测试器焊盘单元提取面板的元件测量值。
4.如权利要求2所述的老化系统，其中，通过用于老化的探针块从老化控制单元传输电信号来在老化焊盘单元上执行老化。
5.如权利要求2所述的老化系统，其中，面板包括有机发光显示设备，测试器焊盘单元包括与作为形成在面板的显示单元中的图案的半导体有源层、源极、漏极和栅极中的每个对应的图案单元，用于测试器焊盘单元的探针形成在面板安装单元的与测试器焊盘单元对应的位置处，从而用于测试器焊盘单元的探针选择性地连接到在测试器焊盘单元中图案化的源极、漏极和栅极。
6.如权利要求5所述的老化系统，其中，用于测试器焊盘单元的探针设置在面板安装单元的至少一个边缘处。
7.如权利要求5所述的老化系统，其中，形成在测试器焊盘单元中的图案单元与形成在面板的显示单元中的图案同时形成。
8.如权利要求7所述的老化系统，其中，形成在测试器焊盘单元中的图案单元未连接到形成在面板的显示单元中的图案，而是独立地图案化。
9.如权利要求2所述的老化系统，其中，老化焊盘单元在面板的至少一个边缘处图案化并电连接到形成在面板的显示单元中的图案，用于老化的探针设置在面板安装单元的对应于老化焊盘单元的位置处。
10.一种用于显示设备的老化方法，所述老化方法包括下述步骤：
将包括在评估元件测量值中使用的测试器焊盘单元和在老化中使用的老化焊盘单元的面板安装在老化系统上；
提取面板的元件测量值，将元件测量值与预先存储在老化系统中的用于驱动面板的现有的元件特性值进行比较，并检测重合的元件值；
使用从检测的元件值产生的输出数据来老化面板。
11.如权利要求10所述的方法，其中，安装面板的步骤包括：
将面板安装在设置于老化系统上的面板安装单元上；
将电连接到设置在老化系统上的探针站单元并提取面板的元件测量值的用于测试器焊盘单元的探针与在面板中图案化的测试器焊盘单元结合。
12.如权利要求11所述的老化方法，其中，面板包括有机发光显示设备，测试器焊盘单元包括与作为形成在面板的显示单元中的图案的半导体有源层、源极、漏极和栅极中的每个对应的图案单元，用于测试器焊盘单元的探针电连接到在测试器焊盘单元中图案化的源极、漏极和栅极。
13.如权利要求12所述的老化方法，其中，多个测试器焊盘单元设置在面板的至少一个边缘处，未连接到形成在面板的显示单元中的图案，而是独立地图案化，并且用于测试器焊盘单元的探针电连接到对应于测试器焊盘单元的位置。
14.如权利要求10所述的老化方法，其中，检测面板的重合元件值的步骤包括：
测量在面板中图案化的测试器焊盘单元的元件的特性；
提取测试器焊盘单元的元件的特性；
将元件的测量值与预先存储在老化系统中的现有的元件特性值进行比较；以及
产生用于老化面板的输出数据。
15.如权利要求14所述的老化方法，其中，多个测试器焊盘单元设置在面板的至少一个边缘处，从多个测试器焊盘单元提取测量数据的平均值，并将该平均值用作在执行老化工艺时的代表值。
16.如权利要求14所述的老化方法，其中，输出数据包括驱动波形和与设置对应于驱动波形的老化电压相关的信息。
17.如权利要求10所述的老化方法，其中，面板的老化包括：将电连接到设置在老化系统上的探针站单元的用于测试器焊盘单元的探针与在面板中图案化的测试器焊盘单元结合；并使用产生的输出数据来老化面板。
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