JPH03770B2 - - Google Patents
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- JPH03770B2 JPH03770B2 JP56140246A JP14024681A JPH03770B2 JP H03770 B2 JPH03770 B2 JP H03770B2 JP 56140246 A JP56140246 A JP 56140246A JP 14024681 A JP14024681 A JP 14024681A JP H03770 B2 JPH03770 B2 JP H03770B2
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- resist
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- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- -1 developer Substances 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板の上に設けた上下２層の被エツチ
ング層のエツチングを行なうために、２層のレジ
ストパターンを精度よく形成する、微細パターン
形成方法に関する。
ング層のエツチングを行なうために、２層のレジ
ストパターンを精度よく形成する、微細パターン
形成方法に関する。
一般に、レジストパターンの形成方法は、レジ
ストをスピンコートし、これをプリベークしてレ
ジストから溶剤を蒸発させて固形化し、紫外線な
どで露光して潜像を形成し、現像液でパターンを
形成し、さらにポストベーキングによつて強化
し、かつ、基板との密着性を高める。
ストをスピンコートし、これをプリベークしてレ
ジストから溶剤を蒸発させて固形化し、紫外線な
どで露光して潜像を形成し、現像液でパターンを
形成し、さらにポストベーキングによつて強化
し、かつ、基板との密着性を高める。
さて上下２層の被エツチング層のエツチングを
行なうには２層のレジストを必要とする場合があ
る。上層のエツチングを行なう第１のレジストパ
ターンに特別の処理を施さないで、この上に第２
のレジストをスピンコートすると、第１のレジス
トがこれに溶解し、次に第２の露光に感光し、さ
らに現像液および洗浄液に溶解する。このように
第１のレジストパターンが変化すると、第２層の
パターン形成が乱れる。これを防止するには、露
光および溶剤に対する第１のレジストパターンの
抵抗を強化すればよい。たとえばポストベーキン
グの温度を高めることが１つの方法であるが、レ
ジストが丸く変形して、第２のエツチングの精度
を低下させるので、通常はポストベーキングの温
度を変形温度以下としている。従つて、下層のパ
ターンを形成する場合に上記欠点を免れない。
行なうには２層のレジストを必要とする場合があ
る。上層のエツチングを行なう第１のレジストパ
ターンに特別の処理を施さないで、この上に第２
のレジストをスピンコートすると、第１のレジス
トがこれに溶解し、次に第２の露光に感光し、さ
らに現像液および洗浄液に溶解する。このように
第１のレジストパターンが変化すると、第２層の
パターン形成が乱れる。これを防止するには、露
光および溶剤に対する第１のレジストパターンの
抵抗を強化すればよい。たとえばポストベーキン
グの温度を高めることが１つの方法であるが、レ
ジストが丸く変形して、第２のエツチングの精度
を低下させるので、通常はポストベーキングの温
度を変形温度以下としている。従つて、下層のパ
ターンを形成する場合に上記欠点を免れない。
本発明の目的は上記欠点を解消することであ
る。
る。
本発明の上記目的は、レジストパターンをマス
クとしてフツ素含有ガスプラズマを用いて被エツ
チング層をエツチングするパターン形成方法にお
いて、被エツチング層の上にポジ型レジストから
なる第１のレジストパターンを形成する工程と、
該第１のレジストパターンの形状がなだらかにな
らない第１の温度で熱処理した後、この第１レジ
ストパターンを形成した被エツチング層にフツ素
含有ガスプラズマを接触せしめ、これによつて第
１のレジストパターンをマスクとして被エツチン
グ層をエツチングすると同時に、第１のレジスト
パターンの耐熱性を向上させる工程と、ついで、
前記熱処理工程の第１の温度より高い温度であつ
て、かつ前記フツ素含有ガスプラズマに接触させ
た第１のレジストパターンに実質的に形状変化を
おこさせない第２の温度で熱処理し、これによつ
て第１のレジストパターンの上に形成すべき第２
のレジストパターンの形成工程において、第１の
レジストパターンの形状変化をおこしがたくさせ
る工程とのしかる後、第１のレジストパターンの
上に、少くともその一部に接するように、ポジ型
またはネガ型のレジストからなる第２のレジスト
パターンを形成する工程とを含むことを特徴とす
るパターン形成方法によつて達成することができ
る。
クとしてフツ素含有ガスプラズマを用いて被エツ
チング層をエツチングするパターン形成方法にお
いて、被エツチング層の上にポジ型レジストから
なる第１のレジストパターンを形成する工程と、
該第１のレジストパターンの形状がなだらかにな
らない第１の温度で熱処理した後、この第１レジ
ストパターンを形成した被エツチング層にフツ素
含有ガスプラズマを接触せしめ、これによつて第
１のレジストパターンをマスクとして被エツチン
グ層をエツチングすると同時に、第１のレジスト
パターンの耐熱性を向上させる工程と、ついで、
前記熱処理工程の第１の温度より高い温度であつ
て、かつ前記フツ素含有ガスプラズマに接触させ
た第１のレジストパターンに実質的に形状変化を
おこさせない第２の温度で熱処理し、これによつ
て第１のレジストパターンの上に形成すべき第２
のレジストパターンの形成工程において、第１の
レジストパターンの形状変化をおこしがたくさせ
る工程とのしかる後、第１のレジストパターンの
上に、少くともその一部に接するように、ポジ型
またはネガ型のレジストからなる第２のレジスト
パターンを形成する工程とを含むことを特徴とす
るパターン形成方法によつて達成することができ
る。
本発明で使用する第２のレジストはポジでもネ
ガでもよい。
ガでもよい。
本発明の特徴は、ポジ型レジストの第１のパタ
ーンを形成し、これをマスクとして、フツ素含有
ガスプラズマで被エツチング層をエツチングする
と同時に、第１のレジストパターンの耐熱性を向
上させる。すなわちマスクのポジ型レジストパタ
ーンは、通常170℃程度に加熱されるとだれてし
まうが、フツ素含有ガスプラズマ照射によつて、
耐熱性が向上し、この程度の加熱では形状の変化
を生じなくなる。
ーンを形成し、これをマスクとして、フツ素含有
ガスプラズマで被エツチング層をエツチングする
と同時に、第１のレジストパターンの耐熱性を向
上させる。すなわちマスクのポジ型レジストパタ
ーンは、通常170℃程度に加熱されるとだれてし
まうが、フツ素含有ガスプラズマ照射によつて、
耐熱性が向上し、この程度の加熱では形状の変化
を生じなくなる。
そこで、第１のレジストパターンを170℃程度
に熱処理する。これによつて第１のレジストはさ
らに重合が進んで、不溶性が向上する。すなわち
第２のレジストの塗布および現像の工程におい
て、第２のレジストの溶剤、ならびに現像剤およ
び洗浄剤に対する第１のレジストの不溶性を向上
させて、第１のレジストパターンの乱れを防止す
ることができ、従つてその上に形成される第２の
レジストパターンをも精密に形成することができ
る。
に熱処理する。これによつて第１のレジストはさ
らに重合が進んで、不溶性が向上する。すなわち
第２のレジストの塗布および現像の工程におい
て、第２のレジストの溶剤、ならびに現像剤およ
び洗浄剤に対する第１のレジストの不溶性を向上
させて、第１のレジストパターンの乱れを防止す
ることができ、従つてその上に形成される第２の
レジストパターンをも精密に形成することができ
る。
次に実施例によつて本発明を詳細に説明する。
シリコン基板の上に厚み0.5μｍのポリシリコン
層をCVD法によつて沈着させ、その表面を酸化
して厚み0.1μｍの酸化膜を形成し、さらに厚み
0.5μｍのポリシリコン層を沈着させた。ポジレジ
ストは東京応化工業製OFPR＃800を5000rpmで
スピンコートして厚み約1.0μｍとし、温度85℃で
20分プリベークし、波長436nｍの紫外光で露光
して潜像を形成し、東京応化工業製NMD−３で
現像し、水洗の後に温度130℃で20分ポストベー
クした。以上は通常の処理である。こうして形成
したポジパターンによつて、O25％を含むCF4で
プラズマエツチングして、上層のポリシリコン層
のパターンを形成した。
層をCVD法によつて沈着させ、その表面を酸化
して厚み0.1μｍの酸化膜を形成し、さらに厚み
0.5μｍのポリシリコン層を沈着させた。ポジレジ
ストは東京応化工業製OFPR＃800を5000rpmで
スピンコートして厚み約1.0μｍとし、温度85℃で
20分プリベークし、波長436nｍの紫外光で露光
して潜像を形成し、東京応化工業製NMD−３で
現像し、水洗の後に温度130℃で20分ポストベー
クした。以上は通常の処理である。こうして形成
したポジパターンによつて、O25％を含むCF4で
プラズマエツチングして、上層のポリシリコン層
のパターンを形成した。
次に本発明に従つて、温度170℃で30分第３ベ
ーキングを行なつて、すでに形成したポジパター
ンを熱重合により強化した後に、通常の方法でネ
ガパターンを形成した。すなわち、東京応化工業
製OMR−83（35cp）を5000rpmでスピンコートし
て厚み8000Åとし、温度80℃でプリベークし、波
長365nｍの紫外光で露光して潜像を形成し、東
京応化工業製OMR現像液で現像し、東京応化工
業製酢酸ブチル系OMRリンス液で洗浄し、温度
140℃で20分ポストベークしてネガレジストパタ
ーンを形成した。このパターンによつて、まずフ
ツ酸系エツチング液で酸化膜をエツチングし、次
にO25％を含むCF4プラズマエツチングによつて
下層のポリシリコン層をエツチングした。これに
よつて上下２層とも精度の高いパターンを形成す
ることができた。
ーキングを行なつて、すでに形成したポジパター
ンを熱重合により強化した後に、通常の方法でネ
ガパターンを形成した。すなわち、東京応化工業
製OMR−83（35cp）を5000rpmでスピンコートし
て厚み8000Åとし、温度80℃でプリベークし、波
長365nｍの紫外光で露光して潜像を形成し、東
京応化工業製OMR現像液で現像し、東京応化工
業製酢酸ブチル系OMRリンス液で洗浄し、温度
140℃で20分ポストベークしてネガレジストパタ
ーンを形成した。このパターンによつて、まずフ
ツ酸系エツチング液で酸化膜をエツチングし、次
にO25％を含むCF4プラズマエツチングによつて
下層のポリシリコン層をエツチングした。これに
よつて上下２層とも精度の高いパターンを形成す
ることができた。
この例では第２のレジストとしてネガレジスト
を使用したが、前述のようにポジレジストを使用
することもできる。
を使用したが、前述のようにポジレジストを使用
することもできる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レジストパターンをマスクとして、フツ素含
有ガスプラズマを用いて被エツチング層をエツチ
ングするパターン形成方法において、 被エツチング層の上にポジ型レジストからなる
第１のレジストパターンを形成する工程と、 該第１のレジストパターンの形状がなだらかに
ならない第１の温度で熱処理した後、 第１のレジストパターンを形成した被エツチン
グ層にフツ素含有ガスプラズマを接触せしめ、こ
れによつて第１のレジストパターンをマスクとし
て被エツチング層をエツチングすると同時に、第
１のレジストパターンの耐熱性を向上させる工程
と、 ついで、前記熱処理工程の第１の温度より高い
温度であつて、かつ、前記フツ素含有ガスプラズ
マに接触させた第１のレジストパターンに実質的
に形状変化をおこさせない第２の温度で熱処理
し、これによつて第１のレジストパターンの上に
形成すべき第２のレジストパターンの形成工程に
おいて、第１のレジストパターンの形状変化をお
こしがたくさせる工程と、 しかる後、第１のレジストパターンの上に、少
くともその一部に接するように、ポジ型またはネ
ガ型レジストからなる第２のレジストパターンを
形成する工程とを含むことを特徴とするパターン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14024681A JPS5842231A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14024681A JPS5842231A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842231A JPS5842231A (ja) | 1983-03-11 |
| JPH03770B2 true JPH03770B2 (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=15264308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14024681A Granted JPS5842231A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842231A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61122972U (ja) * | 1985-01-22 | 1986-08-02 | ||
| JPS61122971U (ja) * | 1985-01-22 | 1986-08-02 | ||
| CA1289440C (en) * | 1985-08-29 | 1991-09-24 | Syuichi Ishida | Impact energy absorber of steering wheel |
| JP2514013Y2 (ja) * | 1990-07-05 | 1996-10-16 | 富山日本電気株式会社 | 印刷配線板用供給機 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4911577A (ja) * | 1972-06-01 | 1974-02-01 | ||
| JPS50154066A (ja) * | 1974-05-31 | 1975-12-11 | ||
| JPS54146966A (en) * | 1978-05-10 | 1979-11-16 | Nec Corp | Pattern forming method |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP14024681A patent/JPS5842231A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4911577A (ja) * | 1972-06-01 | 1974-02-01 | ||
| JPS50154066A (ja) * | 1974-05-31 | 1975-12-11 | ||
| JPS54146966A (en) * | 1978-05-10 | 1979-11-16 | Nec Corp | Pattern forming method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5842231A (ja) | 1983-03-11 |
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