JPH034899B2 - - Google Patents
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- JPH034899B2 JPH034899B2 JP59082836A JP8283684A JPH034899B2 JP H034899 B2 JPH034899 B2 JP H034899B2 JP 59082836 A JP59082836 A JP 59082836A JP 8283684 A JP8283684 A JP 8283684A JP H034899 B2 JPH034899 B2 JP H034899B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0755—Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
(産業上の利用分野)
この発明は高い耐プラズマ性を有したレジスト
材料及びこれを用いた微細パターン形成方法に関
するものである。 (従来の技術) 従来、半導体基板をパターニングする方法とし
て、三層レジスト構造のパターニング法がある。
第2図はこの三層レジスト構造のパターニング法
の工程断面図である。以下、この図面を参照して
従来の技術を説明する。 まず、主に有機質からなる第1のレジスト材を
半導体基板1上を平坦化するため、この基板1上
に2〜4μmの厚さで塗布し、第1レジスト層2を
形成する(第2図a)、次にSi等の無機膜または
Al等の金属膜である中間層3を数百Å〜0.2μm程
度に形成する(第2図b)。さらにその上に感光
性レジスト材を厚さ0.2〜1.0μmに塗布し、第2レ
ジスト層4を形成する(第2図c)。この第2レ
ジスト層4を露光、現像してパターンを形成し
(第2図d)、このパターンをマスクとして中間層
3をパターニングする(第2図e)。そして最後
にパターニングされた第2レジスト層4および中
間層3をマスクとして酸素プラズマを利用したリ
アクテイブイオンエツチング(R.I.E.)により第
1レジスト層2のパターニングが行われる(第2
図f)。ここで、第2レジスト層4は耐プラズマ
性が低いため、R.I.E.のマスクとはならないが中
間層3は耐プラズマ性が高いため酸素プラズマの
R.I.E.にもほとんどエツチングされずに残つてお
り、マスクとしての役割をはたす。なお第2図g
は基板1のエツチング状態を示したものである。 上述した3層レジスト構造のパターニング法の
利点としては次のようなものがあげられる。すな
わち、近年のICの高集積化により金属多層膜等
の技術が要求され、半導体集積回路表面(基板表
面)には0.5〜4μmにも達する段差が生じる。こ
の段差はレジスト膜を塗布する時に膜厚の不均一
部分を発生させるばかりでなく、露光の際に露光
エネルギーが反射し、パターンの幅が変動する。
3層レジスト構造のパターニング法ではこのよう
な段差を除去するため第1レジスト層を形成し
て、基板表面を平坦化してから上層の中間層、第
2レジスト層をパターニングしているため高精度
にパターニングが行なえる。 (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上述の方法は3層を積層し、こ
の層を順番にエツチングするため、工程が複雑で
あり、また、スループツトが低いという欠点があ
つた。 (問題点を解決するための手段) 発明者等はかかる問題を解決すべく研究を重
ね、従来のレジスト溶液に、その固形成分との合
計で重量比5〜50%のトリメチルシリルトリルを
添加物として加えたレジスト材料を用いることが
微細パターンの形成に有効であることを見出し
た。 又、具体的には微細パターン形成方法におい
て、第1レジスト層が形成されて平坦化した基板
上に上述のレジストを塗布して第2レジスト層を
形成し、この第2レジスト層をパターニング後こ
のパターンをマスクとして第1レジスト層をパタ
ーニングし、最後に第2レジスト層のパターンを
マスクとして基板をプラズマエツチングすること
を特徴とするものである。 (作用) 従来のレジスト溶液に添加物である上記トリメ
チルシリルニトリルを加えることによつて耐プラ
ズマ性が著しく向上する。ここで、トリメチルシ
リルニトリルがどのように作用するか必らずしも
詳らかではないが、トリメチルシリルニトリル中
のSiが耐プラズマ性を向上させているものと思わ
れる。 (実施例) 本発明によるレジスト材料は、ポジ形レジスト
溶液(以下ベース材溶液という)にこの溶液の固
形成分との合計で重量比5〜50%のトリメチルシ
リルニトリルを加えて得ることができる。 ベース材溶液としては感光性樹脂を有機溶媒に
溶かしたものが用いられる。ここで、感光性樹脂
としてはフエノールホルムアルデヒドエステル,
フエノール性水酸基をもつたフエノール樹脂と感
光剤としてのナフトキノンジアジドスルホン酸誘
導体とを重量比で1:2.5〜3.0に混合した混合物
などがある。また、有機溶媒としてはセルソルブ
アセテート,メチルエチルケトン,キシレン,n
−ブチルアセテートを単独または混合して用いる
ことができる。 さらに、ベース材溶液としては市販のポジ形レ
ジストを使うことができる。具体的には、
“AZ1350J”,“AZ1470”(ヘキスト社製),
“MP1400”(シツプレー社製),“KPR820”(コダ
ツク社製),“HPR206”(ハント・ケミカル社製)
“CFR800”,“ONPR830”(東京応化社製)など
があげられる。 従来のポジ形レジストはプラズマエツチングに
対するエツチングレートが2000〜3000Å/min.
であるが、本発明のレジストは500Å/min.以下
であり、プラズマエツチングに対してマスクとな
るものである。 実施例 1 次式のフエノールホルムアルデヒド樹脂 と、次式の感光剤
材料及びこれを用いた微細パターン形成方法に関
するものである。 (従来の技術) 従来、半導体基板をパターニングする方法とし
て、三層レジスト構造のパターニング法がある。
第2図はこの三層レジスト構造のパターニング法
の工程断面図である。以下、この図面を参照して
従来の技術を説明する。 まず、主に有機質からなる第1のレジスト材を
半導体基板1上を平坦化するため、この基板1上
に2〜4μmの厚さで塗布し、第1レジスト層2を
形成する(第2図a)、次にSi等の無機膜または
Al等の金属膜である中間層3を数百Å〜0.2μm程
度に形成する(第2図b)。さらにその上に感光
性レジスト材を厚さ0.2〜1.0μmに塗布し、第2レ
ジスト層4を形成する(第2図c)。この第2レ
ジスト層4を露光、現像してパターンを形成し
(第2図d)、このパターンをマスクとして中間層
3をパターニングする(第2図e)。そして最後
にパターニングされた第2レジスト層4および中
間層3をマスクとして酸素プラズマを利用したリ
アクテイブイオンエツチング(R.I.E.)により第
1レジスト層2のパターニングが行われる(第2
図f)。ここで、第2レジスト層4は耐プラズマ
性が低いため、R.I.E.のマスクとはならないが中
間層3は耐プラズマ性が高いため酸素プラズマの
R.I.E.にもほとんどエツチングされずに残つてお
り、マスクとしての役割をはたす。なお第2図g
は基板1のエツチング状態を示したものである。 上述した3層レジスト構造のパターニング法の
利点としては次のようなものがあげられる。すな
わち、近年のICの高集積化により金属多層膜等
の技術が要求され、半導体集積回路表面(基板表
面)には0.5〜4μmにも達する段差が生じる。こ
の段差はレジスト膜を塗布する時に膜厚の不均一
部分を発生させるばかりでなく、露光の際に露光
エネルギーが反射し、パターンの幅が変動する。
3層レジスト構造のパターニング法ではこのよう
な段差を除去するため第1レジスト層を形成し
て、基板表面を平坦化してから上層の中間層、第
2レジスト層をパターニングしているため高精度
にパターニングが行なえる。 (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上述の方法は3層を積層し、こ
の層を順番にエツチングするため、工程が複雑で
あり、また、スループツトが低いという欠点があ
つた。 (問題点を解決するための手段) 発明者等はかかる問題を解決すべく研究を重
ね、従来のレジスト溶液に、その固形成分との合
計で重量比5〜50%のトリメチルシリルトリルを
添加物として加えたレジスト材料を用いることが
微細パターンの形成に有効であることを見出し
た。 又、具体的には微細パターン形成方法におい
て、第1レジスト層が形成されて平坦化した基板
上に上述のレジストを塗布して第2レジスト層を
形成し、この第2レジスト層をパターニング後こ
のパターンをマスクとして第1レジスト層をパタ
ーニングし、最後に第2レジスト層のパターンを
マスクとして基板をプラズマエツチングすること
を特徴とするものである。 (作用) 従来のレジスト溶液に添加物である上記トリメ
チルシリルニトリルを加えることによつて耐プラ
ズマ性が著しく向上する。ここで、トリメチルシ
リルニトリルがどのように作用するか必らずしも
詳らかではないが、トリメチルシリルニトリル中
のSiが耐プラズマ性を向上させているものと思わ
れる。 (実施例) 本発明によるレジスト材料は、ポジ形レジスト
溶液(以下ベース材溶液という)にこの溶液の固
形成分との合計で重量比5〜50%のトリメチルシ
リルニトリルを加えて得ることができる。 ベース材溶液としては感光性樹脂を有機溶媒に
溶かしたものが用いられる。ここで、感光性樹脂
としてはフエノールホルムアルデヒドエステル,
フエノール性水酸基をもつたフエノール樹脂と感
光剤としてのナフトキノンジアジドスルホン酸誘
導体とを重量比で1:2.5〜3.0に混合した混合物
などがある。また、有機溶媒としてはセルソルブ
アセテート,メチルエチルケトン,キシレン,n
−ブチルアセテートを単独または混合して用いる
ことができる。 さらに、ベース材溶液としては市販のポジ形レ
ジストを使うことができる。具体的には、
“AZ1350J”,“AZ1470”(ヘキスト社製),
“MP1400”(シツプレー社製),“KPR820”(コダ
ツク社製),“HPR206”(ハント・ケミカル社製)
“CFR800”,“ONPR830”(東京応化社製)など
があげられる。 従来のポジ形レジストはプラズマエツチングに
対するエツチングレートが2000〜3000Å/min.
であるが、本発明のレジストは500Å/min.以下
であり、プラズマエツチングに対してマスクとな
るものである。 実施例 1 次式のフエノールホルムアルデヒド樹脂 と、次式の感光剤
【式】
(Rは水酸基を含む化合物)
とを重量比1:2.5〜1:3の割合にて混合した。
この実施例では上述のフエノールホルムアルデ
ヒドの重合数nが4,5,16の三種類を用いた。 この混合物をセルソルブアセテートに溶解しレ
ジスト溶液を調製し、これにトリメチルシリルニ
トリルを添加した。トリメチルシリルニトリルの
量は前述した混合物との合計からの重量比で示し
た。 このようにして調製されたレジスト材料を0.5
〜1.0μmの厚さでウエハー上にスピン塗布し、50
℃で30分間ベークした。その後ウエハーを紫外線
で露光し、現像液(アルカリ希釈溶液)で1分間
デイツプ現像した。このようにして得られたパタ
ーンは0.7μm幅であり、解像力は従来のレジスト
と同様以上の優れたものであつた。 第3図はこの実施例のトリメチルシリルニトリ
ルの重量比に対するエツチレートを示した図であ
る。この図からわかるように、トリメチルシリル
ニトリルの重量比が5〜50%の範囲でエツチレー
トは500Å/min.であり、良好な結果を示してい
る。特にn=15の場合、トリメチルシリルニトリ
ルの重量が5〜50%付近でエツチレートが50Å/
min.程度を示しており、十分な耐プラズマ性を
有していた。 実施例 2 次式のフエノールホルムアルデヒドエステル、 を感光性樹脂として用いた。この実施例では上記
フエノールホルムアルデヒドエステルの重合数n
が3,50000,100000の三種類を用いた。 このフエノールホルムアルデヒドエステルをキ
シレンに溶解して、レジスト溶液を調製し、トリ
メチルシリルニトリルを添加した。トリメチルシ
リルニトリルの量は実施例1と同様に、フエノー
ルホルムアルデヒドとの合計からの重量比で示し
た。 実施例2のレジスト材料を用いた実施例1と同
様にしてパターンを得た。得られたパターンは実
施例1と同様に0.7μm幅であり、解像力はやはり
優れたものであつた。 第4図は実施例2のトリメチルシリルニトリル
重量比に対するエツチレートを示した図である。
トリメチルシリルニトリルの重量比が2〜50%の
範囲でエツチレートは実験例1同様500Å/min.
以下を示しており、この実施例のレジスト材料が
良好な耐プラズマ性を有しているのがわかる。特
にn=50000の場合、27〜40%付近でエツチレー
トが70Å/min.程度と非常に良好な耐プラズマ
性を有していた。 実施例 3 実施例3は市販のレジスト材料を用いた例であ
る。市販のレジスト材料、例えばAZ1350J,
AZ1470(以上ヘキスト社),MP1400(シツプレー
社),KPR820(コダツク社),HPR206(ハント
社),OFPR800,ONPR830(以上東京応化(株))に
トリメチルシリルニトリルを添加してレジスト材
料を調整した。 このレジスト材料に対して実施例1と同様のテ
ストを行なつたところ同様の良好な結果が得られ
た。 上述したようこの発明のレジスト材料による微
細パターン形成方法を第1図を用いて説明する。 まず、基板11上に2〜5μmの厚さで第1レジ
スト層12を塗布する(第1図a)。この第1レ
ジストは従来と同様基板11の平坦化を目的とし
て塗布するものであり、塗布後、150℃で30分間
ベークされる。次にこの第1レジスト1上に本発
明のレジスト材料を第2レジスト層13として
0.5〜1.0μm厚にスピン塗布する(第1図b)。そ
の後第2レジスト層13を50℃で30分間ベークし
てから紫外線により所望のパターンを露光し、約
1分間現像液(アルカリ希釈溶液)に浸漬した。
これにより第2レジストパターン13Aが得られ
る(第1図c)。 次に第2レジストパターン13Aをマスクとし
て第1レジスト層12を酸素プラズマを利用た
R.I.E.によつてエツチングした(第1図d)。更
に基板11をF2プラズマを利用したR.I.E.によつ
てエツチングした状態を第1図fに示した。 (発明の効果) 上述したように、本発明は従来のような中間層
を必要としない2層レジスト構造のパターン形成
方法であるため、1層分の塗布およびパターニン
グの工程が省略でき著しく作業性がよく、低コス
トでしかも精度のよいパターンの形成が可能であ
る。
ヒドの重合数nが4,5,16の三種類を用いた。 この混合物をセルソルブアセテートに溶解しレ
ジスト溶液を調製し、これにトリメチルシリルニ
トリルを添加した。トリメチルシリルニトリルの
量は前述した混合物との合計からの重量比で示し
た。 このようにして調製されたレジスト材料を0.5
〜1.0μmの厚さでウエハー上にスピン塗布し、50
℃で30分間ベークした。その後ウエハーを紫外線
で露光し、現像液(アルカリ希釈溶液)で1分間
デイツプ現像した。このようにして得られたパタ
ーンは0.7μm幅であり、解像力は従来のレジスト
と同様以上の優れたものであつた。 第3図はこの実施例のトリメチルシリルニトリ
ルの重量比に対するエツチレートを示した図であ
る。この図からわかるように、トリメチルシリル
ニトリルの重量比が5〜50%の範囲でエツチレー
トは500Å/min.であり、良好な結果を示してい
る。特にn=15の場合、トリメチルシリルニトリ
ルの重量が5〜50%付近でエツチレートが50Å/
min.程度を示しており、十分な耐プラズマ性を
有していた。 実施例 2 次式のフエノールホルムアルデヒドエステル、 を感光性樹脂として用いた。この実施例では上記
フエノールホルムアルデヒドエステルの重合数n
が3,50000,100000の三種類を用いた。 このフエノールホルムアルデヒドエステルをキ
シレンに溶解して、レジスト溶液を調製し、トリ
メチルシリルニトリルを添加した。トリメチルシ
リルニトリルの量は実施例1と同様に、フエノー
ルホルムアルデヒドとの合計からの重量比で示し
た。 実施例2のレジスト材料を用いた実施例1と同
様にしてパターンを得た。得られたパターンは実
施例1と同様に0.7μm幅であり、解像力はやはり
優れたものであつた。 第4図は実施例2のトリメチルシリルニトリル
重量比に対するエツチレートを示した図である。
トリメチルシリルニトリルの重量比が2〜50%の
範囲でエツチレートは実験例1同様500Å/min.
以下を示しており、この実施例のレジスト材料が
良好な耐プラズマ性を有しているのがわかる。特
にn=50000の場合、27〜40%付近でエツチレー
トが70Å/min.程度と非常に良好な耐プラズマ
性を有していた。 実施例 3 実施例3は市販のレジスト材料を用いた例であ
る。市販のレジスト材料、例えばAZ1350J,
AZ1470(以上ヘキスト社),MP1400(シツプレー
社),KPR820(コダツク社),HPR206(ハント
社),OFPR800,ONPR830(以上東京応化(株))に
トリメチルシリルニトリルを添加してレジスト材
料を調整した。 このレジスト材料に対して実施例1と同様のテ
ストを行なつたところ同様の良好な結果が得られ
た。 上述したようこの発明のレジスト材料による微
細パターン形成方法を第1図を用いて説明する。 まず、基板11上に2〜5μmの厚さで第1レジ
スト層12を塗布する(第1図a)。この第1レ
ジストは従来と同様基板11の平坦化を目的とし
て塗布するものであり、塗布後、150℃で30分間
ベークされる。次にこの第1レジスト1上に本発
明のレジスト材料を第2レジスト層13として
0.5〜1.0μm厚にスピン塗布する(第1図b)。そ
の後第2レジスト層13を50℃で30分間ベークし
てから紫外線により所望のパターンを露光し、約
1分間現像液(アルカリ希釈溶液)に浸漬した。
これにより第2レジストパターン13Aが得られ
る(第1図c)。 次に第2レジストパターン13Aをマスクとし
て第1レジスト層12を酸素プラズマを利用た
R.I.E.によつてエツチングした(第1図d)。更
に基板11をF2プラズマを利用したR.I.E.によつ
てエツチングした状態を第1図fに示した。 (発明の効果) 上述したように、本発明は従来のような中間層
を必要としない2層レジスト構造のパターン形成
方法であるため、1層分の塗布およびパターニン
グの工程が省略でき著しく作業性がよく、低コス
トでしかも精度のよいパターンの形成が可能であ
る。
第1図は本発明方法の一実施例の工程を説明す
るための断面図、第2図は従来のパターン形成方
法の工程を説明するための断面図、第3図は本発
明の一実施例のトリメチルシリルニトリルの重量
比に対するエツチレートを示した図、第4図は本
発明の他の実施例のトリメチルシリルニトリルの
重量比に対するエツチレートを示した図である。 1,11…基板、2,12…第1レジスト層、
3…中間層、4,13…第2レジスト層。
るための断面図、第2図は従来のパターン形成方
法の工程を説明するための断面図、第3図は本発
明の一実施例のトリメチルシリルニトリルの重量
比に対するエツチレートを示した図、第4図は本
発明の他の実施例のトリメチルシリルニトリルの
重量比に対するエツチレートを示した図である。 1,11…基板、2,12…第1レジスト層、
3…中間層、4,13…第2レジスト層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ポジ形レジストパターンの材料であるレジス
ト溶液に、この溶液の固形成分との合計で重量比
5〜50%のトリメチルシリルニトリルを加えたこ
とを特徴とするレジスト材料。 2 前記レジスト溶液は、感光性樹脂と、有機溶
媒とからなる特許請求の範囲第1項記載のレジス
ト材料。 3 前記感光性樹脂は、フエノール性水酸基を有
するフエノール樹脂と、感光剤とからなる特許請
求の範囲第2項記載のレジスト材料。 4 前記感光性樹脂と前記感光剤との比が1:
2.5〜1:3である特許請求の範囲第3項記載の
レジスト材料。 5 前記フエノール樹脂は で示されるフエノールホルムアルデヒド樹脂であ
る特許請求の範囲第3項記載のレジスト材料。 6 前記感光剤は 【式】 (Rは水酸基を含む化合物)で示されるナフトキ
ノンジアジドスルホン酸誘導体である特許請求の
範囲第3項記載のレジスト材料。 7 前記感光性樹脂は、 で示されるフエノノールホルムアルデヒドエステ
ルである特許請求の範囲第2項記載のレジスト材
料。 8 前記有機溶媒は、セルソルブアセテート、メ
チルエチルケトン、キシレンまたはn−ブチルア
セテートのうちの1つまたは2つ以上の混合溶媒
である特許請求の範囲第2項記載のレジスト材
料。 9 基体上に第1レジスト層を塗布して基体上を
平坦化させる工程と、 この平坦化した基体上に、ポジ型レジストパタ
ーンの材料であるレジスト溶液に、この溶液の固
形成分との合計で5〜50%のトリメチルシリルニ
トリルを加えたレジスト材料を塗布して第2レジ
スト層を形成する工程と、 この第2レジスト層をパターニングして第2の
レジストパターンを得る工程と、 この第2のレジストパターンをマスクとして第
1レジスト層をパターニングする工程と、 この後第2のレジストパターをマスクとして前
記基体をプラズマエツチングする工程とを有する
ことを特徴とする微細パターン形成方法。 10 前記第2レジスト層の厚さは0.5〜1.0μmで
ある特許請求の範囲第9項記載の微細パターン形
成方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59082836A JPS60237439A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | レジスト材料及びそのレジストによる微細パタ−ン形成方法 |
US06/727,395 US4686280A (en) | 1984-04-26 | 1985-04-25 | Positive type resist material with trimethylsilylnitrile |
KR1019850002844A KR900002539B1 (ko) | 1984-04-26 | 1985-04-26 | 포지티브형 레지스트 조성물 및 그의 마스크 패턴 형성방법 |
US07/050,482 US4791046A (en) | 1984-04-26 | 1987-05-18 | Process for forming mask patterns of positive type resist material with trimethylsilynitrile |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59082836A JPS60237439A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | レジスト材料及びそのレジストによる微細パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60237439A JPS60237439A (ja) | 1985-11-26 |
JPH034899B2 true JPH034899B2 (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=13785484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59082836A Granted JPS60237439A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | レジスト材料及びそのレジストによる微細パタ−ン形成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4686280A (ja) |
JP (1) | JPS60237439A (ja) |
KR (1) | KR900002539B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0827535B2 (ja) * | 1987-03-06 | 1996-03-21 | 日本合成ゴム株式会社 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
JP2566169B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1996-12-25 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
KR100271768B1 (ko) | 1998-06-26 | 2001-02-01 | 윤종용 | 반도체 포토레지스트제거용 용제조성물, 이를 이용한 반도체장치 제조용 웨이퍼의 리워크방법 및 반도체장치의 제조방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3615538A (en) * | 1968-08-02 | 1971-10-26 | Printing Dev Inc | Photosensitive printing plates |
BE793490A (fr) * | 1972-05-23 | 1973-06-29 | Hunt Chem Corp Philip A | Article sensible a la lumiere comprenant un phenolate de diazoquinone, un liant polymerique, et une diazoquinone-siloxane |
US4164421A (en) * | 1972-12-09 | 1979-08-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photocurable composition containing an o-quinonodiazide for printing plate |
US4414372A (en) * | 1982-06-17 | 1983-11-08 | E. I. Du Pont De Nemours & Co. | Process for preparing living polymers |
-
1984
- 1984-04-26 JP JP59082836A patent/JPS60237439A/ja active Granted
-
1985
- 1985-04-25 US US06/727,395 patent/US4686280A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-04-26 KR KR1019850002844A patent/KR900002539B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR900002539B1 (ko) | 1990-04-20 |
KR850007491A (ko) | 1985-12-04 |
US4686280A (en) | 1987-08-11 |
JPS60237439A (ja) | 1985-11-26 |
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