JPH0624191B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents

プラズマ処理方法

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JPH0624191B2
JPH0624191B2 JP60183612A JP18361285A JPH0624191B2 JP H0624191 B2 JPH0624191 B2 JP H0624191B2 JP 60183612 A JP60183612 A JP 60183612A JP 18361285 A JP18361285 A JP 18361285A JP H0624191 B2 JPH0624191 B2 JP H0624191B2
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Description

【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ この発明は、プラズマ処理方法に関し、特には超ＬＳＩ
の製造プロセスにおいて使用されるプラズマ処理技術に
よる有機レジスト被膜の除去に適用される。
＜従来の技術＞ 超ＬＳＩを製造するプロセスにおいて、酸素プラズマ処
理による有機物の除去工程が広く用いられている。この
ドライ処理方法は、従来の薬液を用いるウェット方法に
比べて、有機物の除去効果が高い。また、ドライ処理で
あるため、廃液処理が不要になる等の長所がある。しか
し、反面除去処理後の基板表面に損傷が残るという欠点
があった。
上記のような欠点を補うために、有機被膜の除去を途中
で中断し、残りは薬液で除去して基板がプラズマに直接
さらされるのを防ぐ、或は除去工程の後工程の中で除去
処理に伴って生じた損傷がアニールアウトされるような
工程を付加する等の方法が採られている。
＜発明が解決しようとする問題点＞ 上記前者のように後半工程を薬液によって調整する方法
は、ドライ処理の長所を半減させることになり、また、
後者のように損傷をアニールによって減少させる方法
は、その適用範囲が限定されるという欠点があって、プ
ラズマ処理による有機物除去工程には根本的な改良が望
まれていた。
＜問題点を解決するための手段＞ 有機膜が被着された基板を酸素プラズマの雰囲気にさら
して有機膜を除去する場合、エッチング工程途中で有機
膜が完全に除去される事なく一部に残留した基板を雰囲
気中から取り出してその表面を観察すると、露出された
基板表面が必ずしも損傷を受けているとは限らない状態
が観察される。
即ち、発明者が詳細に観察した処によれば、有機膜が依
然として反応しているプラズマ中では、たとえ基板が露
出してもほとんど損傷は発生しない。この現象に対応し
て、分光学的手段による確認では、例えば、有機膜除去
中では有機膜の反応生成物であるＣＯの発光の増大がみ
られ、他方有機膜が完全に除去されて反応生成物ＣＯが
著しく減少した場合にはその発光もほとんど見られなく
なる。このときには基板が受ける損傷は著しくなる。
即ち酸素プラズマによって有機物を除去する際、プラズ
マ雰囲気のガスとして酸素ガスのみの場合と、酸素ガス
に有機膜反応生成物が添加されている場合とでは性質が
異なり、有機膜の反応生成物が混在する雰囲気でプラズ
マ処理を実施すれば、処理工程中に生じる基板の損傷を
防ぐことができる。
従って、この発明は、基板上の有機膜を除去するプラズ
マ処理方法であって、エッチングガスに酸素ガスとメチ
ルアルコールガスとを用いたことを特徴とするものであ
る。
＜実施例＞ 本発明は、レジスト等の有機膜が被着された半導体基板
について、有機膜を除去するために、酸素ガスに更にメ
チルアルコールガスを添加してプラズマエッチングを行
うものである。
以下、一実施例に基づいて、本発明を詳細に説明する。
まず、基板はシリコン基板上に１０００ÅのＳｉＯ２膜
が形成されている。シリコン基板上のＳｉＯ２膜は、半
導体製造工程の必要性に応じてレジストが塗布され各種
の処理が実行される。処理後のレジストは後述する酸素
プラズマエッチングによって除去され、除去されたＳｉ
Ｏ２膜上に、例えばポリシリコンがＣＶＤによって作製
される。
従って、損傷の評価は、酸素プラズマにさらされたＳｉ
Ｏ２膜上に作製したポリシリコンに現れる表面の荒れの
程度によって行う。なぜならば、下地となるＳｉＯ２膜
に損傷や汚染がある場合には、その上にＣＶＤで形成さ
れるポリシリコンにもその影響を受けて表面にも荒れが
発生するため、ポリシリコン表面を観察して評価する。
プラズマ処理条件が、ガスとして酸素（Ｏ２）とメチル
アルコール（ＣＨ３ＯＨ）とを用い、圧力を１Ｔｏｒｒ
とし、パワーを６００Ｗとした場合、１０分間処理のレ
ジストの除去膜厚は３８５０Åであり、６０分間処理で
の損傷は無かった。また、比較のために、ガスとして酸
素のみを用いて、同一条件でプラズマ処理を行った場
合、１０分間処理でのレジストの除去膜厚は３０００Å
であり、６０分間処理での損傷は有った。ここで、損傷
“有”はポリシリコンの結晶粒が異常成長し、鏡面が得
られずに曇りガラス状に観察されたことを示す。
上記の通りＣＨ３ＯＨ添加の場合において、レジスト除
去速度は酸素ガスのみの場合に比べて、３０％増加する
ので、処理速度の向上と損傷防止の効果が得られる。
＜発明の効果＞ 以上、詳細に説明したように、有機膜のプラズマ除去処
理において、簡単な構成を付加することによって、製造
工程の管理を容易にすると共にプラズマ処理時の基板表
面の損傷を低減し、半導体装置の歩留り向上を図ること
ができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上の有機物を酸素プラズマ中で除去す
    るプラズマ処理方法において、 酸素プラズマにメチルアルコールガスが添加された雰囲
    気中で有機物の除去を行うことを特徴とするプラズマ処
    理方法。
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