JPH02291562A - フオトレジスト像の処理方法 - Google Patents
フオトレジスト像の処理方法Info
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- JPH02291562A JPH02291562A JP2062872A JP6287290A JPH02291562A JP H02291562 A JPH02291562 A JP H02291562A JP 2062872 A JP2062872 A JP 2062872A JP 6287290 A JP6287290 A JP 6287290A JP H02291562 A JPH02291562 A JP H02291562A
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Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 abstract description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 abstract description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- -1 organosilane compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
- G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、反応性イオンエッチングに対する耐性を与え
るフォトレジスト像処理方法に関するものである。
るフォトレジスト像処理方法に関するものである。
［従来の技術］
反応性イオンエッチングに対する耐性を与えるフォトレ
ジスト像の処理は、従来研究されている。
ジスト像の処理は、従来研究されている。
米国特許第４５５２８３３号では、ヘキサメチルジシラ
ザンの気相反応と照射露光について記されている。欧州
特許第８６１０３２０８号は、キシレンに溶解するか気
化させた単量体シリラトン試薬の使用について記載して
いる。しかし、このような工程は真空オーブン又は反応
槽の使用が要求され、しばしば膨潤や破裂を引き起こす
。
ザンの気相反応と照射露光について記されている。欧州
特許第８６１０３２０８号は、キシレンに溶解するか気
化させた単量体シリラトン試薬の使用について記載して
いる。しかし、このような工程は真空オーブン又は反応
槽の使用が要求され、しばしば膨潤や破裂を引き起こす
。
米国特許第４５８７２０５号では、ボリシランのボジ型
フォトレジスト物質を基板上へ噴霧塗布する方法が記述
されている。
フォトレジスト物質を基板上へ噴霧塗布する方法が記述
されている。
米国特許第４６７８６８８号では、オルガノシラザン高
分子の基板表面塗布について記述されている。
分子の基板表面塗布について記述されている。
米国特許第４７５１１７０号では、有機シラン化合物を
活性高分子レジストと反応させるための紫外線の使用に
ついて記述されている。
活性高分子レジストと反応させるための紫外線の使用に
ついて記述されている。
しかしながらこれら参考文献のどれもが、本発明とは異
なる。
なる。
［発明が解決しようとする課題］
上述のように、従来技術では真空オーブンや反応槽の使
用が要求されるために、レジスト像表面が膨潤したり破
裂するという問題があった。
用が要求されるために、レジスト像表面が膨潤したり破
裂するという問題があった。
［課題を解決するための手段及び実施例］本発明に従っ
て、反応性イオンエッチングに対する耐性を与えるフォ
トレジスト像を処理するには、まず像にポリ（ジメチル
シラザン）を塗布し、塗布した像を加熱し、それから溶
剤で洗浄する。
て、反応性イオンエッチングに対する耐性を与えるフォ
トレジスト像を処理するには、まず像にポリ（ジメチル
シラザン）を塗布し、塗布した像を加熱し、それから溶
剤で洗浄する。
塗布は、噴霧して又は炭化水素溶剤等の中に溶かして行
なう。杢工程は非常に簡単であり、真空オーブンも反応
槽も必要ないという長所を持つ。さらに、レジスト表面
のある範囲内で反応の限界があるために、膨潤や破裂は
発生しない。これは、従来の単量体シリラトン試薬を用
いる技術よりもはるかに優れている。
なう。杢工程は非常に簡単であり、真空オーブンも反応
槽も必要ないという長所を持つ。さらに、レジスト表面
のある範囲内で反応の限界があるために、膨潤や破裂は
発生しない。これは、従来の単量体シリラトン試薬を用
いる技術よりもはるかに優れている。
ポリ（ジメチルシラザン）は、炭化水素溶剤に溶かして
、レジスト像のシリル化に使われる。高分子のシリル化
試薬の利点は、簡単な工程であるばかりでなく、膨潤や
破裂もない。なぜなら、レジスト像の表面にのみシリル
化するためである。
、レジスト像のシリル化に使われる。高分子のシリル化
試薬の利点は、簡単な工程であるばかりでなく、膨潤や
破裂もない。なぜなら、レジスト像の表面にのみシリル
化するためである。
単量体試薬を伴うシリル化は、しばしばレジスト像が膨
潤し、そのため高解像度のりソグラフイには不適である
。
潤し、そのため高解像度のりソグラフイには不適である
。
本発明は、特にフェノール系フォトレジストを用いると
有効である。これらのフォトレジストは、この技術分野
では周知である。それらは、例えば、ノポラツクのよう
なフェノール系樹脂やポリ（ヒドロキシスチレン）を含
み、１−オキソー２ジアゾナフタレン・スルホン酸のエ
ステルなどの増感剤の添加で照射感度が良くなる。
有効である。これらのフォトレジストは、この技術分野
では周知である。それらは、例えば、ノポラツクのよう
なフェノール系樹脂やポリ（ヒドロキシスチレン）を含
み、１−オキソー２ジアゾナフタレン・スルホン酸のエ
ステルなどの増感剤の添加で照射感度が良くなる。
本発明に有効なポリシラザンは、市販されている。たと
えば、ポリ（１、１−ジメチルシラザン）（ＰＳ１１２
），ポリ（１、２−ジメチルシラザン）（ＭＳＸ１１４
）、アミノ停止を伴うポリ（ジメチルシラザン）（ＭＳ
ＸＯ２３）、そして最も好ましいのはメトキシ停止を伴
うボリ（ジメチルシラザン’）（ＭＳＸＯ２２ ）であ
る。ＰＳＩ１２、ＭＳＸ１１４、ＭＳＸＯ２３、ＭＳＸ
Ｏ２２という表現は、Ｐｅｔｒａｒｃｈ Ｓｙｓｔｅ
ｍｓ， Ｂｒｉｓｔｏｌ，Ｐａ．から市販されている
それらの化学物質のコード名である。ＰＳ１１２を除い
たすべては、オリゴマ液体である。メトキシ停止された
物質は、最も低粘度であり、酸素反応性イオンエッチン
グを３０分間行なってもエッチング速度はほとんどゼロ
であるという最良のシリル化レジスト表面を与える。
えば、ポリ（１、１−ジメチルシラザン）（ＰＳ１１２
），ポリ（１、２−ジメチルシラザン）（ＭＳＸ１１４
）、アミノ停止を伴うポリ（ジメチルシラザン）（ＭＳ
ＸＯ２３）、そして最も好ましいのはメトキシ停止を伴
うボリ（ジメチルシラザン’）（ＭＳＸＯ２２ ）であ
る。ＰＳＩ１２、ＭＳＸ１１４、ＭＳＸＯ２３、ＭＳＸ
Ｏ２２という表現は、Ｐｅｔｒａｒｃｈ Ｓｙｓｔｅ
ｍｓ， Ｂｒｉｓｔｏｌ，Ｐａ．から市販されている
それらの化学物質のコード名である。ＰＳ１１２を除い
たすべては、オリゴマ液体である。メトキシ停止された
物質は、最も低粘度であり、酸素反応性イオンエッチン
グを３０分間行なってもエッチング速度はほとんどゼロ
であるという最良のシリル化レジスト表面を与える。
本発明の加熱工程は、最も便利で簡単なホットプレート
上での９５℃で約３０分の加熱である。
上での９５℃で約３０分の加熱である。
トルエンやキシレン等の溶剤が好ましい。
従来の方法でレジスト像が調整された．２．５μｍの膜
厚のポリイミド層を、シリコン基板上にスピン塗布した
。このポリイミド被膜上に、増感したノボラツク・レジ
ストをスピン塗布し、８５℃で１０分間焼いた。従米の
マスクを用いて接触焼き付け機にかけ、水溶性アルカリ
現像液で現像し、像を形成した。
厚のポリイミド層を、シリコン基板上にスピン塗布した
。このポリイミド被膜上に、増感したノボラツク・レジ
ストをスピン塗布し、８５℃で１０分間焼いた。従米の
マスクを用いて接触焼き付け機にかけ、水溶性アルカリ
現像液で現像し、像を形成した。
レジスト像の上にオリゴマ液体のポリ（ジメチルシラザ
ン）を噴霧塗布し、９５℃で３０分間ホットプレート上
に置いた。この加熱後、ウエーハを数秒間キシレンで洗
浄し、窒素蒸気で乾燥させた。
ン）を噴霧塗布し、９５℃で３０分間ホットプレート上
に置いた。この加熱後、ウエーハを数秒間キシレンで洗
浄し、窒素蒸気で乾燥させた。
この二層の全膜厚は、２．０μｍのポリイミド及び１６
５μｍのノボラツク・レジストからなった。このように
処理した被膜は、３０分間の酸素反応性イオンエッチン
グを行なっても膜厚がまったく損失しなかった。しかし
、処理しなかった被月央は激しい月莫厚損失を示した。
５μｍのノボラツク・レジストからなった。このように
処理した被膜は、３０分間の酸素反応性イオンエッチン
グを行なっても膜厚がまったく損失しなかった。しかし
、処理しなかった被月央は激しい月莫厚損失を示した。
［効果コ
本発明は、以上説明したように構成されているので、従
来使用していた真空オーブンや反応槽を使用せずに、ホ
ットプレート上で加熱可能という非常に簡単な工程であ
る。さらに、レジスト表面に膨潤や破裂は発生しない。
来使用していた真空オーブンや反応槽を使用せずに、ホ
ットプレート上で加熱可能という非常に簡単な工程であ
る。さらに、レジスト表面に膨潤や破裂は発生しない。
出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人 弁理士 頓 宮 孝 （外１名）
・コーポレーション 代理人 弁理士 頓 宮 孝 （外１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、次の工程からなる、フォトレジスト像に反応性イオ
ンエッチングに対する耐性を与えるフォトレジスト像の
処理方法。 ａ）ポリ（ジメチルシラザン）を像に塗布する工程 ｂ）塗布した像を加熱する工程 ｃ）像を溶剤で洗浄する工程
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/324,849 US4999280A (en) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | Spray silylation of photoresist images |
| US324849 | 2002-12-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02291562A true JPH02291562A (ja) | 1990-12-03 |
Family
ID=23265375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2062872A Pending JPH02291562A (ja) | 1989-03-17 | 1990-03-15 | フオトレジスト像の処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4999280A (ja) |
| EP (1) | EP0387982A3 (ja) |
| JP (1) | JPH02291562A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173433A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Toyota Motor Corp | 凸部の頂面に被覆膜を形成する方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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