JPH0829987A - ポジ型シリコーンレジスト材料 - Google Patents
ポジ型シリコーンレジスト材料Info
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- JPH0829987A JPH0829987A JP6187885A JP18788594A JPH0829987A JP H0829987 A JPH0829987 A JP H0829987A JP 6187885 A JP6187885 A JP 6187885A JP 18788594 A JP18788594 A JP 18788594A JP H0829987 A JPH0829987 A JP H0829987A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高感度、高解像性、プロセス適用性に優れた
化学増幅型シリコーン系ポジレジスト材料を提供する。 【構成】 一般式（化１）： 【化１】 （ｘ＋ｍ＝１、ｘ≠０、ｎ：１〜３）で表されるシリコ
ーンポリマー（Ａ）、オニウム塩（Ｂ）、及び窒素含有
化合物（Ｃ）を含有するポジ型シリコーンレジスト材
料。更にラダー型ポリシロキサン（Ｄ）を含有していて
もよい。（Ｃ）の好例には芳香族アミンがある。
化学増幅型シリコーン系ポジレジスト材料を提供する。 【構成】 一般式（化１）： 【化１】 （ｘ＋ｍ＝１、ｘ≠０、ｎ：１〜３）で表されるシリコ
ーンポリマー（Ａ）、オニウム塩（Ｂ）、及び窒素含有
化合物（Ｃ）を含有するポジ型シリコーンレジスト材
料。更にラダー型ポリシロキサン（Ｄ）を含有していて
もよい。（Ｃ）の好例には芳香族アミンがある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、遠紫外線、電子線やＸ
線等の高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカ
リ水溶液で現像することによりパタンを形成できる、微
細加工技術に適したポジ型レジスト材料に関する。
線等の高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカ
リ水溶液で現像することによりパタンを形成できる、微
細加工技術に適したポジ型レジスト材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パ
タンルールの微細化が求められているが、現在汎用技術
として用いられている光露光では、光源の波長に由来す
る本質的な解像度の限界に近付きつつある。ｇ線（４３
６nm）若しくはｉ線（３６５nm）を光源とする光露光で
は、おおよそ０．５μｍのパタンルールが限界とされて
おり、これを用いて製作したＬＳＩの集積度は、１６Ｍ
ビットＤＲＡＭ相当までとなる。しかし、ＬＳＩの試作
は既にこの段階にまできており、更なる微細化技術の開
発が急務となっている。このような背景により、次世代
の微細加工技術として遠紫外線リソグラフィが有望視さ
れている。遠紫外線リソグラフィは、０．３〜０．４μ
ｍの加工も可能であり、光吸収の小さいレジストを用い
た場合、基板に対して垂直に近い側壁を有するパタンの
形成が可能である。また、一括にパタンを転写すること
ができるために、電子線リソグラフィよりもスループッ
トの点で有利である。近年、遠紫外線の光源として高輝
度なＫｒＦエキシマレーザを利用する段になり、量産技
術として用いられるには、光吸収が小さく、そして高感
度なレジスト材料が要望されている。近年開発された、
酸を触媒として化学増幅（ chemical amplification )
を行うレジスト材料〔例えば、リュー（ Liu )ら、ジャ
ーナル オブ バキュームサイエンス アンド テクノ
ロジー（ J. Vac. Sci. Technol.) 、第Ｂ６巻、第３７
９頁（１９８８）〕は、従来の高感度レジストと同等以
上の感度を有し、しかも解像性が高く、ドライエッチン
グ耐性も高い、優れた特徴を有する。そのため、遠紫外
線リソグラフィには特に有望なレジスト材料である。ネ
ガ型レジストとしてはシプリー（ Shipley )社が、ノボ
ラック樹脂とメラミン化合物と酸発生剤からなる３成分
化学増幅レジスト（商品名ＳＡＬ６０１ＥＲ７）を既に
商品化している。しかし、化学増幅系のポジ型レジスト
はいまだ商品化されたものはない。ＬＳＩの製造工程
上、配線やゲート形成などはネガ型レジストで対応でき
るが、コンタクトホール形成は、ネガ型レジストを用い
たのではカブリやすいために微細な加工はむずかしく、
ポジ型レジストがはるかに適している。そのため、高性
能なポジ型レジストが強く要望されている。従来、イト
ー（ Ito )らは、ポリヒドロキシスチレンのＯＨ基をｔ
−ブトキシカルボニル基（ｔＢｏｃ基）で保護したＰＢ
ＯＣＳＴという樹脂に、オニウム塩を加えてポジ型の化
学増幅レジストを開発している。しかし、用いているオ
ニウム塩は金属成分としてアンチモンを含む〔参考文
献：ポリマース イン エレクトロニクス、ＡＣＳ シ
ンポジウム シリーズ（ Polymers in Electronics，Ａ
ＣＳ Symposium Series )第２４２回（アメリカ化学
会、ワシントン ＤＣ．１９８４）、第１１頁〕。基板
への汚染を避けるために、一般的には、レジスト材料中
の金属成分は嫌われる。そのためにＰＢＯＣＳＴレジス
トはプロセス上好ましいものではない。上野らはポリ
（ｐ−スチレンオキシテトラヒドロピラニル）を主成分
とし、酸発生剤を加えた遠紫外線ポジ型レジストを発表
している（参考：第３６回応用物理学会関連連合講演
会、１９８９年、１ｐ−ｋ−７）。化学増幅レジストは
高感度で高解像性であることが知られているが、微細な
高アスペクト比のパタンを高精度に形成することはパタ
ンの機械的強度から困難であった。段差基板上に高アス
ペクト比のパタンを形成するには２層レジスト法が優れ
ているが、化学増幅型のシリコーン系ポジレジストはな
い。アルカリ現像するためにはヒドロキシ基やカルボキ
シル基などの親水性基を有するシリコーン系ポリマーが
必要になるが、この材料は酸により架橋反応を生ずるた
め、化学増幅型ポジレジストへの適用は困難であった。
タンルールの微細化が求められているが、現在汎用技術
として用いられている光露光では、光源の波長に由来す
る本質的な解像度の限界に近付きつつある。ｇ線（４３
６nm）若しくはｉ線（３６５nm）を光源とする光露光で
は、おおよそ０．５μｍのパタンルールが限界とされて
おり、これを用いて製作したＬＳＩの集積度は、１６Ｍ
ビットＤＲＡＭ相当までとなる。しかし、ＬＳＩの試作
は既にこの段階にまできており、更なる微細化技術の開
発が急務となっている。このような背景により、次世代
の微細加工技術として遠紫外線リソグラフィが有望視さ
れている。遠紫外線リソグラフィは、０．３〜０．４μ
ｍの加工も可能であり、光吸収の小さいレジストを用い
た場合、基板に対して垂直に近い側壁を有するパタンの
形成が可能である。また、一括にパタンを転写すること
ができるために、電子線リソグラフィよりもスループッ
トの点で有利である。近年、遠紫外線の光源として高輝
度なＫｒＦエキシマレーザを利用する段になり、量産技
術として用いられるには、光吸収が小さく、そして高感
度なレジスト材料が要望されている。近年開発された、
酸を触媒として化学増幅（ chemical amplification )
を行うレジスト材料〔例えば、リュー（ Liu )ら、ジャ
ーナル オブ バキュームサイエンス アンド テクノ
ロジー（ J. Vac. Sci. Technol.) 、第Ｂ６巻、第３７
９頁（１９８８）〕は、従来の高感度レジストと同等以
上の感度を有し、しかも解像性が高く、ドライエッチン
グ耐性も高い、優れた特徴を有する。そのため、遠紫外
線リソグラフィには特に有望なレジスト材料である。ネ
ガ型レジストとしてはシプリー（ Shipley )社が、ノボ
ラック樹脂とメラミン化合物と酸発生剤からなる３成分
化学増幅レジスト（商品名ＳＡＬ６０１ＥＲ７）を既に
商品化している。しかし、化学増幅系のポジ型レジスト
はいまだ商品化されたものはない。ＬＳＩの製造工程
上、配線やゲート形成などはネガ型レジストで対応でき
るが、コンタクトホール形成は、ネガ型レジストを用い
たのではカブリやすいために微細な加工はむずかしく、
ポジ型レジストがはるかに適している。そのため、高性
能なポジ型レジストが強く要望されている。従来、イト
ー（ Ito )らは、ポリヒドロキシスチレンのＯＨ基をｔ
−ブトキシカルボニル基（ｔＢｏｃ基）で保護したＰＢ
ＯＣＳＴという樹脂に、オニウム塩を加えてポジ型の化
学増幅レジストを開発している。しかし、用いているオ
ニウム塩は金属成分としてアンチモンを含む〔参考文
献：ポリマース イン エレクトロニクス、ＡＣＳ シ
ンポジウム シリーズ（ Polymers in Electronics，Ａ
ＣＳ Symposium Series )第２４２回（アメリカ化学
会、ワシントン ＤＣ．１９８４）、第１１頁〕。基板
への汚染を避けるために、一般的には、レジスト材料中
の金属成分は嫌われる。そのためにＰＢＯＣＳＴレジス
トはプロセス上好ましいものではない。上野らはポリ
（ｐ−スチレンオキシテトラヒドロピラニル）を主成分
とし、酸発生剤を加えた遠紫外線ポジ型レジストを発表
している（参考：第３６回応用物理学会関連連合講演
会、１９８９年、１ｐ−ｋ−７）。化学増幅レジストは
高感度で高解像性であることが知られているが、微細な
高アスペクト比のパタンを高精度に形成することはパタ
ンの機械的強度から困難であった。段差基板上に高アス
ペクト比のパタンを形成するには２層レジスト法が優れ
ているが、化学増幅型のシリコーン系ポジレジストはな
い。アルカリ現像するためにはヒドロキシ基やカルボキ
シル基などの親水性基を有するシリコーン系ポリマーが
必要になるが、この材料は酸により架橋反応を生ずるた
め、化学増幅型ポジレジストへの適用は困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
ノボラック樹脂やポリヒドロキシスチレンをベース樹脂
とした、遠紫外線、電子線及びＸ線に感度を有する化学
増幅系ポジ型レジストは、従来数多く発表されている
が、いずれも単層レジストであり、いまだ基板段差の問
題、基板からの光反射による定在波の問題、高アスペク
ト比のパタン形成が困難の問題があり、実用に供するこ
とがむずかしいのが現状である。本発明の目的は、２層
レジスト材料であり、高感度、高解像性、プロセス適用
性に優れた化学増幅型シリコーン系ポジレジスト材料を
提供することにある。
ノボラック樹脂やポリヒドロキシスチレンをベース樹脂
とした、遠紫外線、電子線及びＸ線に感度を有する化学
増幅系ポジ型レジストは、従来数多く発表されている
が、いずれも単層レジストであり、いまだ基板段差の問
題、基板からの光反射による定在波の問題、高アスペク
ト比のパタン形成が困難の問題があり、実用に供するこ
とがむずかしいのが現状である。本発明の目的は、２層
レジスト材料であり、高感度、高解像性、プロセス適用
性に優れた化学増幅型シリコーン系ポジレジスト材料を
提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明はポジ型シリコーンレジスト材料に関する発明であ
って、下記一般式（化１）：
発明はポジ型シリコーンレジスト材料に関する発明であ
って、下記一般式（化１）：
【０００５】
【化１】
【０００６】（式中ｘ、ｍはｘ＋ｍ＝１となる数であ
り、ｘが０になることはない。またｎは１〜３の正の整
数である）で表されるシリコーンポリマー（Ａ）、オニ
ウム塩（Ｂ）の２成分を含む、アルカリ水溶液で現像可
能な高エネルギー線感応ポジ型レジスト材料において、
窒素含有化合物（Ｃ）が添加されていることを特徴とす
る。また、更にラダー型ポリシロキサン（Ｄ）が添加さ
れていてもよい。
り、ｘが０になることはない。またｎは１〜３の正の整
数である）で表されるシリコーンポリマー（Ａ）、オニ
ウム塩（Ｂ）の２成分を含む、アルカリ水溶液で現像可
能な高エネルギー線感応ポジ型レジスト材料において、
窒素含有化合物（Ｃ）が添加されていることを特徴とす
る。また、更にラダー型ポリシロキサン（Ｄ）が添加さ
れていてもよい。
【０００７】オニウム塩（Ｂ）としては、下記式（化
２）〜（化７）：
２）〜（化７）：
【化２】（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｉ+-Ｏ3 ＳＣＦ3
【化３】（Ｃ6 Ｈ5 ）3 Ｓ+-Ｏ3 ＳＣＦ3
【化４】（Ｃ6 Ｈ5 ＳＣ6 Ｈ4 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｓ+-Ｏ
3 ＳＣＦ3
3 ＳＣＦ3
【化５】（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｉ+-Ｏ3 ＳφＣＨ3
【化６】（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 −Ｃ6 Ｈ4 ）2 Ｉ+-Ｏ3 ＳＣＦ
3
3
【化７】（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 −ＯＣ6 Ｈ4 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）2
Ｓ+-Ｏ3 ＳＣＦ3
Ｓ+-Ｏ3 ＳＣＦ3
【０００８】で表される化合物が知られている。しか
し、式（化２）はエチルセロソルブアセテート、乳酸エ
チル、メトキシ−２−プロパノール等のレジストの塗布
に好適な溶媒に対して溶解性が低いため、レジスト中に
適量を混合することが困難であった。これに対しトルエ
ンスルホネート、式（化５）はレジスト塗布溶媒に対す
る溶解性が優れる。式（化３）の溶解性は比較的良い
が、これを用いて３成分レジストを作製すると、溶解阻
害剤の種類によらず、１〜４μＣ／ｃｍ2 の露光量で膜
減りするものの、露光部が完全に溶解する前にネガ反転
してしまい、ポジ型にはならなかった。このようなネガ
反転に関しては、シュレゲルらも公表しており（参考文
献；前述）、トリフルオロメタンスルホネート系のオニ
ウム塩はｔＢＯＣ系溶解阻害剤を含む３成分ポジ型レジ
ストには有用でないことが、これまでの常識であった。
上記式中他のオニウム塩はいずれも有効であった。
し、式（化２）はエチルセロソルブアセテート、乳酸エ
チル、メトキシ−２−プロパノール等のレジストの塗布
に好適な溶媒に対して溶解性が低いため、レジスト中に
適量を混合することが困難であった。これに対しトルエ
ンスルホネート、式（化５）はレジスト塗布溶媒に対す
る溶解性が優れる。式（化３）の溶解性は比較的良い
が、これを用いて３成分レジストを作製すると、溶解阻
害剤の種類によらず、１〜４μＣ／ｃｍ2 の露光量で膜
減りするものの、露光部が完全に溶解する前にネガ反転
してしまい、ポジ型にはならなかった。このようなネガ
反転に関しては、シュレゲルらも公表しており（参考文
献；前述）、トリフルオロメタンスルホネート系のオニ
ウム塩はｔＢＯＣ系溶解阻害剤を含む３成分ポジ型レジ
ストには有用でないことが、これまでの常識であった。
上記式中他のオニウム塩はいずれも有効であった。
【０００９】従来、化学増幅レジスト用酸発生剤で最も
実用性のあるオニウム塩は、芳香族スルホニウム塩であ
るとされている（参考；笈川ら、第３７回応用物理学会
関連連合講演会、１９９０年、２８ｐ−ＰＤ−２）。し
かし、上述したように、トリフルオロメタンスルホン酸
のスルホニウム塩は、レジスト塗布溶媒に対する溶解性
が悪い、ポジ−ネガ反転を生じ易いなどの問題があり、
実用に供さないものがある。本発明者らは、有機のオニ
ウム塩で、レジスト塗布溶媒への溶解性が高く、ポジ−
ネガ反転の生じないポジ型特性を示す酸発生剤を鋭意検
討した。その結果、ビス（ｔ−ブチルフェニル）ヨード
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、式（化６）が
良好な特性を示すことを見出した。これは結晶性で再結
晶により精製することができ、酢酸エトキシエチルに代
表されるレジスト塗布溶媒への溶解性がよい。また、一
般式（化１）のシリコーンポリマーとの相溶性も良く、
３０ｋＶの加速電圧で電子線描画を行うと、多くのｔＢ
ｏｃ溶解阻害基に対して、良好な酸発生剤として機能
し、ＤO 感度が３〜２０μＣ／ｃｍ2 程度になり、少な
くとも７２μＣ／ｃｍ2 まではポジネガ反転しなかっ
た。本発明のレジストにおける式（化６）の含量は０．
５〜１５ｗｔ％が好適である。０．５％未満でもポジ型
のレジスト特性を示すが感度が低い。酸発生剤の含量が
増加すると、レジスト感度は高感度化する傾向を示し、
コントラスト（γ）は向上した。１５％より多くてもポ
ジ型のレジスト特性を示すが、含量の増加による更なる
高感度化が期待できないこと、式（化６）は高価な試薬
であること、レジスト内の低分子成分の増加はレジスト
膜の機械的強度を低下させること、等により式（化６）
の含量は１５％以下が好適である。トリフルオロメタン
スルホネート系オニウム塩式（化３）、（化４）も有効
であるが、パタン断面形状が逆テーパになる問題があっ
た。その他、トリフルオロメタンスルホネート系オニウ
ム塩で有効なものはフェニル基にｔ−ブチルオキシ基を
有するもの式（化７）であった。
実用性のあるオニウム塩は、芳香族スルホニウム塩であ
るとされている（参考；笈川ら、第３７回応用物理学会
関連連合講演会、１９９０年、２８ｐ−ＰＤ−２）。し
かし、上述したように、トリフルオロメタンスルホン酸
のスルホニウム塩は、レジスト塗布溶媒に対する溶解性
が悪い、ポジ−ネガ反転を生じ易いなどの問題があり、
実用に供さないものがある。本発明者らは、有機のオニ
ウム塩で、レジスト塗布溶媒への溶解性が高く、ポジ−
ネガ反転の生じないポジ型特性を示す酸発生剤を鋭意検
討した。その結果、ビス（ｔ−ブチルフェニル）ヨード
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、式（化６）が
良好な特性を示すことを見出した。これは結晶性で再結
晶により精製することができ、酢酸エトキシエチルに代
表されるレジスト塗布溶媒への溶解性がよい。また、一
般式（化１）のシリコーンポリマーとの相溶性も良く、
３０ｋＶの加速電圧で電子線描画を行うと、多くのｔＢ
ｏｃ溶解阻害基に対して、良好な酸発生剤として機能
し、ＤO 感度が３〜２０μＣ／ｃｍ2 程度になり、少な
くとも７２μＣ／ｃｍ2 まではポジネガ反転しなかっ
た。本発明のレジストにおける式（化６）の含量は０．
５〜１５ｗｔ％が好適である。０．５％未満でもポジ型
のレジスト特性を示すが感度が低い。酸発生剤の含量が
増加すると、レジスト感度は高感度化する傾向を示し、
コントラスト（γ）は向上した。１５％より多くてもポ
ジ型のレジスト特性を示すが、含量の増加による更なる
高感度化が期待できないこと、式（化６）は高価な試薬
であること、レジスト内の低分子成分の増加はレジスト
膜の機械的強度を低下させること、等により式（化６）
の含量は１５％以下が好適である。トリフルオロメタン
スルホネート系オニウム塩式（化３）、（化４）も有効
であるが、パタン断面形状が逆テーパになる問題があっ
た。その他、トリフルオロメタンスルホネート系オニウ
ム塩で有効なものはフェニル基にｔ−ブチルオキシ基を
有するもの式（化７）であった。
【００１０】本発明のレジスト材料は、上記オニウム塩
（Ｂ）と同時に窒素含有化合物（Ｃ）が添加されている
ことが特徴で、化学増幅型レジストの問題であるポスト
エクスポージャーディレー（ＰＥＤ）の問題を解決でき
ることを見出した。ＰＥＤの問題は、露光後大気中のア
ミン成分や水などの不純物がレジスト表面から拡散し、
膜中に不純物の分布を生じることにより起こる。特に表
面において不純物により酸が失活しやすいため、パタン
形状が“Ｔ−トップ”になる。窒素化合物をレジストに
添加することにより不純物の影響を受けにくくできる。
（Ｂ）と同時に窒素含有化合物（Ｃ）が添加されている
ことが特徴で、化学増幅型レジストの問題であるポスト
エクスポージャーディレー（ＰＥＤ）の問題を解決でき
ることを見出した。ＰＥＤの問題は、露光後大気中のア
ミン成分や水などの不純物がレジスト表面から拡散し、
膜中に不純物の分布を生じることにより起こる。特に表
面において不純物により酸が失活しやすいため、パタン
形状が“Ｔ−トップ”になる。窒素化合物をレジストに
添加することにより不純物の影響を受けにくくできる。
【００１１】窒素化合物としてはＮ−メチルアニリン、
トルイジン、Ｎ−メチルピロリドンなど室温で液体のも
のと、アミノ安息香酸、フェニレンジアミンなど室温で
固体のものがある。液体のものは概して沸点が低いた
め、レジストのプリベークの時に蒸発し、有効に働かな
い場合がある。このため、この中ではｏ−アミノ安息香
酸、ｍ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｏ−フ
ェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェ
ニレンジアミン、ジフェニルアミンが好ましく使用でき
る。トリフェニルアミンは有効でなかった。
トルイジン、Ｎ−メチルピロリドンなど室温で液体のも
のと、アミノ安息香酸、フェニレンジアミンなど室温で
固体のものがある。液体のものは概して沸点が低いた
め、レジストのプリベークの時に蒸発し、有効に働かな
い場合がある。このため、この中ではｏ−アミノ安息香
酸、ｍ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｏ−フ
ェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェ
ニレンジアミン、ジフェニルアミンが好ましく使用でき
る。トリフェニルアミンは有効でなかった。
【００１２】本発明によるところのレジスト材料は、一
般式（化１）で表されるシリコーンポリマーとオニウム
塩からなる２成分系レジストとして使用できるばかりで
なく、必要に応じてラダー型ポリシロキサンを添加した
３成分系レジストとしても使用できる。ポリシロキサン
は酸素プラズマエッチング耐性に優れていることが知ら
れているが、本発明のレジスト材料との相溶性に問題が
あり多くを添加することが困難であった。これに対し、
ラダー型ポリシロキサン（ポリシルセスキオキサン）は
レジストとの相溶性が良く、レジストに２０重量％添加
しても相分離を起こすことなくパタン形成が可能であっ
た。また、酸素プラズマエッチング耐性は大幅に改善さ
れレジスト膜厚が０．２μｍの薄膜でもノボラック系下
層レジストを２μｍ厚さ精度良くエッチングできる。ラ
ダー型ポリシロキサンは側鎖がメチル基とフェニル基の
もの、あるいは両方が同じ主鎖に導入されたものが使用
できる。露光による架橋の生じるものはポジレジストに
好ましくない。ラダー型ポリシロキサンの含量は、４０
ｗｔ％以下がよい。４０％より多くては、レジストの酸
素プラズマ耐性が著しく向上するが、レジスト特性が悪
くなりポジレジストとして使用できなくなる。
般式（化１）で表されるシリコーンポリマーとオニウム
塩からなる２成分系レジストとして使用できるばかりで
なく、必要に応じてラダー型ポリシロキサンを添加した
３成分系レジストとしても使用できる。ポリシロキサン
は酸素プラズマエッチング耐性に優れていることが知ら
れているが、本発明のレジスト材料との相溶性に問題が
あり多くを添加することが困難であった。これに対し、
ラダー型ポリシロキサン（ポリシルセスキオキサン）は
レジストとの相溶性が良く、レジストに２０重量％添加
しても相分離を起こすことなくパタン形成が可能であっ
た。また、酸素プラズマエッチング耐性は大幅に改善さ
れレジスト膜厚が０．２μｍの薄膜でもノボラック系下
層レジストを２μｍ厚さ精度良くエッチングできる。ラ
ダー型ポリシロキサンは側鎖がメチル基とフェニル基の
もの、あるいは両方が同じ主鎖に導入されたものが使用
できる。露光による架橋の生じるものはポジレジストに
好ましくない。ラダー型ポリシロキサンの含量は、４０
ｗｔ％以下がよい。４０％より多くては、レジストの酸
素プラズマ耐性が著しく向上するが、レジスト特性が悪
くなりポジレジストとして使用できなくなる。
【００１３】一般式（化１）で表されるシリコーンポリ
マーはＫｒＦエキシマレーザに対する吸収が小さいので
使用することとしたが、式中のｘが小さい場合、溶解阻
害効果が小さいため、阻害剤を添加することが必要不可
欠となる。ｘが大きくなるとポリマーのアルカリ溶解性
が低下するため、阻害剤は不要となる。ｘは０．０５〜
０．５が好ましい。０．０５未満では溶解阻害効果が小
さく、０．５超ではシリコン含有量低下に伴い、酸素プ
ラズマエッチング耐性が低下する問題がある。０．５超
ではアルカリ水溶液への溶解性が極度に低下するため、
一般に使用されている現像液では感度が極度に低下す
る。なお、ＯＨ基のｔＢｏｃ化はペプチド合成では良く
用いられる官能基の保護方法であり、ピリジン溶液中で
二炭酸ジｔ−ブチルと反応させることにより簡単に行う
ことができる。
マーはＫｒＦエキシマレーザに対する吸収が小さいので
使用することとしたが、式中のｘが小さい場合、溶解阻
害効果が小さいため、阻害剤を添加することが必要不可
欠となる。ｘが大きくなるとポリマーのアルカリ溶解性
が低下するため、阻害剤は不要となる。ｘは０．０５〜
０．５が好ましい。０．０５未満では溶解阻害効果が小
さく、０．５超ではシリコン含有量低下に伴い、酸素プ
ラズマエッチング耐性が低下する問題がある。０．５超
ではアルカリ水溶液への溶解性が極度に低下するため、
一般に使用されている現像液では感度が極度に低下す
る。なお、ＯＨ基のｔＢｏｃ化はペプチド合成では良く
用いられる官能基の保護方法であり、ピリジン溶液中で
二炭酸ジｔ−ブチルと反応させることにより簡単に行う
ことができる。
【００１４】本発明のレジストを用いたパタン形成は以
下のようにして行うことができる。まず、シリコン基板
上に下層レジストとして厚い有機ポリマー層を形成した
のち、本発明のレジストの溶液をその上にスピン塗布
し、プリベークを行い、高エネルギー線を照射する。こ
の際、酸発生剤が分解して酸を生成する。ＰＥＢを行う
ことにより、酸を触媒としてｔＢｏｃ基が分解し、溶解
阻害効果が消失する。アルカリ水溶液で現像し、水でリ
ンスすることによりポジ型パタンを下層レジスト上に形
成できる。下層レジストはノボラック樹脂系ポジ型フォ
トレジストを使用でき、基板上に塗布したのち、２００
℃で１時間ハードベイクすることにより、シリコーン系
レジストとのインターミキシングを防ぐことができる。
下のようにして行うことができる。まず、シリコン基板
上に下層レジストとして厚い有機ポリマー層を形成した
のち、本発明のレジストの溶液をその上にスピン塗布
し、プリベークを行い、高エネルギー線を照射する。こ
の際、酸発生剤が分解して酸を生成する。ＰＥＢを行う
ことにより、酸を触媒としてｔＢｏｃ基が分解し、溶解
阻害効果が消失する。アルカリ水溶液で現像し、水でリ
ンスすることによりポジ型パタンを下層レジスト上に形
成できる。下層レジストはノボラック樹脂系ポジ型フォ
トレジストを使用でき、基板上に塗布したのち、２００
℃で１時間ハードベイクすることにより、シリコーン系
レジストとのインターミキシングを防ぐことができる。
【００１５】以下、一般式（化１）で表される化合物の
うちのいくつかの物の製造例を合成例１及び２により示
す。
うちのいくつかの物の製造例を合成例１及び２により示
す。
【００１６】合成例１ ポリヒドロキシフェニルアルキルシルセスキオキサンの
合成 ａ）ｏ−ヒドロキシフェニルプロピルシルセスキオキサ
ン 反応器に６００mlの水を仕込み３０℃でかくはんしなが
らｏ−メトキシフェニルプロピルトリクロロシラン２８
３．５ｇ（１mole）及び３００mlトルエンの混合液を２
時間で滴下、加水分解した。分液操作により水層を除去
したのち、有機層をエバポレータにより溶媒留去した。
その濃縮液を減圧下２００℃で２時間加熱し、重合させ
た。重合物にアセトニトリル２００ｇを加えて溶解し、
その溶液中に６０℃以下でトリメチルシリルアイオダイ
ド２４０ｇを滴下し、６０℃で１０時間反応させた。反
応終了後水２００ｇを加えて加水分解したのち、デカン
トによりポリマー層を得た。そのポリマー層を真空乾燥
することにより、ポリｏ−ヒドロキシフェニルプロピル
シルセスキオキサン１９２ｇが得られた。 ｂ）ｐ−ヒドロキシフェニルエチルシルセスキオキサン ａ）のｏ−メトキシフェニルプロピルトリクロロシラン
の代りにｐ−メトキシフェニルエチルトリクロロシラン
を使用した他は合成例１ａ）と同様に行ったところ、ポ
リｐ−ヒドロキシフェニルエチルシルセスキオキサンが
１８６ｇ得られた。 ｃ）ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン ｏ−メトキシフェニルプロピルトリクロロシランの代り
にｐ−エトキシベンジルトリクロロシランを使用した他
は合成例１ａ）と同様に行ったところ、ポリｐ−ヒドロ
キシベンジルシルセスオキサンが１６５ｇ得られた。
合成 ａ）ｏ−ヒドロキシフェニルプロピルシルセスキオキサ
ン 反応器に６００mlの水を仕込み３０℃でかくはんしなが
らｏ−メトキシフェニルプロピルトリクロロシラン２８
３．５ｇ（１mole）及び３００mlトルエンの混合液を２
時間で滴下、加水分解した。分液操作により水層を除去
したのち、有機層をエバポレータにより溶媒留去した。
その濃縮液を減圧下２００℃で２時間加熱し、重合させ
た。重合物にアセトニトリル２００ｇを加えて溶解し、
その溶液中に６０℃以下でトリメチルシリルアイオダイ
ド２４０ｇを滴下し、６０℃で１０時間反応させた。反
応終了後水２００ｇを加えて加水分解したのち、デカン
トによりポリマー層を得た。そのポリマー層を真空乾燥
することにより、ポリｏ−ヒドロキシフェニルプロピル
シルセスキオキサン１９２ｇが得られた。 ｂ）ｐ−ヒドロキシフェニルエチルシルセスキオキサン ａ）のｏ−メトキシフェニルプロピルトリクロロシラン
の代りにｐ−メトキシフェニルエチルトリクロロシラン
を使用した他は合成例１ａ）と同様に行ったところ、ポ
リｐ−ヒドロキシフェニルエチルシルセスキオキサンが
１８６ｇ得られた。 ｃ）ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン ｏ−メトキシフェニルプロピルトリクロロシランの代り
にｐ−エトキシベンジルトリクロロシランを使用した他
は合成例１ａ）と同様に行ったところ、ポリｐ−ヒドロ
キシベンジルシルセスオキサンが１６５ｇ得られた。
【００１７】合成例２ ポリヒドロキシフェニルアルキルシルセスキオキサンの
ｔ−ブチルカーボネート化 ポリヒドロキシベンジルシルセスキオキサン〔合成例１
ｃ）〕７ｇをピリジン４０mlに溶解させ４５℃でかくは
んしながら二炭酸ジ−ｔ−ブチルを１ｇ（約２０mole
％）添加した。添加と同時にガスが発生するが、Ｎ2 気
流中で１時間反応させた。濃塩酸２０ｇを含む水１リッ
トルに反応液を滴下し、白色の沈殿を得た。ろ過したの
ち、アセトン５０mlに沈殿を溶解させ、水１リットルに
滴下した。沈殿をろ過したのち、４０℃以下で真空乾燥
したところ、ｔ−ブチルカーボネート化された、ポリヒ
ドロキシベンジルシルセスキオキサンが７ｇ得られた。
ｔ−ブチルカーボネート化 ポリヒドロキシベンジルシルセスキオキサン〔合成例１
ｃ）〕７ｇをピリジン４０mlに溶解させ４５℃でかくは
んしながら二炭酸ジ−ｔ−ブチルを１ｇ（約２０mole
％）添加した。添加と同時にガスが発生するが、Ｎ2 気
流中で１時間反応させた。濃塩酸２０ｇを含む水１リッ
トルに反応液を滴下し、白色の沈殿を得た。ろ過したの
ち、アセトン５０mlに沈殿を溶解させ、水１リットルに
滴下した。沈殿をろ過したのち、４０℃以下で真空乾燥
したところ、ｔ−ブチルカーボネート化された、ポリヒ
ドロキシベンジルシルセスキオキサンが７ｇ得られた。
【００１８】
【実施例】本発明を以下の実施例でより具体的に説明す
るが、本発明はこれら実施例に限定されない。
るが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【００１９】実施例１ ベース樹脂（合成例２） ９６重量部 ビス（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロ メタンスルホネート ４重量部 ｏ−アミノ安息香酸 ０．６重量部 １−エトキシ−２−プロパノール ７００重量部 からなるレジスト溶液をシリコン基板に２０００ｒｐｍ
でスピン塗布し、ホットプレート上にて８５℃で１分間
プリベークした。膜厚は０．４μｍであった。ＫｒＦエ
キシマレーザあるいは加速電圧３０ｋＶの電子線で描画
したのち、８５℃で２分間ＰＥＢを行った。２．４％の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の
水溶液で１分間現像を行い、水で３０秒間リンスした。
ポジ型の特性を示し、ＤO 感度は８μＣ／ｃｍ2 であっ
た。電子線に代えて、遠紫外線であるＫｒＦエキシマレ
ーザ光（波長２４８nm）で評価した場合のＤO感度は２
５ｍＪ／ｃｍ2 であった。ＰＥＢを８５℃で５分間行っ
た場合は、電子線感度は５．５μＣ／ｃｍ2 であった。
ここで用いたベース樹脂は、現像液に対して３５nm／ｓ
の溶解速度を示した。本レジストは未露光部は約１．５
nm／ｓの溶解速度を有し、露光部はＰＥＢ後、２３nm／
ｓの溶解速度を有した。ＫｒＦエキシマレーザ露光で
は、０．２５μｍライン＆スペースパタンやホールパタ
ンが解像し、垂直な側壁を持つパタンが形成できた。ま
た、電子線描画では０．１μｍが解像した。また、露光
後大気中３０分間放置した後熱処理（ＰＥＢ）しても、
レジスト特性に変化は認められなかった。
でスピン塗布し、ホットプレート上にて８５℃で１分間
プリベークした。膜厚は０．４μｍであった。ＫｒＦエ
キシマレーザあるいは加速電圧３０ｋＶの電子線で描画
したのち、８５℃で２分間ＰＥＢを行った。２．４％の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の
水溶液で１分間現像を行い、水で３０秒間リンスした。
ポジ型の特性を示し、ＤO 感度は８μＣ／ｃｍ2 であっ
た。電子線に代えて、遠紫外線であるＫｒＦエキシマレ
ーザ光（波長２４８nm）で評価した場合のＤO感度は２
５ｍＪ／ｃｍ2 であった。ＰＥＢを８５℃で５分間行っ
た場合は、電子線感度は５．５μＣ／ｃｍ2 であった。
ここで用いたベース樹脂は、現像液に対して３５nm／ｓ
の溶解速度を示した。本レジストは未露光部は約１．５
nm／ｓの溶解速度を有し、露光部はＰＥＢ後、２３nm／
ｓの溶解速度を有した。ＫｒＦエキシマレーザ露光で
は、０．２５μｍライン＆スペースパタンやホールパタ
ンが解像し、垂直な側壁を持つパタンが形成できた。ま
た、電子線描画では０．１μｍが解像した。また、露光
後大気中３０分間放置した後熱処理（ＰＥＢ）しても、
レジスト特性に変化は認められなかった。
【００２０】実施例２〜９ 実施例１における窒素含有化合物ｏ−アミノ安息香酸に
代えて、下記表１に示す窒素含有化合物を使用し、実施
例１と同様の方法でＫｒＦレジスト特性を評価した。解
像性については、いずれも０．２５μｍ幅のパタンをＫ
ｒＦエキシマレーザで分離解像できた。また、Ｎ−メチ
ルピロリドンあるいはアニリン以外はＰＥＤの問題もな
いことが確認された。Ｎ−メチルピロリドンとアニリン
は露光後３０分間放置すると“Ｔ−トップ”形状になる
ことが確認されたが、程度は前者の方が優れていた。
代えて、下記表１に示す窒素含有化合物を使用し、実施
例１と同様の方法でＫｒＦレジスト特性を評価した。解
像性については、いずれも０．２５μｍ幅のパタンをＫ
ｒＦエキシマレーザで分離解像できた。また、Ｎ−メチ
ルピロリドンあるいはアニリン以外はＰＥＤの問題もな
いことが確認された。Ｎ−メチルピロリドンとアニリン
は露光後３０分間放置すると“Ｔ−トップ”形状になる
ことが確認されたが、程度は前者の方が優れていた。
【００２１】
【表１】
【００２２】実施例１０ 実施例１のオニウム塩ビス（ｔ−ブチルフェニル）ヨー
ドニウムトリフルオロメタンスルホネートに代えて、ジ
フェニル（ｔ−ブチルオキシフェニル）スルホニウムト
リフルオロメタンスルホネートを用いて、実施例１と同
様の方法でレジスト特性を評価した。実施例１と同じレ
ジスト特性が得られた。
ドニウムトリフルオロメタンスルホネートに代えて、ジ
フェニル（ｔ−ブチルオキシフェニル）スルホニウムト
リフルオロメタンスルホネートを用いて、実施例１と同
様の方法でレジスト特性を評価した。実施例１と同じレ
ジスト特性が得られた。
【００２３】実施例１１〜１３ ベース樹脂、オニウム塩（実施例１と同じ）を含むレジ
スト溶液を用い、各成分の分率を変えて、ＫｒＦエキシ
マレーザによるレジスト特性を検討した。下記表２に結
果を示す。基本的には、８５℃で２分間ＰＥＢし、現像
は２．４％ＴＭＡＨ水溶液を用いて１分間行った。いず
れも、０．２５μｍ幅のパタンが解像できた。ＰＥＤの
問題もないことが確認された。
スト溶液を用い、各成分の分率を変えて、ＫｒＦエキシ
マレーザによるレジスト特性を検討した。下記表２に結
果を示す。基本的には、８５℃で２分間ＰＥＢし、現像
は２．４％ＴＭＡＨ水溶液を用いて１分間行った。いず
れも、０．２５μｍ幅のパタンが解像できた。ＰＥＤの
問題もないことが確認された。
【００２４】
【表２】
【００２５】実施例１４ ベース樹脂（合成例２） ８２重量部 ポリメチルシルセスキオキサン １４重量部 ビス（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフル オロメタンスルホネート ４重量部 ｏ−アミノ安息香酸 ０．６重量部 ２−エトキシプロパノール １０００重量部 からなるレジスト溶液をシリコン基板に３０００ｒｐｍ
でスピン塗布し、ホットプレート上にて８５℃で１分間
プリベークした。膜厚は０．２μｍであった。ＫｒＦエ
キシマレーザあるいは加速電圧３０ｋＶの電子線で描画
したのち、８５℃で２分間ＰＥＢを行った。２．４％の
ＴＭＡＨの水溶液で１分間現像を行い、水で３０秒間リ
ンスした。ポジ型の特性を示し、ＤO 感度は１０μＣ／
ｃｍ2 であった。電子線に代えて、遠紫外線であるＫｒ
Ｆエキシマレーザ光（波長２４８nm）で評価した場合の
ＤO 感度は３５ｍＪ／ｃｍ2 であった。ＫｒＦエキシマ
レーザ露光では、０．２５μｍライン＆スペースパタン
やホールパタンが解像し、垂直な側壁を持つパタンが形
成できた。また、電子線描画では０．１μｍが解像し
た。ＰＥＤの問題のないことが確認され、酸素プラズマ
エッチング速度の選択比はラダー型ポリシロキサン添加
により４０から５０に改善された。
でスピン塗布し、ホットプレート上にて８５℃で１分間
プリベークした。膜厚は０．２μｍであった。ＫｒＦエ
キシマレーザあるいは加速電圧３０ｋＶの電子線で描画
したのち、８５℃で２分間ＰＥＢを行った。２．４％の
ＴＭＡＨの水溶液で１分間現像を行い、水で３０秒間リ
ンスした。ポジ型の特性を示し、ＤO 感度は１０μＣ／
ｃｍ2 であった。電子線に代えて、遠紫外線であるＫｒ
Ｆエキシマレーザ光（波長２４８nm）で評価した場合の
ＤO 感度は３５ｍＪ／ｃｍ2 であった。ＫｒＦエキシマ
レーザ露光では、０．２５μｍライン＆スペースパタン
やホールパタンが解像し、垂直な側壁を持つパタンが形
成できた。また、電子線描画では０．１μｍが解像し
た。ＰＥＤの問題のないことが確認され、酸素プラズマ
エッチング速度の選択比はラダー型ポリシロキサン添加
により４０から５０に改善された。
【００２６】実施例１５及び１６ 実施例１のベース樹脂に代えて、ｏ−ヒドロキシフェニ
ルプロピルシルセスキオキサン〔合成例１ａ）〕を合成
例２と同様の方法でｔＢＯＣ化したもの（実施例１
５）、ｐ−ヒドロキシフェニルエチルシルセスキオキサ
ン〔合成例１ｂ）〕を合成例２と同様の方法でｔＢＯＣ
化したもの（実施例１６）を用いて、実施例１と同様に
レジスト溶液を調整した。実施例１と同様の方法でレジ
スト特性を評価した結果、いずれも同じ感度、解像性で
あった。
ルプロピルシルセスキオキサン〔合成例１ａ）〕を合成
例２と同様の方法でｔＢＯＣ化したもの（実施例１
５）、ｐ−ヒドロキシフェニルエチルシルセスキオキサ
ン〔合成例１ｂ）〕を合成例２と同様の方法でｔＢＯＣ
化したもの（実施例１６）を用いて、実施例１と同様に
レジスト溶液を調整した。実施例１と同様の方法でレジ
スト特性を評価した結果、いずれも同じ感度、解像性で
あった。
【００２７】実施例１７ シリコンウェハに下層レジストとしてＯＦＰＲ８００
（東京応化社製）を２μｍの厚さに塗布し、２００℃で
１時間加熱し、硬化させた。この下層レジストの上に実
施例１のレジストを実施例１と同様の方法で約０．４μ
ｍ厚さで塗布し、プリベークした。実施例１と同様に電
子線あるいはＫｒＦエキシマレーザで露光及び現像し、
パタンを下層レジスト上に形成した。その後、平行平板
型スパッタエッチング装置で酸素ガスをエッチャントガ
スとしてエッチングを行った。下層レジスト上のエッチ
ンク速度が１５０ｎｍ／ｍｉｎであるのに対し実施例１
の組成のレジストは３ｎｍ／ｍｉｎ以下であった。１５
分間エッチングすることにより、レジストに覆われてい
ない部分の下層レジストは完全に消失し、２μｍ以上の
厚さの２層レジストパタンが形成できた。ＫｒＦ露光で
は０．２５μｍ、電子線露光では０．１μｍのパタンが
高アスペクト比で形成できた。このエッチング条件を以
下に示す。 ガス流量：５０ＳＣＣＭ， ガス圧：１．３Ｐａ ｒｆパワー：５０Ｗ， ｄｃバイアス：４５０Ｖ
（東京応化社製）を２μｍの厚さに塗布し、２００℃で
１時間加熱し、硬化させた。この下層レジストの上に実
施例１のレジストを実施例１と同様の方法で約０．４μ
ｍ厚さで塗布し、プリベークした。実施例１と同様に電
子線あるいはＫｒＦエキシマレーザで露光及び現像し、
パタンを下層レジスト上に形成した。その後、平行平板
型スパッタエッチング装置で酸素ガスをエッチャントガ
スとしてエッチングを行った。下層レジスト上のエッチ
ンク速度が１５０ｎｍ／ｍｉｎであるのに対し実施例１
の組成のレジストは３ｎｍ／ｍｉｎ以下であった。１５
分間エッチングすることにより、レジストに覆われてい
ない部分の下層レジストは完全に消失し、２μｍ以上の
厚さの２層レジストパタンが形成できた。ＫｒＦ露光で
は０．２５μｍ、電子線露光では０．１μｍのパタンが
高アスペクト比で形成できた。このエッチング条件を以
下に示す。 ガス流量：５０ＳＣＣＭ， ガス圧：１．３Ｐａ ｒｆパワー：５０Ｗ， ｄｃバイアス：４５０Ｖ
【００２８】
【発明の効果】本発明により得られるポジ型シリコーン
レジストは、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、
酸素プラズマエッチング耐性に優れている。また、窒素
化合物を添加しているため、微細なパタンが精度良く形
成できる。このため、下層レジスト上に本発明のレジス
トを塗布した２層レジストは微細なパタンを高アスペク
ト比で形成できる特徴を有する。これらより、特に電子
線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にＫｒＦ
エキシマレーザの露光波長での吸収が小さいため、微細
でしかも基板に対し垂直なパタンを容易に形成できる特
徴がある。
レジストは、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、
酸素プラズマエッチング耐性に優れている。また、窒素
化合物を添加しているため、微細なパタンが精度良く形
成できる。このため、下層レジスト上に本発明のレジス
トを塗布した２層レジストは微細なパタンを高アスペク
ト比で形成できる特徴を有する。これらより、特に電子
線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にＫｒＦ
エキシマレーザの露光波長での吸収が小さいため、微細
でしかも基板に対し垂直なパタンを容易に形成できる特
徴がある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/26 ５１１ Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 松田 維人 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（化１）： 【化１】 （式中ｘ、ｍはｘ＋ｍ＝１となる数であり、ｘが０にな
ることはない。またｎは１〜３の正の整数である）で表
されるシリコーンポリマー（Ａ）、オニウム塩（Ｂ）の
２成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギ
ー線感応ポジ型レジスト材料において、窒素含有化合物
（Ｃ）が添加されていることを特徴とするポジ型シリコ
ーンレジスト材料。 - 【請求項２】 請求項１に記載のレジスト材料が、ラダ
ー型ポリシロキサン（Ｄ）も添加されているものである
ことを特徴とするポジ型シリコーンレジスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6187885A JPH0829987A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | ポジ型シリコーンレジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6187885A JPH0829987A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | ポジ型シリコーンレジスト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0829987A true JPH0829987A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=16213905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6187885A Pending JPH0829987A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | ポジ型シリコーンレジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0829987A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008001782A1 (fr) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Composition de résine photosensible et procédé de formation d'un motif |
| US7416832B2 (en) | 2004-03-30 | 2008-08-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition |
| JP2009103831A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物及びその製造方法 |
| US7816072B2 (en) | 2005-05-02 | 2010-10-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method for forming resist pattern |
-
1994
- 1994-07-19 JP JP6187885A patent/JPH0829987A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7416832B2 (en) | 2004-03-30 | 2008-08-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition |
| US7816072B2 (en) | 2005-05-02 | 2010-10-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method for forming resist pattern |
| WO2008001782A1 (fr) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Composition de résine photosensible et procédé de formation d'un motif |
| JP4943428B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2012-05-30 | 東京応化工業株式会社 | 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
| JP2009103831A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物及びその製造方法 |
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