KR19990030195A - 감광성 수지조성물, 이 조성물을 사용한 패턴 형성방법 및 전자장치의 제조방법 - Google Patents

감광성 수지조성물, 이 조성물을 사용한 패턴 형성방법 및 전자장치의 제조방법 Download PDF

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야스나리 마에카와
다카오 미와
다쿠미 우에노
요시아키 오카베
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가나이 쓰도무
가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
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Abstract

본 발명의 목적은, ArF 엑시머레이저의 파장 193nm을 포함하는 원자외선 영역에서 투명하고 또한 드라이 에칭 내성이 높은 화학구조를 가지면서, 팽윤이 없는 해상성능이 뛰어난 패턴형성방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명에 있어서는, 고리환식 탄화수소 구조 및 알칼리현상액에 의해 가수분해되는 유기기를 가지는 카르복실 폴리머와, 요소기 또는 아미노피라질기를 가지는 산 분해성 물질 또는 감방사선 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물을 사용한다.

Description

감광성 수지 조성물, 이 조성물을 사용한 패턴형성방법 및 전자장치의 제조방법
본 발명은 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이들을 사용한 패턴형성방법 및 이들을 사용한 전자장치의 제법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 포지티브형 포토레지스트 조성물은 카르복실기를 가지는 폴리머의 알칼리 현상액 중에서의 용해를 저해하는, 요소기 또는 아미노피라질기를 가지는 산 분해성 물질 또는 감방사선 물질을 함유하는 것을 특징으로 한다. 카르복실기를 가지는 폴리머는, 초미세가공에 필요한 ArF 엑시머레이저용 포토레지스트재료로서 유용하다.
포토리소그래피에 있어서는 반도체 집적회로의 고집적화에 따라, 서브미크론의 패턴형성이 요구되고 있다. 그 때문에 노광장치의 광원도 단파장화가 필요하게 되고, 최근에는 ArF 레이저(193nm)의 검토가 시작되고 있다.
종래의 레지스트(노볼락 수지, 폴리비닐페놀)는 방향족 고리(環)를 함유하고 있고, ArF 레이저의 파장에 대한 투명성이 낮다. ArF 레이저에 대하여 투명한 레지스트로서, 화학증폭형 레지스트인 메타크릴산 t-부틸에스테르 공중합체(일본국 특공 평2-27660호)가 제안되어 있다. 그러나, 이 레지스트는 드라이 에칭 내성이 부족하다. 원자외선에 대하여 투명하고, 방향족 고리 정도의 드라이 에칭 내성을 가지는 레지스트로서는, 고리환식 탄화수소기를 측쇄에 가지는 폴리메타크릴산 공중합체(일본국 특공 평4-39665호)가 제안되어 있다.
고리환식 탄화수소기를 측쇄에 가지는 폴리메타크릴산 공중합체에 있어서는, 드라이 에칭 내성을 개선하기 위하여 폴리머 중의 고리환식 탄화수소 구조의 비율을 증가시키면, 현상시에 팽윤(膨潤), 박리 등이 발생하므로, 충분한 해상도, 감도, 애스펙트비가 얻어지지 않고 있다.
따라서, 본 발명은 상기 문제를 해결할 수 있는 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 이들을 사용한 패턴형성방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은, 상기의 목적을 달성하기 위하여, 아래의 기술적 수단이 사용되고 있다.
그 제 1 수단은, 고리환식 탄화수소 구조를 가지는 카르복실 폴리머와, 방사선에 의해 산을 발생하는 물질과, 화학식 1
(식 중, A1는 주기율표의 제VI족 원자, R1또는 R2는 각각 탄소수 3 내지 50의 유기기로서, 적어도 한쪽에 산으로 탈보호되는 히드록시기 또는/및 카르복실기를 가진다)로 표시되는 물질 또는/및 화학식 2
(식 중, A2는 산소원자, 황원자 또는 질소원자, R3또는 R4는 각각 탄소수 3 내지 40의 유기기로서, 적어도 한쪽에 산으로 탈보호되는 히드록시기 또는/및 카르복실기를 가진다)로 표시되는 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선 수지 조성물.
제 2 수단은 고리환식 탄화수소 구조를 가지는 카르복실 폴리머와, 화학식 3
(식 중, A3은 주기율표의 제VI족 원자, R5또는 R6는 각각 탄소수 3 내지 50의 유기기)으로 표시되는 감방사선 물질 또는/및 화학식 4
(식 중, A4는 산소원자, 황원자 또는 질소원자, R7또는 R8는 각각 탄소수 3 내지 40의 유기기)로 표시되는 감방사선 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선 수지 조성물.
제 3 수단은 고리환식 탄화수소 구조 및 알칼리 현상액에 의해 가수분해되는 유기기를 가지는 카르복실 폴리머와, 방사선에 의해 산을 발생하는 물질과, 화학식 1
(화학식 1)
(식 중, A1은 주기율표의 제VI족 원자, R1또는 R2는 각각 탄소수 3 내지 50의 유기기로서, 적어도 한쪽에 산으로 탈보호되는 히드록시기 또는/및 카르복실기를 가진다)로 표시되는 물질 또는/및 화학식 2
(화학식 2)
(식 중, A2는 산소원자, 황원자 또는 질소원자, R3또는 R4는 각각 탄소수 3 내지 40의 유기기로서, 적어도 한쪽에 산으로 탈보호되는 히드록시기 또는/및 카르복실기를 가진다)로 표시되는 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선 수지 조성물.
제 4 수단은, 고리환식 탄화수소 구조 및 알칼리 현상액에 의해 가수분해되는 유기기를 가지는 카르복실 폴리머와, 화학식 3
(화학식 3)
(식 중, A3는 주기율표의 제VI족 원자, R5또는 R6는 각각 탄소수 3 내지 50의 유기기)로 표시되는 감방사선 물질 또는/및 화학식 4
(화학식 4)
(식 중, A4는 산소원자, 황원자 또는 질소원자, R7또는 R8는 각각 탄소수 3 내지 40의 유기기)로 표시되는 감방사선 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선 수지 조성물.
제 5 수단은 화학식 1이 화학식 5
(식 중, A5는 산소원자 또는 황원자, A6및 A7는 각각 산소원자 또는 카르보닐옥시기, P1및 P2는 각각 산 분해성 유기기, R9또는 R10은 각각 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환(複素環)기, 고리환식 탄화수소기, a 또는 b는 1 내지 5를 나타낸다)로 표시되는 화합물을 전 수지량 100중량부에 대하여 1 내지 100중량부 함유하는 것을 특징으로 하는 청구범위 제 1 항 및 제 3 항에 기재된 감방사선 수지 조성물.
제 6 수단은 화학식 1이 화학식 6
(식 중, A8은 산소원자 또는 황원자, A9는 산소원자 또는 카르보닐옥시기, P3은 산 분해성 유기기, R11은 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, R12는 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, c는 1 내지 10, d는 1 내지 5를 나타낸다)인 것을 특징으로 하는 청구범위 제 1 항 및 제 3 항에 기재된 감방사선 수지 조성물.
제 7 수단은 화학식 2가 화학식 7
(식 중, A10또는 A11은 각각 산소원자 또는 카르보닐옥시기, A12는 산소원자, 황원자 또는 질소원자, A13은 메틸렌기, P4또는 P5는 각각 산 분해성 유기기, R13은 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, e+g는 1 내지 5, f는 1 내지 5, h는 0 내지 5를 나타낸다)인 것을 특징으로 하는 청구범위 제 1 항 및 제 3 항에 기재된 감방사선 수지 조성물.
제 8 수단은 화학식 3이 화학식 8
(식 중, A14는 산소원자 또는 황원자, A15및 A16은 각각 산소원자 또는 아미노기, Q1및 Q2는 각각 감방사선 유기기, R14또는 R15는 각각 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, i 또는 j는 1 내지 5를 나타낸다)로 표시되는 화합물을 전 수지량 100중량부에 대하여 1 내지 100중량부 함유하는 것을 특징으로 하는 청구범위 제 2 항 및 제 4 항에 기재된 감방사선 수지 조성물.
제 9 수단은 화학식 3이 화학식 9
(식 중, A17은 산소원자 또는 황원자, A18은 산소원자 또는 아미노기, Q3은 감방사선 유기기, R16은 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, R17은 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, k는 1 내지 10, l은 1 내지 5를 나타낸다)인 것을 특징으로 하는 청구범위 제 2 항 및 제 4 항에 기재된 감방사선 수지 조성물.
제 10 수단은 화학식 4가 화학식 10
(식 중, A19또는 A20은 각각 산소원자 또는 아미노기, A21은 산소원자, 황원자 또는 질소원자, A22는 메틸렌기, Q4또는 Q5는 각각 감방사선 유기기, R18은 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, m+o는 1 내지 5, n은 1 내지 5, p는 0 내지 5를 나타낸다)인 것을 특징으로 하는 청구범위 제 2 항 및 제 4 항에 기재된 감방사선 수지 조성물.
제 11 수단은, 청구범위 제 1 항 내지 제 10 항에 기재된 감방사선 수지 조성물을 기판 위에 도포하여 건조하는 공정, 포토마스크를 거쳐 전자파를 조사하는 공정, 상기 감방사선 수지 조성물을 알칼리성 현상액으로 현상하여 패턴형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
제 12 수단은, 청구범위 제 1 항 내지 제 10 항에 기재된 감방사선 수지 조성물을, 전자회로의 회로형성면 또는 보호막형성면에 도포하여 건조하는 공정, 포토마스크를 거쳐 전자파를 조사하는 공정, 상기 감방사선 수지 조성물을 알칼리성 현상액으로 현상하여 패턴형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치의 제법.
본 발명에 있어서, 요소기 또는 아미노피라질기를 가지는 산 분해성 물질 또는 감방사선 물질은 카르복실기를 가지는 폴리머(카르복실 폴리머)의 용해제어제로서 작용하고 있다. 지금까지 카르복실 폴리머에 대하여 높은 용해저해효과를 나타내는 화합물은 알려져 있지 않다. 따라서, 카르복실 폴리머를 가지는 포토레지스트에서는, 현상중에 미(未)노광부, 노광부에 팽윤이 일어나고, 감도, 해상도가 불충분하였다.
본 발명에 있어서의 산 분해성 물질 또는 감방사선 물질은, 카르복실기 2분자와 수소결합을 형성할 수 있는 작용기(용해저해부위)를 가지기 때문에, 특히 미노광부의 용해저해효과가 현저하게 나타난다. 방사선의 조사에 의하여, 감방사선 물질은 극성이 높은 카르복실기를 생성하고, 카르복실 폴리머에 대한 용해저해효과가 소실된다. 즉 카르복실기를 가지는 폴리머의 알칼리용액에 대한 용해성이 향상하여 포지티브상이 얻어진다. 한편, 산 분해성 물질은, 방사선의 조사에 의하여, 산발생제로부터 생성한 산에 의하여 보호기가 분해되고, 극성이 높은 히드록시기 또는 카르복실기가 생성된다. 따라서, 감방사선 물질의 경우와 마찬가지로 카르복실 폴리머에 대한 용해저해효과가 소실되고, 알칼리용액에 대한 용해성이 향상되어 포지티브상이 얻어진다. 상기와 같은 폴리머의 카르복실기와 강하게 상호 작용하는 신규 산 분해성 물질, 감방사선 물질을 사용하면, 포지티브형 포토레지스트의 고감도화, 고해상도화를 실현할 수 있다.
본 발명은, 요소기 또는 아미노피라질기를 가지는 산 분해성 물질 또는 감방사선 물질의 카르복실 폴리머에 대한 높은 용해저해효과를 이용하는 것이다. 따라서, 카르복실 폴리머와 조합하는 물질은, 요소 골격, 2-아미노피라진 골격을 가지고 있으면, 그 산 분해성 부위, 감방사선 부위는 특별히 제한되는 것이 아니다.
화학식 1에 있어서, R1, R2는 탄소수 3 내지 50의 유기기이고, 적어도 그 한쪽에 산 분해성기를 가진다. 화학식 2에 있어서, R3, R4는 탄소수 3 내지 40의 유기기이고, 적어도 그 한쪽에 산 분해성기를 가진다. 화학식 3에 있어서, R5, R6은 탄소수 3 내지 50의 유기기이고, 적어도 그 한쪽에 감방사선기를 가진다. 화학식 4에 있어서, R7, R8은 탄소수 3 내지 40의 유기기이고, 적어도 그 한쪽에 감방사선 물질을 가진다.
화학식 1, 화학식 3, 화학식 5, 화학식 6, 화학식 8, 화학식 9에 있어서, A1, A3, A5, A8, A14, A17은 카르복실기의 수소원자 2개와 수소결합할 수 있는 원자이다. 상기 원자로서는, 주기율표의 제VI족 원자인 산소원자, 황원자, 셀렌원자, 텔루르원자를 들 수 있다. 상기 화학식 1, 화학식 3, 화학식 5, 화학식 6, 화학식 8, 화학식 9의 용해저해부위의 구체적인 구조로서는, 요소 및 티오요소 구조 등을 들 수 있다.
화학식 2, 화학식 4, 화학식 7, 화학식 10에 있어서, A2, A4, A12, A21은 카르복실기의 수소원자 하나와 수소결합할 수 있는 원자이다. 상기 원자로서는, 산소원자, 질소원자, 황원자를 들 수 있다. A13, A22는 메틸렌기를 나타낸다. 상기 화학식 2, 화학식 4, 화학식 7, 화학식 10의 용해저해부위의 구체적인 구조로서는, 2-아미노피리미딘, 2-아미노옥사졸, 2-아미노티아졸, 2-아미노이미다졸, 멜라민 구조 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 화학식 5, 화학식 6, 화학식 7 중, P1내지 P5는 산 촉매 반응에 의하여 분해하는 유기기(산 분해성기)를 나타낸다. 상기 기는 전자파의 조사에 의하여 발생한 산에 의하여 분해되어, 극성이 높은 히드록시기, 카르복실기를 생성하기 때문에, 카르복실기를 가지는 폴리머의 알칼리용액에 대한 용해성을 향상시킨다. 상기 산 분해성기로서는, t-부틸기, 2-테트라히드로퓨라닐기, 2-테트라히드로피라닐기, 1-에톡시에틸기, 트리메틸실릴기가 바람직하다. 노광후의 용해촉진효과는, 산 분해성 물질 중의 용해저해부위와 t-부틸기, 2-테트라히드로퓨라닐기, 2-테트라히드로피라닐기, 1-에톡시에틸기, 트리메틸실릴기의 비율에 크게 영향받는다. 따라서, 화학식 5, 화학식 6, 화학식 7 중, a, b, d, f는 1 내지 5가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 1 내지 2이다. 또, e+g는 1 내지 5가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 2 내지 4이다. h는 0 내지 5가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 0 내지 1이다. 용해저해부위에 의한 미노광부의 용해저해효과를 생각하였을 경우, c는 1 내지 10이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 1 내지 5이다. 화학식 5, 화학식 6, 화학식 7 중, A6, A7, A9, A10, A11은 t-부틸기, 2-테트라히드로퓨라닐기, 2-테트라히드로피라닐기, 1-에톡시에틸기, 트리메틸실릴기와 용해저해부위의 결합기를 나타낸다. 상기 결합기로서는 산소원자, 황원자, 아미노기 등을 들 수 있다.
R9, R10, R11또는 R13은, 아미노알콜 잔기(殘基), 아미노산 잔기를 나타낸다. 히드록시기와 아미노기를 가지는 구조로서는, 2-아미노페놀, 3-아미노페놀, 4-아미노페놀, 2, 3-디아미노페놀, 2, 4-디아미노페놀, 4-아미노레졸신올, 4, 4'-디아미노-3, 3'-디히드록시비페닐, 3, 3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 2-아미노에탄올, N-메틸-2-아미노에탄올, 3-아미노프로판올, 2-아미노부탄올, 2-아미노-3-메틸부탄올, 4-아미노부탄올, 5-아미노펜탄올, 6-아미노헥산올, 2-아미노시클로헥산올, 4-아미노시클로헥산올, 2-아미노헵탄올, 6-아미노-2-메틸-2-헵탄올, 8-아미노옥탄올, 10-아미노데칸올, 12-아미노도데칸올, 1-아미노-2, 3-프로판디올, 2-아미노-1, 3-프로판디올, 2-아미노-2-에틸-1, 3-프로판디올, 비스-호모트리스, 트리스(히드록시메틸)아미노메탄, (3-(4-아미노-페닐)-아다만틸)메탄올 등을 들 수 있다.
아미노산 잔기를 가지는 구조로서는, 글리신, 알라닌, 페닐알라닌, 2-아미노프로피온산, 3-아미노부티르산, 4-아미노펜탄산, 4-아미노시클로헥산카르본산, 4-아미노메틸-시클로헥산카르복실산, 2-아미노벤조산, 3-아미노벤조산, 4-아미노벤조산, 4-아미노메틸벤조산 등을 들 수 있다.
화학식 6 중, R12는 이소시아네이트 화합물 잔기를 나타낸다. 이소시아네이트로서는, 에틸이소시아네이트, 프로필이소시아네이트, 부틸이소시아네이트, t-부틸이소시아네이트, 헥실이소시아네이트, 시클로헥실이소시아네이트, 옥틸이소시아네이트, 도데카실이소시아네이트, 1-아다만틸이소시아네이트, 페닐이소시아네이트, 1-페닐에틸이소시아네이트, 벤질이소시아네이트, 1-나프틸에틸이소시아네이트, 2, 6-디이소프로필페닐이소시아네이트, 1-비페닐이소시아네이트, 1, 4-디이소시아네이트부탄, 1, 6-디이소시아네이트헥산, 1, 4-시클로헥산디이소시아네이트, 1, 3-비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산, 이소포로디이소시아네이트, 4, 4'-메틸렌비스(시클로헥실이소시아네이트), 1-(1-나프틸)에틸이소시아네이트, 1, 3-페닐렌이소시아네이트, 톨루이렌-2, 4-디이소시아네이트, 4, 4'-메틸렌비스(페닐이소시아네이트), 4, 4'-메틸렌비스(2, 6-디에틸페닐이소시아네이트), 1-아다만틸티오이소시아네이트 등을 들 수 있다.
상기 산 분해성 물질은, 수지성분에 대하여 5 내지 100중량% 첨가하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 10 내지 50중량%가 좋다. 5% 이하에서는 용해저해효과가 작고, 감도, 해상도가 불충분하다. 100% 이상이면 필름이 무르고, 기판과의 접착성이 불충분하다.
본 발명에 있어서, 화학식 8, 화학식 9, 화학식 10 중, Q1내지 Q5는 오르토퀴논디아지드기, 디아조디카르보닐기를 나타낸다. 오르토퀴논디아지드기, 디아조디카르보닐기는 전자파의 조사에 의하여 극성이 높은 카르복실기를 생성하고, 카르복실기를 가지는 폴리머의 알칼리용액에 대한 용해성을 향상하는 것이다. 상기 오르토퀴논디아지드기로서는, 1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포닐기, 1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술포닐기가 바람직하다. 상기 디아조디카르보닐기로서는, 2-디아조-1, 3-디온기, 2-디아조-1, 3-디아실기, 2-디아조-1-아실-3-디온기가 바람직하다. 노광후의 용해촉진효과는, 감광성 물질 중의 용해저해부위와 오르토퀴논디아지드기, 디아조디카르보닐기의 비율에 크게 영향을 받는다. 따라서, 화학식 8, 화학식 9, 화학식 10 중, i, j, l, n은 1 내지 5가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 1 내지 2이다. 또, o+m은 1 내지 5가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 2 내지 4이다. p는 0 내지 5가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 0 내지 1이다. 용해저해부위에 의한 미노광부의 용해저해효과를 생각하였을 경우, k는 1 내지 10이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 1 내지 5이다. 화학식 8, 화학식 9, 화학식 10 중, A15, A16, A18, A19, A20은 오르토퀴논디아지드기, 디아조디카르보닐기와 방향족기의 결합기를 나타낸다. 상기 결합기로서는 산소원자, 황원자, 아미노기 등을 들 수 있다.
R14, R15, R16또는 R18은 아민 화합물 잔기, 아미노알콜 잔기를 나타낸다. 아미노기를 2개 이상 가지는 구조로서는, 1, 3-디아미노벤젠, 1, 4-디아미노벤젠, 4, 4'-디아미노비페닐, 4, 4'-디아미노디페닐메탄, 4, 4'-디아미노디페닐에테르, 4, 4'-디아미노디페닐케톤, 4, 4'-디아미노디페닐술폰, 2, 2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2, 2-비스(4-아미노페닐)-1, 1, 1, 3, 3, 3-헥사플루오로프로판, 비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1, 2, 4-트리아미노벤젠, 1, 3, 5-트리아미노벤젠, 3, 4, 4'-트리아미노디페닐에테르, 3, 3', 4, 4'-디아미노비페닐, 3, 3', 4, 4'-테트라아미노디페닐에테르, 3, 3', 4, 4'-테트라아미노디페닐술폰, 1, 2-디아미노에틸렌, N, N'-디메틸-1, 2-디아미노에틸렌, 1, 3-디아미노프로판, 1, 4-디아미노부탄, N, N'-디메틸-1, 4-디아미노부탄, 1, 6-디아미노헥산, 1, 2-디아미노시클로헥산, 1, 4-디아미노시클로헥산, 1, 8-디아미노옥탄, 1, 10-디아미노데칸, 1, 12-디아미노도데칸, 2-부틸-2-에틸-1, 5-펜탄디아민, 4-아미노메틸-1, 8-디아미노옥탄, 디에틸렌트리아민, 비스(헥사메틸렌)트리아민, 트리에틸렌테트라아민, 테트라에틸렌펜타아민 등을 들 수 있다. 히드록시기와 아미노기를 가지는 구조로서는, 2-아미노페놀, 3-아미노페놀, 4-아미노페놀, 2, 3-디아미노페놀, 2, 4-디아미노페놀, 4-아미노레졸신올, 4, 4'-디아미노-3, 3'-디히드록시비페닐, 3, 3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 2-아미노에탄올, N-메틸-2-아미노에탄올, 3-아미노프로판올, 2-아미노부탄올, 2-아미노-3-메틸부탄올, 4-아미노부탄올, 5-아미노펜탄올, 6-아미노헥산올, 2-아미노시클로헥산올, 4-아미노시클로헥산올, 2-아미노헵탄올, 6-아미노-2-메틸-2-헵탄올, 8-아미노옥탄올, 10-아미노데칸올, 12-아미노도데칸올, 1-아미노-2, 3-프로판디올, 2-아미노-1, 3-프로판디올, 2-아미노-2-에틸-1, 3-프로판디올, 비스-호모트리스, 트리스(히드록시메틸)아미노메탄, (3-(4-아미노-페닐)-아다만틸)메탄올 등을 들 수 있다.
화학식 9 중, R17은 이소시아네이트 화합물 잔기를 나타낸다. 이소시아네이트로서는, 에틸이소시아네이트, 프로필이소시아네이트, 부틸이소시아네이트, t-부틸이소시아네이트, 헥실이소시아네이트, 시클로헥실이소시아네이트, 옥틸이소시아네이트, 도데카실이소시아네이트, 1-아다만틸이소시아네이트, 페닐이소시아네이트, 1-페닐에틸이소시아네이트, 벤질이소시아네이트, 1-나프틸에틸이소시아네이트, 2, 6-디이소프로필페닐이소시아네이트, 1-비페닐이소시아네이트, 1, 4-디이소시아네이트부탄, 1, 6-디이소시아네이트헥산, 1, 4-시클로헥산디이소시아네이트, 1, 3-비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산, 이소포로디이소시아네이트, 4, 4'-메틸렌비스(시클로헥실이소시아네이트), 1-(1-나프틸)에틸이소시아네이트, 1, 3-페닐렌이소시아네이트, 톨루이렌-2, 4-디이소시아네이트, 4, 4'-메틸렌비스(페닐이소시아네이트), 4, 4'-메틸렌비스(2, 6-디에틸페닐이소시아네이트), 1-아다만틸티오이소시아네이트 등을 들 수 있다.
상기 감방사선 물질은, 수지성분에 대하여 5 내지 100중량% 첨가하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 10 내지 50중량%가 좋다. 5% 이하에서는 용해저해효과가 작고, 감도, 해상도가 불충분하다. 100% 이상이면 필름이 무르고, 기판과의 접착성이 불충분하다.
본 발명에 있어서, 카르복실 폴리머의 고리환식 탄화수소 구조는, 레지스트 필름의 드라이 에칭 내성의 향상에 유효하다. 카르복실 폴리머 중의 고리환식 구조로서는, 시클로부탄환, 시클로펜탄환, 시클로헥산환, 시클로헵탄환, 시클로옥탄환, 노르보르난환, 트리시클로데칸환, 멘틸환, 보르난환, 아다만탄환, 콜레스테릭환 등을 들 수 있다.
고리환식 구조는, 카르복실 폴리머의 주쇄(主鎖) 또는 측쇄 중의 적어도 한쪽에 존재하면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 주쇄에 고리환식 탄화수소기를 가지는 카르복실 폴리머의 구체예로서는, 폴리(2-히드록시메틸-5-노르보르넨), 폴리(2-카르복시-5-노르보르넨), 2-히드록시메틸-5-노르보르넨-아크릴산 또는/및 아크릴산에스테르 공중합체, 폴리(2-카르복시-5-노르보르넨-아크릴산 또는/및 아크릴산에스테르 공중합체, 2-히드록시메틸-5-노르보르넨-메타크릴산 또는/및 메타크릴산에스테르 공중합체, 폴리(2-카르복실-5-노르보르넨-메타크릴산 또는/및 메타크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다.
측쇄에 고리환식 탄화수소기를 가지는 카르복실 폴리머의 구체예로서는, 폴리아크릴산에스테르, 폴리메타크릴산에스테르, 아크릴산에스테르-아크릴산 공중합체, 메타크릴산에스테르-메타크릴산 공중합체 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 카르복실 폴리머가, 고리환식 탄화수소구조와 알칼리현상액에 의해 가수분해되는 유기기를 가지면, 현상시의 팽윤이 작고, 고해상도의 패턴이 얻어진다. 따라서, 드라이 에칭 내성이 커서 고해상도의 패턴을 실현할 수 있다. 알칼리현상액에 의해 가수분해되는 구조로서는, 디카르복실산 무수물(無水物) 구조, 락톤 구조, 니트로페닐에스테르 구조, 메탄술포닐페닐에스테르 구조, 시아노메틸에스테르 구조, 트리클로로메틸에스테르 구조, 메탄술포닐메틸에스테르 구조 등을 들 수 있다.
고리환식 탄화수소 구조 및 알칼리현상액에 의해 가수분해되는 유기기를 가지는 카르복실 폴리머의 구체예로서는, 2-히드록시메틸-5-노르보르넨-무수말레인산 공중합체, 2-카르복실-5-노르보르넨-무수말레인산 공중합체, 2-히드록시메틸-5-노르보르넨-아크릴산시아노메틸에스테르 공중합체, 2-히드록시메틸-5-노르보르넨-메타크릴산시아노메틸에스테르 공중합체, 2-카르복시-5-노르보르넨-아크릴산시아노메틸에스테르 공중합체, 2-카르복시-5-노르보르넨-메타크릴산시아노메틸에스테르 공중합체, 2-히드록시메틸-5-노르보르넨-아크릴산니트로페닐에스테르 공중합체, 2-히드록시메틸-5-노르보르넨-메타크릴산니트로페닐에스테르 공중합체, 2-카르복시-5-노르보르넨-아크릴산니트로페닐에스테르 공중합체, 2-카르복시-5-노르보르넨-메타크릴산니트로페닐에스테르 공중합체 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서의 방사선으로서는, 자외광, KrF 엑시머레이저광과 같은 원자외광, ArF 엑시머레이저광과 같은 진공자외광, 전자선, X선 등이 사용된다. 따라서, 상기 방사선에 의해 산을 발생하는 물질이라면, 방사선에 의해 산을 발생하는 물질은 특별히 한정되는 것은 아니다. 방사선에 의해 산을 발생하는 물질로서는, 디아조늄염, 요오도늄염, 술포늄염, 포스포늄염, 술폰산에스테르 화합물, 디술폰 화합물, 술폰이미드 화합물, 디아조메탄 화합물 등을 들 수 있다. 이들 화합물의 구체예 로서는, 4-N-페닐아미노-2-메톡시페닐디아조늄술페이트, 4-N-페닐아미노-2-메톡시페닐디아조늄-4-에틸페닐술페이트, 디페닐요오도늄트리퓨레이트, 디페닐요오도늄헥사플루오로안티모네이트, 트리페닐술포늄트리퓨레이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤조인트실레이트, 피로가롤메탄술폰산트리에스테르, 디페닐술폰, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)디페닐말레이미드, 비스(트리플루오로메틸술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(페닐술포닐)디아조메탄 등을 들 수 있다.
상기 방사선에 의해 산을 발생하는 물질은, 수지성분에 대하여 0.01 내지 50 중량% 첨가하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 0.1 내지 20중량%가 좋다. 0.01% 이하에서는 고감도로 레지스트 패턴을 형성하기가 곤란하고, 50% 이상이면 필름이 무르고 기판과의 접착성이 불충분하다.
본 발명은, 고리환식 탄화수소 구조 및 알칼리현상액에 의해 가수분해되는 유기기를 가지는 카르복실 폴리머와, 방사선에 의해 산을 발생하는 물질과, 산 분해성 물질과 감방사선 물질을 혼합함으로써 용이하게 달성된다. 본 발명에 있어서 3중항 증감제와의 병용, 각종 아민 화합물로 이루어지는 밀착향상제, 계면활성제 등과의 병용이 가능한 것은 물론이다.
(실시예 1)
글리신t-부틸에스테르 2.64g(0.02mol)의 디옥산(15ml) 용액에, 실온에서 1-4-시클로헥산디이소시아네이트 1.66g(0.01mol)을 첨가한다. 40℃에서 4시간 교반후, 반응액에 디옥산(15ml)을 첨가한다. 물(3000ml)에 적가하여, 1, 4-비스(3-(t-부틸옥시카르보닐메틸)우레이드메틸)시클로헥산(화학식 11)을 3.40g(79%) 얻었다.
2-카르복시-5-노르보르넨 6.91g(0.05mol), 2-t-부톡시카르보닐-5-노르보르넨 9.72g(0.05mol), 무수말레인산 9.81g(0.1mol), 2, 2'-아조비스(이소부티로니트릴) 1.28g의 테트라히드로푸란 용액(120g)을, 질소를 도입하면서 가열 환류하여, 8시간 중합을 행하였다. 중합후, n-헥산 500ml로 용액을 부어, 폴리머를 석출시켜 건조하여, 2-카르복시-5-노르보르넨-2-t-부톡시카르보닐-5-노르보르넨-무수말레인산 공중합체(화학식 12)를 21.9g 얻었다(수율 92%). 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의하여 테트라히드로푸란 중에서, 이 폴리머의 폴리스티렌 환산의 분자량을 조사한 바, 수 평균 분자량이 5500이었다.
얻어진 공중합체 100중량부, 상기 합성한 1, 4-비스(3-(t-부틸옥시카르보닐메틸)우레이드메틸)시클로헥산(화학식 11) 20중량부, 산발생제 트리메틸술포늄트리퓨레이트 5중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하여, 구멍지름 0.20μm의 테프론필터를 사용하여 여과하여 레지스트용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃에서 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.50μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하고, 그 후 80℃에서 2분간 노광후 베이크를 행하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 20mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.25μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 2)
2-메틸-2-아다만틸메타크릴레이트 14.1g(0.06mol), t-부틸메타크릴레이트 11.4g(0.06mol), 메타크릴산 6.81g(0.08mol), 2, 2'-아조비스(이소부티로니트릴) 1.28g의 테트라히드로푸란 용액(120g)을, 질소를 도입하면서 가열 환류하여 8시간 중합을 행하였다. 중합후, n-헥산 500ml에 용액을 붓고 폴리머를 석출시켜 건조하여, 2-메틸-2-아다만틸메타크릴레이트-t-부틸메타크릴레이트-메타크릴산 공중합체(화학식 13)를 30.6g 얻었다(수율 95%). GPC에 의하여 테트라히드로푸란 중에서, 이 폴리머의 폴리스티렌 환산의 분자량을 조사한 바 수 평균 분자량이 6200였다.
얻어진 공중합체 100중량부, 실시예 1에서 합성한 1, 4-비스(3-(t-부틸옥시카르보닐메틸)우레이드메틸)시클로헥산(화학식 11) 20중량부, 산 발생제 트리메틸술포늄트리퓨레이트 5중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트 용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃에서 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.48μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하고, 그 후 80℃에서 2분간 노광후 베이크를 행하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 40mJ/cm2일 때에 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되어, 포지티브형의 0.35μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 3)
2-카르복시-5-노르보르넨 6.91g(0.05mol), 2-t-부톡시카르보닐-5-노르보르넨 9.72g(0.05mol), 시아노메틸메타크릴레이트 12.5g(0.1mol), 2, 2'-아조비스(이소부티로니트릴) 1.28g의 테트라히드로푸란 용액(120g)을, 질소를 도입하면서 가열 환류하여, 8시간 중합을 행하였다. 중합후, n-헥산 500ml에 용액을 붓고, 폴리머를 석출시켜 건조하여, 2-카르복시-5-노르보르넨-2-t-부톡시카르보닐-5-노르보르넨-시아노메틸메타크릴레이트 공중합체(화학식 14)를 26.5g 얻었다(수율 91%). GPC에 의하여 테트라히드로푸란 중에서, 이 폴리머의 폴리스티렌 환산의 분자량을 조사한 바 수 평균 분자량이 8000이었다.
얻어진 공중합체 100중량부, 실시예 1에서 합성한 1, 4-비스(3-(t-부틸옥시카르보닐메틸)우레이드메틸)시클로헥산(화학식 11) 20중량부, 산 발생제 트리메틸술포늄트리퓨레이트 5중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃에서 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.52μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하고, 그 후 80℃에서 2분간 노광후 베이크를 행하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 10mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.20μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 4)
2-메틸-2-아다만틸메타크릴레이트 14.1g(0.06mol), 시아노메틸메타크릴레이트 7.51g(0.06mol), 메타크릴산 6.89g(0.08mol), 2, 2'-아조비스(이소부티로니트릴) 1.28g의 테트라히드로푸란 용액(120g)을, 질소를 도입하면서 가열 환류하여 8시간 중합을 행하였다. 중합후, n-헥산 500ml에 용액을 붓고, 폴리머를 석출시켜 건조하여 2-메틸-2-아다만틸메타크릴레이트-시아노메틸메타크릴레이트-메타크릴산 공중합체(화학식 15)를 25.4g 얻었다(수율 89%). GPC에 의하여 테트라히드로푸란 중에서, 이 폴리머의 폴리스티렌 환산의 분자량을 조사한 바 수 평균 분자량이 6200이었다.
얻어진 공중합체 100중량부, 실시예 1에서 합성한 1, 4-비스(3-(t-부틸옥시카르보닐메틸)우레이드메틸)시클로헥산(화학식 11) 20중량부, 산 발생제 트리메틸술포늄트리퓨레이트 5중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃에서 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.47μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하고, 그 후 80℃에서 2분간 노광후 베이크를 행하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 15mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.20μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 5)
글리신t-부틸에스테르 2.64g(0.02mmol)의 디옥산(15ml) 용액에, 실온에서 시클로헥산이소시아네이트 2.50g(0.02mmol)를 첨가한다. 40℃에서 4시간 교반후, 반응액에 디옥산(15ml)을 첨가한다. 물(3000ml)에 적가하여, 1-(t-부틸옥시카르보닐메틸-3-시클로헥실요소(화학식 16)를 4.37g(85%) 얻었다.
실시예 1에서 합성한 2-카르복시-5-노르보르넨-2-t-부톡시카르보닐-5-노르보르넨-무수말레인산 공중합체(화학식 12) 100중량부, 상기 합성한 1-(t-부틸옥시카르보닐메틸-3-시클로헥실요소(화학식 16) 20중량부, 산 발생제 트리메틸술포늄트리퓨레이트 5중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트 용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃로 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.50μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하고, 그 후 80℃로 2분간 노광후 베이크를 행하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 30mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.25μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 6)
실시예 2에서 합성한 2-메틸-2-아다만틸메타크릴레이트-2-t-부톡시카르보닐-5-노르보르넨-메타크릴산 공중합체(화학식 13) 100중량부, 실시예 5에서 합성한 1-(t-부틸옥시카르보닐메틸-3-시클로헥실요소(화학식 16) 20중량부, 산 발생제 트리메틸술포늄트리퓨레이트 5중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm 의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트 용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃로 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.51μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하고, 그 후 80℃로 2분간 노광후 베이크를 행하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 40mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.30μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 7)
실시예 3에서 합성한 2-카르복시-5-노르보르넨-2-t-부톡시카르보닐-5-노르보르넨-시아노메틸메타크릴레이트 공중합체(화학식 14) 100중량부, 실시예 5에서 합성한 1-(t-부틸옥시카르보닐메틸-3-시클로헥실요소(화학식 16) 20중량부, 산 발생제 트리메틸술포늄트리퓨레이트 5중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트 용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃로 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.55μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하고, 그 후 80℃로 2분간 노광후 베이크를 행하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 25mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.25μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 8)
실시예 4에서 합성한 2-메틸-2-아다만틸메타크릴레이트-시아노메틸메타크릴레이트-메타크릴산 공중합체(화학식 15) 100중량부, 실시예 5에서 합성한 1-(t-부틸옥시카르보닐메틸-3-시클로헥실요소(화학식 16) 20중량부, 산 발생제 트리메틸술포늄트리퓨레이트 5중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트 용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃로 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.45μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하고, 그 후 80℃로 2분간 노광후 베이크를 행하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃로 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 25mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.25μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 9)
4-아미노시클로헥산올 2.30g(0.02mol)의 디옥산 용액(10ml)에, 15℃로 디-t-부틸디카보네이트 4.80g(0.022mmol)의 디옥산 용액(4ml)을 적가하여 실온으로 1시간 교반한다. 용매를 감압 증류 제거후, 디옥산(10ml), 1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술포닐클로라이드 5.64g(0.021mol)을 첨가한다. 반응액에 15℃로 트리에틸아민 5.6ml(0.04mol)을 적가하고, 실온으로 30분간 교반하여, 반응액을 여과한다. 용매를 감압 증류 제거후, 실온으로 염화메틸렌(20ml), 트리플루오로아세트산(20ml)을 첨가하여 20분간 교반한다. 용매를 감압 증류 제거후, 에테르(60ml)를 첨가한다. 석출물을 분쇄후 여과한다. 얻어진 고체를 염화메틸렌(400ml)에 용해하여 포화중탄산 소다수(400ml×3) 및 물(400ml)로 세정한다. 용매를 감압 증류 제거함으로써 4-(1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폭시)시클로헥실아민(pACQ)을 5.78g(83%) 얻었다.
상기 합성한 pACQ 3.95g(0.02mol)의 디옥산(15ml) 용액에, 실온으로 시클로헥산이소시아네이트 2.50g(0.02mol)을 첨가한다. 40℃로 4시간 교반후, 반응액에 디옥산(15ml)을 첨가한다. 물(3000ml)에 적가하여, 1-시클로헥실-3-(4-(1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폭시)시클로헥실)요소(화학식 17)를 4.97g(77%) 얻었다.
2-카르복시-5-노르보르넨 13.82g(0.10mol), 무수말레인산 9.81g(0.1mol), 2, 2'-아조비스(이소부티로니트릴) 1.28g의 테트라히드로푸란 용액(120g)을, 질소를 도입하면서 가열 환류하여, 8시간 중합을 행하였다. 중합후, n-헥산 500ml에 용액을 붓고, 폴리머를 석출시켜 건조하여, 2-카르복시-5-노르보르넨-무수말레인산 공중합체(화학식 18)를 21.3g 얻었다(수율 90%). GPC에 의하여 테트라히드로푸란 중에서, 이 폴리머의 폴리스티렌 환산의 분자량을 조사한 바 수 평균 분자량이 7400이었다.
얻어진 공중합체 100중량부, 상기 합성한 1-시클로헥실-3-(4-(1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폭시)시클로헥실)요소(화학식 17) 30중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트 용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃로 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.53μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 50mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.30μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 10)
2-메틸-2-아다만틸메타크릴레이트 23.5g(0.10mol), 메타크릴산 8.61g (0.10mol), 2, 2'-아조비스(이소부티로니트릴) 1.28g의 테트라히드로푸란 용액(120g)을, 질소를 도입하면서 가열 환류하여 8시간 중합을 행하였다. 중합후, n-헥산 500ml에 용액을 붓고, 폴리머를 석출시켜 건조하여, 2-메틸-2-아다만틸메타크릴레이트-메타크릴산 공중합체(화학식 19)를 30.5g 얻었다(수율 95%). GPC 에 의하여 테트라히드로푸란 중에서, 이 폴리머의 폴리스티렌 환산의 분자량을 조사한 바 수 평균 분자량이 6200이었다.
얻어진 공중합체 100중량부, 실시예 9에서 합성한 1-시클로헥실-3-(4-(1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폭시)시클로헥실)요소(화학식 17) 30중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트 용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃로 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.50μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 60mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.30μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 11)
2-카르복시-5-노르보르넨 13.8g(0.10mol), 시아노메틸메타크릴레이트 12.5g (0.1mol), 2, 2'-아조비스(이소부티로니트릴) 1.28g의 테트라히드로푸란 용액(120g)을, 질소를 도입하면서 가열 환류하여, 8시간 중합을 행하였다. 중합후, n-헥산 500ml에 용액을 붓고, 폴리머를 석출시켜 건조하여, 2-카르복시-5-노르보르넨-시아노메틸메타크릴레이트 공중합체(화학식 20)를 24.7g 얻었다(수율 94%).
GPC에 의하여 테트라히드로푸란 중에서, 이 폴리머의 폴리스티렌 환산의 분자량을 조사한 바 수 평균 분자량이 7100이었다.
얻어진 공중합체 100중량부, 실시예 9에서 합성한 1-시클로헥실-3-(4-(1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폭시)시클로헥실)요소(화학식 17) 30중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트 용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃에서 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.49μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 40mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.20μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 12)
실시예 4에서 합성한 2-메틸-2-아다만틸메타크릴레이트-시아노메틸메타크릴레이트-메타크릴산 공중합체(화학식 15) 100중량부, 실시예 9에서 합성한 1-시클로헥실-3-(4-(1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폭시)시클로헥실)요소(화학식 17) 30중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트 용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃로 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.53μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 45mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.25μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 13)
1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술포닐클로라이드 10.8g(0.04mol), 2-t-부톡시카르보닐아미노-4, 6-디히드록시피리미딘 4.00g(0.20mol)의 디옥산용액(50ml)에, 10℃로 트리에틸아민 6.7ml(0.12mol)을 적가하고, 실온으로 3시간 교반한다. 여과후, 여과액을 1N 염산수용액(화학식 21)에 적가하여 고형물을 얻는다. 얻어진 고체에, 실온에서 염화메틸렌(10ml), 트리플루오로아세트산(10ml)을 첨가하여 20분간 교반한다. 용매를 감압 증류 제거후, 에테르(30ml)를 첨가한다. 석출물을 분쇄후 여과한다. 얻어진 고체를 염화메틸렌(200ml)에 용해하여 포화중탄산 소다수(200ml×3) 및 물(200ml)로 세정한다. 용매를 감압 증류 제거함으로써, 2-아미노-4, 6-비스(1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폭시)피리미딘(화학식 21)을 7.69g (65%) 얻었다.
실시예 9에서 합성한 2-카르복시-5-노르보르넨-무수말레인산 공중합체(화학식 18) 100중량부, 상기 합성한 2-아미노-4, 6-비스(1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폭시)피리미딘(화학식 21) 30중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트 용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃로 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.50μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 40mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.25μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 14)
실시예 10에서 합성한 2-메틸-2-아다만틸메타크릴레이트-메타크릴산 공중합체(화학식 19) 100중량부, 실시예 13에서 합성한 2-아미노-4, 6-비스(1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폭시)피리미딘(화학식 21) 30중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트 용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃로 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.50μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 60mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.35μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 15)
실시예 11에서 합성한 2-카르복시-5-노르보르넨-시아노메틸메타크릴레이트 공중합체(화학식 20) 100중량부, 실시예 13에서 합성한 2-아미노-4, 6-비스(1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폭시)피리미딘(화학식 21) 30중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트 용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃에서 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.50μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 45mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.25μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(실시예 16)
실시예 4에서 합성한 2-메틸-2-아다만틸메타크릴레이트-시아노메틸메타크릴레이트-메타크릴산 공중합체(화학식 15) 100중량부, 실시예 13에서 합성한 2-아미노-4, 6-비스(1, 2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폭시)피리미딘(화학식 21) 30중량부를 시클로헥사논 600중량부에 용해하고, 구멍지름 0.20μm의 테프론 필터를 사용하여 여과하여 레지스트 용액으로 하였다.
헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃에서 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.50μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 조사하였다. 현상은 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 행하고, 계속하여 60초간 순수한 물로 린스하였다. 그 결과, 노광량 40mJ/cm2일 때에, 레지스트막의 노광부만이 현상액에 용해 제거되고, 포지티브형의 0.25μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어졌다.
(비교예 1)
실시예 1에 있어서, 산 분해성 물질인, 1, 4-비스(3-(t-부틸옥시카르보닐메틸)우레이드메틸)시클로헥산(화학식 11)을 사용하지 않은 것 이외에는 완전히 동일한 방법으로 레지스트 용액을 얻었다. 헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃에서 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.50μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 50mJ/cm2조사하였다. 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 현상을 행하면, 필름 전체가 용해되고 포지티브형의 패턴을 얻을 수 없었다.
(비교예 2)
실시예 9에 있어서의, 감방사선 물질인 1-시클로헥실-3-(4-(1, 2-나프토퀴논-2-디아미드-5-술폭시)시클로헥실)요소(화학식 17) 30중량부 대신에, 산 발생제 트리메틸술포늄트리퓨레이트 5중량부를 사용한 것 이외에는 완전히 동일한 방법으로 레지스트 용액을 얻었다. 헥사메틸디실라잔으로 처리한 실리콘 기판 위에, 상기의 레지스트 용액을 회전 도포하고, 도포후 80℃에서 2분간 가열처리하여, 막 두께 0.50μm의 레지스트막을 형성하였다. 질소로 장치 내부를 치환한 노광실험장치에, 상기의 레지스트를 도포한 기판을 넣고, 그 위에 석영판 위에 크롬으로 패턴을 그린 마스크를 밀착시켰다. 그 마스크를 통하여 ArF 엑시머레이저광을 50mJ/cm2조사하였다. 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(0.26N)으로, 23℃에서 120초간 현상을 행하면, 필름 전체가 용해되고 포지티브형의 패턴을 얻을 수 없었다.
ArF 엑시머레이저의 파장 193nm을 포함하는 원자외선 영역에서 투명하고 또한 드라이 에칭 내성이 높은 화학구조를 가지면서, 팽윤이 없는 해상성능이 뛰어난 패턴형성방법을 제공할 수 있다.

Claims (12)

  1. 고리환식 탄화수소 구조를 가지는 카르복실 폴리머와, 방사선에 의해 산을 발생하는 물질과, 화학식 1
    (화학식 1)
    (식 중, A1는 주기율표의 제VI족 원자, R1또는 R2는 각각 탄소수 3 내지 50의 유기기로서, 적어도 한쪽에 산으로 탈보호되는 히드록시기 또는/및 카르복실기를 가진다)로 표시되는 물질 또는/및 화학식 2
    (화학식 2)
    (식 중, A2는 산소원자, 황원자 또는 질소원자, R3또는 R4는 각각 탄소수 3 내지 40의 유기기로서, 적어도 한쪽에 산으로 탈보호되는 히드록시기 또는/및 카르복실기를 가진다)로 표시되는 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선 수지 조성물.
  2. 고리환식 탄화수소 구조를 가지는 카르복실 폴리머와, 화학식 3
    (화학식 3)
    (식 중, A3은 주기율표의 제VI족 원자, R5또는 R6는 각각 탄소수 3 내지 50의 유기기)으로 표시되는 감방사선 물질 또는/및 화학식 4
    (화학식 4)
    (식 중, A4는 산소원자, 황원자 또는 질소원자, R7또는 R8는 각각 탄소수 3 내지 40의 유기기)로 표시되는 감방사선 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선 수지 조성물.
  3. 고리환식 탄화수소 구조 및 알칼리 현상액에 의해 가수분해되는 유기기를 가지는 카르복실 폴리머와, 방사선에 의해 산을 발생하는 물질과, 화학식 1
    (화학식 1)
    (식 중, A1은 주기율표의 제VI족 원자, R1또는 R2는 각각 탄소수 3 내지 50의 유기기로서, 적어도 한쪽에 산으로 탈보호되는 히드록시기 또는/및 카르복실기를 가진다)로 표시되는 물질 또는/및 화학식 2
    (화학식 2)
    (식 중, A2는 산소원자, 황원자 또는 질소원자, R3또는 R4는 각각 탄소수 3 내지 40의 유기기로서, 적어도 한쪽에 산으로 탈보호되는 히드록시기 또는/및 카르복실기를 가진다)로 표시되는 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선 수지 조성물.
  4. 고리환식 탄화수소 구조 및 알칼리 현상액에 의해 가수분해되는 유기기를 가지는 카르복실 폴리머와, 화학식 3
    (화학식 3)
    (식 중, A3는 주기율표의 제VI족 원자, R5또는 R6는 각각 탄소수 3 내지 50의 유기기)로 표시되는 감방사선 물질 또는/및 화학식 4
    (화학식 4)
    (식 중, A4는 산소원자, 황원자 또는 질소원자, R7또는 R8는 각각 탄소수 3 내지 40의 유기기)로 표시되는 감방사선 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선 수지 조성물.
  5. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    화학식 1이 화학식 5
    (화학식 5)
    (식 중, A5는 산소원자 또는 황원자, A6및 A7는 각각 산소원자 또는 카르보닐옥시기, P1및 P2는 각각 산 분해성 유기기, R9또는 R10은 각각 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, a 또는 b는 1 내지 5를 나타낸다)로 표시되는 화합물을 전 수지량 100중량부에 대하여 1 내지 100중량부 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선 수지 조성물.
  6. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    화학식 1이 화학식 6
    (화학식 6)
    (식 중, A8은 산소원자 또는 황원자, A9는 산소원자 또는 카르보닐옥시기, P3은 산 분해성 유기기, R11은 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, R12는 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, c는 1 내지 10, d는 1 내지 5를 나타낸다)인 것을 특징으로 하는 감방사선 수지 조성물.
  7. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    화학식 2가 화학식 7
    (화학식 7)
    (식 중, A10또는 A11은 각각 산소원자 또는 카르보닐옥시기, A12는 산소원자, 황원자 또는 질소원자, A13은 메틸렌기, P4또는 P5는 각각 산 분해성 유기기, R13은 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, e+g는 1 내지 5, f는 1 내지 5, h는 0 내지 5를 나타낸다)인 것을 특징으로 하는 감방사선 수지 조성물.
  8. 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서,
    화학식 3이 화학식 8
    (화학식 8)
    (식 중, A14는 산소원자 또는 황원자, A15및 A16은 각각 산소원자 또는 아미노기, Q1및 Q2는 각각 감방사선 유기기, R14또는 R15는 각각 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, i 또는 j는 1 내지 5를 나타낸다)로 표시되는 화합물을 전 수지량 100중량부에 대하여 1 내지 100중량부 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선 수지 조성물.
  9. 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서,
    화학식 3이 화학식 9
    (화학식 9)
    (식 중, A17은 산소원자 또는 황원자, A18은 산소원자 또는 아미노기, Q3은 감방사선 유기기, R16은 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, R17은 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, k는 1 내지 10, l은 1 내지 5를 나타낸다)인 것을 특징으로 하는 감방사선 수지 조성물.
  10. 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서,
    화학식 4가 화학식 10
    (화학식 10)
    (식 중, A19또는 A20은 각각 산소원자 또는 아미노기, A21은 산소원자, 황원자 또는 질소원자, A22는 메틸렌기, Q4또는 Q5는 각각 감방사선 유기기, R18은 탄소수 2 내지 30의 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 복소환기, 고리환식 탄화수소기, m+o는 1 내지 5, n은 1 내지 5, p는 0 내지 5를 나타낸다)인 것을 특징으로 하는 감방사선 수지 조성물.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항에 기재된 감방사선 수지 조성물을 기판 위에 도포하여 건조하는 공정, 포토마스크를 거쳐 전자파를 조사하는 공정, 상기 감방사선 수지 조성물을 알칼리성 현상액으로 현상하여 패턴형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  12. 청구범위 제 1 항 내지 제 10 항에 기재된 감방사선 수지 조성물을, 전자회로의 회로형성면 또는 보호막형성면에 도포하여 건조하는 공정, 포토마스크를 거쳐 전자파를 조사하는 공정, 상기 감방사선 수지 조성물을 알칼리성 현상액으로 현상하여 패턴형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치의 제법.
KR1019980040207A 1997-09-29 1998-09-28 감광성 수지조성물, 이 조성물을 사용한 패턴 형성방법 및 전자장치의 제조방법 KR19990030195A (ko)

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