JPH041338B2 - - Google Patents
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- JPH041338B2 JPH041338B2 JP22613985A JP22613985A JPH041338B2 JP H041338 B2 JPH041338 B2 JP H041338B2 JP 22613985 A JP22613985 A JP 22613985A JP 22613985 A JP22613985 A JP 22613985A JP H041338 B2 JPH041338 B2 JP H041338B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はホトマスクとホトレジストとの接着を
防止するホトマスクの保護膜の形成法に関するも
のである。
防止するホトマスクの保護膜の形成法に関するも
のである。
ホトリソグラフイでは、基板上にパタンを形成
するために基板にホトレジストを塗布し、所望の
パタンを有するホトマスクを用いて紫外線を基板
に照射し、これを現像することが行なわれる。こ
の工程において、ホトレジストをホトマスクに密
着させ、紫外線を照射する密着露光方式が広く用
いられている。この密着露光方式では解像度の高
いパタンが得られるが、ホトレジストがホトマス
クに接着し、欠陥率が上昇する作業性が悪くなる
などの欠点があつた。
するために基板にホトレジストを塗布し、所望の
パタンを有するホトマスクを用いて紫外線を基板
に照射し、これを現像することが行なわれる。こ
の工程において、ホトレジストをホトマスクに密
着させ、紫外線を照射する密着露光方式が広く用
いられている。この密着露光方式では解像度の高
いパタンが得られるが、ホトレジストがホトマス
クに接着し、欠陥率が上昇する作業性が悪くなる
などの欠点があつた。
この欠点を克服するために（CF3）3SiNH
（CF3）、（CF3）3SiCl、（（CF3）2CFOCH2CH2CH2）
（CH3）2SiClを保護膜として用いる方法が提案さ
れている（特開昭54−29975号）。この方法はホト
マスクを洗浄した後、これを前記化合物の蒸気中
に保持し、ホトマスクの表面にフルオロアルキル
基を配列させるものである。この処理によりホト
マスク表面の表面自由エネルギーが低下しホトレ
ジストのホトマスクへの付着を防ぐことができ
る。
（CF3）、（CF3）3SiCl、（（CF3）2CFOCH2CH2CH2）
（CH3）2SiClを保護膜として用いる方法が提案さ
れている（特開昭54−29975号）。この方法はホト
マスクを洗浄した後、これを前記化合物の蒸気中
に保持し、ホトマスクの表面にフルオロアルキル
基を配列させるものである。この処理によりホト
マスク表面の表面自由エネルギーが低下しホトレ
ジストのホトマスクへの付着を防ぐことができ
る。
しかしながらこれらの化合物を用いると、それ
ぞれアンモニアまたは塩化水素が発生し、作業環
境の悪化をもたらすという欠点があつた。
ぞれアンモニアまたは塩化水素が発生し、作業環
境の悪化をもたらすという欠点があつた。
本発明の目的は、この問題点を解決したホトマ
スクの保護膜形成方法を提供することにある。
スクの保護膜形成方法を提供することにある。
本発明はホトマスクを洗浄した後、該ホトマス
クをアルキルフルオロアルコキシシランの蒸気中
に保持しホトマスクの表面にフルオロアルキル基
を配列させるものである。この保護膜の形成にア
ルコキシシランを使用することが重要な点であ
る。アルキルフルオロアルコキシシランとは一般
式 で表わされるアルキルアルコキシシランの
ClH2l+1基の少くとも１つのアルキル基をフルオ
ロアルキル基で置換した物質である。
クをアルキルフルオロアルコキシシランの蒸気中
に保持しホトマスクの表面にフルオロアルキル基
を配列させるものである。この保護膜の形成にア
ルコキシシランを使用することが重要な点であ
る。アルキルフルオロアルコキシシランとは一般
式 で表わされるアルキルアルコキシシランの
ClH2l+1基の少くとも１つのアルキル基をフルオ
ロアルキル基で置換した物質である。
またホトマスクを洗浄した後このホトマスクを
さらにプラズマ中で処理し、アルキルフルオロア
ルコキシシランの蒸気に接触させ、ホトマスクの
表面にフルオロアルキル基を配列させてもよい。
さらにプラズマ中で処理し、アルキルフルオロア
ルコキシシランの蒸気に接触させ、ホトマスクの
表面にフルオロアルキル基を配列させてもよい。
アルキルフルオロアルコキシシランのアルコキ
シ基はホトマスク表面の石英または酸化クロムと
反応し、 ホトマスクの表面と共有結合をつくり、フルオ
ロアルキル基がホトマスク表面に配列する。この
際、反応の結果生成する物質はアルコキシ基の炭
素数に対応したアルコールであり作業環境の悪化
はアンモニア、塩化水素の場合に比べてはるかに
軽減される。
シ基はホトマスク表面の石英または酸化クロムと
反応し、 ホトマスクの表面と共有結合をつくり、フルオ
ロアルキル基がホトマスク表面に配列する。この
際、反応の結果生成する物質はアルコキシ基の炭
素数に対応したアルコールであり作業環境の悪化
はアンモニア、塩化水素の場合に比べてはるかに
軽減される。
またホトマスクを洗浄した後、プラズマ中で処
理すると表面がさらに清浄になり、かつホトマス
ク表面にダングリングボンドやラジカルが生成し
アルコキシシランとの反応性が増しフルオロアル
キル基をさらに容易にホトマスク表面に配列する
ことができる。
理すると表面がさらに清浄になり、かつホトマス
ク表面にダングリングボンドやラジカルが生成し
アルコキシシランとの反応性が増しフルオロアル
キル基をさらに容易にホトマスク表面に配列する
ことができる。
以下、実施例によりホトマスクの表面に保護膜
を形成する本発明方法を説明する。
を形成する本発明方法を説明する。
実施例 １
石英に700Åの酸化クロムを蒸着した基板にホ
トレジスト（商品名MP1300）を用いて所望のパ
タンを描き、80℃において30分間ベークした後、
硝酸セリウムアンモニウム溶液でエツチングした
ものをホトマスクとして用いた。このホトマスク
を有機アルカリ溶液（商品名AZリムーバー
1112A）中で80℃、１時間超音波をかけて洗浄し
た後、脱イオン水を流しながら45分間リンスし
た。さらに120℃において20分間乾燥した後（ヘ
プタデカフロロ−１，１，２，２−テトラヒドロ
デシル）−１−トリエトキシシランの蒸気中に室
温で50分間保持した。その後100℃において30分
間ベークした。上記処理を行なつたホトマスク上
における水の接触角を測定したところ石英上で
92°、酸化クロム上で100℃であつた。基板表面と
水との間の双極子間力を無視すると表面エネルギ
ーの値としてそれぞれ17ｍＪ／m2，12ｍ／m2が得
られる。このことからホトマスクの表面エネルギ
ーは十分低くなつていることがわかる。
トレジスト（商品名MP1300）を用いて所望のパ
タンを描き、80℃において30分間ベークした後、
硝酸セリウムアンモニウム溶液でエツチングした
ものをホトマスクとして用いた。このホトマスク
を有機アルカリ溶液（商品名AZリムーバー
1112A）中で80℃、１時間超音波をかけて洗浄し
た後、脱イオン水を流しながら45分間リンスし
た。さらに120℃において20分間乾燥した後（ヘ
プタデカフロロ−１，１，２，２−テトラヒドロ
デシル）−１−トリエトキシシランの蒸気中に室
温で50分間保持した。その後100℃において30分
間ベークした。上記処理を行なつたホトマスク上
における水の接触角を測定したところ石英上で
92°、酸化クロム上で100℃であつた。基板表面と
水との間の双極子間力を無視すると表面エネルギ
ーの値としてそれぞれ17ｍＪ／m2，12ｍ／m2が得
られる。このことからホトマスクの表面エネルギ
ーは十分低くなつていることがわかる。
上記の方法で保護膜を形成したホトマスクを用
いて、通常の密着露光、現像を行なつたところホ
トレジストがホトマスクに接着することは全くな
かつた。ここで被加工基板として熱酸化により形
成したSiO2を用い、ホトスレジスト（商品名
MP1300）を塗布し、露光、現像を行なつた。
いて、通常の密着露光、現像を行なつたところホ
トレジストがホトマスクに接着することは全くな
かつた。ここで被加工基板として熱酸化により形
成したSiO2を用い、ホトスレジスト（商品名
MP1300）を塗布し、露光、現像を行なつた。
なお保護膜形成の過程において塩化水素、アン
モニアのような刺激物は全く発生しなかつた。
モニアのような刺激物は全く発生しなかつた。
実施例 ２
実施例１と同様の方法で作成したホトマスクを
アセトン中で20分間超音波をかけて洗浄した後、
平行平板型のエツチング装置でArを用い、流量
16sccm、電力密度0.35W／cm2、圧力1.3Paの条件
で３分間エツチングを行なつた。その後実施例１
の場合と同様に（ヘプタデカフロロ−１，１，
２，２−テトラヒドロデシル）−１−トリエトキ
シシランの蒸気中に室温で50分間保持し、100℃
において30分間ベークを行なつた。実施例１の場
合と同様にして、ホトマスク上の水の接触角を測
定したところ石英上で95°、酸化クロム上で100゜
であつた。これから表面エネルギーの値としてそ
れぞれ15ｍＪ／m2、12ｍＪ／m2が得られ、ホトマ
スク表面の表面エネルギーは十分低くなつている
ことがわかる。
アセトン中で20分間超音波をかけて洗浄した後、
平行平板型のエツチング装置でArを用い、流量
16sccm、電力密度0.35W／cm2、圧力1.3Paの条件
で３分間エツチングを行なつた。その後実施例１
の場合と同様に（ヘプタデカフロロ−１，１，
２，２−テトラヒドロデシル）−１−トリエトキ
シシランの蒸気中に室温で50分間保持し、100℃
において30分間ベークを行なつた。実施例１の場
合と同様にして、ホトマスク上の水の接触角を測
定したところ石英上で95°、酸化クロム上で100゜
であつた。これから表面エネルギーの値としてそ
れぞれ15ｍＪ／m2、12ｍＪ／m2が得られ、ホトマ
スク表面の表面エネルギーは十分低くなつている
ことがわかる。
上記の方法で保護膜を形成したホトマスクを用
いて実施例１の場合と同様に密着露光、現像を行
なつたところ、ホトレジストがホトマスクに接着
することは全くなかつた。被加工基板としては実
施例１と全く同様の基板を用いた。
いて実施例１の場合と同様に密着露光、現像を行
なつたところ、ホトレジストがホトマスクに接着
することは全くなかつた。被加工基板としては実
施例１と全く同様の基板を用いた。
この保護膜形成方法においても塩化水素、アン
モニアのような刺激物は全く発生しなかつた。
モニアのような刺激物は全く発生しなかつた。
実施例 ３
実施例１と同様の方法で作成、洗浄したホトマ
スクを（ヘプタデカフロロ−１，１，２，２−テ
トラヒドロデシル）−１−トリメトキシシランの
蒸気中に室温で30分間保持し、100℃において30
分間ベークを行なつた。上記処理を行つたホトマ
スク上の水の接触角を測定したところ石英上で
100°、酸化クロム上で105°であり、表面エネルギ
ーの値としてそれぞれ12ｍＪ／m2、10ｍＪ／m2と
計算できホトマスク表面の表面エネルギーは十分
低くなつていることがわかる。
スクを（ヘプタデカフロロ−１，１，２，２−テ
トラヒドロデシル）−１−トリメトキシシランの
蒸気中に室温で30分間保持し、100℃において30
分間ベークを行なつた。上記処理を行つたホトマ
スク上の水の接触角を測定したところ石英上で
100°、酸化クロム上で105°であり、表面エネルギ
ーの値としてそれぞれ12ｍＪ／m2、10ｍＪ／m2と
計算できホトマスク表面の表面エネルギーは十分
低くなつていることがわかる。
このホトマスクを用いて実施例１の場合と同様
に密着露光現像を行なつたところホトレジストが
ホトマスクに接着することは全くなかつた。なお
被加工基板としては実施例１と全く同様の基板を
用いた。この保護膜形成方法においても塩化水
素、アンモニアのような刺激物は全く発生しなか
つた。
に密着露光現像を行なつたところホトレジストが
ホトマスクに接着することは全くなかつた。なお
被加工基板としては実施例１と全く同様の基板を
用いた。この保護膜形成方法においても塩化水
素、アンモニアのような刺激物は全く発生しなか
つた。
実施例 ４
実施例２と全く同様の条件でエツチング条件の
みO230sccm0.35W／cm2・5Paの条件に変えて実験
を行なつた。その結果、表面エネルギーは石英上
および酸化クロム上でそれぞれ18ｍＪ／m2、14ｍ
Ｊ／m2と十分低くなつており、露光による試験の
結果も実施例２の場合と全く同じであつた。
みO230sccm0.35W／cm2・5Paの条件に変えて実験
を行なつた。その結果、表面エネルギーは石英上
および酸化クロム上でそれぞれ18ｍＪ／m2、14ｍ
Ｊ／m2と十分低くなつており、露光による試験の
結果も実施例２の場合と全く同じであつた。
実施例 ５
実施例２と全く同様の条件でエツチング条件の
みN218sccm0.35W／cm2・2.0Paの条件に変えて実
験を行なつた。その結果、表面エネルギーは石英
上および酸化クロム上でそれぞれ20ｍＪ／m2、15
ｍＪ／m2と十分低くなつており、露光による試験
の結果も実施例２の場合と全く同じであつた。
みN218sccm0.35W／cm2・2.0Paの条件に変えて実
験を行なつた。その結果、表面エネルギーは石英
上および酸化クロム上でそれぞれ20ｍＪ／m2、15
ｍＪ／m2と十分低くなつており、露光による試験
の結果も実施例２の場合と全く同じであつた。
比較例 １
実施例２と全く同様の方法で、Arによるエツ
チングのみを行なわずに実験を行なつた。その結
果石英上、酸化クロム上とも水が表面に拡がつて
しまい接触角の測定はできなかつた。また、密着
露光をするとホトレジストがホトマスクに接触す
る現象が見られた。
チングのみを行なわずに実験を行なつた。その結
果石英上、酸化クロム上とも水が表面に拡がつて
しまい接触角の測定はできなかつた。また、密着
露光をするとホトレジストがホトマスクに接触す
る現象が見られた。
このように本方法により形成されたホトマスク
の保護膜はホトレジストのホトマスクへの接着を
防ぐ効果が大きく処理も簡便かつ安全で光学露光
プロセスへの応用にその活用が期待されるもので
ある。
の保護膜はホトレジストのホトマスクへの接着を
防ぐ効果が大きく処理も簡便かつ安全で光学露光
プロセスへの応用にその活用が期待されるもので
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ホトマスクを洗浄した後、該ホトマスクをア
ルキルフルオロアルコキシシランの蒸気と接触さ
せることを特徴とするホトマスクの保護膜形成方
法。 ２ ホトマスクをプラズマ中で処理した後、該ホ
トマスクをアルキルフルオロアルコキシシランの
蒸気と接触させることを特徴とするホトマスクの
保護膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226139A JPS6285251A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | ホトマスクの保護膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226139A JPS6285251A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | ホトマスクの保護膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285251A JPS6285251A (ja) | 1987-04-18 |
| JPH041338B2 true JPH041338B2 (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=16840459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60226139A Granted JPS6285251A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | ホトマスクの保護膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6285251A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01123232A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
| EP0422614B1 (en) * | 1989-10-13 | 1996-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aperture pattern-printing plate for shadow mask and method for manufacturing the same |
| JP2002214761A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-07-31 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトリソグラフィー用フォトマスクおよびその製造方法 |
| US6566021B2 (en) | 2001-07-26 | 2003-05-20 | Micro Lithography, Inc. | Fluoropolymer-coated photomasks for photolithography |
| JP2011206720A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Hitachi High-Technologies Corp | ドライ完結型有機ｅｌ用マスククリーナ装置及びそのためのマスククリーニング方法 |
| KR102089835B1 (ko) | 2016-01-27 | 2020-03-16 | 주식회사 엘지화학 | 필름 마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| WO2017131499A1 (ko) | 2016-01-27 | 2017-08-03 | 주식회사 엘지화학 | 필름 마스크, 이의 제조방법, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 패턴 |
| JP6575922B2 (ja) | 2016-01-27 | 2019-09-18 | エルジー・ケム・リミテッド | フィルムマスク、その製造方法、これを用いたパターンの形成方法およびこれを用いて形成されたパターン |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP60226139A patent/JPS6285251A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6285251A (ja) | 1987-04-18 |
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