JPS6285251A - ホトマスクの保護膜形成方法 - Google Patents
ホトマスクの保護膜形成方法Info
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- JPS6285251A JPS6285251A JP60226139A JP22613985A JPS6285251A JP S6285251 A JPS6285251 A JP S6285251A JP 60226139 A JP60226139 A JP 60226139A JP 22613985 A JP22613985 A JP 22613985A JP S6285251 A JPS6285251 A JP S6285251A
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- alkylfluoroalkoxysilane
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はホトマスクとホトレジストとの接着を防止する
ホトマスクの保護膜の形成法に関するものである。
ホトマスクの保護膜の形成法に関するものである。
ホトリソグラフィでは、基板上にノザタンを形成するた
めに基板にホトレノストを塗布し、所望のノ！タンを有
するホトマスクを用いて紫外線を基板に照射し、これを
現像することが行なわれる。この工程において、ホトレ
ジスートをホトマスク表面着させ、紫外線を照射する密
着Ｍ光方式が広く用いられている。この密着ｉｆ方式で
は解像度の高いバタンか得られるが、ホトレジストがホ
トマスクに接着し、欠陥率が上昇する作業性が悪くなる
などの欠点があった。
めに基板にホトレノストを塗布し、所望のノ！タンを有
するホトマスクを用いて紫外線を基板に照射し、これを
現像することが行なわれる。この工程において、ホトレ
ジスートをホトマスク表面着させ、紫外線を照射する密
着Ｍ光方式が広く用いられている。この密着ｉｆ方式で
は解像度の高いバタンか得られるが、ホトレジストがホ
トマスクに接着し、欠陥率が上昇する作業性が悪くなる
などの欠点があった。
この欠点を克服するために（ＣＦ５）５ＳｉＮＨ（ＣＦ
、） 。
、） 。
（ＣＦ５）３ＳｉＣｔ、 （（ＣＦ３）２ＣＦＯＣＨ２
ＣＨ２ＣＨ２ＸＣＨ，５）２ＳＩＣ１を保１膜として用
いる方法が提案されている（ｆＦ開昭５４−２９９７５
号）。この方法はホトマスクを洗浄した後、これを前記
化合物の蒸気中に保持し、ホトマスクの表面にフルオロ
アルキル基を配列でせるものである。この処理によりホ
トマスク表面の異面自由エネルギーが低下し７ホトレソ
ストのホトマスクへの付着を防ぐことができる。
ＣＨ２ＣＨ２ＸＣＨ，５）２ＳＩＣ１を保１膜として用
いる方法が提案されている（ｆＦ開昭５４−２９９７５
号）。この方法はホトマスクを洗浄した後、これを前記
化合物の蒸気中に保持し、ホトマスクの表面にフルオロ
アルキル基を配列でせるものである。この処理によりホ
トマスク表面の異面自由エネルギーが低下し７ホトレソ
ストのホトマスクへの付着を防ぐことができる。
しかしながらこれらの化合物を用いると、それぞれアン
モニアまたは塩化水素が発生し、作業環境の悪化をもた
らすという欠点があった。
モニアまたは塩化水素が発生し、作業環境の悪化をもた
らすという欠点があった。
本発明の目的は、この問題点を解決したホトマスクの保
護膜形成方法を提供することにある。
護膜形成方法を提供することにある。
本発明はホトマスクを洗浄した後、該ホトマスクをアル
キルフルオロアルコキシシランの蒸気中に保持しホトマ
スクの表面にフルオロアルキル基を配列きせるものであ
る。この保護膜の形成にアルコキシシランを使用するこ
とが重要な点である。
キルフルオロアルコキシシランの蒸気中に保持しホトマ
スクの表面にフルオロアルキル基を配列きせるものであ
る。この保護膜の形成にアルコキシシランを使用するこ
とが重要な点である。
アルキルフルオロアルコキシシランとは一般式％式％
で表わされるアルキルアルコキシシランのＣｔＨ２ｔ＋
、基の少くとも１つのアルキル基ｔフルオロアルキル基
で置換した物質である。
、基の少くとも１つのアルキル基ｔフルオロアルキル基
で置換した物質である。
またホトマスクを洗浄した後このホトマスクをさらにプ
ラズマ中で処理し、アルキルフルオロアルコキシシラン
の蒸気に接触させ、ホトマスクの表面にフルオロアルキ
ル基を配列すせてもよい。
ラズマ中で処理し、アルキルフルオロアルコキシシラン
の蒸気に接触させ、ホトマスクの表面にフルオロアルキ
ル基を配列すせてもよい。
アルキルフルオロアルコキシシランのアルコキシ基はホ
トマスク表面の石英または酸化クロムと反応し、 ホトマスクの表面と共有結合をつくり、フルオロアルキ
ル基がホトマスク表面に配列する。この際、反応の結果
生成する物質はアルコキシ基の炭素数に対応したアルフ
ールであり作業環境の悪化はアンモニア、塩化水翠の場
合に比べてし′よるかに軽減される。
トマスク表面の石英または酸化クロムと反応し、 ホトマスクの表面と共有結合をつくり、フルオロアルキ
ル基がホトマスク表面に配列する。この際、反応の結果
生成する物質はアルコキシ基の炭素数に対応したアルフ
ールであり作業環境の悪化はアンモニア、塩化水翠の場
合に比べてし′よるかに軽減される。
またホトマスクを洗浄し念後、プラズマ中で処理すると
表面がさらに清浄になり、かつホトマスク表面にダング
リングボンドやラソカルが生成レアルコキシシランとの
反応性が増しフルオロアルキル基をさらに容易にホトマ
スク表面に配列することができる。
表面がさらに清浄になり、かつホトマスク表面にダング
リングボンドやラソカルが生成レアルコキシシランとの
反応性が増しフルオロアルキル基をさらに容易にホトマ
スク表面に配列することができる。
以下、実施例によリホトマスクの表面に保護膜を形成す
る本発明方法を説明する。
る本発明方法を説明する。
（実施例１）
石英に７００Ｘの酸化クロムを蒸着した基板にホトレノ
スト（商品名Ｐ、ｉＰ１：３ｏｏ ）を用いて所望のａ
４タンを描き、８０℃において３０分間ベークした後、
硝酸セリウムアンモニウム溶液でエツチングしたものを
ホトマスクとして用いた。このホトマスクを有機アルカ
リ溶液（商品名ＡＺ ＋Ｊムーバー１１１２Ａ）中で８
０℃、１時間超音波音かけて洗浄した後、脱イオン水を
流しながら４５分間リンスした。さらに１２０℃におい
て２０分間乾燥した後（へ１タデ力フロ口−１，１，２
，２−テトラヒドロデシル） −１−トリエトキシシラ
ンの蒸気中に室温で５０分間保持した。
スト（商品名Ｐ、ｉＰ１：３ｏｏ ）を用いて所望のａ
４タンを描き、８０℃において３０分間ベークした後、
硝酸セリウムアンモニウム溶液でエツチングしたものを
ホトマスクとして用いた。このホトマスクを有機アルカ
リ溶液（商品名ＡＺ ＋Ｊムーバー１１１２Ａ）中で８
０℃、１時間超音波音かけて洗浄した後、脱イオン水を
流しながら４５分間リンスした。さらに１２０℃におい
て２０分間乾燥した後（へ１タデ力フロ口−１，１，２
，２−テトラヒドロデシル） −１−トリエトキシシラ
ンの蒸気中に室温で５０分間保持した。
その後１００℃において３０分間ベークした。上記処理
を行なったホトマスク上における水の接触角を測定した
ところ石英上で９２°、酸化クロム上で１００℃であっ
た。基板表面と水との間の双極子開力を無視すると表面
エネルギーの値としてそれぞれ１７ｒｎＪ／ｎ／ 、
１２ｍＪ／ｍ’が得られる。このことからホ、の− トマスク表面エネルゼーは十分低くなっていることがわ
かる。
を行なったホトマスク上における水の接触角を測定した
ところ石英上で９２°、酸化クロム上で１００℃であっ
た。基板表面と水との間の双極子開力を無視すると表面
エネルギーの値としてそれぞれ１７ｒｎＪ／ｎ／ 、
１２ｍＪ／ｍ’が得られる。このことからホ、の− トマスク表面エネルゼーは十分低くなっていることがわ
かる。
上記の方法で保護１ｉ１形成したホトマスクを用いて、
通常の密Ｎ露光、現像を行なったところホトレゾストが
ホトマスクに接着することは全くなかった。ここで被加
工基板として熱散化によシ形成したＳ１０□を用い、ホ
トレジスト（商品名ＭＰ１３００ ）を塗布し、露光、
現＠を行なった。
通常の密Ｎ露光、現像を行なったところホトレゾストが
ホトマスクに接着することは全くなかった。ここで被加
工基板として熱散化によシ形成したＳ１０□を用い、ホ
トレジスト（商品名ＭＰ１３００ ）を塗布し、露光、
現＠を行なった。
なお保護膜形成の過椙に訃いて塩化水素、アンモニアの
ような刺激物は全く発生しなかった。
ような刺激物は全く発生しなかった。
（実施例２）
実施例】と同様の方法で作成したホトマスクをアセトン
中で２０分間超音波をかけて洗浄した後、平行平板型の
エツチング装ＡでＡｒを用い、流量１６ａｃｃｍ％＠刀
密度０．３５ Ｗ／ｃｍ”、圧力１．３ Ｐ ａの条件
で３分間エツチングを行なった。その後実施例１の場合
と同様に（ヘグタデ力フロロ−１，１，２，２−テトラ
ヒドロデシル） −１−トリエトキシシランの蒸気中に
室温で５０分間保持し、１００℃におりて３ｏ分間ベー
タを行なった。実施例１の場合と同様にして、ホトマス
ク上の水の接触角を測定したところ石英上で９５°、酸
化クロム上で１００°であった。これから表面エネルギ
ーの値としてそれぞれ１５ｒｎυ賃。
中で２０分間超音波をかけて洗浄した後、平行平板型の
エツチング装ＡでＡｒを用い、流量１６ａｃｃｍ％＠刀
密度０．３５ Ｗ／ｃｍ”、圧力１．３ Ｐ ａの条件
で３分間エツチングを行なった。その後実施例１の場合
と同様に（ヘグタデ力フロロ−１，１，２，２−テトラ
ヒドロデシル） −１−トリエトキシシランの蒸気中に
室温で５０分間保持し、１００℃におりて３ｏ分間ベー
タを行なった。実施例１の場合と同様にして、ホトマス
ク上の水の接触角を測定したところ石英上で９５°、酸
化クロム上で１００°であった。これから表面エネルギ
ーの値としてそれぞれ１５ｒｎυ賃。
１２ｍＪ／ｍ”が得られ、ホトマスク表面の表面エネル
ギーは十分低くなっていることがわかる。
ギーは十分低くなっていることがわかる。
上記の方法で保ｇ＞膜を形成したホトマスクを用いて実
施例１の場合と同様に密矯露光、現像を行なったところ
、ホトレゾストがホトマスクに接着することは全くなか
った。被加工基板としては実施例１と全く同様の基板を
用いた。
施例１の場合と同様に密矯露光、現像を行なったところ
、ホトレゾストがホトマスクに接着することは全くなか
った。被加工基板としては実施例１と全く同様の基板を
用いた。
この保護膜形成方法においても塩化水素、アンモニアの
ような刺激物は全く発生しなかった。
ような刺激物は全く発生しなかった。
（実施例３）
実施例１と同様の方法で作成、洗浄したホトマスクを（
ヘグタデカフロロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシ
ル） −１−トリメトキシシランの蒸気中に室温で３０
分間保持し、１００℃におりて３０分間ベーク全行なっ
た。上記処理を行ったホトマスク上の水の接融角を測定
したところ石英上で１００°、酸化クロム上で１０５°
であシ、表面エネルギーの値としてそれぞれ１２ｍＪ／
ｉ 、 １０ｍＪ／賃と計算できホトマスク表面の表面
エネルギーは十分低くなっていることがわかる。
ヘグタデカフロロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシ
ル） −１−トリメトキシシランの蒸気中に室温で３０
分間保持し、１００℃におりて３０分間ベーク全行なっ
た。上記処理を行ったホトマスク上の水の接融角を測定
したところ石英上で１００°、酸化クロム上で１０５°
であシ、表面エネルギーの値としてそれぞれ１２ｍＪ／
ｉ 、 １０ｍＪ／賃と計算できホトマスク表面の表面
エネルギーは十分低くなっていることがわかる。
このホトマスクを用いて実施例１の場合と同様に密Ｎ露
光現像を行なったところホトレジストがホトマスクに接
着することは全くなかった。なお被加工基板とし７ては
実施例１と全く同様の基板音用いた。この保護膜形成方
法においても塩化水素、アンモニアのような刺激物は全
く発生しなかった。
光現像を行なったところホトレジストがホトマスクに接
着することは全くなかった。なお被加工基板とし７ては
実施例１と全く同様の基板音用いた。この保護膜形成方
法においても塩化水素、アンモニアのような刺激物は全
く発生しなかった。
（実施例４）
実施例２と全く同様の条件でエツチング条件のみ０２３
０ｓｃｅｍ Ｏ，３５Ｗ／ｃＩｎ” 、 ５Ｐａの条件
に変えて実験を行なった。その結果、表面エネルギーは
石英上および酸化クロム上でそれぞれ１８ｍＪ／Ｗ 、
１４ｍＪ／ｉと十分低くなっており、露光による試験
の結果も実施例２の場合と全く同じであった。
０ｓｃｅｍ Ｏ，３５Ｗ／ｃＩｎ” 、 ５Ｐａの条件
に変えて実験を行なった。その結果、表面エネルギーは
石英上および酸化クロム上でそれぞれ１８ｍＪ／Ｗ 、
１４ｍＪ／ｉと十分低くなっており、露光による試験
の結果も実施例２の場合と全く同じであった。
（実施例５）
実施例２と全く同様の条件でエツチング条件のみＮ２１
８ ｓｅｃｍ ０．３５Ｗ／ｍ” 、 ２．０Ｐａの条
件に変えて実験を行なりた。その結果、表面エネルギー
は石英上および酸化クロム上でそｎぞれ２０ｍＪ／ｍ″
＊１５ｍＪ、宿と十分低くなっておシ、露光による試験
の結果も実施例２の場合と全く同じでめった。
８ ｓｅｃｍ ０．３５Ｗ／ｍ” 、 ２．０Ｐａの条
件に変えて実験を行なりた。その結果、表面エネルギー
は石英上および酸化クロム上でそｎぞれ２０ｍＪ／ｍ″
＊１５ｍＪ、宿と十分低くなっておシ、露光による試験
の結果も実施例２の場合と全く同じでめった。
（比較例１）
実施例２と全く同様の方法で、Ａｒによるエツチングの
みを行なわずに実験を行なった。その結果石英上、酸化
クロム上とも水が？Ｇ ｍに拡がってしまい接融角の測
定はでさなかった。また、密着露光をするとホトレジス
トがホトマスクに接着する現象が見られた。
みを行なわずに実験を行なった。その結果石英上、酸化
クロム上とも水が？Ｇ ｍに拡がってしまい接融角の測
定はでさなかった。また、密着露光をするとホトレジス
トがホトマスクに接着する現象が見られた。
このように本方法によシ形成したホトマスクの保護膜は
ホトレジストのホトマスクへの接ｌｔ−防ぐ効果が大さ
く処理も簡便′ｌ）λつ安全で光学露光グロセスへの応
用にその活用が期待されるものでろ特許出願人 日本電
気株式会社、−一〜５、′−゛−・コ
ホトレジストのホトマスクへの接ｌｔ−防ぐ効果が大さ
く処理も簡便′ｌ）λつ安全で光学露光グロセスへの応
用にその活用が期待されるものでろ特許出願人 日本電
気株式会社、−一〜５、′−゛−・コ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ホトマスクを洗浄した後、該ホトマスクをアルキル
フルオロアルコキシシランの蒸気と接触させることを特
徴とするホトマスクの保護膜形成方法。 ２、ホトマスクをプラズマ中で処理した後、該ホトマス
クをアルキルフルオロアルコキシシランの蒸気と接触さ
せることを特徴とするホトマスクの保護膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226139A JPS6285251A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | ホトマスクの保護膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226139A JPS6285251A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | ホトマスクの保護膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285251A true JPS6285251A (ja) | 1987-04-18 |
| JPH041338B2 JPH041338B2 (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=16840459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60226139A Granted JPS6285251A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | ホトマスクの保護膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6285251A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01123232A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
| EP0422614A2 (en) * | 1989-10-13 | 1991-04-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aperture pattern-printing plate for shadow mask and method for manufacturing the same |
| JP2002214761A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-07-31 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトリソグラフィー用フォトマスクおよびその製造方法 |
| US6566021B2 (en) | 2001-07-26 | 2003-05-20 | Micro Lithography, Inc. | Fluoropolymer-coated photomasks for photolithography |
| JP2011206720A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Hitachi High-Technologies Corp | ドライ完結型有機ｅｌ用マスククリーナ装置及びそのためのマスククリーニング方法 |
| JP2018535446A (ja) * | 2016-01-27 | 2018-11-29 | エルジー・ケム・リミテッド | フィルムマスク、その製造方法およびこれを用いたパターンの形成方法 |
| US10969686B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP60226139A patent/JPS6285251A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01123232A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
| EP0422614A2 (en) * | 1989-10-13 | 1991-04-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aperture pattern-printing plate for shadow mask and method for manufacturing the same |
| US5134015A (en) * | 1989-10-13 | 1992-07-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aperture pattern-printing plate for shadow mask and method for manufacturing the same |
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| JP2011206720A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Hitachi High-Technologies Corp | ドライ完結型有機ｅｌ用マスククリーナ装置及びそのためのマスククリーニング方法 |
| JP2018535446A (ja) * | 2016-01-27 | 2018-11-29 | エルジー・ケム・リミテッド | フィルムマスク、その製造方法およびこれを用いたパターンの形成方法 |
| US10969686B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US10969677B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
| US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH041338B2 (ja) | 1992-01-10 |
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