KR970013189A - 반도체 집적회로의 소자격리방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 집적회로의 소자격리(isolation) 방법에 관한 것으로, 소자격리 영역의 기판 표면이 노출되도록 반도체 기판의 액티브 영역에 패드 산화막/폴리 실리콘/제1실리콘 질화막 구조의 액티브 패턴을 형성하는 공정과; 노출된 기판을 등방성 식각하는 공정과; 제2실리콘 질화막을 증착하는 공정과; 제2실리콘 질화막을 이방성 식각처리 하는 공정 및; 열산화하여 격리막을 성장시키는 공정을 구비하여 소자 제조를 완료하므로써, 1) 실리콘 질화막의 두께를 충분히 높이지 않고도 질화막의 강도를 향상시킬 수 있어서 좁은 폭을 갖는 액티브 패턴의 장방향 버즈 비크 성장을 억제시킬 수 있으며, 2) 격리막을 리세스시키기 위하여 실리콘 기판을 리무트 플라즈마 방식의 화학적 건식 식각법으로 식각하므로써 등방성이고 스무스한 리세스 프로파일 및 저 손상(low damage) 실리콘 기판을 유지할 수 있어 격리막의 프로파일 개선 및 결정 결함의 발생 가능성을 낮출 수 있게 되어 공정 신뢰성을 향상시킬 수 있게 되고, 3) 제2실리콘 질화막을 로드-락(load lock) 챔버에서 얇은 두께로 증착하므로써, 실리콘 기판에 생기는 자연산화막의 성장을 최소화할 수 있을 뿐 아니라 산화 공정시, 상기 질화막을 완전히 산화시킬 수 있어 제2실리콘 질화막으로 인한 기판의 스트레스를 최소화하면서도 버즈 비크의 성정 억제 및 격리막의 프로파일 개선등을 실현할 수 있어 엑티브 소자의 전기적 특성(예컨대, 정션 리키지, 임계전압 특성)을 개선할 수 있게 된다.

Description

반도체 집적회로의 소자격리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5(가)도 내지(마)도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 소자격리 방법을 도시한 공정수순도

Claims (11)

  1. 소자격리 영역의 기판 표면이 노출되도록 반도체 기판의 액티브 영역에 패드 산화막/폴리 실리콘/제1실리콘 질화막 구조의 액티브 패턴을 형성하는 공정과; 노출된 기판을 등방성 식각하는 공정과; 제2실리콘 질화막을 증착하는 공정과; 제2실리콘 질화막을 이방성 식각하는 공정 및; 열산화하여 격리막을 성정시키는 공정을 구비하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 소자분리 방법
  2. 제1항에 있어서, 상기 노출된 기판은 화학적 건식 식각법이나 습식 식각법으로 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 소자분리 방법
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 노출된 기판은 300-500A 깊이로 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 소자분리 방법
  4. 제1항에 있어서, 상기 액티브 패턴은 패드 산화막/비정질 실리콘/제1실리콘 질화막 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 소자분리 방법
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2실리콘 질화막은 로드-락 챔버를 갖는 화학기상증착장비를 이용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 소자격리 방법
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2실리콘 질화막은 원하는 두께의 격리막 성장이 완료되는 싯점에서 100% 산화될수 있는 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 소자격리 방법
  7. 제1항 또는 제항에 있어서, 상기 제2실리콘 질화막은 100Å 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 소자격리 방법
  8. 제1항에 있어서, 격리막 형성을 위한 상기 열산화 공정은 950℃ 이상의 온도에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 소자격리 방법
  9. 제1항에 있어서, 상기 폴리 실리콘은 노출된 기판의 등방성 식각 공정시 노출된 측벽이 함께 등방성 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 소자격리 방법
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2실리콘 질화막은 열산화시 모두 열산화막으로 형성되는 것을 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 소자격리 방법
  11. 제1항 또는 제10항에 있어서, 상기 반도체 집적회로의 소자격리방법은 격리막 성장 후 제1실리콘 질화막과 폴리 실리콘 및 열산화막을 제거하는 공정을 더 포함하여 형성되는 것을 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 소자격리 방법
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