JP2009103831A - レジスト下層膜用組成物及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
しかしながら、回路基板における半導体素子等の高集積化が進むにつれて、露光工程において光マスクのパターンを正確にレジスト膜に転写することが困難となり、例えば、基板に対する微細加工プロセスにおいて、レジスト膜中に形成される光の定在波の影響により、形成されるパターンの寸法に誤差(狂い)が生じることがある。このような定在波の影響を軽減するために、レジスト膜と基板表面との間に反射防止膜が形成されている。
また、シリコン酸化膜や無機層間絶縁膜等が形成された基板を加工する際、レジストパターンがマスクとして用いられるが、パターンの微細化が進むにつれレジスト膜及び反射防止膜を薄くする必要がある。このようにレジスト膜の薄膜化が進むと、レジスト膜のマスク性能が低下するため、基板にダメージを与えずに所望の微細加工を施すことが困難になる傾向にある。
そこで、加工対象である基板の酸化膜や層間絶縁膜上に加工用下層膜を形成し、これにレジストパターンを転写し、該加工用下層膜をマスクとして用いて、酸化膜や層間絶縁膜をドライエッチングするプロセスが行われている。このような加工用下層膜は、膜厚によって反射率が変化するため、使用される膜厚に応じて反射率が最小になるように、組成等を調整することが必要となる。更に、前記加工用下層膜には、裾引き等のないレジストパターンが形成できること、レジストとの密着性に優れること、酸化膜や層間絶縁膜を加工する際に十分なマスク性があること、溶液としての保存安定性に優れること等が要求されている。
しかしながら、これまでに提案されている加工用下層膜、例えば、特定のシラン化合物の加水分解物及び/又はその縮合物を含有する組成物からなる加工用下層膜(特許文献1及び2参照)は、レジストパターンの密着性に劣る等、前記特性をすべて満たす材料ではなかった。
[1]下記式(1)で表される繰り返し単位、及び下記式(2)で表される繰り返し単位を含有する樹脂と、溶剤と、を含むことを特徴とするレジスト下層膜用組成物。
[2]前記樹脂が、下記式(3)で表される繰り返し単位を更に含有する前記[1]に記載のレジスト下層膜用組成物。
[3]前記樹脂が、下記式(4)で表される繰り返し単位を更に含有する前記[1]又は[2]に記載のレジスト下層膜用組成物。
[5]前記[1]乃至[4]のいずれかに記載のレジスト下層膜用組成物を製造する方法であって、該レジスト下層膜用組成物に用いられる樹脂を、アルコキシシランを出発原料として、有機溶媒中において、水及び触媒の存在下に加水分解及び/又は縮合させて調製する工程を有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物の製造方法。
[1]レジスト下層膜用組成物
本発明のレジスト下層膜用組成物は、下記式(1)で表される繰り返し単位[以下、「繰り返し単位(1)」という。]、及び下記式(2)で表される繰り返し単位[以下、「繰り返し単位(2)」という。]を含有する樹脂[以下、「樹脂(A)」という。]と、溶剤[以下、「溶剤(B)」という。]と、を含むことを特徴とする。
前記樹脂(A)に含有される前記繰り返し単位(1)を与える具体的な単量体としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−iso−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキシラン、テトラ−sec−ブトキシシラン、テトラ−tert−ブトキシシラン及びテトラフェノキシシラン、テトラクロロシラン、テトラアセトキシシラン、テトライソシアナートシラン等が挙げられる。これらのなかでも、反応性、物質の取り扱い容易性の観点から、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−iso−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキシラン、テトラ−sec−ブトキシシラン等が好ましい。
尚、これらの単量体は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、前記式(2)におけるnは1〜4の整数であり、好ましくは1〜3の整数である。
尚、これらの単量体は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、前記式(3)における直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等が挙げられる。
尚、これらの単量体は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
尚、これらの単量体は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記他の繰り返し単位としては、例えば、ジメチルシロキサン、ジビニルシロキサン、ジアリルシロキサン、ジフェニルシロキサン等の単量体に由来する繰り返し単位が挙げられる。尚、この他の繰り返し単位は、1種のみ含まれていてもよいし、2種以上含まれていてもよい。
また、前記繰り返し単位(2)の含有割合は、樹脂(A)に含まれる全ての繰り返し単位の合計を100モル%とした場合に、30〜99モル%であることが好ましく、より好ましくは40〜95モル%、更に好ましくは50〜90モル%である。この含有量が30モル%未満の場合には、得られるレジスト下層膜に含まれるシリコン量が少なくなり、エッチ耐性が不十分となるおそれがある。一方、99モル%を超える場合には、組成物溶液の保存安定性を悪化させるおそれがある。
また、前記繰り返し単位(4)の含有割合は、樹脂(A)に含まれる全ての繰り返し単位の合計を100モル%とした場合に、50モル%以下であることが好ましく、より好ましくは1〜30モル%、更に好ましくは1〜10モル%である。この含有量が50モル%以下である場合には、得られるレジスト下層膜の反射率を低減することができるため好ましい。
更に、前記他の繰り返し単位の含有割合は、樹脂(A)に含まれる全ての繰り返し単位の合計を100モル%とした場合に、30モル%以下であることが好ましく、より好ましくは20モル%以下、更に好ましくは1〜10モル%である。この含有量が30モル%以下である場合には、組成物溶液の保存安定性を向上させることができるため好ましい。
尚、前記樹脂(A)は、本発明のレジスト下層膜用組成物に、1種のみ含まれていてもよいし、2種以上含まれていてもよい。
前記「溶剤」としては、例えば、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、乳酸メチル等が挙げられる。これらのなかでも、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチルが好ましい。
尚、これらの溶剤(B)は、1種のみ含まれていてもよいし、2種以上含まれていてもよい。
(3−1)酸発生化合物
本発明のレジスト下層膜用組成物には、前記樹脂及び溶剤以外に、紫外光の照射及び/又は加熱により酸を発生する酸発生化合物(以下、単に「酸発生剤」ともいう。)が含まれていてもよい。
このような酸発生剤を含有する場合には、レジストを露光することにより、又は露光後に加熱することにより、レジスト下層膜中に酸が発生し、該レジスト下層膜とレジスト膜との界面に酸が供給される。その結果、レジスト膜のアルカリ現像処理において、解像度及び再現性に優れたレジストパターンを形成することができるため好ましい。
前記酸発生剤としては、紫外光照射処理を行うことによって酸を発生する化合物(以下「潜在性光酸発生剤」ともいう。)及び加熱処理を行うことによって酸を発生する化合物(以下「潜在性熱酸発生剤」ともいう。)が挙げられる。
前記潜在性光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩系光酸発生剤類、ハロゲン含有化合物系光酸発生剤類、ジアゾケトン化合物系光酸発生剤類、スルホン酸化合物系光酸発生剤類、スルホネート化合物系光酸発生剤類等が挙げられる。前記潜在性熱酸発生剤としては、例えば、スルホニウム塩、ベンゾチアゾリウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩等のオニウム塩を用いることができ、これらのなかでも、スルホニウム塩及びベンゾチアゾリウム塩が好ましい。より具体的な化合物としては、特許文献1等に記載されている化合物等が挙げられる。
また、本発明のレジスト下層膜用組成物には、レジストとの密着性及びパターン形状の向上を図るため、エポキシ基、オキセタニル基、アルキルヒドロキシル基、カルボキシル基及びエステル結合のうちの少なくとも1種を含むビニルポリマーが含まれていてもよい。尚、エポキシ基及びオキセタニル基の環状構造部における全て又は一部の水素原子は、メチル基、エチル基、フェニル基等に置換されていてもよい。また、具体的なアルキルヒドロキシル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシブチル基、ジヒドロキシエチル基、ジヒドロキシプロピル基等が挙げられる。
尚、前記ビニルポリマーが、繰り返し単位(5−1)及び(5−2)を共に含有する場合、前記一般式(5−1)におけるR1〜R5及びAは、それぞれ、前記一般式(5−2)におけるR1〜R5及びAと同一であってもよいし、異なっていてもよい。
この他の繰り返し単位を与える単量体としては、例えば、メタクリロイルプロピルトリメトキシシラン、メタクリロイルプロピルトリメトキシシラン、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、スチレン、ビニルナフタレン等が挙げられる。
また、前記ビニルポリマーの調製方法は特に限定されないが、例えば、アクリル酸と、ヒドロキシエチルメタクリレートと、t−ブトキシスチレンと、を通常のラジカル開始剤の存在下、加熱、攪拌することによって得ることができる。
また、本発明のレジスト下層膜用組成物には、硬化反応性の向上を図るため、エポキシ基、オキセタニル基、アルキルヒドロキシル基及びカルボキシル基のうちの少なくとも1種を含む多官能架橋剤が含まれていてもよい。尚、前記エポキシ基、オキセタニル基及びアルキルヒドロキシル基については、それぞれ、前述の説明をそのまま適用することができる。
尚、これらの多官能架橋剤は、単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。
また、本発明のレジスト下層膜用組成物には、低温での膜硬化性の向上を図るため、前記多官能架橋剤以外の他の架橋剤が含まれていてもよい。
前記他の架橋剤としては、テトラメトキシグリコールウリル、テトラブトキシグリコールウリル、1,4−ブタンジオールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ペンタエリストールテトラビニルエーテル等が挙げられる。これらは単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記他の架橋剤の含有量は、樹脂(A)の固形分100質量部に対して、0.01〜50質量部であることが好ましく、より好ましくは0.1〜30質量部である。
また、本発明のレジスト下層膜用組成物には、形成される塗膜の均一性及び保存安定性の向上を図るため、β−ジケトンが含まれていてもよい。
前記β−ジケトンとしては、例えば、アセチルアセトン、2,4−ヘキサンジオン、2,4−ヘプタンジオン、3,5−ヘプタンジオン、2,4−オクタンジオン、3,5−オクタンジオン、2,4−ノナンジオン、3,5−ノナンジオン、5−メチル−2,4−ヘキサンジオン、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン、1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ヘプタンジオン等が挙げられる。これらは単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記β−ジケトンの含有量は、β−ジケトンと前記溶剤(B)との合計100質量部に対して、1〜50質量部であることが好ましく、より好ましくは3〜30質量部である。
また、本発明のレジスト下層膜用組成物には、更に、コロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、有機ポリマー(但し、前記ビニルポリマーを除く)、界面活性剤等の成分が含まれていてもよい。
前記有機ポリマーとしては、例えば、ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物、糖鎖構造を有する化合物、ビニルアミド系重合体、(メタ)アクリレート化合物、芳香族ビニル化合物、デンドリマー、ポリイミド,ポリアミック酸、ポリアリーレン、ポリアミド、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、フッ素系重合体等が挙げられる。
また、前記界面活性剤としては、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、含フッ素界面活性剤等が挙げられる。
本発明のレジスト下層膜用組成物の製造方法は、アルコキシシランを出発原料として、有機溶媒中において、水及び触媒の存在下に加水分解及び/又は縮合させて、レジスト下層膜用組成物に用いられる樹脂を調製する工程を有する。より具体的には、前記出発原料を有機溶媒中に溶解し、この溶液中に水を断続的に或いは連続的に添加する。このとき、触媒は、予め有機溶媒中に溶解又は分散させておいてもよく、添加される水中に溶解又は分散させておいてもよい。また、加水分解反応及び/又は縮合反応を行うための温度は、通常、0〜100℃である。
尚、前記出発原料であるアルコキシシランとしては、前述の樹脂(A)における各繰り返し単位[前記繰り返し(1)〜(4)及び他の繰り返し単位]を与える単量体等が挙げられる。
前記有機酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、ミキミ酸、2−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸等が挙げられる。
前記無機酸としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸等が挙げられる。
前記無機塩基としては、例えば、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム等が挙げられる。
また、前記触媒は、前記樹脂(A)の固形分100質量部に対して、通常、0.001〜10質量部、好ましくは0.01〜10質量部の範囲で用いられる。
反応副生成物の除去処理の方法としては、前記アルコキシシランの加水分解物及び/又はその縮合物の反応が進行しない方法であれば特に限定されず、例えば、反応副生成物の沸点が前記有機溶媒の沸点より低いものである場合には、減圧によって留去することができる。
また、本発明のレジスト下層膜用組成物は、その固形分濃度が1〜20質量%、特に1〜15質量%であることが好ましい。前記固形分濃度を調整するため、反応副生成物を除去した後、更に前記有機溶媒を加えてもよい。
本発明のレジスト下層膜用組成物は、例えば、反射防止膜の表面に塗布することにより、この組成物の塗膜を形成し、この塗膜を加熱処理することにより、或いは、潜在性光酸発生剤を含有する場合には、紫外光の照射及び加熱処理を行うことにより、レジスト下層膜を形成することができる。
本発明のレジスト下層用組成物を塗布する方法としては、スピンコート法、ロールコート法、ディップ法等を利用することができる。また、形成される塗膜の加熱温度は、通常50〜450℃であり、加熱処理後の膜厚は、通常10〜200nmである。
前記のようにして形成されたレジスト下層膜は、レジスト膜との密着性が高く、レジスト現像液及びレジストを除去するための酸素アッシングに対して耐性を有し、再現性の高いレジストパターンが得られる。
<合成例1(A−1)>
無水マレイン酸0.54gを水10.8gに加熱溶解させてマレイン酸水溶液を調製した。次に、テトラメトキシシラン19.1g、4−t−ブトキシフェネチルトリエトキシシラン5.3g、及びプロピレングリコールモノプロピルエーテル53.5gをフラスコに入れた。このフラスコに、冷却管と先に調製しておいたマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートとをセットし、オイルバスにて60℃で加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレータにセットし、反応中生成したメタノールを除去して反応生成物を得た。
得られた反応生成物(固形分)の分子量(Mw)は3500であった。以下、この反応生成物を(A−1)とする。
無水マレイン酸1.54gを水15.8gに加熱溶解させてマレイン酸水溶液を調製した。次に、テトラメトキシシラン19.1g、メチルトリメトキシシラン10.5g、4−t−ブトキシベンジルトリエトキシシラン5.3g、及びエタノール234.5gをフラスコに入れた。このフラスコに、冷却管と先に調製しておいたマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートとをセットし、オイルバスにて60℃で加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、塩酸1.0gを入れ、60℃で1時間反応させた。次いで、反応液を冷却後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート500gを入れて、更にエバポレータにセットし、反応中生成したメタノール、及びエタノールを除去した。その後、反応液に水500gを入れ、酸を抽出し、洗浄を行った。その後、更にエバポレータにより濃縮を行った。
得られた反応生成物(固形分)の分子量(Mw)は5500であった。以下、この反応生成物を(A−2)とする。
無水マレイン酸1.54gを水15.8gに加熱溶解させてマレイン酸水溶液を調製した。次に、テトラメトキシシラン19.1g、メチルトリメトキシシラン10.5g、4−t−ブトキシカルボニルフェネチルトリエトキシシラン1.3g、フェニルトリエトキシシラン3.4g、及びエタノール234.5gをフラスコに入れた。このフラスコに、冷却管と先に調製しておいたマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートとをセットし、オイルバスにて60℃で加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、塩酸1.0gを入れ、60℃で1時間反応させた。次いで、反応液を冷却後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート500gを入れて、更にエバポレータにセットし、反応中生成したメタノール、及びエタノールを除去した。その後、反応液に水500gを入れ、酸を抽出し、洗浄を行った。その後、更にエバポレータにより濃縮を行った。
得られた反応生成物(固形分)の分子量(Mw)は7800であった。以下、この反応生成物を(A−3)とする。
無水マレイン酸1.54gを水15.8gに加熱溶解させてマレイン酸水溶液を調製した。次に、テトラメトキシシラン19.1g、メチルトリメトキシシラン10.5g、4−t−ブトキシカルボニルオキシフェネチルトリエトキシシラン1.3g、フェニルトリエトキシシラン3.4g、及びエタノール234.5gをフラスコに入れた。このフラスコに、冷却管と先に調製しておいたマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートとをセットし、オイルバスにて60℃で加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、塩酸1.0gを入れ、60℃で1時間反応させた。反応液を冷却後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート500gを入れて、更にエバポレータにセットし、反応中生成したメタノール、及びエタノールを除去した。その後、反応液に水500gを入れ、酸を抽出し、洗浄を行った。その後、更にエバポレータにより濃縮を行った。
得られた反応生成物(固形分)の分子量(Mw)は7200であった。以下、この反応生成物を(A−4)とする。
無水マレイン酸0.54gを水10.8gに加熱溶解させてマレイン酸水溶液を調製した。次に、メチルトリメトキシシラン19.1g、フェニルトリエトキシシラン5.3g、及びプロピレングリコールモノプロピルエーテル53.5gをフラスコに入れた。このフラスコに、冷却管と先に調製しておいたマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートとをセットし、オイルバスにて60℃で加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレータにセットし、反応中生成したメタノールを除去して反応生成物を得た。
得られた生成物(固形分)の分子量(Mw)は1500であった。以下、この反応生成物を、比較用の反応生成物(a−1)とする。
前記[1]で得られた各反応生成物を用いて、下記のように、実施例1〜5及び比較例1のレジスト下層膜用組成物を調製した。
合成例1で得られた反応生成物(A−1)14.89gを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート45.18に溶解させた後、この溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過して、実施例1のレジスト下層膜用組成物を得た。
前記反応生成物(A−1)の代わりに、前記合成例2で得られた反応生成物(A−2)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして実施例2のレジスト下層膜用組成物を得た。
前記反応生成物(A−1)の代わりに、前記合成例3で得られた反応生成物(A−3)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして実施例3のレジスト下層膜用組成物を得た。
前記反応生成物(A−1)の代わりに、前記合成例4で得られた反応生成物(A−4)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして実施例4のレジスト下層膜用組成物を得た。
合成例1で得られた反応生成物(A−1)14.89g、及びジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩(酸発生剤)0.05gを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート45.18gに溶解させた後、この溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過して、実施例5のレジスト下層膜用組成物を得た。
前記合成例1で得られた反応生成物(A−1)の代わりに、前記合成例5で得られた比較用の反応生成物(a−1)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例1のレジスト下層膜用組成物を得た。
前記実施例及び比較例で得られたレジスト下層膜用組成物について、以下の評価を行った。結果を表1に示す。
(1)レジストの密着性
試料のレジスト下層膜用組成物からなるレジスト下層膜と、該下層膜上に形成したレジスト膜との密着性を以下のようにして評価した。
まず、シリコンウェハの表面に、反射防止膜用材料「NFC HM8005」〔JSR(株)製〕をスピンコーターによって塗布し、250℃のホットプレート上で1分間乾燥させることにより、膜厚が300nmの反射防止膜を形成したものを基板として用いた。この基板の反射防止膜表面に、レジスト下層膜用組成物をスピンコーターによって塗布し、250℃のホットプレート上で1分間焼成して、膜厚が45nmのレジスト下層膜を形成した。その後、レジスト下層膜にHMDS(ヘキサメチルジシラザン)処理を150℃×60秒の条件で行った。
次に、前記レジスト下層膜上にレジスト材料「AIM5056JN」〔JSR(株)製〕を塗布し、110℃で90秒間乾燥させた。このときのレジストの膜厚は120nmに制御した。次いで、ArFエキシマレーザー照射装置〔(株)ニコン製〕を用い、ArFエキシマレーザー(波長193nm)を0.09μmのライン・アンド・スペースパターンを有する石英製マスクを介して基板に32mJ照射した後、基板を110℃で90秒間加熱した。次いで、2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で30秒間現像処理し、レジストパターンを形成した。
前記のようにして基板上に形成されたレジストパターンを走査型電子顕微鏡(SEM)で観察し、該レジストパターンの現像剥離が生じていない場合を「○」とし、現像剥離が生じている場合を「×」として評価した。
前記のようにして形成したレジストパターンをSEMで観察し、レーザーが照射された箇所にレジストの膜残りが生じておらず、光マスクの0.09μmのライン・アンド・スペースのパターンが忠実に再現されている場合を「○」とし、忠実に再現性されていない場合を「×」として評価した。
前記現像処理工程において、基板を現像液に浸漬する前のレジスト下層膜の膜厚と、浸漬した後のレジスト下層膜の膜厚とを比較し、両者の差が1nm以下である場合を「○」とし、1nmを超える場合を「×」として評価した。
前記のようにして形成したレジスト下層膜を、エッチング装置「EXAM」(神鋼精機社製)を用いて、300Wで15秒間酸素アッシング処理を行い、処理前のレジスト下層膜の膜厚と処理後のレジスト下層膜の膜厚との差が5nm以下である場合を「○」とし、5nmを超える場合を「×」として評価した。
シリコンウェハの表面に、スピンコーターを用いて、回転数2000rpm、20秒間の条件でレジスト下層膜用組成物を塗布し、その後300℃のホットプレート上で1分間乾燥させることによりレジスト下層膜を形成した。得られたレジスト下層膜について、光学式膜厚計(KLA−Tencor社製、「UV−1280SE」)を用いて50点の位置で膜厚を測定し、その平均膜厚を求めた。
また、温度40℃で1ヶ月間保存した後のレジスト下層膜用組成物を用いて、前記と同様にしてレジスト下層膜を形成して膜厚を測定し、その平均膜厚を求めた。
保存前のレジスト下層膜用組成物による下層膜の平均膜厚T0と保存後のレジスト下層膜用組成物による下層膜の平均膜厚Tとの差(T−T0)を求め、平均膜厚T0に対するその差の大きさの割合〔(T−T0)/T0〕を膜厚変化率として算出し、その値が10%以下である場合を「○」、10%を超える場合を「×」として評価した。
Claims (5)
- 紫外光の照射及び/又は加熱により酸を発生する酸発生化合物を更に含有する請求項1乃至3のいずれかに記載のレジスト下層膜用組成物。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載のレジスト下層膜用組成物を製造する方法であって、
該レジスト下層膜用組成物に用いられる樹脂を、アルコキシシランを出発原料として、有機溶媒中において、水及び触媒の存在下に加水分解及び/又は縮合させて調製する工程を有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物の製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009199061A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-09-03 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | オーバーコートされたフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物 |
JP2013046005A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2013051558A1 (ja) * | 2011-10-06 | 2013-04-11 | 日産化学工業株式会社 | ケイ素含有euvレジスト下層膜形成組成物 |
WO2013168610A1 (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-14 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成組成物 |
JPWO2013146600A1 (ja) * | 2012-03-27 | 2015-12-14 | 日産化学工業株式会社 | 自己組織化膜の下層膜形成組成物 |
WO2016080217A1 (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-26 | 日産化学工業株式会社 | 湿式除去が可能なシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
WO2016121686A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | 日産化学工業株式会社 | カーボネート骨格を有する加水分解性シランを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 |
KR102062920B1 (ko) | 2012-04-23 | 2020-01-06 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 규소 화합물, 규소 함유 화합물, 이것을 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI416262B (zh) * | 2009-03-13 | 2013-11-21 | Jsr Corp | A silicon film-forming composition, a silicon-containing film, and a pattern-forming method |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01123229A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Toray Silicone Co Ltd | パターン形成用材料およびパターン形成方法 |
JPH0829987A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポジ型シリコーンレジスト材料 |
JPH08160605A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-06-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト材料 |
JP2004341479A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-12-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 反射防止膜形成用組成物及びそれに用いるラダー型シリコーン共重合体 |
JP2005221534A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 珪素含有レジスト下層膜材料及びパターン形成方法 |
JP2005336497A (ja) * | 2002-12-02 | 2005-12-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規なラダー型シリコーン共重合体 |
WO2006093057A1 (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-08 | Jsr Corporation | レジスト下層膜用組成物およびその製造方法 |
JP2007218943A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 基板及びパターン形成方法 |
-
2007
- 2007-10-22 JP JP2007274332A patent/JP4946787B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01123229A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Toray Silicone Co Ltd | パターン形成用材料およびパターン形成方法 |
JPH0829987A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポジ型シリコーンレジスト材料 |
JPH08160605A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-06-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト材料 |
JP2004341479A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-12-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 反射防止膜形成用組成物及びそれに用いるラダー型シリコーン共重合体 |
JP2005336497A (ja) * | 2002-12-02 | 2005-12-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規なラダー型シリコーン共重合体 |
JP2005221534A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 珪素含有レジスト下層膜材料及びパターン形成方法 |
WO2006093057A1 (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-08 | Jsr Corporation | レジスト下層膜用組成物およびその製造方法 |
JP2007218943A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 基板及びパターン形成方法 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009199061A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-09-03 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | オーバーコートされたフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物 |
JP2013046005A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2013051558A1 (ja) * | 2011-10-06 | 2013-04-11 | 日産化学工業株式会社 | ケイ素含有euvレジスト下層膜形成組成物 |
CN103827752A (zh) * | 2011-10-06 | 2014-05-28 | 日产化学工业株式会社 | 形成含有硅的euv抗蚀剂下层膜的组合物 |
KR20140089350A (ko) * | 2011-10-06 | 2014-07-14 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 규소 함유 euv 레지스트 하층막 형성 조성물 |
JPWO2013051558A1 (ja) * | 2011-10-06 | 2015-03-30 | 日産化学工業株式会社 | ケイ素含有euvレジスト下層膜形成組成物 |
KR101943023B1 (ko) | 2011-10-06 | 2019-01-28 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 규소 함유 euv 레지스트 하층막 형성 조성물 |
US9337052B2 (en) | 2011-10-06 | 2016-05-10 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Silicon-containing EUV resist underlayer film forming composition |
JPWO2013146600A1 (ja) * | 2012-03-27 | 2015-12-14 | 日産化学工業株式会社 | 自己組織化膜の下層膜形成組成物 |
KR102062920B1 (ko) | 2012-04-23 | 2020-01-06 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 규소 화합물, 규소 함유 화합물, 이것을 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 |
US9250525B2 (en) | 2012-05-07 | 2016-02-02 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist underlayer film-forming composition |
JPWO2013168610A1 (ja) * | 2012-05-07 | 2016-01-07 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成組成物 |
US9212255B2 (en) | 2012-05-07 | 2015-12-15 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist underlayer film-forming composition |
WO2013168610A1 (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-14 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成組成物 |
WO2016080217A1 (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-26 | 日産化学工業株式会社 | 湿式除去が可能なシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
US11815815B2 (en) | 2014-11-19 | 2023-11-14 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming silicon-containing resist underlayer film removable by wet process |
WO2016121686A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | 日産化学工業株式会社 | カーボネート骨格を有する加水分解性シランを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 |
KR20170107959A (ko) * | 2015-01-30 | 2017-09-26 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 카보네이트 골격을 가지는 가수분해성 실란을 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물 |
JPWO2016121686A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2017-11-09 | 日産化学工業株式会社 | カーボネート骨格を有する加水分解性シランを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 |
US10838303B2 (en) | 2015-01-30 | 2020-11-17 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist underlayer film forming composition for lithography containing hydrolyzable silane having carbonate skeleton |
KR102426422B1 (ko) | 2015-01-30 | 2022-07-28 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 카보네이트 골격을 가지는 가수분해성 실란을 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물 |
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