JPS63143538A

JPS63143538A - 感光性組成物

Info

Publication number: JPS63143538A
Application number: JP29056986A
Authority: JP
Inventors: Rumiko Horiguchi; 堀口　留美子; Shuji Hayase; 修二早瀬; Kiyonobu Onishi; 大西　廉伸
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1986-12-08
Filing date: 1986-12-08
Publication date: 1988-06-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］　。

（産業上の利用分野）本発明は、感光性組成物に関し、詳しくはＩ　Ｃ，ＬＳ
　ｌ５ＶＬＳ　１等の半導体集積回路の製造工程での微
細なレジストパターン形成に使用される感光性組成物の
改良に係わる。

（従来の技術）半導体集積回路を始めとする各種の微細加工を必要とす
る電子部品の分野では、感光性組成物が広く用いられて
いる。特に、ＬＳ　Ｉ、ＶＬＳ　１等の半導体集積回路
では半導体基板に多数形成される素子の縮小化、高密度
化に伴って、ミクロン乃至サブミクロンオーダの微細な
線幅のレジストパターンを形成できる感光性組成物が強
く要望されている。

即ち、近年、半導体集積回路においては横方向の寸法の
縮小化には限界があるため、高さ方向（厚さ方向）に配
線や素子等を多層に形成する、いわゆる多層化技術が採
用されている。しかしながら、かかる多層化技術を採用
すると、必然的に゛ト導体ウェハの表面に大きい段差が
形成され、この段差上を横切るレジストパターンの寸法
変化を抑えることはパターンの微細化が進に伴ってより
困難となる。また、各種の露光方法においても、最少・
１法の縮小化に伴って問題が生じてきている。

例えば、光による露光では半導体基板−１−の前記段差
に基づく反射光の干ｉ歩作用が寸法精度に大きな影響を
与える。一方、電子ビーム露光においては電子の後ｈ゛
散乱よって生じる近接効果により、前記半導体基板にの
段差を埋めるためにレジスト膜を厚くすると、解像度が
一層低ドし、微細なレジストパターンの形成が困難とな
る。

」−述した問題点を解決する方法として、多層レジスト
システムが開発されている。かがる多層レジストシステ
ムについては、ソリッドステート・テクノロジー、　７
４　（１９８１）　　　［５ｏｌｉｄ　　ＳｔａｔｅＴ
ｅｃｂｎｏｌｏｇｙｓ　７４　（＋９８１）コに概説が
掲載されているが、この他にも前記システムに関する多
くの研究が発表されている。現（１：、一般的に多く試
みられている方法は、３層構造のレジストシステムであ
り、半導体基板の段差の平坦化及び基板がらの反射防止
の役割を有する最下層と、該最下層をエツチングするた
めのマスクとして機能する中間層と、感光層としての最
上層とからなっている。

しかしながら、上記３層レジストシステムは単層レジス
ト法に比べて微細なパターニングを行なうことができる
利点をｑするものの、反面パターン形成までの工稈数が
増加するという問題があった。

（発明が解決しようとする問題点）本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、２層レジスト法に適用され、かつ微細なパター
ンを形成し得る感光性組成物を提供しようとするもので
ある。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）本願節１の発明は、下記一般式（Ｉ）にて表わされる構
造単位を有するポリシランを含有してなることを特徴と
する感光性組成物。

Ｒｇ　　　　　　　　　　　Ｒａｔ・・・（Ｉ）但し、式中のＲ１−Ｒ４は水素原子、炭素数１〜１０の
アルキル基、炭素数６〜１４の非置換もしくは置換アリ
ール基を示し、かつ同一であっても、異なってもよい。

Ｒ５、Ｒ６は、炭素数　１〜１０の脂肪族基、炭素数６
〜１４の非置換もしくは置換芳香族基を示し、同一であ
っても、異なっていてもよい。Ｒ７〜Ｒ１Ｓは、水素原
子、水酸基、アルコキシ基、炭素数１〜ｌＯの脂肪族基
、炭素数６〜１４の非置換もしくは置換芳香族基を示し
、同一であっても、異なっていてもよい。Ｒ＋６は、ナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステル又はベンゾキノ
ンジアジドスルホン酸エステルを示す。１１ｎは正の整
数を示し、ｍは零を含む正の整数を示す。

本願第２の発明は、下記一般式（ＩＩ）にて表わされる
構造単位を有するシロキサンを含有してなることを特徴
とする感光性組成物。

・・・（ＩＩ）但し、式中のＲ１−Ｒ４は水素原子、炭素数ｌ〜ｌＯの
アルキル基、炭素数６〜１４の非置換もしくは置換アリ
ール基を示し、かつ同一であっても、異なってもよい。

Ｒｓ　、Ｒ６は、炭素敬重〜ｌＯの脂肪族基、炭素数Ｂ
〜１４の非置換もしくは置換芳香族基を示し、同一であ
っても、異なっていてもよい。Ｒ７−Ｒ１５は、水素原
子、水酸基、アルコキシ基、炭素数１〜１０の脂肪族基
、炭素数６〜１４の非置換もしくは置換芳香族基を示し
、同一であっても、異なっていてもよい。Ｒ１６は、ナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステル又はベンゾキノ
ンジアジドスルホン酸エステルを示す。１１ｎは正の整
数を示し、ｍは零を含む正の整数を示す。

上記一般式（１）、　　（ＩＩ）のベンゼン核の水酸基
をエステル化してＲとしてのナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステル又はベンゾキノンジアジドスルホン酸エ
ステルを尋人するためのキノンジアジドスルホン酸は、
例えば下記構造式［Ａ］の１，２−ベンゾキノンジアジ
ド−４−スルホン酸、下記構造式（Ｂ）の１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸、下記構造式（Ｃ）
の１゜２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、下
記構造式（Ｄ）の２，１−ナフトキノンジアジド−４−
スルホン酸、下記構造式〔Ｅ〕の２．１−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸等を挙げることができる。な
お、エステル化率を前記一般式のノ、ｍ、ｎを用いてｎ
／（Ｊ＋ｍ＋ｎ）で表わした場合には、そのエステル化
率が０．１〜０．７のポリシランを用いることが感度及
び解像度の点から望ましい。

上述した本願第１の発明に係わる一般式（Ｉ）にて表わ
されるポリンランを以下に具体的に列挙する。

また、」、述した本願筒２の発明に係イ〕る一般式（Ｉ
Ｉ）にて表わされるシロキサンを以下に具体的に列挙す
る。

ＩＪ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　（Ｊ上記ポリシラン及びシロキサンは、分子
Ｑ１００（１〜３００００の範囲のものが溶媒に対する
溶解性、現像液に対する溶解性及び解像文の点から望ま
しい。

なお、本発明の感光性組成物は必要に応じて貯蔵安定性
を図るための熱市会防止剤、基板からのハレーションを
防止するためのハレーション防止剤、基板との密着性を
向上するための密石性促進剤等を配合してもよい。

、次に、本発明の感光性組成物を用いた２層レジストシ
ステムについて説明する。

まず、基板−１−に平ｔｑ北側を塗布した後、１００〜
２５０℃で３０〜１５０分間ベーキングを行なって所望
の厚さ平場化層を形成する。ここに用いる基板としては
、例えばシリコンウェハ、表面の各種の絶縁膜や電極、
配線が形成された段差を釘するシリコンウェハ、ブラン
クマスク等を挙げることができる。前記平坦化剤は、甲
導体素子等の製造において支障を生じない純度を有する
ものであればいかなるものでもよい。かかる平坦化剤と
しては、例えば置換０−キノンジアジドとノボラック樹
脂かならるポジ型レジスト、ポリスチレン、ポリメチル
メタクリレート、ポリビニルフェノール、ノボラック樹
脂、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリブタジェン、ポ
リ酢酸ビニル及びポリビニルブチラール等を挙げること
ができる。これらの樹脂は、ｌｌｔ独又は混合物の形で
用いられる。

次いで、前記平坦化層上に上記一般式（Ｉ）に示すポリ
シラン又は一般式（ＩＩ）に示すシロキサンを溶剤で溶
解した感光性組成物を塗布した後、１５０°Ｃ以下、好
ましくは５０〜１２０℃で乾燥して所望厚さのレジスト
膜を形成する。前記ポリシラン又はシロキサンの溶剤と
しては、例えばシクロヘキサノン、アセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒
、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エ
チルセロソルブアセテート等のセロソルブ系溶媒、酢酸
エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等のエステル系溶
媒等を挙げることができる。これらの溶剤は、単独で使
用しても、混合物の形で使用してもよい。前記塗布手段
としては、例えばスピンナーを用いた回転塗布法、浸漬
法、噴霧法、印刷法等を採用することができる。なお、
レジスト膜の厚さは、塗布手段、感光液中のポリシラン
ａ瓜、粘度等により任意に：Ａ整することが可能である
。

上記工程により形成されたレジスト膜は、プロセスを変
えることによりポジ型とネガ型の双方になり得る。まず
、ポジ型として使用する場合を説明すると、前記甲用化
層上のレジスト膜の所望部分を露光することにより、露
光部が未露光部に比べてアルカリ水溶液に対する溶解性
が高くなる。

この露光時の最適露光瓜は、レジスト膜を構成する感光
性組成物の種類にもよるが、通常１　ｍ　／　ｃｉ〜１
ｏ００ｏ＋／ｄの範囲が好ましい。また、露光にあたっ
ては密着露光、投影露光のいずれの方式を採用できる。

つづいて、ホットプレート等を用いて５０〜１２０℃で
３０秒間〜１５分間加熱する。ひきつづき、アルカリ水
溶液で露光されたレジスト膜を現像処理する。これによ
り、レジスト膜の露光部分が溶解除去されて所望のレジ
ストパターンが形成される。ここに用いるアルカリ水溶
液は、レジスト膜の露光部分か速やかに溶解し、他の未
露光部分に対する溶解速度が極端に低い性質を有するも
のであればいずれでもよく、例えばテトラメチルアンモ
ニウム水溶液などのテトラアルキルアンモニア系水溶液
、又は水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の無機アル
カリ水溶液等を挙げることができる。これらのアルカリ
水溶液は、通常、１５重量％以−ドの濃度で使用される
。また、現像手段としては例えば浸漬法、スプレー法等
を採用することができる。

一方、ネガ型として使用する場合を説明すると、前記・
ヒ坦化層ｌｘのレジスト膜の所？！部分を露光した後、
ホットプレート等の１−で９０〜２００℃で１〜６０分
間加熱することにより、露光部が架橋反応等を生じて未
露光部に比べて有機溶媒に対する溶解性が高くなる。つ
づいて、有機溶剤で露光されたレジスト膜を現像処理す
る。これにより、レジスト膜の未露光部分が溶解除去さ
れて所望のレジストパターンが形成される。ここに用い
る現像液である有機溶剤としては、例えばシクロヘキサ
ノン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、
プロパツール等のアルコール系溶剤、ヘキサン、シクロ
ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、メチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ
アセテート等のセロソルブ系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、酢酸イソアミル等のエステル系溶媒等を挙げるこ
とができ、単独で使用しても、混合物の形で使用しても
よい。

これらの６機溶剤は、レジスト膜を構成する感光性組成
物の種類により適宜選定すればよい。現像手段としては
、例えば浸漬法、スプレー法等を採用することができる
。

次いで、形成されたポジ型又はネガ型のレジストパター
ンをマスクとして露出する平坦化層を酸素リアクティブ
イオンエツチング法（酸素ＲＩＥ法）によりエツチング
する。この時、前記一般式に示すポリシラン又はシロキ
サンを含むレジストパターンは酸素ＲＩＥに１金れるこ
とによって、表向層に二酸化ケイ素（ＳｉＯｚ）乃至そ
れに類似した膜が形成され、露出した平坦化層の１０〜
１００倍の耐酸素ＲＩＥ性を有するようになる。このた
め、レジストパターンから露出した平坦化層部分か酸素
ＲＩＥ法により選択的に除去され、最適なパターンプロ
ファイルが得られる。

このような工程により形成されたパターンをマスクとし
て基板のエツチングを行なう。エツチング手段としては
、ウェットエツチング法、ドライエツチング法が採用さ
れ、３μｍ以下の微細なパターンを形成する場合にはド
ライエツチング法が好ましい。ウェットエツチング剤と
しては、シリコン酸化膜をエツチング対象とする場合に
はフッ酸水溶液、フッ化アンモニウム水溶液等が、アル
ミニウムをエツチング対象とする場合には、リン酸水溶
液、酢酸水溶液、硝酸水溶液等が、クロム系膜をエツチ
ング対象とする場合には硝酸セリウムアンモニウム水溶
液等が、夫々用いられる。ドライエツチング用ガスとし
ては、　ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＣア４、ＢＣＪ！３、Ｃ
ノ２、ＨＣｉ、Ｈ２等を挙げることができ、必要に応じ
てこれらのガスを組合わせて使用される。エツチングの
条件は、微細パターンが形成される物質の種類と感光性
組成物の組合わせに基づいて反応槽内のウェットエツチ
ング剤の濃度、ドラエツチング用ガスの濃度、反応温度
、反応時間等を決定するが、特にその方法等に制限され
ない。

上述したエツチング後には、前記基板上に残存する平坦
化槽及びレジストからなるパターンを例えばナガセ化成
社製商品名：Ｊ−ｔｏｏ等の剥離剤、酸素ガスプラズマ
等によって除去する。

以−１〕の工程以外に、その目的に応じて史に工程を付
加することも同等差支えない。例えば、現像後において
現像液を洗浄除去する１」的で行なうリンス（通常は水
を使用する）工程、感光性組成物からなるレジスト膜と
・［坦化層又は平坦化層と基板との密着製を向１−させ
る１°１的から各液の塗布前に行なう前処理玉梓、現像
前又は後に行なうべ一りニ［程、ドライエツチングの前
に行なう紫外線の再照射１−程等を挙げることができる
。

（作用）本発明の感光性組成物は、上記一般式（Ｉ）にて表わさ
れる構造単位を有するポリシラン、又は一般式（ＩＩ）
にて表わされる構造ｒｌｔ位を有するシロキサンを含有
し、塗布等により形成されたレジスト膜は優れた感度と
解像性、更に耐酸素ＲＩＥ性を備えるため、該レジスト
膜と平坦化層との２層レジスト法に適用でき、しかも微
細なパターンを形成できる。

（発明の実施例）以下、本発明の実権例を詳細に説明する。

実施例１下記構造式（１）にて表わされる数平均分子量８０００
の電合体５ｇをエチルセロソルブアセテート１３ｇに溶
解して感光性組成物を調製した。

・・・（１）次いで、シリコンウェハ上にナフトキノンジアジドとノ
ボラック樹脂からなるポジ型レジストを１．５μｍの厚
さに塗布した後、２００℃で１時間加熱して平坦化層を
形成した。つづいて、この平坦化層上に０．２μｍのフ
ィルタを通した前記感光性組成物を０．６μｍの厚さに
塗布し、８０℃で５分間プリベークした後、４３６　ｎ
ｍの光を用いて露光を行なった。ひきつづき、３．０重
量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に
１分間浸漬して現像してレジストパターンを形成した。

この後、レジストパターンをマスクとして平坦化層を酸
素ＲＩＥによりエツチングした。

しかして、酸素ＲＩＥ法による工・ソチングの後の平坦
化層のパターン断面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、膜厚が１．５μｍでライン幅及びライン間隔がいず
れも０，５μｍの急俊なプロファイルを有するものであ
ることが確認された。

実施例２下記構造式（２）にて表わされる数平均分子量１０００
０の重合体１０ｇをシクロヘキサノンに溶解し、混合、
攪拌して感光性組成物を調製した。

・・・（２）次いで、シリコンウェハ１−に実施例１と同様にポジ型
レジストからなる平坦化層を形成し、この・ド坦化層１
−に０．２μｍのフィルタを通した前記感光性組成物か
らなる厚さ０．６μｍのレジスト膜の形成、露光現像、
酸素ＲＩＥ法によるエツチングを行なった。

しかして、酸素ＲＩＥ法によるエツチングの後の平坦化
層のパターン断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ
、膜厚が１．５μｍでライン幅及びライン間隔がいずれ
も０．７μｍの急俊なプロファイルを有するものである
ことが確認された。

実施例３下記構造式（３）にて表わされる数平均分子量６０００
の重合体５ｇをエチルセロソルブアセテート１３９に溶
解して感光性組成物を調製した。

・・・（３）次いで、シリコンウェハ上に実施例１と同様にポジ型レ
ジストからなる平坦化層を形成し、この平坦化層上に０
．２μ゛ｍのフィルタを通した前記感光性組成物からな
る厚さ０．６μｍのレジスト膜の形成、露光現像、酸素
ＲＩＥ法によるエツチングを行なった。

しかして、酸素ＲＸＥ／！：によるエツチングの後の平
坦化層のパターン断面を走査型電子顕微鏡で観察したと
ころ、膜厚が１．５μｍでライン幅及びライン間隔がい
ずれも０．７μｍの急俊なプロファイルを有するもので
あることが確認された。

実施例４下記構造式（４）にて表わされる数平均分子量１５００
のＴｌｒ合体５９をエチルセロソルブアセテ−１・１３
９に溶解して感光性わ１成物を調製した。

・・（４）次いで、シリコンウエハ−ヒにナフトキノンジアジドと
ノボラック樹脂からなるポジ型レジストを２．０μｍの
厚さに塗布した後、２００°Ｃて１時間加熱して平坦化
層を形成した。つづいて、この平坦化層上に０．２μｍ
のフィルタを通した前記感光性組成物を０．６μｍの厚
さに塗布し、８０℃で５分間プリベークした後、２５４
　ｎｍの光を用いて露光を行なった。ひきつづき、１０
０°Ｃ１３０分間のインターベークを施した後、現像液
（シクロヘキサン：シクロへキサノン−１＝３）で現像
してレジストノ寸ターンを形成した。この後、レジスト
膜くターンをマスクとして・＋１坦化層を酸素ＲＩＥ法
により工・ソチングした。

しかして、酸素ＲＩＥ法による工・ソチングの後の平坦
化層のパターン断面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、膜厚が２．０μｍでライン幅及びライン間隔がいず
れも０．６μｍの急俊なプロファイルを何するものであ
ることが確認された。

実施例５下記構造式（５）にて表わされる数平均分子量１７００
の重合体５ｇをエチルセロソルブアセテート１３ｇに溶
解して感光性組成物を調製した。

・・・（５）次いで、シリコンウェハ上に実施例４と同様にポジ型レ
ジストからなる平坦化層を形成し、この平坦化層」二に
０．２μｍのフィルタを通した前記感光性組成物からな
る厚さ０．６μｍのレジスト膜の形成、露光現像、酸素
ＲＩＥ法によるエツチングを行なった。

しかして、酸素ＲＩＥ法によるエツチングの後の平坦化
層のパターン断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ
、膜厚が２．０μｍでライン幅及びライン間隔がいずれ
も０．６μｍで急俊なプロファイルを何するものである
ことが確認、された。

実施例６下記構造式（６）にて表わされる数平均分子量８０００
の重合体５ｇをエチルセロソルブアセテート１３ｇに溶
解して感光性組成物を調製した。

ＣＨ３ＣＨ３ →Ｓｔ−叶「−一→５ｉ−（ト）ｈ− ・・・（６）次いで、シリコンウェハ上にナフトキノンジ了シトとノ
ボラック樹脂からなるポジ型レジストを１．５μｍの厚
さに塗布した後、２００℃で１時間加熱して平坦化層を
形成した。つづいて、この平坦化層上に０．２μｍのフ
ィルタを通した前記感光性組成物を０．６μｍの厚さに
塗布し、８０℃で５分間プリベークした後、４３６　ｎ
ｍの光を用いて露光を行なった。ひきつづき、３．０重
量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に
１分間浸漬して現像してレジストパターンを形成した。

しかして、酸素ＲＩＥ法によるエツチングの後の平坦化
層のパターン断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ
、膜厚が１．５μｍでライン幅及びライン間隔がいずれ
も０．５μｍの急俊なプロファイルを角°するものであ
ることが確認された。

実施例７下記構造式（７）にて表わされる数平均分子量１０００
０の重合体１０９をシクロヘキサノンに溶解し、混合、
攪拌して感光性組成物を調製した。

次いで、シリコンウェハ上に実施例６と同様にポジ型レ
ジストからなる平坦化層を形成し、この平坦化層上に０
．２μｍのフィルタを通した前記感光性組成物からなる
厚さ０１６８ｍのレジスト膜の形成、露光現像、酸素Ｒ
ＩＥ法によるエツチングを行なった。

実施例８下記構造式（８）にて表わされる数平均分子量６０００
の重合体５ｇをエチルセロソルブアセテート１３９に溶
解して感光性組成物を調製した。

・・・（８）次いで、シリコンウェハ」−に実施例６と同様にポジ型
レジストからなる平坦化層を形成し、この平坦化層上に
０．２μｍのフィルタを通した前記感光性組成物からな
る厚さ０．６μｍのレジスト膜の形成、露光現像、酸素
ＲＩＥ法によるエンチングを行なった。

実施例９下記横這式（９）にて表わされる数平均分子量１５００
の重合体５ｇをエチルセロソルブアセテート１３９に溶
解して感光性組成物を調製した。

○ ・・・（９）次いで、シリコンウェハ」−にナフトキノンジアジドと
ノボラック樹脂からなるポジ型レジストを２．０ａｍの
厚さに塗布した後、２００’Ｃで１時間加熱して平坦化
層を形成した。つづいて、この平坦化層、にに０．２μ
ｍのフィルタを通した前記感光性組成物を０．６μｍの
厚さに塗布し、８０　”Ｃで５分間プリベークした後、
２５４　ｎｍの光を用いて露光を行なった。ひきつづき
、１００℃、３０分間のインターベークを施した後、現
像液（シクロヘキサン：シクロへキサノン−１：３）で
現像してレジストパターンを形成した。この後、レジス
トパターンをマスクとして平坦化層を酸素ＲＩＥ法によ
りエツチングした。

しかして、酸素ＲＩＥ法によるエツチングの後の一］ｌ
坦化層のパターン断面を走査型電子顕微鏡で観察したと
ころ、膜厚が２．０μｍでライン幅及びライン間隔がい
ずれも０．８μｍの急俊なプロファイルを有するもので
あることが確認された。

実施例１０下記構造式（１０）にて表わされる数平均分子量１７０
０の重合体５ｇをエチルセロソルブアセテート１３９に
溶解して感光性組成物を調製した。

・・・（１０）次いで、シリコンウェハ上に実施例つと同様にポジ型レ
ジストからなる平坦化層を形成し、この平坦化層−１−
に０．２μｍのフィルタを通した前記°感光性組成物か
らなる厚さ０．６μｍのレジスト膜の形成、露光現像、
酸素ＲＩＥ法によるエツチングを行なった。

しかして、酸素ＲＩＥ法によるエツチングの後の平坦化
層のパターン断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ
、膜厚が２．０ａｍでライン幅及びライン間隔がいずれ
も０．６μｍで急俊なプロファイルを有するものである
ことが確認された。

なお、上記実施例では２層レジストシステムに適用した
例を説明したが、感光性組成物のみからなる単層レジス
トとして用いても良好なパターン形成がｒ＋ｌ能である
。

［発明の効果］以に詳述した如く、本発明の感光性組成物によれば酸素
ＲＩＨに対する耐性に優れ、更に基板の段差の影響を受
けないで膜厚を薄くできるため、パターン解像性が向」
−シ、かつ微細加工に極めて高都合である等顕著な効果
をａする。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）、下記一般式（ I ）にて表わされる構造単位を
有するポリシランを含有してなることを特徴とする感光
性組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ）但し、式中のＲ＿１〜Ｒ＿４は水素原子、炭素数１〜１
０のアルキル基、炭素数６〜１４の非置換もしくは置換
アリール基を示し、かつ同一であっても、異なってもよ
い。Ｒ＿５、Ｒ＿６は、炭素数１〜１０の脂肪族基、炭
素数６〜１４の非置換もしくは置換芳香族基を示し、同
一であっても、異なっていてもよい。Ｒ＿７〜Ｒ＿１＿
５は、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数１〜１
０の脂肪族基、炭素数８〜１４の非置換もしくは置換芳
香族基を示し、同一であっても、異なっていてもよい。Ｒ＿１＿６は、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステ
ル又はベンゾキノンジアジドスルホン酸エステルを示す
。ｌ、ｎは正の整数を示し、ｍは零を含む正の整数を示
す。
（２）、下記一般式（II）にて表わされる構造単位を有
するシロキサンを含有してなることを特徴とする感光性
組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（II）但し、式中のＲ＿１〜Ｒ＿４は水素原子、炭素数１〜１
０のアルキル基、炭素数６〜１４の非置換もしくは置換
アリール基を示し、かつ同一であっても、異なってもよ
い。Ｒ＿５、Ｒ＿６は、炭素数１〜１０の脂肪族基、炭
素数６〜１４の非置換もしくは置換芳香族基を示し、同
一であっても、異なつていてもよい。Ｒ＿７〜Ｒ＿１＿
５は、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数１〜１
０の脂肪族基、炭素数６〜１４の非置換もしくは置換芳
香族基を示し、同一であっても、異なっていてもよい。Ｒ＿１＿６は、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステ
ル又はベンゾキノンジアジドスルホン酸エステルを示す
。ｌ、ｎは正の整数を示し、ｍは零を含む正の整数を示
す。