KR970030626A - 반도체 소자의 소자 분리막 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 소자 분리막 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상부에 패드 산화막을 형성한 후, NH3분위기에서 어닐링 처리하여 패드 산화막과 실리콘 기판 사이에 질소원자가 축적되게 함으로써, 패드 산화막 형성시 산화제가 패드 산화막으로 침투되는 것을 막아 버즈빅이 줄어들게 하며, 또한 질화막 스페이서를 형성한 후, 저온에서 실리콘 기판을 산화시킨 후, 습식식각으로 형성된 산화막을 제거하여 식각되는 실리콘 기판의 프로파일이 거의 수직으로 형성되게하고 리세스 깊이를 적절하게 조절할 수 있으므로 양호한 필드 산화막의 프로파일을 재현성있게 얻을 수 있으며, 산화막 제거시 건식식각에 의한 식각 데미지를 받지 않으므로 이로 인한 결함이 줄어들며, 질화막 스페이서의 두께를 낮출 수 있으므로 필드 산화막의 충분한 두께를 확보할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1g도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 소자 분리막 제조 공정도.
Claims (8)
- 실리콘 기판상에 패드 산화막을 형성하는 단계와, NH3가스 분위기에서 일정온도와 압력하에서 일정시간동안 어닐링하여 상기 실리콘 기판과 패드 산화막의 경계부위에 질소원자를 축적하는 단계와, 전체구조 상부에 산화 방지용 질화막을 소정두께로 증착하는 단계와, 필드영역의 질화막과 패드 산화막을 식각하여 제거하는 단계와, 전체구조 상부에 질화막을 증착한 후, 필드영역의 질화막을 식각하여 필드영역의 측벽에 질화막 스페이서를 형성하는 단계와, 필드영역내의 실리콘 기판을 산화시켜 얇은 두께의 산화막을 형성하는 단계와, 상기 필드영역에 형성된 산화막을 습식식각으로 제거하여 실리콘 기판을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 기판을 고온에서 산화시켜 소정두께의 필드 산화막을 형성하는 단계와, 상기 질화막과 패드 산화막을 습식식각하여 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서 상기 NH2가스 분위기에서의 어닐링처리는 온도 800∼1000℃, 압력 l0∼100Torr.의 조건에서 30분∼2시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서 상기 패드영역을 정의한 후, 질화막 식각시 건식식각으로 패드 산화막까지 식각하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서 상기 스페이서 질화막의 두께는 100Å 내지 700Å 범위로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서 상기 스페이서 질화막의 두께는 식각되는 실리콘기판의 두께를고려하여 100Å 내지 700Å 범위로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서 상기 질화막 스페이서 형성 후, 필드영역의 실리콘 기판을 약 700 내지 900℃의 온도에서 산화시켜 100 내지 1000Å의 산화막 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 제조방법.
- 제1항 또는 제6항에 있어서 상기 필드영역내에 형성된 산화막을 제거할 시 산화막 두께의 80 내지 100%의 범위내에서 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서 HF 용액에 의해 산화막이 제거되어 실리콘 기판이 식각되는 깊이는 100 내지 500Å 범위의 두께로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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