TWI545740B - 有機發光顯示裝置及製造其之方法 - Google Patents

有機發光顯示裝置及製造其之方法 Download PDF

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Description

有機發光顯示裝置及製造其之方法
本發明的一個或更多的實施例涉及一種有機發光顯示裝置和製造其之方法，更特別是，一種具有改善的堆疊結構的有機發光顯示裝置和製造該有機發光顯示裝置的方法，以減少使用光罩的數量。
最近，平面顯示裝置，其可能是可攜式的，被廣泛用作顯示裝置。在平面顯示裝置中，電致發光顯示裝置是自發射型顯示裝置，其具有寬廣的視角、優秀的對比度和快速的響應速度，因此，被認為是下一代顯示裝置。此外，有機發光顯示裝置中之發光層是由有機材料所形成的，該有機發光顯示裝置具有比無機發光顯示裝置較高的亮度、卓越的驅動電壓以及更快的反應速度，並且可實現多種顏色。
有機發光顯示裝置包括薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)單元和藉由TFT單元驅動的有機發光元件以發光。TFT單元可以透過在基板上堆疊導體、半導體和絕緣層而形成，並且形成TFT包括用於控制有機發光元件的驅動電晶體和開關電晶體、電容器、數據線、掃描線和像素單元。TFT單元可透過使用光罩的光阻製程來製造。
然而，由於數據線和掃描線在基板上相互交叉，難以在相同層上配置數據線和掃描線。因此，根據傳統的技術，數據線和掃描線配置在不同層，並藉由絕緣層所隔開。然而，當堆疊層的數量增加時，藉由使用光罩來暴露圖案和蝕刻的過程是額外執行的。因此，隨著堆疊數量的增加，製造過程變為複雜。
最近，半色調(half-tone)光罩已被用於減少使用光罩的數量，但是，暴露程度的改變取決於每回使用光罩暴露的部分。因此，很難執行上述過程，因此，產品的不良率增加。
此外，由於基板在尺寸上之增加，為了實現大屏幕，低電阻電線是必要的，因此，形成粗的數據線和掃描線。然而，配置在數據線和掃描線之間的絕緣層應比數據線和掃描線還粗，以防止從數據線和掃描線相交處所產生的電性短路，其中數據線和掃描線配置在不同層。
實施例針對一種有機發光顯示裝置和製造其之方法，其大大地克服了由於先前技術的限制和缺點所致的一個或多個問題。
因此，實施例的特點提供了一種具有改善的堆疊結構的有機發光顯示裝置以及一種製造該有機發光顯示裝置的方法，以透過減少使用的光罩數量來簡化製造該裝置的程序。
實施例的另一特點提供一種具有改善的堆疊結構的有機發光顯示裝置以及一種製造該有機發光顯示裝置的方法，以透過減少使用的光罩數量而無需使用半色調光罩來簡化製造該裝置的程序。
實施例的另一特點也提供一種具有改善的堆疊結構的有機發光顯示裝置以及一種製造該有機發光顯示裝置的方法，以實現低電阻電線。
其他方面將載於以下所描述的部分，並且在某種程度上可從該描述中顯而易見的，或者可以藉由本實施例的實踐來學習。
以上和額外的特點和優勢中的至少一個可透過提供一種有機發光顯示裝置來實現，該有機發光顯示裝置包括：像素單元，有機發光元件形成於其上；薄膜電晶體(TFT)，電連接該像素單元；數據線和掃描線，電連接到TFT並且在基板上彼此相交來配置，其中該數據線和該掃描線形成在一層中；以及橋，其允許在數據線和掃描線的交叉處上，數據線和掃描線中之一者繞過另一者。
該橋可包括形成在該基板上的用於該數據線的橋和用於該掃描線的橋。該交叉進一步包括：絕緣層，形成在該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋上；以及接觸孔，形成在用於連接該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋的該絕緣層中。當該數據線和該掃描線是在該絕緣層上的一層中時，該數據線透過該接觸孔連接到該用於該數據線的橋，該掃描線透過該接觸孔連接到該用於該掃描線的橋，以便允許該數據線和該掃描線的一者相交，而不是干預彼此。
該用於該數據線的橋可跨越該掃描線，同時該絕緣層插至其中，並且該用於該掃描線的橋可跨越與該數據線分叉的該TFT的源極-汲極電極層，同時該絕緣層插至其中。
該TFT可包括：閘極電極層，該絕緣層形成在其上，與該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋在相同層中；主動層，形成在該絕緣層上； 蝕刻-停止絕緣層，形成在該主動層上；以及源極-汲極電極層，形成在該蝕刻-停止絕緣層上，與該數據線和該掃描線在相同層中。
該TFT可包括：開關電晶體，電連接到該數據線和該掃描線；以及驅動電晶體，電連接到該數據線和該像素單元。該開關電晶體可使用該用於該掃描線的橋以作為閘極電極層。
該像素單元可包括：閘極電極層，該絕緣層形成在其上，與該基板上的該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋在相同層中；以及像素電極層，形成在該絕緣層上並且與該數據線和該掃描線在相同層中，且連接到該閘極電極層。
有機發光顯示裝置可進一步包括電容器，其在該TFT和該像素單元之間電連接。該電容器可包括：閘極電極層，該絕緣層形成在其上，與該基板上的該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋在相同層中；以及源極-汲極電極層，形成在該絕緣層上，與該數據線和該掃描線在相同層中。
上述和額外的特點和優勢中的至少一個可透過提供一種製造有機發光顯示裝置的方法來實現，該方法包括：形成像素單元，有機發光元件形成在其上；形成薄膜電晶體(TFT)，電連接該像素單元；形成數據線和掃描線，電連接到該TFT並且在基板上相互交叉配置；以及形成橋，在該數據線和該掃描線的交叉處上允許該數據線和該掃描線的一者繞過另一者。
形成該橋可包括在該基板上形成用於該數據線的橋和用於該掃描線的橋。
該方法可進一步包括：在該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋上形成絕緣層；形成接觸孔，在該絕緣層中分別接觸該用於該數據線的橋 和該用於該掃描線的橋；以及在該絕緣層上堆疊該數據線和該掃描線，致使該數據線透過該接觸孔連接到該用於該數據線的橋，並且該掃描線透過該接觸孔連接到該用於該掃描線的橋，以便該數據線和該掃描線彼此上下跨越。
該用於該數據線的橋跨越該掃描線其具有插至其之間的該絕緣層，並且該用於該掃描線的橋跨越與該數據線偏離的該TFT的源極-汲極電極層具有插至其之間的該絕緣層。
形成該TFT可包括：在該基板上形成一層閘極電極，其中該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋形成於該層上；在該閘極電極層上形成該絕緣層；在該絕緣層上形成主動層；在該主動層上形成蝕刻-停止絕緣層；以及在該蝕刻-停止絕緣層上形成一層源極-汲極電極層，其中該數據線和該掃描線形成在該層上以致於連接到該主動層。
形成該TFT可包括：形成開關電晶體，電連接到該數據線和該掃描線；以及形成驅動電晶體，電連接到該數據線和該像素單元，其中該開關電晶體使用該用於掃描線的橋作為閘極電極層。
形成該像素單元可包括：在該基板上形成閘極電極層以與該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋在相同層中；在該閘極電極層上形成該絕緣層；在該絕緣層上形成一層像素電極層，並且該數據線和該掃描線形成於該層上以連接到該閘極電極層。
該方法可進一步包括形成電容器，其在該TFT和該像素單元之間電連接。該電容器可包括：在該基板上形成閘極電極層以與該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋在相同層中；在該閘極電極層上形成該絕緣層；以及在該絕緣層上形成一層源極-汲極電極層，該數據線和該掃描線形成於其中，以 便連接到該閘極電極層。
100‧‧‧TFT單元
101‧‧‧基板
102‧‧‧像素定義層
110‧‧‧像素單元
111‧‧‧閘極電極層
111a‧‧‧接觸孔
112‧‧‧絕緣層
113‧‧‧像素電極層
120‧‧‧電容器
121‧‧‧閘極電極層
121a‧‧‧接觸孔
122‧‧‧絕緣層
123‧‧‧源極-汲極電極層
130‧‧‧驅動電晶體
131‧‧‧閘極電極層
131a‧‧‧接觸孔
132‧‧‧絕緣層
133‧‧‧主動層
133a‧‧‧接觸孔
134‧‧‧蝕刻-停止絕緣層
135‧‧‧源極-汲極電極層
140‧‧‧開關電晶體
143‧‧‧主動層
143a‧‧‧接觸孔
144‧‧‧蝕刻-停止絕緣層
145‧‧‧源極-汲極電極層
150‧‧‧TFT
160‧‧‧數據線
161‧‧‧橋
161a‧‧‧接觸孔
162‧‧‧絕緣層
170‧‧‧掃描線
171‧‧‧橋
171a‧‧‧接觸孔
190‧‧‧恆定電壓線
200‧‧‧有機發光元件
210‧‧‧有機發光層
220‧‧‧輔助電極層
該領域中通常技術人士可參考所附圖式來詳細描述示範性實施例以對上述的其他特點和優點更加明顯，其中：圖1為根據本發明的實施例來說明有機發光顯示裝置的平面圖，圖2說明如圖1所示的有機發光顯示裝置中的像素單元的橫截面圖，圖3說明如圖1所示的有機發光顯示裝置中的驅動電晶體的橫截面圖，圖4說明如圖1所示的有機發光顯示裝置中的電容器的橫截面圖，圖5說明如圖1所示的有機發光顯示裝置中的數據線和掃描線互相交叉的部分A的橫截面圖，以及圖6A至6D為根據本發明的實施例來說明在製造如圖1所示的有機發光顯示裝置的過程中的階段的平面圖。
韓國專利申請案第10-2010-0000898號，於2010年1月6日在韓國知識產權局提申，名稱為“ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME(有機發光顯示裝置和製造其之方法)”，其以參考形式將它全部內容併入於此。
示範性實施例現在將參照以下所附的圖式以更加充分地描述，但是他們可能會以不同的形式來實施，並且不應被解釋為僅限於此處本描述的實 施例。相反地，提供這些實施例使這這些披露將更徹底和完整，並且對該領域中的技術人士充分表達本發明的範圍。
在圖式中，元素和區域的尺寸可被誇大以清晰的說明。它也可以理解成，當層或元素被稱為是“在另一層或基板上”，它可以直接在其他層或基板上，或者也可以出現有介入層。更進一步地，可以理解的是，當層被稱為是“在另一層之下”，它可以是直接地在其之下，亦可有一或是多個介入層來呈現。此外，它也可以理解成，當層被稱為是“在兩個元素之間”，它可以是在兩個元素之間的唯一個元素，或者也可以介入一個或多個元素來呈現。相似的參考數字從頭至尾是指相似的元素。
圖1為根據本發明的實施例來說明有機發光顯示裝置的平面圖。圖2至5為根據本實施例來說明在有機發光顯示裝置中的像素單元110、薄膜電晶體(TFT)150、電容器120與在數據線160和掃描線170之間的交叉(A的部分)的橫截面圖。
參考圖1，本實施例的有機發光顯示裝置包括包含像素單元110的TFT單元100、TFT 150、電容器120、數據線160、掃描線170和恆定電壓線190。有機發光顯示裝置進一步包括藉由堆疊在像素單元110上而電連接至TFT單元100的有機發光元件200。
如圖2所示，有機發光元件200包括電連接至TFT單元100的像素電極層113、面對像素電極層113的輔助電極層(counter electrode layer)220和配置在像素電極層113和輔助電極層220之間的有機發光層210。因此，當電壓自TFT單元100施加到像素電極層113時，在像素電極層113和輔助電極層220之間的有機 發光層210發光。在此，在TFT單元100中堆疊像素單元110期間，像素電極層113形成，這將在後面介紹。
像素單元110包括每個依序堆疊在基板101上的閘極電極層111、絕緣層112和像素電極層113，如圖2所示，其中有機發光元件200堆疊於像素單元110上。此外，當閘極電極層111和像素電極層113穿透絕緣層112時，其相互連接。因此，當電流在閘極電極層111上流動時，電流也在像素電極層113上流動。上述堆疊層的過程將在後面介紹。像素定義層102定義在像素之間的邊界。
如上所述，TFT 150包括電連接到數據線160和掃描線170的開關電晶體140以及電連接到數據線160和像素單元110的驅動電晶體130。開關電晶體140的堆疊結構和驅動電晶體130的堆疊結構是相同的。圖3說明了驅動電晶體130的結構。
如圖3所示，驅動電晶體130可以包括每個依序堆疊在基板101上的閘極電極層131、絕緣層132、主動層133，蝕刻-停止絕緣層134以及源極-汲極電極層135。因此，當適當的電壓施加到閘極電極層131時，藉由使用主動層133作為通道，電流在源極-汲極電極層135上流動。開關電晶體140的源極-汲極電極層(145，參考圖6D)連接到驅動電晶體130的閘極電極層131。驅動電晶體130的源極-汲極電極層135連接到像素單元110的閘極電極層111。
因此，當適合的電壓應用到開關電晶體140的閘極電極層(不顯示)時，電流在驅動電晶體130和像素單元110之間流動。上述層堆疊的過程將在後面介紹。
電容器120在驅動電晶體130和像素單元110之間執行充電/放電操作，以這樣的方式，自有機發光元件200發光所形成的圖像可顯示。圖4說明電 容器120的橫截面圖，其中閘極電極層121、絕緣層122以及源極-汲極電極層123在基板101上依序堆疊。
因此，電容器120的導電構件(即閘極電極層121和源極-汲極電極層123)面對彼此，當其具有插入其間的絕緣層122，從而形成一般電池的結構。上述層堆疊的過程將在後面介紹。
圖5說明A部分的橫截面圖，即在數據線160和掃描線170之間的交叉處的橫截面圖，如圖1所示。如圖5所示，用於數據線160的橋161、絕緣層162與數據線160和掃描線170堆疊在基板101上。
在此，用於數據線160的橋161形成於閘極電極層111、121和131的相同層中，並且形成繞過路徑，其允許數據線160和掃描線170分別彼此上下交叉而不具有在電線之間的干擾。也就是說，數據線160和掃描線170形成於相同層中，然後透過橋161分別彼此上下交叉。
當數據線160和掃描線170形成於相同層中時，將在後面介紹的用於製造有機發光顯示裝置的光罩製程被簡化。也就是說，如果數據線160和掃描線170形成在不同層，如傳統的技術，在數據線160和掃描線170圖案化期間光罩製程被執行，絕緣層162堆疊在被圖案的線上，然後並且在其他線圖案化期間另一個光罩製程被執行。
然而，如上所述，當數據線160和掃描線170同時被圖案化時，光罩製程的數目可以減少，從而可以簡化製造過程。
製造具有已描述結構的有機發光顯示裝置將參照圖6A至6D來說明如下。
參考圖6A，像素單元110的分別的閘極電極層111、121和131、電容器120、驅動電晶體130、開關電晶體140與用於數據線160的橋161和用於掃描線170的橋171可沉積在基板101上。也就是說，閘極電極層111、121和131與橋161和171以同樣的材料來形成，並且形成上述的有機發光顯示裝置的結構的第一層。
開關電晶體140的閘極層可作為用於掃描線170的橋171。第一光罩是用來圖案化閘極電極層111、121和131與橋161和171。
基板101可由玻璃材料、塑料材料(如壓克力)或金屬材料所形成。此外，緩衝層(未顯示)可形成在基板上，以更平坦化基板101。
每個閘極電極層111、121和131與僑161和171可由導電材料(如鉬或銦錫氧化物(ITO))所形成，並且每個可形成雙層結構，其包括堆疊在ITO上的鉬。
在形成第一層之後，絕緣層112、122、132和162形成在第一層上。然後，如圖6B所示，主動層133和主動層143分別形成於驅動電晶體130和開關電晶體140上。主動層133和143可作為源極-汲極層的135和145的導電通道(參考圖6C)，其將分別堆疊於其上。
絕緣層112、122、132和162可作為單一層而同時形成在所有的基板101上。絕緣層112、122、132、162可由例如氧化矽、氧化鉭矽或氧化鋁所形成。
主動層133和143可由例如氧化物半導體所形成。第二光罩可用於圖案化主動層133和143。
可形成蝕刻-停止絕緣層134和蝕刻-停止絕緣層144。然後，如圖6C所示，接觸孔111a、121a、131a、133a、143a、161a和171a可形成於絕緣層112、122、132和162與蝕刻-停止絕緣層134和144上，例如，透過乾蝕刻法。
在上述過程中，蝕刻-停止絕緣層133和143可只留在驅動電晶體130和開關電晶體140的主動層133和143。蝕刻-停止層133和134可由作為絕緣層112、122、132和162的相同所材料形成。第三光罩可以用來形成接觸孔111a、121a、131a、133a、143a、161a和171a。
再者，如圖6所示，驅動電晶體130、開關電晶體140和電容器120的個別源極-汲極電極層135、145和123、像素單元110的像素電極層113與數據線160和掃描線170可在相同層藉由使用相同的材料來圖案化。上述這些層可由例如ITO、銦鋅氧化物(IZO)或氧化鋅(ZnO)所形成。
接觸孔111a、121a、131a、133a、143a、161a和171a可填充上述的層，從而形成適合的電連接。特別是，像素單元110的閘極電極層111和像素電極層113可透過接觸孔111a來連接。進一步，像素單元110可透過接觸孔121a和鄰近接觸孔121a的接觸孔133a的一者連接到電容器120和驅動電晶體130。
主動層133、源極-汲極電極層135和驅動電晶體130的恆定電壓線190可以透過接觸孔133a連接至其他。驅動電晶體130可透過接觸孔111a和121a來連接到電容器120和像素單元110。
開關電晶體140的主動層143和源極-汲極電極層145可透過接觸孔143a來連接。開關電晶體140可透過接觸孔131a來連接到驅動電晶體130和電容器120。
數據線160的斷開部分可透過接觸孔161a藉由橋161彼此電連接。掃描線170可通過在數據線160和掃描線170之間的交叉處的橋161上。
也就是說，數據線160和掃描線170可形成於相同層，但是，數據線160和掃描線170可在數據線160和掃描線170之間的交叉處透過橋161而分別彼此上下交叉。
此外，掃描線170的斷開部分可透過接觸孔171a藉由用於掃描線170的橋171來電連接彼此，並且開關電晶體140的源極-汲極電極層145偏離數據線160。同樣，掃描線170和源極-汲極電極層145可在掃描線170和源極-汲極電極層145之間的交叉處透過橋171分別彼此上下交叉。在此，開關電晶體140的源極-汲極電極層145跨越橋171，但是，因為源極-汲極電極層145偏離數據線160，所以數據線160和掃描線170可在橋171上相互交叉。因此，藉由使用橋161和171，配置在相同層上的數據線160和掃描線170不會互相干擾。
第四光罩可用於圖案化源極-汲極層123、135和145、像素單元110的像素電極層113與數據線160和掃描線170。
在此之後，像素定義層102可由有機材料或無機材料形成在基板101上，除了將有機發光元件200沉積於其上之像素單元110的區域上，例如，透過使用第五光罩。
再者，有機發光元件200可形成在像素單元110上，從而完成在圖1所示的配置。在圖1中，有機發光元件200的輔助電極層220是為方便起見而省略，其中該輔助電極層形成在所有像素定義層102以及像素單元110上。
透過上述的過程，含有形成於相同層的掃描線170和數據線160的有機發光顯示裝置被製造，因此，光罩製程的數目可以減少。此外，由於掃描線170和數據線160形成於相同層，粗導線可形成，使得易於實現低電阻電線。
示範性實施例已揭露於此，雖然使用特定的用語，它們被使用且以通用及描述的意思來解釋，而不是用於限制的目的。因此，在該領域中通常技術者將理解，各種形式的變化和細節可在不偏離下列所規定的申請專利範圍中的本發明的精神和範圍內完成。
100‧‧‧TFT單元
101‧‧‧基板
102‧‧‧像素定義層
110‧‧‧像素單元
120‧‧‧電容器
130‧‧‧驅動電晶體
140‧‧‧開關電晶體
150‧‧‧TFT
160‧‧‧數據線
170‧‧‧掃描線
200‧‧‧有機發光元件

Claims (16)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包括：像素單元，有機發光元件形成於其上；薄膜電晶體(TFT)，電連接該像素單元；數據線和掃描線，電連接到TFT並且在基板上彼此相交來配置，其中該數據線和該掃描線形成在一層中；以及橋，允許數據線和掃描線的一者繞過另一個，並且在數據線和掃描線的交叉處上，其中該橋包括用於該數據線的橋和用於該掃描線的橋，該掃描線與該TFT的源極-汲極電極層之間的交叉處係透過該用於該掃描線的橋彼此上下交叉。
  2. 根據申請專利範圍第1項的有機發光顯示裝置，其中該交叉處進一步包括：絕緣層，形成在該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋上以及接觸孔，形成在用於連接該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋的該絕緣層上，以及當該數據線和該掃描線是在該絕緣層上的一層中時，該數據線透過該接觸孔連接到用於該數據線的橋，並且該掃描線透過該接觸孔連接到用於該掃描線的橋，以便允許該數據線和該掃描線的一者相交，而不是干預彼此。
  3. 根據申請專利範圍第2項的有機發光顯示裝置，其中該用於數據線的橋跨越該掃描線具有插至其之間的該絕緣層，並且該用 於掃描線的橋跨越與該數據線分叉的該TFT的源極-汲極電極層具有插至其之間的該絕緣層。
  4. 根據申請專利範圍第2項的有機發光顯示裝置，其中該TFT包括：閘極電極層，該絕緣層形成在其上，與該用於數據線的橋和該用於掃描線的橋在相同層中；主動層，形成在該絕緣層上；蝕刻-停止絕緣層，形成在該主動層上；以及源極-汲極電極層，形成在該蝕刻-停止絕緣層上，與該數據線和該掃描線在相同層中。
  5. 根據申請專利範圍第4項的有機發光顯示裝置，其中該TFT包括：開關電晶體，電連接到該數據線和該掃描線；以及驅動電晶體，電連接到該數據線和該像素單元，其中該開關電晶體使用該用於掃描線的橋以作為閘極電極層。
  6. 根據申請專利範圍第2項的有機發光顯示裝置，其中，該像素單元包括：閘極電極層，該絕緣層形成在其上，與該基板上之用於該數據線的橋及該用於掃描線的橋在相同層中；以及像素電極層，形成在該絕緣層上並且與該數據線和該掃描線在相同層中，且連接到該閘極電極層。
  7. 根據申請專利範圍第2項的有機發光顯示裝置，進一步包括電 容器，其在該TFT和該像素單元之間電連接。
  8. 根據申請專利範圍第7項的有機發光顯示裝置，其中該電容器包括：閘極電極層，該絕緣層形成在其上，與該基板上之用於該數據線的橋和用於該掃描線的橋在相同層中；以及源極-汲極電極層，形成在該絕緣層上，與該數據線和該掃描線在相同層中。
  9. 一種製造有機發光顯示裝置的方法，該方法包括：形成像素單元，有機發光元件形成在其上；形成薄膜電晶體(TFT)，電連接該像素單元；形成數據線和掃描線，電連接到該TFT並且在基板上相互交叉配置；以及形成橋，在該數據線和該掃描線的交叉處上允許該數據線和該掃描線的一者繞過另一個，其中形成該橋包括形成用於該數據線的橋和用於該掃描線的橋，該掃描線與該TFT的源極-汲極電極層之間的交叉處係透過該用於該掃描線的橋彼此上下交叉。
  10. 根據申請專利範圍第9項的方法，進一步包括：在該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋上形成絕緣層；形成接觸孔，在該絕緣層中分別接觸用於該數據線的橋和用於該掃描線的橋；以及 在該絕緣層上堆疊該數據線和該掃描線，致使該數據線透過該接觸孔連接到用於該數據線的橋，並且該掃描線透過該接觸孔連接到用於該掃描線的橋，以便該數據線和該掃描線彼此上下跨越。
  11. 根據申請專利範圍第10項的方法，其中該用於數據線的橋跨越該掃描線具有插至其之間的該絕緣層，並且用於該掃描線的橋跨越與該數據線偏離的該TFT的源極-汲極電極層具有插至其之間的該絕緣層。
  12. 根據申請專利範圍第10項的方法，其中形成該TFT包括：在該基板上之一層中形成閘極電極，其中用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋形成於該層中；在該閘極電極層上形成該絕緣層；在該絕緣層上形成主動層；在該主動層上形成蝕刻-停止絕緣層；以及在該蝕刻-停止絕緣層上形成一層源極-汲極電極層，其中該數據線和該掃描線形成在該層上以致於連接到該主動層。
  13. 根據申請專利範圍第12項的方法，其中形成該TFT包括：形成開關電晶體，電連接到該數據線和該掃描線；以及形成驅動電晶體，電連接到該數據線和該像素單元，其中該開關電晶體使用該用於掃描線的橋作為閘極電極層。
  14. 根據申請專利範圍第10項的方法，其中形成該像素單元包括： 在該基板上形成閘極電極層以與該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋在相同層中；在該閘極電極層上形成該絕緣層；在該絕緣層上形成一層像素電極層，並且該數據線和該掃描線形成於該層中以連接到該閘極電極層。
  15. 根據申請專利範圍第10項的方法，進一步包括形成電容器，其在該TFT和該像素單元之間電連接。
  16. 根據申請專利範圍第15項的方法，其中形成該電容器包括：在該基板上形成閘極電極層以與該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋在相同層中；在該閘極電極層是上形成該絕緣層；以及在該絕緣層上形成一層源極-汲極電極層，於其中形成該數據線和該掃描線。
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