JPS6270838A - 電子線レジスト - Google Patents
電子線レジストInfo
- Publication number
- JPS6270838A JPS6270838A JP60210131A JP21013185A JPS6270838A JP S6270838 A JPS6270838 A JP S6270838A JP 60210131 A JP60210131 A JP 60210131A JP 21013185 A JP21013185 A JP 21013185A JP S6270838 A JPS6270838 A JP S6270838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- beam resist
- electron
- electron beam
- layer
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、電子線リングフライにおいて用いる２層レ
ジスト構造用の電子線レジスト材料に関する。
ジスト構造用の電子線レジスト材料に関する。
基板の段差で影響されない寸法精度のよいレジストパタ
ーンを得る新しい方法として多層レジスト構造がある。
ーンを得る新しい方法として多層レジスト構造がある。
例えば、第１図に示すような３層レジスト構造がある。
まず第１図（ａ）に於いて、被蝕刻材１の上に例えば２
μｍの平担化層２を、更にその上に例えば２０００Ａの
５ｉｎｔ）ランスファ膜３を被着させる。次に第１図（
ｂ）に示す様に電子線レジストのパターンを形成する。
μｍの平担化層２を、更にその上に例えば２０００Ａの
５ｉｎｔ）ランスファ膜３を被着させる。次に第１図（
ｂ）に示す様に電子線レジストのパターンを形成する。
その後第１図（Ｃ）にポス様にレジストパターンをマス
クにしてトランスファー膜３を蝕刻し、更に該トランス
ファー膜をマスクにして平担化レジスト層２を蝕刻する
。
クにしてトランスファー膜３を蝕刻し、更に該トランス
ファー膜をマスクにして平担化レジスト層２を蝕刻する
。
この時の平担化層には通常ポジ型レジストが用いられ、
その蝕刻には酸素ガスを用いたりアクティブイオンエツ
チングが用いられる。トランスファー膜３の蝕刻時にも
原則的にリアクティブイオンエツチングを用いることが
好ましい。しかしながら、この平担化層の蝕刻にはパタ
ーン精度を上げるため非等方エツチングであるリアクテ
ィブイオンエツチングを用いることが必須である。この
ように、３層構造であるため、工程は極めて複雑である
という問題があった。
その蝕刻には酸素ガスを用いたりアクティブイオンエツ
チングが用いられる。トランスファー膜３の蝕刻時にも
原則的にリアクティブイオンエツチングを用いることが
好ましい。しかしながら、この平担化層の蝕刻にはパタ
ーン精度を上げるため非等方エツチングであるリアクテ
ィブイオンエツチングを用いることが必須である。この
ように、３層構造であるため、工程は極めて複雑である
という問題があった。
以上の点から、工程を短かくすべく２層構造の方法が考
え出された。即ち、上層の電子線レジストが平担化層の
りアクティブイオンエツチング時に十分な耐性があるな
らば、トランスファー膜は不要となシ、２層構造とする
ことが可能となる。
え出された。即ち、上層の電子線レジストが平担化層の
りアクティブイオンエツチング時に十分な耐性があるな
らば、トランスファー膜は不要となシ、２層構造とする
ことが可能となる。
本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、２層レジス
ト構造において、十分な酸素リアクティブイオンエツチ
ング耐性を有する電子線レジストを提供することを目的
とする。
ト構造において、十分な酸素リアクティブイオンエツチ
ング耐性を有する電子線レジストを提供することを目的
とする。
本発明の骨子は、既存の電子線レジスト中へＳｉ原子を
混入せしめて、酸素リアクティブエツチング耐性を具備
させることにある。Ｓｉ原子の添加の手段として、有機
シリコーン、例えばシランカップリング剤、シリル化剤
等を用いる。
混入せしめて、酸素リアクティブエツチング耐性を具備
させることにある。Ｓｉ原子の添加の手段として、有機
シリコーン、例えばシランカップリング剤、シリル化剤
等を用いる。
〔発明の効果〕
本発明によシＳｉ原子の添加てよっても、感度を損なう
こと々く酸素リアクティブイオンエツチング耐性を具備
させることが可能となシ、２層レジスト構造用の上層レ
ジストとして用いることができる。
こと々く酸素リアクティブイオンエツチング耐性を具備
させることが可能となシ、２層レジスト構造用の上層レ
ジストとして用いることができる。
以下、本発明を実施例を用いて説明する。
〔実施例１〕
３．２％重量パーセント粘度６５ｃｐのポリメチルメタ
アクリレート（以下ＰＭＭＡと記す）１００ｇ中にシリ
ル化合物のトリメチルシリルニトリル、０、Ｈ，ＮＳｉ
を１．５Ｉ溶解した。約３０分のかくはんの後、厚さ２
μｍの平担化レジストを塗布したシリコンウーーハ上に
１μｍの厚さで回転塗布し、１８０℃、３０分のベーキ
ングの後、６０μ０／７の電子線露光を行った。露光後
、メチルイソブチルケトンで３分間の現像を行ったとこ
ろ、解像力をそこなうことなく、最小０．２５μｍのレ
ジストパターンが形成できた。さらに酸素３止トル、１
５ｏＷのリアクティブイオンエツチングで平担化レジス
トを３０分間エツチングしたところ、十分なマスクとな
って０．２５μｍのパターンを平担化レジストに転写す
ることができた。この時のＰｂｌＭＡのエツチングレー
トは約５０Ａ／調、一方、平担化層のポジ型レジスト、
０ＦＰＲ８００のそれは約１０００Ａ／脂と十分な耐エ
ツチング性が示された。
アクリレート（以下ＰＭＭＡと記す）１００ｇ中にシリ
ル化合物のトリメチルシリルニトリル、０、Ｈ，ＮＳｉ
を１．５Ｉ溶解した。約３０分のかくはんの後、厚さ２
μｍの平担化レジストを塗布したシリコンウーーハ上に
１μｍの厚さで回転塗布し、１８０℃、３０分のベーキ
ングの後、６０μ０／７の電子線露光を行った。露光後
、メチルイソブチルケトンで３分間の現像を行ったとこ
ろ、解像力をそこなうことなく、最小０．２５μｍのレ
ジストパターンが形成できた。さらに酸素３止トル、１
５ｏＷのリアクティブイオンエツチングで平担化レジス
トを３０分間エツチングしたところ、十分なマスクとな
って０．２５μｍのパターンを平担化レジストに転写す
ることができた。この時のＰｂｌＭＡのエツチングレー
トは約５０Ａ／調、一方、平担化層のポジ型レジスト、
０ＦＰＲ８００のそれは約１０００Ａ／脂と十分な耐エ
ツチング性が示された。
〔実施例２〕
実施例１と同様のＰＭＭＡ電子線レジスト、１００ｇ中
にシランカップリング剤のへキサメチルジシラザン（０
，Ｈ重９ＮＳｉ、）を１，５ｇ溶解し、約３０分のかく
はんの後、実施例１と同様の露光実験を行った。露光量
は１００μＣ／ｃｔｉと多くを要し、若干の感度の低下
が認められたが、０．２５μｍのパターンが得られ、十
分な酸素リアクティブイオンエツチング耐性を示した。
にシランカップリング剤のへキサメチルジシラザン（０
，Ｈ重９ＮＳｉ、）を１，５ｇ溶解し、約３０分のかく
はんの後、実施例１と同様の露光実験を行った。露光量
は１００μＣ／ｃｔｉと多くを要し、若干の感度の低下
が認められたが、０．２５μｍのパターンが得られ、十
分な酸素リアクティブイオンエツチング耐性を示した。
第１図は、３層レジスト構造におけるバターニングの工
程を示す図である。 １・・・基板、２・・・平担化レジスト、３・・・トラ
ンスファーＳｉ０ｇ膜、４・・・ＰＭＭＡ電子線レジス
ト。
程を示す図である。 １・・・基板、２・・・平担化レジスト、３・・・トラ
ンスファーＳｉ０ｇ膜、４・・・ＰＭＭＡ電子線レジス
ト。
Claims (2)
- （１）電子線レジスト中に５乃至２０重量パーセントの
シリコン原子が添加されるように有機シリコーンを混入
したことを特徴とする電子線レジスト。 - （２）電子線レジストとしてポリメチルメタアクリレー
ト、有機シリコーンとしてシランカップリング剤もしく
はシリル他剤を用いることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の電子線レジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210131A JPS6270838A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 電子線レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210131A JPS6270838A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 電子線レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6270838A true JPS6270838A (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=16584299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60210131A Pending JPS6270838A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 電子線レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6270838A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01243430A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Nec Corp | モリブデンシリサイドのエッチング方法 |
| JPH02251961A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| US6436605B1 (en) | 1999-07-12 | 2002-08-20 | International Business Machines Corporation | Plasma resistant composition and use thereof |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP60210131A patent/JPS6270838A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01243430A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Nec Corp | モリブデンシリサイドのエッチング方法 |
| JPH02251961A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| US6436605B1 (en) | 1999-07-12 | 2002-08-20 | International Business Machines Corporation | Plasma resistant composition and use thereof |
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