JPS6199351A - 配線パタ−ン形成方法 - Google Patents
配線パタ−ン形成方法Info
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- JPS6199351A JPS6199351A JP22066384A JP22066384A JPS6199351A JP S6199351 A JPS6199351 A JP S6199351A JP 22066384 A JP22066384 A JP 22066384A JP 22066384 A JP22066384 A JP 22066384A JP S6199351 A JPS6199351 A JP S6199351A
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- thin
- pattern
- resist
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置を実現するため
の微細パターン形成法に関する。
の微細パターン形成法に関する。
単一半導体ウニバー上に多数の半導体素子を組込んだモ
ノリシック型集積回路では、一般にその中のすべての半
導体素子はプレーナ構造に１ なっている。この
様な半導体装置は、不純物の選択的拡散、表面酸化膜の
コンタクト用窓明け、選択的鍍金による半導体素子間の
電気的配線、半導体表面保護のため絶縁膜の形成、およ
び最後のリード線取り出し用のボンデインパッド部分の
配線層の露出などの工程を経て形成される。
ノリシック型集積回路では、一般にその中のすべての半
導体素子はプレーナ構造に１ なっている。この
様な半導体装置は、不純物の選択的拡散、表面酸化膜の
コンタクト用窓明け、選択的鍍金による半導体素子間の
電気的配線、半導体表面保護のため絶縁膜の形成、およ
び最後のリード線取り出し用のボンデインパッド部分の
配線層の露出などの工程を経て形成される。
近年Ｌ８Ｉなどの半導体装置の素子数の増大は、目ざま
しくそれに従い、電気的配線層パターンは微細化を余儀
なくされ、配線パターンの幅および間隔は狭くする必要
にせまられている。
しくそれに従い、電気的配線層パターンは微細化を余儀
なくされ、配線パターンの幅および間隔は狭くする必要
にせまられている。
それ故現在のＬ８Ｉ等の高密度半導体装置では、配線パ
ターンの形成には、解像力のすぐれたポジ型レジストの
使用、および平行平板型のプラス“マエッチング法が金
属薄層の食刻技術として従来の陽酸系の薬品によるウェ
ーＩトエッチング法にかわって用いられる様になって来
ている。
ターンの形成には、解像力のすぐれたポジ型レジストの
使用、および平行平板型のプラス“マエッチング法が金
属薄層の食刻技術として従来の陽酸系の薬品によるウェ
ーＩトエッチング法にかわって用いられる様になって来
ている。
以下図面により現在の高密度Ｌ８Ｉの電気的配線パター
ンの形成工程を説明すると、シリコン基板１上に酸化シ
リコン薄層１１のコンタクト窓明は工程終了後、該酸化
シリコン薄層１１の上に真空蒸着法により、所定の厚さ
のアルミ ）ニウム薄層１２を付着させる。（第１
−１図）次に該アルミニウム層上に例えばシー！プレイ
（５ｈｉｐｌｅｙ ）社製のＡＺ１８７０あるいは住友
化学社製のスミレシストＤＦ２２００ポジ型フォトレジ
ストを所定の厚さに塗布してレジスト膜層１８を形成す
る。（第１−２図）。
ンの形成工程を説明すると、シリコン基板１上に酸化シ
リコン薄層１１のコンタクト窓明は工程終了後、該酸化
シリコン薄層１１の上に真空蒸着法により、所定の厚さ
のアルミ ）ニウム薄層１２を付着させる。（第１
−１図）次に該アルミニウム層上に例えばシー！プレイ
（５ｈｉｐｌｅｙ ）社製のＡＺ１８７０あるいは住友
化学社製のスミレシストＤＦ２２００ポジ型フォトレジ
ストを所定の厚さに塗布してレジスト膜層１８を形成す
る。（第１−２図）。
続いて該レジスト膜層１８をマスクによる露光および現
像処理により所定の部分以外のレジスト膜を除去してレ
ジストパターン１８Ａを形成する（第１−８図）、、次
いで所定の温度でべ一り処理後、平行平板型プラズマエ
ツチャーでレジスト膜により被覆されない部分のアルミ
ニウム薄層を怜去する（第１−４図）。
像処理により所定の部分以外のレジスト膜を除去してレ
ジストパターン１８Ａを形成する（第１−８図）、、次
いで所定の温度でべ一り処理後、平行平板型プラズマエ
ツチャーでレジスト膜により被覆されない部分のアルミ
ニウム薄層を怜去する（第１−４図）。
最後に酸素（０２）プラズマ法によりレジストパターン
１３Ａを除去すると、電気配線パターン１２Ａが完成す
る（第１−５図）。
１３Ａを除去すると、電気配線パターン１２Ａが完成す
る（第１−５図）。
しかしながら以上説明した現在の配線パターン形成方法
には次の問題点がある。
には次の問題点がある。
即ち、配線層の材料となるアルミニウム薄層等の金属薄
層は一般に表面反射率が高く、そのためフォトレジスト
の露光時に複反射によるレジストパターンのふちどりの
Ｒ題およびそれに伴う解像度の低下の問題が生じる。こ
のため近年および将来の配線パターンの微細化の要求に
対して限界が生じて来る。
層は一般に表面反射率が高く、そのためフォトレジスト
の露光時に複反射によるレジストパターンのふちどりの
Ｒ題およびそれに伴う解像度の低下の問題が生じる。こ
のため近年および将来の配線パターンの微細化の要求に
対して限界が生じて来る。
従って当該業界では、アルミニウム薄層表面での複反射
による解像度の低下を防ぐため、染料による吸光剤入り
のフォトレジストを用いることが多くなった。しかしな
がらこのレジスト材には光の吸収による感度の低下とい
う問題があり、そのため露光処理工程の生産性が著しく
低下してしまう。
による解像度の低下を防ぐため、染料による吸光剤入り
のフォトレジストを用いることが多くなった。しかしな
がらこのレジスト材には光の吸収による感度の低下とい
う問題があり、そのため露光処理工程の生産性が著しく
低下してしまう。
本発明は、以下の欠点を克服するためになされたもので
ありレジスト材の感度低下を来たすことなく、アルミニ
ウム薄層のごとき金属薄層表面での複反射による解像度
の低下を防ぐ新規な微細パターン形成法を提供するもの
である。
ありレジスト材の感度低下を来たすことなく、アルミニ
ウム薄層のごとき金属薄層表面での複反射による解像度
の低下を防ぐ新規な微細パターン形成法を提供するもの
である。
本発明の概要はアルミニウム薄層表面に複反射防止膜と
して所定波長を吸収する色素材を含む反射防止樹脂組成
物を付着する所にあり、しかもこの反射防止膜はアルミ
ニウム層のエッチレグ時に工”／チングマスクにならな
いという特徴を有する。
して所定波長を吸収する色素材を含む反射防止樹脂組成
物を付着する所にあり、しかもこの反射防止膜はアルミ
ニウム層のエッチレグ時に工”／チングマスクにならな
いという特徴を有する。
即ち本願発明は、
＋１） 金属薄層表面に反射防止樹脂組成物の薄層を
付着する工程と次にフォトレジストを塗布して露光およ
び現像の光学処理により所定部分の該フォトレジスト層
および該樹脂層を選択的に除去する工程と、次いでハロ
ゲン化合物を含むプラズマガスによる該金属薄層を選択
的にエツチングする工程とを含み該反射防止樹脂組成物
がノボラーＩり樹ｕｗに下記一般式で表わされる吸光剤
を含有することを特徴とする配線パターン形成法並びに （２） 該反射防止樹脂組成物がノボラック樹脂に前
記一般式で表わされる吸光剤と感光剤とを含有すること
を特徴とする配線パターン形成法に他ならない。
付着する工程と次にフォトレジストを塗布して露光およ
び現像の光学処理により所定部分の該フォトレジスト層
および該樹脂層を選択的に除去する工程と、次いでハロ
ゲン化合物を含むプラズマガスによる該金属薄層を選択
的にエツチングする工程とを含み該反射防止樹脂組成物
がノボラーＩり樹ｕｗに下記一般式で表わされる吸光剤
を含有することを特徴とする配線パターン形成法並びに （２） 該反射防止樹脂組成物がノボラック樹脂に前
記一般式で表わされる吸光剤と感光剤とを含有すること
を特徴とする配線パターン形成法に他ならない。
本発明に使用されるノボラ・ツク樹脂としてはフェノー
ル−ホルムアルデヒドノボラック樹脂、クレゾ〜ルーホ
ルムアルデヒドノボラーｌり樹脂、ｔａｒｔ−ブチルフ
ェノール−ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。
ル−ホルムアルデヒドノボラック樹脂、クレゾ〜ルーホ
ルムアルデヒドノボラーｌり樹脂、ｔａｒｔ−ブチルフ
ェノール−ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。
本発明に於いて使用される前記一般式で示される吸光剤
の具体例としては次の様な化合物が挙げられる。
の具体例としては次の様な化合物が挙げられる。
４−（Ｎ、Ｎ〜ジーｎ〜ヘキシル）−アニリノ−メチリ
デンマロノニトリル、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ペンチル）−８−メチルアニリ
ノ−メチリデンマロノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ
−ペンチル）−２−メチルアニリノ−メチリデンマロノ
ニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メ
チルアニリノ−メチリデンマロノ ニトリル、４−（Ｎ
、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−８−メチルアニリノ−メチ
（１デンマロノニトリル、４−（Ｎ 、Ｎ−ジ−ｎ−ヘ
プチル）−アニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘプチル）−２−メチルアニリ
ノ−メチリデンマロノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ
−ヘキシル）−７ニリノーメチリデンージメチルマロメ
ート、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メチル
アニリノ−メチリデン−ジメチルマロメート、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ペンチル）−８−メチルアニリ
ノ−メチリデン−ジメチルマロメート、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メトキシアニ
リノ−メチリデン−マロノニトリル、４−（Ｎ 、Ｎ−
ジ−ｎ−ヘキシル）−２−クロロアニリノ−メチリデン
マロノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−
８−メトキシアニリノ−メチリデンマロノニトリル、４
−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ペンチル）−２−クロロアニリノ
−メチリデン−ジメチルマロメート、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ベンジル）−アニリノ−メチリデン
−マロノニトリル、 より好ましく使用される吸光剤としては第１表に示す化
合物が挙げられる。
デンマロノニトリル、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ペンチル）−８−メチルアニリ
ノ−メチリデンマロノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ
−ペンチル）−２−メチルアニリノ−メチリデンマロノ
ニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メ
チルアニリノ−メチリデンマロノ ニトリル、４−（Ｎ
、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−８−メチルアニリノ−メチ
（１デンマロノニトリル、４−（Ｎ 、Ｎ−ジ−ｎ−ヘ
プチル）−アニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘプチル）−２−メチルアニリ
ノ−メチリデンマロノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ
−ヘキシル）−７ニリノーメチリデンージメチルマロメ
ート、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メチル
アニリノ−メチリデン−ジメチルマロメート、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ペンチル）−８−メチルアニリ
ノ−メチリデン−ジメチルマロメート、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メトキシアニ
リノ−メチリデン−マロノニトリル、４−（Ｎ 、Ｎ−
ジ−ｎ−ヘキシル）−２−クロロアニリノ−メチリデン
マロノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−
８−メトキシアニリノ−メチリデンマロノニトリル、４
−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ペンチル）−２−クロロアニリノ
−メチリデン−ジメチルマロメート、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ベンジル）−アニリノ−メチリデン
−マロノニトリル、 より好ましく使用される吸光剤としては第１表に示す化
合物が挙げられる。
第 １ 表
吸光剤の使用量は、過剰であると感度の低下を招き、又
少量では反射防止能が低下するため、１ ノボラ
・ツク樹脂に対し２〜６ｏ！量％が好ましく、より好適
には８〜４０重量％である。
少量では反射防止能が低下するため、１ ノボラ
・ツク樹脂に対し２〜６ｏ！量％が好ましく、より好適
には８〜４０重量％である。
これらの吸光剤はノボラック樹脂にきわめて溶解性が良
いためプリベーキング後の塗膜中においても、長時間完
全に溶解し、安定した塗膜が形成される。特に前記した
吸光剤の一般式において、Ｒ５、Ｒ，の炭素数が４以上
の吸光剤はノボラーＩり樹脂に対する溶解性がきわめて
良好であり、ＩＬｓ 、 Ｒ６の炭素数は４〜７が望ま
しい。
いためプリベーキング後の塗膜中においても、長時間完
全に溶解し、安定した塗膜が形成される。特に前記した
吸光剤の一般式において、Ｒ５、Ｒ，の炭素数が４以上
の吸光剤はノボラーＩり樹脂に対する溶解性がきわめて
良好であり、ＩＬｓ 、 Ｒ６の炭素数は４〜７が望ま
しい。
又これらの吸光剤は紫外線、特に紫外線のＧ線（４８６
ｎｍ）部分に強い吸収をもち、目合せ等に必要な可視領
域の光は大部分透過する結果正確なマスクの位置合せが
可能でかつ充分な反射防止効果を発揮する。
ｎｍ）部分に強い吸収をもち、目合せ等に必要な可視領
域の光は大部分透過する結果正確なマスクの位置合せが
可能でかつ充分な反射防止効果を発揮する。
本発明の反射防止樹脂組成物はエチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテートあるいは、シクロヘキサノン
等の溶媒に溶解させた状態で通常のホトレジストを塗布
するのと同様の方法。
エチルエーテルアセテートあるいは、シクロヘキサノン
等の溶媒に溶解させた状態で通常のホトレジストを塗布
するのと同様の方法。
で用いる。
又、この反射防止樹脂組成物の中に通常のポジ型レジス
トに用いるナフトキノンジアジドス （ルホン酸
エステル又はベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル
等の感光剤を添加して用いても良い。
トに用いるナフトキノンジアジドス （ルホン酸
エステル又はベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル
等の感光剤を添加して用いても良い。
この感光剤の添加量は、ノボラック樹脂に対して５〜５
０重量％が好適である。反射防止樹脂組成物に感光剤を
含有させた場合は、現像時の反射防止樹脂組成物と基板
との密着性が向上するとともに解像度をより高めること
ができる。
０重量％が好適である。反射防止樹脂組成物に感光剤を
含有させた場合は、現像時の反射防止樹脂組成物と基板
との密着性が向上するとともに解像度をより高めること
ができる。
本発明の反射防止樹脂組成物を用いると、反射率の高い
基板上で感度低下を伴うことなく、反射による解像度の
低下を防止することができろう 又、本発明の反射防止゛樹脂組成物に含有する吸光剤は
８０°Ｃ〜ｔｏｏ”ｃでのプリベーク時の安定性にもす
ぐれており、再現性良いパターン形成が可能となる。
基板上で感度低下を伴うことなく、反射による解像度の
低下を防止することができろう 又、本発明の反射防止゛樹脂組成物に含有する吸光剤は
８０°Ｃ〜ｔｏｏ”ｃでのプリベーク時の安定性にもす
ぐれており、再現性良いパターン形成が可能となる。
以下図面を参照しながら本発明の配線パターン形成工程
を詳細に説明する。
を詳細に説明する。
まず第２−１図のアルミニウム薄層１２上に本発明の反
射防止樹脂組成物を用いて所定の厚さの反射防止層１４
を形成させる。（第２−１図） この反射防止樹脂組成物は、フォトレジストと同様に回
転塗布付法と、それに続く所定温度の加熱加工が可能で
それにより、容易に厚さ０．５μｍ前後の反射防止層１
４を形成することができる。
射防止樹脂組成物を用いて所定の厚さの反射防止層１４
を形成させる。（第２−１図） この反射防止樹脂組成物は、フォトレジストと同様に回
転塗布付法と、それに続く所定温度の加熱加工が可能で
それにより、容易に厚さ０．５μｍ前後の反射防止層１
４を形成することができる。
次に、該反射防止層１４上に例えば、住友化学工業株式
会社製のスミレシストＤＦ２２００ポジ型フォトレジス
ト或いはシラプレー（Ｓｈｉｐｌａｙ）社製Ａ Ｚ １
３７０の様なポジ型フォトレジストを所定の厚さに塗布
する（第２−２図）。
会社製のスミレシストＤＦ２２００ポジ型フォトレジス
ト或いはシラプレー（Ｓｈｉｐｌａｙ）社製Ａ Ｚ １
３７０の様なポジ型フォトレジストを所定の厚さに塗布
する（第２−２図）。
続いて該レジスト膜ＩＪ１３をマスクによる選択的露光
及び現像処理により所定の部分以外のレジスト膜及び反
射防止層を除去して、レジストパターン１３Ｂを形成す
る（第２−３図）。
及び現像処理により所定の部分以外のレジスト膜及び反
射防止層を除去して、レジストパターン１３Ｂを形成す
る（第２−３図）。
上記の現像処理において反射防止層の材質は主としてノ
ポラ７り樹脂から成るため通常のアルカリ性の現像 液
により容易に除去することができる。
ポラ７り樹脂から成るため通常のアルカリ性の現像 液
により容易に除去することができる。
本発明によれば、反射防止Ｊｉ１４により、マスクによ
る露光時の複反対が防止されて、従来より格段に解像度
が改良され、レジストパターン１３Ｂは、これまでのレ
ジストパターン１３Ａ（第１−４Ｅ）にくらべてはるか
に微細化することが可能となる。
る露光時の複反対が防止されて、従来より格段に解像度
が改良され、レジストパターン１３Ｂは、これまでのレ
ジストパターン１３Ａ（第１−４Ｅ）にくらべてはるか
に微細化することが可能となる。
次いでレジストパターン１８Ｂを所定の温度でベーク処
理後平行平板型プラズマエツチャーで反応ガスとしてＣ
Ｏｔａガスを用い該レジストパターン１８Ｂをマスクに
して、アルミニウム薄層１２の所定の部分をエツチング
してアルミニウムパターン層１２Ｂを形成する（第２−
４図）。
理後平行平板型プラズマエツチャーで反応ガスとしてＣ
Ｏｔａガスを用い該レジストパターン１８Ｂをマスクに
して、アルミニウム薄層１２の所定の部分をエツチング
してアルミニウムパターン層１２Ｂを形成する（第２−
４図）。
最後に０２プラズマ法によりレジストパターン１８Ｂ即
ちレジスト層１８および反射防止層１４を除去すれば本
発明による電気配線パターン１２Ｂが完成する（第２−
５図）７ 〔発明の効果〕 前述したように本発明による製造方法によると、反射防
止層１４によりアルミニウム層表面の複反射が抑えられ
る効果の他に反射防止層１４の材質がノボラック樹脂を
主体とする為レジスト層１８とほぼ同じ材質なので該層
１４はレジスト層１８とほぼ同等のエツチングマスクと
しての機能を有する故にこれを補完し、従って本発明に
おいてはレジスト層１８を従来に比べて若干薄くするこ
とが可能となりこれにより一層解像度を向上することが
可能となる。
ちレジスト層１８および反射防止層１４を除去すれば本
発明による電気配線パターン１２Ｂが完成する（第２−
５図）７ 〔発明の効果〕 前述したように本発明による製造方法によると、反射防
止層１４によりアルミニウム層表面の複反射が抑えられ
る効果の他に反射防止層１４の材質がノボラック樹脂を
主体とする為レジスト層１８とほぼ同じ材質なので該層
１４はレジスト層１８とほぼ同等のエツチングマスクと
しての機能を有する故にこれを補完し、従って本発明に
おいてはレジスト層１８を従来に比べて若干薄くするこ
とが可能となりこれにより一層解像度を向上することが
可能となる。
しかも該反射防止層１４は通常のレジスト塗布と同様に
容易に回転塗布法により形成することが可能であり、レ
ジスト塗布と同一装置を用いることが可能であり、該ｍ
１４の形成により該半導体装置の製造コストに悪影響を
与えることはない。
容易に回転塗布法により形成することが可能であり、レ
ジスト塗布と同一装置を用いることが可能であり、該ｍ
１４の形成により該半導体装置の製造コストに悪影響を
与えることはない。
以上述べたごとく、本発明による微細パターン形成法に
より電気配線層を始めとして各層パターンの微細化が可
能となり、これにより該半導体装置のチップサイズの縮
少化により、該装置の特性向上および製造コスト低減に
少なからぬを与をすることができる。
より電気配線層を始めとして各層パターンの微細化が可
能となり、これにより該半導体装置のチップサイズの縮
少化により、該装置の特性向上および製造コスト低減に
少なからぬを与をすることができる。
また本発明においては該反射防止樹脂組成物としては、
ノボラーＩり樹脂に前記吸光剤に加えて他の添加物とし
て、ナフトキノンジアジド等 ”を主成分とする
感光剤を微量添加することかできる。
ノボラーＩり樹脂に前記吸光剤に加えて他の添加物とし
て、ナフトキノンジアジド等 ”を主成分とする
感光剤を微量添加することかできる。
この場合は感光剤の添加により、現像後の反射防止層１
４の断面形状をより垂直にし、オーバー現像の状態を防
止する効果がもたらされる、次に実施例を挙げて本発明
をさらに詳しく説明するが、以下の実施例に制限される
ものではない。
４の断面形状をより垂直にし、オーバー現像の状態を防
止する効果がもたらされる、次に実施例を挙げて本発明
をさらに詳しく説明するが、以下の実施例に制限される
ものではない。
実施例−１
ノボラック樹ロ旨アルノボルｒＮ４ａＯ（ヘキスト社製
）１０ｙを含むエチレングリコールモノエチルエーテル
アセテート溶液（ノボラーｌり樹脂含有量１０重量％）
に、４８６ｎｔｎに主吸収波長を示す吸光剤（第１表記
載の吸光剤＆ １ ） ６． Ｏｆ を添加し、反射
防止組成物を調製した。これをアルミニウムを蒸着した
シリコン基板上に塗布し、温度９０″Ｃで２０分間プリ
ベークして膜厚０．５０μｍの被膜を形成させた。この
上にポジ型フォトレジスト（住友化学社製スミレシスト
Ｐ Ｆ−２２００）を塗布して１．８０μｍにし、再び
９０°Ｃでプリベークした後オプトラインマスクを使用
して、カスパーアライナ−で露光し、現像液（ポジレジ
スト用住友化学社１８０ＰＤ）を用いて現像した。
）１０ｙを含むエチレングリコールモノエチルエーテル
アセテート溶液（ノボラーｌり樹脂含有量１０重量％）
に、４８６ｎｔｎに主吸収波長を示す吸光剤（第１表記
載の吸光剤＆ １ ） ６． Ｏｆ を添加し、反射
防止組成物を調製した。これをアルミニウムを蒸着した
シリコン基板上に塗布し、温度９０″Ｃで２０分間プリ
ベークして膜厚０．５０μｍの被膜を形成させた。この
上にポジ型フォトレジスト（住友化学社製スミレシスト
Ｐ Ｆ−２２００）を塗布して１．８０μｍにし、再び
９０°Ｃでプリベークした後オプトラインマスクを使用
して、カスパーアライナ−で露光し、現像液（ポジレジ
スト用住友化学社１８０ＰＤ）を用いて現像した。
一方、比較のために、上記の反射防止組成物は使用せず
にポジ型フォトレジスト（住友化学社製スミレシストＰ
Ｆ−２２００＞のみを、アルミニウムを蒸着したシリコ
ン基板上に塗布して膜厚１．３０１１ｍにし、以降上記
と同じ処決で露光、現像を行い、両者の比較をした。そ
の結果を箇２表に示す。
にポジ型フォトレジスト（住友化学社製スミレシストＰ
Ｆ−２２００＞のみを、アルミニウムを蒸着したシリコ
ン基板上に塗布して膜厚１．３０１１ｍにし、以降上記
と同じ処決で露光、現像を行い、両者の比較をした。そ
の結果を箇２表に示す。
反射防止層によって、感度は低下していない。
これらのウェハーを１２０”Ｃ１３０分間ベト膜により
被膜されていない部分のアルミニウム薄膜を除去した後
酸素プラズマによりレジストパターンを除去したものに
つき走査型電子顕微鏡でパターンの形状を調べたところ
第２表で示されるように反射防止層によって解像度の著
しい改良がみられた。
被膜されていない部分のアルミニウム薄膜を除去した後
酸素プラズマによりレジストパターンを除去したものに
つき走査型電子顕微鏡でパターンの形状を調べたところ
第２表で示されるように反射防止層によって解像度の著
しい改良がみられた。
第２表
実施例−２
ノボラ＝ｙり樹脂アルノボルＰＮ４８０（ヘキスト社製
）１５Ｎと、２，８．４−トリハイドロキシベンゾフェ
ノン−ナフトキノン−１，′２−ジアジドー５−スルホ
ン酸−（モノ；ジ；トリ）エステル混合物１．５ｇを含
むエチレングリコールモノエチルエーテル１
アセテート溶液（ノボラｌり樹脂含有量１０重量％）に
、４３５ｎｍに主吸収波長を示す吸光剤（第１表記載の
吸光剤＆１）９．０ｙを添加し、反射防止組成物を調製
した。これを、アルミニウムを蒸着したシリコン基板上
に塗布し、温度９０゛″Ｃで２０分間プリベークして膜
厚０．４５μｍの被膜を形成させた。
）１５Ｎと、２，８．４−トリハイドロキシベンゾフェ
ノン−ナフトキノン−１，′２−ジアジドー５−スルホ
ン酸−（モノ；ジ；トリ）エステル混合物１．５ｇを含
むエチレングリコールモノエチルエーテル１
アセテート溶液（ノボラｌり樹脂含有量１０重量％）に
、４３５ｎｍに主吸収波長を示す吸光剤（第１表記載の
吸光剤＆１）９．０ｙを添加し、反射防止組成物を調製
した。これを、アルミニウムを蒸着したシリコン基板上
に塗布し、温度９０゛″Ｃで２０分間プリベークして膜
厚０．４５μｍの被膜を形成させた。
この上にポジ型フォトレジスト（住人化学社製スミレシ
スト１’ Ｆ −２２００）を塗布して膜厚１．８０μ
ｍにし、再び９０’Ｃでプリベークした後、オプトライ
ンマスクを使用して、カスパーアライナ−で露光し、現
像液（ポジレジスト用住友化学社製８０ＰＤ）を用いて
現像した。
スト１’ Ｆ −２２００）を塗布して膜厚１．８０μ
ｍにし、再び９０’Ｃでプリベークした後、オプトライ
ンマスクを使用して、カスパーアライナ−で露光し、現
像液（ポジレジスト用住友化学社製８０ＰＤ）を用いて
現像した。
一方、比較のために、上記の反射防止組成物は使用せず
にポジ型フォトレジスト（住人化学社製スミレシストＰ
Ｆ−２２００）のみをアルミニウムを蒸着したシリコン
基板上に塗布して膜厚１，８０ｎｍにし、以降上記と同
じ処決で露光、現像プラズマエ・ソチングを行い両者の
比較をした。その結果を第３表に示 １すっ 反射防止層によって、感度は低下せず、走査型電子顕微
鏡でパターンの形状をみたところ、解像度の著しい改善
が認められた。
にポジ型フォトレジスト（住人化学社製スミレシストＰ
Ｆ−２２００）のみをアルミニウムを蒸着したシリコン
基板上に塗布して膜厚１，８０ｎｍにし、以降上記と同
じ処決で露光、現像プラズマエ・ソチングを行い両者の
比較をした。その結果を第３表に示 １すっ 反射防止層によって、感度は低下せず、走査型電子顕微
鏡でパターンの形状をみたところ、解像度の著しい改善
が認められた。
第 ８ 表
実施例−３
反射防止組成物に含有する吸光剤以外は、実施例−２と
全く同様の方法で反射防止性能を検討しｔごところ第４
表に示す如く、各皿吸光剤を含有する反射防止層によっ
て、感度は低下せず、走査型電子顕微鏡でパターンの形
状をみたところ、解像度は非常に良好であった。
全く同様の方法で反射防止性能を検討しｔごところ第４
表に示す如く、各皿吸光剤を含有する反射防止層によっ
て、感度は低下せず、走査型電子顕微鏡でパターンの形
状をみたところ、解像度は非常に良好であった。
第４表
＠２−１図乃至第２−５図は、本願発明の配線パターン
の形成工程を示す断面図であり、第１−１図乃至第１−
５図は従来技術の配線パターンの形成工程を工程順に示
【ノた断面図である。 尚、図中の番号は、以下のものを示す。 １１．シリコン基板 １１． 、 、酸化シリコン薄
層１２、、、アルミニウム薄層 １Ｂ、、、フォトレジスト膜層 １４、、、反射防止層 １２Ａ 、 １２Ｂ、、、電気配線パターン１（Ａ、１
８Ｂ１．、レジストパターン〒
の形成工程を示す断面図であり、第１−１図乃至第１−
５図は従来技術の配線パターンの形成工程を工程順に示
【ノた断面図である。 尚、図中の番号は、以下のものを示す。 １１．シリコン基板 １１． 、 、酸化シリコン薄
層１２、、、アルミニウム薄層 １Ｂ、、、フォトレジスト膜層 １４、、、反射防止層 １２Ａ 、 １２Ｂ、、、電気配線パターン１（Ａ、１
８Ｂ１．、レジストパターン〒
Claims (2)
- （１）金属薄層表面に反射防止樹脂組成物の薄層を付着
する工程と次にフォトレジストを塗布して露光および現
像の光学処理により所定部分の該フォトレジスト層およ
び該樹脂層を選択的に除去する工程と、次いで該金属薄
層を選択的にエッチングする工程とを含み、該反射防止
樹脂組成物がノボラック樹脂に下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ Ｒ＿１、Ｒ＿２：それぞれシアノ基又はＣＯＯＲ＿７基
（Ｒ＿７；低級アルキル基） Ｒ＿８、Ｒ＿４：それぞれ水素原子、低級アルキル、低
級アルコキシ、低級アシ ルアミノ又はハロゲンから選ば れた基 Ｒ＿５、Ｒ＿６：それぞれアルキル、アラルキルから選
ばれた基である。 で表わされる吸光剤を含有することを特徴とする配線パ
ターン形成法。 - （２）金属薄層表面に反射防止樹脂組成物の薄層を付着
する工程と次にフォトレジストを塗布して露光および現
像の光学処理により所定部分の該フォトレジスト層およ
び該樹脂層を選択的に除去する工程と次いでプラズマガ
スによる該金層薄層を選択的にエッチングする工程とを
含み、該反射防止樹脂組成物がノボラック樹脂に下記一
般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ Ｒ＿１、Ｒ＿２：それぞれシアノ基又は、ＣＯＯＲ＿７
基（Ｒ＿７：低級アルキル基） Ｒ＿８、Ｒ＿４：それぞれ水素原子、低級アルキル、低
級アルコキシ、低級アシ ルアミノ又は、ハロゲンから選 ばれた基 Ｒ＿５、Ｒ＿６：それぞれアルキル、アラルキルから選
ばれた基である。 で表わされる化合物と、感光剤とを含有することを特徴
とする配線パターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59220663A JPH0743538B2 (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 配線パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59220663A JPH0743538B2 (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 配線パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199351A true JPS6199351A (ja) | 1986-05-17 |
| JPH0743538B2 JPH0743538B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=16754499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59220663A Expired - Lifetime JPH0743538B2 (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 配線パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743538B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63286843A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| WO2004092238A1 (ja) * | 2003-04-18 | 2004-10-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 下地材用樹脂、下地材、積層体、及び多層レジストパターン形成方法 |
| JP2018025614A (ja) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | 東京応化工業株式会社 | 基板の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5158072A (ja) * | 1974-11-18 | 1976-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Handotaisochinoseizohoho |
| JPS5163824A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-06-02 | Sandoz Ag | |
| JPS6113245A (ja) * | 1984-06-11 | 1986-01-21 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | スピンキヤスタブルレジスト組成物およびその使用方法 |
| JPS6193445A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 新規なフオトレジスト組成物 |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP59220663A patent/JPH0743538B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5163824A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-06-02 | Sandoz Ag | |
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| JPS6193445A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 新規なフオトレジスト組成物 |
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| JPS63286843A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPH0513492B2 (ja) * | 1987-05-19 | 1993-02-22 | Nippon Zeon Co | |
| WO2004092238A1 (ja) * | 2003-04-18 | 2004-10-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 下地材用樹脂、下地材、積層体、及び多層レジストパターン形成方法 |
| JP2018025614A (ja) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | 東京応化工業株式会社 | 基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0743538B2 (ja) | 1995-05-15 |
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