CN104701348A - 有机发光二极管显示器及其制造和检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机发光二极管显示器以及有机发光二极管显示器的制造和检测方法，其可将由于在制造用薄膜晶体管作为控制元件的有机发光二极管显示器的工艺中导致的开口缺陷所造成的故障最小化。因此，通过相对于由于有机发光二极管显示器的基板上的台阶差而容易产生开口缺陷的区域来形成双栅极结构的上金属层从而进一步形成至少一个接触部，使得即使产生开口缺陷时仍能正常施加信号。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管显示器，尤其涉及一种可将由于在使用薄膜晶体管作为控制元件来制造有机发光二极管显示器的工艺中导致的开口缺陷所造成的故障最小化的有机发光二极管显示器及其制造和检测方法。
背景技术
液晶显示器、场发射显示器、等离子显示面板、有机发光二极管显示器(OLED显示器)等被用作平板显示器来代替阴极射线管。
在这些显示器之中，设置于OLED显示器中的有机发光二极管具有高亮度和低操作电压的特性而且是自发光的。因此，OLED显示器具有高对比度并且可以实施为超薄显示器。此外，OLED显示器具有几微秒(μs)的响应时间，从而很容易实现运动图像。此外，OLED显示器的视角不受限制，且即使在低温时仍旧稳定。
图1是常规OLED显示器的像素的等效电路图。
参照图1，常规OLED显示器的像素PX具有包括三个薄膜晶体管SWT，DRT和SST以及一个电容器C1的结构，像素PX包括：有机发光二极管EL；用于向有机发光二极管EL提供电流的驱动薄膜晶体管DRT；用于接收数据电压Vdata的扫描薄膜晶体管SWT，扫描薄膜晶体管SWT与驱动薄膜晶体管DRT相连接，以根据扫描信号Vscan向驱动薄膜晶体管DRT的栅极电极提供数据电压Vdata；感测薄膜晶体管SST，感测薄膜晶体管SST连接在感测控制器与驱动薄膜晶体管DRT之间，以根据感测信号Vref接收(sink)从驱动薄膜晶体管DRT提供的电流；以及连接在驱动薄膜晶体管DRT的栅极电极与源极电极之间的电容器C1。
为了在OLED显示器中实现需要全HD或更高质量的高分辨率图像，每个像素应当配置成具有高开口率结构。与现有高分辨率显示器相比，高分辨率显示器存在着在制造高分辨率显示器的工艺中产生诸如侵蚀的缺陷、未构图或台阶差缺陷的较高可能性。因此，需要缺陷检测方法和有效的修复方法。
特别是，在具有如上所述结构的OLED显示器中，经常出现用于连接在驱动薄膜晶体管DRT的源极电极与有机发光二极管EL的阳极电极之间的线断开的缺陷。所述线形成在要彼此接触的不同金属层中，在蚀刻工艺中由于下金属层的台阶差，上层金属被过蚀刻，由此最终导致所述缺陷。
图2是图解在常规OLED显示器中产生的开口缺陷的例子的剖面图。
参照图2，在常规OLED显示器中，在基板10上依次形成栅极金属层13、栅极绝缘层15、第一源极和漏极金属层22、钝化层25、第二源极和漏极金属层27、层间绝缘层31和阳极金属层43。
这种结构称为面密封结构(face seal structure)。在该结构中，第二源极和漏极金属层27用作驱动薄膜晶体管(图1的DRT)的辅助栅极电极。就是说，驱动薄膜晶体管具有双栅极结构，其中驱动薄膜晶体管的栅极电极配置成两个金属层，即栅极金属层13及第二源极和漏极金属层27。
如该图中所示，钝化层25执行将第二源极和漏极金属层27下方的第一源极和漏极金属层22绝缘的功能。钝化层25的一侧开口，从而使阳极金属层43通过第二源极和漏极金属层27与第一源极和漏极金属层22电连接。
在第二源极和漏极金属层27的蚀刻工艺中，由于下面的钝化层25导致的台阶差，第二源极和漏极金属层27被过蚀刻，因此在第二源极和漏极金属层27中经常产生开口缺陷。因此，不能向阳极金属层43正常施加电信号。
这成为导致不希望的OLED显示器故障的因素，由此降低了显示器的驱动可靠性。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种有机发光二极管显示器及其制造方法，其通过重复结构(redundancy structure)将在制造有机发光二极管显示器的工艺中由于台阶差导致的开口缺陷所造成的故障最小化。
本发明的另一个方面是提供一种即使在产生了额外开口缺陷的像素结构中也很容易检测并修复缺陷的有机发光二极管显示器的检测方法。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如在此具体和概括描述的，一种有机发光二极管显示器，包括：基板；形成在所述基板上的栅极金属层；形成在所述栅极金属层上以暴露一部分栅极金属层的栅极绝缘层和蚀刻阻止层；形成在所述蚀刻阻止层上的第一源极和漏极金属层；形成在所述第一源极和漏极金属层上以暴露第一源极和漏极金属层的预定区域的钝化层；形成在所述钝化层上的第二源极和漏极金属层，所述第二源极和漏极金属层与具有被暴露的预定区域的第一源极和漏极金属层接触；层间绝缘层，所述层间绝缘层具有第一接触孔和第二接触孔，第二源极和漏极金属层的第一区域和第二区域分别通过所述第一接触孔和第二接触孔暴露；和形成在所述层间绝缘层上以覆盖所述第一接触孔的阳极金属层，所述阳极金属层延伸覆盖所述第二接触孔。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如在此具体和概括描述的，一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：制备基板；在所述基板上形成栅极金属层；在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层和蚀刻阻止层；在所述蚀刻阻止层上形成第一源极和漏极金属层；形成用于暴露第一源极和漏极金属层的预定区域的钝化层；在所述钝化层上形成与所述第一源极和漏极金属层接触的第二源极和漏极金属层；形成具有第一接触孔和第二接触孔的层间绝缘层，第二源极和漏极金属层的第一区域和第二区域分别通过所述第一接触孔和第二接触孔暴露；和在所述层间绝缘层上形成覆盖所述第一接触孔的阳极金属层，所述阳极金属层延伸覆盖所述第二接触孔。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如在此具体和概括描述的，一种检测有机发光二极管显示器的方法，所述有机发光二极管显示器包括有机发光二极管，以及控制所述有机发光二极管的开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和采样薄膜晶体管，所述方法包括：向开关薄膜晶体管的栅极电极和漏极电极施加DC(直流)波形的第一电压；向驱动薄膜晶体管的漏极电极施加所述第一电压；和向采样薄膜晶体管的漏极电极施加DC波形的第二电压，并向采样薄膜晶体管的栅极电极施加以预定宽度摆动的第三电压。
根据本发明，通过相对于由于有机发光二极管显示器的基板上的台阶差而容易产生开口缺陷的区域来形成双栅极结构的上金属层从而进一步形成至少一个接触部，使得即使产生开口缺陷时仍能正常施加信号。
此外，尽管产生了额外的开口缺陷，但施加了预定电位的信号，由此很容易确定开口缺陷的产生。
本发明进一步的适用范围从下文给出的详细描述将变得更加显而易见。然而，应当理解，仅通过举例说明的方式给出了表示本发明优选实施方式的详细描述和具体例子，根据所述详细描述，在本发明的精神和范围内的各种改变和修改对于本领域技术人员来说是显而易见的。
附图说明
附图提供对本发明的进一步理解并且并入说明书而组成说明书的一部分。所述附图示出本发明的示范性的实施方式，并且与说明书文字一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1是常规有机发光二极管显示器的像素的等效电路图；
图2是图解在常规有机发光二极管显示器中产生的开口缺陷的例子的剖面图；
图3是根据一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的像素的平面图；
图4是图解图3的部分IV-IV’和V-V’的剖面图；
图5A-5H是图解制造根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器的方法的工艺剖面图；
图6A是像素的等效电路图，图解了根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器的开口缺陷检测方法，图6B是施加给图6A的像素的信号的信号波形图。
具体实施方式
现在将参照附图详细描述示例性实施方式。为便于参照附图简要描述方便，向相同或等同的组件提供相同的参考标记，且不对其重复描述。
图3是根据一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的像素的平面图，图4是图解图3的部分IV-IV’和V-V’的剖面图。根据本发明的有机发光二极管显示器的像素包括三个薄膜晶体管。
参照图3和图4，在根据本发明的有机发光二极管显示器中，在基板100上形成包括栅极电极和信号线的栅极金属层113。在此，基板100可由具有柔性的柔性塑料材料形成，从而有机发光二极管显示器即使在像纸张一样弯曲时仍能保持显示性能。
栅极金属层113可形成为包括具有低电阻特性的第一金属材料，例如铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼钛(MoTi)中任意一种的单层结构，或者可形成为包括上述两种或更多种材料的双层或三层结构。栅极金属层113形成电容器C1的下电极。栅极金属层113延伸形成驱动薄膜晶体管DRT的栅极电极1131。
在包括栅极金属层113的基板的显示区域的整个表面上形成由绝缘材料，例如无机材料的氧化硅(SiO2)或硅的氮化物(SiNx)形成的栅极绝缘层115和蚀刻阻止层116。
在栅极绝缘层115与蚀刻阻止层116之间由选自非晶硅、多晶硅和氧化物半导体任意一种形成与每个薄膜晶体管SWT，SST或DRT对应的半导体层121。半导体层121的部分区域通过形成在蚀刻阻止层116中的接触孔被暴露，并在栅极绝缘层115和包括该接触孔的蚀刻阻止层116上形成第一源极和漏极金属层122，第一源极和漏极金属层122包括驱动薄膜晶体管DRT的源极电极和漏极电极1221、用于施加数据信号Vdata的线1222和用于施加电源电压ELVDD的线1223。
在此，第一源极和漏极金属层122可由例如铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)、钼钛(MoTi)、铬(Cr)和钛(Ti)中的任意一种或多种的组合形成。
特别是，由该金属材料形成的源极电极和漏极电极1221是形成在驱动薄膜晶体管DRT中。在此，源极电极和漏极电极1221彼此分隔开并与通过接触孔而暴露的半导体层121接触。因此，栅极电极1131、栅极绝缘层115、半导体层121以及源极电极和漏极电极1221组成一个驱动薄膜晶体管DRT。除了驱动薄膜晶体管DRT之外，开关薄膜晶体管SWT和采样薄膜晶体管SST也形成为相同的层叠结构。
在此，开关薄膜晶体管SWT的栅极电极和漏极电极分别与扫描线和数据线相连接，开关薄膜晶体管SWT的源极电极电连接到驱动薄膜晶体管DRT的栅极电极。驱动薄膜晶体管DRT的源极电极与采样薄膜晶体管SST的源极电极相连接。
第一源极和漏极金属层122构成电容器C1的上电极。
同时，在这些附图中，作为一个例子显示了第一源极和漏极金属层122具有单层结构的情形。然而，第一源极和漏极金属层122可通过组合两种金属材料而形成为双层或三层结构。
在第一源极和漏极金属层122上形成覆盖驱动薄膜晶体管DRT并暴露一部分第一源极和漏极金属层122的钝化层125。具体地说，蚀刻钝化层125的部分区域，以暴露钝化层125下方的第一源极和漏极金属层122。钝化层125与形成在其上的第二源极和漏极金属层127接触。
在钝化层125上形成第二源极和漏极金属层127。第二源极和漏极金属层127可由与第一源极和漏极金属层122相同的材料形成。具体地说，第二源极和漏极金属层127包括在驱动薄膜晶体管DRT上方被构图的辅助栅极电极1271，从而施加给栅极电极1131的相同电压被施加给辅助栅极电极1271，由此形成双栅极结构。
辅助栅极电极1271一直延伸至第一源极和漏极金属层122的暴露区域，以与第一源极和漏极金属层122接触。因此，辅助栅极电极1271使得从第一源极和漏极金属层122提供的信号施加至阳极金属层143。
在第二源极和漏极金属层127上形成层间绝缘层131。在层间绝缘层131的部分区域中形成用于暴露形成在层间绝缘层131下方的第二源极和漏极金属层127的第一接触孔141，并在包括第一接触孔141的层间绝缘层131上形成对每个像素来说具有分离形式的阳极金属层143。
在此，由第一接触孔141暴露的区域与由栅极金属层113和第一源极和漏极金属层122构成的电容器C1重叠。由第一接触孔141暴露的区域被定义为第一区域，在该第一区域中第二源极和漏极金属层127与阳极金属层143接触。
在第一区域中，第一源极和漏极金属层122和第二源极和漏极金属层127通过钝化层125彼此绝缘。
阳极金属层143构成有机发光二极管的阳极电极。尽管这些图中未示出，但在阳极金属层143上形成由用于分别发射红色、绿色和蓝色光的有机发光图案(未示出)构成的有机发光层以及阴极电极(未示出)。因此，阳极金属层143、阴极电极以及夹在两个电极之间的有机发光层构成了有机发光二极管。
在此，有机发光层可形成为包括有机发光材料的单层结构。可选择地，为了提高发光效率，有机发光层可形成为包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层的多层结构。
特别是，在本发明中，阳极金属层143在一个方向上一直延伸至层间绝缘层131的第二接触孔142，以与第二源极和漏极金属层127重复接触，通过第二接触孔142，未与钝化层125重叠的第二源极和漏极金属层127被暴露。
就是说，除了在与钝化层125重叠的区域中形成的第一接触孔141之外，对应于下述区域进一步形成第二接触孔142，所述区域是在一个像素中所包括的层间绝缘层131中，第一源极和漏极金属层122和第二源极和漏极金属层127通过蚀刻钝化层125相接触的区域。阳极金属层143一直延伸至第二接触孔142，从而第二源极和漏极金属层127与阳极金属层143重复接触。
在此，由第二接触孔142暴露的区域被定义为第二区域，在该第二区域中栅极金属层113、第一源极和漏极金属层122、第二源极和漏极金属层127以及阳极金属层143彼此直接接触地依次形成。
根据上述结构，尽管在第二源极和漏极金属层127的蚀刻工艺中由于钝化层125的台阶差而产生第二源极和漏极金属层127的开口缺陷，但阳极金属层143与第一源极和漏极金属层122之间的电连接未改变。施加给阳极金属层143的信号是通过驱动薄膜晶体管DRT施加的电源电压ELVDD。
同时，在阳极金属层143上进一步形成防止湿气渗透进入有机发光层的至少一个钝化层、有机层、保护膜等，由此形成一个有机发光二极管显示器。
下文，将参照图5A-5H描述制造根据该示例性实施方式的有机发光二极管显示器的方法。
图5A-5H是图3的部分IV-IV’和V-V’的工艺剖面图，图解了制造根据该示例性实施方式的有机发光二极管显示器的方法。首先，参照图5A，图5A的(a)图解了图3的部分IV-IV’，该部分是阳极电极与驱动薄膜晶体管相连接的区域，图5A的(b)图解了图3的部分V-V’，该部分是驱动薄膜晶体管的区域。
首先，制备基板100，基板100成为将要在其上形成像素图案的对象。在此，基板100可由具有柔性的柔性塑料材料形成，从而有机发光二极管显示器即使在像纸张一样弯曲时仍能保持显示性能。
接着，在基板100上形成由绝缘材料，例如无机绝缘材料的氧化硅(SiO2)或硅的氮化物(SiNx)形成的缓冲层(未示出)。根据半导体层(未示出)的特性，可省略缓冲层(未示出)。
随后，在缓冲层(未示出)上形成具有低电阻特性的第一金属材料。例如，第一金属材料可形成为包括铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼钛(MoTi)中任意一种的单层结构，或者可形成为包括上述两种或更多种材料的双层或三层结构。使用掩模将第一金属材料构图，由此形成包括信号线和驱动薄膜晶体管的栅极电极1131的栅极金属层113。该图中显示了栅极金属层113和栅极电极1131具有单层结构的一个例子。
接着，参照图5B，在包括栅极金属层113和栅极电极1131的基板100上形成由无机绝缘材料的氧化硅(SiO2)或硅的氮化物(SiNx)形成的栅极绝缘层115。随后，与栅极电极1131对应地由选自非晶硅、多晶硅和氧化物半导体任意一种形成半导体层121。
随后，参照图5C，在栅极绝缘层115和半导体层121上沉积绝缘材料。将绝缘材料与栅极绝缘层115的部分区域一起构图，由此形成用于部分暴露栅极金属层113和半导体层121的蚀刻阻止层116。
接着，参照图5D，在蚀刻阻止层116上沉积第二金属材料并构图，由此形成第一源极和漏极金属层122以及驱动薄膜晶体管的源极电极和漏极电极1221。在此，第二金属材料可包括铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铜合金，钼(Mo)、钼钛(MoTi)、铬(Cr)和钛(Ti)中的一种或多种。
此外，当构图第二金属材料时，同时形成通过其施加数据信号的数据线、通过其施加电源电压的电源线(未示出)等。当在通过蚀刻阻止层116的接触孔所暴露的驱动晶体管的半导体层121上接触第二金属材料并构图时，同时形成由第二金属材料形成的源极电极和漏极电极1221。因此，依次层叠在驱动晶体管的区域中的栅极电极1131、半导体层121以及源极电极和漏极电极1221构成了一个驱动薄膜晶体管。
在此，作为一个例子显示了第一源极和漏极金属层122具有单层结构的情形。然而，第一源极和漏极金属层122可通过组合两种不同的金属材料形成为双层或三层结构。
尽管图中未示出，但开关薄膜晶体管和采样薄膜晶体管也可形成为与驱动晶体管相同的层叠结构。
接着，参照图5E，在包括第一源极和漏极金属层122的基板100的整个表面上沉积绝缘材料并构图，由此形成钝化层125。在此，通过构图工艺，钝化层125使形成在其下方的第一源极和漏极金属层122暴露出来。
随后，参照图5F，沉积第三金属材料并构图，以覆盖钝化层125的顶部，由此形成第二源极和漏极金属层127以及驱动薄膜晶体管的辅助栅极电极1271。在此，第三金属材料可以是与构成第一源极和漏极金属层122的第二金属材料相同的材料。
特别是，在该工艺中，第二源极和漏极金属层127通过形成在钝化层125中的接触孔与第一源极和漏极金属层122接触，从而将从第一源极和漏极金属层122施加的信号提供给第二源极和漏极金属层127。因为施加给栅极电极1131的相同信号被施加给辅助栅极电极1271，所以实现了双栅极结构的驱动薄膜晶体管。
接着，参照图5G，在包括第二源极和漏极金属层127以及辅助栅极电极1271的基板100的整个表面上沉积无机绝缘材料氧化硅(SiO2)、硅的氮化物(SiNx)等并构图，由此形成层间绝缘层131。特别是，在沉积绝缘材料之后，通过构图工艺在层间绝缘层131上形成第一和第二接触孔141和142，通过第一和第二接触孔141和142，对于第二源极和漏极金属层127来说至少两个区域被暴露。第一接触孔141形成为与电容器重叠，第二接触孔142形成在第一源极和漏极金属层122与第二源极和漏极金属层127直接接触的区域上。随后，参照图5H，在层间绝缘层131上沉积诸如ITO的透明金属材料，然后选择性构图该透明金属材料，由此形成双栅极结构的阳极金属层143。阳极金属层143通过第一和第二接触孔141和142与第二源极和漏极金属层127接触，且阳极金属层143对于每个像素来说具有分离的形式。
特别是，在该示例性实施方式中，与常规技术相比，阳极金属层143在一个方向上进一步一直延伸至第二接触孔，以与顶部通过第二接触孔142暴露的第二源极和漏极金属层127直接接触。
因此，尽管由于钝化层125的台阶差而在第二源极和漏极金属层127中产生开口缺陷，但因为保持了阳极金属层143与同第一源极和漏极金属层122直接接触的第二源极和漏极金属层127之间的接触，所以阳极金属层143接收正常施加的信号。
尽管图中未示出，但在阳极金属层143上进一步形成防止湿气渗透进入有机发光层的至少一个钝化层、有机层、保护膜等，由此完成一个有机发光二极管显示器的制造工艺。
同时，将描述检测在根据该示例性实施方式的有机发光二极管显示器中，是否正常形成了双栅极结构的阳极金属层以及检查尽管正常形成了阳极金属层但仍额外产生开口缺陷的方法。
图6A是像素的等效电路图，图解了检测根据该示例性实施方式的有机发光二极管显示器的开口缺陷的方法，图6B是施加给图6A的像素的信号的信号波形图。
参照图6A和图6B，本发明的有机发光二极管显示器的开口缺陷检测方法是一种检测有机发光二极管EL与驱动薄膜晶体管DRT之间的开口缺陷的方法，该方法包括向开关薄膜晶体管SWT的栅极电极和漏极电极施加DC波形的第一电压、向驱动薄膜晶体管DRT的漏极电极施加第一电压、以及向采样薄膜晶体管SST的漏极电极施加DC波形的第二电压并向采样薄膜晶体管SST的栅极电极施加以预定宽度摆动的第三电压。
具体地说，施加给驱动薄膜晶体管DRT的漏极电极的电源电压ELVDD、施加给开关薄膜晶体管SWT的漏极电极的数据电压Vdata、以及施加给有机发光二极管EL的阴极电极的地电压ELVSS全都被控制为0V，即第一电压。
此外，通过采样薄膜晶体管SST施加的参考电压Vref被固定为3V，即第二电压，并且作为在-15V与20V之间摆动的波形，施加用于控制参考电压Vref的第三电压，即电压Vpul。
因此，根据有机发光二极管EL的发光形式，很容易使用任何单独的检测部件检测有机发光二极管EL与驱动薄膜晶体管DRT之间的开口缺陷的产生。
当因为有机发光二极管EL不发光或从有机发光二极管EL发射的光亮度相当低而根据检测方法确定产生了开口缺陷时，形成在与阳极金属层(图4的143)相邻的第一源极和漏极金属层(图4的122)或第二源极和漏极金属层(图4的127)上的绝缘结构被蚀刻，从而暴露绝缘结构的部分区域，并进一步形成覆盖阳极金属层和所述暴露区域的短路图案，由此进行修复。可应用CVD轰击(CVD zapping)方法作为这种修复方法。
前述的实施方式和优点仅仅是示例性的，并不解释为限制本发明。本发明很容易应用于其他类型的装置。本说明书意在举例说明，并不限制权利要求的范围。一些替换、修改和变化对于本领域技术人员来说是显而易见的。这里所公开的示例性实施方式的特征、结构、方法和其他特性可以以各种方式组合，从而获得另外和/或可选择的示例性实施方式。
因为在不脱离其特性的情况下目前的特征可以以多种方式组合，所以应当理解，上述的实施方式并不限于前述说明书的任何细节，除非另有说明，而是应当在所附权利要求定义的范围内广义地解释，因此意在由所附的权利要求包含落在权利要求的边界和范围，或者这种边界和范围的等同物内的所有变化和修改。
Claims (15)
1.一种有机发光二极管显示器，包括：
基板；
位于所述基板上的栅极金属层；
位于所述栅极金属层上以暴露一部分栅极金属层的栅极绝缘层和蚀刻阻止层；
位于所述蚀刻阻止层上的第一源极和漏极金属层；
位于所述第一源极和漏极金属层上以暴露所述第一源极和漏极金属层的预定区域的钝化层；
位于所述钝化层上的第二源极和漏极金属层，所述第二源极和漏极金属层与具有暴露的预定区域的第一源极和漏极金属层接触；
层间绝缘层，所述层间绝缘层具有第一接触孔和第二接触孔，第二源极和漏极金属层的第一区域和第二区域分别通过所述第一接触孔和第二接触孔暴露；和
位于所述层间绝缘层上以覆盖所述第一接触孔的阳极金属层，所述阳极金属层延伸覆盖所述第二接触孔。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，包括：
设置在与所述栅极金属层同一层中的栅极电极；
设置在所述栅极绝缘层上并与所述栅极电极重叠的半导体层；
设置在与所述第一源极和漏极金属层同一层中的源极电极和漏极电极，所述源极电极和漏极电极通过由蚀刻阻止层暴露的区域与所述半导体层接触；和
设置在与所述第二源极和漏极金属层同一层中并与所述半导体层重叠的辅助栅极电极。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一区域是所述栅极金属层与所述第一源极和漏极金属层构成电容器且所述第一源极和漏极金属层与所述第二源极和漏极金属层彼此绝缘的区域。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二区域是所述第一源极和漏极金属层与所述第二源极和漏极金属层彼此直接接触的区域。
5.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：
制备基板；
在所述基板上形成栅极金属层；
在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层和蚀刻阻止层；
在所述蚀刻阻止层上形成第一源极和漏极金属层；
形成用于暴露所述第一源极和漏极金属层的预定区域的钝化层；
在所述钝化层上形成与所述第一源极和漏极金属层相接触的第二源极和漏极金属层；
形成具有第一接触孔和第二接触孔的层间绝缘层，第二源极和漏极金属层的第一区域和第二区域分别通过所述第一接触孔和第二接触孔暴露；和
在所述层间绝缘层上形成覆盖所述第一接触孔的阳极金属层，所述阳极金属层延伸覆盖所述第二接触孔。
6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述基板上形成栅极金属层包括在与所述栅极金属层同一层中形成薄膜晶体管的栅极电极。
7.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述栅极绝缘层和所述蚀刻阻止层包括：
在包括所述栅极金属层的基板的整个表面上形成所述栅极绝缘层；
与所述栅极电极重叠形成所述薄膜晶体管的半导体层；和
暴露半导体层的预定区域并在所述栅极绝缘层上形成所述蚀刻阻止层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述第一源极和漏极金属层包括在与所述第一源极和漏极金属层同一层中形成源极电极和漏极电极，所述源极电极和漏极电极通过由蚀刻阻止层暴露的区域接触所述半导体层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述第二源极和漏极金属层包括在与所述第二源极和漏极金属层同一层中形成与半导体层重叠的辅助栅极电极。
10.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一区域是所述栅极金属层与所述第一源极和漏极金属层构成电容器且所述第一源极和漏极金属层与所述第二源极和漏极金属层彼此绝缘的区域。
11.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二区域是所述第一源极和漏极金属层与所述第二源极和漏极金属层彼此直接接触的区域。
12.一种检测有机发光二极管显示器的方法，所述有机发光二极管显示器包括有机发光二极管，以及控制所述有机发光二极管的开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和采样薄膜晶体管，所述方法包括：
向开关薄膜晶体管的栅极电极和漏极电极施加DC波形的第一电压；
向驱动薄膜晶体管的漏极电极施加所述第一电压；和
向采样薄膜晶体管的漏极电极施加DC波形的第二电压，并向采样薄膜晶体管的栅极电极施加以预定宽度摆动的第三电压。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一电压为具有与地电压相等电位的电压。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二电压为电位至少比所述第一电压的电位高的电压。
15.根据权利要求12所述的方法，其中所述第三电压为电位在-15V与20V之间摆动的电压。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |