JPH0143450B2 - - Google Patents
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- JPH0143450B2 JPH0143450B2 JP56142385A JP14238581A JPH0143450B2 JP H0143450 B2 JPH0143450 B2 JP H0143450B2 JP 56142385 A JP56142385 A JP 56142385A JP 14238581 A JP14238581 A JP 14238581A JP H0143450 B2 JPH0143450 B2 JP H0143450B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- etched
- etching
- resist pattern
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- Expired
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
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- PFJFNQUFMTYCHB-UHFFFAOYSA-N C[SiH2]N[SiH3] Chemical compound C[SiH2]N[SiH3] PFJFNQUFMTYCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0751—Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板の上に設けた上下２層の被エツチ
ング層のエツチングを行なうために、２層のレジ
ストパターンを精度よく形成する微細パターン形
成方法に関する。
ング層のエツチングを行なうために、２層のレジ
ストパターンを精度よく形成する微細パターン形
成方法に関する。
一般にレジストパターンの形成方法は、レジス
トをスピンコートし、これをプリベークしてレジ
ストから溶剤を蒸発させて固形化し、紫外線など
で露光して潜像を形成し、現像液でパターンを形
成し、さらにポストベーキングによつて強化し、
かつ基板との密着性を高める。
トをスピンコートし、これをプリベークしてレジ
ストから溶剤を蒸発させて固形化し、紫外線など
で露光して潜像を形成し、現像液でパターンを形
成し、さらにポストベーキングによつて強化し、
かつ基板との密着性を高める。
さて上下２層の被エツチング層のエツチングを
行なうには２層のレジストを必要とする場合があ
る。上層のエツチングを行なう第１のレジストパ
ターンに特別の処理を施さないで、この上に第２
のレジストをスピンコートすると、第１のレジス
トがこれに溶解し、次に第２の露光に感光し、さ
らに現像液および洗浄液に溶解する。このように
第１のレジストパターンが変化すると、第２層の
パターン形成が乱れる欠点があつた。
行なうには２層のレジストを必要とする場合があ
る。上層のエツチングを行なう第１のレジストパ
ターンに特別の処理を施さないで、この上に第２
のレジストをスピンコートすると、第１のレジス
トがこれに溶解し、次に第２の露光に感光し、さ
らに現像液および洗浄液に溶解する。このように
第１のレジストパターンが変化すると、第２層の
パターン形成が乱れる欠点があつた。
本発明の目的は上記欠点を解消することであ
る。
る。
本発明の上記目的は、上下２層の被エツチング
層の上に、常法によつて第１のレジスト膜をスピ
ンコーテイング、プリベーキング、露光、現像、
洗浄およびポストベーキングして第１のレジスト
パターンを形成し、このパターンによつて上層の
被エツチング層をエツチングした後、常法によつ
て第２のレジストパターンを形成し、このパター
ンによつて下層の被エツチング層のエツチングを
行なつて下層のパターンを形成する微細パターン
形成方法において、第１および第２のレジスト膜
をノボラツク系ポジレジストで形成し、第１のレ
ジストパターンの形成の後、または上層のパター
ンを形成した後に、第１のレジスト膜にヘキサメ
チルジシラザンを含浸させて温度110〜150℃に加
熱する第３ベーキングを行なうことを特徴とする
微細パターン形成方法によつて達成することがで
きる。
層の上に、常法によつて第１のレジスト膜をスピ
ンコーテイング、プリベーキング、露光、現像、
洗浄およびポストベーキングして第１のレジスト
パターンを形成し、このパターンによつて上層の
被エツチング層をエツチングした後、常法によつ
て第２のレジストパターンを形成し、このパター
ンによつて下層の被エツチング層のエツチングを
行なつて下層のパターンを形成する微細パターン
形成方法において、第１および第２のレジスト膜
をノボラツク系ポジレジストで形成し、第１のレ
ジストパターンの形成の後、または上層のパター
ンを形成した後に、第１のレジスト膜にヘキサメ
チルジシラザンを含浸させて温度110〜150℃に加
熱する第３ベーキングを行なうことを特徴とする
微細パターン形成方法によつて達成することがで
きる。
本発明で使用する第１および第２のポジレジス
トは、アルカリ性のヘキサメチルジシラザンと反
応して結合する酸性のフエノール樹脂からなるポ
ジレジストであればよく、たとえば東京応化工業
製OFPR＃800、シツプレイ製AZ1350、ハント製
HPR−204などのノボラツク系ポジレジストを使
用する。
トは、アルカリ性のヘキサメチルジシラザンと反
応して結合する酸性のフエノール樹脂からなるポ
ジレジストであればよく、たとえば東京応化工業
製OFPR＃800、シツプレイ製AZ1350、ハント製
HPR−204などのノボラツク系ポジレジストを使
用する。
本発明の特徴はこのような第１および第２のレ
ジストを使用し、かつ通常のレジストパターン形
成工程によつてポストベーキングを終了した第１
のレジストパターンをヘキサメチルジシラザン
に、たとえば25℃で浸漬した後、温度110〜150
℃、好ましくは130℃において第３ベーキングを
行なつて、第１のレジストパターンを強化し、こ
れによつて第２のレジストパターン形成工程にお
いて、パターンが乱れることを防止することがで
きる。この第３ベーキングは、上層のパターンを
形成する第１のエツチングの前、すなわち通常の
ポストベーキングの後であつてもよいが、第１の
エツチングの後でもよい。
ジストを使用し、かつ通常のレジストパターン形
成工程によつてポストベーキングを終了した第１
のレジストパターンをヘキサメチルジシラザン
に、たとえば25℃で浸漬した後、温度110〜150
℃、好ましくは130℃において第３ベーキングを
行なつて、第１のレジストパターンを強化し、こ
れによつて第２のレジストパターン形成工程にお
いて、パターンが乱れることを防止することがで
きる。この第３ベーキングは、上層のパターンを
形成する第１のエツチングの前、すなわち通常の
ポストベーキングの後であつてもよいが、第１の
エツチングの後でもよい。
次に実施例によつて本発明を詳細に説明する。
シリコン基板の上に厚み0.5μmのポリシリコン
層をCVD法によつて沈着させ、その表面を酸化
して厚み0.1μmの酸化膜を形成し、さらに厚み
0.5μmのポリシリコン層を沈着させた。ポジレジ
ストは東京応化工業製OFPR＃800を5000rpmで
スピンコートして厚み約1.0μmとし、温度85℃で
20分プリベークし、波長436nmの紫外光で露光し
て潜像を形成し、東京応化工業製NMD−３で現
像し、水洗の後に温度130℃で20分ポストベーク
した。以上は通常の処理である。こうして形成し
たポジパターンによつて、O25％を含むCF4でプ
ラズマエツチングして、上層のポリシリコン層の
パターンを形成した。
層をCVD法によつて沈着させ、その表面を酸化
して厚み0.1μmの酸化膜を形成し、さらに厚み
0.5μmのポリシリコン層を沈着させた。ポジレジ
ストは東京応化工業製OFPR＃800を5000rpmで
スピンコートして厚み約1.0μmとし、温度85℃で
20分プリベークし、波長436nmの紫外光で露光し
て潜像を形成し、東京応化工業製NMD−３で現
像し、水洗の後に温度130℃で20分ポストベーク
した。以上は通常の処理である。こうして形成し
たポジパターンによつて、O25％を含むCF4でプ
ラズマエツチングして、上層のポリシリコン層の
パターンを形成した。
次に本発明に従つて、基板を温度25℃のヘキサ
メチルジシラザンに40分浸漬して引上げ、これを
温度130℃で20分第３ベーキングを行なつて、第
１のレジストパターンを強化した。
メチルジシラザンに40分浸漬して引上げ、これを
温度130℃で20分第３ベーキングを行なつて、第
１のレジストパターンを強化した。
さらに通常の方法によつて第２のポジレジスト
として通常の東京応化工業製OFPR＃800を
5000rpmでスピンコートして厚み1.0μmとし、温
度85℃で20分間プリベークし、波長436nmの紫外
光で露光して潜像を形成し、東京応化工業製
NMD−３で現像し、水洗して温度130℃で20分
ポストベークして第２のポジレジストパターンを
形成した。このパターンによつて、まずフツ酸系
エツチング液で酸化膜をエツチングし、次にO25
％を含むCF4プラズマエツチングによつて下層の
ポリシリコン層をエツチングした。これによつて
上下２層とも精度の高いパターンを形成すること
ができた。
として通常の東京応化工業製OFPR＃800を
5000rpmでスピンコートして厚み1.0μmとし、温
度85℃で20分間プリベークし、波長436nmの紫外
光で露光して潜像を形成し、東京応化工業製
NMD−３で現像し、水洗して温度130℃で20分
ポストベークして第２のポジレジストパターンを
形成した。このパターンによつて、まずフツ酸系
エツチング液で酸化膜をエツチングし、次にO25
％を含むCF4プラズマエツチングによつて下層の
ポリシリコン層をエツチングした。これによつて
上下２層とも精度の高いパターンを形成すること
ができた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 上下２層の被エツチング層の上に、常法によ
つて第１のレジスト膜をスピンコーテイング、プ
リベーキング、露光、現像、洗浄およびポストベ
ーキングして第１のレジストパターンを形成し、
このパターンによつて上層の被エツチング層をエ
ツチングした後、常法によつて第２のレジストパ
ターンを形成し、このパターンによつて下層の被
エツチング層のエツチングを行なつて下層のパタ
ーンを形成する微細パターン形成方法において、 第１および第２のレジスト膜をノボラツク系ポ
ジレジストで形成し、 第１のレジストパターンの形成の後、または上
層のパターンを形成した後に、第１のレジスト膜
にヘキサメチルジシラザンを含浸させて温度110
〜150℃に加熱する第３ベーキングを行なう ことを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56142385A JPS5844715A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 微細パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56142385A JPS5844715A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 微細パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5844715A JPS5844715A (ja) | 1983-03-15 |
| JPH0143450B2 true JPH0143450B2 (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=15314129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56142385A Granted JPS5844715A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 微細パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5844715A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4810601A (en) * | 1984-12-07 | 1989-03-07 | International Business Machines Corporation | Top imaged resists |
| CA1282273C (en) * | 1985-03-19 | 1991-04-02 | International Business Machines Corporation | Method of creating patterned multilayer films for use in production of semiconductor circuits and systems |
| JPH0727221B2 (ja) * | 1985-07-24 | 1995-03-29 | 日本電信電話株式会社 | パタン形成方法 |
| JPH07107605B2 (ja) * | 1985-07-26 | 1995-11-15 | 日本電信電話株式会社 | パタ−ン形成法 |
| US4657845A (en) * | 1986-01-14 | 1987-04-14 | International Business Machines Corporation | Positive tone oxygen plasma developable photoresist |
| EP0244572B1 (en) * | 1986-04-24 | 1990-09-05 | International Business Machines Corporation | Capped two-layer resist process |
| US4737425A (en) * | 1986-06-10 | 1988-04-12 | International Business Machines Corporation | Patterned resist and process |
| JPH02158737A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-06-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レリーフパターンの作成およびその用途 |
| US4999280A (en) * | 1989-03-17 | 1991-03-12 | International Business Machines Corporation | Spray silylation of photoresist images |
| JP5698922B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2015-04-08 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 電子デバイスを形成する方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267270A (en) * | 1975-12-01 | 1977-06-03 | Toshiba Corp | Photo etching method |
| JPS52152173A (en) * | 1976-06-14 | 1977-12-17 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Method of hardening aqueousssoluble resist pattern |
| JPS5429574A (en) * | 1977-08-08 | 1979-03-05 | Ibm | Method of forming antiifluidity resist mask |
| JPS5448485A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-17 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
| JPS5649526A (en) * | 1979-09-29 | 1981-05-06 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-09-11 JP JP56142385A patent/JPS5844715A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267270A (en) * | 1975-12-01 | 1977-06-03 | Toshiba Corp | Photo etching method |
| JPS52152173A (en) * | 1976-06-14 | 1977-12-17 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Method of hardening aqueousssoluble resist pattern |
| JPS5429574A (en) * | 1977-08-08 | 1979-03-05 | Ibm | Method of forming antiifluidity resist mask |
| JPS5448485A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-17 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
| JPS5649526A (en) * | 1979-09-29 | 1981-05-06 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5844715A (ja) | 1983-03-15 |
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