CN106384745A - 显示基板的制备方法 - Google Patents
显示基板的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106384745A CN106384745A CN201611030764.0A CN201611030764A CN106384745A CN 106384745 A CN106384745 A CN 106384745A CN 201611030764 A CN201611030764 A CN 201611030764A CN 106384745 A CN106384745 A CN 106384745A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- curable materials
- materials layer
- base plate
- layer
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 98
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 6
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 5
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000734 polysilsesquioxane polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种显示基板的制备方法,属于显示基板制备技术领域,其可至少部分解决现有显示基板中的平坦化层平整度不足、制备工艺复杂且成本高的问题。本发明的显示基板的制备方法包括:在具有第一显示结构的基底上形成可固化材料层;用纳米压印模具对所述可固化材料层进行压印,使所述可固化材料层平坦化,并在所述可固化材料层中形成与第一显示结构连通的过孔;使所述可固化材料层固化,形成平坦化层;形成第二显示结构,第二显示结构通过所述过孔与第一显示结构连接。
Description
技术领域
本发明属于显示基板制备技术领域,具体涉及一种显示基板的制备方法。
背景技术
如图1所示,在有机发光二极管(OLED)阵列基板中,基底9上设有栅线、数据线、薄膜晶体管等显示结构,由于显示结构仅位于部分位置,且不同显示结构的高度(厚度)不同,故它们会造成段差。为消除段差,需要用平坦化层1覆盖这些显示结构,平坦化层1中有通过光刻工艺形成的过孔11。之后,再于平坦化层1上继续形成有机发光二极管的阳极、发光层、阴极等(图中未示出),其中阳极通过以上过孔11与薄膜晶体管的漏极2连接。由于喷墨打印工艺(IJP,Ink Jet Print)具有成本低、工艺简单、精度高等优点,故有机发光二极管的发光层可通过喷墨打印工艺制备。
但是,如图1所示,现有的平坦化层1消除段差的能力不足,故其表面仍然有起伏,平整度不能满足喷墨打印工艺的要求。同时,平坦化层1中的过孔11要通过单独的光刻工艺形成,其需要使用掩膜版,故工艺复杂且成本高。
发明内容
本发明至少部分解决现有显示基板中的平坦化层平整度不足、制备工艺复杂且成本高的问题,提供一种平坦化层平整度高、制备工艺简单、成本低的显示基板的制备方法。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板的制备方法包括:
在具有第一显示结构的基底上形成可固化材料层;
用纳米压印模具对所述可固化材料层进行压印,使所述可固化材料层平坦化,并在所述可固化材料层中形成与第一显示结构连通的过孔;
使所述可固化材料层固化,形成平坦化层;
形成第二显示结构,第二显示结构通过所述过孔与第一显示结构连接。
优选的是,所述第一显示结构包括薄膜晶体管。
进一步优选的是所述显示基板为有机发光二极管阵列基板;所述第二显示结构包括有机发光二极管的阳极或阴极,所述阳极或阴极通过过孔与薄膜晶体管的漏极连接。
进一步优选的是,在所述形成第二显示结构的步骤后,还包括:通过喷墨打印工艺形成所述有机发光二极管的发光层。
优选的是,所述可固化材料层为光固化材料层或热固化材料层。
进一步优选的是,所述可固化材料层中含有氟元素和/或硅元素。
进一步优选的是,所述可固化材料层中氟元素和硅元素的总质量百分含量在20~40%。
进一步优选的是,所述可固化材料层为无机硅-有机杂化光固化材料层。
优选的是,所述使所述可固化材料层固化包括:在纳米压印模具压保持在可固化材料层上的情况下,使可固化材料层固化。
优选的是,所述可固化材料层的厚度在2微米至2.5微米之间。
本发明的显示基板的制备方法中,包括用纳米压印模具将可固化材料层压平并在其中形成过孔的步骤,由此,其一方面保证了平坦化层具有很高的平整度,另一方面也不用再通过光刻工艺形成过孔,从而简化了工艺,降低了成本。
附图说明
图1为现有的有机发光二极管阵列基板形成平坦化层后的结构示意图;
图2为本发明的实施例的一种显示基板的制备方法中形成可固化材料层后的结构示意图;
图3为本发明的实施例的一种显示基板的制备方法中纳米压印过程的结构示意图;
图4为本发明的实施例的一种显示基板的制备方法中纳米压印过程的另一结构示意图;
图5为本发明的实施例的一种显示基板的制备方法中进行紫外光固化时的结构示意图;
图6为本发明的实施例的一种显示基板的制备方法中形成平坦化层后的结构示意图;
其中,附图标记为:1、平坦化层;11、过孔;19、可固化材料层;2、漏极;8、纳米压印模具;9、基底。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1:
本实施例提供一种显示基板的制备方法,其包括:
在具有第一显示结构的基底上形成可固化材料层;
用纳米压印模具对可固化材料层进行压印,使可固化材料层平坦化,并在可固化材料层中形成与第一显示结构连通的过孔;
使可固化材料层固化,形成平坦化层;
形成第二显示结构,第二显示结构通过过孔与第一显示结构连接。
本实施例的显示基板的制备方法中,包括用纳米压印模具将可固化材料层压平并在其中形成过孔的步骤,由此,其一方面保证了平坦化层具有很高的平整度,另一方面也不用再通过光刻工艺形成过孔,从而简化了工艺,降低了成本。
实施例2:
如图2至图6所示,本实施例提供一种显示基板的制备方法,其包括以下步骤:
S201、在具有第一显示结构的基底9上形成可固化材料层19。
也就是说,如图2所示,先在基底9上形成第一显示结构,之后在其上继续涂布(覆盖)可固化材料,形成可固化材料层19。
优选的,第一显示结构包括薄膜晶体管。
这是因为有机发光二极管的阳极(或阴极)通常需要通过平坦化层1中的过孔11与一个薄膜晶体管的漏极2相连以获得驱动电流,故第一显示结构优选包括薄膜晶体管。
当然,应当理解,第一显示结构不限于薄膜晶体管,只要该结构需要通过过孔11与平坦化层1上的结构相连,其即属于第一显示结构。同时,也不是所有的薄膜晶体管都属于第一显示结构,例如开关晶体管就不是第一显示结构。另外,此时基底9上应还具有除第一显示结构外的栅线、数据线等其它结构。
优选的,可固化材料层19为光固化材料层或热固化材料层。
可固化材料在常态下为有一定流动性的液态,且在一定条件下可以固化,从工艺简便的角度考虑,光固化或热固化是比较合适的,故可固化材料层19可为光固化材料层或热固化材料层。
优选的,可固化材料层19为可固化树脂层。
也就是说,可采用可固化树脂作为可固化材料层19的材料。
优选的,可固化材料层19中含有氟元素和/或硅元素;且可固化材料层19中氟元素和硅元素的总质量百分含量在20~40%。
本实施例的显示基板制备方法中,后续还包括通过纳米压印工艺使可固化材料层19平坦的步骤,在纳米压印工艺,可固化材料层19可与纳米压印模具8应当能很好的分离而不会粘连在一起,这就要求可固化材料层19具有较低的表面能。经研究发现,当可固化材料层19中含有氟、硅时,可降低其表面能,故该可固化材料层19中优选含有氟元素、硅元素。
更优选的,可固化材料层19为无机硅-有机杂化光固化材料层。
也就是说,以上可固化材料层19的优选材料为无机硅-有机杂化光固化材料,例如纳米二氧化硅/有机硅杂化材料、乙烯基聚倍半硅氧烷、苯梯形聚倍半硅氧烷、有机硅乙烯基醚、含环氧基的聚有机硅氧烷等。
优选的,可固化材料层19的厚度在2微米至2.5微米之间。
显然,可固化材料层19(平坦化层1)也必须有足够的厚度才能保证平整度,但同时,若可固化材料层19太厚,则又会影响结构的电连接等,经研究发现以上的厚度范围是比较合理的。
S202、优选的,对可固化材料层19进行前烘。
也就是说,对可固化材料层19进行预加热,一定程度上提高其固化程度,使其可保持稳定的形状,该前烘可为在180℃的温度下加热2~3分钟。
S203、用纳米压印模具8对可固化材料层19进行压印,使可固化材料层19平坦化,并在可固化材料层19中形成与第一显示结构连通的过孔11。
其中,纳米压印工艺是指将具有纳米图形的模具压在材料层上,从而在材料层中形成压印的纳米图案的工艺。如图3、图4所示,本步骤中,将石英等材料构成的纳米压印模具8压在可固化材料层19上,该纳米压印模具8在要形成过孔11的位置设有柱状的凸起,而其它位置为平面;从而其一方面将可固化材料层19的大部分表面“压平”,提高其平整度,另一方面可在需要的位置“压出”过孔11。
S204、使可固化材料层19固化,形成平坦化层1。
也就是说,触发可固化材料层19的固化条件,从而使其固化定形,形成平坦化层1。
由于以上的纳米压印工艺,故本步骤中形成的平坦化层1表面平整度高,能满足后续工艺的要求;且其中已经具有过孔11,故不用再通过光刻工艺形成过孔11,制备工艺简单且成本低。
优选的,本步骤具体为:在纳米压印模具8压保持在可固化材料层19上的情况下,使可固化材料层19固化。
也就是说,在纳米压印过程完成后,可先不将纳米压印模具8除去(脱模),而是在具有纳米压印模具8的情况下直接对可固化材料层19进行固化,以免可固化材料层19在未完全固化的情况下与纳米压印模具8分离而产生变形。
当然,此时的具体固化方式是与可固化材料层19的类型相关的,若是光固化材料层,则本步骤为用紫外光对其进行照射;而若是热固化材料层,则本步骤为对显示基板进行加热。
具体的,如图5所示,若可固化材料层19为光固化材料层,其采用的纳米压印模具8由石英构成,则固化过程可为可从纳米压印模具8远离基底9的一侧用紫外光照射可固化材料层19(因为石英的纳米压印模具8是透明的)。
S205、除去纳米压印模具8,并优选进行后烘。
也就是说,将纳米压印模具8脱模,之后进行后烘,对平坦化层1进一步定形,得到如图6所示的结构。具体的,该后烘可为在250℃的温度下加热60分钟。
S206、形成第二显示结构,第二显示结构通过过孔11与第一显示结构连接。
在形成平坦化层1后,继续形成其它的显示结构,其中第二显示结构通过以上平坦化层1中的过孔11与第一显示结构连接。
优选的,显示基板为有机发光二极管阵列基板;第二显示结构包括有机发光二极管的阳极,阳极通过过孔11与薄膜晶体管(即以上第一显示结构)的漏极2连接。
对于有机发光二极管阵列基板,其有机发光二极管一般设于平坦化层1上,且其阳极通过过孔11与薄膜晶体管的漏极2相连。
当然,虽然本实施例以第二显示结构包括有机发光二极管的阳极为例进行说明,但第二显示结构也可包括有机发光二极管的阴极,该阴极同样通过过孔11与薄膜晶体管(即以上第一显示结构)的漏极2连接。
当然,应当理解,第二显示结构也并不限于有机发光二极管的阳极或阴极,其也可为液晶显示阵列基板的像素电极等,只要该结构是通过过孔11与第一显示结构相连的即可。
S207、优选的,通过喷墨打印工艺形成有机发光二极管的发光层。
对于有机发光二极管阵列基板,在形成阳极后还要继续形成发光层,而根据本实施例的方法,可保证平坦化层1具有较高的平整度,故该发光层可通过喷墨打印工艺形成,从而简化工艺、降低成本低。
S208、优选的,继续形成显示基板中的其它结构。
具体的,本实施例中形成的有机发光二极管阵列基板可为顶反射型、底发射型等不同形式。显然,根据显示基板类型的不同,其中还可包括其它的显示结构(如阴极/阳极、封闭层、反光层等),在此不再详细描述。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在具有第一显示结构的基底上形成可固化材料层;
用纳米压印模具对所述可固化材料层进行压印,使所述可固化材料层平坦化,并在所述可固化材料层中形成与第一显示结构连通的过孔;
使所述可固化材料层固化,形成平坦化层;
形成第二显示结构,第二显示结构通过所述过孔与第一显示结构连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述第一显示结构包括薄膜晶体管。
3.根据权利要2所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述显示基板为有机发光二极管阵列基板;
所述第二显示结构包括有机发光二极管的阳极或阴极,所述阳极或阴极通过过孔与薄膜晶体管的漏极连接。
4.根据权利要求3所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在所述形成第二显示结构的步骤后,还包括:
通过喷墨打印工艺形成所述有机发光二极管的发光层。
5.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述可固化材料层为光固化材料层或热固化材料层。
6.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述可固化材料层中含有氟元素和/或硅元素。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述可固化材料层中氟元素和硅元素的总质量百分含量在20~40%。
8.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述可固化材料层为无机硅-有机杂化光固化材料层。
9.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述使所述可固化材料层固化包括:
在纳米压印模具压保持在可固化材料层上的情况下,使可固化材料层固化。
10.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述可固化材料层的厚度在2微米至2.5微米之间。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611030764.0A CN106384745B (zh) | 2016-11-16 | 2016-11-16 | 显示基板的制备方法 |
PCT/CN2017/092195 WO2018090647A1 (zh) | 2016-11-16 | 2017-07-07 | 显示基板的制备方法 |
US15/744,966 US20190011831A1 (en) | 2016-11-16 | 2017-07-07 | Method for Manufacturing Display Substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611030764.0A CN106384745B (zh) | 2016-11-16 | 2016-11-16 | 显示基板的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106384745A true CN106384745A (zh) | 2017-02-08 |
CN106384745B CN106384745B (zh) | 2019-01-08 |
Family
ID=57957664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611030764.0A Active CN106384745B (zh) | 2016-11-16 | 2016-11-16 | 显示基板的制备方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190011831A1 (zh) |
CN (1) | CN106384745B (zh) |
WO (1) | WO2018090647A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018090647A1 (zh) * | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制备方法 |
CN109728054A (zh) * | 2019-01-02 | 2019-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN110911465A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法和显示装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7118674B2 (ja) * | 2018-03-12 | 2022-08-16 | キヤノン株式会社 | 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、成形方法、および物品の製造方法 |
US20220148914A1 (en) * | 2019-03-06 | 2022-05-12 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Method for manufacturing electronic component device |
CN110828520B (zh) * | 2019-11-15 | 2022-09-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
CN111293147B (zh) * | 2020-02-19 | 2024-02-09 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示用基板及其制备方法、显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080160196A1 (en) * | 2007-01-03 | 2008-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method of forming pattern using inkjet printing and nano imprinting |
US20100072675A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a pattern using nano imprinting and method of manufacturing a mold to form such a pattern |
CN101959932A (zh) * | 2008-03-06 | 2011-01-26 | 富士胶片株式会社 | 纳米压印用固化性组合物、使用它的固化物及其制造方法、以及液晶显示装置用构件 |
CN103151436A (zh) * | 2013-02-20 | 2013-06-12 | 华中科技大学 | 一种孔状GaN基光子晶体LED的制备方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030025446A1 (en) * | 2001-07-31 | 2003-02-06 | Hung-Yi Lin | Manufacturing method and structure of OLED display panel |
US20040126547A1 (en) * | 2002-12-31 | 2004-07-01 | Coomer Boyd L. | Methods for performing substrate imprinting using thermoset resin varnishes and products formed therefrom |
TWI366218B (en) * | 2004-06-01 | 2012-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101112545B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2012-03-13 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 감광성 수지 및 상기 감광성 수지로 이루어진 패턴을포함하는 박막 표시판 및 그 제조 방법 |
US7691275B2 (en) * | 2005-02-28 | 2010-04-06 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Use of step and flash imprint lithography for direct imprinting of dielectric materials for dual damascene processing |
KR20070105040A (ko) * | 2006-04-25 | 2007-10-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 레지스트 조성물, 이를 이용한 레지스트 패턴 형성방법 및이를 이용하여 제조된 어레이 기판 |
JP4945460B2 (ja) * | 2008-01-04 | 2012-06-06 | 株式会社東芝 | 反射防止構造の形成方法および反射防止構造 |
KR101458902B1 (ko) * | 2008-09-22 | 2014-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
NL2006747A (en) * | 2010-07-26 | 2012-01-30 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography alignment method and apparatus. |
KR102009321B1 (ko) * | 2012-04-16 | 2019-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치용 터치 스크린 패널 및 그 제조방법 |
CN106067478A (zh) * | 2016-08-08 | 2016-11-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素界定层的制作方法与oled器件的制作方法 |
CN106384745B (zh) * | 2016-11-16 | 2019-01-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制备方法 |
-
2016
- 2016-11-16 CN CN201611030764.0A patent/CN106384745B/zh active Active
-
2017
- 2017-07-07 US US15/744,966 patent/US20190011831A1/en not_active Abandoned
- 2017-07-07 WO PCT/CN2017/092195 patent/WO2018090647A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080160196A1 (en) * | 2007-01-03 | 2008-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method of forming pattern using inkjet printing and nano imprinting |
CN101959932A (zh) * | 2008-03-06 | 2011-01-26 | 富士胶片株式会社 | 纳米压印用固化性组合物、使用它的固化物及其制造方法、以及液晶显示装置用构件 |
US20100072675A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a pattern using nano imprinting and method of manufacturing a mold to form such a pattern |
CN103151436A (zh) * | 2013-02-20 | 2013-06-12 | 华中科技大学 | 一种孔状GaN基光子晶体LED的制备方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018090647A1 (zh) * | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制备方法 |
CN109728054A (zh) * | 2019-01-02 | 2019-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN110911465A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法和显示装置 |
CN110911465B (zh) * | 2019-11-29 | 2022-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106384745B (zh) | 2019-01-08 |
US20190011831A1 (en) | 2019-01-10 |
WO2018090647A1 (zh) | 2018-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106384745A (zh) | 显示基板的制备方法 | |
CN104870198B (zh) | 图案化的结构化转印带 | |
CN106448825B (zh) | 一种图形化精细导电薄膜的制备方法 | |
Byeon et al. | Recent progress in direct patterning technologies based on nano-imprint lithography | |
CN104937695B (zh) | 使用纳米结构化转印带的方法及其制成的制品 | |
CN104795130B (zh) | 透明导电薄膜及其制备方法 | |
TWI566917B (zh) | 光固化立體造型裝置及方法 | |
CN105706242B (zh) | 用于oled装置的纳米结构 | |
WO2017059629A1 (zh) | 量子点彩膜的制备方法 | |
CN106067478A (zh) | 像素界定层的制作方法与oled器件的制作方法 | |
CN109923672A (zh) | 用于在基材上产生流体装配件结构的系统和方法 | |
CN110429100B (zh) | 显示面板及其制备方法和应用 | |
CN110265451B (zh) | 显示基板及制造方法、显示装置 | |
CN109037294A (zh) | 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN102311094A (zh) | 大面积且尺寸可控的基于su-8光刻胶的纳米流体通道制作方法 | |
JP2007035981A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
CN105140393A (zh) | 一种复合膜结构聚合物柔性基板及其制作方法 | |
CN1976790A (zh) | 由非晶体氟树脂制成的模及其制造方法 | |
CN102629669A (zh) | 一种以多孔氧化铝为模板制备亚微米级结构的oled制造工艺 | |
CN104122747A (zh) | 一种电渗驱动纳米压印装置及其工作方法 | |
CN111009198A (zh) | Qled显示基板、显示装置、量子点膜及其制作方法 | |
CN107400851B (zh) | 一种掩膜板图形的制备方法及掩膜板 | |
WO2020168590A1 (zh) | 3d打印装置和制备3d打印结构的方法 | |
CN113075859B (zh) | 一种负压式纳米压印设备及其压印方法 | |
TW200826765A (en) | Method for fabricating flexible array substrate and substrate module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |