JPH02263981A - 被膜形成方法 - Google Patents
被膜形成方法Info
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- JPH02263981A JPH02263981A JP2032615A JP3261590A JPH02263981A JP H02263981 A JPH02263981 A JP H02263981A JP 2032615 A JP2032615 A JP 2032615A JP 3261590 A JP3261590 A JP 3261590A JP H02263981 A JPH02263981 A JP H02263981A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/167—Coating processes; Apparatus therefor from the gas phase, by plasma deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
-
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0754—Non-macromolecular compounds containing silicon-to-silicon bonds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、基板上に気相析出によって被膜を形成する方
法に関するものであり、リソグラフィ工程で使われる被
膜に適する。
法に関するものであり、リソグラフィ工程で使われる被
膜に適する。
［従来の技術］
半導体製造分野において、一般的にポジ型フォトレジス
トとしてポリシランが用いられることはよく知られてい
る。例えば、米国特許用４．５８７．２０５号や、米国
特許用４，５８８．８０１号、ざらにＷｅｓｔ、Ｒ，、
゛°ポリシラン高分子とその技術応用（Ｐｏｌｙｓｉｌ
ａｎｅ Ｈｉｇｈ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ａｎｄ Ｔｈｅ
ｉｒＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉ
ｏｎｓ）、” Ａｃｔｕａｌ、Ｃｈｉｍ、、（３）、６
４−７０ （１９８６）、参照。
トとしてポリシランが用いられることはよく知られてい
る。例えば、米国特許用４．５８７．２０５号や、米国
特許用４，５８８．８０１号、ざらにＷｅｓｔ、Ｒ，、
゛°ポリシラン高分子とその技術応用（Ｐｏｌｙｓｉｌ
ａｎｅ Ｈｉｇｈ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ａｎｄ Ｔｈｅ
ｉｒＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉ
ｏｎｓ）、” Ａｃｔｕａｌ、Ｃｈｉｍ、、（３）、６
４−７０ （１９８６）、参照。
このようなポリシラン組成の調整方法は、多く存在して
いる。たとえば、米国特許４，５７８゜４９５号では、
不活性雰囲気下で少なくとも１つのジシランを、塩のＭ
＋陽イオンと結合してキレート環を作る化合物や、Ｍ”
Ａ−や、イオンの無機塩を含む触媒系と接触させるこ
とによってポリシランを調整する。また、米国特許用４
，６６７゜０４６号を参照すると、他のポリシラン製造
方法を提案している。その特許の中で、少なくとも１つ
のアルコラード、ＭＯＲ（ここでＭはアルカリ金属、Ｒ
は選択−価炭化水素ラジカル）存在下で、少なくとも１
つのメトキシを含むジシランを、ＳｉＨを含むシランと
反応させている。さらに、米国特許用４，２９８，５５
８号では、無水状態で選択ポリシランをカルビノール、
アルコラード及びオルト蟻酸エステルから選択した試薬
と反応させ、ポリシラン組成を調整している。
いる。たとえば、米国特許４，５７８゜４９５号では、
不活性雰囲気下で少なくとも１つのジシランを、塩のＭ
＋陽イオンと結合してキレート環を作る化合物や、Ｍ”
Ａ−や、イオンの無機塩を含む触媒系と接触させるこ
とによってポリシランを調整する。また、米国特許用４
，６６７゜０４６号を参照すると、他のポリシラン製造
方法を提案している。その特許の中で、少なくとも１つ
のアルコラード、ＭＯＲ（ここでＭはアルカリ金属、Ｒ
は選択−価炭化水素ラジカル）存在下で、少なくとも１
つのメトキシを含むジシランを、ＳｉＨを含むシランと
反応させている。さらに、米国特許用４，２９８，５５
８号では、無水状態で選択ポリシランをカルビノール、
アルコラード及びオルト蟻酸エステルから選択した試薬
と反応させ、ポリシラン組成を調整している。
さらに、ポリシラン調整の別の手法が、米国特許用３，
３９９．２２３号に記述されている。この方法は中性の
条件で、１６５〜３５０℃の温度で選択ポリシランを加
熱し、５ｉ−Ｓｉ結合とＳｉ −ＯＲ結合の間の再配置
を果たしている。
３９９．２２３号に記述されている。この方法は中性の
条件で、１６５〜３５０℃の温度で選択ポリシランを加
熱し、５ｉ−Ｓｉ結合とＳｉ −ＯＲ結合の間の再配置
を果たしている。
［発明が解決しようとする課題］
フォトレジストとしてのポリシランの使用に際して、一
般的に、はじめ上述のような方法で所望のポリシランを
調整し、適当な溶剤に溶かす。次に溶液をろ過し不純物
を取り除き、基板にスピン塗布される。この手法は、多
くのポリシランを用いることはできない。なぜなら、一
般的に使われる溶剤に箭単には溶けないからである。も
う１つの欠点は、スピン塗布すると、基板上に水平と垂
直どちらの表面にも均一に塗布できないことである。
般的に、はじめ上述のような方法で所望のポリシランを
調整し、適当な溶剤に溶かす。次に溶液をろ過し不純物
を取り除き、基板にスピン塗布される。この手法は、多
くのポリシランを用いることはできない。なぜなら、一
般的に使われる溶剤に箭単には溶けないからである。も
う１つの欠点は、スピン塗布すると、基板上に水平と垂
直どちらの表面にも均一に塗布できないことである。
後者の問題を解決するために、二層又はそれ以上塗布す
るなどのフォトレジストのより均一な被膜を得る努力が
なきれた。しかし、この方法は、２回又はそれ以上の現
像工程を必要とし、結局全工程の複雑性とコストの増加
につながる。
るなどのフォトレジストのより均一な被膜を得る努力が
なきれた。しかし、この方法は、２回又はそれ以上の現
像工程を必要とし、結局全工程の複雑性とコストの増加
につながる。
また別の方法では、被膜膜厚を厚くすることを試みてい
る。米国特許用４．６７５．２７３号では、フォトレジ
ストを基板上に気相析出で形成している。しかしながら
実用上では、適当な活性剤を用いて基板表面を処理する
必要がある。さらに、シアノアクリレートモノマーを使
用しているが、他のどんなモノマーも十分採用可能であ
るということは記載きれていない。また、米国特許用４
゜７８１．９４２号を参照すると、シロキサン高分子の
保護層を基板表面に祈出させている。この工程によると
、放射線存在下で選択モノマー前駆体を、選択酸素含有
前駆体と反応させ、シロキサン高分子を基板上に形成さ
せる。
る。米国特許用４．６７５．２７３号では、フォトレジ
ストを基板上に気相析出で形成している。しかしながら
実用上では、適当な活性剤を用いて基板表面を処理する
必要がある。さらに、シアノアクリレートモノマーを使
用しているが、他のどんなモノマーも十分採用可能であ
るということは記載きれていない。また、米国特許用４
゜７８１．９４２号を参照すると、シロキサン高分子の
保護層を基板表面に祈出させている。この工程によると
、放射線存在下で選択モノマー前駆体を、選択酸素含有
前駆体と反応させ、シロキサン高分子を基板上に形成さ
せる。
このように、スピン塗布の欠点を解決し、基板上に水平
と垂直どちらの表面にもより均一な膜厚を形成でき、そ
してスピン塗布とかぎらず様々なポリシランの析出に使
用できるような、ポリシラン物質の被膜析出方法がこの
技術分野では必要とされている。
と垂直どちらの表面にもより均一な膜厚を形成でき、そ
してスピン塗布とかぎらず様々なポリシランの析出に使
用できるような、ポリシラン物質の被膜析出方法がこの
技術分野では必要とされている。
［課題を解決するための手段」
本発明に従って、基板上にポリシラン組成からなる被膜
を形成する、新しい方法が見出きれた。
を形成する、新しい方法が見出きれた。
本発明に従って、基板が重合可能なシランモノマーの蒸
気にきらされ、その雰囲気下でポリシリコン組成からな
る被膜を基板上に析出させる。次に、被膜はあらかじめ
決められたパターンに照射露光され、その被膜の照射露
光部が除去される。この方法は、シリコンウェーハ上の
半導体デバイスの製造において、特に役立つ。
気にきらされ、その雰囲気下でポリシリコン組成からな
る被膜を基板上に析出させる。次に、被膜はあらかじめ
決められたパターンに照射露光され、その被膜の照射露
光部が除去される。この方法は、シリコンウェーハ上の
半導体デバイスの製造において、特に役立つ。
本発明では、ポジ型のフォトレジストとして使用する被
膜を、基板上に直接形成するので、はじめの高分子調整
、溶剤への溶解、精製という扱いにくい工程を逃れる。
膜を、基板上に直接形成するので、はじめの高分子調整
、溶剤への溶解、精製という扱いにくい工程を逃れる。
さらにポリシラン組成からなる被膜を基板上に形成でき
るので、従来のスピン塗布法を用いて得られるものと比
べると、水平と垂直どちらの表面にも、比較的均一な膜
厚を有する。そして、一般的に使用される溶剤に簡単に
溶けないような、スピン塗布では用いることのできない
様々なポリシラン組成を、析出できる。
るので、従来のスピン塗布法を用いて得られるものと比
べると、水平と垂直どちらの表面にも、比較的均一な膜
厚を有する。そして、一般的に使用される溶剤に簡単に
溶けないような、スピン塗布では用いることのできない
様々なポリシラン組成を、析出できる。
［実施例］
本発明の工程によれば、基板を重合可能なシラン単量体
（モノマー）の蒸気にさらす。シランモノマーは、以下
の式をもつようなものが望ましい。
（モノマー）の蒸気にさらす。シランモノマーは、以下
の式をもつようなものが望ましい。
ここでＲは、ＨｉＣｔ Ｃ４アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アルコキシ又はアルキルシリル基；
アリール基；又はアミノ基Ｒ°は、Ｈ；Ｃ，−Ｃ４アル
キル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ又は
アルキルシリル基；アリール基；アミノ基；ハロ；又は
メチルハロ Ｒ”は、Ｈ； ＣＩ−Ｃ４アルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アルコキシ又はアルキルシリル基；アリ
ール基；又はアミノ基。
基、アルキニル基、アルコキシ又はアルキルシリル基；
アリール基；又はアミノ基Ｒ°は、Ｈ；Ｃ，−Ｃ４アル
キル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ又は
アルキルシリル基；アリール基；アミノ基；ハロ；又は
メチルハロ Ｒ”は、Ｈ； ＣＩ−Ｃ４アルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アルコキシ又はアルキルシリル基；アリ
ール基；又はアミノ基。
本発明に使用するシランモノマーは、上式のＲがＣＩ
Ｃｓアルキル基、Ｒ’がＣＩ −Ｃ４アルキル基、ト
リメチルシリル基、アリール基、フルオロ又はメチルフ
ルオロ Ｒｌ“はＣ，−Ｃ３アルキル基がより好ましい
。特に望ましい本発明の具体例では、ペンタメチルメト
キシジシランを採用する。
Ｃｓアルキル基、Ｒ’がＣＩ −Ｃ４アルキル基、ト
リメチルシリル基、アリール基、フルオロ又はメチルフ
ルオロ Ｒｌ“はＣ，−Ｃ３アルキル基がより好ましい
。特に望ましい本発明の具体例では、ペンタメチルメト
キシジシランを採用する。
代表的には、使用する基板はシリコン塗布した酸化シリ
コン又はシリコンである。しかし、もし他の基板の使用
が必要ならば、本方法は応用可能である。
コン又はシリコンである。しかし、もし他の基板の使用
が必要ならば、本方法は応用可能である。
本発明工程を実施する際、シランモノマーは適当な温度
まで加熱され、基板上にポリシランを析出させるために
蒸気の十分な濃度を得る。ポリシラン生成の一般的反応
は、以下のように図示きれる。
まで加熱され、基板上にポリシランを析出させるために
蒸気の十分な濃度を得る。ポリシラン生成の一般的反応
は、以下のように図示きれる。
２つのラジカルが重合し、［５ｉ（Ｒ’）２１ｎを生成
する。ここでｎは、約２〜１０００の範囲にある整数で
、一般的に開始物質の本質や反応条件、その他によって
決まる。
する。ここでｎは、約２〜１０００の範囲にある整数で
、一般的に開始物質の本質や反応条件、その他によって
決まる。
実際の反応条件、たとえば温度や圧力や時間は、広範囲
に変化し、一般的にはシランモノマーや使用する精密機
器にもよる。それは、この技術分野の当業者には周知の
他のファクターと同じである。
に変化し、一般的にはシランモノマーや使用する精密機
器にもよる。それは、この技術分野の当業者には周知の
他のファクターと同じである。
しかし一般的には、温度は約２００〜約６５０℃の範囲
で、圧力は約５０ｍｔｏｒｒ〜約１００ｔｏｒｒの範囲
で約１〜約２０分程度というのが代表的である。
で、圧力は約５０ｍｔｏｒｒ〜約１００ｔｏｒｒの範囲
で約１〜約２０分程度というのが代表的である。
約５００〜約６００℃の反応温度、約２〜約！５ ｔｏ
ｒｒの圧力が好ましい。
ｒｒの圧力が好ましい。
反応は、溶剤が存在してもしなくても起こる。
存在しない場合、シランモノマー（又はモノマーの混合
物）は、溶剤として作用する。溶剤を使用する場合、シ
ランモノマーを溶かすような、シランモノマーに関して
化学的に不活性であるものを選択しなくてはならない。
物）は、溶剤として作用する。溶剤を使用する場合、シ
ランモノマーを溶かすような、シランモノマーに関して
化学的に不活性であるものを選択しなくてはならない。
。
得られる被膜の性質を変えるために、重合前に様々な他
の物質をシランモノマーに加える。たとえば、架橋剤、
分子量調整のための連鎖停止剤、特性を変化させるため
の他のコモノマー等を使用するということは、この技術
分野の当業者には明らかである。
の物質をシランモノマーに加える。たとえば、架橋剤、
分子量調整のための連鎖停止剤、特性を変化させるため
の他のコモノマー等を使用するということは、この技術
分野の当業者には明らかである。
本発明によって形成きれた被膜は、一般的に約０．１〜
約１μ璽の膜厚をもつ。これは、使用するモノマーの本
質や反応条件による。
約１μ璽の膜厚をもつ。これは、使用するモノマーの本
質や反応条件による。
基板上に像を形成するために、被膜はあらかじめ決めら
れたパターンに照射露光される。たとえば紫外線や電離
放射線（Ｘ線、ガンマ線等）、荷電粒子ビーム（電子ビ
ーム等）を用いる。直接描画又はフォトマスク手法のど
ちらでも適宜使用できる。できれば、被膜はマスクを通
して紫外線照射される。最も望ましいのは約２４０〜２
６０ｎｉの波長域の紫外線である。露光後 照射された
被膜の一部は除去される。イソプロピルアルコールとい
った従来の現像液が、この時使用可能である。
れたパターンに照射露光される。たとえば紫外線や電離
放射線（Ｘ線、ガンマ線等）、荷電粒子ビーム（電子ビ
ーム等）を用いる。直接描画又はフォトマスク手法のど
ちらでも適宜使用できる。できれば、被膜はマスクを通
して紫外線照射される。最も望ましいのは約２４０〜２
６０ｎｉの波長域の紫外線である。露光後 照射された
被膜の一部は除去される。イソプロピルアルコールとい
った従来の現像液が、この時使用可能である。
被膜の露光部除去で、基板上に献もってきめられたパタ
ーンの重合被膜が形成される。
ーンの重合被膜が形成される。
このようにして本発明の工程に賛って、気相中、基板上
に直接ポリシラン組成の被膜が形成された。
に直接ポリシラン組成の被膜が形成された。
その被膜は、基板上に水平と垂直どちらの表面にも比較
的均一に固着された。そして、ポジ型として働くフォト
レジストとして効メジ的に作用し′、基板上に所望の偉
を形成した。
的均一に固着された。そして、ポジ型として働くフォト
レジストとして効メジ的に作用し′、基板上に所望の偉
を形成した。
次に、本発明を証明する例を記述する。Ｐｅｔｒａｒｃ
ｈ社製ペンタメチルメトキシジシラン（９８％純度）の
サンプル１．５ｍｌを、真空多岐管に付けた２０ｍ１ガ
ラスアンプルに入れた。多岐管は、３つの部分つまり試
薬容器、石英炉管、析出チャンバーからなっていた。炉
管は、直径２ｃｍ、長ざ２５ｃｍであった。析出チャン
バーは、直径１５ｃ＋ａ、長き約４０ｃｍであった。炉
管とは反対側の析出チャンバーにシリコンウェー八を置
いた。炉を６００℃まで加熱し、試薬アンプルを９５℃
に加熱した。装置を真空にし、真空ポンプのバルブを閉
じたら、試薬を導入した。系内圧を１〜２分間数Ｔｏｒ
ｒ上げ、反応が進行したのでＩｔｏｒｒ以下に下げた。
ｈ社製ペンタメチルメトキシジシラン（９８％純度）の
サンプル１．５ｍｌを、真空多岐管に付けた２０ｍ１ガ
ラスアンプルに入れた。多岐管は、３つの部分つまり試
薬容器、石英炉管、析出チャンバーからなっていた。炉
管は、直径２ｃｍ、長ざ２５ｃｍであった。析出チャン
バーは、直径１５ｃ＋ａ、長き約４０ｃｍであった。炉
管とは反対側の析出チャンバーにシリコンウェー八を置
いた。炉を６００℃まで加熱し、試薬アンプルを９５℃
に加熱した。装置を真空にし、真空ポンプのバルブを閉
じたら、試薬を導入した。系内圧を１〜２分間数Ｔｏｒ
ｒ上げ、反応が進行したのでＩｔｏｒｒ以下に下げた。
析出チャンバーからウェーハを取り出すと、直径的４０
ｍｍの円形被膜が観察された。被膜は、中央部で厚かっ
た。以下の測定結果が得られた。
ｍｍの円形被膜が観察された。被膜は、中央部で厚かっ
た。以下の測定結果が得られた。
照射位置（ＩＩｍ） 被膜厚（Ａ）紫外分光
特性は、２００〜２７０ｎｍの波長域において被膜の吸
光度を示し、３００ｎｏ＋以上では若干の吸光度しかな
かった。このため、サンプルは石英ウェーハ上への析出
によって調整された。
特性は、２００〜２７０ｎｍの波長域において被膜の吸
光度を示し、３００ｎｏ＋以上では若干の吸光度しかな
かった。このため、サンプルは石英ウェーハ上への析出
によって調整された。
被膜サンプルは、２４０ｎ＠〜２６０ｎｍにおいて近接
焼付は機で露光された。それぞれのウェーハへの０〜２
４０ＩＩｌｊ／ｃＩ１１２の露光を生じさせるために、
可変透過率マスクを使用した。そのマスクは、１゜０〜
２．０μｍ間の一連の等しいライン／スペースパターン
を有していた。７０〜８０ ｍｊ／ｃｍ２の露光量が最
適であった。ポジ色調の像を、イソプロピルアルコール
を用いて現像し、３０秒リンスした。
焼付は機で露光された。それぞれのウェーハへの０〜２
４０ＩＩｌｊ／ｃＩ１１２の露光を生じさせるために、
可変透過率マスクを使用した。そのマスクは、１゜０〜
２．０μｍ間の一連の等しいライン／スペースパターン
を有していた。７０〜８０ ｍｊ／ｃｍ２の露光量が最
適であった。ポジ色調の像を、イソプロピルアルコール
を用いて現像し、３０秒リンスした。
［効果］
本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載されるような効果を奏する。
下に記載されるような効果を奏する。
本発明では、ポジ型のフォトレジストとして使用する被
膜を、基板上に直接形成するので、はじめの高分子調整
、溶剤への溶解、精製という扱いにくい工程を逃れる。
膜を、基板上に直接形成するので、はじめの高分子調整
、溶剤への溶解、精製という扱いにくい工程を逃れる。
さらに、ポリシラン組成からなる被膜を基板上に形成で
きるので、従来のスピン塗布法を用いて得られるものと
比べると、水平と垂直どちらの表面にも、比較的均一な
膜厚を有する。そして、一般的に使用きれる溶剤に簡単
に溶けないような、スピン塗布では用いることのできな
いポリシラン組成を、析出できる。
きるので、従来のスピン塗布法を用いて得られるものと
比べると、水平と垂直どちらの表面にも、比較的均一な
膜厚を有する。そして、一般的に使用きれる溶剤に簡単
に溶けないような、スピン塗布では用いることのできな
いポリシラン組成を、析出できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、重合可能なシランモノマーの蒸気に基板をさらし、
ポリシラン組成からなる被膜を上記基板上に析出させる
被膜形成方法。 ２、上記重合可能なシランモノマーが、次式を有する請
求項１記載の方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ここでＲは、Ｈ；Ｃ＿１−Ｃ＿４アルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、アルコキシ又はアルキルシリル基
；アリール基；又はアミノ基 Ｒ′は、Ｈ；Ｃ＿１−Ｃ＿４アルキル基、アルケニル基
、アルキニル基、 アルコキシ又はアルキルシリル基；アリール基；アミノ
基；ハロ；又はメチルハロ Ｒ″は、Ｈ；Ｃ＿１−Ｃ＿４アルキル基、アルケニル基
、アルキニル基、アルコキシ又はアルキルシリル基；ア
リール基；又はアミノ基。 ３、上記Ｒ、Ｒ′、Ｒ″が、 Ｒは、Ｃ＿１−Ｃ＿３アルキル基 Ｒ′は、Ｃ＿１−Ｃ＿４アルキル基、トリメチルシリル
基、アリール基、フルオロ又はメチルフロオロ Ｒ″は、Ｃ＿１−Ｃ＿３アルキル基 である請求項２記載の方法。 ４、上記重合可能なシランモノマーをペンタメチルメト
キシジシランとする請求項３記載の方法。 ５、上記基板は、シリコン塗布した酸化シリコン又はシ
リコンを用いる請求項１記載の方法。 ６、温度は約２００〜約６５０℃の範囲で、圧力は約５
０ｍｔｏｒｒ〜約１００ｔｏｒｒの範囲で約１〜約２０
分間程度、上記重合可能なシランモノマーを加熱する請
求項１記載の方法。 ７、上記温度を約５００〜約６００℃で、上記圧力を約
２〜約５ｔｏｒｒとした請求項６記載の方法。 ８、次の工程からなる基板上への像形成方法。 ａ）重合可能なシランモノマーの蒸気に上記基板をさら
し、ポリシラン組成からなる被膜を上記基板上に析出さ
せる。 ｂ）前もって決められたパターンに上記被膜を照射露光
する。 ｃ）上記被膜の照射露光部分を除去する。 ９、上記重合可能なシランモノマーが、次式を有する請
求項８記載の方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ここでＲは、Ｈ；Ｃ＿１−Ｃ＿４アルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、アルコキシ又はアルキルシリル基
；アリール基；又はアミノ基 Ｒ′は、Ｈ；Ｃ＿１−Ｃ＿４アルキル基、アルケニル基
、アルキニル基、アルコキシ又はアルキルシリル基；ア
リール基；アミノ基；ハロ；又はメチルハロ Ｒ″は、Ｈ；Ｃ＿１−Ｃ＿４アルキル基、アルケニル基
、アルキニル基、アルコキシ又はアルキルシリル基；ア
リール基；又はアミノ基。 １０、上記Ｒ、Ｒ′、Ｒ″が、 Ｒは、Ｃ＿１−Ｃ＿３アルキル基 Ｒ′は、Ｃ＿１−Ｃ＿４アルキル基、トリメチルシリル
基、アリール基、フルオロ又はメチルフロオロ Ｒ″は、Ｃ＿１−Ｃ＿３アルキル基 である請求項９記載の方法。 １１、上記重合可能なシランモノマーをペンタメチルメ
トキシジシランとする請求項１０記載の方法。 １２、上記基板は、シリコン塗布した酸化シリコン又は
シリコンを用いる請求項８記載の方法。 １３、温度は約２００〜約６００℃の範囲で、圧力は約
５０ｍｔｏｒｒ〜約１００ｔｏｒｒの範囲で約１〜約２
０分間程度、上記重合可能なシランモノマーを加熱する
請求項８記載の方法。 １４、上記温度を約５００〜約６００℃で、上記圧力を
約２〜約５ｔｏｒｒとした請求項１３記載の方法。 １５、次の工程からなる基板上への像形成方法。 ａ）重合可能なシランモノマーの蒸気に上記基板をさら
し、それを約５００〜約６００℃の温度で、圧力を約２
〜約５ｔｏｒｒとして加熱し、ポリシラン組成からなる
被膜を上記基板上に析出させる。 上記重合可能なシランモノマーは次式を有 する。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ここでＲは、Ｈ；Ｃ＿１−Ｃ＿４アルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、アルコキシ又はアルキルシリル基
；アリール基；又はアミノ基 Ｒ′は、Ｈ；Ｃ＿１−Ｃ＿４アルキル基、アルケニル基
、アルキニル基、アルコキシ又はアルキルシリル基；ア
リール基；アミノ基：ハロ；又はメチルハロ Ｒ″は、Ｈ；Ｃ＿１−Ｃ＿４アルキル基、アルケニル基
、アルキニル基、アルコキシ又はアルキルシリル基；ア
リール基；又はアミノ基。 ｂ）前もって決められたパターンに、上記被膜を照射露
光する。 ｃ）上記被膜の照射露光部分を除去する。 １６、上記Ｒ、Ｒ′、Ｒ″が、 Ｒは、Ｃ＿１−Ｃ＿３アルキル基 Ｒ′は、Ｃ＿１−Ｃ＿４アルキル基、トリメチルシリル
基、アリール基、フルオロ又はメチルフロオロ Ｒ″は、Ｃ＿１−Ｃ＿３アルキル基 である請求項１５記載の方法。 １７、上記被膜を約２４０〜約２６０ｎｍの波長域を持
つ照射で露光する請求項１６記載の方法。 １８、上記重合可能なシランモノマーをペンタメチルメ
トキシジシランとし、上記基板はシリコン塗布した酸化
シリコン又はシリコンを用いる請求項１７記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US31132689A | 1989-02-15 | 1989-02-15 | |
| US311326 | 1989-02-15 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263981A true JPH02263981A (ja) | 1990-10-26 |
| JPH0739629B2 JPH0739629B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=23206394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2032615A Expired - Fee Related JPH0739629B2 (ja) | 1989-02-15 | 1990-02-15 | 被膜形成方法 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0382932B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0739629B2 (ja) |
| KR (1) | KR920005620B1 (ja) |
| CN (1) | CN1029043C (ja) |
| AU (1) | AU624467B2 (ja) |
| BR (1) | BR9000665A (ja) |
| CA (1) | CA1334911C (ja) |
| DE (1) | DE68919346T2 (ja) |
| HK (1) | HK90595A (ja) |
| MX (1) | MX172109B (ja) |
| MY (1) | MY110289A (ja) |
| PH (1) | PH27127A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0643655A (ja) * | 1991-03-04 | 1994-02-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レジスト画像の生成プロセス及び電子デバイス |
| WO1995006900A1 (fr) * | 1993-09-03 | 1995-03-09 | Hitachi, Ltd. | Procede et appareil de realisation de motifs |
| WO2005078784A1 (ja) * | 2004-02-17 | 2005-08-25 | Toagosei Co., Ltd. | シリコン酸化膜の製造方法 |
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| DE4202652C2 (de) * | 1992-01-30 | 1996-03-28 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Aufbringen einer UV- und/oder elektronenstrahlempfindlichen Lackschicht |
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| DE19781956T1 (de) | 1996-08-24 | 1999-07-08 | Trikon Equip Ltd | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen einer planarisierten dielektrischen Schicht auf einem Halbleitersubstrat |
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1989
- 1989-08-24 CA CA000609377A patent/CA1334911C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-16 EP EP89123324A patent/EP0382932B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-16 DE DE68919346T patent/DE68919346T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-01-08 AU AU47788/90A patent/AU624467B2/en not_active Ceased
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