JPH0836265A - フォトレジスト組成物 - Google Patents
フォトレジスト組成物Info
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- JPH0836265A JPH0836265A JP30735494A JP30735494A JPH0836265A JP H0836265 A JPH0836265 A JP H0836265A JP 30735494 A JP30735494 A JP 30735494A JP 30735494 A JP30735494 A JP 30735494A JP H0836265 A JPH0836265 A JP H0836265A
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- silica sol
- colloidal silica
- dichromate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ポリビニルアルコール、重クロム酸塩およびコ
ロイド状シリカゾルを含有するフォトレジスト組成物に
おいて、感度を向上させること。 【構成】ポリビニルアルコール（Ａ）１００重量部に対
し、重クロム酸塩（Ｂ）３〜７重量部と、コロイド状シ
リカゾル（Ｃ）固形分で５〜４０重量部とを含有するこ
とを特徴とする。 【効果】重クロム酸塩の量を最適化することで感度が向
上し、露光工程の時間短縮が可能となった。
ロイド状シリカゾルを含有するフォトレジスト組成物に
おいて、感度を向上させること。 【構成】ポリビニルアルコール（Ａ）１００重量部に対
し、重クロム酸塩（Ｂ）３〜７重量部と、コロイド状シ
リカゾル（Ｃ）固形分で５〜４０重量部とを含有するこ
とを特徴とする。 【効果】重クロム酸塩の量を最適化することで感度が向
上し、露光工程の時間短縮が可能となった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームやシャ
ドウマスクなどのパターン形成を必要とする分野に有用
なフォトレジスト組成物に関する。
ドウマスクなどのパターン形成を必要とする分野に有用
なフォトレジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、エッチングレジストの感光性材料
として、ゼラチン、カゼイン等の天然化合物や、ポリビ
ニルアルコール等の合成高分子に、重クロム酸アンモニ
ウム等の光架橋試薬を混合した２成分系が用いられてい
る。しかし、ポリビニルアルコールは、高重合度である
と解像性が劣り、低重合度であると解像性は向上するが
現像時の密着性が悪いという問題があった。一方、エッ
チングレジストの密着性や解像性を向上させるためにポ
リビニルアルコールの変性を行おうとすると、手間やコ
ストがかかるという問題があった。
として、ゼラチン、カゼイン等の天然化合物や、ポリビ
ニルアルコール等の合成高分子に、重クロム酸アンモニ
ウム等の光架橋試薬を混合した２成分系が用いられてい
る。しかし、ポリビニルアルコールは、高重合度である
と解像性が劣り、低重合度であると解像性は向上するが
現像時の密着性が悪いという問題があった。一方、エッ
チングレジストの密着性や解像性を向上させるためにポ
リビニルアルコールの変性を行おうとすると、手間やコ
ストがかかるという問題があった。
【０００３】これらの従来から用いられているポリビニ
ルアルコール類と重クロム酸塩からなるエッチングレジ
ストでは、解像性を向上させるための手段として、レジ
ストの基材への密着性だけではなく、現像時のレジスト
の膨張性を抑えることが必要である。しかしながら、ネ
ガ型レジストの宿命的な問題点として現像時の膨潤は避
けがたく、そのため高解像性が妨げられている。
ルアルコール類と重クロム酸塩からなるエッチングレジ
ストでは、解像性を向上させるための手段として、レジ
ストの基材への密着性だけではなく、現像時のレジスト
の膨張性を抑えることが必要である。しかしながら、ネ
ガ型レジストの宿命的な問題点として現像時の膨潤は避
けがたく、そのため高解像性が妨げられている。
【０００４】また、解像性はレジスト膜厚への依存度が
大きいため、膜厚を薄くすることにより解像性を向上さ
せる手段があるが、基材上の傷や凹凸をカバーし、また
塗工時にピンホールを発生させないためには薄膜化にも
限度がある。
大きいため、膜厚を薄くすることにより解像性を向上さ
せる手段があるが、基材上の傷や凹凸をカバーし、また
塗工時にピンホールを発生させないためには薄膜化にも
限度がある。
【０００５】このような欠点を解決するために、ポリビ
ニルアルコール（Ａ）１００重量部に対し重クロム酸塩
１〜１５重量部と、コロイド状シリカゾル（Ｃ）固形分
で５〜４０重量部とを含有するようなフォトレジスト組
成物が提案された。このようなフォトレジスト組成物
は、レジスト組成中にコロイド状シリカゾルを含むた
め、基材上にレジスト皮膜を形成後に樹脂の凝集力が向
上し、基材との密着性が上がる。その結果現像時のレジ
スト皮膜の膨潤を抑制し、高解像度のレジストパターン
を形成させることができるようになった。
ニルアルコール（Ａ）１００重量部に対し重クロム酸塩
１〜１５重量部と、コロイド状シリカゾル（Ｃ）固形分
で５〜４０重量部とを含有するようなフォトレジスト組
成物が提案された。このようなフォトレジスト組成物
は、レジスト組成中にコロイド状シリカゾルを含むた
め、基材上にレジスト皮膜を形成後に樹脂の凝集力が向
上し、基材との密着性が上がる。その結果現像時のレジ
スト皮膜の膨潤を抑制し、高解像度のレジストパターン
を形成させることができるようになった。
【０００６】しかしながら、含有する重クロム酸塩の量
が必要以上に多くなると感度が低下し、レジスト硬化に
必要な光量が多くなることが指摘されるようになった。
が必要以上に多くなると感度が低下し、レジスト硬化に
必要な光量が多くなることが指摘されるようになった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、解像
性、現像時の密着性、および現像性に優れ、エッチング
耐性、レジストのアルカリ剥離性、経時安定性も良好
で、しかも特に高感度であるようなフォトレジスト組成
物の提供にある。
性、現像時の密着性、および現像性に優れ、エッチング
耐性、レジストのアルカリ剥離性、経時安定性も良好
で、しかも特に高感度であるようなフォトレジスト組成
物の提供にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、ポ
リビニルアルコール（Ａ）１００重量部に対し、重クロ
ム酸塩（Ｂ）１〜１５好ましくは３〜７重量部と、コロ
イド状シリカゾル（Ｃ）固形分で５〜４０重量部とを含
有することを特徴とするフォトレジスト組成物を提供す
る。
リビニルアルコール（Ａ）１００重量部に対し、重クロ
ム酸塩（Ｂ）１〜１５好ましくは３〜７重量部と、コロ
イド状シリカゾル（Ｃ）固形分で５〜４０重量部とを含
有することを特徴とするフォトレジスト組成物を提供す
る。
【０００９】ポリビニルアルコール（Ａ）としては特に
制限はないが、重合度２００〜１５００、さらには３０
０〜７００のものが好ましい。重合度が１５００より高
い場合には十分な解像性が得られず、逆に２００より低
い場合には密着性に問題が生じる。また、ケン化度は７
０〜９８、さらには７５〜９５のものが好適に用いられ
る。ケン化度が９８を越えるとポットライフや水溶性に
問題があり、７０未満であると密着性が劣る。なお、ポ
リビニルアルコールはカルボン酸塩、ホルマール変性、
ブチラール変性、カチオン変性されたものであってもよ
く、２種以上を混合して用いてもよい。ポリビニルアル
コールはフォトレジスト組成物中、５〜３０重量％の濃
度で好適に用いられる。
制限はないが、重合度２００〜１５００、さらには３０
０〜７００のものが好ましい。重合度が１５００より高
い場合には十分な解像性が得られず、逆に２００より低
い場合には密着性に問題が生じる。また、ケン化度は７
０〜９８、さらには７５〜９５のものが好適に用いられ
る。ケン化度が９８を越えるとポットライフや水溶性に
問題があり、７０未満であると密着性が劣る。なお、ポ
リビニルアルコールはカルボン酸塩、ホルマール変性、
ブチラール変性、カチオン変性されたものであってもよ
く、２種以上を混合して用いてもよい。ポリビニルアル
コールはフォトレジスト組成物中、５〜３０重量％の濃
度で好適に用いられる。
【００１０】重クロム酸塩（Ｂ）としては、重クロム酸
アンモニウム、重クロム酸カリウム等が挙げられる。重
クロム酸塩（Ｂ）は、ポリビニルアルコール（Ａ）１０
０重量部に対し、１〜１５重量部、好ましくは３〜７重
量部が望ましい。３重量部より少ないと架橋不足のため
レジストが十分に硬化せず、一方、７重量部より多いと
レジスト表面での光吸収が強まり、底部が硬化しにくく
なるため、露光量はかえって多く必要となる。
アンモニウム、重クロム酸カリウム等が挙げられる。重
クロム酸塩（Ｂ）は、ポリビニルアルコール（Ａ）１０
０重量部に対し、１〜１５重量部、好ましくは３〜７重
量部が望ましい。３重量部より少ないと架橋不足のため
レジストが十分に硬化せず、一方、７重量部より多いと
レジスト表面での光吸収が強まり、底部が硬化しにくく
なるため、露光量はかえって多く必要となる。
【００１１】コロイド状シリカゾル（Ｃ）としては、例
えば日産化学工業社製「スノーテックス２０、３０、４
０、５０、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｃ、２０Ｌ、ＯＬ、ＸＳ、Ｘ
Ｌ、ＹＬ、ＺＬ、ＱＡＳ−４０、ＬＳＳ−３５、ＬＳＳ
−４５」、旭電化社製「アデライトＡＴ−２０、ＡＴ−
３０、ＡＴ−４０、ＡＴ−５０、ＡＴ−２０Ｎ、ＡＴ−
２０Ａ、ＡＴ−３０Ａ、ＡＴ−２０Ｑ、ＡＴ−３００、
ＡＴ−３００Ｑ」、触媒化成工業社製「Ｃａｔａｌｏｉ
ｄ Ｓ−２０Ｌ、Ｓ−２０Ｈ、Ｓ−３０Ｌ、Ｓ−３０
Ｈ、ＳＩ−３０、ＳＩ−４０、ＳＩ−５０、ＳＩ−３５
０、ＳＩ−５００、ＳＩ−４５Ｐ、ＳＩ−８０Ｐ、Ｓ
Ｎ、ＳＡ、ＳＣ−３０」、デュポン社製「ルドックスＨ
Ｓ−４０、ＨＳ−３０、ＬＳ、ＳＭ−３０、ＴＭ、Ａ
Ｓ、ＡＭ」等が挙げられる。
えば日産化学工業社製「スノーテックス２０、３０、４
０、５０、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｃ、２０Ｌ、ＯＬ、ＸＳ、Ｘ
Ｌ、ＹＬ、ＺＬ、ＱＡＳ−４０、ＬＳＳ−３５、ＬＳＳ
−４５」、旭電化社製「アデライトＡＴ−２０、ＡＴ−
３０、ＡＴ−４０、ＡＴ−５０、ＡＴ−２０Ｎ、ＡＴ−
２０Ａ、ＡＴ−３０Ａ、ＡＴ−２０Ｑ、ＡＴ−３００、
ＡＴ−３００Ｑ」、触媒化成工業社製「Ｃａｔａｌｏｉ
ｄ Ｓ−２０Ｌ、Ｓ−２０Ｈ、Ｓ−３０Ｌ、Ｓ−３０
Ｈ、ＳＩ−３０、ＳＩ−４０、ＳＩ−５０、ＳＩ−３５
０、ＳＩ−５００、ＳＩ−４５Ｐ、ＳＩ−８０Ｐ、Ｓ
Ｎ、ＳＡ、ＳＣ−３０」、デュポン社製「ルドックスＨ
Ｓ−４０、ＨＳ−３０、ＬＳ、ＳＭ−３０、ＴＭ、Ａ
Ｓ、ＡＭ」等が挙げられる。
【００１２】中でも、粒子径が５０ｎｍ以下のコロイド
状シリカゾルが好適に用いられる。粒子径が５０ｎｍを
越えるものは、ポリビニルアルコールとの分散性が良く
ないので使用上には注意が必要となる。また、表面をＡ
ｌで処理している「スノーテックスＣ」などは重クロム
酸塩を添加した場合にゲル化や沈降を起こす可能性があ
るので使用上には注意が必要となる。なお、親水性の溶
剤、例えばアルコール類などに分散されたコロイド状シ
リカゾルも使用用途により適宜使用することが可能であ
る。コロイド状シリカゾル（Ｃ）は、ポリビニルアルコ
ール水溶液（Ａ）１００重量部に対し固形分で５〜４０
重量部、好ましくは１０〜３０重量部用いられる。コロ
イド状シリカゾル（Ｃ）は、２種以上混合して用いても
よい。
状シリカゾルが好適に用いられる。粒子径が５０ｎｍを
越えるものは、ポリビニルアルコールとの分散性が良く
ないので使用上には注意が必要となる。また、表面をＡ
ｌで処理している「スノーテックスＣ」などは重クロム
酸塩を添加した場合にゲル化や沈降を起こす可能性があ
るので使用上には注意が必要となる。なお、親水性の溶
剤、例えばアルコール類などに分散されたコロイド状シ
リカゾルも使用用途により適宜使用することが可能であ
る。コロイド状シリカゾル（Ｃ）は、ポリビニルアルコ
ール水溶液（Ａ）１００重量部に対し固形分で５〜４０
重量部、好ましくは１０〜３０重量部用いられる。コロ
イド状シリカゾル（Ｃ）は、２種以上混合して用いても
よい。
【００１３】次に、本発明のフォトレジスト組成物を用
いてリソグラフィーを行なう方法について説明する。ま
ず、本発明のフォトレジスト組成物を、処理すべき基材
上にスピンコーター、バーコーター、ディップ法等を用
いて均一に塗布し、プリベーク処理を施して厚さ１〜１
０μｍ程度のレジスト膜を形成させる。プリベーク条件
は使用したポリビニルアルコールおよび有機化合物にも
よるが、一般に温度３０〜８０℃、時間５〜２０分程度
が適当である。
いてリソグラフィーを行なう方法について説明する。ま
ず、本発明のフォトレジスト組成物を、処理すべき基材
上にスピンコーター、バーコーター、ディップ法等を用
いて均一に塗布し、プリベーク処理を施して厚さ１〜１
０μｍ程度のレジスト膜を形成させる。プリベーク条件
は使用したポリビニルアルコールおよび有機化合物にも
よるが、一般に温度３０〜８０℃、時間５〜２０分程度
が適当である。
【００１４】続いて、レジスト膜の不溶化させたい部分
に紫外線を照射してパターン描画を行い、さらに現像液
で処理し未露光部分を選択的に溶解除去することによ
り、レジストパターンを形成する。現像液としては、
水、温水等が好適に用いられる。レジストパターンを形
成した基材に、必要に応じてポストベーク処理を施した
後エッチング処理を行い、基材露出部にエッチングパタ
ーンを形成する。ポストベーク処理は、そのまま、また
は酸化クロム水溶液に浸漬した後、例えば温度１１０〜
１５０℃、時間１０〜３０分の条件で行なう。エッチン
グはドライエッチング、ウエットエッチングいずれも適
応可能である。エッチング後、残存するレジストパター
ンを剥離等により除去すれば、リソグラフィー工程の１
サイクルが終了する。
に紫外線を照射してパターン描画を行い、さらに現像液
で処理し未露光部分を選択的に溶解除去することによ
り、レジストパターンを形成する。現像液としては、
水、温水等が好適に用いられる。レジストパターンを形
成した基材に、必要に応じてポストベーク処理を施した
後エッチング処理を行い、基材露出部にエッチングパタ
ーンを形成する。ポストベーク処理は、そのまま、また
は酸化クロム水溶液に浸漬した後、例えば温度１１０〜
１５０℃、時間１０〜３０分の条件で行なう。エッチン
グはドライエッチング、ウエットエッチングいずれも適
応可能である。エッチング後、残存するレジストパター
ンを剥離等により除去すれば、リソグラフィー工程の１
サイクルが終了する。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。例中、部は重量部を表す。 ＜実施例１＞水70部に、ケン化度87、重合度500 のポリ
ビニルアルコール30部を溶解させた水溶液100 部に、重
クロム酸アンモニウム2.6 部、コロイド状シリカゾル１
（日産化学工業社製「スノーテックスＸＳ」：粒子径 4
〜6nm ）固形分で６部およびコロイド状シリカゾル２
（日産化学工業社製「スノーテックスＯ」：粒子径10〜
20nm）固形分で３部を混合させた組成物を、厚さ150 μ
ｍの銅材にスピンコーターを用いて塗布したのち乾燥さ
せ、厚さ８μｍのレジスト膜を形成させた。
る。例中、部は重量部を表す。 ＜実施例１＞水70部に、ケン化度87、重合度500 のポリ
ビニルアルコール30部を溶解させた水溶液100 部に、重
クロム酸アンモニウム2.6 部、コロイド状シリカゾル１
（日産化学工業社製「スノーテックスＸＳ」：粒子径 4
〜6nm ）固形分で６部およびコロイド状シリカゾル２
（日産化学工業社製「スノーテックスＯ」：粒子径10〜
20nm）固形分で３部を混合させた組成物を、厚さ150 μ
ｍの銅材にスピンコーターを用いて塗布したのち乾燥さ
せ、厚さ８μｍのレジスト膜を形成させた。
【００１６】＜実施例２＞水80部に、ケン化度87、重合
度700 のポリビニルアルコール15部とケン化度89、重合
度300 のポリビニルアルコール５部を混合溶解させた水
溶液100 部に、重クロム酸アンモニウム２部およびコロ
イド状シリカゾル（日産化学工業社製「スノーテックス
Ｏ」：粒子径10〜20nm）固形分で３部を混合させた組成
物を、厚さ150 μｍの銅材にスピンコーターを用いて塗
布したのち乾燥させ、厚さ８μｍのレジスト膜を形成さ
せた。
度700 のポリビニルアルコール15部とケン化度89、重合
度300 のポリビニルアルコール５部を混合溶解させた水
溶液100 部に、重クロム酸アンモニウム２部およびコロ
イド状シリカゾル（日産化学工業社製「スノーテックス
Ｏ」：粒子径10〜20nm）固形分で３部を混合させた組成
物を、厚さ150 μｍの銅材にスピンコーターを用いて塗
布したのち乾燥させ、厚さ８μｍのレジスト膜を形成さ
せた。
【００１７】＜実施例３＞水95部に、ケン化度93、重合
度700 のポリビニルアルコール５部を溶解させた水溶液
100 部に、重クロム酸アンモニウム0.1 部およびコロイ
ド状シリカゾル（旭電化社製「アデライトＡＴ−２
０」：粒子径10〜20nm）固形分で0.4 部を混合させた組
成物を、厚さ150 μｍの銅材にスピンコーターを用いて
塗布したのち乾燥させ、厚さ８μｍのレジスト膜を形成
した。
度700 のポリビニルアルコール５部を溶解させた水溶液
100 部に、重クロム酸アンモニウム0.1 部およびコロイ
ド状シリカゾル（旭電化社製「アデライトＡＴ−２
０」：粒子径10〜20nm）固形分で0.4 部を混合させた組
成物を、厚さ150 μｍの銅材にスピンコーターを用いて
塗布したのち乾燥させ、厚さ８μｍのレジスト膜を形成
した。
【００１８】＜実施例４＞水95部に、ケン化度95、重合
度600 のポリビニルアルコール４部とケン化度89、重合
度300 のポリビニルアルコール１部を混合溶解させた水
溶液100 部に、重クロム酸アンモニウム0.75部およびコ
ロイド状シリカゾル（日産化学工業社製「スノーテック
スＮ」：粒子径10〜20nm）固形分で0.25部を混合させた
組成物を、厚さ150 μｍの銅材にスピンコーターを用い
て塗布したのち乾燥させ、厚さ８μｍのレジスト膜を形
成させた。
度600 のポリビニルアルコール４部とケン化度89、重合
度300 のポリビニルアルコール１部を混合溶解させた水
溶液100 部に、重クロム酸アンモニウム0.75部およびコ
ロイド状シリカゾル（日産化学工業社製「スノーテック
スＮ」：粒子径10〜20nm）固形分で0.25部を混合させた
組成物を、厚さ150 μｍの銅材にスピンコーターを用い
て塗布したのち乾燥させ、厚さ８μｍのレジスト膜を形
成させた。
【００１９】＜実施例５＞水80部に、ケン化度93、重合
度700 のポリビニルアルコール10部とケン化度87、重合
度500 のポリビニルアルコール10部を混合溶解させた水
溶液100 部に、重クロム酸アンモニウム1.5 部、コロイ
ド状シリカゾル（日産化学工業社製「スノーテックスＯ
Ｌ」：粒子径40〜50nm）固形分で２部および分散剤とし
てポリオキシエチレンフェノルエーテル（日本油脂社製
「ノニオンＮＳ−２１０」)1部を混合させた組成物を、
厚さ150 μｍの銅材にスピンコーターを用いて塗布した
のち乾燥させ、厚さ８μｍのレジスト膜を形成させた。
度700 のポリビニルアルコール10部とケン化度87、重合
度500 のポリビニルアルコール10部を混合溶解させた水
溶液100 部に、重クロム酸アンモニウム1.5 部、コロイ
ド状シリカゾル（日産化学工業社製「スノーテックスＯ
Ｌ」：粒子径40〜50nm）固形分で２部および分散剤とし
てポリオキシエチレンフェノルエーテル（日本油脂社製
「ノニオンＮＳ−２１０」)1部を混合させた組成物を、
厚さ150 μｍの銅材にスピンコーターを用いて塗布した
のち乾燥させ、厚さ８μｍのレジスト膜を形成させた。
【００２０】＜実施例６＞水80部に、ケン化度87、重合
度500 のピリビニルアルコール20部を溶解させた水溶液
100 部に、重クロム酸アンモニウム1.5 部およびコロイ
ド状シリカゾル（日産化学工業社製「スノーテックス
Ｃ」：粒子径10〜20nm）固形分で２部を混合させた組成
物を、厚さ150 μｍの銅材にスピンコーターを用いて塗
布したのち乾燥させ、厚さ８μｍのレジスト膜を形成さ
せた。
度500 のピリビニルアルコール20部を溶解させた水溶液
100 部に、重クロム酸アンモニウム1.5 部およびコロイ
ド状シリカゾル（日産化学工業社製「スノーテックス
Ｃ」：粒子径10〜20nm）固形分で２部を混合させた組成
物を、厚さ150 μｍの銅材にスピンコーターを用いて塗
布したのち乾燥させ、厚さ８μｍのレジスト膜を形成さ
せた。
【００２１】＜実施例７＞水８０部に、ケン化度８７、
重合度５００のポリビニルアルコール２０部を溶解させ
た水溶液１００部に、重クロム酸アンモニウム１．２
部、コロイド状シリカゾル（日産化学工業社製「スノー
テックスＣ」：粒子径１０〜２０ｎｍ）固形分で２部を
混合させた組成物を、厚さ１５０μｍの銅材にスピンコ
ーターを用いて塗布したのち乾燥させ、厚さ８μｍのレ
ジスト膜を形成させた。
重合度５００のポリビニルアルコール２０部を溶解させ
た水溶液１００部に、重クロム酸アンモニウム１．２
部、コロイド状シリカゾル（日産化学工業社製「スノー
テックスＣ」：粒子径１０〜２０ｎｍ）固形分で２部を
混合させた組成物を、厚さ１５０μｍの銅材にスピンコ
ーターを用いて塗布したのち乾燥させ、厚さ８μｍのレ
ジスト膜を形成させた。
【００２２】＜実施例８＞水８０部に、ケン化度９３、
重合度７００のポリビニルアルコール１５部とケン化度
８９、重合度３００のポリビニルアルコール５部を混合
溶解させた水溶液１００部に、重クロム酸アンモニウム
０．９６部およびコロイド状シリカゾル（日産化学工業
社製「スノーテックスＯ」：粒子径１０〜２０ｎｍ）固
形分で３部を混合させた組成物を、厚さ１５０μｍの銅
材にスピンコーターを用いて塗布したのち乾燥させ、厚
さ８μｍのレジスト膜を形成させた。
重合度７００のポリビニルアルコール１５部とケン化度
８９、重合度３００のポリビニルアルコール５部を混合
溶解させた水溶液１００部に、重クロム酸アンモニウム
０．９６部およびコロイド状シリカゾル（日産化学工業
社製「スノーテックスＯ」：粒子径１０〜２０ｎｍ）固
形分で３部を混合させた組成物を、厚さ１５０μｍの銅
材にスピンコーターを用いて塗布したのち乾燥させ、厚
さ８μｍのレジスト膜を形成させた。
【００２３】＜実施例９＞水９５部に、ケン化度９３、
重合度７００のポリビニルアルコール５部を溶解させた
水溶液１００部に、重クロム酸アンモニウム０．３部お
よびコロイド状シリカゾル（旭電化社製「アデライトＡ
Ｔ−２０」：粒子径１０〜２０ｎｍ）固形分で０．４部
を混合させた組成物を、厚さ１５０μｍの銅材にスピン
コーターを用いて塗布したのち乾燥させ、厚さ８μｍの
レジスト膜を形成させた。
重合度７００のポリビニルアルコール５部を溶解させた
水溶液１００部に、重クロム酸アンモニウム０．３部お
よびコロイド状シリカゾル（旭電化社製「アデライトＡ
Ｔ−２０」：粒子径１０〜２０ｎｍ）固形分で０．４部
を混合させた組成物を、厚さ１５０μｍの銅材にスピン
コーターを用いて塗布したのち乾燥させ、厚さ８μｍの
レジスト膜を形成させた。
【００２４】＜比較例１＞水70部に、ケン化度87、重合
度500 のポリビニルアルコール24部とケン化度87、重合
度300 のポリビニルアルコール６部を混合溶解させた水
溶液100 部に、重クロム酸アンモニウム６部を混合させ
た組成物を、厚さ150 μｍの銅材にスピンコーターを用
いて塗布したのち乾燥させ、厚さ８μｍのレジスト膜を
形成させた。
度500 のポリビニルアルコール24部とケン化度87、重合
度300 のポリビニルアルコール６部を混合溶解させた水
溶液100 部に、重クロム酸アンモニウム６部を混合させ
た組成物を、厚さ150 μｍの銅材にスピンコーターを用
いて塗布したのち乾燥させ、厚さ８μｍのレジスト膜を
形成させた。
【００２５】＜比較例２＞水80部に、ケン化度87、重合
度500 のポリビニルアルコール20部を溶解させた水溶液
100 部に、重クロム酸アンモニウム１部およびコロイド
状シリカゾル（旭電化社製「アデライトＡＴ−２０
Ｎ」：粒子径10〜20nm）固形分で10部を混合させた組成
物を、厚さ150 μｍの銅材にスピンコーターを用いて塗
布したのち乾燥させ、厚さ８μｍのレジスト膜を形成さ
せた。
度500 のポリビニルアルコール20部を溶解させた水溶液
100 部に、重クロム酸アンモニウム１部およびコロイド
状シリカゾル（旭電化社製「アデライトＡＴ−２０
Ｎ」：粒子径10〜20nm）固形分で10部を混合させた組成
物を、厚さ150 μｍの銅材にスピンコーターを用いて塗
布したのち乾燥させ、厚さ８μｍのレジスト膜を形成さ
せた。
【００２６】実施例１〜９および比較例１、２で得られ
たレジスト膜に、ネガフィルム（コダック社製「No.2ス
テップタブレット」）と解像度指標として10〜100 μｍ
を５μｍ毎に解像されているフォトマスクを介して、高
圧水銀ランプで650mJ/cm2 の紫外線を照射し、水で現像
した後、レジストパターンの外観を観察した。また、レ
ジスト膜が基材上に残存した段数を測定して、感度を評
価し、解像されている線幅を測定して解像度を評価し
た。結果を表１に示す。
たレジスト膜に、ネガフィルム（コダック社製「No.2ス
テップタブレット」）と解像度指標として10〜100 μｍ
を５μｍ毎に解像されているフォトマスクを介して、高
圧水銀ランプで650mJ/cm2 の紫外線を照射し、水で現像
した後、レジストパターンの外観を観察した。また、レ
ジスト膜が基材上に残存した段数を測定して、感度を評
価し、解像されている線幅を測定して解像度を評価し
た。結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【発明の効果】本発明により、解像性、現像時の密着
性、および現像性に優れ、エッチング耐性、レジストの
アルカリ剥離性、経時安定性も良好で、しかも特に高感
度であるようなフォトレジスト組成物が得られるように
なった。
性、および現像性に優れ、エッチング耐性、レジストの
アルカリ剥離性、経時安定性も良好で、しかも特に高感
度であるようなフォトレジスト組成物が得られるように
なった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 名取 恵子 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 田村 章 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】ポリビニルアルコール（Ａ）１００重量部
に対し、重クロム酸塩（Ｂ）１〜１５重量部と、コロイ
ド状シリカゾル（Ｃ）固形分で５〜４０重量部とを含有
することを特徴とするフォトレジスト組成物。 - 【請求項２】コロイド状シリカゾル（Ｃ）の粒子径が５
０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のフォ
トレジスト組成物。 - 【請求項３】重クロム酸塩（Ｂ）の重量部が３〜７重量
部であることを特徴とする請求項１、２いずれか記載の
フォトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30735494A JPH0836265A (ja) | 1994-05-16 | 1994-12-12 | フォトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-100359 | 1994-05-16 | ||
| JP10035994 | 1994-05-16 | ||
| JP30735494A JPH0836265A (ja) | 1994-05-16 | 1994-12-12 | フォトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0836265A true JPH0836265A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=26441399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30735494A Pending JPH0836265A (ja) | 1994-05-16 | 1994-12-12 | フォトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0836265A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100401206B1 (ko) * | 2000-08-11 | 2003-10-10 | 삼성전자주식회사 | 실리카함유 포토 레지스트를 이용한 반도체 및 광소자제조 방법 |
| US6783914B1 (en) | 2000-02-25 | 2004-08-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Encapsulated inorganic resists |
| KR100625922B1 (ko) * | 2001-03-07 | 2006-09-20 | 더.인크텍 가부시키가이샤 | 감광성 조성물 |
| US7524606B2 (en) | 2005-04-11 | 2009-04-28 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Nanocomposite photoresist composition for imaging thick films |
| WO2010047253A1 (ja) * | 2008-10-21 | 2010-04-29 | 株式会社クラレ | 積層フィルム |
-
1994
- 1994-12-12 JP JP30735494A patent/JPH0836265A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6783914B1 (en) | 2000-02-25 | 2004-08-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Encapsulated inorganic resists |
| KR100401206B1 (ko) * | 2000-08-11 | 2003-10-10 | 삼성전자주식회사 | 실리카함유 포토 레지스트를 이용한 반도체 및 광소자제조 방법 |
| KR100625922B1 (ko) * | 2001-03-07 | 2006-09-20 | 더.인크텍 가부시키가이샤 | 감광성 조성물 |
| US7524606B2 (en) | 2005-04-11 | 2009-04-28 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Nanocomposite photoresist composition for imaging thick films |
| WO2010047253A1 (ja) * | 2008-10-21 | 2010-04-29 | 株式会社クラレ | 積層フィルム |
| JP5507441B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2014-05-28 | 株式会社クラレ | 積層フィルム |
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