JPH0564338B2 - - Google Patents
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- JPH0564338B2 JPH0564338B2 JP59220664A JP22066484A JPH0564338B2 JP H0564338 B2 JPH0564338 B2 JP H0564338B2 JP 59220664 A JP59220664 A JP 59220664A JP 22066484 A JP22066484 A JP 22066484A JP H0564338 B2 JPH0564338 B2 JP H0564338B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、IC.LSI等の半導体装置を実現するた
めの微細パターン形成法に関する。 〔従来の技術〕 近年、LSIおよび超LSIなどの半導体装置にお
いて１チツプの中に数十〜数百万万までの半導体
素子を含むものが出現し、そのため当然上記装置
中の素子の実装密度は極めて大きくなり、半導体
基板上に形成する素子パターンの微少化が要求さ
れることになる。 素子パターンの微細化の一つの方法として塗布
するレジスト膜を従来より薄くする方法が考えら
れるが、この方法では基板表面段差に対して、レ
ジスト膜の被覆性により、段部でのレジスト膜厚
が不充分になりやすいため、ピンホールの発生お
よび、レジストパターン形成後のエツチング処理
時のレジスト膜厚が確保されない問題が起り、実
用上約1μm以上のレジスト膜厚が必要となる。 これらの要因により近年大規模集積回路を実現
する微細パターン形成のため３層レジスト法が提
唱されている。この３層レジスト法では、通常基
板上に有機物質膜としてレジスト膜がこの有機物
質膜のエツチングのマスクとなる中間層としての
無機材質層及び上層のフオトレジスト膜層の３層
構造となつているので３層レジスト法と呼ばれて
いる。 この３層レジスト法は以下の用に微細パターン
を形成する。即ち、第２−１図に示す様に、ま
ず、約0.5μmの表面段差２を有する半導体基板１
上に、例えば、住友化学工業株式会社製のスミレ
ジストDF2200ポジ型フオトレジスト或いはシツ
プレー（Shipley）社製AZ1350Jの様なフエノー
ルノボラツク系ポジレジストをスピンコート法に
より約1.8μmの厚さに塗布した後、約150℃のホ
ツトプレート上で80秒間加熱処理して下層レジス
ト層１１を形成する。 次に、下層レジスト層１１上に住友化学工業株
式会社社製のアキユグラスNP−5Rのようなオピ
ンオングラス（SOG）材を同じくスピンコート
法により塗布し、200℃、60秒間のホツトプレー
ト上の加熱処理により厚さ0.12μmのシリカ材質
による中間層１２を形成する（第２−２図）。 次いで中間層１２上にシツプレー社製のポジレ
ジストAZ1470Jを前記２層と同様にスピンコート
法により0.6μmの厚さに塗布し、100℃45秒間の
ホツトプレート加熱処理を行つて上層レジスト層
１３を形成する（第２−３図）。 次にGCA社製のDSW4800の様な縮少投影型露
光装置による選択的露光および水酸化テトラメチ
ルアンモニウムを主成分とする現像液による現像
処理により、上層レジスト層１３の所定の部分３
を除去して、上層レジストパターン１３Ａを形成
する（第２−４図）。 次いで上層レジストパターン１３Ａをマスクに
して、平行平板型反応性イオンエツチング装置に
おいて、フロンガス（CF4）と水素（H2）の混合
ガスプラズマで、シリカ中間層１２の所定部分を
除去してシリカ中間層パターン１２Ａを形成する
（第２−５図）。 続いて前記の反応性イオンエツチング装置のエ
ツチングガスをO2に変更してさらにエツチング
処理を所定時間加えると、下層レジスト層１１の
所定部分３は除去されて下層レジストパターン１
１Ａが形成され、現行の３層レジスト法による３
層レジストが完成する（第２−６図）。 以上の方法による３層レジスト法は、上層レジ
スト層１３の単層レジストの場合より飛躍的に薄
くすることが可能となり、また下層の有機膜層１
１により基板表面の段差が平担化されるため、パ
ターンの解像性および寸法制御性が著しく向上す
る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら現行の３層レジスト法には下記の
問題点があり必ずしも理論値に近い解像性と寸法
安定性が得られていない。 即ち、上層レジストの露光時に、基板表面から
の複反射を生じ、そのため解像度の低下や寸法の
変動が起りうる。 特に、表面反射率の高いアルミニウムや多結晶
シリコン層でかつ表面段差が大きい場合、顕著と
なり露光装置により与えられた空中解像性よりは
るかに低いレジスト解像性しか得られないことに
なり、段差部分でのレジストパターン寸法の変動
も深刻な問題となつている。 本発明の目的は、多層レジスト法における以上
の問題点を克服するためになされたものであり、
基板表面での紫外光反射による解像度低下およレ
ジスト寸法の変動を防ぐ新規な微細パターン形成
法を提供するものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の概要は、下層レジスト層に所定波長の
光をほとんど完全に吸収し、かつ工程中の加熱処
理により光吸収特性の劣化を来たすことのない色
素材を含む樹脂を下層レジスト層として付着する
所にある。即ち本願発明は、(1)半導体基板表面
に、反射防止樹脂組成物の薄層を付着する第１の
工程と、該樹脂層上にシリカ薄層を積層する第２
の工程と該シリカ博層上にフオトレジスト膜を塗
布する第３の工程と、該フオトレジスト膜を選択
的露光と現像処理により所定部分を除去して、上
層レジストパターンを形成する第４の工程と、該
レジストパターンをマスクにしてフロンガスを含
むガスプラズマによるエツチングにより該シリカ
薄層の所定部分を除去する第５の工程の、酸素を
含むガスプラズマによるエツチングにより該樹脂
層の所定部分を除去する第６の工程とを含み、該
反射防止樹脂組成物がノボラツク樹脂に下記一般
式 〔R1，R2：それぞれシアノ基又はCOOR7基
（R7；低級アルキル基） R3，R4：それぞれ水素原子、低級アルキル、低
級アルコキシ、低級アシルアミノ又はハロ
ゲンから選ばれた基 R5，R6：それぞれアルキル（好ましくは炭素数
４−７のアルキル基）、アラルキルから選
ばれた基〕 で表わされる吸光剤を含有させることを特徴とす
る微細パターン形成法並びに (2) 該反射防止樹脂組成物がノボラツク樹脂に前
記一般式で表わされる吸光剤と感光剤とを含有
することを特徴とする微細パターン形成法に他
ならない。 本発明に使用されるノボラツク樹脂としてはフ
エノールホルムアルデヒドノボラツク樹脂、クレ
ゾールホルムアルデヒドノボラツク樹脂、tert−
ブチルフエノール−ホルムアルデヒド樹脂等が挙
げられる。 本発明に於て使用される前記一般式で示される
吸光剤の具体例としては、次の様な化合物が挙げ
られる。 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−アニリノ−
メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ペンテル）−３−メチル
アニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ペンテル）−２−メチル
アニリノ−メチリデンマロニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メチル
アニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−３−メチル
アニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘプテル）−アニリノ−
メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘプテル）−２−メチル
アニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−アニリノ−
メチリデン−ジメチルマロメート、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メチル
アニリノ−ジメチルマロメート、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ペンテル）−３−メチル
アニリノ−メチリデン−ジメチルマロメート、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メトキ
シアニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−クロロ
アニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−３−メトキ
シアニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−３−メトキ
シアニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ペンテル）−２−クロロ
アニリノ−メチリデン−ジメチルマロメート、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ベンジル）−アニリノ−メチ
リデンマロノニトリル。 より好ましくは使用される吸光剤としては第１
表に示す化合物が挙げられる。
めの微細パターン形成法に関する。 〔従来の技術〕 近年、LSIおよび超LSIなどの半導体装置にお
いて１チツプの中に数十〜数百万万までの半導体
素子を含むものが出現し、そのため当然上記装置
中の素子の実装密度は極めて大きくなり、半導体
基板上に形成する素子パターンの微少化が要求さ
れることになる。 素子パターンの微細化の一つの方法として塗布
するレジスト膜を従来より薄くする方法が考えら
れるが、この方法では基板表面段差に対して、レ
ジスト膜の被覆性により、段部でのレジスト膜厚
が不充分になりやすいため、ピンホールの発生お
よび、レジストパターン形成後のエツチング処理
時のレジスト膜厚が確保されない問題が起り、実
用上約1μm以上のレジスト膜厚が必要となる。 これらの要因により近年大規模集積回路を実現
する微細パターン形成のため３層レジスト法が提
唱されている。この３層レジスト法では、通常基
板上に有機物質膜としてレジスト膜がこの有機物
質膜のエツチングのマスクとなる中間層としての
無機材質層及び上層のフオトレジスト膜層の３層
構造となつているので３層レジスト法と呼ばれて
いる。 この３層レジスト法は以下の用に微細パターン
を形成する。即ち、第２−１図に示す様に、ま
ず、約0.5μmの表面段差２を有する半導体基板１
上に、例えば、住友化学工業株式会社製のスミレ
ジストDF2200ポジ型フオトレジスト或いはシツ
プレー（Shipley）社製AZ1350Jの様なフエノー
ルノボラツク系ポジレジストをスピンコート法に
より約1.8μmの厚さに塗布した後、約150℃のホ
ツトプレート上で80秒間加熱処理して下層レジス
ト層１１を形成する。 次に、下層レジスト層１１上に住友化学工業株
式会社社製のアキユグラスNP−5Rのようなオピ
ンオングラス（SOG）材を同じくスピンコート
法により塗布し、200℃、60秒間のホツトプレー
ト上の加熱処理により厚さ0.12μmのシリカ材質
による中間層１２を形成する（第２−２図）。 次いで中間層１２上にシツプレー社製のポジレ
ジストAZ1470Jを前記２層と同様にスピンコート
法により0.6μmの厚さに塗布し、100℃45秒間の
ホツトプレート加熱処理を行つて上層レジスト層
１３を形成する（第２−３図）。 次にGCA社製のDSW4800の様な縮少投影型露
光装置による選択的露光および水酸化テトラメチ
ルアンモニウムを主成分とする現像液による現像
処理により、上層レジスト層１３の所定の部分３
を除去して、上層レジストパターン１３Ａを形成
する（第２−４図）。 次いで上層レジストパターン１３Ａをマスクに
して、平行平板型反応性イオンエツチング装置に
おいて、フロンガス（CF4）と水素（H2）の混合
ガスプラズマで、シリカ中間層１２の所定部分を
除去してシリカ中間層パターン１２Ａを形成する
（第２−５図）。 続いて前記の反応性イオンエツチング装置のエ
ツチングガスをO2に変更してさらにエツチング
処理を所定時間加えると、下層レジスト層１１の
所定部分３は除去されて下層レジストパターン１
１Ａが形成され、現行の３層レジスト法による３
層レジストが完成する（第２−６図）。 以上の方法による３層レジスト法は、上層レジ
スト層１３の単層レジストの場合より飛躍的に薄
くすることが可能となり、また下層の有機膜層１
１により基板表面の段差が平担化されるため、パ
ターンの解像性および寸法制御性が著しく向上す
る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら現行の３層レジスト法には下記の
問題点があり必ずしも理論値に近い解像性と寸法
安定性が得られていない。 即ち、上層レジストの露光時に、基板表面から
の複反射を生じ、そのため解像度の低下や寸法の
変動が起りうる。 特に、表面反射率の高いアルミニウムや多結晶
シリコン層でかつ表面段差が大きい場合、顕著と
なり露光装置により与えられた空中解像性よりは
るかに低いレジスト解像性しか得られないことに
なり、段差部分でのレジストパターン寸法の変動
も深刻な問題となつている。 本発明の目的は、多層レジスト法における以上
の問題点を克服するためになされたものであり、
基板表面での紫外光反射による解像度低下およレ
ジスト寸法の変動を防ぐ新規な微細パターン形成
法を提供するものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の概要は、下層レジスト層に所定波長の
光をほとんど完全に吸収し、かつ工程中の加熱処
理により光吸収特性の劣化を来たすことのない色
素材を含む樹脂を下層レジスト層として付着する
所にある。即ち本願発明は、(1)半導体基板表面
に、反射防止樹脂組成物の薄層を付着する第１の
工程と、該樹脂層上にシリカ薄層を積層する第２
の工程と該シリカ博層上にフオトレジスト膜を塗
布する第３の工程と、該フオトレジスト膜を選択
的露光と現像処理により所定部分を除去して、上
層レジストパターンを形成する第４の工程と、該
レジストパターンをマスクにしてフロンガスを含
むガスプラズマによるエツチングにより該シリカ
薄層の所定部分を除去する第５の工程の、酸素を
含むガスプラズマによるエツチングにより該樹脂
層の所定部分を除去する第６の工程とを含み、該
反射防止樹脂組成物がノボラツク樹脂に下記一般
式 〔R1，R2：それぞれシアノ基又はCOOR7基
（R7；低級アルキル基） R3，R4：それぞれ水素原子、低級アルキル、低
級アルコキシ、低級アシルアミノ又はハロ
ゲンから選ばれた基 R5，R6：それぞれアルキル（好ましくは炭素数
４−７のアルキル基）、アラルキルから選
ばれた基〕 で表わされる吸光剤を含有させることを特徴とす
る微細パターン形成法並びに (2) 該反射防止樹脂組成物がノボラツク樹脂に前
記一般式で表わされる吸光剤と感光剤とを含有
することを特徴とする微細パターン形成法に他
ならない。 本発明に使用されるノボラツク樹脂としてはフ
エノールホルムアルデヒドノボラツク樹脂、クレ
ゾールホルムアルデヒドノボラツク樹脂、tert−
ブチルフエノール−ホルムアルデヒド樹脂等が挙
げられる。 本発明に於て使用される前記一般式で示される
吸光剤の具体例としては、次の様な化合物が挙げ
られる。 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−アニリノ−
メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ペンテル）−３−メチル
アニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ペンテル）−２−メチル
アニリノ−メチリデンマロニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メチル
アニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−３−メチル
アニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘプテル）−アニリノ−
メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘプテル）−２−メチル
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アニリノ−メチリデン−ジメチルマロメート、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メトキ
シアニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−クロロ
アニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−３−メトキ
シアニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−３−メトキ
シアニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ペンテル）−２−クロロ
アニリノ−メチリデン−ジメチルマロメート、 ４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ベンジル）−アニリノ−メチ
リデンマロノニトリル。 より好ましくは使用される吸光剤としては第１
表に示す化合物が挙げられる。
かくして下層レジスト層に含まれた吸光剤によ
り基板表面からの反射光をほぼ完全に防止できる
ので、反射光によるレジストパターンの解像度お
よび寸法安定性の劣化を格段に低減し、露光装置
の空中解像度を忠実にレジストパターンに再現可
能となつた。即ち、半導体基板上に現行の３層レ
ジスト法より大巾に優れたレジストパターンと寸
法安定性を実現することが可能となつた。 これによりLSI上の素子パターンの微細化によ
る該装置のチツプサイズの縮少化が可能となり
LSIの電気的特性の向上と該装置の製造コストの
低減に少なからぬ寄与をすることができる。 以下図面を参照しながら実施例で本発明の微細
パターン形成工程を詳細に説明する。 〔実施例〕 実施例 １ ノボラツク樹脂アルノボルPN430（ヘキスト社
製）10ｇを含むエチレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテート溶液（ノボラツク樹脂含有量10
重量％）に、436nmに主吸収波長を示す吸光剤
（第１表記載の吸光剤No.１）6.0ｇを添加し、反射
防止樹脂組成物を調製した。この反射防止樹脂組
成物を約0.5μmの表面段差２を有する半導体基板
１上にスピンコート法で約1.8μmの厚さに塗布
し、120℃・90秒のホツトプレート加熱処理を加
えて下層レジスト層１４を形成する（第１−１
図）。 これ以降の工程は周知の３層レジスト法とほぼ
同じで、レジスト層１４上にシリカ中間層１２を
形成し（第１−２図）、さらに上層レジスト層１
３を形成する（第１−３図）。 続いて縮小露光装置による選択露光と現像処理
により上層レジスト層１３の所定部分４を除去し
て上層レジストパターン１３Ｂを形成する〔第１
−４図）。 次いでフロンガスCF4と水素（H2）との混合ガ
スプラズマによるエツチングにより上層レジスト
パターン１３Ｂをマスクにしてシリカ中間層１２
所定部分４を除去してシリカ中間層パターン１２
Ｂを形成する（第１−５図）。 最後に酸素（O2）プラズマガスのエツチング
により下層レジスト層１４の所定部分４および上
層レジストパターン１３Ｂを除去して下層レジス
トパターン１４Ａを形成し、本発明による３層レ
ジスト法によるレジストパターンが完成する（第
１−６図）。 実施例 ２ ノボラツク樹脂アルノボルPN430（ヘキスト社
製）15ｇと、２・３・４−トリハイドロキシベン
ゾフエノン−ナフトキノン−１・２−ジアジド−
５−スルホン酸−（モノ、バ、トリ）エステル混
合物1.5ｇを含むエチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート溶液（ノボラツク樹脂含有量
10重量％）に436nmに主吸収波長を示す吸光剤
（第１表記載の吸光剤No.１）9.0ｇを添加し、反射
防止樹脂組成物を調製した。これを用いて実施例
１と同様のパターン形成を行つた所、現行の三層
レジスト法に比べてパターンの解像度及び寸法安
定性は格段に向上した。
り基板表面からの反射光をほぼ完全に防止できる
ので、反射光によるレジストパターンの解像度お
よび寸法安定性の劣化を格段に低減し、露光装置
の空中解像度を忠実にレジストパターンに再現可
能となつた。即ち、半導体基板上に現行の３層レ
ジスト法より大巾に優れたレジストパターンと寸
法安定性を実現することが可能となつた。 これによりLSI上の素子パターンの微細化によ
る該装置のチツプサイズの縮少化が可能となり
LSIの電気的特性の向上と該装置の製造コストの
低減に少なからぬ寄与をすることができる。 以下図面を参照しながら実施例で本発明の微細
パターン形成工程を詳細に説明する。 〔実施例〕 実施例 １ ノボラツク樹脂アルノボルPN430（ヘキスト社
製）10ｇを含むエチレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテート溶液（ノボラツク樹脂含有量10
重量％）に、436nmに主吸収波長を示す吸光剤
（第１表記載の吸光剤No.１）6.0ｇを添加し、反射
防止樹脂組成物を調製した。この反射防止樹脂組
成物を約0.5μmの表面段差２を有する半導体基板
１上にスピンコート法で約1.8μmの厚さに塗布
し、120℃・90秒のホツトプレート加熱処理を加
えて下層レジスト層１４を形成する（第１−１
図）。 これ以降の工程は周知の３層レジスト法とほぼ
同じで、レジスト層１４上にシリカ中間層１２を
形成し（第１−２図）、さらに上層レジスト層１
３を形成する（第１−３図）。 続いて縮小露光装置による選択露光と現像処理
により上層レジスト層１３の所定部分４を除去し
て上層レジストパターン１３Ｂを形成する〔第１
−４図）。 次いでフロンガスCF4と水素（H2）との混合ガ
スプラズマによるエツチングにより上層レジスト
パターン１３Ｂをマスクにしてシリカ中間層１２
所定部分４を除去してシリカ中間層パターン１２
Ｂを形成する（第１−５図）。 最後に酸素（O2）プラズマガスのエツチング
により下層レジスト層１４の所定部分４および上
層レジストパターン１３Ｂを除去して下層レジス
トパターン１４Ａを形成し、本発明による３層レ
ジスト法によるレジストパターンが完成する（第
１−６図）。 実施例 ２ ノボラツク樹脂アルノボルPN430（ヘキスト社
製）15ｇと、２・３・４−トリハイドロキシベン
ゾフエノン−ナフトキノン−１・２−ジアジド−
５−スルホン酸−（モノ、バ、トリ）エステル混
合物1.5ｇを含むエチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート溶液（ノボラツク樹脂含有量
10重量％）に436nmに主吸収波長を示す吸光剤
（第１表記載の吸光剤No.１）9.0ｇを添加し、反射
防止樹脂組成物を調製した。これを用いて実施例
１と同様のパターン形成を行つた所、現行の三層
レジスト法に比べてパターンの解像度及び寸法安
定性は格段に向上した。
第１−１図乃至第１−６図は、本願発明の微細
パターン形成法を示す断面図であり、第２−１図
乃至第２−６図は、従来技術の工程を工程順に示
した断面図である。尚、図中の番号は以下のもの
を示す。 １…シリコン基板、２…断差、１１，１４…下
層レジスト層、１２…シリカ中間層、１３…上層
レジスト層、１１Ａ，１４Ａ…下層レジストパタ
ーン、１２Ａ，１２Ｂ…中間層パターン、１３
Ａ，１３Ｂ…上層レジストパターン、３，４…所
定露光部分。
パターン形成法を示す断面図であり、第２−１図
乃至第２−６図は、従来技術の工程を工程順に示
した断面図である。尚、図中の番号は以下のもの
を示す。 １…シリコン基板、２…断差、１１，１４…下
層レジスト層、１２…シリカ中間層、１３…上層
レジスト層、１１Ａ，１４Ａ…下層レジストパタ
ーン、１２Ａ，１２Ｂ…中間層パターン、１３
Ａ，１３Ｂ…上層レジストパターン、３，４…所
定露光部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板表面に、反射防止樹脂組成物の薄
層を付着する第１の工程と、該樹脂層上にシリカ
薄層を積層する第２の工程と該シリカ薄層上にフ
オトレジスト膜を塗布する第３の工程と、該フオ
トレジスト膜を選択的露光と現像処理により所定
部分を除去して上層レジストパターンを形成する
第４の工程と、該レジストパターンをマスクにし
てガスプラズマによるエツチングにより該シリカ
薄層の所定部分を除去する第５の工程と、酸素を
含むガスプラズマによるエツチングにより該樹脂
層の所定部分を除去する第６の工程とを含み、該
反射防止樹脂組成物がノボラツク樹脂に下記一般
式 〔R1，R2：それぞれシアノ基又は、COOR7基
（R7；低級アルキル基） R3，R4：それぞれ水素原子、低級アルキル、低
級アルコキシ、低級アシルアミノ又はハロ
ゲンから選ばれた基 R5，R6：それぞれアルキル、アラルキルから選
ばれた基〕 で表わされる吸光剤を含有させることを特徴とす
る微細パターン形成法。 ２ 半導体基板表面に、反射防止樹脂組成物の薄
層を付着する第１の工程と、該樹脂層上にシリカ
薄層を積層する第２の工程と、該シリカ薄層上に
フオトレジスト膜を塗布する第３の工程と、該フ
オトレジスト膜を選択的露光と現像処理により所
定部分を除去して上層レジストパターンを形成す
る第４の工程と該レジストパターンをマスクにし
てガスプラズマによるエツチングにより該シリカ
薄層の所定部分を除去する第５の工程と、酸素を
含むガスプラズマによるエツチングにより該樹脂
層の所定部分を除去する第６の工程とを含み、該
反射防止樹脂組成物がノボラツク樹脂に下記一般
式 〔R1，R2：それぞれシアノ基又はCOOR7基
（R7：低級アルキル基） R3，R4：それぞれ水素原子、低級アルキル、低
級アルコキシ、低級アシルアミノ又はハロ
ゲンから選ばれた基 R5，R6：それぞれアルキル、アラルキルから選
ばれた基〕 で表わされる吸光剤と感光剤とを含有させること
を特徴とする微細パターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59220664A JPS6199331A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 微細パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59220664A JPS6199331A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 微細パタ−ン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199331A JPS6199331A (ja) | 1986-05-17 |
| JPH0564338B2 true JPH0564338B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=16754514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59220664A Granted JPS6199331A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 微細パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6199331A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63286843A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP2625206B2 (ja) * | 1989-04-18 | 1997-07-02 | 富士写真フイルム株式会社 | フオトレジスト組成物 |
| US5963841A (en) * | 1997-08-01 | 1999-10-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Gate pattern formation using a bottom anti-reflective coating |
| JP4462775B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2010-05-12 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | パターン形成方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法 |
| TWI834886B (zh) * | 2019-06-17 | 2024-03-11 | 日商日產化學股份有限公司 | 含有二氰基苯乙烯基之可濕蝕刻之阻劑下層膜形成組成物、經圖案化的基板之製造方法及半導體裝置之製造方法 |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP59220664A patent/JPS6199331A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6199331A (ja) | 1986-05-17 |
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