JP2002214761A - フォトリソグラフィー用フォトマスクおよびその製造方法 - Google Patents
フォトリソグラフィー用フォトマスクおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 焼付工程で繰り返し使用した場合であって
も、フォトマスク表面に異物やソルダーレジストが付着
しないフォトリソグラフィー用フォトマスクおよびその
製造方法を提供する。 【解決手段】 フォトマスク１の表面に、表面エネルギ
ーを小さくさせるフッ素系樹脂層３を設けたフォトリソ
グラフィー用フォトマスク１によって、上記課題を解決
する。このとき、そのフッ素系樹脂層３は、フォトマス
ク１の表面粘着性を低減させるものであることが好まし
く、その膜厚が１μｍ以下であることが好ましい。ま
た、本発明のフォトリソグラフィー用フォトマスクの製
造方法は、フォトマスク１の表面に表面エネルギーを小
さくさせるフッ素系樹脂３をコーティングすることによ
って、上記課題を解決する。
も、フォトマスク表面に異物やソルダーレジストが付着
しないフォトリソグラフィー用フォトマスクおよびその
製造方法を提供する。 【解決手段】 フォトマスク１の表面に、表面エネルギ
ーを小さくさせるフッ素系樹脂層３を設けたフォトリソ
グラフィー用フォトマスク１によって、上記課題を解決
する。このとき、そのフッ素系樹脂層３は、フォトマス
ク１の表面粘着性を低減させるものであることが好まし
く、その膜厚が１μｍ以下であることが好ましい。ま
た、本発明のフォトリソグラフィー用フォトマスクの製
造方法は、フォトマスク１の表面に表面エネルギーを小
さくさせるフッ素系樹脂３をコーティングすることによ
って、上記課題を解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトリソグラフ
ィー用フォトマスクおよびその製造方法に関し、更に詳
しくは、焼付工程で繰り返し使用した場合であっても、
フォトマスクの表面に異物やソルダーレジストが付着し
ないフォトリソグラフィー用フォトマスクおよびその製
造方法に関する。
ィー用フォトマスクおよびその製造方法に関し、更に詳
しくは、焼付工程で繰り返し使用した場合であっても、
フォトマスクの表面に異物やソルダーレジストが付着し
ないフォトリソグラフィー用フォトマスクおよびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィーによって金属加工
製品を製造する際の焼付工程は、フォトレジストをコー
ティングした厚さ０．０２５〜０．３ｍｍの金属素材
に、所定のパターンが形成されたフォトマスクを密着露
光させ、所定のパターンを金属素材上のフォトレジスト
層に焼き付ける工程である。
製品を製造する際の焼付工程は、フォトレジストをコー
ティングした厚さ０．０２５〜０．３ｍｍの金属素材
に、所定のパターンが形成されたフォトマスクを密着露
光させ、所定のパターンを金属素材上のフォトレジスト
層に焼き付ける工程である。
【０００３】この焼付工程で使用されるフォトマスクと
しては、図４（ａ）に示すように、ガラス基材４４とそ
の上面にパターニングされたエマルジョン層４２とから
なるエマルジョンマスク４１が広く使用されている。こ
うしたエマルジョンマスク４１は、ゼラチン中に感光性
のハロゲン化銀を分散させてなるものであり、マスター
マスクによって所定のパターンに形成されてなるもので
ある。
しては、図４（ａ）に示すように、ガラス基材４４とそ
の上面にパターニングされたエマルジョン層４２とから
なるエマルジョンマスク４１が広く使用されている。こ
うしたエマルジョンマスク４１は、ゼラチン中に感光性
のハロゲン化銀を分散させてなるものであり、マスター
マスクによって所定のパターンに形成されてなるもので
ある。
【０００４】エマルジョンマスク４１は、フォトレジス
トがコーティングされた金属素材に何回も密着露光され
るものであるため、必要に応じて図４（ｂ）に示すよう
に、エマルジョン層４２の表面に保護層４６が形成され
ている。
トがコーティングされた金属素材に何回も密着露光され
るものであるため、必要に応じて図４（ｂ）に示すよう
に、エマルジョン層４２の表面に保護層４６が形成され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のエマルジョンマスク４１は、焼付工程において
フォトレジストがコーティングされた金属素材に密着す
る際に、その金属素材上のフォトレジスト層との間に異
物が混入すると、その異物がエマルジョン層４２の表面
に付着してフォトレジスト層にキズを付け、その後のエ
ッチング加工工程において、金属素材に欠陥を発生させ
るという問題があった。さらに、その異物がエマルジョ
ン層４２の表面に付着したまま引き続いてエマルジョン
マスク４１が使用されると、そのエマルジョンマスク４
１を使って焼付しエッチング加工して得られた金属加工
製品には、付着した異物に基づいた欠陥が発生するとい
う問題もあった。
た従来のエマルジョンマスク４１は、焼付工程において
フォトレジストがコーティングされた金属素材に密着す
る際に、その金属素材上のフォトレジスト層との間に異
物が混入すると、その異物がエマルジョン層４２の表面
に付着してフォトレジスト層にキズを付け、その後のエ
ッチング加工工程において、金属素材に欠陥を発生させ
るという問題があった。さらに、その異物がエマルジョ
ン層４２の表面に付着したまま引き続いてエマルジョン
マスク４１が使用されると、そのエマルジョンマスク４
１を使って焼付しエッチング加工して得られた金属加工
製品には、付着した異物に基づいた欠陥が発生するとい
う問題もあった。
【０００６】また、フォトレジストとしてソルダーレジ
ストがコーティングされた金属素材の場合には、従来の
エマルジョンマスク４１をその金属素材上のフォトレジ
スト層に密着して焼付すると、ソルダーレジストがエマ
ルジョン層４２の表面に転写して異物として振る舞うこ
とがある。そのため、その後にそのエマルジョンマスク
４１を使って焼付しエッチング加工して得られた金属加
工製品には、転写したソルダーレジストに基づいた欠陥
が発生するという問題もあった。
ストがコーティングされた金属素材の場合には、従来の
エマルジョンマスク４１をその金属素材上のフォトレジ
スト層に密着して焼付すると、ソルダーレジストがエマ
ルジョン層４２の表面に転写して異物として振る舞うこ
とがある。そのため、その後にそのエマルジョンマスク
４１を使って焼付しエッチング加工して得られた金属加
工製品には、転写したソルダーレジストに基づいた欠陥
が発生するという問題もあった。
【０００７】上述したような欠陥の発生は、多くの製品
ロスを生じさせると共に、検査工程にも多大の負荷をか
けるものであった。
ロスを生じさせると共に、検査工程にも多大の負荷をか
けるものであった。
【０００８】本発明は、上記問題を解決すべくなされた
ものであって、焼付工程で繰り返し使用した場合であっ
ても、フォトマスク表面に異物やソルダーレジストが付
着しないフォトリソグラフィー用フォトマスクおよびそ
の製造方法を提供するものである。
ものであって、焼付工程で繰り返し使用した場合であっ
ても、フォトマスク表面に異物やソルダーレジストが付
着しないフォトリソグラフィー用フォトマスクおよびそ
の製造方法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のフォト
リソグラフィー用フォトマスクは、フォトマスクの表面
に、表面エネルギーを小さくさせるフッ素系樹脂層を設
けたことに特徴を有する。
リソグラフィー用フォトマスクは、フォトマスクの表面
に、表面エネルギーを小さくさせるフッ素系樹脂層を設
けたことに特徴を有する。
【００１０】この発明によれば、フォトマスクの表面に
表面エネルギーを小さくさせるフッ素系樹脂層を設けた
ので、そのフォトマスクの表面は、フッ素系樹脂層を有
していないフォトマスクの表面に比べて、異物の付着や
金属素材上のソルダーレジストの転写が極めて起こり難
い。その結果、その後に本発明のフォトマスクを使って
焼き付けしエッチング加工して得られた金属加工製品に
は、付着した異物やソルダーレジストに基づいた欠陥の
発生が極めて少なくなり、不良品や検査負担等の加工ロ
スを著しく改善することができる。
表面エネルギーを小さくさせるフッ素系樹脂層を設けた
ので、そのフォトマスクの表面は、フッ素系樹脂層を有
していないフォトマスクの表面に比べて、異物の付着や
金属素材上のソルダーレジストの転写が極めて起こり難
い。その結果、その後に本発明のフォトマスクを使って
焼き付けしエッチング加工して得られた金属加工製品に
は、付着した異物やソルダーレジストに基づいた欠陥の
発生が極めて少なくなり、不良品や検査負担等の加工ロ
スを著しく改善することができる。
【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
のフォトリソグラフィー用フォトマスクにおいて、前記
フッ素系樹脂層は、前記フォトマスクの表面粘着性を低
減させることに特徴を有する。
のフォトリソグラフィー用フォトマスクにおいて、前記
フッ素系樹脂層は、前記フォトマスクの表面粘着性を低
減させることに特徴を有する。
【００１２】この発明によれば、フォトマスクの表面粘
着性を低減させるフッ素系樹脂層を設けたので、一般的
にゼラチン等で構成されているエマルジョン層の表面粘
着性を低減させることができ、異物の付着や金属素材上
のソルダーレジストの転写を防ぐことができる。その結
果、その後に本発明のフォトマスクを使って焼き付けし
エッチング加工して得られた金属加工製品には、付着し
た異物やソルダーレジストに基づいた欠陥の発生が極め
て少なくなり、不良品や検査負担等の加工ロスを著しく
改善することができる。
着性を低減させるフッ素系樹脂層を設けたので、一般的
にゼラチン等で構成されているエマルジョン層の表面粘
着性を低減させることができ、異物の付着や金属素材上
のソルダーレジストの転写を防ぐことができる。その結
果、その後に本発明のフォトマスクを使って焼き付けし
エッチング加工して得られた金属加工製品には、付着し
た異物やソルダーレジストに基づいた欠陥の発生が極め
て少なくなり、不良品や検査負担等の加工ロスを著しく
改善することができる。
【００１３】請求項３に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載のフォトリソグラフィー用フォトマスク
において、前記フッ素系樹脂層の膜厚が１μｍ以下であ
ることに特徴を有する。
請求項２に記載のフォトリソグラフィー用フォトマスク
において、前記フッ素系樹脂層の膜厚が１μｍ以下であ
ることに特徴を有する。
【００１４】この発明によれば、フッ素系樹脂層の膜厚
が１μｍ以下であるので、パターンの解像度を損なうこ
とがない。
が１μｍ以下であるので、パターンの解像度を損なうこ
とがない。
【００１５】請求項４に記載のフォトリソグラフィー用
フォトマスクの製造方法は、フォトマスクの表面に表面
エネルギーを小さくするフッ素系樹脂をコーティングす
ることに特徴を有する。
フォトマスクの製造方法は、フォトマスクの表面に表面
エネルギーを小さくするフッ素系樹脂をコーティングす
ることに特徴を有する。
【００１６】この発明によれば、フォトマスクの表面に
表面エネルギーを小さくさせるフッ素系樹脂をコーティ
ングしてフォトマスクを製造するので、異物の付着やソ
ルダーレジストの転写を極めて起こし難いフッ素系樹脂
層を均一且つ密着性よく設けることができる。本発明の
製造方法によって得られたフォトマスクは、そのフォト
マスクを使って焼き付けしエッチング加工して得られた
金属加工製品に対して、付着した異物等に基づいた欠陥
の発生が極めて少なくなるので、不良品や検査負担等の
加工ロスを著しく改善することができる。
表面エネルギーを小さくさせるフッ素系樹脂をコーティ
ングしてフォトマスクを製造するので、異物の付着やソ
ルダーレジストの転写を極めて起こし難いフッ素系樹脂
層を均一且つ密着性よく設けることができる。本発明の
製造方法によって得られたフォトマスクは、そのフォト
マスクを使って焼き付けしエッチング加工して得られた
金属加工製品に対して、付着した異物等に基づいた欠陥
の発生が極めて少なくなるので、不良品や検査負担等の
加工ロスを著しく改善することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のフォトリソグラ
フィー用フォトマスクおよびその製造方法について図面
を参照しつつ説明する。図１は、本発明のフォトリソグ
ラフィー用フォトマスクの一例を示す拡大断面図であ
り、図２は、他の一例を示す拡大断面図である。
フィー用フォトマスクおよびその製造方法について図面
を参照しつつ説明する。図１は、本発明のフォトリソグ
ラフィー用フォトマスクの一例を示す拡大断面図であ
り、図２は、他の一例を示す拡大断面図である。
【００１８】本発明のフォトリソグラフィー用フォトマ
スク（以下「フォトマスク１」という。）は、フォトマ
スク１の表面に、表面エネルギーを小さくさせるフッ素
系樹脂層３を設けたことに特徴を有するものである。本
発明においては、図１及び図２に示すように、エマルジ
ョン層２を少なくとも有するフォトマスク１の最表面に
表面エネルギーを小さくさせるフッ素系樹脂層３を設け
ることによって所期の目的を達成するものであるが、エ
マルジョン層２を有さないフォトマスクの場合であって
も、フッ素系樹脂層３を設けたことによって本発明と同
一の作用効果を奏するフォトマスクであれば、特に限定
されずに本発明の趣旨を適用することができる。
スク（以下「フォトマスク１」という。）は、フォトマ
スク１の表面に、表面エネルギーを小さくさせるフッ素
系樹脂層３を設けたことに特徴を有するものである。本
発明においては、図１及び図２に示すように、エマルジ
ョン層２を少なくとも有するフォトマスク１の最表面に
表面エネルギーを小さくさせるフッ素系樹脂層３を設け
ることによって所期の目的を達成するものであるが、エ
マルジョン層２を有さないフォトマスクの場合であって
も、フッ素系樹脂層３を設けたことによって本発明と同
一の作用効果を奏するフォトマスクであれば、特に限定
されずに本発明の趣旨を適用することができる。
【００１９】エマルジョン層２は、一般的には乳剤層と
も呼ばれ、ゼラチン中に感光性のハロゲン化銀が分散さ
れているものまたはそれと同等の作用効果を奏するもの
であり、予め準備されたマスターマスクによって所定の
パターン５に形成されてなるものである。こうしたエマ
ルジョン層２は、ガラス基材４上に設けられ、その厚さ
は、フォトマスク１の適用対象によって相違するので特
に限定されないが、通常は約３〜５μｍである。なお、
本発明のフォトマスクの適用対象となる金属加工製品と
しては、シャドウマスク、リードフレーム、プリント基
板等を挙げることができる。
も呼ばれ、ゼラチン中に感光性のハロゲン化銀が分散さ
れているものまたはそれと同等の作用効果を奏するもの
であり、予め準備されたマスターマスクによって所定の
パターン５に形成されてなるものである。こうしたエマ
ルジョン層２は、ガラス基材４上に設けられ、その厚さ
は、フォトマスク１の適用対象によって相違するので特
に限定されないが、通常は約３〜５μｍである。なお、
本発明のフォトマスクの適用対象となる金属加工製品と
しては、シャドウマスク、リードフレーム、プリント基
板等を挙げることができる。
【００２０】エマルジョン層２上には、図２に示すよう
に、必要に応じて保護層６を設けることもできる。こう
した保護層６は、比較的キズが付きやすい上述のエマル
ジョン層２を保護して、キズの発生を防止するために設
けられる。また、保護層６には、第２５５８３０４号特
許公報に開示されているような微粒子７を含有させるこ
ともできる。そうした微粒子７を含有させた保護層６
は、フォトマスク１と金属素材上に形成されたフォトレ
ジスト層との密着性を高める真空引き作業の迅速化に寄
与することができる。保護層６の厚さや保護層表面の表
面粗さは特に限定されないが、好ましくは、厚さ約１〜
３μｍ、表面粗さ（Ｒａ）０．１〜０．５μｍの凹凸で
あることが好ましい。
に、必要に応じて保護層６を設けることもできる。こう
した保護層６は、比較的キズが付きやすい上述のエマル
ジョン層２を保護して、キズの発生を防止するために設
けられる。また、保護層６には、第２５５８３０４号特
許公報に開示されているような微粒子７を含有させるこ
ともできる。そうした微粒子７を含有させた保護層６
は、フォトマスク１と金属素材上に形成されたフォトレ
ジスト層との密着性を高める真空引き作業の迅速化に寄
与することができる。保護層６の厚さや保護層表面の表
面粗さは特に限定されないが、好ましくは、厚さ約１〜
３μｍ、表面粗さ（Ｒａ）０．１〜０．５μｍの凹凸で
あることが好ましい。
【００２１】フッ素系樹脂層３は、本発明の特徴的な部
分であり、エマルジョン層２を有するフォトマスク１の
表面、すなわち金属素材上に形成されたフォトレジスト
層に密着する側のフォトマスク１の最表面に設けられて
いる。本発明においては、このフッ素系樹脂層３をフォ
トマスク１の表面に設けることによって、フッ素系樹脂
層３を表面に有していないフォトマスクに比べて、異物
やフォトレジスト層（例えば、ソルダーレジスト層）の
一部がフォトマスクの表面に付着ないし転写するのを著
しく妨げることができる。
分であり、エマルジョン層２を有するフォトマスク１の
表面、すなわち金属素材上に形成されたフォトレジスト
層に密着する側のフォトマスク１の最表面に設けられて
いる。本発明においては、このフッ素系樹脂層３をフォ
トマスク１の表面に設けることによって、フッ素系樹脂
層３を表面に有していないフォトマスクに比べて、異物
やフォトレジスト層（例えば、ソルダーレジスト層）の
一部がフォトマスクの表面に付着ないし転写するのを著
しく妨げることができる。
【００２２】フッ素系樹脂層３は、表面エネルギーを小
さくすることができるものであればよい。フッ素系樹脂
層３に基づいた表面エネルギーの低下は、フォトマスク
１の表面において、水に対する接触角ないし油に対する
接触角を大きくすることができる。具体的には、フッ素
系樹脂層３をフォトマスク１の表面に設けることによっ
て、フッ素系樹脂層３が設けられていないフォトマスク
の表面における約４０°〜８０°程度の水に対する接触
角を、約１１０°以上の接触角にすることができる。上
記の特徴を有するフッ素系樹脂層３は、表面エネルギー
が小さくて優れた撥水性・発油性を有するので、異物や
ソルダーレジストが極めて付着し難い。
さくすることができるものであればよい。フッ素系樹脂
層３に基づいた表面エネルギーの低下は、フォトマスク
１の表面において、水に対する接触角ないし油に対する
接触角を大きくすることができる。具体的には、フッ素
系樹脂層３をフォトマスク１の表面に設けることによっ
て、フッ素系樹脂層３が設けられていないフォトマスク
の表面における約４０°〜８０°程度の水に対する接触
角を、約１１０°以上の接触角にすることができる。上
記の特徴を有するフッ素系樹脂層３は、表面エネルギー
が小さくて優れた撥水性・発油性を有するので、異物や
ソルダーレジストが極めて付着し難い。
【００２３】こうしたフッ素系樹脂層３は、フォトマス
ク１の表面粘着性を低減させることができるという作用
効果を有しており、特に、ゼラチンを主要材料として構
成されたエマルジョン層２が備える粘着性を著しく低減
させることができる。表面粘着性が低減したフォトマス
ク１は、異物の付着や金属素材上に設けられたソルダー
レジスト層の一部が転写されるのを防ぐことができる。
ク１の表面粘着性を低減させることができるという作用
効果を有しており、特に、ゼラチンを主要材料として構
成されたエマルジョン層２が備える粘着性を著しく低減
させることができる。表面粘着性が低減したフォトマス
ク１は、異物の付着や金属素材上に設けられたソルダー
レジスト層の一部が転写されるのを防ぐことができる。
【００２４】フッ素系樹脂層３を構成する樹脂材料とし
ては、フッ素樹脂を含有するソリューション型塗料やオ
ルガノゾル型塗料を好ましく使用することができるが、
それ以外の塗料であっても本発明のフッ素系樹脂層３の
作用効果を奏するものであれば特に限定されない。ソリ
ューション型塗料は、有機溶媒中にフッ素樹脂が溶解し
ているものであり、均一厚さでピンホール等の欠陥の少
ない薄い層を形成することができる点で優れている。し
かも、透明な共重合体からなるフッ素系樹脂層３を形成
することができるので、フォトマスク１の最表面に設け
る層として好ましく採用することができる。オルガノゾ
ル型塗料は、比較的低い温度でフッ素樹脂粒子が溶解
し、且つ変性樹脂と相溶してポリマーアロイを形成する
ので、均一でピンホール等の少ない薄い層を形成するこ
とができる点で優れている。なお、好ましい塗料の選定
に当たっては、フォトマスク１の製造ラインにおいて問
題なく使用することができることも重要な要素であり、
取り扱いの容易性、作業環境、消防法その他の観点から
選択することが好ましい。
ては、フッ素樹脂を含有するソリューション型塗料やオ
ルガノゾル型塗料を好ましく使用することができるが、
それ以外の塗料であっても本発明のフッ素系樹脂層３の
作用効果を奏するものであれば特に限定されない。ソリ
ューション型塗料は、有機溶媒中にフッ素樹脂が溶解し
ているものであり、均一厚さでピンホール等の欠陥の少
ない薄い層を形成することができる点で優れている。し
かも、透明な共重合体からなるフッ素系樹脂層３を形成
することができるので、フォトマスク１の最表面に設け
る層として好ましく採用することができる。オルガノゾ
ル型塗料は、比較的低い温度でフッ素樹脂粒子が溶解
し、且つ変性樹脂と相溶してポリマーアロイを形成する
ので、均一でピンホール等の少ない薄い層を形成するこ
とができる点で優れている。なお、好ましい塗料の選定
に当たっては、フォトマスク１の製造ラインにおいて問
題なく使用することができることも重要な要素であり、
取り扱いの容易性、作業環境、消防法その他の観点から
選択することが好ましい。
【００２５】フッ素系樹脂層３の形成方法としては、上
述したような塗料を、フォトマスク１の表面を構成する
ように、掛け流し、スピンコート、ディップコート等の
方法によって形成することができる。こうした塗布方法
においては、揮発性の高い溶媒を含有する塗料を採用す
ることが好ましく、より均一でピンホール等の欠陥の少
ない薄い層を形成することが可能になる。
述したような塗料を、フォトマスク１の表面を構成する
ように、掛け流し、スピンコート、ディップコート等の
方法によって形成することができる。こうした塗布方法
においては、揮発性の高い溶媒を含有する塗料を採用す
ることが好ましく、より均一でピンホール等の欠陥の少
ない薄い層を形成することが可能になる。
【００２６】均一厚さに塗布したフッ素系樹脂層３をベ
イキングすることによって、フッ素系樹脂層３と、その
下層を構成するエマルジョン層２または保護層６との密
着性を向上させることができ、フォトマスク１の安定性
をより向上させることができる。その温度は、採用する
樹脂塗料の種類のよっても異なるが、通常１００〜１６
０℃程度である。
イキングすることによって、フッ素系樹脂層３と、その
下層を構成するエマルジョン層２または保護層６との密
着性を向上させることができ、フォトマスク１の安定性
をより向上させることができる。その温度は、採用する
樹脂塗料の種類のよっても異なるが、通常１００〜１６
０℃程度である。
【００２７】以上のように、フッ素系樹脂層３が形成さ
れたフォトマスク１は、そのフォトマスク１を使用した
焼付工程において、パターンの解像度を損なうことがな
く、異物の付着等に基づく欠陥が極めて少ない金属加工
製品を形成することが可能となる。このとき、パターン
の解像度を損なうことがないフッ素系樹脂層３の好まし
い厚さは約１μｍ以下である。また、フッ素系樹脂層３
は、可とう性、硬度、基板密着性、耐候性、耐熱性、耐
薬品性にも優れるので、フォトマスク１の最表面を構成
する層として極めて好ましい特性を兼ね備えている。本
発明のフォトマスクは、約１０ｃｍ角程度の小さなもの
から、約１メートル角以上の大きなものまで好ましく適
用することができる。
れたフォトマスク１は、そのフォトマスク１を使用した
焼付工程において、パターンの解像度を損なうことがな
く、異物の付着等に基づく欠陥が極めて少ない金属加工
製品を形成することが可能となる。このとき、パターン
の解像度を損なうことがないフッ素系樹脂層３の好まし
い厚さは約１μｍ以下である。また、フッ素系樹脂層３
は、可とう性、硬度、基板密着性、耐候性、耐熱性、耐
薬品性にも優れるので、フォトマスク１の最表面を構成
する層として極めて好ましい特性を兼ね備えている。本
発明のフォトマスクは、約１０ｃｍ角程度の小さなもの
から、約１メートル角以上の大きなものまで好ましく適
用することができる。
【００２８】
【実施例】以下に実施例及び比較例を示し、本発明をさ
らに具体的に説明する。
らに具体的に説明する。
【００２９】（実施例１）ガラス基材４として、大きさ
約８００ｍｍ×１１００ｍｍで厚さ約５ｍｍのガラス板
を用い、その上に常法によりエマルジョン層２を形成
し、そのエマルジョン層２をマスターパターンでパター
ンニングした。このとき、エマルジョン層２は、ゼラチ
ン中に感光性のハロゲン化銀が分散されているものと
し、厚さ約５μｍになるように形成し、パターン幅は約
１００μｍ幅で形成した。
約８００ｍｍ×１１００ｍｍで厚さ約５ｍｍのガラス板
を用い、その上に常法によりエマルジョン層２を形成
し、そのエマルジョン層２をマスターパターンでパター
ンニングした。このとき、エマルジョン層２は、ゼラチ
ン中に感光性のハロゲン化銀が分散されているものと
し、厚さ約５μｍになるように形成し、パターン幅は約
１００μｍ幅で形成した。
【００３０】そのエマルジョン層２上に、フッ素系樹脂
をディップコートし、次いで、約１００℃・２０分間の
条件でベーキングにより密着性を向上させて、約０．１
μｍのフッ素系樹脂層３を形成した。ディップコート
は、フッ素系樹脂の入ったディップコート槽中に、エマ
ルジョン層２を形成したガラス基材４を浸漬し、一定速
度で引き上げることによって行った。フッ素系樹脂とし
ては、溶液型のフルオロオレフィン系コポリマーを用い
た。なお、膜厚測定は、電子顕微鏡（日立製、Ｓ４５０
０）により測定した。こうして得られたフォトマスク１
を実施例１とした。
をディップコートし、次いで、約１００℃・２０分間の
条件でベーキングにより密着性を向上させて、約０．１
μｍのフッ素系樹脂層３を形成した。ディップコート
は、フッ素系樹脂の入ったディップコート槽中に、エマ
ルジョン層２を形成したガラス基材４を浸漬し、一定速
度で引き上げることによって行った。フッ素系樹脂とし
ては、溶液型のフルオロオレフィン系コポリマーを用い
た。なお、膜厚測定は、電子顕微鏡（日立製、Ｓ４５０
０）により測定した。こうして得られたフォトマスク１
を実施例１とした。
【００３１】（実施例２）実施例２は、エマルジョン層
２の上に保護層６を形成し、その保護層６の上にフッ素
系樹脂層３を形成してフォトマスク１を形成したもので
あり、その他の構成および条件は、実施例１と同様とし
た。
２の上に保護層６を形成し、その保護層６の上にフッ素
系樹脂層３を形成してフォトマスク１を形成したもので
あり、その他の構成および条件は、実施例１と同様とし
た。
【００３２】保護層６は、細かくすり潰したガラス微粒
子７を分散させた透明樹脂（例えば、アクリル樹脂）
を、エマルジョン層２の上からノズルを使用して掛け流
し、室温乾燥して溶剤を揮発させ、密着性を向上させる
ために約１６０℃でベーキング処理した。
子７を分散させた透明樹脂（例えば、アクリル樹脂）
を、エマルジョン層２の上からノズルを使用して掛け流
し、室温乾燥して溶剤を揮発させ、密着性を向上させる
ために約１６０℃でベーキング処理した。
【００３３】（比較例１）フッ素系樹脂層３を形成させ
ないほかは、実施例１と同様の構成および条件でフォト
マスクを形成し、比較例１とした。
ないほかは、実施例１と同様の構成および条件でフォト
マスクを形成し、比較例１とした。
【００３４】（比較例２）フッ素系樹脂層３を形成させ
ないほかは、実施例２と同様の構成および条件でフォト
マスクを形成し、比較例２とした。
ないほかは、実施例２と同様の構成および条件でフォト
マスクを形成し、比較例２とした。
【００３５】（評価とその結果）実施例１、２および比
較例１、２の各フォトマスク最表面の水に対する接触角
と、表面粘着性試験を行った。接触角測定は、接触角計
（ＣＡ−ＱＩ、協和界面科学製）によって測定した。ま
た、表面粘着性試験は、図３に示すように、フォトマス
ク１、４１の一端を一定速度で徐々に引き上げて角度を
つけ、フォトマスク上に載置した粘着性ローラー３１が
動き出すまでの角度θで評価した。この評価方法では、
一定の粘着性を有するローラー３１を使用して比較し、
その角度θが小さいほど表面粘着性が小さく、フォトマ
スクの焼付工程での異物の付着や、ソルダーレジストの
転写の問題を防ぐことができる。
較例１、２の各フォトマスク最表面の水に対する接触角
と、表面粘着性試験を行った。接触角測定は、接触角計
（ＣＡ−ＱＩ、協和界面科学製）によって測定した。ま
た、表面粘着性試験は、図３に示すように、フォトマス
ク１、４１の一端を一定速度で徐々に引き上げて角度を
つけ、フォトマスク上に載置した粘着性ローラー３１が
動き出すまでの角度θで評価した。この評価方法では、
一定の粘着性を有するローラー３１を使用して比較し、
その角度θが小さいほど表面粘着性が小さく、フォトマ
スクの焼付工程での異物の付着や、ソルダーレジストの
転写の問題を防ぐことができる。
【００３６】さらに、各フォトレジストを使用し、実際
に焼付工程やエッチング工程を経た後の製品不良数の比
較測定も併せて行った。不良数の評価は、比較例１およ
び比較例２の不良数を１とし、それらに対応する実施例
１および実施例２の不良数の割合で表した。
に焼付工程やエッチング工程を経た後の製品不良数の比
較測定も併せて行った。不良数の評価は、比較例１およ
び比較例２の不良数を１とし、それらに対応する実施例
１および実施例２の不良数の割合で表した。
【００３７】結果を表１に示した。
【００３８】
【表１】
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のフォトリ
ソグラフィー用フォトマスクおよびその製造方法によれ
ば、フッ素系樹脂層を設けた本発明のフォトマスクの表
面は、フッ素系樹脂層を設けていない従来のフォトマス
クの表面に比べて異物やソルダーレジストが極めて付着
し難いので、その後に本発明のフォトマスクを使って焼
き付けし、エッチング加工して得られた金属加工製品で
は、付着した異物等に基づいた欠陥の発生が極めて少な
くなり、不良品や検査負担等の加工ロスを著しく改善す
ることができる。また、本発明によれば、フォトマスク
の表面粘着性を低減せしめるフッ素系樹脂層を設けたの
で、一般的にゼラチン等で構成されているエマルジョン
層を有するフォトマスクの表面粘着性を低減させること
ができ、異物の付着や金属素材上のソルダーレジストの
転写を防ぐことができる。
ソグラフィー用フォトマスクおよびその製造方法によれ
ば、フッ素系樹脂層を設けた本発明のフォトマスクの表
面は、フッ素系樹脂層を設けていない従来のフォトマス
クの表面に比べて異物やソルダーレジストが極めて付着
し難いので、その後に本発明のフォトマスクを使って焼
き付けし、エッチング加工して得られた金属加工製品で
は、付着した異物等に基づいた欠陥の発生が極めて少な
くなり、不良品や検査負担等の加工ロスを著しく改善す
ることができる。また、本発明によれば、フォトマスク
の表面粘着性を低減せしめるフッ素系樹脂層を設けたの
で、一般的にゼラチン等で構成されているエマルジョン
層を有するフォトマスクの表面粘着性を低減させること
ができ、異物の付着や金属素材上のソルダーレジストの
転写を防ぐことができる。
【図１】本発明のフォトリソグラフィー用フォトマスク
の一例を示す断面図である。
の一例を示す断面図である。
【図２】本発明のフォトリソグラフィー用フォトマスク
の他の一例を示す断面図である。
の他の一例を示す断面図である。
【図３】フォトマスクの表面粘着性を比較検討する方法
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図４】従来のフォトリソグラフィー用フォトマスクを
示す断面図である。
示す断面図である。
１…フォトマスク ２、４２…エマルジョン層 ３…フッ素系樹脂層 ４、４４…ガラス基材 ５、４５…パターン ６、４６…保護層 ７、４７…微粒子 ４１…エマルジョンマスク
Claims (4)
- 【請求項１】 フォトマスクの表面に、表面エネルギー
を小さくさせるフッ素系樹脂層を設けたことを特徴とす
るフォトリソグラフィー用フォトマスク。 - 【請求項２】 前記フッ素系樹脂層は、前記フォトマス
クの表面粘着性を低減させることを特徴とする請求項１
に記載のフォトリソグラフィー用フォトマスク。 - 【請求項３】 前記フッ素系樹脂層の膜厚が、１μｍ以
下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記
載のフォトリソグラフィー用フォトマスク。 - 【請求項４】 フォトマスクの表面に表面エネルギーを
小さくさせるフッ素系樹脂をコーティングすることを特
徴とするフォトリソグラフィー用フォトマスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001008262A JP2002214761A (ja) | 2001-01-16 | 2001-01-16 | フォトリソグラフィー用フォトマスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001008262A JP2002214761A (ja) | 2001-01-16 | 2001-01-16 | フォトリソグラフィー用フォトマスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002214761A true JP2002214761A (ja) | 2002-07-31 |
Family
ID=18875905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001008262A Pending JP2002214761A (ja) | 2001-01-16 | 2001-01-16 | フォトリソグラフィー用フォトマスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002214761A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006091596A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタのブラックマトリックスの形成方法およびカラーフィルタの形成方法 |
| JP2006098553A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタのブラックマトリックスの形成方法およびカラーフィルタの形成方法 |
| JP2006267338A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタのブラックマトリックスの形成方法およびカラーフィルタの形成方法 |
| WO2007074778A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Kimoto Co., Ltd. | 表面保護フィルム |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5429975A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-06 | Hitachi Ltd | Photo mask |
| JPS56130748A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of inert protective film |
| JPS5746243A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-16 | Nec Corp | Optical mask |
| JPS6285251A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-18 | Nec Corp | ホトマスクの保護膜形成方法 |
| JPH0473652A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 露光方法 |
| JPH11305420A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-05 | Shineisha:Kk | 膜面保護層付きフォトマスク原版とその製造方法と保護層形成液 |
-
2001
- 2001-01-16 JP JP2001008262A patent/JP2002214761A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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| JP2006267338A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタのブラックマトリックスの形成方法およびカラーフィルタの形成方法 |
| WO2007074778A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Kimoto Co., Ltd. | 表面保護フィルム |
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